KR101266540B1 - 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 및 경화촉진제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 화학식 1로 표시되는 에폭시수지, 화학식 2로 표시되는 에폭시수지, 및 화학식 3으로 표시되는 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 화학식 4로 표시되는 폴리에스테르폴리올 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 언더필 작업성, 재작업성, 및 패키지 신뢰성이 우수하므로 수지 언더필용 반도체 소자 제조에 유용하다.
반도체, 언더필, 액상, 선형 에폭시수지, 폴리에스테르폴리올 수지, 작업성, 재작업성, 패키지, 신뢰성
Description
본 발명은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 언더필 작업성, 재작업성, 및 패키지 신뢰성이 우수한 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자를 언더필용 수지 조성물로 언더필하고 난 후 반도체 패키지에 대한 불량을 확인할 경우, 불량인 반도체 소자에 대하여 재작업하는 기술이 널리 적용 중에 있다.
불량 반도체 소자를 떼어 내기 위하여 용매를 이용하거나, 열분해성 수지를 언더필용 수지 조성물에 도입한 후, 열을 가하는 기술이 시도되고 있으나, 용매를 이용할 경우 재작업에 걸리는 시간이 길고 용매에 의하여 패키지의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있고, 열분해성 수지를 도입한 후 열을 가할 경우 정상 반도체 소자에 대한 열 분해 유발 문제, 잔류 수지 오염으로 인한 재작업시 접속 불량 문제 등 이 야기되고 있다.
이에, 언더필용 수지 조성물의 경화 후 고온 탄성율을 낮추고, 국부적으로 열을 가하여 재작업하는 기술이 시도되고 있다. 그러나, 이때 종래의 산무수물계 경화제를 적용할 경우, 흡습율이 증가하고, 높은 고온 탄성율로 인하여 재작업이 어려워지는 문제점이 있어 왔다.
재작업이 가능한 언더필 재료는 솔더 볼 등의 접합부를 재작업하는 온도 범위에서 회로 기판과의 분리가 쉬워야 하고, 오염 및 잔류물이 남지 않아야 하며, 재작업 온도 이하에서는 안정적인 경화 상태를 유지하여야 한다. 또한, 작업성 측면에서 통상적으로 25 ~ 600μm 이내의 전자 소자와 회로 기판 간의 간극에 대한 빠른 침투에 의한 충전성을 확보하기 위하여 낮은 점도 및 고유동성을 달성하여야 하고, 패키지의 신뢰성과 관련하여서는 솔더 볼과 크게 차이가 나지 않도록 열팽창계수를 저하시키거나, 열 응력을 완충시키고, 기계적 충격을 흡수할 수 있도록 충분이 낮은 탄성률을 유지하여야 하며, 칩과 기판 계면에 밀착성, 즉 접착성이 좋아야 한다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 언더필 작업성, 재작업성, 및 패키지 신뢰성이 우수한 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공하고자 한다.
그러므로 본 발명에 의하면 에폭시수지, 경화제, 및 경화촉진제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시수지, 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시수지, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 하기 화학식 4로 표시되는 폴리에스테르폴리올 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R은 수소 또는 메틸기이고, n의 평균값은 5 내지 15이다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기이다.)
[화학식 3]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기 또는 수산기이다.)
[화학식 4]
(상기 식에서, R과 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기의 수소가 수산기로 치환 또는 비치환된, 탄소 수 1 내지 20의 탄화수소기이다.)
상기 화학식 1의 에폭시수지, 상기 화학식 2의 에폭시수지, 및 상기 화학식 3의 선형 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 4의 폴리에스테르폴리올 수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물 에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 에폭시수지로 하기 화학식 5로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 사용하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 5]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
상기 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 40 ∼ 90 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ~ 25 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 500 ∼ 5,000cps인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 및 유성형 혼합기에서 선택되는 1종 이상의 장치를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 디스펜싱 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 언더필 작업성, 재작업성, 및 패키지 신뢰성이 우수하므로 수지 언더필용 반도체 소자 제조에 유용하다.
