JPH1067916A - エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体
素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法に関
し、特定の溶剤に溶解または加熱によって軟化され易い
エポキシ樹脂組成物を提供し、実装半導体素子の封止剤
としての使用方法と、その半導体素子をリペアする方法
を提供するものである。 【解決手段】 グリシジルエーテルと熱可塑性樹脂と該
グリシジルエーテルの硬化剤を含むことを特徴としたエ
ポキシ樹脂組成物７。熱可塑性樹脂として、α−メチル
スチレンまたはポリエーテルサルホンを使用する。無機
質フィラーを混入させる。熱可塑性樹脂を１５ｗｔ％〜
３０ｗｔ％含む。実装半導体素子２の封止剤として、基
板１と半導体素子２の間に充填させる。硬化させたエポ
キシ樹脂組成物をＮＭＰで溶解させるリペア方法。硬化
させたエポキシ樹脂組成物７を加熱して軟化させるリペ
ア方法。
素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法に関
し、特定の溶剤に溶解または加熱によって軟化され易い
エポキシ樹脂組成物を提供し、実装半導体素子の封止剤
としての使用方法と、その半導体素子をリペアする方法
を提供するものである。 【解決手段】 グリシジルエーテルと熱可塑性樹脂と該
グリシジルエーテルの硬化剤を含むことを特徴としたエ
ポキシ樹脂組成物７。熱可塑性樹脂として、α−メチル
スチレンまたはポリエーテルサルホンを使用する。無機
質フィラーを混入させる。熱可塑性樹脂を１５ｗｔ％〜
３０ｗｔ％含む。実装半導体素子２の封止剤として、基
板１と半導体素子２の間に充填させる。硬化させたエポ
キシ樹脂組成物をＮＭＰで溶解させるリペア方法。硬化
させたエポキシ樹脂組成物７を加熱して軟化させるリペ
ア方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱可塑性樹脂を含
むエポキシ樹脂組成物と、その組成物のブレンド方法
と、その組成物を封止剤とした半導体素子の実装方法お
よび、基板に実装された半導体素子のリペア方法に関す
る。
むエポキシ樹脂組成物と、その組成物のブレンド方法
と、その組成物を封止剤とした半導体素子の実装方法お
よび、基板に実装された半導体素子のリペア方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータシステムに要求され
る高速化に伴って、半導体素子の高密度実装が求められ
ており、その高密度実装化を可能にする微細配線を高密
度に形成しなければならない回路基板には、従来より高
い信頼性が要求されるようになった。
る高速化に伴って、半導体素子の高密度実装が求められ
ており、その高密度実装化を可能にする微細配線を高密
度に形成しなければならない回路基板には、従来より高
い信頼性が要求されるようになった。
【０００３】半導体素子を実装した従来の回路基板で
は、その基板に半導体素子を実装、例えば基板に形成し
たパッドと半導体素子に形成したパッドをはんだバンプ
で接続したのち、封止剤によって半導体素子の周辺を覆
うことで、大気中の水分や埃等の侵入を防ぎ、高い信頼
性を得ている。
は、その基板に半導体素子を実装、例えば基板に形成し
たパッドと半導体素子に形成したパッドをはんだバンプ
で接続したのち、封止剤によって半導体素子の周辺を覆
うことで、大気中の水分や埃等の侵入を防ぎ、高い信頼
性を得ている。
【０００４】しかし、硬化後の前記従来の封止剤は、適
当な溶剤がないため、研削等の物理的手法以外に除去
（半導体素子のリペア）することが困難であり、例えば
研削による半導体素子のリペア、即ち半導体素子と封止
剤を研削によって除去するリペアでは、基板表面が損傷
される可能性が高く、多くの工程と慎重な作業が必要と
なり、基板表面には封止剤残滓が残る。
当な溶剤がないため、研削等の物理的手法以外に除去
（半導体素子のリペア）することが困難であり、例えば
研削による半導体素子のリペア、即ち半導体素子と封止
剤を研削によって除去するリペアでは、基板表面が損傷
