KR101234847B1 - 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 첨가제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 화학식 1로 표시되는 아크릴계 첨가제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 접촉각이 작아 언더필 공정 시에 발생하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있으므로 수지 언더필용 반도체 소자 제조에 유용하다.
반도체, 언더필, 액상, 아크릴계 첨가제, 접촉각, 기포
Description
본 발명은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면 장력을 낮추어 언더필 공정 시 생기는 기포를 효과적으로 없앨 수 있는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
전자 제품이 계속 소형화 및 박형화되면서 반도체 패키징의 고집적화에 따라 반도체 소자의 밀봉 및 실장 방법이 종래 DIP 등의 고상 밀봉재의 트랜스퍼 성형에서부터 표면 실장 형태로 이동하고 있다. 이와 같은 표면 실장형 패키지의 하나로 플립 칩 실장 방식이 있다. 플립 칩 기술은 기판에 집적 회로가 형성되어 있는 칩의 면이 기판을 마주 보도록 실장함으로써 다른 실장 방식에 비해서 높은 입출력 밀도, 짧은 연결 길이, 열 방출이 용이한 점 등의 장점이 있다. 플립 칩 실장 방식 은 리드 프레임을 사용하지 않아 칩 사이즈가 곧 패키지 사이즈가 되기 때문에 전자 기기의 소형화 및 경량화에 유리하고 전송 속도도 기존 리드 프레임 패키지에 비하여 20 내지 30배 빠르다. 플립 칩 기술이 패키지 내에 사용될 경우 칩은 솔더 접합부를 통하여 연결되며, 이를 플립 칩 인 패키지(FCIP, flip chip in package)라고 부르고, 칩이 직접 인쇄 회로 기판에 연결되는 경우를 플립 칩 온 보드(FCOB, flip chip on board)라고 부른다.
특히 표면 실장형이 주류가 되고 있는 최근 패키징 동향에 있어서 플립 칩 실장 방식은 종전의 와이어 본딩에 의한 접속이 아니라 칩의 표면과 기판을 솔더 범프에 의해 연결함으로서 소형, 박형화를 가능하게 하는 기술이다. 그러나 이러한 방식으로 실장된 플립 칩 패키지에 대하여 열충격 시험을 할 경우 회로 기판과 솔더 범프간 연결상태 등에 대한 신뢰성 불량의 여지가 있다. 그 이유로는 칩과 기판의 상이한 열팽창계수가 열적인 응력을 유발하기 때문이다. 이러한 열적 응력을 완화하기 위하여 칩을 기판에 장착한 후 칩과 기판 사이의 빈 공간을 수지로 충전하는 공정이 언더필 공정이며, 이에 사용되는 소재가 언더필용 수지 조성물이다. 작업성 측면에서 언더필용 수지 조성물의 요구 특성은 칩과 기판 사이 공간에 대한 빠른 충전성과 더불어 공간 상에 있는 기포가 효과적으로 제거될 수 있어야 하며, 신뢰성과 관련하여서는 열팽창계수가 낮고 칩과 기판 계면에서의 밀착성이 좋아야 하며, 열에 의한 응력을 완충시킬 수 있어야 한다. 언더필용 수지 조성물을 사용하고도 칩과 기판 사이의 기포가 효과적으로 제거되지 않아 계면 사이의 밀착성이 떨 어질 수도 있고, 또한 열팽창계수를 낮추기 위해서 충전제를 다량 함유시킬 경우에는 유기물인 바인더 수지와의 부착력이 낮아 충전제와 수지가 분리되거나 불균일한 유동이 발생할 소지가 있으며 이는 곧 성형성 불량으로 연결될 수 있다. 또한 경화 후에도 기포로 인해 충전제와 수지 간의 밀착성이 좋지 않은 경우에는 그만큼 기계적 물성이 저하되는 영향이 있으므로 충전제 사용 시 에폭시수지와 충전제 간의 밀착성을 높이기 위한 개선이 요구되고 있다.
