JP4655501B2 - 液状封止樹脂組成物ならびに電子部品装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
そこで、熱応力を緩和する目的から液状封止材の注入による封止が行われる。しかし、この方式では、アンダーフィル材を注入する前に、はんだバンプの表面に形成された酸化膜を還元除去してはんだバンプの基板上電極に対する濡れ性を確保するためのフラックス材を予め基板上に塗布し、リフロー炉での加熱により、はんだバンプ付き半導体素子を基板上に実装させたのち、有機溶剤によって前記フラックス材の残渣を洗浄除去させるプロセスが必要であるため、工程が煩雑であるという問題があった。また、前記フラックス材残渣に、大量の廃液が発生し、環境に対して影響を及ぼす。さらに、半導体素子の高密度化に伴うバンプピッチ、半導体素子と基板間のギャップの縮小は、液状封止材の注入の長時間化、及び前記フラックス材残渣の細部洗浄が技術的に困難となり、組立プロセスの煩雑化とコストの上昇を招く。
IEEE Transactions on components and packaging technologies,vol.25,No.1,p140(2002) IEEE Transactions on components and packaging technologies,vol.26,No.2,p466(2003)
このような理由から、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得る上記の有機酸を使用すると、他成分との反応性が高く、フラックス活性と硬化反応制御の両立が困難である。また、これらの有機酸が系の硬化反応に組み込まれた場合、その硬化物はエステル結合を有する構造となるため、硬化物の耐加水分解性が低下し、耐湿信頼性が劣るという問題が生じる。
さらに、このアルコール物質を熱硬化性液状封止樹脂組成物に添加したとき、常温での他成分との反応を抑制でき、前述の酸無水物や多官能カルボン酸などの有機酸を添加したときに見られる常温放置時の粘度上昇を抑制でき、保存安定性を同時に改善できることも新たに判明した。そこで、フラックス活性と硬化反応制御の両立についてさらに鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。
また、第2の発明は、配線回路基板と電子部品素子とを、該基板及び素子の少なくともどちらかに予め配設された接続用電極部により電気的に接合させる電子部品装置の製造方法であって、
(1)前記配線回路基板上に、前記(B)アルコール物質として、溶融温度は接続用電極部の溶融温度以下で、かつ揮発終了温度は前記接続用電極部の溶融温度より高いアルコール物質を用いた上記本発明の液状封止樹脂組成物を塗布し、
(2)電子部品素子を前記(1)の液状封止樹脂組成物付き基板上に搭載し、前記液状封止樹脂組成物を押しのけた接続用電極部を介して前記素子と基板とを接触させることにより仮実装し、かつ素子と基板との間の空隙内に液状封止樹脂組成物を充填させ、
(3)リフロー炉、またはヒータ及び押圧部を備えた装置により、前記(2)の素子付き基板を加熱して、接続用電極部を溶融させて素子を基板上に電気的接合により実装させると同時に、前記液状封止樹脂組成物を硬化させることにより封止する電子部品装置の製造方法を提供する。
さらに、第3の発明は上記の液状封止樹脂組成物で素子が封止されてなる電子部品装置を提供する。
さらに、フェイスダウン構造の電子部品装置の素子と配線回路基板間の封止に用いることにより、従来の、フラックス材を用いて素子バンプと配線回路基板電極とを金属接続した後に、上記素子と配線回路基板との空隙に封止樹脂を注入するという煩雑な工程をとらず、容易に一括接合、封止技術による樹脂封止・金属接合形成が可能となり、電子部品装置を高い生産性で製造することができる。
このようなアルコール物質としては、例えば、1,3−ジオキサン−5,5−ジメタノール、1,5−ペンタンジオール、2,5−フランジメタノール、n−ブチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、1,2,3−ヘキサントリオール、1,2,4−ブタントリオール、1,2,6−ヘキサントリオール、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2´,3´,4´−トリヒドロキシアセトフェノン、3−メチルペンタン−1,3,5−トリオール、グリセリン、トリエタノールアミン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ピロガロール、エリトリトール、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)イソプロパノールアミン、ペンタエリトリトール、ビス(2−ヒドロキシメチル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタン、リビトール、ソルビトール、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、1,3−ブチレングリコール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール等の他、
トリオース、テトロース、ペントース、ヘキソース、グルコース等の単糖類、また、
