KR20010112389A - 자기 헤드 구동 회로 및 자기 기록 장치 - Google Patents

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시게까즈 미네찌까
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다카노 야스아키
산요 덴키 가부시키가이샤
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자기 헤드 구동 회로(15)는 자기를 이용하여 기록 매체에 기록하기 위한 기록 신호를 수신하고, 상기 기록 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로 (20)와, 스위칭 FET(31∼34)를 사용하며, 상기 제어 회로로부터 수신한 제어 신호에 기초하여 자기 헤드(14)의 자계 코일(16)에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로(30)를 포함하고 있다. 스위칭 FET로서 PchFET(31, 32) 및 NchFET(33, 34) 양쪽을 사용하고 있다.
스위칭 FET의 게이트 전압의 최대치는 자계 코일(16)에 흐르는 전류를 공급하는 코일 전원의 전압(Vd)보다 낮고, 또한 스위칭 FET의 게이트 임계치 전압보다 높아지도록 설정된다.

Description

자기 헤드 구동 회로 및 자기 기록 장치{MAGNETIC HEAD DRIVE CIRCUIT AND MAGNETIC RECORDER}
상기 자기 기록 장치는 정보를 디지털식의 전압 신호인 기록 신호로 변환하고, 기록 매체를 그 기록 신호에 대응하는 방향으로 자화하여 보유함으로써, 정보를 기록 매체에 기록하는 장치이다. 자기 기록 장치는 기록 매체에 자계를 발생시키는 자기 헤드를 구비하고, 그 자기 헤드는 전류로부터 자계를 발생시키는 자계 코일을 구비한다. 또한, 자기 기록 장치는 상기 자계 코일에 통전함과 함께, 상기 기록 신호에 기초하여 자계 코일에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 자기 헤드 구동 회로를 구비한다.
도 4는 종래의 자기 헤드 구동 회로를 나타내는 회로도이다. 자기 헤드 구동 회로(100)는 기록 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로(110)와, 그제어 회로(110)로부터 수신한 제어 신호에 기초하여, 자계 코일(101)에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로(120)를 구비한다. 스위치 회로(120)는 제어 회로(110)로부터 수신한 제어 신호에 기초하여, 전류 통로를 온, 오프하는 스위치 소자를 구비한다.
자기 헤드 구동 회로에 사용되는 스위치 소자로서는 제어 회로로부터 제어 신호를 수신하고 나서, 온 상태 또는 오프 상태로 전환될 때까지의 스위칭 시간이 짧은 소자를 사용하는 것이 바람직하고, 이 때문에, 도시한 바와 같이, FET(전계 효과형 트랜지스터)만이 사용되고 있다.
FET에는 N채널형과 P채널형 2종류가 있다. Nch(채널)FET는 드레인이 고전위측, 소스가 저전위측에 접속되고, 게이트 및 소스 사이의 전압(이하, 「게이트 전압」으로 칭함)이 임계치 전압보다 상승하면 온 상태로 되어 드레인으로부터 소스에 전류가 흐른다. 게이트 전압이 임계치 전압보다 하강하면 오프 상태로 되어 전류의 통전이 저지된다. 한편 PchFET는 소스가 고전위측, 드레인이 저전위측에 접속되고, 게이트 전압이 임계치 전압보다 하강하면 온 상태로 되어 소스로부터 드레인에 전류가 흐른다. 게이트 전압이 임계치 전압보다 상승하면 오프 상태로 되어 전류의 통전이 저지된다.
FET는 안정된 게이트 전압을 얻기 위해, 저전위측의 전위가 안정되어 있는 경우에는 소스가 저전위측에 접속되는 NchFET를 사용하는 것이 바람직하고, 고전위측의 전위가 안정되어 있는 경우에는 소스가 고전위측에 접속되는 PchFET를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 도 4에 도시한 바와 같이, 정전위의 전원 단자(102)에 접속되는 스위치 소자에는 PchFET를 사용하는 것이 바람직하고, 접지 단자(103)에 접속되는 스위치 소자에는 NchFET를 사용하는 것이 바람직하다.
