KR101234848B1 - 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 36
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims abstract description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 claims description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- -1 Sealing Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical class C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1O VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 2-[[5-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-yl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C=C1C=CC=2)=CC=C1C=2OCC1CO1 MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical class C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
- C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/226—Mixtures of di-epoxy compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 화학식 1로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지 및 화학식 2로 표시되는 나프탈렌계 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 화학식 3으로 표시되는 표시되는 산무수물계 경화제 및 화학식 4로 표시되는 산무수물계 경화제를 사용하며, 상기 무기 충전제를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 85 ~ 95 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성이 우수하므로 수지 밀봉용 반도체 소자 제조에 유용하다.
반도체, 밀봉, 액상, 에폭시, 비스페놀계, 나프탈렌계, 경화제 산무수물계, 무기 충전제, 패키지, 성형성, 휨 특성, 신뢰성
Description
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
전자 및 전기 기기의 소형화, 경량화, 그리고 고기능화에 따라 전자 기기의 인쇄 회로 기판에 실장되어지는 반도체 소자의 수는 증가하는 반면, 이러한 소자가 실장된 인쇄 회로 기판의 밀봉 공정은 생산성의 증대를 위해 점점 더 큰 면적으로 성형되고 있다. 이러한 변화로 인하여 기존의 고상 EMC(Epoxy molding compound) 조성물을 이용한 트랜스퍼(transfer) 몰딩(molding) 공정의 경우에는 수지 조성물의 유동 특성 부족으로 인하여 큰 면적을 모두 밀봉하기 어려운 문제가 대두되고 있으며, 와이어의 쓸림 등의 문제로 인해 그 적용의 한계가 나타내고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근 EMC 파우더를 이용한 압축 성형 공정이 시도되고 있으나, 이 또한 파우더의 응집 및 제조 공정 상의 여러 문제점으로 인하여 그 적용에 어려움을 겪고 있다.
상기의 문제를 해결할 수 있는 방법으로 액상의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 압축 성형 공정을 통해 큰 면적의 패키지를 밀봉하는 방법이 대두되고 있으나, 아직 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성 등의 요구 조건을 모두 만족하는 액상 에폭시 수지 조성물은 전무한 상태이다. 따라서, 이에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
전자 및 전기 기기의 소형화, 경량화 그리고 고기능화에 따라 전자 기기의 인쇄회로 기판에 실장되어지는 반도체 소자의 수는 증가하는 반면, 이러한 소자가 실장된 인쇄회로 기판의 봉지 공정은 생산성의 증대를 위해 점점 대면적으로 성형되어 지고 있다. 이러한 공정의 변화로 인해 기존의 EMC(Epoxy molding compound)를 이용한 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 공정의 경우 유동 특성의 부족으로 대면적을 모두 몰딩하기 어려운 문제 및 와이어의 쓸림 등의 여러 가지 문제로 인해 그 적용의 한계를 드러내고 있으며, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근 EMC 파우더를 이용한 압축 성형 공정이 시도되고 있으나, 이 또한 파우더의 응집 및 제조 공정상의 여러 문제점으로 인하여 그 적용에 어려움을 겪고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 작업성과 신뢰성이 우수한 액상 에폭시 제공하는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공하고자 한다.
그러므로 본 발명에 의하면 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 하기 화학식 1로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 나프탈렌계 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 하기 화학식 3으로 표시되는 표시되는 산무수물계 경화제 및 하기 화학식 4로 표시되는 산무수물계 경화제를 사용하며, 상기 무기 충전제를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 85 ~ 95 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 4의 알킬기 혹은 알케닐기이다.)
[화학식 4]
상기 화학식 1의 비스페놀계 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 2의 나프탈렌계 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 3의 산무수물계 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 4의 산무수물계 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 경화촉진제로 하기 화학식 5로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 5]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.)
상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 1 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 무기 충전제로 평균 입경이 1 ∼ 40㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 50,000 ∼ 500,000cps인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 및 유성형 혼합기에서 선택되는 1종 이상의 장치를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 압축 성형 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성이 우수하므로 수지 밀봉용 반도체 소자 제조에 유용하다.
본 발명은 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 하기 화학식 1로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 나프탈렌계 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 하기 화학식 3으로 표시되는 표시되는 산무수물계 경화제 및 하기 화학식 4로 표시되는 산무수물계 경화제를 사용하며, 상기 무기 충전제를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 85 ~ 95 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공한다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 4의 알킬기 혹은 알케닐기이다.)