される可能性が高く、多くの工程と慎重な作業が必要と
なり、基板表面には封止剤残滓が残る。
【０００５】なお、従来の封止剤においてエポキシ系樹
脂のそれは、キシレンに６時間程度浸漬させて溶かす方
法もある。しかし、その方法で封止材は完全に溶解され
ず、半導体素子の除去に大きな剥離剪断力が必要になる
ため、実用的でない。
脂のそれは、キシレンに６時間程度浸漬させて溶かす方
法もある。しかし、その方法で封止材は完全に溶解され
ず、半導体素子の除去に大きな剥離剪断力が必要になる
ため、実用的でない。
【０００６】従来の他の封止剤として、多官能エポキシ
樹脂中に熱可塑性樹脂を分散させたものがある。かかる
封止剤は、熱可塑性樹脂の混合比が１５％以下であり、
耐熱性・耐湿性の向上に効果がある。しかし、溶剤また
は加熱軟化によるリペア性には効果が見られず、加熱軟
化によるリペア性を改善するため熱可塑性樹脂のブレン
ド割合を１５％以上にすると、樹脂粘度が急激に上昇し
封止剤として注入し充填させることが困難になる。
樹脂中に熱可塑性樹脂を分散させたものがある。かかる
封止剤は、熱可塑性樹脂の混合比が１５％以下であり、
耐熱性・耐湿性の向上に効果がある。しかし、溶剤また
は加熱軟化によるリペア性には効果が見られず、加熱軟
化によるリペア性を改善するため熱可塑性樹脂のブレン
ド割合を１５％以上にすると、樹脂粘度が急激に上昇し
封止剤として注入し充填させることが困難になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】封止剤として使用され
る樹脂組成物には、エポキン樹脂系とシリコーン樹脂系
が一般に知られている。
る樹脂組成物には、エポキン樹脂系とシリコーン樹脂系
が一般に知られている。
【０００８】しかし、従来のエポキシ樹脂系組成物の封
止剤は、低コスト（安価）である反面、硬質で残留応力
が高くリペア性が悪い。他方、従来のシリコーン樹脂系
組成物の封止剤は、軟質で応力を緩和し信頼性評価も非
常に高いが、機械的強度でエポキシ樹脂系封止剤に劣
る。
止剤は、低コスト（安価）である反面、硬質で残留応力
が高くリペア性が悪い。他方、従来のシリコーン樹脂系
組成物の封止剤は、軟質で応力を緩和し信頼性評価も非
常に高いが、機械的強度でエポキシ樹脂系封止剤に劣
る。
【０００９】さらに、両者に共通する課題は、回路基板
材料に悪影響を与えることなく封止剤を完全に除去する
ことが不可能なこと、即ち完全に溶去可能な溶剤がない
ことである。
材料に悪影響を与えることなく封止剤を完全に除去する
ことが不可能なこと、即ち完全に溶去可能な溶剤がない
ことである。
【００１０】従って、従来の封止剤を使用し実装された
半導体素子のリペアには、多くの工程と工数および煩雑
な作業が必要となり、研削によるリペアでは封止剤を完
全に除去できず基板表面を傷付ける恐れがあり、かつ、
封止剤は完全に除去できないためにリペア後の信頼性が
低下する。
半導体素子のリペアには、多くの工程と工数および煩雑
な作業が必要となり、研削によるリペアでは封止剤を完
全に除去できず基板表面を傷付ける恐れがあり、かつ、
封止剤は完全に除去できないためにリペア後の信頼性が
低下する。
【００１１】さらに、エポキシ樹脂中に熱可塑性樹脂を
分散した封止剤は、熱可塑性樹脂の添加量が１５％以下
であり、そのために耐熱性・耐湿性に効果があるが、リ
ペア性に対する効果が得られなかった。
分散した封止剤は、熱可塑性樹脂の添加量が１５％以下
であり、そのために耐熱性・耐湿性に効果があるが、リ
ペア性に対する効果が得られなかった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、特に実
装された半導体素子等の封止剤として使用されるエポキ
シ樹脂組成物に関し、前記問題点を解決することであ
り、本発明の第１の組成物は、グリシジルエーテルと熱
可塑性樹脂と該グリシジルエーテルの硬化剤を含むこと
を特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
装された半導体素子等の封止剤として使用されるエポキ
シ樹脂組成物に関し、前記問題点を解決することであ