도 4의 자기 헤드 구동 회로(100)에서, 정전위 Vd의 전원 단자(102)는 제1 및 제2 PchFET(121, 122)의 소스(S)에 접속된다. 제1 PchFET(121)의 드레인(D)은 자계 코일(101)의 일단과 제1 NchFET(123)의 드레인에 접속되고, 제2 PchFET(122)의 드레인은 자계 코일(101)의 타단과 제2 NchFET(124)의 드레인에 접속된다. 제1 및 제2 NchFET(123, 124)의 소스는 접지 단자(103)에 접속된다. 이와 같이, 구형을 둘러싸는 전기 회로의 각 변에 스위치 소자를 배치하고, 한쪽의 대변 상에 있는 2개의 노드(I25, 126) 사이에 전원으로부터 전력을 공급하고, 다른쪽의 대변 상에 있는 2개의 노드(127, 128) 사이에 자계 코일(101)을 접속하는 회로 구성은 일반적으로 「브리지 회로」로 불리고 있다.
제어 회로(110)에는 기록 신호와 그 반전 신호를 각각 증폭하는 증폭기(111, 112)가 배치된다. 그 증폭기(111, 112)에는 상기 전원 단자(102)로부터 전력이 공급된다. 제1 증폭기(111)는 기록 신호를 수신하고, 고(H)레벨의 전압을 Vd 볼트로 증폭하여 제1 Pch 및 제1 NchFET(121, 123)로 송신한다. 제2 증폭기(112)는 기록 신호의 반전 신호를 수신하고, 고(H)레벨의 전압을 Vd로 증폭하여 제2 Pch 및 제2 NchFET(122, 124)로 송신한다.
상기 구성의 자기 헤드 구동 회로(100)에서 제어 회로(110)가 H레벨의 기록 신호를 수신하면, 제1 증폭기(111)는 제1 Pch 및 제1 NchFET(121, 123)의 각 게이트에 H레벨의 전압을 인가하고, 제2 증폭기(112)는 제2 Pch 및 제2 NchFET(122,124)의 각 게이트에 L레벨의 전압을 인가한다. 이에 따라, 제1 PchFET(121) 및 제2 NchFET(124)가 오프 상태로 되고, 제2 PchFET(122) 및 제1 NchFET(123)가 온 상태로 된다. 따라서, 전원 단자(102)로부터 제2 PchFET(122), 자계 코일(101) 및 제1 NchFET(123)를 통해 접지 단자(103)에 전류를 흘릴 수 있으며, 자계 코일(101)에는 화살표 A 방향으로 전류가 흐르게 된다.
다음으로, 제어 회로(110)가 L레벨의 기록 신호를 수신하면, 제1 증폭기(111)는 제1 Pch 및 제1 NchFET(121, 123)의 각 게이트에 L레벨의 전압을 인가하고, 제2 증폭기(112)는 제2 Pch 및 제2 NchFET(122, 124)의 각 게이트에 H레벨의 전압을 인가한다. 이에 따라, 제1 PchFET(121) 및 제2 NchFET(124)가 온 상태로 되고, 제2 PchFET(122) 및 제1 NchFET(123)가 오프 상태로 된다. 따라서, 전원 단자(102)로부터 제1 PchFET(121), 자계 코일(101) 및 제2 NchFET(124)를 통해 접지 단자(103)에 전류를 흘릴 수 있으며, 자계 코일(101)에는 화살표 B 방향으로 전류가 흐르게 된다.
따라서, 상기 구성의 자기 헤드 구동 회로(110)는 기록 신호의 전압 레벨에 따라 자계 코일(101)에 흐르는 전류의 방향을 전환할 수 있다.
그러나, 종래의 구성에서는 이하의 문제가 있다.
자기 헤드는 자계 코일(101)을 흐르는 전류(이하, 「헤드 전류」로 칭함)가 원하는 값으로 되어 자기 헤드가 기록 매체에 형성하는 자계가 원하는 세기로 되는 기간이 긴 쪽이 바람직하고, 이 때문에, 자기 헤드 구동 회로(100)에서의 스위칭 FET(121, 122, 123, 124)의 스위칭이 신속하게 전환되는 것이 바람직하다. 그러나, PchFET는 NchFET에 비해 게이트에서의 충방전의 시상수가 크다. 따라서, 도 5에 도시한 바와 같이, PchFET(121, 122)는 제어 신호를 수신하고 나서 게이트가 충전 또는 방전되어 임계치 전압을 통과하고, 온-오프 상태가 전환될 때까지의 기간 Tp가 NchFET에서의 그 기간 Tn보다 길어진다. 이 때문에, NchFET의 온-오프 상태가 전환되고 나서 PchFET의 온-오프 상태가 전환될 때까지의 기간 T1은 헤드 전류가 원하는 값이 되지 않는다. 따라서, 헤드 전류가 원하는 값 ±I1이 되는 기간 T0이 짧아진다.