본 발명은 에폭시수지, 경화제, 및 경화촉진제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시수지, 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시수지, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 하기 화학식 4로 표시되는 폴리에스테르폴리올 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공한다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R은 수소 또는 메틸기이고, n의 평균값은 5 내지 15이다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기이다.)
[화학식 3]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기 또는 수산기이다.)
[화학식 4]
(상기 식에서, R과 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기의 수소가 수산기로 치환 또는 비치환된, 탄소 수 1 내지 20의 탄화수소기이다.)
상기 화학식 1의 에폭시수지, 상기 화학식 2의 에폭시수지, 및 상기 화학식 3의 에폭시수지는 모두 선형 구조로 전체 수지 조성물의 탄성율을 낮추어 저응력화를 실현하고, 전체 수지 조성물의 점도를 낮추어 작업성을 향상시키며, 재작업을 용이하게 하는 역할을 한다.
상기 화학식 1의 에폭시수지, 상기 화학식 2의 에폭시수지, 및 상기 화학식 3의 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 재작업성, 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 5 ~ 30 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 10 ~ 20 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 화학식 4의 폴리에스테르폴리올 수지는 수지 조성물의 고온 탄성율을 낮추어 재작업이 용이하게 하고, 패키지 신뢰성을 향상시키기 위하여 사용하는 물질로서, 단독으로 혹은 기타 다른 수지와 혼합된 상태로 사용할 수 있다.
상기 화학식 4의 폴리에스테르폴리올 수지는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 재작업성, 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 5 ~ 30 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 10 ~ 20 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 상기 화학식 1의 에폭시수지, 상기 화학식 2의 에폭시수지, 및 상기 화학식 3의 선형 에폭시수지 이외에 반도체 소자 언더필용으로 일반적으로 사용되는 에폭시수지를 추가하여 사용할 수 있으며, 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 상기 선형 에폭시수지 이외의 에폭시수지로는 저점도 액상 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직하며, 그 중에서도 하기 화학식 5로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
[화학식 5]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
상기 비스페놀계 에폭시수지는 저점도 액상 에폭시수지로서, 에폭시 수지 조성물이 우수한 유동성을 통하여 양호한 간극 충전성을 나타내도록 하는 작용을 한다. 상기 비스페놀계 에폭시수지로는 에폭시 당량이 150 ~ 220이고, 점도는 300 ~ 5,000cps인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로는 상기 화학식 4의 R이 수소 또는 메틸기인 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀 AD형 에폭시수지가 바람직하며, 수소화 비스페놀 A형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 F형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 AD형 에폭시수지도 사용할 수 있다. 상기 물질들은 단독 혹은 2 이상의 혼합물로도 사용할 수 있으며, 유동성과 점도 조절의 관점에서 상기 비스페놀 A형 에폭시수지와 상기 비스페놀 F형 에폭시수지를 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가장 바람직하다.
또한 본 발명의 에폭시수지에는 필요에 따라 물성 향상을 목적으로 나프탈렌계, 페놀노볼락계, 사이클로 알리파틱계, 아민계 다관능성 에폭시수지 등의 다른 액상 에폭시수지가 사용될 수 있다. 그러나 나프탈렌계 에폭시수지나 페놀노볼락계 에폭시수지 등을 사용할 경우에는 점도가 많이 증가할 수 있으므로 본 발명의 목적에 맞도록 적절한 점도를 유지하는 범위 내에서 다른 에폭시수지와 혼합하여 사용하여야 한다. 또한 본 발명의 에폭시수지에는 필요에 따라 조성물의 점도를 낮추기 위한 목적으로 1 ~ 3개의 에폭시 반응기를 가지는 반응성 희석제가 혼합될 수도 있다. 그러나 반응성 희석제의 함량이 높아질수록 경화 속도가 낮아지므로, 본 발명의 목적에 맞는 범위에서 적당량을 사용하여야 한다.