2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール・アジピン酸重縮合物、ブチルエチルプロパンジオール・アジピン酸重縮合物等のポリオール等が挙げられ、これらから1種類以上を選択することができる。
すなわち、例えば接続用電極部がはんだ製である場合には、(B)アルコール物質のTGA(Thermal Gravimetory Analysis)法によるTG%(熱重量変化率)が0%の温度、すなわち、残存重量が0となる最低温度(以下、揮発終了温度ともいう。)が、はんだの溶融温度より高く、かつ常温で固体状のアルコール物質を選択する場合は、そのアルコール物質のmp(溶融温度)が、実装温度(すなわちはんだの溶融温度)以下となる必要がある。このように、(B)アルコール物質は、実装時の接続用電極部の素材の溶融温度を考慮して適宜選択される。
なお、上記のTG%=0%の温度(揮発終了温度)は、10℃/minの昇温速度、200mL/minのAir流量及び8〜10mgのサンプル重量で測定したときの値である。
このような樹脂としては、ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、ビスフェノールAD型のグリシジルエーテル、ビスフェノールS型のグリシジルエーテル、ビスフェノールF型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールA型ノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型のグリシジルエーテル、4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型のグリシジルアミン、4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられ、常温で液状のものを選択するのが望ましい。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノール多核体化合物等のフェノール系化合物の他、
脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられ、常温で液状のものを選択するのが望ましい。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
イミダゾール類、
ジシアンジアミド誘導体、
ジカルボン酸ジヒドラジド、
トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、
2−エチル−4−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7−テトラフェニルボレート、
等が挙げられる。
上記の可塑性ポリマーの添加については、液状封止樹脂組成物の可塑化、可とう化の目的の他に、液状封止樹脂組成物の反応による粘度の上昇の抑制というメリットもある。添加できる可塑性ポリマーとしては、特に限定しないが、例えば、
ポリアミド樹脂、
ポリイミド樹脂、
ウレタン樹脂、
シリコーン樹脂、
フェノキシ樹脂、
アクリル系共重合体、
等を挙げることができる。
中でも、フラックス機能を同時に付与できる点で、水酸基を複数個含有するフェノキシ樹脂が好ましい。
なお、上記配線回路基板1と半導体素子3とを電気的に接続する上記複数の接続用電極部2は、予め配線回路基板1面に配設されてもよいし、半導体素子3面に配設されていてもよい。さらには、予め配線回路基板1面及び半導体素子3面の双方にそれぞれ配設されてもよい。
配線回路基板1の材質としては、特に限定するものではないが、大別して、セラミック基板、プラスチック基板があり、前記プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。本発明の液状封止樹脂組成物は、プラスチック基板と、低融点半田による接続用電極部等の組合せのように耐熱性の問題で接合温度を高温に設定することができないような場合においても、特に限定されることなく、好適に用いられる。
複数の接続用電極部2の材質としては、特に限定するものではないが、例えば半田による低融点、及び高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀―錫−銅バンプ等が挙げられ、また、回路配線基板上の電極部が上記の材質からなるものに対しては、図中の接続用電極部2は金バンプ、銅バンプ等であっても良い。
半導体素子3は、特に限定されず、通常使用されるものが使用できる。例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体等の各種半導体が使用される。
(1)まず、図2に示すように配線回路基板1上に、本発明の液状封止樹脂組成物7をディスペンス法により塗布する。
(2)ついで、図3に示すように、(1)の基板の液状封止樹脂組成物7の上の所定位置に、基板と電気的接合させるための複数の半田バンプ製接続用電極部(ジョイントボール)2が設けられた半導体素子3を搭載し、
液状封止樹脂組成物7を加熱ステージ上で溶融して溶融状態とし、上記半導体素子3の接続用電極部2が溶融状態の液状封止樹脂組成物7を押しのけ、配線用回路基板1と接続用電極部2が接触することにより仮実装し、かつ半導体素子3と配線回路基板1との間の空隙内に溶融状態の液状封止樹脂組成物7を充填させる。
