JP2012079872A - フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 - Google Patents
フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、
(D)揮発性有機溶剤、及び
(E)細孔容積が0.3〜0.7cm3/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。
【選択図】なし。
Description
(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、
(D)揮発性有機溶剤、及び
(E)細孔容積が0.3〜0.7cm3/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物
を提供する。
基板と、該基板にフリップチップ接続されたシリコンチップと有してなる半導体装置の製造方法であって、
(1)フリップチップ接続用の半田バンプを備えたシリコンウエハの、該半田バンプを備えた表面上に、上述のB-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物(アンダーフィル剤)をスプレー塗布し、次いで、塗布されたアンダーフィル剤をB−ステージ化して半田バンプの高さの1.0〜1.3倍の厚みを有するB−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成する工程、
(2)B−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成された前記シリコンウエハを切断してシリコンチップに個片化する工程、
(3)工程(2)で得られた個片を、基板上の接続すべき位置に位置決めする工程、及び
(4)工程(3)で位置決めした個片を、前記半田バンプを溶融することにより、基板に接続する工程、
を含む半導体装置の製造方法(以下、「製造方法1」という)を提供する。
基板と、該基板にフリップチップ接続されたシリコンチップと有してなる半導体装置の製造方法であって、
(i)フリップチップ接続用の半田バンプを備えたシリコンウエハの、該半田バンプを備えた表面上に、上述のB-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物を第1のアンダーフィル剤としてスプレー塗布し、次いで、塗布されたアンダーフィル剤をB−ステージ化して半田バンプの高さの0.5〜1.0倍の厚みを有する形成する工程、
(ii)B−ステージ状態の第1のアンダーフィル剤層上に、第1のアンダーフィル剤とは異なる液状の第2のアンダーフィル剤をスプレー塗布し、次いで、塗布された第2のアンダーフィル剤をB−ステージ化してB−ステージ状態の第2のアンダーフィル剤層を、第1及び第2のアンダーフィル剤層合計の厚みが半田バンプの高さの1.0〜1.3倍となるように形成する工程、
(iii)工程(i)及び(ii)でB−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成された前記シリコンウエハを切断してシリコンチップに個片化する工程、
(iv)工程(iii)で得られた個片を、基板上の接続すべき位置に位置決めする工程、及び
(v)工程(iv)で位置決めした個片を、前記半田バンプを溶融することにより、基板に接続する工程、
を含む半導体装置の製造方法(以下、「製造方法2」という)を提供する。
・本発明の組成物は特定の球状多孔質無機充填剤を含むことにより、高充填化した場合でも従来の多孔質シリカに比べて粘度上昇がみられない。
・該組成物は硬化後の機械的強度に優れるため、温度サイクルなどの衝撃から半導体素子を保護する能力に優れたアンダーフィル材である。
・本発明の組成物は低吸水性であるので、実装時の半田リフロー工程でパッケージクラック又は界面剥離が起こり難く、高信頼性のアンダーフィル材である。
・本発明の組成物は、アンダーフィル剤として薄膜形成に適し、狭いギャップやファインピッチのフリップチップデバイスのアンダーフィルに対応できる。
・本発明の製造方法によれば、Bステージ状態のアンダーフィル層が半田バンプの高さの1.0〜1.3倍となるので先行技術のように硬化収縮による隙間はできない。
・本発明の組成物は溶媒を含んでもよいが、Bステージ化段階で除去され、Bステージ化段階でボイド発生の恐れはない。