본 발명은 스위칭 FET로서 NchFET와 PchFET 양쪽을 이용한 자기 헤드 구동 회로에서, 자기 헤드가 기록 매체에 형성하는 자계가 원하는 세기로 되는 기간이 긴 자기 헤드 구동 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
<발명의 개시>
본 발명은 자기를 이용하여 기록 매체에 기록하기 위한 기록 신호를 수신하고, 상기 기록 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로와, 상기 제어 회로로부터 수신한 제어 신호에 기초하여 자기 헤드의 자계 코일에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로를 포함하는 자기 헤드 구동 회로에 있어서, 스위치 회로는 스위칭 FET를 이용하여 상기 전환을 행하는 자기 헤드 구동 회로에 관한 것이다. 스위치 회로의 스위칭 FET에는 Pch 및 NchFET 양쪽이 사용되고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 자기 헤드 구동 회로는 스위칭 FET의 게이트에 인가되는 게이트 전압의 최대치는 자계 코일에 흐르는 전류를 공급하는코일 전원의 전압보다 낮고, 또한 스위칭 FET의 게이트 임계치 전압보다 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명은 광 자기 디스크 드라이브, 하드 디스크 드라이브 등과 같이 자기를 이용하여 기록 매체에 정보를 기록하는 자기 기록 장치에 관한 것으로, 특히, 상기 자기 기록 장치에 이용되는 자기 헤드 구동 회로에 관한 것이다. 구체적으로는, 자기 헤드 구동 회로에서 자기 헤드의 자계 코일에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로의 스위칭 특성의 개량에 관한 것이다.
도 1은 광 자기 디스크 드라이브의 주요부를 나타내는 모식도.
도 2는 본 실시예의 자기 헤드 구동 회로를 나타내는 회로도.
도 3은 본 실시예에서, 기록 신호에 기초하여 스위치 회로의 스위칭 FET에서의 온-오프 상태의 시간 변화와, 자계 코일에 흐르는 헤드 전류치의 시간 변화를 나타내는 그래프.
도 4는 종래의 자기 헤드 구동 회로를 나타내는 회로도.
도 5는 종래의 자기 헤드 구동 회로에서 기록 신호에 기초하여 스위치 회로의 스위칭 FET에서의 온-오프 상태의 시간 변화와, 자계 코일에 흐르는 헤드 전류치의 시간 변화를 나타내는 그래프.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 자기 헤드 구동 회로가 사용되는 광 자기 디스크 드라이브의 주요부를 나타내고 있다. 광 자기 디스크 드라이브(10)는 기록 매체로서 보자력이 강한 자성체를 기록층에 배치한 디스크(광 자기 디스크: 11)를 사용하고, 그 광 자기 디스크(11)에 대하여 레이저광 및 외부 자계를 이용하여 신호의 기입을 행하며, 레이저광을 이용하여 신호의 판독을 행하는 디스크 기록 재생 장치이다. 광 자기 디스크 드라이브(10)는 광 자기 디스크(11)를 회전시키는 디스크 모터(12)와,광 자기 디스크(11)의 트랙 상에 레이저광을 조사함과 함께, 그 반사광을 검출하는 광 픽업(13)과, 광 자기 디스크(11)의 트랙에 자계를 형성하는 자기 헤드(14)를 구비한다. 자기 헤드(14)는 전류로부터 자계를 발생시키는 자계 코일(16)을 구비한다(도 2를 참조). 또한, 광 자기 디스크 드라이브(10)는 자기 헤드(14)의 상기 자계 코일(16)에 통전함과 함께, 광 자기 디스크(11)에 기록하기 위한 기록 신호를 본체로부터 수신하고, 그 기록 신호에 기초하여 자계 코일에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 자기 헤드 구동 회로(15)를 구비한다.
도 2는 본 발명의 자기 헤드 구동 회로를 나타내고 있다.
자기 헤드 구동 회로(15)는 상기 기록 신호를 본체로부터 수신하고, 그 기록 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로(20)와, 그 제어 회로(20)로부터 수신한 제어 신호에 기초하여 자기 헤드(14)의 자계 코일(16)에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로(30)를 구비한다. 기록 신호는 H(고)레벨의 전압과 L(저)레벨의 전압으로 이루어진 전압 신호이다(도 3을 참조).