특히, 대형 칩을 포함하는 패키지의 경우에는 언더필 부위에 걸리는 응력이 증가하면서 칩과 기판의 계면에 박리가 생기거나 칩에 균열이 일어나는 현상 등이 나타난다. 이러한 열 충격에 의한 신뢰도 저하 및 불량 발생을 방지하기 위해서는 언더필용 수지 조성물과 칩 및 기판 계면 간의 기포 생성을 억제하여 밀착성을 높여야 하고, 또한 언더필로 사용된 수지 조성물이 열에 의해 발생되는 응력을 그대로 전달하는 것이 아니고 완충작용을 할 수 있도록 충분히 낮은 탄성률을 유지하여야 한다. 물론 탄성률이 너무 낮게 되면 솔더볼 조인트에 균열이 가거나 하는 다른 유형의 신뢰도 불량이 나타날 수 있다.
일반적으로 언더필 공정 후의 신뢰도 저하를 개선하기 위하여 무기 충전재의 충전량을 증가시켜 저흡습 및 저열팽창화를 달성하여 내땜납성을 향상시킴과 동시에 저점도 수지를 사용하여 고유동성을 유지하는 방법을 적용하나, 언더필 후의 신뢰성은 에폭시 수지 조성물의 경화물과 반도체 장치 내부에 존재하는 기포에 의해 영향을 받는, 반도체 소자나 리드 프레임 등의 기재와의 계면에서의 부착성이 더 큰 영향을 미치게 된다. 만약 이 내부의 기포로 인해 계면에서의 밀착성이 약해진다면 기재와의 계면에서 박리가 발생하고 나아가서는 이 박리에 의하여 반도체 장치에 크랙이 발생하게 되는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판과의 접촉각이 낮아 표면 장력이 낮은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공하고자 한다.
그러므로 본 발명에 의하면 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 첨가제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 아크릴계 첨가제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R'은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, R"은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 알킬기, 폴리에스테르, 폴리에테르, 또는 아민염이며, n의 평균치는 10 내지 100이다.)
상기 아크릴계 첨가제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 에폭시수지로 하기 화학식 2로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 사용하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 2]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
상기 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 60 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 경화제로 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬화 페놀노볼락 수지를 사용하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴기이고, n의 평균치는 0 내지 3이다.)
상기 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 경화촉진제로 하기 화학식 4로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 4]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.)
상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ~ 10 중량%로 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 액상 에폭시 수지 조성물에 무기 충전제를 추가로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 무기 충전제로 평균 입경이 0.1 ∼ 20㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 10 ~ 75 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 500 ∼ 10,000cps인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 유성형 혼합기를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 디스펜싱 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 접촉각이 작아 언더필 공정 시에 발생 하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있으므로 수지 언더필용 반도체 소자 제조에 유용하다.
본 발명은 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 첨가제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 아크릴계 첨가제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공한다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R'은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, R"은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 알킬기, 폴리에스테르, 폴리에테르, 또는 아민염이며, n의 평균치는 10 내지 100이다.)