・本発明の製造方法で用いるスプレー塗布はスピンコート法に比して溶剤の使用量、廃棄量を低減できるので、環境に優しい。
・本発明の組成物にはフラックス性を有する硬化剤が含まれているため、別途フラックス剤を使用することなく、半田バンプと基板上のパッドとの良好な接続を形成できる。
本発明のアンダーフィル剤組成物は、製造方法1のアンダーフィル剤として、また製造方法2の第1アンダーフィル剤として用いられる。以下、成分を、順を追って説明する。
・(A)エポキシ樹脂:
用いられるエポキシ樹脂は、2官能性以上であれば特に限定されない。例としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種単独で又は2種以上混合して用いることができる。
本発明の組成物に(B)成分として用いられる硬化剤はフラックス性能を有する。フラックス性能を有するとは、具体的には、半田表面の酸化膜を還元する性能を有することである。このようなフラックス性能を有する硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン系硬化剤等が挙げられる。中でも、不純物の少ないこと及び常温で固体であるものが望ましい。これらは1種単独でも2種以上の組み合わせでも使用することができる。
本発明の組成物に(C)成分として用いられるイミダゾール触媒としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−へプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−アリル−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
これらの中でも、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾールが好ましい。
(C)成分のイミダゾール触媒の使用量は、上記組成物の硬化性及び作業性のバランスの観点から、(A)成分及び(B)成分の合計100質量部当り、0.05〜2質量部が好ましく、更に0.1〜1質量部が好ましい。
(D)成分の溶剤は、本アンダーフィル剤をスプレー塗布に適するものとするために配合される。これにより塗布工程における作業性を向上する。該溶剤としては、ケトン、エステル、アルコール、エーテル、γ‐ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエチルアセテート(PGMEA)及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート(EDGAC)、並びに、それらの二種以上の混合物からなる混合溶剤を用いることができる。
(E)成分として用いられる無機充填剤は、細孔容積が0.3〜0.7cm3/gである多孔質無機充填材にして、その表面が酸化ケイ素(SiO2)で被覆された球状無機充填剤である。細孔容積が0.3cm3/g未満では、機械的強度が低く、ダイシング性、研磨性が良好であるが、本組成物の硬化物の機械的強度が極端に落ち、半田リフロー時や温度サイクル中に硬化物にクラックが発生する恐れがある。0.7cm3/gを超えると、硬化物の機械的強度が高くなりすぎ、ダイシング性、研磨性が著しく低下する。細孔容積は0.4〜0.6cm3/gの範囲が好ましい。
本発明の組成物には、必要に応じて、他の成分を添加することができる。例えば、硬化アンダーフィル剤層のダイシング時の機械的強度を向上するため、熱可塑性ポリマーを添加することができる。その他、重合触媒、シランカップリング剤、イオントラップ材等を、本発明の目的、効果を阻害しない範囲で、添加してよい。
次に、上述した製造方法1について詳しく説明する。
・工程(1):
ウエハの回路面にアンダーフィル剤をスプレー噴射装置を用いてスプレー塗布する。スプレー塗布に使用するスプレー噴射装置は、公知、既存の装置を用いるが、薄膜作成における厚みの最適化の為の条件は、スプレー噴出部のウエハまでの距離、移動範囲、ピッチ、速度、塗布量、エアー圧、塗布時間などで調整、設定を容易に行うことができることが望ましい。
工程(2)では、シリコンウエハを個片化(ダイシング)する。ダイシングは、公知のダイサーを用いて行なってよい。この際、B−ステージ状態のアンダーフィル剤もウエハと一緒に個片化される。
・工程(3):