[화학식 4]
상기 화학식 1의 비스페놀계 에폭시수지는 저점도 액상 에폭시수지로서, 에폭시 수지 조성물이 우수한 성형성을 나타내도록 하는 작용을 한다. 상기 비스페놀계 에폭시수지로는 에폭시 당량이 150 ~ 220이고, 점도는 300 ~ 5,000cps인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로는 상기 화학식 1의 R이 수소 또는 메틸기인 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀 AD형 에폭시수지가 바람직하며, 수소화 비스페놀 A형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 F형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 AD형 에폭시수지도 사용할 수 있다. 상기 물질들은 단독 혹은 2 이상의 혼합물로도 사용할 수 있으며, 유동성과 점도 조절의 관점에서 상기 비스페놀 A형 에폭시수지와 상기 비스페놀 F형 에폭시수지를 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가장 바람직하다. 상기 화학식 1의 비스페놀계 에폭시수지는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.2 ~ 4 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.5 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 화학식 2의 나프탈렌계 에폭시수지는 수지 조성물의 유리전이온도를 상승시켜 패키지 휨 특성이 좋아지는 효과를 나타내고, 수지 조성물의 내열성을 향상시켜 패키지 신뢰성이 좋아지는 효과를 나타낸다. 상기 나프탈렌계 에폭시 수지로는 에폭시 당량이 130 ~ 160인 고순도의 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 화학식 2의 나프탈렌계 에폭시수지는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.2 ~ 4 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.5 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 화학식 3의 산무수물계 경화제는 수지 조성물의 흡습률을 낮추어 패키지 신뢰성을 향상시키기 위하여 사용되는 알킬화 테트라하이드로프탈산 무수물로서, 당량이 210 ∼ 250인 고순도의 물질을 상용하는 것이 바람직하다. 상기 화학식 3의 산무수물계 경화제는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 패키지 성형성, 및 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 ~ 5 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 1 ~ 4 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 화학식 4의 산무수물계 경화제는 수지 조성물의 점도를 낮추어 패키지 성형성을 향상시키기 위하여 사용되는 메틸테트라하이드로프탈산 무수물로서, 당량이 150 ∼ 170인 고순도의 물질을 상용하는 것이 바람직하다. 상기 화학식 4의 산무수물계 경화제는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 기계적 강도, 작업성, 패키지 성형성, 및 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 ~ 5 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 1 ~ 4 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 상기 화학식 1의 비스페놀계 에폭시수지 및 상기 화학식 2의 나프탈렌계 에폭시수지 이외에 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 에폭시수지를 추가하여 사용할 수 있으며, 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 사용할 수 있는 에폭시수지는 페놀노볼락계, 사이클로 알리파틱계, 및 아민계 다관능성 에폭시수지 등이다. 그러나 페놀노볼락계 에폭시수지 등을 사용할 경우에는 점도가 많이 증가할 수 있으므로 본 발명의 목적에 맞도록 적절한 점도를 유지하는 범위 내에서 다른 에폭시수지와 혼합하여 사용하여야 한다. 또한 본 발명의 에폭시수지에는 필요에 따라 조성물의 점도를 낮추기 위한 목적으로 1 ~ 3개의 에폭시 반응기를 가지는 반응성 희석제가 혼합될 수도 있다. 그러나 반응성 희석제의 함량이 높아질수록 경화 속도가 낮아지므로, 본 발명의 목적에 맞는 범위에서 적당량을 사용하여야 한다.
또한, 본 발명에서는 상기 화학식 3의 산무수물계 경화제 및 상기 화학식 4의 산무수물계 경화제 이외에 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 경화제를 추가하여 사용할 수 있으며, 에폭시수지와 반응하여 경화물을 만들 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 사용할 수 있는 경화제는 페놀노볼락 수지, 알킬화 페놀노볼락 수지, 및 및 폴리에스테르계 수지 등이다.
상기 경화촉진제는 상기 에폭시수지와 상기 경화제의 반응을 촉진시킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으나, 하기 화학식 5로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 또한 필요에 따라 열가소성 수지로 캡슐화되어 상온 안정성을 증가시킨 경화촉진제 또는 경화제로 개질된 경화촉진제를 사용할 수도 있다. 여러 다양한 경화촉진제를 같은 양으로 사용할 경우에는 각 경화촉진제가 지닌 활성 정도에 따라 겔화 시간에 있어 차이가 발생하지만, 이는 사용량의 증감을 통하여 조절할 수 있으므로 경화촉진제의 종류에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 5]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.)
