JP2010155750A - 表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010155750A JP2010155750A JP2008335208A JP2008335208A JP2010155750A JP 2010155750 A JP2010155750 A JP 2010155750A JP 2008335208 A JP2008335208 A JP 2008335208A JP 2008335208 A JP2008335208 A JP 2008335208A JP 2010155750 A JP2010155750 A JP 2010155750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- particles
- fine particles
- sealed
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 755
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 374
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 367
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 117
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 51
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 claims abstract description 18
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 7
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 104
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- -1 organic base silicate Chemical class 0.000 description 4
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 4
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- PMUPSYZVABJEKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylcyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)CCCCC1C(O)=O PMUPSYZVABJEKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)C=CCCC1C(O)=O ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- CPDXSJXOUOKNJT-UHFFFAOYSA-N diethoxy(difluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(F)OCC CPDXSJXOUOKNJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH2]OCC ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMWRCNKLODDUMW-UHFFFAOYSA-N difluoromethyl(dimethoxy)silane Chemical compound FC(F)[SiH](OC)OC NMWRCNKLODDUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N ethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[SiH](CC)CC XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N fluoro(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](F)(OC)OC JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOVWGKNFLVZRDU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(trifluoromethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(F)(F)F BOVWGKNFLVZRDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVBHOQTQDOUIW-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trifluoromethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)F ORVBHOQTQDOUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液を噴霧乾燥して得られる平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含み、以下同じ)および/またはその溶解物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と珪酸の脱水・縮重合物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と有機ケイ素化合物の加水分解・縮重合物で封止してなる、耐湿性を備えた表面封止シリカ系粒子およびその製造方法。
【選択図】なし
Description
また、特許文献2には、平均粒子径が2〜250nmの無機酸化物微粒子を含むコロイド液を噴霧乾燥して得られる平均粒子径が1〜100μmの無機酸化物微粒子集合体の外表面を、化学式RnSi(OR’)4-nで表される有機ケイ素化合物の加水分解物からなるシリカ系層で被覆してなる球状多孔質粒子が開示されている。
しかし、これらの特許文献には、無機酸化物粒子の表面をシリカ系物質で被覆する方法が開示されているものの、シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を封止する方法、さらに詳しくはシリカ系多孔質粒子の内部に存在する細孔はそのまま残し、粒子表面に存在する細孔のみを封止する方法については、何ら記載されていない。
さらに、特許文献5には、ゾルゲル法から得られた多孔質シリカをエポキシ樹脂に混合した半導体封止材用樹脂組成物が開示されている。しかし、この多孔質シリカは、外部から侵入する水分をトラップすることを目的として使用されているので、その粒子表面に存在する細孔は封止されていない。
(1)平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液をスプレードライヤーにかけて噴霧乾燥して、平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子を生成させる工程、
(2)前記工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子を純水または超純水に懸濁させたのち、これに平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子を含む水分散ゾルを混合する工程、
(3)前記工程(2)で得られた混合液をアルカリ化合物の存在下で50〜90℃の温度条件下にて加熱処理して、少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に前記シリカ微粒子および/またはその溶解物を付着させる工程、