次いで、工程(3)で、個片(以下「チップ」という)がピックアップされて、回路基板上の該チップを接続すべきパッドに位置決めされる。位置決めは、公知のフリップチップボンダーを用い、下記工程(4)と連続して行なってよい。
工程(4)で、半田バンプを溶融して、チップを基板(パッケージを含む)に半田接続する。半田接続は、パルスヒート型のフリップチップボンダーを用い200℃以上に急速加熱を行ない、上記位置決めと、半田接続を同一装置で行なう方法;Bステージ状態のアンダーフィル剤層の表面が液状となる程度の温度に基板及び/又はチップを加熱して、該アンダーフィル剤表面を基板に圧着し、その後、IRリフロー装置において、半田接続を行なう方法等で行なうことができる。加熱によって、アンダーフィル剤が低粘度になって、半田バンプと基板上のパッドが接触して半田接続されると共に、アンダーフィル剤の硬化が開始する。硬化触媒を選択する等によって、該硬化性を高め、半田接続終了と同時に樹脂の硬化過程を終了するようにできる。また、反応性の遅いアンダーフィル剤の場合は、半田接続後にさらにオーブン等で加熱し硬化を完了させることも可能である。
次に、製造方法2について詳しく説明する。
・工程(i):
工程(i)は、第1アンダーフィル剤として、上述した本発明のアンダーフィル剤組成物を使用する。工程(i)は、該アンダーフィル剤をBステージ化した際のBステージ状態の第1アンダーフィル剤層の厚さを半田バンプの高さの0.5〜1.0倍にする点以外は、製造方法1の工程(1)と同様に実施される。
工程(ii)では、B−ステージ状態の第1のアンダーフィル剤層上に、第1のアンダーフィル剤とは異なる液状の第2のアンダーフィル剤をスプレー塗布し、次いで、塗布された第2のアンダーフィル剤をB−ステージ化してB−ステージ状態の第2のアンダーフィル剤層を、第1及び第2のアンダーフィル剤層合計の厚みが半田バンプの高さの1.0〜1.3倍、好ましくは1.1〜1.2倍、となるように形成する。厚みが、薄すぎると、工程(v)の半田接続時にアンダーフィル剤が流動して広がることによって、シリコンチップと基板の間を満たさず、ボイドが生じる恐れがある。一方、厚すぎるとアンダーフィル剤が半導体素子裏面(非回路面)に回りこみ、該素子を汚染したり、また、フィレットが大きくなって、素子の高密度化を妨げる恐れがある。
(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、及び
(D)揮発性有機溶剤
を含有する組成物が好ましい。
チップと基板の半田接続性の向上のために、工程(i)において、B−ステージ化した第1のアンダーフィル剤層の形成後に、及び/又は、工程(ii)において、B−ステージ化した第2のアンダーフィル剤層の形成後に、紫外線又はプラズマでバンプ表面をクリーニングすることが望ましい。
これらの工程は、それぞれ、製造方法1の工程(2)、工程(3)及び工程(4)と実質的に同じである。
−材料−
・(A)エポキシ樹脂:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:EOCN1050(55)、エポキシ当量200、室温で固形)
・(B)硬化剤:フェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、商品名:MEHC7800-4S、フェノール当量170、室温で固形)
・(C)硬化触媒:2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(2PHZ、四国化成製)
・(D)揮発性溶剤:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート
・(E)球状無機充填剤:
充填剤b:平均粒径2μm、最大粒径10μmであり、多孔質で、その表面がSiO2で被覆された真球状シリカ(細孔容積0.35cm3/g)
充填剤c:平均粒径2μm、最大粒径10μmであり、多孔質で、その表面がSiO2で被覆された真球状シリカ(細孔容積0.55cm3/g)
充填剤d:平均粒径2μm、最大粒径10μmであり、多孔質で、その表面がSiO2で被覆された真球状シリカ(細孔容積0.85cm3/g)
充填剤e:平均粒径2μm、最大粒径10μmであり、多孔質で、その表面がSiO2で被覆された真球状シリカ(細孔容積1.15cm3/g)
充填剤f:平均粒径2μm、最大粒径10μmであり、多孔質で、その表面がまったく被覆されていない真球状シリカ(細孔容積0.55cm3/g)