(3)その後、半田リフローによる金属接合を行うと同時に、液状封止樹脂組成物7を硬化させることにより、空隙を封止して、封止樹脂層4を形成する(図1参照。)。この時、半田を溶融させて半田バンプ付き素子を基板上に電気的に接合させる半田リフロー方式は、リフロー炉を用いた接合方式であっても、ヒータ及び押圧部を備えた装置によりチップ搭載と同時に半田融点以上にヒータ部分を加熱し、半田溶融を行う接合方式であっても良い。このようにして、図1に示す電子部品装置を製造する。
配線回路基板1上に、液状封止樹脂組成物7を塗布する方法は、ディスペンス法の他、印刷法、転写法などが挙げられる。
また、液状封止樹脂組成物7の厚み及び重量は、上記同様、搭載される半導体素子3の大きさ及び半導体素子に設けられた球状の接続用電極の大きさ、すなわち、半導体素子3と配線回路基板1との空隙を充填し、封止することにより形成される封止樹脂層4の占める容積により、適宜に設定される。
また、上記電子部品装置の製造方法において、上記(2)の仮実装時には、必ずしも液状封止樹脂組成物7を加熱して溶融させなくてもよい。さらに、液状封止樹脂組成物7を加熱して溶融状態にする際の加熱温度としては、半導体素子3及び配線回路基板1の耐熱性、接続用電極部2の融点、並びに液状封止樹脂組成物7の軟化点、耐熱性等を考慮して適宜に設定されるものである。
(予備実験)
まず、本発明における成分(B)を含むフラックス活性剤の種類、特性及びそれらのフラックス活性の指標としての半田ボール濡れ広がり率を予め検討した結果を表1にまとめて示す。図4〜図6は、半田濡れ広がり率試験の工程の一例を示す概略断面図である。半田ボール濡れ広がり率は、図4に示すように、銅箔付き基板(日立化成工業株式会社製MCL−E−679)5の上に、表1記載のフラックス活性剤8を塗布し、図5に示すようにフラックス活性剤中に半田ボール(千住金属工業株式会社製、M705(Sn/3.0Ag/0.5Cu)、ボール径:200μm、融点:220℃)6を4個添加し、260℃の熱盤上に30秒間放置して半田ボール6を溶融させた後、図6に示すように濡れ広がり後の半田ボール6の最大径Sを測定した。次式(1)により、4個の各最大径Sからそれぞれ算出した値の平均値を採用した。
(濡れ広がり後の半田ボール6の最大径S−濡れ広がり前の半田ボール径)
×100/濡れ広がり前の半田ボール径 式(1)
また、表1中の揮発終了温度(TG%=0%)とは、前述のとおりTGA(Thermal Gravimetory Analysis)法によるTG%(熱重量変化率)が0%、すなわち、残存重量が0になる温度のことで、10℃/minの昇温速度、200mL/minのAir流量及び8〜10mgのサンプル重量で測定したときの値である。
表1から、1分子中に−OH官能基(水酸基)を2個以上含有するアルコール化合物について、半田ボールの濡れ広がりが認められた。さらに、−OH官能基数が多くなるにつれて、また、TG%=0%の温度が、半田ボールの溶融温度である220℃よりも高くなるにつれて、半田ボール濡れ広がり率は増大し、フラックス活性は向上する方向に進むことが示された。良好な半田ボール濡れ広がり性を示すアルコール物質は、カルボン酸系の有機酸と同等レベルのフラックス活性を示すことが分かった。
次に、(A)熱硬化性樹脂組成物として東都化成株式会社製ビスフェノールF型エポキシ樹脂YDF−8170C(エポキシ当量:160、性状:液状)100重量部、
硬化剤として、明和化成株式会社製フェノールノボラック樹脂H−1(OH当量:106、性状:固体状)66重量部、
硬化促進剤として、四国化成工業株式会社製キュアゾール2P4MHZ(イミダゾール系化合物、性状:固体状)1重量部、
無機充填材として、株式会社トクヤマ製球状シリカフィラーSE−1(平均粒子径:1.0μm)190重量部、
シランカップリング剤として、日本ユニカー株式会社製γ−グリシドプロピルトリメトキシシランA−187を1重量部
および(B)アルコール物質として表2、表3に示すフラックス活性剤
を秤量し、3本ロールにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い、実施例1〜4、及び比較例1〜3の液状封止樹脂組成物を調製した。実施例1〜4の組成物の特性を表2に、比較例1〜3の組成物の特性を表3にそれぞれ併記する。なお、表中のフラックス活性剤の配合量は、上記エポキシ樹脂100重量部に対する重量部である。
24h放置後の粘度上昇率は、次式により算出した。24h放置後の粘度上昇率=(25℃24h放置後の粘度−配合直後の粘度)×100/配合直後の粘度。
ゲルタイムは、ゲルタイマーを用い、配合した液状封止樹脂組成物を260℃の熱盤上に適量たらしたのち、ゲル化し始めるまでの時間を測定したときの値である。
また、Tgは、液状封止樹脂組成物を260℃熱盤上でゲル化させたのち、165℃のオーブン中で1時間加熱して得た硬化物を、DSC(示差走査熱量測定)で測定したときの値である。なお、DSC測定条件は、次の通りである。サンプル量:10mg、昇温速度:10℃/分、25℃から300℃まで昇温、昇温回数:2回。
表2から、実施例は比較例と比べて、良好な半田濡れ広がり性を示し、かつ、放置後の増粘が抑制されており、特性バランスに優れていることが確認された。
2 接続用電極部
3 半導体素子
4 封止樹脂層
5 銅箔基板
6 半田ボール
7 液状封止樹脂組成物
8 フラックス活性剤
Claims (5)
- 液状封止樹脂組成物を配線回路基板上に塗布し、電子部品素子を基板上に仮実装させ、加熱によってはんだを溶融接続させたのちに硬化することで、該基板及び素子の少なくともどちらかに予め配設された接続用電極部により電気的に接合させた電子部品装置に用いる液状封止樹脂組成物であって、