(4)前記工程(3)で得られたシリカ系多孔質粒子を含む混合液を、90〜350℃の温度条件下にて加熱処理して、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、少なくとも前記シリカ微粒子および/またはその溶解物で封止したシリカ系粒子を生成させる工程、および
(5)前記工程(4)で得られた表面封止シリカ系粒子を分離・洗浄したのち、乾燥する工程
を含むことを特徴としている。
また、前記工程(1)において、前記分散液中に含まれる固形分の含有量が1〜50重量%の範囲にあることが好ましい。
さらに、前記工程(1)から得られるシリカ系多孔質粒子の空隙率は、5〜90%の範囲にあることが好ましい。
また、前記工程(1)から得られるシリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の平均細孔径は、2〜25nmの範囲にあることが好ましい。
また、前記工程(2)において、前記シリカ微粒子の水分散ゾルは、該シリカ微粒子の重量をXで表し、前記シリカ系多孔質粒子の重量をYで表したとき、その重量比(X/Y)が0.1/99.9〜50/50となるような割合で前記シリカ系多孔質粒子の懸濁液中に混合されることが好ましい。
また、前記工程(3)において、前記アルカリ化合物は、アンモニアまたは水酸化アンモニウムであることが好ましい。
また、前記添加工程において、前記珪酸は、前記シリカ微粒子の重量をAで表し、該珪酸の重量(SiO2換算基準)をBで表したとき、その重量比(B/A)が0.1/99.9〜30/70となるような割合で添加されることが好ましい。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
また、前記添加工程において、前記有機ケイ素化合物またはその加水分解物は、前記シリカ微粒子の重量をCで表し、該有機ケイ素化合物またはその加水分解物の重量(SiO2換算基準)をDで表したとき、その重量比(D/C)が0.1/99.9〜30/70となるような割合で添加されることが好ましい。
また、前記工程(4)において、前記加熱処理を5〜20時間かけて行うことが好ましい。
さらに、前記工程(5)から得られた表面封止シリカ系粒子を、さらに120〜1000℃の温度で焼成することが好ましい。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
さらに、前記表面封止シリカ系粒子の比表面積は、5〜400 m2/gの範囲にあり、しかもその細孔容積が0.01〜2.0ml/gの範囲にあることが好ましい。
また、前記表面封止シリカ系粒子の圧縮強度は、0.1〜300kgf/cm2の範囲にあることが好ましい。
さらに、前記表面封止シリカ系粒子は、該粒子を温度25℃、湿度90%の空気雰囲気下に7日間放置した時の吸湿率が1%以下であることが好ましい。
また、前記熱硬化性樹脂は、1分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を有する硬化性エポキシ樹脂であることが好ましい。
さらに、前記表面封止シリカ系粒子は、該表面封止シリカ系粒子の重量をEで表し、前記熱硬化性樹脂の重量をFで表したとき、その重量比(E/F)が10/100〜95/100となるような割合で混合されることが好ましい。
(3)また、本発明方法に基づき、前記シリカ微粒子と前記シリカ系多孔質粒子とを含む混合液を、アンモニアや水酸化アンモニウムなどのアルカリ化合物の存在下で50〜90℃の温度にて加熱処理すると、該シリカ微粒子の少なくとも一部(特に、その表面)が溶解して、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に付着してその細孔(特に、粒子内部への侵入口)を塞ぐ形となる。
また、このようにして得られた表面封止シリカ系粒子は、半導体封止用樹脂組成物の充填材として有用であるばかりでなく、プリント配線ボードの基板内部やダイアタッチフィルムなどに好適に使用することができる。
本発明に係る表面封止シリカ系粒子の製造方法は、耐湿性を備えた表面封止シリカ系粒子の製造方法であって、
(1)平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液をスプレードライヤーにかけて噴霧乾燥して、平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子を生成させる工程、
(2)前記工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子を純水または超純水に懸濁させたのち、これに平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子を含む水分散ゾルを混合する工程、
(3)前記工程(2)で得られた混合液をアルカリ化合物の存在下で50〜90℃の温度条件下にて加熱処理して、少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に前記シリカ微粒子および/またはその溶解物を付着させる工程、
(4)前記工程(3)で得られたシリカ系多孔質粒子を含む混合液を、90〜350℃の温度条件下にて加熱処理して、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、少なくとも前記シリカ微粒子および/またはその溶解物で封止したシリカ系粒子を生成させる工程、および
(5)前記工程(4)で得られた表面封止シリカ系粒子を分離・洗浄したのち、乾燥する工程
を含むものである。
次に、この製造方法について各工程ごとに説明すれば、以下の通りである。
この工程では、シリカ系微粒子を含む分散液(以下、「シリカ系微粒子分散液」という場合がある。)をスプレードライヤーに供して噴霧乾燥することにより、0.5〜50μmの粒子径を有するシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体を調製する。
前記シリカ系微粒子分散液としては、従来公知の方法で製造された市販品を利用することができる。しかし、本発明においては、平均粒子径が2〜300nm、好ましくは5〜100nmの球状シリカ系微粒子または非球状シリカ系微粒子を水中に分散させてなるシリカゾルなどを使用することが望ましい。
このようなシリカ系微粒子分散液としては、例えば、平均粒子径が約8nmのシリカ系微粒子を含むシリカゾル(日揮触媒化成(株)製、Cataloid SI-350)、平均粒子径が約15nmのシリカ系微粒子を含むシリカゾル(日揮触媒化成(株)製、Cataloid S-20L)、平均粒子径が約12nmのヒュームドシリカ(日本アエロジル(株)製、AEROSIL 200)を含む分散液などが挙げられる。なお、前記分散液は、水分散液であることが望ましいが、場合によっては、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類を含んでいてもよい。
前記珪酸としては、アルカリ金属珪酸塩、有機塩基の珪酸塩等の珪酸塩水溶液を陽イオン交換樹脂で処理して脱アルカリ(Naイオンの除去等)したものを使用することができる。ここで、前記珪酸塩としては、珪酸ナトリウム(水ガラス)、珪酸カリウム等のアルカリ金属珪酸塩、第4級アンモニウムシリケート等の有機塩基の珪酸塩などが挙げられる。
しかしながら、前記珪酸水溶液の混合量が多くなると、得られるシリカ系多孔質粒子の多孔質特性が低下してしまうので、その混合量は、前記珪酸の重量(SiO2換算基準)をGで表し、前記シリカ系微粒子の重量をHで表したとき、その重量比(G/H)が50/50以下、好ましくは0.1/99.9〜30/70の範囲にあることが望ましい。