・・微粉シリカ:{(CH3)3Si}2NH及びCH3CH2Si(OCH3)3で処理された平均粒径(d50)0.08μmのシリカ粉末
・・熱可塑性樹脂:重量平均分子量10000のフェノキシ樹脂
(1)吸水率
各材料について、硬化条件100℃/1時間+150℃/4時間により、厚さ3mm、直径50mm円板成型品を作製し、85℃/85%RHの条件下に500時間放置後、(吸水後重量−初期重量)/初期重量×100という計算式から吸水率(質量%)を求めた。
(2)曲げ強度
各材料について、JIS K6911の規定に準じて測定した。
(製造方法1の例)
アンダーフィル剤として組成物Cを用い、個片化する前、即ちウエハの状態である評価用TEGに、スプレー法を用いて塗布した。装置は、ノードソン(株)ファインスワールスプレーガンを用いた。その際に、Bステージ後の厚み設定は80μmで、そうなるようにX軸速度(mm/s)、Y軸ピッチ速度(mm/s)、スプレーガン距離(mm)、マイクロ開度(mm)、霧化エア圧力(MPa)、スワールエア圧力(MPa)を調整した。こうして組成物Cを塗布したウエハを110℃のオーブン内に10分間置き、溶剤を除去してB−ステージ状態にした。B−ステージ状態での平均膜厚を膜厚計で測定したところ、設定とおり80±5μmであった。
(製造方法2の例)
第1アンダーフィル剤として組成物Cを用い、Bステージ後の厚み設定を60μmとした以外は実施例1と同様にして厚さ60±5μmのB−ステージ状態の第1のアンダーフィル剤層を形成した。該第1のアンダーフィル剤層上に、第2アンダーフィル剤として、組成物Gを実施例1と同じ塗布装置を使用してスプレー法により塗布後、第1アンダーフィル剤と同様の条件にてB−ステージ化した。こうして得られた二層構造のアンダーフィル剤層の合計厚さは80±5μmであった。
<実施例3>
アンダーフィル材として組成物Bを使用した以外は、実施例1と同様にして、厚さ80±5μmのBステージ状態の薄膜を形成した。
アンダーフィル材として組成物Aを使用した以外は、実施例1と同様にして、厚さ80±5μmのBステージ状態の薄膜を形成した。
<比較例2>
アンダーフィル材として組成物Dを使用した以外は、実施例1と同様にして、厚さ80±5μmのBステージ状態の薄膜を形成した。
<比較例3>
アンダーフィル材として組成物Eを使用した以外は、実施例1と同様にして、厚さ80±5μmのBステージ状態の薄膜を形成した。
<比較例4>
アンダーフィル材として組成物Fを使用した以外は、実施例1と同様にして、厚さ80±5μmのBステージ状態の薄膜を形成した。
上記の実施例及び比較例で加工した各ウエハにつき、以下の評価を行なった。結果を表2に示す。
(1)薄膜安定性
Bステージ状態のアンダーフィル剤層について測定した膜厚の標準偏差σを求めた。そして、上記膜厚が3σ±2μmの範囲に入れば良好とした。
(2)ダイシング特性
Bステージ状態のアンダーフィル剤層を有するウエハをダイシングに供し、ブレードの減りを評価した。連続して8インチウエハ5枚をダイシングし、減りを次のようにランクした。
△:減りが5%を超え、10%以下。
フリップチップボンダーで位置決めして、チップを配置した後、チップマンターツール温度を260℃で設定し、1〜10Nでチップアタッチを行った。次いで、150℃のオーブン内に4時間置きアンダーフィル剤を硬化させた。得られた装置10個についてテスターで導通性を調べた。導通良好の個数nの場合「n/10」として表2に示す。
(4)接続の耐久性
試験(2)に供した後の装置を、次の条件で熱サイクル試験(TCT)に供した。装置10個を熱サイクルに付した後、テスターで導通性を調べた。導通良好の個数nの場合「n/10」として表2に示す。
・サイクル数:1000
Claims (12)
- (A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、
(D)揮発性有機溶剤、及び
(E)細孔容積が0.3〜0.7cm3/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。 - (B)成分が、[(B)成分が有するエポキシ基と反応性の基]/[(A)成分中のエポキシ基]とのモル比が0.95〜1.25である量で含まれる、請求項1に係る組成物。