상기 경화촉진제는 수지 조성물의 점도, 경화 반응 속도, 보관 안정성, 기계적 강도, 작업성, 패키지 성형성, 및 패키지 신뢰성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 1 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.02 ~ 0.5 중량%로 사용되는 것이 더 바람직하며, 0.05 ~ 0.3 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 무기 충전제는 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시키기 위한 것으로서, 평균 입경이 1 ∼ 40㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 사용하는 것이 바람직하며, 무기 충전제의 함량에 따라 평균 입경을 조정할 수 있다. 상기 무기 충전제의 평균 입경은 5 ∼ 30㎛인 것이 보다 바람직하며, 10 ∼ 20㎛인 것이 가장 바람직하다.
상기 무기 충전제는 수지 조성물의 점도, 기계적 강도, 작업성, 및 패키지 신뢰성 측면에서, 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 상기 범위로 사용되는 것이 바람직하고, 86 ~ 94 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 87 ~ 93 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 상기 성분들 이외에도 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위 내에서 필요에 따라 기포의 제거를 용이하게 하기 위한 소포제, 제품 외관 등을 위한 카본 블랙 등의 착색제, 기계적 물성 및 접착력을 증가시키기 위한 글리시독시프로필 트리메톡시 실란이나 2-(3,4 에폭시 사이클로헥실)-에틸 트리메톡시 실란 등의 실란 커플링제, 침투성 개선을 위한 표면 장력 조절제, 요변성과 성형성을 개선하기 위한 퓸드(fumed) 실리카 등의 요변성 조절제, 실리콘 파우더, 고무 파우더, 표면 개질된 실리콘 파우더 등의 응력 완화제 등이 추가로 사용될 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도는 수지 조성물의 간극 충전성, 및 공정 작업성 측면에서 25℃에서 50,000 ∼ 500,000cps인 것이 바람직하고, 100,000 ~ 450,000cps인 것이 보다 바람직하며, 150,000 ∼ 400,000cps인 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 기타 첨가제를 동시에 또는 원료별로 순차적으로 투입하고 필요에 따라 가열 처리를 하면서 교반, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이들 혼합물의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 교반, 가열 장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 및 유성형 혼합기 등을 사용할 수 있으며, 또한 이들 장치를 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다.
성형 공정은 압축 성형 몰드에서 경화 공정을 통해 액상의 에폭시 수지 조성물이 경화된 후 고상으로 밀봉된 형태를 유지하게 되며, 후 경화 공정을 통해 안정적인 경화물이 형성된다. 상기 경화 공정은 125℃ 내지 180℃의 범위에서 수 분 이내에 이루어지는 것이 바람직하고, 후 경화는 125℃ 내지 180℃에서 30분 이상 오븐에서 진행하는 것이 바람직하다.
다음에 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하나, 실시예에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1, 비교예 1 내지 5]
하기 표 1에 나타난 배합비대로 원료를 배합한 후, 세라믹 재질의 교반기와 쓰리 롤밀을 이용하여 교반 및 분산, 혼합하여 액상 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 이렇게 제조된 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 테프론 금형에서 160℃에서 2시간 경화시킴으로써 W×T×L이 4mm×10mm×80mm인 시편을 제조하였고, 하기와 같은 방법으로 각종 물성을 측정한 이후, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
성형성, 휨 특성, 및 신뢰성 테스트의 경우 압축 성형 금형 및 성형 설비를 이용하여 W×L×T가 12mm×18mm×0.3mm인 칩이 장착된 W×L이 300mm×75mm인 인쇄 회로 기판에 액상 에폭시 수지 조성물을 175℃에서 90초간 압축 성형하여 제조된 시편을 175℃에서 30분간 오븐에서 후 경화시킨 후 진행하였다. 신뢰성은 성형성 및 휨 특성이 양호한 패지지에 대하여 진행하였다.
(점도): 원뿔 및 플레이트(Cone & Plate)형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정하였다.
(유리전이온도): DMTA(Dynamic Mechanical Thermal Analyser)로 승온 속도 5℃/min, 1Hz 조건에서 평가하였다.