상기 화학식 1의 아크릴계 첨가제는 언더필 공정 시 내부에 생길 수 있는 기포를 제거하여 기재와의 밀착성을 향상시키기 위해 사용되는 물질이다. 상기 화학식 1의 아크릴계 첨가제를 사용하면 액상 에폭시 수지 조성물의 기판에서의 접촉각 이 낮아지며, 이는 표면 장력이 낮아지는 것을 의미한다. 따라서, 이를 통하여 언더필 공정 시 내부에 생길 수 있는 기포를 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 상기 화학식 1의 아크릴계 첨가제는 전체 액상 에폭시 수지 조성물의 점도, 경화물의 유리전이온도, 기계적 물성, 및 열 특성의 관점에서 적절하게 R'과 R" 치환기의 종류 및 n 값을 조절하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 1의 아크릴계 첨가제는 기포 제거 효과, 에폭시수지와의 상용성 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.02 ~ 2 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.05 ~ 1 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 에폭시수지는 반도체 소자 언더필용으로 일반적으로 사용되는 에폭시수지라면 특별히 제한되는 것은 아니며, 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 상기 에폭시수지로는 저점도 액상 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직하며, 그 중에서도 하기 화학식 2로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
[화학식 2]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)
상기 비스페놀계 에폭시수지는 저점도 액상 에폭시수지로서, 에폭시 수지 조성물이 우수한 유동성을 통하여 양호한 간극 충전성을 나타내도록 하는 작용을 한다. 상기 비스페놀계 에폭시수지로는 에폭시 당량이 150 ~ 220이고, 점도는 300 ~ 5,000cps인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로는 상기 화학식 2의 R이 수소 또는 메틸기인 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀 AD형 에폭시수지가 바람직하며, 수소화 비스페놀 A형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 F형 에폭시수지, 수소화 비스페놀 AD형 에폭시수지도 사용할 수 있다. 상기 물질들은 단독 혹은 2 이상의 혼합물로도 사용할 수 있으며, 유동성과 점도 조절의 관점에서 상기 비스페놀 A형 에폭시수지와 상기 비스페놀 F형 에폭시수지를 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가장 바람직하다.
또한 본 발명의 에폭시수지에는 필요에 따라 물성 향상을 목적으로 나프탈렌계, 페놀노볼락계, 사이클로 알리파틱계, 아민계 다관능성 에폭시수지 등의 다른 액상 에폭시수지가 사용될 수 있다. 그러나 나프탈렌계 에폭시수지나 페놀노볼락계 에폭시수지 등을 사용할 경우에는 점도가 많이 증가할 수 있으므로 본 발명의 목적에 맞도록 적절한 점도를 유지하는 범위 내에서 다른 에폭시수지와 혼합하여 사용하여야 한다. 또한 본 발명의 에폭시수지에는 필요에 따라 조성물의 점도를 낮추기 위한 목적으로 1 ~ 3개의 에폭시 반응기를 가지는 반응성 희석제가 혼합될 수도 있다. 그러나 반응성 희석제의 함량이 높아질수록 경화 속도가 낮아지므로, 본 발명의 목적에 맞는 범위에서 적당량을 사용하여야 한다.
상기 에폭시수지는 에폭시 수지 조성물의 경화 반응 속도, 간극 충전성, 패키지의 신뢰도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 60 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 10 ~ 50 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 15 ~ 40 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 경화제는 상기 에폭시수지와 반응하여 경화물을 만들 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으나, 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬화 페놀노볼락 수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 상기 알킬화 페놀노볼락 수지는 수산기 당량이 120 ∼ 150인 고순도의 제품을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 12 의 알킬기 또는 아릴기이고, n의 평균치는 0 내지 3이다.)
전체 액상 에폭시 수지 조성물의 점도, 경화물의 유리전이온도, 기계적 물성, 및 열 특성 등의 관점에서 적절하게 R1 내지 R5 치환기의 종류 및 n 값을 조절한 여러 다양한 물질을 사용할 수 있으며, 이미드 변성 등에 의해 유리전이온도 특성을 변화시킨 물질 또한 사용할 수 있다.
상기 경화제는 에폭시 수지 조성물의 경화 반응 속도, 간극 충전성, 패키지의 신뢰도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 7 ~ 40 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 10 ~ 30 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 경화촉진제는 상기 에폭시수지와 상기 경화제의 반응을 촉진시킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으나, 하기 화학식 4로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 또한 필요에 따라 열가소성 수지로 캡슐화되어 상온 안정성을 증가시킨 경화촉진제 또는 경화제로 개질된 경화촉진제를 사용할 수도 있다. 여러 다양한 경화촉진제를 같은 양으로 사용할 경우에는 각 경화촉진제가 지닌 활성 정도에 따라 겔화 시간에 있어 차이가 발생하지만, 이는 사용량의 증감을 통하여 조절할 수 있으므로 경화촉진제의 종류에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 4]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.)
