JP2000285406A - 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 - Google Patents
磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入切用ＦＥＴとしてＮch（チャネル）ＦＥＴ
とＰchＦＥＴの両方を用いた磁気ヘッド駆動回路におい
て、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さと
なる期間が長い磁気ヘッド駆動回路を提供する。 【解決手段】 本発明の磁気ヘッド駆動回路は、磁気を
用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該
記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、入
切用ＦＥＴを使用し、該制御回路から受信した制御信号
に基づいて、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の
向きを切り替えるスイッチ回路を具えており、入切用Ｆ
ＥＴとして、ＰchＦＥＴ及びＮchＦＥＴの両方を使用し
ており、入切用ＦＥＴのゲート電圧の最大値は、界磁コ
イルに流れる電流を供給するコイル電源の電圧よりも低
く、且つ入切用ＦＥＴのゲート閾値電圧よりも高くなる
ように設定される。
とＰchＦＥＴの両方を用いた磁気ヘッド駆動回路におい
て、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さと
なる期間が長い磁気ヘッド駆動回路を提供する。 【解決手段】 本発明の磁気ヘッド駆動回路は、磁気を
用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該
記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、入
切用ＦＥＴを使用し、該制御回路から受信した制御信号
に基づいて、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の
向きを切り替えるスイッチ回路を具えており、入切用Ｆ
ＥＴとして、ＰchＦＥＴ及びＮchＦＥＴの両方を使用し
ており、入切用ＦＥＴのゲート電圧の最大値は、界磁コ
イルに流れる電流を供給するコイル電源の電圧よりも低
く、且つ入切用ＦＥＴのゲート閾値電圧よりも高くなる
ように設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクド
ライブ、ハードディスクドライブ等のように、磁気を用
いて記録媒体に情報を記録する磁気記録装置に関し、特
に、前記磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路
に関するものである。具体的には、磁気ヘッド駆動回路
において、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の向
きを切り替えるスイッチ回路のスイッチング特性の改良
に関するものである。
ライブ、ハードディスクドライブ等のように、磁気を用
いて記録媒体に情報を記録する磁気記録装置に関し、特
に、前記磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路
に関するものである。具体的には、磁気ヘッド駆動回路
において、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の向
きを切り替えるスイッチ回路のスイッチング特性の改良
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】前記磁気記録装置は、情報をデジタル式
の電圧信号である記録信号に変換し、記録媒体を該記録
信号に対応する方向に磁化して保持することにより、情
報を記録媒体に記録する装置である。磁気記録装置は、
記録媒体に磁界を発生させる磁気ヘッドを具え、該磁気
ヘッドは、電流から磁界を発生させる界磁コイルを具え
る。また、磁気記録装置は、前記界磁コイルに通電する
と共に、前記記録信号に基づいて、界磁コイルに通電す
る電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路を具え
る。
の電圧信号である記録信号に変換し、記録媒体を該記録
信号に対応する方向に磁化して保持することにより、情
報を記録媒体に記録する装置である。磁気記録装置は、
記録媒体に磁界を発生させる磁気ヘッドを具え、該磁気
ヘッドは、電流から磁界を発生させる界磁コイルを具え
る。また、磁気記録装置は、前記界磁コイルに通電する
と共に、前記記録信号に基づいて、界磁コイルに通電す
る電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路を具え
る。
【０００３】図４は、従来の磁気ヘッド駆動回路を示す
回路図である。磁気ヘッド駆動回路(100)は、記録信号
に基づいて制御信号を生成する制御回路(110)と、該制
御回路(110)から受信した制御信号に基づいて、界磁コ
イル(101)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ
回路(120)を具える。スイッチ回路(120)は、制御回路(1
10)から受信した制御信号に基づいて、電流通路を入切
するスイッチ素子を具える。磁気ヘッド駆動回路に使用
されるスイッチ素子としては、制御回路から制御信号を