すなわち、この噴霧乾燥は、前記シリカ系微粒子分散液、または該シリカ系微粒子分散液と珪酸水溶液との混合水溶液からなるシリカ成分含有分散液(以下、単に「分散液」という場合がある。)を、たとえば、熱風気流中に1〜3リットル/分の速度で噴霧することによって行われる。この際、前記熱風の温度は、入口温度が70〜400℃、好ましくは100〜300℃の範囲にあることが望ましく、出口温度が40〜60℃の範囲にあることが好ましい。ここで、前記入口温度が70℃未満であると、前記分散液中に含まれる固形分の乾燥が不充分となり、また400℃を超えると、噴霧乾燥時に粒子の形状が歪んでしまうので、好ましくない。また、前記出口温度が40℃未満であると、前記固形分の乾燥度合いが悪くて装置内に付着するので、好ましくない。
なお、前記珪酸水溶液を含む前記分散液をスプレードライヤーに供して噴霧乾燥する場合には、該珪酸水溶液中に含まれる珪素化合物は脱水・縮重合されて、シリカ成分となる。よって、得られるシリカ系多孔質粒子中においては、前記珪酸水溶液中に含まれる珪素化合物の脱水・縮重合物として存在する。
また、前記シリカ系多孔質粒子の空隙率は、前記珪酸水溶液の混合比率などによっても異なるが、5〜90%、好ましくは10〜80%の範囲にあることが好ましい。
さらに、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の平均細孔径は、前記シリカ系微粒子の平均粒子径や前記珪酸水溶液の混合量などによっても異なるが、2〜25nm、好ましくは9〜17nmの範囲にあることが望ましい。
この工程では、前記工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子を純水または超純水に懸濁させたのち、これに平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子を含む水分散ゾルを混合する。
ここで、純水とはイオン交換水をいい、また超純水とは純水中に含まれる不純物をさらに取り除いたもので、不純物の含有量が0.01μg/L以下のものをいう。
また、前記純水または超純水中に懸濁される前記シリカ系多孔質粒子は、特に制限されるものではないが、該懸濁液中に5〜50重量%含むように混合することが好ましい。
これに関連して、前記シリカ系微粒子を含む水分散ゾルは、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の平均細孔径より小さいシリカ微粒子を含むことが好ましい。
この工程では、前記工程(2)で得られた混合液をアルカリ化合物の存在下で50〜90℃、好ましくは60〜80℃の温度条件下にて加熱処理して、少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に前記シリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含む)および/またはその溶解物を付着させる。
ここで、前記アルカリ化合物は、特に制限されるものではないが、アンモニアまたは水酸化アンモニウムを使用することが好ましい。このアルカリ化合物は、この工程で前記混合液中に添加されるが、前記工程(2)の段階で予め添加しておいてもよい。
また、前記アルカリ化合物の添加は、前記混合液のpHが9〜12、好ましくは10〜11.5の範囲となるように行うことが好ましい。ここで、前記pHが9未満であると、短時間では前記シリカ微粒子の表面が殆ど溶解されないため、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を十分に封止することが難しくなり、また前記pHが12を超えると、前記シリカ微粒子の全てが溶解してしまうことがあるばかりでなく、前記シリカ系多孔質粒子の溶解が進んで該粒子の崩壊を引き起こしてしまうこともあるので、好ましくない。
ここで、前記温度が50℃未満であると、前記シリカ微粒子の表面が殆ど溶解されないため、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を十分に封止することが難しくなり、また前記温度が90℃を超えると、混合液のpHによっても異なるが、前記シリカ微粒子の多くが溶解してしまうことがあるばかりでなく、混合液中に含まれる水などが蒸発し始めたりするので、好ましくない。
この加熱処理操作は、ガラス製やステンレススチール製などの非耐圧容器中で行うことができるが、以下に述べる工程(4)においてはオートクレーブなどの耐圧容器中で加熱処理操作を行う必要があるので、予めこのような耐圧容器中に入れて行ってもよい。
この工程では、前記シリカ系多孔質粒子の表面も一部溶解し始めるが、該シリカ系多孔質粒子の場合は、その粒子径が比較的大きく、しかも前記処理時間も比較的短いので、特に問題ないばかりか、該粒子の表面に存在する細孔内に前記シリカ微粒子が付着するのを助けている可能性もある。
この工程では、前記工程(3)で得られたシリカ系多孔質粒子を含む混合液を、90〜350℃、好ましくは150〜250℃の温度条件下にて加熱処理して、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、少なくとも前記シリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含む)および/またはその溶解物で封止したシリカ系粒子を生成させる。
ここで、前記温度が90℃未満であると、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を十分に封止することができない場合があり、また前記温度が350℃を超えると、前記シリカ系多孔質粒子の溶解が進み、しかもその溶解物(さらには、前記シリカ微粒子の溶解物)が加熱終了後に該粒子上などに析出して非多孔質粒子や非球状粒子などになってしまうことがあるので、好ましくない。
この加熱処理操作は、前記混合液を90〜350℃の温度に加熱する必要があるため、該混合液をオートクレーブなどの耐圧容器に入れて行う必要がある。
この工程では、前記混合液中に含まれるシリカ微粒子が溶解され、この溶解物が少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に入って固着するので、該粒子の表面に存在する細孔を封止することができる。
なお、ここで添加された液状珪素化合物は、上記で述べた理由により、前記シリカ系多孔質粒子の内部に存在する細孔まで侵入することはない。
以下、前記液状珪素化合物の添加についてさらに具体的に述べれば、次の通りである。
前記珪酸としては、上記のようなものを使用することができるが、この中でも、pHが2〜6、好ましくは2〜3の範囲にあり、珪素成分の含有量がSiO2換算基準で0.1〜10重量%、好ましくは3〜5重量%の範囲にある珪酸水溶液を使用することが望ましい。
また、前記珪酸は、前記シリカ微粒子の重量をAで表し、該珪酸の重量(SiO2換算基準)をBで表したとき、その重量比(B/A)が0.1/99.9〜30/70、好ましくは1/99〜25/75となるような割合で混合されることが好ましい。ここで、前記珪酸は前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を緻密に封止することを目的として使用されるが、前記重量比が0.1/99.9未満であると、前記細孔を緻密に封止することが難しくなり、また前記重量比が30/70を超えると、該珪酸の脱水・縮重合物が前記シリカ系多孔質粒子上に析出して該粒子の特性を変えてしまったり、あるいはその脱水・縮重合物が核となって新たな粒子の成長を引き起こしてしまったりすることもあるので、好ましくない。
なお、前記生成物は、前記シリカ系多孔質粒子の表面にも一部付着しているものと考えられるが、透過型電子顕微鏡で撮った断面写真(TEM写真)から見る限りでは、該シリカ系多孔質粒子の表面に形成された被覆層は確認できなかった。その結果を図1に示す。
前記有機ケイ素化合物としては、下記一般式(I)で表される有機ケイ素化合物またはその加水分解物を使用することが好ましい。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
なお、前記有機ケイ素化合物の加水分解には、この加水分解反応を促進するための触媒が必要となるが、前記工程(3)で添加したアンモニアや水酸化アンモニウムなどのアルカリ化合物がその役目を果たすので、系外から新たに触媒を添加する必要はない。