상기 선형 에폭시수지를 포함하는 전체 에폭시수지는 에폭시 수지 조성물의 경화 반응 속도, 간극 충전성, 패키지의 신뢰도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 40 ∼ 90 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 50 ~ 85 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 60 ~ 80 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 화학식 4의 폴리에스테르폴리올 수지 이외에 반도체 소자 언더필용으로 일반적으로 사용되는 경화제를 추가하여 사용할 수 있으며, 에폭시수지와 반응하여 경화물을 만들 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
상기 폴리에스테르폴리올 수지를 포함하는 전체 경화제는 에폭시 수지 조성물의 경화 반응 속도, 간극 충전성, 패키지의 신뢰도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 7 ~ 40 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 10 ~ 30 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 경화촉진제는 상기 에폭시수지와 상기 경화제의 반응을 촉진시킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 필요에 따라 열가소성 수지로 캡슐화되어 상온 안정성을 증가시킨 경화촉진제 또는 경화제로 개질된 경화촉진제를 사용할 수도 있다. 여러 다양한 경화촉진제를 같은 양으로 사용할 경우에는 각 경화촉진제가 지닌 활성 정도에 따라 겔화 시간에 있어 차이가 발생하지만, 이는 사용량의 증감을 통하여 조절할 수 있으므로 경화촉진제의 종류에 한정되는 것은 아니다.
상기 경화촉진제는 수지 조성물의 경화 반응 속도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ~ 25 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 2 ~ 20 중량%로 사용되는 것이 더 바람직하며, 5 ~ 15 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 상기 성분들 이외에도 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위 내에서 필요에 따라 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시키기 위한 무기 충전제, 기포의 제거를 용이하게 하기 위한 기타의 소포제, 제품 외관 등을 위한 카본 블랙 등의 착색제, 기계적 물성 및 접착력을 증가시키기 위한 글리시독시프로필 트리메톡시 실란이나 2-(3,4 에폭시 사이클로헥실)-에틸 트리메톡시 실란 등의 실란 커플링제, 침투성 개선을 위한 표면 장력 조절제, 요변성과 성형성을 개선하기 위한 퓸드(fumed) 실리카 등의 요변성 조절제, 실리콘 파우더, 고무 파우더, 표면 개질된 실리콘 파우더 등의 응력 완화제 등이 추가로 사용될 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도는 수지 조성물의 간극 충전성, 및 공정 작업성 측면에서 25℃에서 500 ∼ 5,000cps인 것이 바람직하고, 1,000 ~ 3,000cps인 것이 보다 바람직하며, 1,200 ∼ 2,000cps인 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 기타 첨가제를 동시에 또는 원료별로 순차적으로 투입하고 필요에 따라 가열 처리를 하면서 교반, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이들 혼합물의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 교반, 가열 장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 유성형 혼합기 등을 사용할 수 있으며, 또한 이들 장치를 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다.
성형 공정은 통상의 디스펜싱 공정을 사용할 수 있으며, 경화 시에는 130℃에서 30분 전후로 오븐에서 경화하는 것이 바람직하다. 경우에 따라 경화촉진제의 조절을 통하여 경화 온도를 변화시킬 수 있으며, 경화 시간을 단축할 수도 있다.
다음에 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하나, 실시예에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1, 비교예 1 내지 4]
하기 표 1에 나타난 배합비대로 원료를 배합한 후, 세라믹 재질의 교반기와 쓰리 롤밀을 이용하여 교반 및 분산, 혼합하여 액상 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 이렇게 제조된 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 테프론 금형에서 130℃에서 60분 경화시킴으로써 W×T×L이 4mm×10mm×80mm인 시편을 제조하였고, 하기와 같은 방법으로 각종 물성을 측정한 이후, 그 결과를 표 1에 나타내었다. 신뢰성, 작업성, 및 재작업성 테스트의 경우 W×L이 12mm×18mm인 칩을 장착한 반도체 소자에 언더필 작업을 진행한 후 130℃에서 30분 경화시켜 제조된 시편을 이용하여 평가하였다.