(A)熱硬化性樹脂組成物、(B)1分子中に−OH官能基(水酸基)を少なくとも2個含有するアルコール物質を1種類以上、及び(C)無機フィラーを含有し、
(A)熱硬化性樹脂組成物がエポキシ基を2個以上含有するエポキシ樹脂を含有し、該エポキシ樹脂がフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂である液状封止樹脂組成物。 - 前記(B)アルコール物質が常温で液状である請求項1に記載の液状封止樹脂組成物。
- 前記(B)アルコール物質が(A)熱硬化性樹脂組成物と相溶する請求項2に記載の液状封止樹脂組成物。
- 配線回路基板と電子部品素子とを、該基板及び素子の少なくともどちらかに予め配設された接続用電極部により電気的に接合させる電子部品装置の製造方法であって、
(1)前記配線回路基板上に、前記(B)アルコール物質として、溶融温度は接続用電極部の溶融温度以下で、かつ揮発終了温度は前記接続用電極部の溶融温度より高いアルコール物質を用いた請求項1〜3のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物を塗布し、
(2)電子部品素子を前記(1)の液状封止樹脂組成物付き基板上に搭載し、前記液状封止樹脂組成物を押しのけた接続用電極部を介して前記素子と基板とを接触させることにより仮実装し、かつ素子と基板との間の空隙内に液状封止樹脂組成物を充填させ、
(3)リフロー炉、またはヒータ及び押圧部を備えた装置により、前記(2)の素子付き基板を加熱して、接続用電極部を溶融させて素子を基板上に電気的接合により実装させると同時に、前記液状封止樹脂組成物を硬化させることにより封止する電子部品装置の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物で素子が封止されてなる電子部品装置。
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JP6747440B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2020-08-26 | 日立化成株式会社 | フィルム形成用樹脂組成物及びこれを用いた封止フィルム、支持体付き封止フィルム、半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10292091A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JP2003020325A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Asahi Kasei Corp | 半導体チップ用封止材料 |
WO2003075339A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | B-stageable underfill encapsulant and method for its application |
JP2004067930A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2004076030A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Nippon Joint Kk | 表面処理方法、洗浄保護用溶液および装置ユニット |
JP2004099837A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
JP2004111986A (ja) * | 2003-10-30 | 2004-04-08 | Ibiden Co Ltd | はんだボール並びに接続構造 |
-
2004
- 2004-04-12 JP JP2004116933A patent/JP4655501B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10292091A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JP2003020325A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Asahi Kasei Corp | 半導体チップ用封止材料 |
WO2003075339A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | B-stageable underfill encapsulant and method for its application |
JP2004067930A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2004076030A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Nippon Joint Kk | 表面処理方法、洗浄保護用溶液および装置ユニット |
JP2004099837A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
JP2004111986A (ja) * | 2003-10-30 | 2004-04-08 | Ibiden Co Ltd | はんだボール並びに接続構造 |
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