この工程では、前記工程(4)で得られた表面封止シリカ系粒子を分離・洗浄したのち、乾燥する。
前記表面封止シリカ系粒子の分離には、ブフーナ漏斗、フィルタープレス、水平ベルトフィルター、シンクロフィルター、プリコートフィルター、ドラムフィルター、ベルトフィルター、トレイフィルター、遠心分離機などの市販の装置を用いて行うことができる。また、その分離方法も、従来公知の方法を採用することができる。
このようにして得られる前記表面封止シリカ系粒子のケーキ状物質は、イオン交換水や蒸留水などの純水を用いて、十分に洗浄しておくことが好ましい。
このようにして得られる表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体(粒子群)は、必要に応じてジューサーミキサー、ヤリヤ粉砕機などの解砕装置にかけて凝集物や塊状になったものなどを予め解砕しておくことが望ましい。
この工程では、前記工程(5)で得られた表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体を必要に応じて焼成する。
通常、前記表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体は、圧縮強度が0.1〜100kgf/mm2の範囲にある。従って、高い圧縮強度が要求される用途に、この表面封止シリカ系粒子を使用する場合には、前記表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体を焼成する必要がある。すなわち、前記工程(5)で得られた表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体を、100〜1000℃、好ましくは120〜800℃の温度で、1〜24時間、焼成することが望まれる。ここで、前記焼成温度が100℃未満では、表面封止シリカ系粒子を構成する一次粒子同士のシロキサン結合が十分でないため、圧縮強度の向上が期待できず、また前記焼成温度が1000℃を超えると、粒子の焼結により粒子内の細孔が消失して、所望の多孔質特性を保持できなくなり、さらには結晶性のシリカ(クオーツ等)が生成することがあるので、好ましくない。
このようにして、前記表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体に焼成処理を施すと、圧縮強度が0.5〜300kgf/mm2の範囲にある表面封止シリカ系粒子が得られる。
よって、その用途に応じ、上記の表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体および焼成粉体から適宜、選択して使用することができる。
本発明に係る表面封止シリカ系粒子は、
平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液を噴霧乾燥して得られる平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含み、以下同じ)および/またはその溶解物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と珪酸の脱水・縮重合物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と下記一般式(I)で表される有機ケイ素化合物の加水分解・縮重合物で封止したものである。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
さらに、前記表面封止シリカ系粒子は、以下に示すような物理的特性を備えている。
(1)該粒子の密度は、0.4〜2.2g/mlの範囲にある。
(2)該粒子の比表面積は、5〜400 m2/gの範囲にあり、しかもその細孔容積が0.01〜2.0ml/gの範囲にある。
(3)該粒子の圧縮強度は、0.1〜300kgf/cm2の範囲にある。
本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、前記表面封止シリカ系粒子を充填材として熱硬化性樹脂に混合してなるものである。
また、前記半導体封止用樹脂組成物の調製は、従来公知の方法で行うことができる。すなわち、該樹脂組成物は、たとえば、前記熱硬化性樹脂、前記表面封止シリカ系粒子、前記硬化剤、さらに必要に応じて前記添加剤を混合し、ロールミルなどで混練した後、減圧脱泡処理を施して調製される。
次に、本発明で用いられる測定方法を示せば、以下の通りである。
(1)シリカ系多孔質粒子の平均粒子径
多孔質シリカ系粒子の粉体を40重量%のグリセリン含有水溶液に分散させてなるスラリー液(固形分濃度0.1〜5質量%)を調製し、これを超音波発生装置(iuch社製、US−2型)にかけて5分間、分散処理を施す。次いで、前記グリセリン水溶液を加えて濃度を調節した分散液より試料を取り、これをガラスセル(長さ10mm、幅10mm、高さ45cmのサイズ)に入れて、遠心沈降式粒度分布測定装置(堀場製作所製:CAPA−700)を用いて平均粒子径を測定する。
ナノサイズの粒子径を有するシリカ系微粒子またはシリカ微粒子の水分散ゾル(固形分含有量20重量%)0.15gに純水19.85gを混合して調製した固形分含有量0.15%の試料を、長さ1cm、幅1cm、高さ5cmの石英セルに入れて、動的光散乱法による超微粒子粒度分析装置(大塚電子(株)製、型式ELS−Z2)を用いて、粒子群の粒子径分布を測定する。なお、本発明でいう平均粒子径は、この測定結果をキュムラント解析して算出された値を示す。
日本工業規格JIS5101−1964に規定される、嵩測定器、漏斗、篩いおよび精密天秤を用いた測定方法により、シリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子の嵩密度を求める。
前記(3)で求められたシリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子の嵩密度を用いて、以下の式から算出する。
空隙率(%)=100−{(無定形シリカの嵩密度)/(シリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子の嵩密度)×100}
シリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体10gを磁性ルツボに取り、105℃の温度で1時間乾燥後、デシケータに入れて室温まで冷却する。次いで、よく洗浄したセルに1g試料を取り、窒素吸着装置(日揮触媒化成(株)製)を用いて窒素を吸着させ、以下の式から細孔容積を算出する。
細孔容積(ml/g)=(0.001567×(V−Vc)/w)
上記の式で、Vは圧力735mmHgにおける標準状態の吸着量(ml)、Vcは圧力735mmHgにおけるセルブランクの容量(ml)、Wは試料の重量(g)を表す。また、窒素ガスと液体窒素の密度の比を0.001567とする。
シリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体を磁性ルツボ(B−2型)に約30ml採取し、300℃の温度で2時間乾燥後、デシケータに入れて室温まで冷却する。次に、サンプルを1g取り、全自動表面積測定装置(湯浅アイオニクス社製、マルチソーブ12型)を用いて、比表面積(m2/g)をBET法にて測定する。
前記(5)で算出された細孔容積と前記(6)で算出された比表面積とを用いて、以下の式から表面細孔の平均細孔径を算出する。
平均細孔径(nm)=4×細孔容積(ml/g)/比表面積(m2/g)×1000
シリカ系多孔質粒子とシリカ微粒子を含む混合液にアンモニアなどを添加してpHを調整した分散液を、25℃の恒温槽中で30分以上攪拌した後、pH4、7および9の標準液で更正が完了したpHメータ(堀場製作所製、F22)のガラス電極を挿入して測定する。
表面封止シリカ系粒子の粉体より、平均粒子径±0.5μmの範囲にある粒子1個を試料として取り、微小圧縮試験機(島津製作所製、MCTM−200)を用いて、この試料に一定の負荷速度で荷重を負荷し、粒子が破壊した時点の加重値を圧縮強度(kgf/mm2)とする。さらに、この操作を4回繰り返し、5個の試料について圧縮強度を測定し、その平均値を粒子圧縮強度とする。