り、本発明の第１の組成物は、グリシジルエーテルと熱
可塑性樹脂と該グリシジルエーテルの硬化剤を含むこと
を特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
【００１３】本発明の第２の組成物は、前記熱可塑性樹
脂をα−メチルスチレンとすることである。本発明の第
３の組成物は、前記熱可塑性樹脂をポリエーテルサルホ
ンとすることである。
脂をα−メチルスチレンとすることである。本発明の第
３の組成物は、前記熱可塑性樹脂をポリエーテルサルホ
ンとすることである。
【００１４】本発明の第４の組成物は、前記本発明の第
１のエポキシ樹脂組成物に無機質フィラーを混入させた
ことである。本発明の第５の組成物は、前記本発明の第
１のエポキシ樹脂組成物において、熱可塑性樹脂を１５
ｗｔ％〜３０ｗｔ％含むことである。
１のエポキシ樹脂組成物に無機質フィラーを混入させた
ことである。本発明の第５の組成物は、前記本発明の第
１のエポキシ樹脂組成物において、熱可塑性樹脂を１５
ｗｔ％〜３０ｗｔ％含むことである。
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物における製造
方法は、多官能エポキシ樹脂に不溶の熱可塑性樹脂を単
官能グリシジルエーテルに溶解したのち、多官能エポキ
シ樹脂と該グリシジルエーテルの硬化剤をブレンドさせ
ることである。
方法は、多官能エポキシ樹脂に不溶の熱可塑性樹脂を単
官能グリシジルエーテルに溶解したのち、多官能エポキ
シ樹脂と該グリシジルエーテルの硬化剤をブレンドさせ
ることである。
【００１６】本発明の半導体素子の実装方法は、基板と
該基板の表面に搭載した半導体素子との間に、前記本発
明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物を封止剤として充填
させることである。
該基板の表面に搭載した半導体素子との間に、前記本発
明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物を封止剤として充填
させることである。
【００１７】本発明の第１の実装半導体素子のリペア方
法は、前記本発明の半導体素子の実装方法で封止剤とし
て充填された本発明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物
を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に溶解せし
め、半導体素子を基板から分離させることである。
法は、前記本発明の半導体素子の実装方法で封止剤とし
て充填された本発明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物
を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に溶解せし
め、半導体素子を基板から分離させることである。
【００１８】本発明の第２の実装半導体素子のリペア方
法は、前記本発明の半導体素子の実装方法で封止剤とし
て充填された本発明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物
を、加熱して軟化せしめ、半導体素子を基板から分離さ
せることである。
法は、前記本発明の半導体素子の実装方法で封止剤とし
て充填された本発明の第１〜５のエポキシ樹脂組成物
を、加熱して軟化せしめ、半導体素子を基板から分離さ
せることである。
【００１９】本発明の前記第１〜第３のエポキシ樹脂組
成物は、機械的強度の高いエポキシ樹脂中にエポキシ樹
脂の硬化剤と反応し硬化するグリシジルエーテルに溶解
した熱可塑性樹脂を分散せしめ、特定の溶剤に溶解可能
かつ加熱によってリペア可能に軟化する構成であり、実
装半導体素子の封止剤として使用したとき、従来の封止
剤と同等の耐熱性と耐湿性が確保され、特定の溶剤即ち
ＮＭＰに溶解可能、かつ、加熱することで除去可能に軟
化されるようになる。
成物は、機械的強度の高いエポキシ樹脂中にエポキシ樹
脂の硬化剤と反応し硬化するグリシジルエーテルに溶解