본 실시예에서 스위치 회로(30)는 스위치 소자로서 2개의 PchFET(31, 32)와 2개의 NchFET(33, 34)를 이용한 브리지 회로이다. 정전위 Vd의 전원 단자(17)는 제1 PchFET(31) 및 제2 PchFET(32)의 소스에 접속된다. 제1 PchFET(31)의 드레인은 자계 코일(16)의 일단과 제1 NchFET(33)의 드레인에 접속되고, 제2 PchFET(32)의 드레인은 자계 코일(16)의 타단과 제2 NchFET(34)의 드레인에 접속된다. 제1 및 제2 NchFET(33, 34)의 소스는 접지 단자(18)에 접속된다.
제어 회로(21)에는 정전위 Vd의 전원 단자(17)로부터 저항기(23, 24)를 통해전력이 공급되어 있고, 따라서, 전원 전압 Vd보다 낮은 전압 Vg가 공급된다. 저항기(23, 24)의 저항치 R1, R2는 상기 전압 Vg가 FET(31, 32, 33, 34)에서의 게이트 임계치 전압보다 높아지도록 적당한 값이 설정된다. 또, 스위치 회로(30) 및 자계 코일(16)을 구동하는 코일 구동용 전원과는 별도로 코일 전원의 전압 Vd보다 낮고, 게이트 임계치 전압보다 높은 전압 Vg를 공급하는 제어용 전원을 광 자기 디스크 드라이브(10)의 본체에 배치하여, 제어용 전원으로부터 제어 회로(20)에 전력을 공급하도록 해도 좋다.
제어 회로(20)에는 기록 신호와 그 반전 신호를 각각 증폭하는 증폭기(21, 22)가 배치된다. 그 증폭기(21, 22)에는 상기 전압 Vg가 공급된다. 제1 증폭기(21)는 기록 신호를 수신하고, 고(H)레벨의 전압을 Vg 볼트로 증폭하여 제1 Pch 및 제1 NchFET(31, 33)로 송신한다. 제2 증폭기(22)는 기록 신호의 반전 신호를 수신하고, 고(H)레벨의 전압을 Vg 볼트로 증폭하여 제2 Pch 및 제2 NchFET(32, 34)로 송신한다.
상기 구성의 자기 헤드 구동 회로(15)에서 제어 회로(20)가 H레벨의 기록 신호를 수신하면, 제1 증폭기(21)는 제1 Pch 및 제1 NchFET(31, 33)의 각 게이트에 H레벨의 전압을 인가하고, 제2 증폭기(22)는 제2 Pch 및 제2 NchFET(32, 34)의 각 게이트에 L레벨의 전압을 인가한다. 이에 따라, 제1 PchFET(31) 및 제2 NchFET(34)가 오프 상태로 되며, 제2 PchFET(32) 및 제1 NchFET(33)가 온 상태로 된다. 따라서, 전원 단자(17)로부터 제2 PchFET(32), 자계 코일(16) 및 제1 NchFET(33)를 통해 접지 단자(18)에 전류를 흘릴 수 있으며, 자계 코일(16)에는 화살표 A 방향으로 전류가 흐르게 된다.
다음으로, 제어 회로(20)가 L레벨의 기록 신호를 수신하면, 제1 증폭기(21)는 제1 Pch 및 제1 NchFET(31, 33)의 각 게이트에 L레벨의 전압을 인가하고, 제2 증폭기(22)는 제2 Pch 및 제2 NchFET(32, 34)의 각 게이트에 H레벨의 전압을 인가한다. 이에 따라, 제1 PchFET(31) 및 제2 NchFET(34)가 온 상태로 되고, 제2 PchFET(32) 및 제1 NchFET(33)가 오프 상태로 된다. 따라서, 전원 단자(17)로부터 제1 PchFET(31), 자계 코일(16) 및 제2 NchFET(34)를 통해 접지 단자(18)에 전류를 흘릴 수 있으며, 자계 코일(16)에는 화살표 B 방향으로 전류가 흐르게 된다.
따라서, 상기 구성의 자기 헤드 구동 회로(15)는 기록 신호의 전압 레벨에 따라 자계 코일(16)에 흐르는 전류의 방향을 전환할 수 있다.