所定量のシリカ系多孔質粒子または表面封止シリカ系粒子を磁性ルツボに入れて、その重量を精密電子天秤(ASONE社 ASP214)を用いて秤量する。次いで、前記磁性ルツボを温度25℃、湿度90%に調整されたデシケーター内に入れて14日間放置し、その後、前記磁性ルツボを取り出してその重量を精密電子天秤を用いて秤量する。次に、その重量変化を算出し、その値を吸湿率とする。
工程(1)
平均粒子径15nmのシリカ系微粒子を含むシリカゾル(日揮触媒化成(株)製、Cataloid S−20L、SiO2含有量20重量%)をスプレ−ドライヤー(NIRO社製、NIRO ATMIZER)に供して、入口温度240℃、出口温度55℃、噴霧速度2リットル/分の条件下で噴霧乾燥を行い、シリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1Aを得た。
このようにして得られたシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1Aについて、平均粒子径、嵩密度、空隙率、細孔容積、平均細孔径(粒子表面に存在する細孔の平均細孔径を意味する。)および吸湿率を上記の測定方法でそれぞれ測定した。その結果を表1に示す。
前記工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1A720gに純水3013ccを加えて撹拌した。次いで、得られた懸濁液に平均粒子径8nmのシリカ微粒子を含むシリカゾル(日揮触媒化成(株)製Cataloid SI−350、 SiO2含有量30重量%)267gを加えて撹拌した。これにより、前記シリカ系多孔質粒子と前記シリカ微粒子とを分散させた混合液(固形分含有量:20重量%)を得た。なお、この混合液のpHは8であった。
前記工程(2)で得られた混合液4000gに、アンモニア濃度29重量%のアンモニア水30gを加えて撹拌し、pH10.5の混合液を得た。次いで、得られた混合液を70℃の温度に加熱して、200rpmの速度で120分間撹拌した。
これにより、少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に前記シリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含む)および/またはその溶解物を付着させたシリカ系粒子を含む混合液を得た。
前記工程(3)で得られた混合液4000gをオートクレーブに入れて150℃の温度に加熱して、撹拌しながら16時間、加熱処理を施した。次に、室温近くまで冷却して系外に取り出した。
これにより、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、少なくとも前記シリカ微粒子(粒子表面が溶解されたものを含む)および/またはその溶解物で封止したシリカ系粒子を含む混合液を得た。
前記工程(4)で得られた混合液を、ブフナー漏斗(関谷理化硝子器械(株)製3.2L)を用いて定量濾紙(アドバンテック東洋(株)製No.5C)で濾過した後、純水で繰り返し洗浄して、前記表面封止シリカ系粒子の集合体からなるケーキ状物質を得た。
次に、前記ケーキ状物質を、120℃の温度で16時間乾燥した。次いで、この乾燥粉体をジューサーミキサー(日立製作所(株)製)にかけて凝集物を解砕して、表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体2A(以下、「実施例乾燥粉体2A」という)を得た。
このようにして得られた実施例乾燥粉体2Aについて、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率を上記の測定方法でそれぞれ測定した。その結果を表3に示す。
前記工程(5)で得られた実施例乾燥粉体2Aを、450℃の温度で3時間焼成した。これにより、表面封止シリカ系粒子の焼成粉体3A(以下、「実施例焼成粉体3A」という)を得た。
このようにして得られた実施例焼成粉体3Aについて、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率を上記の測定方法でそれぞれ測定した。その結果を表4に示す。
実施例1で使用したシリカゾルの代わりに、表1に示す触媒化成工業(株)製や日本アエロジル(株)製のシリカ系微粒子を含むシリカ系微粒子分散液を用いると共に、必要に応じて一部の噴霧乾燥条件を変更して、実施例1の場合と同様に、これらのシリカゾルを噴霧乾燥して、表1に示すシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1B〜1Dを得た。
次いで、表2に示す条件下で、実施例1の工程(2)〜(5)の操作を行い、表面封止シリカ系粒子の乾燥粉体2B〜2D(以下、「実施例乾燥粉体2B〜2D」という)を得た。
このようにして得られた実施例乾燥粉体2B〜2Dについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表3に示す。
このようにして得られた実施例焼成粉体3B〜3Dについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率それぞれ測定した。その結果を表4に示す。
実施例4で使用したシリカ系微粒子(SiO2含有量100重量%)を含むシリカ系微粒子分散液と、酸性珪酸水溶液(SiO2換算基準でシリカ成分を5重量%を含む)をそれぞれ表1に示す重量比で混合し、さらに1時間攪拌して得られた混合分散液を、スプレードライヤー(NIRO社製、NIRO ATMIZER)に供して、入口温度240℃、出口温度55℃、噴霧速度2リットル/分の条件下で噴霧乾燥を行い、表1に示すシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1E〜1Fを得た。
このようにして得られた実施例乾燥粉体2E〜2Fについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表3に示す。
このようにして得られた実施例焼成粉体3E〜3Fについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表4に示す。
実施例1の工程(3)で得られた混合液3000gに、珪素成分の含有量がSiO2換算基準で4.5重量%含む珪酸水溶液1333gを添加した。
次に、この混合液4000gをオートクレーブに入れて150℃の温度に加熱して、撹拌しながら16時間、加熱処理を施した。次いで、室温近くまで冷却して系外に取り出した。
このようにして得られた実施例乾燥粉体2Gについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表5に示す。
このようにして得られた実施例焼成粉体3Gについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表6に示す。
実施例1の工程(3)で得られた混合液3000gに、珪素成分の含有量がSiO2換算基準で28.8重量%含むテトラエトキシシラン水溶液208gを添加した。
次に、この混合液3208gをオートクレーブに入れて150℃の温度に加熱して、撹拌しながら16時間、加熱処理を施した。次いで、室温近くまで冷却して系外に取り出した。
このようにして得られた実施例乾燥粉体2Hについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表5に示す。
このようにして得られた実施例焼成粉体3Hについて、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表6に示す。
実施例1の工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1A240gに純水2160ccを加えて撹拌した。次いで、表7に示す条件下で、シリカ微粒子を含むシリカゾルを加えて撹拌した。