受信してから、オン状態またはオフ状態に切り替わるま
でのスイッチング時間が短い素子を使用することが望ま
しく、このため、図示のように、ＦＥＴ（電界効果型ト
ランジスタ）が専ら使用されている。
回路図である。磁気ヘッド駆動回路(100)は、記録信号
に基づいて制御信号を生成する制御回路(110)と、該制
御回路(110)から受信した制御信号に基づいて、界磁コ
イル(101)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ
回路(120)を具える。スイッチ回路(120)は、制御回路(1
10)から受信した制御信号に基づいて、電流通路を入切
するスイッチ素子を具える。磁気ヘッド駆動回路に使用
されるスイッチ素子としては、制御回路から制御信号を
受信してから、オン状態またはオフ状態に切り替わるま
でのスイッチング時間が短い素子を使用することが望ま
しく、このため、図示のように、ＦＥＴ（電界効果型ト
ランジスタ）が専ら使用されている。
【０００４】ＦＥＴには、Ｎチャネル型とＰチャネル型
の２種類がある。Ｎch（チャネル）ＦＥＴは、ドレイン
が高電位側、ソースが低電位側に接続され、ゲートおよ
びソース間の電圧（以下、「ゲート電圧」と称する。）
が閾値電圧より上昇するとオン状態となって、ドレイン
からソースに電流が流れ、ゲート電圧が閾値電圧より下
降するとオフ状態となって、電流の通電が阻止される。
一方ＰchＦＥＴは、ソースが高電位側、ドレインが低電
位側に接続され、ゲート電圧が閾値電圧より下降すると
オン状態となって、ソースからドレインに電流が流れ、
ゲート電圧が閾値電圧より上昇するとオフ状態となっ
て、電流の通電が阻止される。ＦＥＴは、安定したゲー
ト電圧を得るために、低電位側の電位が安定している場
合には、ソースが低電位側に接続されるＮchＦＥＴを使
用することが望ましく、高電位側の電位が安定している
場合には、ソースが高電位側に接続されるＰchＦＥＴを
使用することが望ましい。従って、図４に示されるよう
に、正電位の電源端子(102)に接続されるスイッチ素子
には、ＰchＦＥＴを使用することが望ましく、接地端子
(103)に接続されるスイッチ素子には、ＮchＦＥＴを使
用することが望ましい。
の２種類がある。Ｎch（チャネル）ＦＥＴは、ドレイン
が高電位側、ソースが低電位側に接続され、ゲートおよ
びソース間の電圧（以下、「ゲート電圧」と称する。）
が閾値電圧より上昇するとオン状態となって、ドレイン
からソースに電流が流れ、ゲート電圧が閾値電圧より下
降するとオフ状態となって、電流の通電が阻止される。
一方ＰchＦＥＴは、ソースが高電位側、ドレインが低電
位側に接続され、ゲート電圧が閾値電圧より下降すると
オン状態となって、ソースからドレインに電流が流れ、
ゲート電圧が閾値電圧より上昇するとオフ状態となっ
て、電流の通電が阻止される。ＦＥＴは、安定したゲー
ト電圧を得るために、低電位側の電位が安定している場
合には、ソースが低電位側に接続されるＮchＦＥＴを使
用することが望ましく、高電位側の電位が安定している
場合には、ソースが高電位側に接続されるＰchＦＥＴを
使用することが望ましい。従って、図４に示されるよう
に、正電位の電源端子(102)に接続されるスイッチ素子
には、ＰchＦＥＴを使用することが望ましく、接地端子
(103)に接続されるスイッチ素子には、ＮchＦＥＴを使
用することが望ましい。
【０００５】図４の磁気ヘッド駆動回路(100)におい
て、正電位（Ｖd[Ｖ(ボルト)]）の電源端子(102)は、第
１および第２ＰchＦＥＴ(121)(122)のソース(Ｓ)に接続
される。第１ＰchＦＥＴ(121)のドレイン(Ｄ)は、界磁
コイル(101)の一端と第１ＮchＦＥＴ(123)のドレインに
接続され、第２ＰchＦＥＴ(122)のドレインは、界磁コ
イル(101)の他端と第２ＮchＦＥＴ(124)のドレインに接
続される。第１および第２ＮchＦＥＴ(123)(124)のソー
スは、接地端子(103)に接続される。このように、四角
形の各辺にスイッチ素子を配備し、一方の対角線上にあ
る２つのノード(125)(126)間に電源から電力を供給し、
他方の対角線上にある２つのノード(127)(128)間に界磁
コイル(101)を接続する回路構成は、一般に「ブリッジ
回路」と呼ばれている。
て、正電位（Ｖd[Ｖ(ボルト)]）の電源端子(102)は、第
１および第２ＰchＦＥＴ(121)(122)のソース(Ｓ)に接続
される。第１ＰchＦＥＴ(121)のドレイン(Ｄ)は、界磁
コイル(101)の一端と第１ＮchＦＥＴ(123)のドレインに
接続され、第２ＰchＦＥＴ(122)のドレインは、界磁コ
イル(101)の他端と第２ＮchＦＥＴ(124)のドレインに接
続される。第１および第２ＮchＦＥＴ(123)(124)のソー
スは、接地端子(103)に接続される。このように、四角
形の各辺にスイッチ素子を配備し、一方の対角線上にあ
る２つのノード(125)(126)間に電源から電力を供給し、
他方の対角線上にある２つのノード(127)(128)間に界磁
コイル(101)を接続する回路構成は、一般に「ブリッジ
回路」と呼ばれている。
【０００６】制御回路(110)には、記録信号とその反転
信号をそれぞれ増幅するアンプ(111)(112)が配備され
る。該アンプ(111)(112)には、前記電源端子(102)から
電力が供給される。第１アンプ(111)は、記録信号を受
信し、高（Ｈ）レベルの電圧をＶdボルトに増幅して、
第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥＴ(121)(123)に送信する。
第２アンプ(112)は、記録信号の反転信号を受信し、高
（Ｈ）レベルの電圧をＶdに増幅して、第２Ｐchおよび
第２ＮchＦＥＴ(122)(124)に送信する。
信号をそれぞれ増幅するアンプ(111)(112)が配備され
る。該アンプ(111)(112)には、前記電源端子(102)から
電力が供給される。第１アンプ(111)は、記録信号を受
信し、高（Ｈ）レベルの電圧をＶdボルトに増幅して、
第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥＴ(121)(123)に送信する。
第２アンプ(112)は、記録信号の反転信号を受信し、高
（Ｈ）レベルの電圧をＶdに増幅して、第２Ｐchおよび
第２ＮchＦＥＴ(122)(124)に送信する。
【０００７】上記構成の磁気ヘッド駆動回路(100)にお
いて、制御回路(110)がＨレベルの記録信号を受信する
と、第１アンプ(111)は、第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥ
Ｔ(121)(123)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第
２アンプ(112)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(122)
(124)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これに
より、第１ＰchＦＥＴ(121)および第２ＮchＦＥＴ(124)
がオフ状態となり、第２ＰchＦＥＴ(122)および第１Ｎc
hＦＥＴ(123)がオン状態となる。従って、電源端子(10
2)から第２ＰchＦＥＴ(122)、界磁コイル(101)および第
１ＮchＦＥＴ(123)を介して接地端子(103)に電流を流す
ことができ、界磁コイル(101)には、矢印Ａ方向に電流
が流れることになる。
いて、制御回路(110)がＨレベルの記録信号を受信する
と、第１アンプ(111)は、第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥ
Ｔ(121)(123)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第
２アンプ(112)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(122)
(124)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加する。これに
より、第１ＰchＦＥＴ(121)および第２ＮchＦＥＴ(124)
がオフ状態となり、第２ＰchＦＥＴ(122)および第１Ｎc
hＦＥＴ(123)がオン状態となる。従って、電源端子(10
2)から第２ＰchＦＥＴ(122)、界磁コイル(101)および第
１ＮchＦＥＴ(123)を介して接地端子(103)に電流を流す
ことができ、界磁コイル(101)には、矢印Ａ方向に電流
が流れることになる。
【０００８】次に、制御回路(110)がＬレベルの記録信
号を受信すると、第１アンプ(111)は、第１Ｐchおよび
第１ＮchＦＥＴ(121)(123)の各ゲートにＬレベルの電圧
を印加し、第２アンプ(112)は、第２Ｐchおよび第２Ｎc
hＦＥＴ(122)(124)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加
する。これにより、第１ＰchＦＥＴ(121)および第２Ｎc
hＦＥＴ(124)がオン状態となり、第２ＰchＦＥＴ(122)
および第１ＮchＦＥＴ(123)がオフ状態となる。従っ
て、電源端子(102)から第１ＰchＦＥＴ(121)、界磁コイ
ル(101)および第２ＮchＦＥＴ(124)を介して接地端子(1
03)に電流を流すことができ、界磁コイル(101)には、矢
印Ｂ方向に電流が流れることになる。従って、上記構成
の磁気ヘッド駆動回路(110)は、記録信号の電圧レベル
に応じて、界磁コイル(101)に流れる電流の向きを切り
替えることができる。
号を受信すると、第１アンプ(111)は、第１Ｐchおよび
第１ＮchＦＥＴ(121)(123)の各ゲートにＬレベルの電圧
を印加し、第２アンプ(112)は、第２Ｐchおよび第２Ｎc
hＦＥＴ(122)(124)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加
する。これにより、第１ＰchＦＥＴ(121)および第２Ｎc
hＦＥＴ(124)がオン状態となり、第２ＰchＦＥＴ(122)
および第１ＮchＦＥＴ(123)がオフ状態となる。従っ
て、電源端子(102)から第１ＰchＦＥＴ(121)、界磁コイ
ル(101)および第２ＮchＦＥＴ(124)を介して接地端子(1
03)に電流を流すことができ、界磁コイル(101)には、矢
印Ｂ方向に電流が流れることになる。従って、上記構成
の磁気ヘッド駆動回路(110)は、記録信号の電圧レベル
に応じて、界磁コイル(101)に流れる電流の向きを切り
替えることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドは、界磁コ
イル(101)を流れる電流（以下、「ヘッド電流」と称す
る。）が所望値となって、磁気ヘッドが記録媒体に形成
する磁界が所望強さとなる期間が長い方が望ましく、こ
のため、磁気ヘッド駆動回路(100)における入切用ＦＥ
Ｔ(121)(122)(123)(124)の入切が素早く切り替わること
が望ましい。しかしながら、ＰchＦＥＴは、ＮchＦＥＴ
に比べて、ゲートにおける充放電の時定数が大きく、従
って、図５に示すように、ＰchＦＥＴ(121)(122)は、制
御信号を受信してから、ゲートが充電または放電して閾
値電圧を通過し、オン−オフ状態が切り替わるまでの期
間Ｔpが、ＮchＦＥＴにおける該期間Ｔnよりも長くな
る。このため、ＮchＦＥＴのオン−オフ状態が切り替わ
ってから、ＰchＦＥＴのオン−オフ状態が切り替わるま
での期間Ｔ1は、ヘッド電流が所望値となることは無
く、従って、ヘッド電流が所望値±Ｉ1[Ａ(アンペア)]
となる期間Ｔ0が短くなる。
イル(101)を流れる電流（以下、「ヘッド電流」と称す
る。）が所望値となって、磁気ヘッドが記録媒体に形成
する磁界が所望強さとなる期間が長い方が望ましく、こ
のため、磁気ヘッド駆動回路(100)における入切用ＦＥ
Ｔ(121)(122)(123)(124)の入切が素早く切り替わること
が望ましい。しかしながら、ＰchＦＥＴは、ＮchＦＥＴ
に比べて、ゲートにおける充放電の時定数が大きく、従
って、図５に示すように、ＰchＦＥＴ(121)(122)は、制
御信号を受信してから、ゲートが充電または放電して閾
値電圧を通過し、オン−オフ状態が切り替わるまでの期
間Ｔpが、ＮchＦＥＴにおける該期間Ｔnよりも長くな
る。このため、ＮchＦＥＴのオン−オフ状態が切り替わ
ってから、ＰchＦＥＴのオン−オフ状態が切り替わるま
での期間Ｔ1は、ヘッド電流が所望値となることは無
く、従って、ヘッド電流が所望値±Ｉ1[Ａ(アンペア)]
となる期間Ｔ0が短くなる。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、入切用ＦＥＴとしてＮchＦＥ
ＴとＰchＦＥＴの両方を用いた磁気ヘッド駆動回路にお
いて、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さ
となる期間が長い磁気ヘッド駆動回路を提供することを
目的とする。
ＴとＰchＦＥＴの両方を用いた磁気ヘッド駆動回路にお
いて、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さ
となる期間が長い磁気ヘッド駆動回路を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気を用いて
記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信
号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回
路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッドの界磁
コイルに通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路
を具える磁気ヘッド駆動回路であって、スイッチ回路
は、入切用ＦＥＴを用いて前記切替えを行なう磁気ヘッ
ド駆動回路に関するものである。スイッチ回路の入切用
ＦＥＴには、ＰchおよびＮchＦＥＴの両方が使用されて
いる。上記課題を解決するため、本発明の磁気ヘッド駆
動回路は、入切用ＦＥＴのゲートに印加されるゲート電
圧の最大値は、界磁コイルに流れる電流を供給するコイ
ル電源の電圧よりも低く、且つ入切用ＦＥＴのゲート閾
値電圧よりも高いことを特徴とする。
記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信
号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回
路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッドの界磁
コイルに通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路
を具える磁気ヘッド駆動回路であって、スイッチ回路
は、入切用ＦＥＴを用いて前記切替えを行なう磁気ヘッ
ド駆動回路に関するものである。スイッチ回路の入切用
ＦＥＴには、ＰchおよびＮchＦＥＴの両方が使用されて
いる。上記課題を解決するため、本発明の磁気ヘッド駆
動回路は、入切用ＦＥＴのゲートに印加されるゲート電
圧の最大値は、界磁コイルに流れる電流を供給するコイ
ル電源の電圧よりも低く、且つ入切用ＦＥＴのゲート閾
値電圧よりも高いことを特徴とする。
【００１２】
【作用及び効果】上記構成の磁気ヘッド駆動回路は、制
御回路が入切用ＦＥＴのゲートに印加するゲート電圧の
最大値と、ゲート閾値電圧との差が小さくなり、ゲート
における充放電の時定数の影響を抑えることができる。
従って、ＰchＦＥＴは、制御信号を受信してから、ゲー
トが充電または放電して閾値電圧を通過し、オン−オフ
状態が切り替わるまでの期間を、ＮchＦＥＴと同程度に
でき、ヘッド電流が所望値となる期間が長くなる。その
結果、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さ
となる期間を長く維持できる。
御回路が入切用ＦＥＴのゲートに印加するゲート電圧の
最大値と、ゲート閾値電圧との差が小さくなり、ゲート
における充放電の時定数の影響を抑えることができる。
従って、ＰchＦＥＴは、制御信号を受信してから、ゲー
トが充電または放電して閾値電圧を通過し、オン−オフ
状態が切り替わるまでの期間を、ＮchＦＥＴと同程度に
でき、ヘッド電流が所望値となる期間が長くなる。その
結果、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さ
となる期間を長く維持できる。
【００１３】本発明は、記録媒体の記録密度を向上させ
るため、スイッチ回路および界磁コイルに供給する電源
電圧Ｖdを上昇させることにより、界磁コイルに流れる
電流を急激に変化させて、所望の電流値を素早く得る磁
気ヘッド駆動回路に好適である。なぜなら、従来の磁気
ヘッド駆動回路は、前記コイル電源が制御回路にも供給
されており、このため、コイル電源の電圧Ｖdを上昇さ
せると、制御回路が生成する制御信号の電圧も上昇し
て、ＦＥＴのゲートに印加される高レベルの電圧と閾値
電圧の差が広がり、従って、ゲートにおける充放電の時
定数の影響が大きくなって、ヘッド電流が所望値となる
期間がさらに短くなるからである。
るため、スイッチ回路および界磁コイルに供給する電源
電圧Ｖdを上昇させることにより、界磁コイルに流れる
電流を急激に変化させて、所望の電流値を素早く得る磁
気ヘッド駆動回路に好適である。なぜなら、従来の磁気
ヘッド駆動回路は、前記コイル電源が制御回路にも供給
されており、このため、コイル電源の電圧Ｖdを上昇さ
せると、制御回路が生成する制御信号の電圧も上昇し
て、ＦＥＴのゲートに印加される高レベルの電圧と閾値
電圧の差が広がり、従って、ゲートにおける充放電の時
定数の影響が大きくなって、ヘッド電流が所望値となる
期間がさらに短くなるからである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の磁気ヘッド駆動回路が使用
される光磁気ディスクドライブの要部を示している。光
磁気ディスクドライブ(10)は、記録媒体として、保磁力
の強い磁性体を記録層に配備したディスク（光磁気ディ
スク）(11)を使用し、該光磁気ディスク(11)に対し、レ
ーザ光および外部磁界を用いて信号の書込みを行ない、
レーザ光を用いて信号の読出しを行なうディスク記録再
生装置である。光磁気ディスクドライブ(10)は、光磁気
ディスク(11)を回転させるディスクモータ(12)と、光磁
気ディスク(11)のトラック上にレーザ光を照射すると共
に、その反射光を検出する光ピックアップ(13)と、光磁
気ディスク(11)のトラックに磁界を形成する磁気ヘッド
(14)を具える。磁気ヘッド(14)は、電流から磁界を発生
させる界磁コイル(16)を具える（図２を参照）。また、
光磁気ディスクドライブ(10)は、磁気ヘッド(14)の前記
界磁コイル(16)に通電すると共に、光磁気ディスク(11)
に記録するための記録信号を本体から受信し、該記録信
号に基づいて界磁コイルに通電する電流の向きを切り替
える磁気ヘッド駆動回路(15)を具える。
説明する。図１は、本発明の磁気ヘッド駆動回路が使用
される光磁気ディスクドライブの要部を示している。光
磁気ディスクドライブ(10)は、記録媒体として、保磁力
の強い磁性体を記録層に配備したディスク（光磁気ディ
スク）(11)を使用し、該光磁気ディスク(11)に対し、レ
ーザ光および外部磁界を用いて信号の書込みを行ない、
レーザ光を用いて信号の読出しを行なうディスク記録再
生装置である。光磁気ディスクドライブ(10)は、光磁気
ディスク(11)を回転させるディスクモータ(12)と、光磁
気ディスク(11)のトラック上にレーザ光を照射すると共
に、その反射光を検出する光ピックアップ(13)と、光磁
気ディスク(11)のトラックに磁界を形成する磁気ヘッド
(14)を具える。磁気ヘッド(14)は、電流から磁界を発生
させる界磁コイル(16)を具える（図２を参照）。また、
光磁気ディスクドライブ(10)は、磁気ヘッド(14)の前記
界磁コイル(16)に通電すると共に、光磁気ディスク(11)
に記録するための記録信号を本体から受信し、該記録信
号に基づいて界磁コイルに通電する電流の向きを切り替
える磁気ヘッド駆動回路(15)を具える。
【００１５】図２は、本発明の磁気ヘッド駆動回路を示
している。磁気ヘッド駆動回路(15)は、前記記録信号を
本体から受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成
する制御回路(20)と、該制御回路(20)から受信した制御
信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通
電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路(30)を具え
る。記録信号は、Ｈ(高)レベルの電圧とＬ(低)レベルの
電圧からなる電圧信号である（図３を参照）。
している。磁気ヘッド駆動回路(15)は、前記記録信号を
本体から受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生成
する制御回路(20)と、該制御回路(20)から受信した制御
信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通
電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路(30)を具え
る。記録信号は、Ｈ(高)レベルの電圧とＬ(低)レベルの
電圧からなる電圧信号である（図３を参照）。
【００１６】本実施形態では、スイッチ回路(30)は、ス
イッチ素子として、２個のＰchＦＥＴ(31)(32)と２個の
ＮchＦＥＴ(33)(34)を用いたブリッジ回路である。正電
位（Ｖd[Ｖ]）の電源端子(17)は、第１ＰchＦＥＴ(31)
および第２ＰchＦＥＴ(32)のソースに接続される。第１
ＰchＦＥＴ(31)のドレインは、界磁コイル(16)の一端と
第１ＮchＦＥＴ(33)のドレインに接続され、第２ＰchＦ
ＥＴ(32)のドレインは、界磁コイル(16)の他端と第２Ｎ
chＦＥＴ(34)のドレインに接続される。第１および第２
ＮchＦＥＴ(33)(34)のソースは、接地端子(18)に接続さ
れる。
イッチ素子として、２個のＰchＦＥＴ(31)(32)と２個の
ＮchＦＥＴ(33)(34)を用いたブリッジ回路である。正電
位（Ｖd[Ｖ]）の電源端子(17)は、第１ＰchＦＥＴ(31)
および第２ＰchＦＥＴ(32)のソースに接続される。第１
ＰchＦＥＴ(31)のドレインは、界磁コイル(16)の一端と
第１ＮchＦＥＴ(33)のドレインに接続され、第２ＰchＦ
ＥＴ(32)のドレインは、界磁コイル(16)の他端と第２Ｎ
chＦＥＴ(34)のドレインに接続される。第１および第２
ＮchＦＥＴ(33)(34)のソースは、接地端子(18)に接続さ
れる。
【００１７】制御回路(21)には、正電位（Ｖd[Ｖ]）の
電源端子(17)から抵抗器(23)(24)を介して電力が供給さ
れており、従って、電源電圧Ｖdよりも低い電圧Ｖgが供
給されることになる。抵抗器(23)(24)の抵抗値Ｒ1、Ｒ2
は、該電圧Ｖgが、ＦＥＴ(31)(32)(33)(34)におけるゲ
ート閾値電圧よりも高くなるように、適当な値が設定さ
れる。なお、スイッチ回路(30)および界磁コイル(16)を
駆動するコイル駆動用電源とは別に、コイル電源の電圧
（Ｖd）よりも低く、ゲート閾値電圧よりも高い電圧
（Ｖg）を供給する制御用電源を、光磁気ディスクドラ
イブ(10)の本体に配備して、制御用電源から制御回路(2
0)に電力を供給するようにしてもよい。
電源端子(17)から抵抗器(23)(24)を介して電力が供給さ
れており、従って、電源電圧Ｖdよりも低い電圧Ｖgが供
給されることになる。抵抗器(23)(24)の抵抗値Ｒ1、Ｒ2
は、該電圧Ｖgが、ＦＥＴ(31)(32)(33)(34)におけるゲ
ート閾値電圧よりも高くなるように、適当な値が設定さ
れる。なお、スイッチ回路(30)および界磁コイル(16)を
駆動するコイル駆動用電源とは別に、コイル電源の電圧
（Ｖd）よりも低く、ゲート閾値電圧よりも高い電圧
（Ｖg）を供給する制御用電源を、光磁気ディスクドラ
イブ(10)の本体に配備して、制御用電源から制御回路(2
0)に電力を供給するようにしてもよい。
【００１８】制御回路(20)には、記録信号とその反転信
号をそれぞれ増幅するアンプ(21)(22)が配備される。該
アンプ(21)(22)には、前記電圧（Ｖg）が供給される。
第１アンプ(21)は、記録信号を受信し、高（Ｈ）レベル
の電圧をＶgボルトに増幅して、第１Ｐchおよび第１Ｎc
hＦＥＴ(31)(33)に送信する。第２アンプ(22)は、記録
信号の反転信号を受信し、高（Ｈ）レベルの電圧をＶg
ボルトに増幅して、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(32)
(34)に送信する。
号をそれぞれ増幅するアンプ(21)(22)が配備される。該
アンプ(21)(22)には、前記電圧（Ｖg）が供給される。
第１アンプ(21)は、記録信号を受信し、高（Ｈ）レベル
の電圧をＶgボルトに増幅して、第１Ｐchおよび第１Ｎc
hＦＥＴ(31)(33)に送信する。第２アンプ(22)は、記録
信号の反転信号を受信し、高（Ｈ）レベルの電圧をＶg
ボルトに増幅して、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(32)
(34)に送信する。
【００１９】上記構成の磁気ヘッド駆動回路(15)におい
て、制御回路(20)がＨレベルの記録信号を受信すると、
第１アンプ(21)は、第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥＴ(31)
(33)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２アンプ
(22)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(32)(34)の各ゲ
ートにＬレベルの電圧を印加する。これにより、第１Ｐ
chＦＥＴ(31)および第２ＮchＦＥＴ(34)がオフ状態とな
り、第２ＰchＦＥＴ(32)および第１ＮchＦＥＴ(33)がオ
ン状態となる。従って、電源端子(17)から第２ＰchＦＥ
Ｔ(32)、界磁コイル(16)および第１ＮchＦＥＴ(33)を介
して接地端子(18)に電流を流すことができ、界磁コイル
(16)には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
て、制御回路(20)がＨレベルの記録信号を受信すると、
第１アンプ(21)は、第１Ｐchおよび第１ＮchＦＥＴ(31)
(33)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２アンプ
(22)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ(32)(34)の各ゲ
ートにＬレベルの電圧を印加する。これにより、第１Ｐ
chＦＥＴ(31)および第２ＮchＦＥＴ(34)がオフ状態とな
り、第２ＰchＦＥＴ(32)および第１ＮchＦＥＴ(33)がオ
ン状態となる。従って、電源端子(17)から第２ＰchＦＥ
Ｔ(32)、界磁コイル(16)および第１ＮchＦＥＴ(33)を介
して接地端子(18)に電流を流すことができ、界磁コイル
(16)には、矢印Ａ方向に電流が流れることになる。
【００２０】次に、制御回路(20)がＬレベルの記録信号
を受信すると、第１アンプ(21)は、第１Ｐchおよび第１
ＮchＦＥＴ(31)(33)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加
し、第２アンプ(22)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ
(32)(34)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これ
により、第１ＰchＦＥＴ(31)および第２ＮchＦＥＴ(34)
がオン状態となり、第２ＰchＦＥＴ(32)および第１Ｎch
ＦＥＴ(33)がオフ状態となる。従って、電源端子(17)か
ら第１ＰchＦＥＴ(31)、界磁コイル(16)および第２Ｎch
ＦＥＴ(34)を介して接地端子(18)に電流を流すことがで
き、界磁コイル(16)には、矢印Ｂ方向に電流が流れるこ
とになる。従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路(15)
は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル(16)に
流れる電流の向きを切り替えることができる。
を受信すると、第１アンプ(21)は、第１Ｐchおよび第１
ＮchＦＥＴ(31)(33)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加
し、第２アンプ(22)は、第２Ｐchおよび第２ＮchＦＥＴ
(32)(34)の各ゲートにＨレベルの電圧を印加する。これ
により、第１ＰchＦＥＴ(31)および第２ＮchＦＥＴ(34)
がオン状態となり、第２ＰchＦＥＴ(32)および第１Ｎch
ＦＥＴ(33)がオフ状態となる。従って、電源端子(17)か
ら第１ＰchＦＥＴ(31)、界磁コイル(16)および第２Ｎch
ＦＥＴ(34)を介して接地端子(18)に電流を流すことがで
き、界磁コイル(16)には、矢印Ｂ方向に電流が流れるこ
とになる。従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路(15)
は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁コイル(16)に
流れる電流の向きを切り替えることができる。
【００２１】図３は、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路
(15)において、記録信号に基づく、ＦＥＴ(31)(32)(33)
(34)のオン−オフ状態の時間変化と、界磁コイル(16)に
流れるヘッド電流値の時間変化を示すグラフである。図
３のグラフを、従来の磁気ヘッド駆動回路(100)におけ
るグラフ（図５）と比較すると、ＰchＦＥＴは、制御信
号を受信してから、ゲートが充電または放電して閾値電
圧を通過し、オン−オフ状態が切り替わるまでの期間Ｔ
pを、ＮchＦＥＴの該期間Ｔnと同程度にでき、ヘッド電
流が所望値となる期間Ｔ0が長くなる。その結果、磁気
ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さとなる期間
を長く維持できる。また、制御回路(20)の電源電圧Ｖg
が従来よりも低くなるから、制御回路(20)における消費
電力を抑えることができる。
(15)において、記録信号に基づく、ＦＥＴ(31)(32)(33)
(34)のオン−オフ状態の時間変化と、界磁コイル(16)に
流れるヘッド電流値の時間変化を示すグラフである。図
３のグラフを、従来の磁気ヘッド駆動回路(100)におけ
るグラフ（図５）と比較すると、ＰchＦＥＴは、制御信
号を受信してから、ゲートが充電または放電して閾値電
圧を通過し、オン−オフ状態が切り替わるまでの期間Ｔ
pを、ＮchＦＥＴの該期間Ｔnと同程度にでき、ヘッド電
流が所望値となる期間Ｔ0が長くなる。その結果、磁気
ヘッドが記録媒体に形成する磁界が所望強さとなる期間
を長く維持できる。また、制御回路(20)の電源電圧Ｖg
が従来よりも低くなるから、制御回路(20)における消費
電力を抑えることができる。
【００２２】上記実施形態の説明は、本発明を説明する
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、光磁
気ディスクドライブについて説明しているが、ハードデ
ィスクドライブ等のような、磁気ヘッドにより情報を記
録媒体に高速に記録するその他の磁気記録装置にも本発
明を適用できる。
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、光磁
気ディスクドライブについて説明しているが、ハードデ
ィスクドライブ等のような、磁気ヘッドにより情報を記
録媒体に高速に記録するその他の磁気記録装置にも本発
明を適用できる。
【図１】光磁気ディスクドライブの要部を示す模式図で
ある。
ある。
【図２】本実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図
である。
である。
【図３】本実施形態において、記録信号に基づいて、ス
イッチ回路の入切用ＦＥＴにおけるオン−オフ状態の時
間変化と、界磁コイルに流れるヘッド電流値の時間変化
を示すグラフである。
イッチ回路の入切用ＦＥＴにおけるオン−オフ状態の時
間変化と、界磁コイルに流れるヘッド電流値の時間変化
を示すグラフである。
【図４】従来の磁気ヘッド駆動回路を示す回路図であ
る。
る。
【図５】従来の磁気ヘッド駆動回路において、記録信号
に基づいて、スイッチ回路の入切用ＦＥＴにおけるオン
−オフ状態の時間変化と、界磁コイルに流れるヘッド電
流値の時間変化を示すグラフである。
に基づいて、スイッチ回路の入切用ＦＥＴにおけるオン
−オフ状態の時間変化と、界磁コイルに流れるヘッド電
流値の時間変化を示すグラフである。
(10) 光磁気ディスクドライブ (14) 磁気ヘッド (15) 磁気ヘッド駆動回路 (16) 界磁コイル (17) 電源端子 (18) 接地端子 (20) 制御回路 (30) スイッチ回路 (31)(32) ＰチャネルＦＥＴ (33)(34) ＮチャネルＦＥＴ
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気を用いて記録媒体に記録するための
記録信号を受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生
成する制御回路と、該制御回路から受信した制御信号に
基づいて、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の向
きを切り替えるスイッチ回路を具える磁気ヘッド駆動回
路であって、スイッチ回路は、入切用ＦＥＴ（電界効果
型トランジスタ）を用いて前記切替えを行なう磁気ヘッ
ド駆動回路に於て、 スイッチ回路の入切用ＦＥＴには、ＰチャネルＦＥＴお
よびＮチャネルＦＥＴの両方が使用されており、 入切用ＦＥＴのゲートに印加されるゲート電圧の最大値
は、界磁コイルに流れる電流を供給するコイル電源の電
圧よりも低く、且つ入切用ＦＥＴのゲート閾値電圧より
も高いことを特徴とする磁気ヘッド駆動回路。 - 【請求項２】 スイッチ回路は、各ブリッジ辺に入切用
ＦＥＴを具えるブリッジ回路を有し、 ブリッジ回路は、一方の対角線上にある２つのノード間
にはコイル電源から電力が供給され、他方の対角線上に
ある２つのノード間に、界磁コイルが接続されるように
しており、 各ブリッジ辺の４個のＦＥＴのうち、コイル電源の高電
位側に接続される２個のＦＥＴは、ＰチャネルＦＥＴで
あり、コイル電源の低電位側に接続される２個のＦＥＴ
は、ＮチャネルＦＥＴである、請求項１に記載の磁気ヘ
ッド駆動回路。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２の何れかに記載の
磁気ヘッド駆動回路と、記録媒体に磁界を形成する磁気
ヘッドを具えた磁気記録装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09091299A JP3573997B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 |
| US09/926,142 US6426923B1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | Magnetic head drive circuit and magnetic recorder |
| DE60020225T DE60020225D1 (de) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | Magnetkopf-antriebsschaltung und magnetaufzeichnungsgeraet |
| PCT/JP2000/001978 WO2000058951A1 (fr) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | Circuit d'entrainement de tete magnetique et enregistreur magnetique |
| KR1020017012559A KR20010112389A (ko) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | 자기 헤드 구동 회로 및 자기 기록 장치 |
| CN00805539A CN1345443A (zh) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | 磁头驱动电路与磁记录装置 |
| EP00912936A EP1174858B1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | Magnetic head drive circuit and magnetic recorder |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09091299A JP3573997B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US6426923B1 (ja) |
| EP (1) | EP1174858B1 (ja) |
| JP (1) | JP3573997B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010112389A (ja) |
| CN (1) | CN1345443A (ja) |
| DE (1) | DE60020225D1 (ja) |
| WO (1) | WO2000058951A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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