- (E)成分の無機充填剤が(A)成分及び(B)成分の合計100質量部当り50〜300質量部含まれる請求項1又は2のいずれか1項に係る組成物。
- (B)成分のフラックス性を有する硬化剤が、フェノール樹脂、酸無水物硬化剤、アミン硬化剤又はこれらの2種以上の組み合わせである、請求項1〜3のいずれか1項に係る組成物。
- さらに、平均粒径が0.005μm以上0.2μm以下で、表面がトリメチルシリル化されたシリカ粉末が(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して1〜20質量部含まれる請求項1〜4のいずれか1項に係る組成物。
- 基板と、該基板にフリップチップ接続されたシリコンチップと有してなる半導体装置の製造方法であって、
(1)フリップチップ接続用の半田バンプを備えたシリコンウエハの、該半田バンプを備えた表面上に、請求項1〜7のいずれか1項に記載のアンダーフィル剤組成物をスプレー塗布し、次いで、塗布されたアンダーフィル剤組成物をB−ステージ化して半田バンプの高さの1.0〜1.3倍の厚みを有するB−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成する工程、
(2)B−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成された前記シリコンウエハを切断してシリコンチップに個片化する工程、
(3)工程(2)で得られた個片を、基板上の接続すべき位置に位置決めする工程、及び
(4)工程(3)で位置決めした個片を、前記半田バンプを溶融することにより、基板に接続する工程、
を含む半導体装置の製造方法。 - 工程(4)において、前記の個片及び/又は基板を、Bステージ状態のアンダーフィル剤層の表面が液化する温度に加熱して該アンダーフィル剤層表面を基板に圧着する、請求項6に係る製造方法。
- 基板と、該基板にフリップチップ接続されたシリコンチップと有してなる半導体装置の製造方法であって、
(i)フリップチップ接続用の半田バンプを備えたシリコンウエハの、該半田バンプを備えた表面上に、請求項1〜7のいずれか1項に記載のアンダーフィル剤組成物を第1のアンダーフィル剤としてスプレー塗布し、次いで、塗布されたアンダーフィル剤組成物をB−ステージ化して半田バンプの高さの0.5〜1.0倍の厚みを有する第1のアンダーフィル剤層を形成する工程、
(ii)B−ステージ状態の第1のアンダーフィル剤層上に、第1のアンダーフィル剤とは異なる液状の第2のアンダーフィル剤をスプレー塗布し、次いで、塗布された第2のアンダーフィル剤をB−ステージ化してB−ステージ状態の第2のアンダーフィル剤層を、第1及び第2のアンダーフィル剤層合計の厚みが半田バンプの高さの1.0〜1.3倍となるように形成する工程、
(iii)工程(i)及び(ii)でB−ステージ状態のアンダーフィル剤層を形成された前記シリコンウエハを切断してシリコンチップに個片化する工程、
(iv)工程(iii)で得られた個片を、基板上の接続すべき位置に位置決めする工程、及び
(v)工程(iv)で位置決めした個片を、前記半田バンプを溶融することにより、基板に接続する工程、
を含む半導体装置の製造方法。 - 工程(i)において、B−ステージ化した第1のアンダーフィル剤層の形成後に、及び/又は、工程(ii)において、B−ステージ化した第2のアンダーフィル剤層の形成後に、紫外線又はプラズマでバンプ表面をクリーニングする、請求項8に係る製造方法。
- 工程(ii)で用いられる第2アンダーフィル剤が、
(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、及び
(D)揮発性有機溶剤
を含有する組成物である、請求項8又は9に係る製造方法。 - 前記第2アンダーフィル剤が、さらに、細孔容積が0.3〜0.7cm3/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤を含有する請求項10に係る製造方法。
- 前記第2アンダーフィル剤が、さらに、平均粒径が0.005μm以上、0.2μm以下で、表面がトリメチルシリル化されたシリカ粉末が(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して1〜20質量部含まれる請求項10又は11に係る組成物。
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