このようにして得られた「実施例乾燥粉体2I〜2J」および「比較例乾燥粉体2K〜2L」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表8に示す。
このようにして得られた「実施例焼成粉体3I〜3J」および「比較例焼成粉体3K〜3L」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表9に示す。
実施例1の工程(2)で得られた混合液4000gに、表10に示す条件下で、アンモニア濃度の異なるアンモニア水30gを加えて撹拌した。さらに、pHの高いもの(比較例4)については、アンモニア水の添加だけでは得ることが難しいので、NaOH70重量%の水酸化ナトリウム水溶液80gを加えて撹拌した。次いで、得られた混合液を70℃の温度に加熱して、200rpmの速度で120分間撹拌した。
このようにして得られた「実施例乾燥粉体2M〜2N」および「比較例乾燥粉体2O〜2P」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表11に示す。
このようにして得られた「実施例焼成粉体3M〜3N」および「比較例焼成粉体3O〜3P」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表12に示す。
実施例1の工程(2)で得られた混合液4000gに、アンモニア濃度29重量%のアンモニア水30gを加えて撹拌し、pH10.5の混合液を得た。次いで、得られた混合液を、表13に示す温度に加熱して、200rpmの速度で120分間撹拌した。
このようにして得られた「実施例乾燥粉体2Q〜2R」および「比較例乾燥粉体2S〜2T」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表14に示す。
このようにして得られた「実施例焼成粉体3Q〜3R」および「比較例焼成粉体3S〜3T」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表15に示す。
実施例1の工程(3)で得られた混合液4000gをオートクレーブに入れて、表16に示す温度条件下で加熱して、撹拌しながら16時間、加熱処理を施した。次に、室温近くまで冷却して系外に取り出した。
このようにして得られた「実施例乾燥粉体2U〜2V」および「比較例乾燥粉体2W〜2X」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表17に示す。
このようにして得られた「実施例焼成粉体3U〜3V」および「比較例焼成粉体3W〜3X」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表18に示す。
実施例1の工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子の乾燥粉体1A378gに珪素成分の含有量がSiO2換算基準で4.52重量%含む珪酸水溶液3584gを添加して、120分間撹拌した。
次に、この混合液3962gをオートクレーブに入れて150℃の温度に加熱して、撹拌しながら16時間、加熱処理を施した。次いで、室温近くまで冷却して系外に取り出した。
このようにして得られた「比較例乾燥粉体2Y」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表19に示す。
このようにして得られた「比較例焼成粉体3Y」について、実施例1の場合と同様に、平均粒子径、嵩密度、空隙率、比表面積、細孔容積、圧縮強度および吸湿率をそれぞれ測定した。その結果を表19に示す。
実施例7で得られた表面封止シリカ系粒子330重量部、フェノ―ルノボラック型液状エポキシ樹脂(日本化薬(株)製RE-403、粘度:4000cps)100重量部、硬化剤としての芳香族アミン(日本化薬(株)製 カヤハ―ドA-A)37重量部、カップリング剤としてのエポキシシラン(信越シリコ―ン(株)製KBM-403E)5重量部、消泡剤 (ビィックケミ―社製BYK-A-506)3重量部を混合して、三本ロ―ルにて混錬したのち、脱泡して液状の半導体封止用樹脂組成物を得た。
次いで、模擬回路を設けた半導体基材上に、前記半導体封止用樹脂組成物を塗布して硬化させることによって前記模擬回路を封止した。次に、前記模擬回路に電圧をかけてPTHB試験(Pressure Temperature Humidity Bias Test)を行い、絶縁抵抗値(Ω)を測定した。なお、その測定は、金メッキ銅配線櫛形電極FPCを用いて、温度121℃、湿度85%、絶縁抵抗測定条件50Vx1分(n=15)で行った。
その結果、絶縁抵抗の低下が少なく、耐湿性に優れていることが分かった。因みに、該基材を前記雰囲気下に1000時間放置後の絶縁抵抗は、無孔質シリカ粒子を用いた場合とほぼ同等の5x1013Ωであった。
Claims (23)
- 耐湿性を備えた表面封止シリカ系粒子の製造方法であって、
(1)平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液をスプレードライヤーにかけて噴霧乾燥して、平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子を生成させる工程、
(2)前記工程(1)で得られたシリカ系多孔質粒子を純水または超純水に懸濁させたのち、これに平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子を含む水分散ゾルを混合する工程、
(3)前記工程(2)で得られた混合液をアルカリ化合物の存在下で50〜90℃の温度条件下にて加熱処理して、少なくとも前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の内部に前記シリカ微粒子および/またはその溶解物を付着させる工程、
(4)前記工程(3)で得られたシリカ系多孔質粒子を含む混合液を、90〜350℃の温度条件下にて加熱処理して、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、少なくとも前記シリカ微粒子および/またはその溶解物で封止したシリカ系粒子を生成させる工程、および
(5)前記工程(4)で得られた表面封止シリカ系粒子を分離・洗浄したのち、乾燥する工程
を含むことを特徴とする表面封止シリカ系粒子の製造方法。 - 前記工程(1)において、前記分散液中にさらに珪酸を含むことを特徴とする請求項1に記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(1)において、前記分散液中に含まれる固形分の含有量が1〜50重量%の範囲にあることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(1)から得られるシリカ系多孔質粒子の空隙率が、5〜90%の範囲にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(1)から得られるシリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の平均細孔径が、2〜25nmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記シリカ微粒子の水分散ゾルは、前記シリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔の平均細孔径より小さいシリカ微粒子を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記シリカ微粒子の水分散ゾルは、該シリカ微粒子の重量をXで表し、前記シリカ系多孔質粒子の重量をYで表したとき、その重量比(X/Y)が0.1/99.9〜50/50となるような割合で前記シリカ系多孔質粒子の懸濁液中に混合されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(3)において、前記アルカリ化合物が、アンモニアまたは水酸化アンモニウムであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(3)から得られた混合液に、さらに珪酸を添加する工程を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記添加工程において、前記珪酸が、前記シリカ微粒子の重量をAで表し、該珪酸の重量(SiO2換算基準)をBで表したとき、その重量比(B/A)が0.1/99.9〜30/70となるような割合で添加されることを特徴とする請求項9に記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(3)から得られた混合液に、さらに下記一般式(I)で表される有機ケイ素化合物またはその加水分解物を添加する工程を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) - 