した熱可塑性樹脂を分散せしめ、特定の溶剤に溶解可能
かつ加熱によってリペア可能に軟化する構成であり、実
装半導体素子の封止剤として使用したとき、従来の封止
剤と同等の耐熱性と耐湿性が確保され、特定の溶剤即ち
ＮＭＰに溶解可能、かつ、加熱することで除去可能に軟
化されるようになる。
【００２０】そして、熱可塑性樹脂にα−メチルスチレ
ンを使用した本発明の第２のエポキシ樹脂組成物は、加
熱するとα−メチルスチレンが昇華されることでリペア
が容易となり、熱可塑性樹脂にポリエーテルサルホンを
使用した本発明の第３のエポキシ樹脂組成物は、特に耐
熱性に優れ、特定溶剤による溶融が容易であるという特
徴がある。
ンを使用した本発明の第２のエポキシ樹脂組成物は、加
熱するとα−メチルスチレンが昇華されることでリペア
が容易となり、熱可塑性樹脂にポリエーテルサルホンを
使用した本発明の第３のエポキシ樹脂組成物は、特に耐
熱性に優れ、特定溶剤による溶融が容易であるという特
徴がある。
【００２１】本発明の前記第４のエポキシ樹脂組成物
は、無機質フィラーを加えたことで、前記本発明の第１
〜第３のエポキシ樹脂組成物より、硬化後の熱膨張が抑
制されるようになる。
は、無機質フィラーを加えたことで、前記本発明の第１
〜第３のエポキシ樹脂組成物より、硬化後の熱膨張が抑
制されるようになる。
【００２２】本発明の前記第５のエポキシ樹脂組成物
は、熱可塑性樹脂を１５ｗｔ％〜３０ｗｔ％としたこと
で、従来の封止剤と同等の充填性を損なうことなく、熱
軟化即ち実装半導体素子の封止剤として使用したとき、
加熱による半導体素子のリペアが容易になる。
は、熱可塑性樹脂を１５ｗｔ％〜３０ｗｔ％としたこと
で、従来の封止剤と同等の充填性を損なうことなく、熱
軟化即ち実装半導体素子の封止剤として使用したとき、
加熱による半導体素子のリペアが容易になる。
【００２３】本発明の前記エポキシ樹脂組成物のブレン
ド方法は、均一分散の組成物を得るための手順を提供し
たものである。本発明の半導体素子の実装方法は、本発
明のエポキシ樹脂組成物を実装半導体素子の封止剤とし
て使用することであり、必要に応じて実施する半導体素
子のリペアが、従来の封止剤を使用したものより容易と
なり、かつ、半導体素子実装基板を損傷しないで済む。
ド方法は、均一分散の組成物を得るための手順を提供し
たものである。本発明の半導体素子の実装方法は、本発
明のエポキシ樹脂組成物を実装半導体素子の封止剤とし
て使用することであり、必要に応じて実施する半導体素
子のリペアが、従来の封止剤を使用したものより容易と
なり、かつ、半導体素子実装基板を損傷しないで済む。
【００２４】本発明の第１および第２の実装半導体素子
のリペア方法は、本発明により実装された半導体素子を
リペアさせる方法を提供したものであり、第１のリペア
方法では特定の溶剤を使用し、第２のリペア方法では加
熱して本発明のエポキシ樹脂組成物（封止剤）を軟化さ
せて半導体素子の剥離を可能とし、かつ、その剥離に際
して半導体素子実装基板は損傷されないようになる。
のリペア方法は、本発明により実装された半導体素子を
リペアさせる方法を提供したものであり、第１のリペア
方法では特定の溶剤を使用し、第２のリペア方法では加
熱して本発明のエポキシ樹脂組成物（封止剤）を軟化さ
せて半導体素子の剥離を可能とし、かつ、その剥離に際
して半導体素子実装基板は損傷されないようになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂組成物は、
機械的強度の高いグリシジルエーテルと、熱可塑性樹脂
と、グリシジルエーテルの硬化剤をブレンドしたものを
基本構成とする。
機械的強度の高いグリシジルエーテルと、熱可塑性樹脂
と、グリシジルエーテルの硬化剤をブレンドしたものを
基本構成とする。
【００２６】エポキシ樹脂のグリシジルエーテルに対す
る熱可塑性樹脂の割合を多くすると、硬化後の加熱によ
って軟化し易くなる反面、粘度が高くなりディスペンサ
ーによる注入が困難になる。そのため、本発明では熱可
塑性樹脂の割合を１５％〜３０％にすることを推奨す
る。
る熱可塑性樹脂の割合を多くすると、硬化後の加熱によ