(점도): 원뿔 및 플레이트(Cone & Plate)형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정하였다.
(굴곡강도), (굴곡탄성율): UTM(Universal Test Machine)을 이용하여 ASTM D190에 의거하여 25℃에서 평가하였다.
(작업성): 12mm×18mm×0.3mm의 칩을 회로 기판에 간극 300μm로 탑재한 후 본 발명의 실시예 및 비교예의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 언더필 작업을 진행한 후 액상 에폭시 수지 조성물이 완전히 충전되는 시간을 측정한 후 충전 시간이 업체 기준보다 짧은 경우를 OK로, 긴 경우를 NG로 표기하였다.
(재작업성): 12mm×18mm×0.3mm의 칩을 회로 기판에 간극 300μm로 탑재한 후 본 발명의 실시예 및 비교예의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 언더필 작업을 진행한 후 경화시켰다. 이후 200℃ hot gun을 이용하여 재작업하고자 하는 칩을 국부적으로 10 ~ 20초간 가열하면서 금속 막대기를 이용하여 칩을 밀어 회로 기판으로부터 분리하였고, 이때 회로 기판의 솔더 레지스트 및 접속 부위의 손상 및 오염 여부를 확인하였다. 손상 및 오염이 없는 경우를 OK로, 손상 또는 오염이 있는 경우를 NG로 표기하였다.
(신뢰도): JEDEC, JESD22-A104 시험 조건(-40℃/+85℃)에서 열충격 시험(Temperature Cycle Test)을 수행한 후, C-SAM(Scanning Acoustical Microscopy)을 이용하여 칩과 회로 기판 간의 박리 발생 개수를 측정하였다.
(단위: 중량%)
(주)
1) EXA-835LV, DIC corporation
2) EPICLON 726, DIC corporation
3) CDR-3315, King
4) B-570, DIC corporation
5) EH-3366S, ADEKA
상기 결과로부터 본 발명에 의한 액상 에폭시 수지 조성물은 언더필 작업성, 재작업성, 및 패키지 신뢰성이 우수함을 확인하였다.
Claims (9)
- 에폭시수지, 경화제, 및 경화촉진제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서,상기 에폭시수지는 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시수지, 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시수지, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 에폭시수지로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 선형 에폭시수지를 포함하고,상기 경화제는 하기 화학식 4로 표시되는 폴리에스테르폴리올 수지를 포함하며,상기 선형 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용되고,상기 폴리에스테르폴리올 수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ∼ 40 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물:[화학식 1]
(상기 식에서, R은 수소 또는 메틸기이고, n의 평균값은 5 내지 15이다.);[화학식 2]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기이다.);[화학식 3]
(상기 식에서, R은 탄소 수 5 내지 15의 탄화수소기 또는 수산기이다.);[화학식 4]
(상기 식에서, R과 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기의 수소가 수산기로 치환 또는 비치환된, 탄소 수 1 내지 20의 탄화수소기이다.). - 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 에폭시수지는 하기 화학식 5로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물:[화학식 5]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.). - 제 1항에 있어서, 상기 선형 에폭시수지를 포함하는 전체 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 40 ∼ 90 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 폴리에스테르폴리올 수지를 포함하는 전체 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 1 ~ 25 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 500 ∼ 5,000cps인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항 및 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항 기재의 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 및 유성형 혼합기에서 선택되는 1종 이상의 장치를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 디스펜싱 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자.
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| KR100372211B1 (ko) | 1999-06-17 | 2003-02-14 | 헨켈 록타이트 코오포레이션 | 조절가능하게 분해가능한 열경화성 수지 조성물, 상기 조성물을 사용하여 반도체 칩과 회로판 사이를 밀봉 언더필링하는 방법, 및 상기 조성물을 사용하여 제조한 전자 장치 |
| KR100671137B1 (ko) | 2004-12-30 | 2007-01-17 | 제일모직주식회사 | 재작업이 가능한 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
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