도 3은 본 실시예의 자기 헤드 구동 회로(15)에서 기록 신호에 기초하는 FET(31, 32, 33, 34)의 온-오프 상태의 시간 변화와, 자계 코일(16)에 흐르는 헤드 전류치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 도 3의 그래프를 종래의 자기 헤드 구동 회로(100)에서의 그래프(도 5)와 비교하면, PchFET는 제어 신호를 수신하고 나서 게이트가 충전 또는 방전되어 임계치 전압을 통과하고, 온-오프 상태가 전환될 때까지의 기간 Tp를 NchFET의 그 기간 Tn과 동일한 정도로 할 수 있으며, 헤드 전류가 원하는 값으로 되는 기간 T0이 길어진다. 그 결과, 자기 헤드가 기록 매체에 형성하는 자계가 원하는 세기로 되는 기간을 길게 유지할 수 있다.
또한, 제어 회로(20)의 전원 전압 Vg가 종래보다 낮아지기 때문에, 제어 회로(20)에서의 소비 전력을 억제할 수 있다.
상기 실시예에서는 광 자기 디스크 드라이브에 대하여 설명하고 있지만, 하드디스크 드라이브 등과 같은 자기 헤드에 의해 정보를 기록 매체에 고속으로 기록하는 그 밖의 자기 기록 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 구성의 자기 헤드 구동 회로는 제어 회로가 스위칭 FET의 게이트에 인가하는 게이트 전압의 최대치와, 게이트 임계치 전압과의 차가 작아지고, 게이트에서의 충방전의 시상수의 영향을 억제할 수 있다. 따라서, PchFET는 제어 신호를 수신하고 나서 게이트가 충전 또는 방전되어 임계치 전압을 통과하고, 온-오프 상태가 전환될 때까지의 기간을 NchFET와 동일한 정도로 할 수 있으며, 헤드 전류가 원하는 값으로 되는 기간이 길어진다. 그 결과, 자기 헤드가 기록 매체에 형성하는 자계가 원하는 세기로 되는 기간을 길게 유지할 수 있다.
본 발명은 기록 매체의 기록 밀도를 향상시키기 위해, 스위치 회로 및 자계 코일에 공급하는 전원 전압 Vd를 상승시킴으로써, 자계 코일에 흐르는 전류를 급격하게 변화시켜 원하는 전류치를 신속하게 얻는 자기 헤드 구동 회로에 적합하다. 왜냐하면, 종래의 자기 헤드 구동 회로는 상기 코일 전원이 제어 회로에도 공급되어 있고, 이 때문에 코일 전원의 전압 Vd를 상승시키면, 제어 회로가 생성하는 제어 신호의 전압도 상승되어 FET의 게이트에 인가되는 고레벨의 전압과 임계치 전압의 차가 확대되고, 따라서, 게이트에서의 충방전의 시상수의 영향이 커져 헤드 전류가 원하는 값으로 되는 기간이 더욱 짧아지기 때문이다.

Claims (4)

  1. 자기를 이용하여 기록 매체에 기록하기 위한 기록 신호를 수신하고 상기 기록 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로(20)와, 상기 제어 회로(20)로부터 수신한 제어 신호에 기초하여 자기 헤드의 자계 코일에 통전하는 전류의 방향을 전환하는 스위치 회로(30)로서 스위칭 FET(전계 효과형 트랜지스터)를 이용하여 상기 전환을 행하는 스위치 회로(30)를 포함하는 자기 헤드 구동 회로에 있어서,
    스위치 회로(30)의 스위칭 FET로서 P채널 FET 및 N채널 FET 모두가 사용되고,
    스위칭 FET의 게이트에 인가되는 게이트 전압의 최대치는, 자계 코일에 흐르는 전류를 공급하는 코일 전원의 전압보다 낮고, 또한 스위칭 FET의 게이트 임계치 전압보다 높은 것을 특징으로 하는 자기 헤드 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스위치 회로(30)는 각 브리지변에 스위칭 FET를 포함하는 브리지 회로를 갖고,
    상기 브리지 회로는, 한쪽의 대변 상에 있는 2개의 노드 사이에는 코일 전원으로부터 전력이 공급되고, 다른쪽의 대변 상에 있는 2개의 노드 사이에 자계 코일이 접속되도록 되어 있으며,
    각 브리지변의 4개의 FET 중, 코일 전원의 고전위측에 접속되는 2개의 FET는P채널 FET이고, 코일 전원의 저전위측에 접속되는 2개의 FET는 N채널 FET인 자기 헤드 구동 회로.
  3. 제1항에 기재된 자기 헤드 구동 회로와, 기록 매체에 자계를 형성하는 자기 헤드를 포함한 자기 기록 장치.
  4. 제2항에 기재된 자기 헤드 구동 회로와, 기록 매체에 자계를 형성하는 자기 헤드를 포함한 자기 기록 장치.
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