상기 경화촉진제는 에폭시 수지 조성물의 경화 반응 속도 측면에서 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ~ 10 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 0.2 ~ 5 중량%로 사용되는 것이 더 바람직하며, 0.5 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
또한, 본 발명에서는 무기 충전제를 추가로 사용할 수 있다. 상기 무기 충전제는 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시키기 위한 것으로서, 사용 시에는 평균 입경이 0.1 ∼ 20㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 사용하는 것이 바람직하며, 적용하고자 하는 간극의 크기 및 무기 충전제의 함량에 따라 평균 입경을 조정할 수 있다. 상기 무기 충전제의 평균 입경은 0.5 ∼ 10㎛인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 5㎛인 것이 가장 바람직하다. 또한, 간극 충전성 관점에서 상기 무기 충전제 의 최대 입경은 80㎛ 미만인 것이 바람직하다.
상기 무기 충전제는 고유동성을 요구하고, 열팽창에 의한 영향이 적을 경우에는 사용하지 않아야 하며, 사용 시에도 수지 조성물의 유동성, 간극 충전성, 패키지 성형성, 및 패키지 신뢰성 측면에서, 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 10 ~ 75 중량%로 사용되는 것이 바람직하고, 20 ~ 72 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 30 ~ 70 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 상기 성분들 이외에도 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위 내에서 필요에 따라 기포의 제거를 용이하게 하기 위한 기타의 소포제, 제품 외관 등을 위한 카본 블랙 등의 착색제, 기계적 물성 및 접착력을 증가시키기 위한 글리시독시프로필 트리메톡시 실란이나 2-(3,4 에폭시 사이클로헥실)-에틸 트리메톡시 실란 등의 실란 커플링제, 침투성 개선을 위한 표면 장력 조절제, 요변성과 성형성을 개선하기 위한 퓸드(fumed) 실리카 등의 요변성 조절제, 실리콘 파우더, 고무 파우더, 표면 개질된 실리콘 파우더 등의 응력 완화제 등이 추가로 사용될 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도는 수지 조성물의 간극 충전성, 및 공정 작업성 측면에서 25℃에서 500 ∼ 10,000cps인 것이 바람직하고, 1,000 ~ 5,000cps인 것이 보다 바람직하며, 1,200 ∼ 1,600cps인 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 기타 첨가제를 동시에 또는 원료별로 순차적으로 투입하고 필요에 따라 가열 처리를 하면서 교반, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이들 혼합물의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 교반, 가열 장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 유성형 혼합기 등을 사용할 수 있으며, 또한 이들 장치를 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다.
성형 공정은 통상의 디스펜싱 공정을 사용할 수 있으며, 경화 시에는 150℃에서 1시간 전후로 오븐에서 경화하는 것이 바람직하다. 경우에 따라 경화촉진제의 조절을 통하여 경화 온도를 변화시킬 수 있으며, 경화 시간을 단축할 수도 있다.
다음에 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하나, 실시예에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 또는 2, 비교예 1]
하기 표 1에 나타난 배합비대로 원료를 배합한 후, 세라믹 재질의 교반기와 쓰리 롤밀을 이용하여 교반 및 분산, 혼합하여 액상 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 이후, 상기 액상 에폭시 수지 조성물에 용매(YDPGM)를 사용하여 전체 액상 에폭시 수지 조성물의 점도를 1300 ~ 1600 사이로 조절하였다. 이렇게 제조된 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하여 테프론 금형에서 150℃에서 60분 경화시킴으로써 W ×T×L이 4mm×10mm×80mm인 시편을 제조하였고, 하기와 같은 방법으로 각종 물성을 측정한 이후, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
(점도): 원뿔 및 플레이트(Cone & Plate)형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정하였다.
(유리전이온도): DMTA(Dynamic Mechanical Thermal Analyser)로 승온 속도 5℃/min, 1Hz 조건에서 평가하였다.
(열팽창계수): TMA(Thermomechanical Analyser)로 승온 속도 10℃/min 조건에서 평가하였다.