(열팽창계수): TMA(Thermomechanical Analyser)로 승온 속도 10℃/min 조건에서 평가하였다.
(굴곡탄성율): UTM(Universal Test Machine)을 이용하여 ASTM D190에 의거하 여 25℃에서 평가하였다.
(성형성): W×L×T가 12mm×18mm×0.3mm인 칩이 장착된 W×L이 300mm×75mm인 인쇄 회로 기판에 실시예와 비교예의 액상 에폭시 수지 조성물을 175℃에서 90초간 압축 성형하여 각 조성별로 100개씩 제조된 시편을 175℃에서 30분간 오븐에서 후 경화시킨 후 평가하였다. 이후, 육안으로 패키지 표면에 관찰되는 보이드(void)의 개수를 측정하였고, 보이드가 한 개도 없을 경우를 양호로, 한 개라도 있을 시는 불량으로 표기하였다.
(휨 특성): 상기 성형성 평가에 사용된 각 조성별 10개씩의 시편에 대하여 비접촉식 레이저(laser) 측정기를 사용하여 각각 상면의 대각선 방향의 중심과 끝에서의, 지면으로부터의 높이 차(휨도, ㎛)를 측정하였다. 각 조성별로 10개의 패키지의 휨 특성을 평가한 후에 평균값을 계산하였다. 평균값이 100㎛ 미만인 경우를 양호로, 100㎛ 초과인 경우를 불량으로 표기하였다.
(신뢰성): 각 조성별로 20개씩의 시편에 대하여 JEDEC, JESD22-A113, Level 2 프리컨디션 조건의 신뢰성 평가를 진행하였다. 이후 C-SAM(Scanning Acoustical Microscopy)을 이용하여 칩과 회로 기판 간의 박리 발생 여부를 측정하였다. 박리가 한 개도 없을 경우를 양호로, 한 개라도 있을 시는 불량으로 표기하였다.
(단위: 중량%)
(주)
1) EXA-835LV, DIC corporation
2) HP-4032D, DIC corporation
3) YH-306, Yuka shell
4) B-570, DIC corporation
5) 1-벤질-2-메틸이미다졸, Shikoku
6) 평균입경 14㎛의 구상 용융실리카
7) KBM-403, Shin Etsu silicon
상기 결과로부터 본 발명에 의한 액상 에폭시 수지 조성물은 패키지 성형성, 패키지 휨 특성, 및 패키지 신뢰성이 우수함을 확인하였다.
Claims (10)
- 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 하기 화학식 1로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 나프탈렌계 에폭시수지를 사용하고, 상기 경화제로 하기 화학식 3으로 표시되는 산무수물계 경화제 및 하기 화학식 4로 표시되는 산무수물계 경화제를 사용하며, 상기 무기 충전제를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 85 ~ 95 중량%로 사용하고,[화학식 1]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 4의 알킬기 혹은 알케닐기이다.)[화학식 4]
상기 화학식 1의 비스페놀계 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되고,상기 화학식 2의 나프탈렌계 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 5 중량%로 사용되고,상기 화학식 3의 산무수물계 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되고,상기 화학식 4의 산무수물계 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 6 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 경화촉진제로 하기 화학식 5로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.[화학식 5]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.) - 제 1 항에 있어서, 상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 1 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 무기 충전제로 평균 입경이 1 ∼ 40㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 50,000 ∼ 500,000cps인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항의 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 및 유성형 혼합기에서 선택되는 1종 이상의 장치를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 압축 성형 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080137709A KR101234848B1 (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080137709A KR101234848B1 (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100079280A KR20100079280A (ko) | 2010-07-08 |
| KR101234848B1 true KR101234848B1 (ko) | 2013-02-19 |
Family
ID=42640394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080137709A KR101234848B1 (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101234848B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101310583B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2013-09-23 | 성균관대학교산학협력단 | 솔더 레지스트 조성물, 패키지용 기판 및 이의 제조방법 |
| KR102658294B1 (ko) * | 2019-09-09 | 2024-04-16 | 주식회사 두산 | 밀봉 시트 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040055102A (ko) * | 2002-12-20 | 2004-06-26 | 제일모직주식회사 | 반도체 봉지용 액상 에폭시 수지 조성물 |
| KR20040061567A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 제일모직주식회사 | 액상 에폭시 수지 조성물 |
| KR20050068690A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 |
| KR20070072098A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 제일모직주식회사 | 고신뢰성 반도체 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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