前記添加工程において、前記有機ケイ素化合物またはその加水分解物は、前記シリカ微粒子の重量をCで表し、該有機珪素化合物またはその加水分解物の重量(SiO2換算基準)をDで表したとき、その重量比(D/C)が0.1/99.9〜30/70となるような割合で添加されることを特徴とする請求項11に記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(3)において、前記加熱処理を10〜120分間かけて行うことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(4)において、前記加熱処理を5〜20時間かけて行うことを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 前記工程(5)から得られた表面封止シリカ系粒子を、さらに120〜1000℃の温度で焼成することを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子の製造方法。
- 平均粒子径2〜300nmのシリカ系微粒子を含む分散液を噴霧乾燥して得られる平均粒子径0.5〜50μmのシリカ系多孔質粒子の表面に存在する細孔を、平均粒子径2〜50nmのシリカ微粒子および/またはその溶解物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と珪酸の脱水・縮重合物、または該シリカ微粒子および/またはその溶解物と下記一般式(I)で表される有機ケイ素化合物の加水分解・縮重合物で封止してなる、耐湿性を備えた表面封止シリカ系粒子。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜3のアルキル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) - 前記表面封止シリカ系粒子の密度が0.4〜2.2g/mlの範囲にあることを特徴とする請求項16に記載の表面封止シリカ系粒子。
- 前記表面封止シリカ系粒子の比表面積が5〜400 m2/gの範囲にあり、しかもその細孔容積が0.01〜2.0ml/gの範囲にあることを特徴とする請求項16〜17のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子。
- 前記表面封止シリカ系粒子の圧縮強度が、0.1〜300kgf/cm2の範囲にあることを特徴とする請求項16〜18のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子。
- 前記表面封止シリカ系粒子を、温度25℃、湿度90%の空気雰囲気下に7日間放置した時の吸湿率が1%以下であることを特徴とする請求項16〜19のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子。
- 請求項16〜20のいずれかに記載の表面封止シリカ系粒子を充填材として熱硬化性樹脂に混合してなる半導体封止用樹脂組成物。
- 前記熱硬化性樹脂が、1分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を有する硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項21に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記表面封止シリカ系粒子が、該表面封止シリカ系粒子の重量をEで表し、前記熱硬化性樹脂の重量をFで表したとき、その重量比(E/F)が10/100〜95/100となるような割合で混合されることを特徴とする請求項21〜22に記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335208A JP5480497B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335208A JP5480497B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010155750A true JP2010155750A (ja) | 2010-07-15 |
JP5480497B2 JP5480497B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=42573961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008335208A Active JP5480497B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5480497B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012079872A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 |
WO2014199904A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ含有樹脂組成物及びその製造方法並びにシリカ含有樹脂組成物の成形品 |
JP2015051924A (ja) * | 2010-06-30 | 2015-03-19 | 株式会社トクヤマ | 表面処理無機酸化物粒子 |
JP2015527422A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | ポリイミド樹脂及びこれから製造されたポリイミドフィルム |
WO2016002797A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 日揮触媒化成株式会社 | 多孔質シリカ系粒子、その製造方法及びそれを配合した化粧料 |
WO2019131671A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 日立化成株式会社 | 封止組成物及びその製造方法並びに半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008297183A (ja) * | 2007-06-02 | 2008-12-11 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 多孔質酸化物粒子およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008335208A patent/JP5480497B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008297183A (ja) * | 2007-06-02 | 2008-12-11 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 多孔質酸化物粒子およびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015051924A (ja) * | 2010-06-30 | 2015-03-19 | 株式会社トクヤマ | 表面処理無機酸化物粒子 |