(굴곡강도): UTM(Universal Test Machine)을 이용하여 ASTM D190에 의거하여 25℃에서 평가하였다.
(토출성): 디스펜서(dispenser)를 사용하여 니들(needle) size 21G, 토출압 30kps에서 토출하였을 때 끊어짐 없이 일정량으로 토출되는지의 여부로 확인하였다.
(접촉각): 실리콘 웨이퍼 위에 일정량의 에폭시 수지 조성물을 떨어뜨리고 2분 경과 후의 접촉각을 접촉각 평가기를 이용하여 평가하였다.
| 구성 성분 | 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | |
| 에폭시수지 | 비스페놀 A/F 혼합 에폭시수지주1 ) | 16.2 | 16.2 | 16.3 |
| 첨가제 | 아크릴계 첨가제주2 ) | 0.1 | 0.2 | - |
| 경화제 | 알킬화 페놀노볼락 수지주3 ) | 14.5 | 14.4 | 14.5 |
| 경화촉진제 | 이미다졸계 촉매주4 ) | 2 | ||
| 무기충전제 | 실리카주5 ) | 63 | ||
| 커플링제 | γ-글리시톡시프로필트리메톡시실란주6) | 4 | ||
| 착색제 | 카본블랙 | 0.2 | ||
| 물성 | 점도(cps) | 1,445 | 1,341 | 1,500 |
| Tg(℃) | 70 | 70 | 74 | |
| 열팽창계수 α1(㎛/m,℃) | 2.5 | 2.4 | 2.3 | |
| 굴곡강도(MPa) | 67 | 71 | 75 | |
| 작업성 | 토출성 | 양호 | 양호 | 양호 |
| 표면 장력 | 접촉각(o) | 20 | 18 | 28 |
(단위: 중량%)
(주)
1) EXA-835LV, DIC corporation
2) BYK - 352, BYK-Chemie
3) MEH-8000, Meiwa kasei
4) 2-시아노에틸-4-메틸이미다졸, Shikoku
5) 평균입경 2μm의 구상 용융실리카
6) KBM-403, Shin Etsu silicon
상기 결과로부터 본 발명에 의한 액상 에폭시 수지 조성물은 접촉각이 작아 표면 장력이 낮으므로 언더필 공정 시에 발생하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있음을 확인하였다.
Claims (12)
- 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 첨가제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서,상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 아크릴계 첨가제를 사용하고,[화학식 1]
(상기 식에서, R'은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, R"은 반복 단위 내에서 각각 독립적으로 알킬기, 폴리에스테르, 폴리에테르, 또는 아민염이며, n의 평균치는 10 내지 100이다.)상기 아크릴계 첨가제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용되고,상기 에폭시수지로 하기 화학식 2로 표시되는 비스페놀계 에폭시수지를 사용하고,[화학식 2]
(상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 6의 알킬기이다.)상기 에폭시수지가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 60 중량%로 사용되고,상기 경화제로 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬화 페놀노볼락 수지를 사용하고,[화학식 3]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 혹은 탄소 수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴기이고, n의 평균치는 0 내지 3이다.)상기 경화제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 ∼ 50 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 경화촉진제로 하기 화학식 4로 표시되는 이미다졸계 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.[화학식 4]
(상기 식에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기, 시아노에틸기, 벤질기, 또는 수산기 중의 어느 하나이다.) - 제 1항에 있어서, 상기 경화촉진제가 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1 ~ 10 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 액상 에폭시 수지 조성물에 무기 충전제를 추가로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 9항에 있어서, 상기 무기 충전제로 평균 입경이 0.1 ∼ 20㎛인 구상 용융실리카 또는 합성실리카를 전체 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여 10 ~ 75 중량% 로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 액상 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 500 ∼ 10,000cps인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항, 제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 액상 에폭시 수지 조성물을 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공 유발기, 유성형 혼합기를 사용하여 혼합, 분쇄하여 얻은 제품으로 디스펜싱 공정을 통하여 패키지한 반도체 소자.
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