って軟化し易くなる反面、粘度が高くなりディスペンサ
ーによる注入が困難になる。そのため、本発明では熱可
塑性樹脂の割合を１５％〜３０％にすることを推奨す
る。
【００２７】さらに、熱可塑性樹脂として本発明では、
硬化後に加熱によって昇華され特定の溶剤を有するα−
メチルスチレン、または硬化後に溶解される特定の溶剤
が存在するまたはポリエーテルサルホンを推奨するもの
である。
硬化後に加熱によって昇華され特定の溶剤を有するα−
メチルスチレン、または硬化後に溶解される特定の溶剤
が存在するまたはポリエーテルサルホンを推奨するもの
である。
【００２８】さらに、封止剤として使用したとき、硬化
後の熱膨張を抑制するには、無機質フィラー、例えばア
ルミナフィラーやシリカフィラーを、例えば４０％程度
混入させることを推奨する。
後の熱膨張を抑制するには、無機質フィラー、例えばア
ルミナフィラーやシリカフィラーを、例えば４０％程度
混入させることを推奨する。
【００２９】多官能エポキシ樹脂を溶解する熱可塑性樹
脂とグリシジルエーテルをブレンドしたのち、熱可塑性
樹脂をブレンドしようとすると、多官能エポキシ樹脂に
熱可塑性樹脂が溶解し難くなる。そこで、本発明におけ
るエポキシ樹脂組成物のブレンド方法では、多官能エポ
キシ樹脂に直接溶解しない熱可塑性樹脂、例えはα−メ
チルスチレンまたはポリエーテルサルホンを単官能グリ
シジルエーテルに溶解させたのち、エポキシ主剤である
多官能エポキシ樹脂とグリシジルエーテルの硬化剤をブ
レンドさせることを推奨する。
脂とグリシジルエーテルをブレンドしたのち、熱可塑性
樹脂をブレンドしようとすると、多官能エポキシ樹脂に
熱可塑性樹脂が溶解し難くなる。そこで、本発明におけ
るエポキシ樹脂組成物のブレンド方法では、多官能エポ
キシ樹脂に直接溶解しない熱可塑性樹脂、例えはα−メ
チルスチレンまたはポリエーテルサルホンを単官能グリ
シジルエーテルに溶解させたのち、エポキシ主剤である
多官能エポキシ樹脂とグリシジルエーテルの硬化剤をブ
レンドさせることを推奨する。
【００３０】次に、本発明組成物のさらに詳細なブレン
ドの割合とその方法とその組成物を封止剤とした半導体
素子の実装方法およびその実装半導体素子のリペア方法
に付いて説明する。
ドの割合とその方法とその組成物を封止剤とした半導体
素子の実装方法およびその実装半導体素子のリペア方法
に付いて説明する。
【００３１】第１の実施例では、単官能グリシジルエー
テル３７ｗｔ％に熱可塑性樹脂のポリエーテルサルホン
１６ｗｔ％を溶解せしめ、それに多官能エポキシ主剤３
９ｗｔ％および、グリシジルエーテルの硬化剤例えばイ
ミダゾール系硬化剤（または酸無水物系硬化剤）８ｗｔ
％をブレンドさせる。
テル３７ｗｔ％に熱可塑性樹脂のポリエーテルサルホン
１６ｗｔ％を溶解せしめ、それに多官能エポキシ主剤３
９ｗｔ％および、グリシジルエーテルの硬化剤例えばイ
ミダゾール系硬化剤（または酸無水物系硬化剤）８ｗｔ
％をブレンドさせる。
【００３２】かかる組成物を封止剤とした半導体素子の
実装方法につき、図１を用いて説明する。図１（ａ）に
おいて、ＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）基板１
の表面に、半導体素子２を搭載する。ただし、ＭＣＭ基
板１と半導体素子２はその一部を拡大して図１（ｂ）に
示す如く、基板１の表面に形成したパッド３と、半導体
素子２のパッド４とは、はんだバンプ５を介して電気的
に接続されている。
実装方法につき、図１を用いて説明する。図１（ａ）に
おいて、ＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）基板１
の表面に、半導体素子２を搭載する。ただし、ＭＣＭ基
板１と半導体素子２はその一部を拡大して図１（ｂ）に
示す如く、基板１の表面に形成したパッド３と、半導体
素子２のパッド４とは、はんだバンプ５を介して電気的
に接続されている。
【００３３】そこで、ＭＣＭ基板１を例えば図示ホット
プレートで５０℃程度に加熱しながら、図１（ｃ）に示
す如く、ＭＣＭ基板１と半導体素子２の間に本発明によ
るエポキシ樹脂組成物７を、例えばディスペンサー６を
用いて充填させる。
プレートで５０℃程度に加熱しながら、図１（ｃ）に示
す如く、ＭＣＭ基板１と半導体素子２の間に本発明によ
るエポキシ樹脂組成物７を、例えばディスペンサー６を
用いて充填させる。
【００３４】次いで、エポキシ樹脂組成物７を１５０℃
で２時間程度加熱し、エポキシ樹脂組成物７を硬化さ
せ、半導体素子２の実装が完了する。かかる実装半導体
素子２のリペアには二通りの方法、即ち、溶剤によりエ
ポキシ樹脂組成物７を溶解させる方法と、加熱によって
エポキシ樹脂組成物７を軟化せしめ半導体素子２を基板
１から引き離す方法がある。
で２時間程度加熱し、エポキシ樹脂組成物７を硬化さ
せ、半導体素子２の実装が完了する。かかる実装半導体
素子２のリペアには二通りの方法、即ち、溶剤によりエ
ポキシ樹脂組成物７を溶解させる方法と、加熱によって
エポキシ樹脂組成物７を軟化せしめ半導体素子２を基板
１から引き離す方法がある。
【００３５】図２は溶解方法による半導体素子リペアの
説明図、図３は加熱による半導体素子リペアの説明図で
ある。図２（ａ）において、ＭＣＭ基板１とその基板に
実装された半導体素子２を、７０℃程度に加熱したＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）９に、１５分程度浸
漬すると、エポキシ樹脂組成物７は膨潤溶解するように
なる。
説明図、図３は加熱による半導体素子リペアの説明図で
ある。図２（ａ）において、ＭＣＭ基板１とその基板に
実装された半導体素子２を、７０℃程度に加熱したＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）９に、１５分程度浸
漬すると、エポキシ樹脂組成物７は膨潤溶解するように
なる。
【００３６】そこで、ＭＣＭ基板１をＮＭＰ９から引上
げて洗浄乾燥し、図２（ｂ）に示す如く例えばホットプ
レート１０にて半導体素子２を、はんだバンプ５の溶融
温度に加熱すると、半導体素子２はＭＣＭ基板１から分
離させることができる。
げて洗浄乾燥し、図２（ｂ）に示す如く例えばホットプ
レート１０にて半導体素子２を、はんだバンプ５の溶融
温度に加熱すると、半導体素子２はＭＣＭ基板１から分
離させることができる。
【００３７】ただし、この方法による半導体素子２のリ
ペアは、ＭＣＭ基板１に複数の半導体素子２が実装され
ているとき、全ての半導体素子２がリペアされることに
なる。
ペアは、ＭＣＭ基板１に複数の半導体素子２が実装され
ているとき、全ての半導体素子２がリペアされることに
なる。
【００３８】図３（ａ）において、ヒーターを内蔵した
吸着治具８を半導体素子２の上面に吸着せしめ、半導体
素子２を介してエポキシ樹脂組成物７を３７０℃程度に
２０秒程度加熱する。すると、エポキシ樹脂組成物７が
軟化すると共にはんだバンプ５が溶解するため、吸着治
具８を引き上げると、吸着治具８に吸着された半導体素
子２はＭＣＭ基板１から引き離される。
吸着治具８を半導体素子２の上面に吸着せしめ、半導体
素子２を介してエポキシ樹脂組成物７を３７０℃程度に
２０秒程度加熱する。すると、エポキシ樹脂組成物７が
軟化すると共にはんだバンプ５が溶解するため、吸着治
具８を引き上げると、吸着治具８に吸着された半導体素
子２はＭＣＭ基板１から引き離される。
【００３９】この方法は、ＭＣＭ基板１に複数の半導体
素子２が実装されているとき、所望の半導体素子２のみ
をリペアすることが可能であり、半導体素子２を引き離
したＭＣＭ基板１の表面には、図３（ｂ）に示す如くエ
ポキシ樹脂組成物７の残滓１１が被着している。
素子２が実装されているとき、所望の半導体素子２のみ
をリペアすることが可能であり、半導体素子２を引き離
したＭＣＭ基板１の表面には、図３（ｂ）に示す如くエ
ポキシ樹脂組成物７の残滓１１が被着している。
【００４０】そこで、ＭＣＭ基板１をＮＭＰで洗浄する
と、図３（ｃ）に示す如くエポキシ樹脂組成物残滓１１
が除去され、残滓１１に埋もれていたパッド３が露呈す
るようになる。
と、図３（ｃ）に示す如くエポキシ樹脂組成物残滓１１
が除去され、残滓１１に埋もれていたパッド３が露呈す
るようになる。
【００４１】本発明組成物の詳細なブレンドの割合とそ
の方法の第２の実施例は、グリシジルエーテル２５ｗｔ
％に熱可塑性ポリα−メチルスチレンを１６ｗｔ％溶解
し、次に多官能エポキシ主剤例えばビスフェノールＡ型
またはビスフェノールＦ型１４ｗｔ％およびイミダゾー
ル系硬化剤５ｗｔ％と、無機質フィラー例えばアルミナ
フィラーまたはシリカフィラーを４０ｗｔ％程度ブレン
ドさせる。
の方法の第２の実施例は、グリシジルエーテル２５ｗｔ
％に熱可塑性ポリα−メチルスチレンを１６ｗｔ％溶解
し、次に多官能エポキシ主剤例えばビスフェノールＡ型
またはビスフェノールＦ型１４ｗｔ％およびイミダゾー
ル系硬化剤５ｗｔ％と、無機質フィラー例えばアルミナ
フィラーまたはシリカフィラーを４０ｗｔ％程度ブレン
ドさせる。
【００４２】かかるエポキシ樹脂組成物は、前記第１の
実施例におけるエポキシ樹脂組成物と同じく、１５０℃
で２時間加熱することで硬化して封止剤として使用で
き、かつ、ＮＭＰに溶解し３７０℃程度で軟化する。
実施例におけるエポキシ樹脂組成物と同じく、１５０℃
で２時間加熱することで硬化して封止剤として使用で
き、かつ、ＮＭＰに溶解し３７０℃程度で軟化する。
【００４３】従って、実装半導体素子の封止剤として使
用したとき、そのリペアはＮＭＰにて溶解させたのちは
んだバンプを溶解させて基板１から分離させるまたは、
加熱によってはんだバンプを溶融させると共に軟化せし
め、吸着治具８によって引き離すことになる。
用したとき、そのリペアはＮＭＰにて溶解させたのちは
んだバンプを溶解させて基板１から分離させるまたは、
加熱によってはんだバンプを溶融させると共に軟化せし
め、吸着治具８によって引き離すことになる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるエポ
キシ樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を１５％以上混入して
も、封止剤として狭い隙間に注入できる程度に低粘度で
あり、封止剤を用い硬化させたとき、特定の溶剤への浸
漬または加熱によって、除去可能となる。従って、半導
体素子の実装用封止剤として用いたとき、半導体素子実
装基板の損傷なしに、半導体素子のリペアが可能とな
る。
キシ樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を１５％以上混入して
も、封止剤として狭い隙間に注入できる程度に低粘度で
あり、封止剤を用い硬化させたとき、特定の溶剤への浸
漬または加熱によって、除去可能となる。従って、半導
体素子の実装用封止剤として用いたとき、半導体素子実
装基板の損傷なしに、半導体素子のリペアが可能とな
る。
【図１】 本発明の実施例による半導体素子実装方法の
説明図
説明図
【図２】 溶解方法による半導体素子リペアの説明図
【図３】 加熱による半導体素子リペアの説明図
１ ＭＣＭ基板 ２ 半導体素子 ５ はんだバンプ ６ ディスペンサー ７ エポキシ樹脂組成物 ８ リペア用吸着治具 ９ ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｅ 23/28 23/28 Ｚ 23/29 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 大和田 保 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 横内 貴志男 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 グリシジルエーテルと熱可塑性樹脂と該
グリシジルエーテルの硬化剤を含むことを特徴とするエ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 前記熱可塑性樹脂がα−メチルスチレン
であることを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項３】 前記熱可塑性樹脂がポリエーテルサルホ
ンであることを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項４】 請求項１記載のエポキシ樹脂組成物に無
機質フィラーを混入させたことを特徴とするエポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項５】 前記熱可塑性樹脂を１５ｗｔ％〜３０ｗ
ｔ％含むことを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項６】 多官能エポキシ樹脂に不溶の熱可塑性樹
脂を単官能グリシジルエーテルに溶解したのち、多官能
エポキシ樹脂と該グリシジルエーテルの硬化剤をブレン
ドさせることを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方
法。 - 【請求項７】 基板と該基板の表面に搭載した半導体素
子との間に、請求項１〜５記載のエポキシ樹脂組成物を
封止剤として充填させることを特徴とする半導体素子の
実装方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の実装方法で封止剤として
充填された請求項１〜５記載のエポキシ樹脂組成物を、
ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）にて溶解せし
め、前記半導体素子を前記基板から分離させることを特
徴とする実装半導体素子のリペア方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の実装方法で封止剤として
充填された請求項１〜５記載のエポキシ樹脂組成物を、
加熱して軟化せしめ、前記半導体素子を前記基板から分
離させることを特徴とする実装半導体素子のリペア方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22643296A JPH1067916A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22643296A JPH1067916A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067916A true JPH1067916A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16845029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22643296A Pending JPH1067916A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | エポキシ樹脂組成物とその製造方法と半導体素子の実装方法および実装半導体素子のリペア方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011068778A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱硬化性樹脂組成物 |
| KR20190110003A (ko) * | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 한국전자통신연구원 | 반도체 패키지 충진 조성물 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22643296A patent/JPH1067916A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011068778A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱硬化性樹脂組成物 |
| KR20190110003A (ko) * | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 한국전자통신연구원 | 반도체 패키지 충진 조성물 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020108 |