JP2012079872A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 |
JP2015527422A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | ポリイミド樹脂及びこれから製造されたポリイミドフィルム |
WO2014199904A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ含有樹脂組成物及びその製造方法並びにシリカ含有樹脂組成物の成形品 |
US9777141B2 (en) | 2013-06-10 | 2017-10-03 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silica-containing resin composition and method for producing same, and molded article produced from silica-containing resin composition |
CN106660812A (zh) * | 2014-06-30 | 2017-05-10 | 日挥触媒化成株式会社 | 多孔二氧化硅系粒子、其制造方法及配合其的化妆料 |
JP5940236B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-06-29 | 日揮触媒化成株式会社 | 多孔質シリカ系粒子、その製造方法及びそれを配合した化粧料 |
KR101763191B1 (ko) | 2014-06-30 | 2017-07-31 | 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 | 다공질 실리카계 입자, 그 제조 방법 및 그것을 배합한 화장료 |
WO2016002797A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 日揮触媒化成株式会社 | 多孔質シリカ系粒子、その製造方法及びそれを配合した化粧料 |
CN106660812B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-10-27 | 日挥触媒化成株式会社 | 多孔二氧化硅系粒子、其制造方法及配合其的化妆料 |
US9808407B2 (en) | 2014-06-30 | 2017-11-07 | Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. | Porous silica particle, method for producing the same, and cosmetic containing the same |
WO2019131671A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 日立化成株式会社 | 封止組成物及びその製造方法並びに半導体装置 |
JPWO2019131671A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2021-01-14 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 封止組成物及びその製造方法並びに半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5480497B2 (ja) | 2014-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5132193B2 (ja) | 多孔質シリカ粒子およびその製造方法 | |
JP5148971B2 (ja) | 球状シリカ粒子およびその製造方法 | |
JP5480497B2 (ja) | 表面封止シリカ系粒子の製造方法、表面封止シリカ系粒子および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物 | |
JP5253124B2 (ja) | 多孔質シリカ粒子及びその製造方法 | |
WO2017183657A1 (ja) | 中空シリカ粒子及びその製造方法 | |
JP2010195604A (ja) | 表面改質多孔性シリカの製造方法、表面改質多孔性シリカ、樹脂添加用スラリー組成物、樹脂用充填剤及び樹脂組成物 | |
EP3693425A1 (en) | Coating solution, method for producing coating film, and coating film | |
EP3693424A1 (en) | Coating liquid, production method for coating film, and coating film | |
JP6440551B2 (ja) | シリカ粒子の製造方法 | |
US20150274538A1 (en) | Core-shell silica nanoparticles, method for manufacturing the same, method for manufacturing hollow silica nanoparticles therefrom, and hollow silica nanoparticles manufactured thereby | |
JP2010138022A (ja) | 多孔質シリカ粒子、その製造方法及び該多孔質シリカ粒子からなるコンポジット材料 | |
JP6462459B2 (ja) | シリカ粒子の製造方法 | |
JP5426869B2 (ja) | メソポーラスシリカ微粒子の製造方法、メソポーラスシリカ微粒子含有組成物、及びメソポーラスシリカ微粒子含有成型物 | |
CN115298137A (zh) | 表面处理二氧化硅粉末的制造方法 | |
JP2007084396A (ja) | 多孔質シリカ系粒子の製造方法および該方法から得られる多孔質シリカ系粒子 | |
JP7261570B2 (ja) | 中空シリカ粒子及びその製造方法 | |
JP5822663B2 (ja) | 耐湿性を備えたシリカ系粒子とその製造方法、該粒子を含む半導体封止用樹脂組成物、および該樹脂組成物により塗膜を形成された基材 | |
JP5258318B2 (ja) | メソポーラスシリカの表面処理方法、樹脂添加用スラリー組成物、樹脂用充填剤及び樹脂組成物の製造方法 | |
JP2004091220A (ja) | 高純度親水性有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度親水性有機溶媒分散シリカゾル並びに高純度有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度有機溶媒分散シリカゾル | |
JP4428618B2 (ja) | 表面改質球状シリカ及びその製造方法、並びに封止用樹脂組成物 | |
JP7132827B2 (ja) | 中空シリカ粒子及びその製造方法 | |
JP6347644B2 (ja) | 表面改質シリカ粉末及びスラリー組成物 | |
JPH0798659B2 (ja) | 球状シリカ及びその製造方法並びにエポキシ樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP5505900B2 (ja) | 高濃度シリカゾル | |
JP4006220B2 (ja) | 表面改質球状シリカ、その製造方法及び半導体封止材用樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100930 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5480497 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |