JPH04274003A - ライトアンプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はライトアンプに関する
もので、例えば、磁気ディスク装置の磁気ヘッド駆動集
積回路等に含まれるライトアンプに利用して特に有効な
技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスクを記憶媒体とする磁気ディ
スク装置がある。これらの磁気ディスク装置は、磁気ヘ
ッドに所定の書き込み信号を与えるライトアンプとその
読み出し電流を受けるリードアンプとを含む磁気ヘッド
駆動集積回路を備える。

【０００３】ライトアンプを含む磁気ヘッド駆動集積回
路については、例えば、特開昭６０−２０１５０５号公
報等に記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記磁気ヘッド駆動集
積回路に設けられる従来のライトアンプは、図７に例示
されるように、磁気ヘッドＭＨが結合される外部端子ａ
及びｂと定電流源Ｓ１による電流引き込みノードｎｓと
の間にそれぞれ設けられる一対の駆動トランジスタＴ１
及びＴ２を含み、さらに回路の接地電位と上記外部端子
ａ及びｂとの間にそれぞれ設けられるもう一対のトラン
ジスタＴ３及びＴ４を含む。トランジスタＴ１及びＴ２
のベースには、図８に例示されるように、書き込みデー
タＷＤに従って選択的に形成される所定の書き込み制御
電圧Ｖ１及びＶ２がそれぞれ供給され、トランジスタＴ
３及びＴ４のベースには、同様な書き込み制御電圧Ｖ３
及びＶ４がそれぞれ供給される。なお、上記外部端子ａ
及びｂは、さらに図示されないリードアンプの入力ノー
ドに結合される。

【０００５】書き込みデータＷＤが論理“１”とされ書
き込み制御電圧Ｖ２及びＶ３がハイレベルとされるとき
、ライトアンプではトランジスタＴ２及びＴ３がオン状
態となり、磁気ヘッドＭＨには矢印方向すなわち正方向
の書き込み電流ｉｗが流される。また、書き込みデータ
ＷＤが論理“０”とされ書き込み制御電圧Ｖ１及びＶ４
がハイレベルとされるとき、ライトアンプではトランジ
スタＴ１及びＴ４がオン状態となり、磁気ヘッドＭＨに
は逆方向の書き込み電流ｉｗが流される。これにより、
記憶媒体となる磁気ディスクには、書き込みデータＷＤ
に対応した所定方向の磁気書き込みが実現される。

【０００６】ところが、磁気ディスク装置の大容量化及
び高速化が進み、磁気ヘッドＭＨのインダクタンスＬが
大きくされるにしたがって、上記のようなライトアンプ
には次のような問題点が生じることが、本願発明者等に
よって明らかとなった。すなわち、磁気ヘッドＭＨ等の
ようなインダクタンス性負荷に対して与えられる書き込
み電流ｉｗの大きさならびにその方向が変化されるとき
、磁気ヘッドＭＨ等の両端には、周知のように、ＶＦＢ
＝−Ｌ×ｄｉｗ／ｄｔ つまり磁気ヘッドＭＨ等のインダクタンスＬと書き込み
電流ｉｗの時間ｔによる微分値との積に相当する逆電圧
すなわちフライバック電圧ＶＦＢが発生する。このフラ
イバック電圧は、低電位側の外部端子ａ又はｂのロウレ
ベルが書き込み制御電圧Ｖ３又はＶ４のロウレベルより
もトランジスタＴ３又はＴ４のベース・エミッタ電圧分
だけ低いレベルでクランプされることによって、外部端
子ａ及びｂ間つまりは磁気ヘッドＭＨに所定の書き込み
電圧ＶＢを与えるとともに、その初期において、高電位
側の外部端子ｂ又はａに斜線で示されるようなパルス状
の不本意なピーク電圧を発生させる。

【０００７】書き込み電流ｉｗの切り換え時間ｔｗを短
縮しライトアンプの書き込み動作を高速化するためには
、ライトアンプを構成するトランジスタや図示されない
リードアンプの初段増幅回路を構成するトランジスタの
耐圧マージンを考慮しつつ、書き込み電圧ＶＢの絶対値
を平均化して大きくすることが望ましい。しかし、高電
位側の外部端子ｂ又はａに発生する上記のようなパルス
状のピーク電圧は、ライトアンプの高速性を優先した場
合には上記各トランジスタの耐圧マージンを圧縮する結
果となり、またこれらのトランジスタの耐圧マージンを
優先した場合には逆にライトアンプの高速性を犠牲にせ
ざるを得ない結果となる。

【０００８】また、これに対処するため、図７に例示さ
れるように、トランジスタＴ１及びＴ２のベース側に所
定のベース抵抗Ｒ１及びＲ２をそれぞれ追加し、これら
のトランジスタのスイッチング速度を遅くすることで、
書き込み電流ｉｗの変化率を抑える方法が提案されてい
るが、この方法も次の理由から上記問題点を充分に解消
しうるものであるとは言え難い。すなわち、書き込み電
流ｉｗの変化率を抑えパルス状のピーク電圧を解消する
には、ベース抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値を充分に大きく
しなくてはならない。ところが、磁気ヘッドＭＨによる
磁気書き込みには数十ミリアンペアのような比較的大き
な書き込み電流ｉｗが必要とされ、トランジスタＴ１及
びＴ２には相応する比較的大きなベース電流が流される
。しかるに、ベース抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値を大きく
した場合、これらの抵抗による電圧降下でトランジスタ
Ｔ１及びＴ２のベース振幅マージンが圧縮される結果と
なる。さらに、磁気ディスク装置の大容量化及び高速化
を推進するには、磁気ヘッドＭＨのインダクタンスＬを
大きくしリードアンプの入力容量を小さくすることが必
要となるが、そのためにはリードアンプからみて寄生容
量となるトランジスタＴ１及びＴ２等のサイズを出来る
だけ小さくすることが望ましい。しかし、トランジスタ
のサイズが小さくなると、同一の電流変化率を保持する
ために抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値を大きくしなくてはな
らず、大容量化及び高速化にともなって磁気ヘッドＭＨ
のインダクタンスＬが大きくなることもあいまって、ま
すますピーク電圧を抑制することが困難となる。

【０００９】この発明の第１の目的は、その動作特性を
犠牲にすることなく、インダクタンス性負荷によるパル
ス状のピーク電圧を抑制しうるライトアンプを提供する
ことにある。この発明の第２の目的は、素子の耐圧マー
ジンを確保しつつ、書き込み動作の高速化を図ったライ
トアンプを提供することにある。この発明の第３の目的
は、ライトアンプを含む磁気ヘッド駆動集積回路ひいて
は磁気ディスク装置等の高性能化を図り、その信頼性を
高めることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】磁気ディスク装置の磁気
ヘッド駆動集積回路等に含まれるライトアンプにおいて
、選択的にオン状態とされることで磁気ヘッドに所定方
向の書き込み電流を与える一対の駆動トランジスタと並
列形態に、例えば比較的小さなサイズとされかつ対をな
す他方の駆動トランジスタがオン状態とされるとき選択
的にオン状態とされるトランジスタを含む電流バイパス
回路をそれぞれ設ける。

【００１１】

【作用】上記手段によれば、書き込み電流の一部を上記
電流バイパス回路を介して分流させ、磁気ヘッドの書き
込み電流の変化率を小さくして、磁気ヘッドのフライバ
ック電圧を原因とするパルス性のピーク電圧を抑制する
ことができる。これにより、素子の耐圧マージンを確保
しつつ、磁気ヘッドに対する書き込み電圧の絶対値を平
均的に大きくでき、ライトアンプの書き込み動作を高速
化できる。その結果、ライトアンプを含む磁気ヘッド駆
動集積回路ひいては磁気ディスク装置の高性能化を図り
つつ、その信頼性を高めることができる。

【００１２】

【実施例】図１には、この発明が適用されたライトアン
プの一実施例の部分的な回路図が示されている。また、
図２には、図１のライトアンプの一実施例の信号波形図
が示されている。これらの図をもとに、この実施例のラ
イトアンプの構成と動作の概要ならびにその特徴につい
て説明する。なお、この実施例のライトアンプは、特に
制限されないが、磁気ディスク装置の磁気ヘッド駆動集
積回路に含まれる。磁気ヘッド駆動集積回路は、特に制
限されないが、さらに磁気ヘッドＭＨから読み出し信号
を受ける図示されないリードアンプを含み、ライトアン
プは、さらに図示されない一対のクランプ回路を含む。 図１の回路素子は、磁気ヘッド駆動集積回路の図示され
ない他の回路素子とともに、単結晶シリコンのような１
個の半導体基板上に形成される。また、以下の回路図に
示されるバイポーラトランジスタは、特に制限されない
が、すべてＮＰＮ型トランジスタである。

【００１３】図１において、ライトアンプは、差動形態
とされる一対の駆動トランジスタＴ１（第１のトランジ
スタ）及びＴ２（第２のトランジスタ）を含む。これら
の駆動トランジスタのコレクタは、外部端子ａ（第１の
出力ノード）及びｂ（第２の出力ノード）を介して磁気
ヘッドＭＨ（インダクタンス性負荷）に結合され、その
共通結合されたエミッタすなわち電流引き込みノードｎ
ｓは、所定の定電流源Ｓ１を介して回路の電源電圧ＶＥ
Ｅに結合される。駆動トランジスタＴ１及びＴ２のベー
スは、対応する抵抗手段すなわちベース抵抗Ｒ１及びＲ
２を介して、入力端子Ｖ１（第１の入力ノード）及びＶ
２（第２の入力ノード）にそれぞれ結合される。これら
の入力端子には、磁気ヘッド駆動集積回路の図示されな
い前段回路から、所定の書き込み制御電圧Ｖ１及びＶ２
がそれぞれ供給される。ここで、回路の電源電圧ＶＥＥ
は、所定の負の電源電圧とされ、書き込み制御電圧Ｖ１
及びＶ２は、図２に例示されるように、書き込みデータ
ＷＤの論理レベルに応じて選択的に所定のハイレベル又
はロウレベルとされる。また、ベース抵抗Ｒ１及びＲ２
は、その電圧降下による駆動トランジスタＴ１及びＴ２
のベース振幅マージンの圧縮が問題とならない程度に大
きな抵抗値を持つものとされる。

【００１４】ライトアンプは、特に制限されないが、さ
らに回路の接地電位（第１の電源電圧）と外部端子ａ及
びｂとの間にそれぞれ設けられるもう一対のトランジス
タＴ３（第３のトランジスタ）及びＴ４（第４のトラン
ジスタ）を含む。これらのトランジスタのベースは、入
力端子Ｖ３及びＶ４にそれぞれ結合される。入力端子Ｖ
３及びＶ４には、特に制限されないが、図示されない一
対のクランプ回路を介して、所定の書き込み制御電圧Ｖ
３及びＶ４がそれぞれ供給される。ここで、書き込み制
御電圧Ｖ３及びＶ４は、図２に例示されるように、書き
込みデータＷＤの論理レベルに従って選択的に所定のハ
イレベル又はロウレベルとされる。これらの書き込み制
御電圧のロウレベル及びハイレベルは、後述するように
、外部端子ａ及びｂの電位Ｖａ及びＶｂのハイレベル及
びロウレベルを決定し、磁気ヘッドＭＨに対する書き込
み電圧ＶＢの振幅を決定する。

【００１５】この実施例において、外部端子ａと電流引
き込みノードｎｓとの間には、特に制限されないが、そ
のベースが入力端子Ｖ２に結合されるトランジスタＴ５
（第５のトランジスタ）が設けられ、外部端子ｂと電流
引き込みノードｎｓとの間には、そのベースが入力端子
Ｖ１に結合されるトランジスタＴ６（第６のトランジス
タ）が設けられる。ここで、トランジスタＴ５及びＴ６
は、駆動トランジスタＴ１及びＴ２に比較して充分に小
さなサイズとされ、それぞれ第１及び第２の電流バイパ
ス回路を構成する。

【００１６】書き込みデータＷＤが論理“０”とされる
とき、書き込み制御電圧Ｖ２及びＶ３は、図２に示され
るように、所定のロウレベルとされ、書き込み制御電圧
Ｖ１及びＶ４は所定のハイレベルとされる。このため、
ライトアンプでは、トランジスタＴ１及びＴ４がオン状
態とされ、トランジスタＴ２及びＴ３はオフ状態とされ
る。その結果、定電流源Ｓ１によって得られる動作電流
ｉｓは、トランジスタＴ４から外部端子ｂ，磁気ヘッド
ＭＨ，外部端子ａ及び駆動トランジスタＴ１を介して流
される。これにより、磁気ヘッドＭＨには、逆方向の書
き込み電流ｉｗが流され、逆方向の磁気書き込みが開始
される。

【００１７】前述のように、磁気ヘッドＭＨは、逆方向
の書き込み電流ｉｗが流されることで、それを流すまい
とする逆方向すなわち外部端子ｂを高電位側とするフラ
イバック電圧を発生する。そして、このフライバック電
圧は、一方で外部端子ｂの電位Ｖｂをさらに押し上げ、
他方で低電位側の外部端子ａの電位Ｖａをさらに押し下
げようとする。このため、外部端子ａの電位Ｖａは急速
に押し下げられ、トランジスタＴ３がオン状態のまま、
そのベース電位すなわち書き込み制御電圧Ｖ３よりもト
ランジスタＴ３のベース・エミッタ電圧分だけ低いロウ
レベルとなるまで低下する。この間、書き込み電流ｉｗ
の絶対値はほぼ直線的に大きくなり、やがてほぼ定電流
源Ｓ１により得られる動作電流ｉｓの絶対値に到達して
、安定化する。その結果、磁気ヘッドＭＨのフライバッ
ク電圧は収まり、外部端子ａの電位Ｖａは、外部端子ｂ
の電位Ｖｂから上記書き込み電流ｉｓと磁気ヘッドＭＨ
の直流抵抗とによる電圧降下分ΔＶを差し引いた所定の
ロウレベルに落ち着く。過渡期における上記電位Ｖｂ及
びＶａ間の電位差ＶＢは、ライトアンプの書き込み時間
ｔｗを短縮するためには、平均的に大きいことが望まし
い。

【００１８】ところで、磁気ヘッドＭＨによるフライバ
ック電圧は、高電位側の外部端子ｂにパルス状のピーク
電圧を発生させようとする。ところが、この実施例のラ
イトアンプでは、前述のように、外部端子ｂと電流引き
込みノードｎｓとの間にトランジスタＴ６からなる第２
の電流バイパス回路が設けられる。このトランジスタＴ
６は、上記駆動トランジスタＴ１がオン状態とされ磁気
ヘッドＭＨによって逆方向のフライバック電圧が発生さ
れるとき、トランジスタＴ１とともにオン状態となる。 このため、定電流源Ｓ１により得られる動作電流ｉｓの
一部はトランジスタＴ６を介して流され、相応して磁気
ヘッドＭＨに流される書き込み電流ｉｗの変化率が小さ
くされる。これにより、高電位側の外部端子ｂに発生さ
れようとするパルス状のピーク電圧は抑制され、外部端
子ｂの電位Ｖｂは、図２に示されるように、ほぼフラッ
トなものとなる。なお、トランジスタＴ６は、駆動トラ
ンジスタＴ１に比較して小さなサイズとされるため、電
流バイパス回路を介して流される電流の値は比較的小さ
なものとなる。

【００１９】次に、書き込みデータＷＤが論理“１”と
されると、書き込み制御電圧Ｖ１及びＶ４は、図２に示
されるように、所定のロウレベルとされ、書き込み制御
電圧Ｖ２及びＶ３が所定のハイレベルとされる。このた
め、ライトアンプでは、トランジスタＴ１及びＴ４がオ
フ状態とされ、代わってトランジスタＴ２及びＴ３がオ
ン状態とされる。その結果、定電流源Ｓ１によって得ら
れる動作電流ｉｓは、トランジスタＴ３から外部端子ａ
，磁気ヘッドＭＨ，外部端子ｂ及び駆動トランジスタＴ
２を介して流される。これにより、磁気ヘッドＭＨには
、正方向の書き込み電流ｉｗが流され、正方向の磁気書
き込みが開始される。

【００２０】磁気ヘッドＭＨは、正方向の書き込み電流
ｉｗが流されることで、それを流すまいとする正方向す
なわち外部端子ａを高電位側とするフライバック電圧を
発生する。このフライバック電圧は、外部端子ａの電位
Ｖａをさらに押し上げ、低電位側の外部端子ｂの電位Ｖ
ｂをさらに押し下げようとするが、電位Ｖｂは書き込み
制御電圧Ｖ４よりもトランジスタＴ４のベース・エミッ
タ電圧分だけ低いロウレベルとなるまで急速に低下する
。この間、書き込み電流ｉｗの絶対値はほぼ直線的に大
きくなり、やがてほぼ定電流源Ｓ１により得られる動作
電流ｉｓの絶対値に到達して、安定化する。その結果、
磁気ヘッドＭＨのフライバック電圧は収まり、外部端子
ｂの電位Ｖｂは、外部端子ａの電位Ｖａから上記電圧降
下分ΔＶを差し引いた所定のロウレベルに落ち着く。

【００２１】上記磁気ヘッドＭＨによるフライバック電
圧は、前記の場合と同様に、高電位側の外部端子ａにパ
ルス状のピーク電圧を発生させようとする。ところが、
この実施例のライトアンプでは、外部端子ａと電流引き
込みノードｎｓとの間にトランジスタＴ５からなる第１
の電流バイパス回路が設けられる。このトランジスタＴ
５は、上記駆動トランジスタＴ２がオン状態とされ磁気
ヘッドＭＨによって正方向のフライバック電圧が発生さ
れるとき、駆動トランジスタＴ２とともにオン状態とな
る。このため、定電流源Ｓ１により得られる動作電流ｉ
ｓの一部はトランジスタＴ５を介して流され、相応して
磁気ヘッドＭＨに流される書き込み電流ｉｗの変化率が
小さくされる。これにより、高電位側の外部端子ａに発
生されようとするパルス状のピーク電圧は抑制され、外
部端子ａの電位Ｖａは、図２に示されるように、ほぼフ
ラットなものとなる。

【００２２】以上のように、この実施例のライトアンプ
では、磁気ヘッドＭＨが結合される外部端子ａ及びｂと
電流引き込みノードｎｓとの間に、トランジスタＴ５及
びＴ６からなる第１及び第２の電流バイパス回路がそれ
ぞれ設けられる。これらのトランジスタＴ５及びＴ６は
、対応する外部端子ａ又はｂがハイレベルとされ、磁気
ヘッドＭＨのフライバック電圧によってパルス状のピー
ク電圧が発生されようとするとき選択的にオン状態とな
って、定電流源Ｓ１により得られる動作電流ｉｓの一部
を分流する。その結果、相応して磁気ヘッドＭＨの書き
込み電流ｉｗの変化率が小さくされ、高電位側の外部端
子ａ又はｂに発生されようとするパルス状のピーク電圧
が抑制される。これにより、この実施例のライトアンプ
では、図示されないリードアンプの初段増幅回路を構成
するトランジスタや駆動トランジスタＴ１及びＴ２等の
耐圧マージンが拡大されるとともに、磁気ヘッドＭＨに
対する書き込み電圧ＶＢの絶対値をさらに大きくして、
ライトアンプの書き込み時間ｔｗを短縮できるものとな
る。なお、これらの効果が、駆動トランジスタＴ１及び
Ｔ２のベース抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値を必要以上に大
きくすることなく、言い換えるならば駆動トランジスタ
Ｔ１及びＴ２のベース振幅マージンを低下させることな
く実現できるものであることは言うまでもない。

【００２３】図３ないし図６には、この発明が適用され
たライトアンプの第２ないし第５の実施例の回路図がそ
れぞれ示されている。なお、これらの実施例は、上記図
１の実施例を基本的に踏襲するものであるため、これと
異なる部分についてのみそれぞれの説明を追加する。

【００２４】図３において、この実施例のライトアンプ
は、第１及び第２の電流バイパス回路を構成するトラン
ジスタＴ５及びＴ６を含み、これらのトランジスタＴ５
及びＴ６のベースは、キャパシタＣ１又はＣ２を介して
対応する入力端子Ｖ１及びＶ２に結合される。キャパシ
タＣ１及びＣ２は、これらのトランジスタのベースに書
き込み制御電圧Ｖ１又はＶ２のレベル変化のみを伝達す
る。このため、トランジスタＴ５及びＴ６は、対応する
書き込み制御電圧Ｖ１又はＶ２がハイレベルに変化され
た時点で一時的にオン状態となり、定電流源Ｓ１により
得られる動作電流ｉｓの一部を流して、高電位側の外部
端子ａ又はｂに発生されようとするパルス状のピーク電
圧を抑制する。なお、この実施例のライトアンプては、
トランジスタＴ５及びＴ６が一時的にオン状態とされる
ことから、これらのトランジスタのサイズを比較的大き
くすることが可能となり、これによって電流バイパス回
路の効果を高めることができるものである。

【００２５】一方、図４の実施例では、駆動トランジス
タＴ１及びＴ２のエミッタと、第１及び第２の電流バイ
パス回路を構成するトランジスタＴ５及びＴ６のエミッ
タとが、対応する抵抗（抵抗手段）Ｒ３ないしＲ６を介
して電流引き込みノードｎｓに結合される。これにより
、この実施例では、いわゆるカレントホギングが抑制さ
れ、ライトアンプの動作が安定化される。

【００２６】次に、図５の実施例では、第１の電流バイ
パス回路を構成するトランジスタＴ５のエミッタが、キ
ャパシタＣ３及び抵抗Ｒ７からなる並列回路を介して電
流引き込みノードｎｓに結合され、第２の電流バイパス
回路を構成するトランジスタＴ６のエミッタは、キャパ
シタＣ４及び抵抗Ｒ８からなる並列回路を介して電流引
き込みノードｎｓに結合される。この実施例において、
抵抗Ｒ７及びＲ８の抵抗値は、特に制限されないが、定
常時における電流バイパス回路の電流を所定値以下とす
べく充分に大きなものとされる。これにより、この実施
例のライトアンプでは、書き込みデータＷＤの論理レベ
ルが変化された直後において、第１及び第２の電流バイ
パス回路を構成するトランジスタＴ５及びＴ６ならびに
キャパシタＣ３及びＣ４を介して比較的大きなバイパス
電流が流され、パルス状のピーク電圧が発生されない定
常時には、トランジスタＴ５及びＴ６ならびに抵抗Ｒ７
及びＲ８を介して無視できる程度に小さなバイパス電流
が流される。その結果、上記図３の実施例と同様に、ト
ランジスタＴ５及びＴ６のサイズを比較的大きくするこ
とが可能となり、電流バイパス回路の効果を高めること
ができる。

【００２７】最後に、図６の実施例では、外部端子ａと
電流引き込みノードｎｓとの間に設けられる第１の電流
バイパス回路が、キャパシタＣ５及びダイオードＤ１か
らなる直列回路により構成され、外部端子ｂと電流引き
込みノードｎｓとの間に設けられる第２の電流バイパス
回路が、キャパシタＣ６及びダイオードＤ２からなる直
列回路により構成される。これらの直列回路は、いわゆ
るスパーク吸収回路として作用し、定電流源Ｓ１により
得られる動作電流ｉｓの一部を一時的に分流して、高電
位側の外部端子ａ又はｂに発生されようとするパルス状
のピーク電圧を抑制する。

【００２８】以上の複数の実施例に示されるように、こ
の発明を磁気ディスク装置の磁気ヘッド駆動集積回路等
に含まれるライトアンプに適用することで、次のような
作用効果が得られる。すなわち、 （１）磁気ディスク装置の磁気ヘッド駆動集積回路等に
含まれるライトアンプにおいて、選択的にオン状態とさ
れることで磁気ヘッドに所定方向の書き込み電流を与え
る一対の駆動トランジスタと並列形態に、例えば比較的
小さなサイズとされかつ対をなす他方の駆動トランジス
タがオン状態とされるとき選択的にオン状態とされるト
ランジスタを含む電流バイパス回路をそれぞれ設けるこ
とで、書き込み電流の一部を上記電流バイパス回路を介
して分流させ、磁気ヘッドの書き込み電流の変化率を小
さくすることができるという効果が得られる。 （２）上記（１）項により、磁気ヘッドのフライバック
電圧を原因とするパルス性のピーク電圧を抑制すること
ができるという効果が得られる。 （３）上記（１）項及び（２）項により、素子の耐圧マ
ージンを確保しつつ、磁気ヘッドに対する書き込み電圧
の絶対値を平均的に大きくして、ライトアンプの書き込
み動作を高速化することができるという効果が得られる
。 （４）上記（１）項〜（３）項により、ライトアンプを
含む磁気ヘッド駆動集積回路ひいては磁気ディスク装置
の高性能化を図りつつ、その信頼性を高めることができ
るという効果が得られる。

【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図１ならびに図３ないし図６において、トランジス
タＴ１〜Ｔ６は、電源電圧の極性を入れ替えることでＰ
ＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えて構成できる
し、例えばＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果
トランジスタ）等に置き換えて構成することもできる。 また、電流バイパス回路によって充分な効果が得られる
場合、駆動トランジスタＴ１及びＴ２のベース抵抗Ｒ１
及びＲ２を削除することもできる。定電流源Ｓ１は、例
えば書き込みイネーブル信号等によって選択的に動作状
態とされるものであってよい。さらに、各実施例におけ
るライトアンプの具体的な回路構成や電源電圧ならびに
書き込みデータＷＤと書き込み電流ｉｗの方向の組み合
わせ等、種々の実施形態を採りうる。

【００３０】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である磁気
ディスク装置の磁気ヘッド駆動集積回路に含まれるライ
トアンプに適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えば、同様な磁気ヘッドを用
いた磁気テープ装置又は磁気フロッピ装置等の各種記憶
装置に含まれるライトアンプにも適用することができる
。この発明は、少なくともインダクタンス性負荷に所定
方向の書き込み電流を選択的に与えるライトアンプある
いはこのようなライトアンプを含む半導体集積回路装置
ならびにディジタルシステム等に広く適用できる。

【００３１】

【発明の効果】磁気ディスク装置の磁気ヘッド駆動集積
回路等に含まれるライトアンプにおいて、選択的にオン
状態とされることで磁気ヘッドに所定方向の書き込み電
流を与える一対の駆動トランジスタと並列形態に、例え
ば比較的小さなサイズとされかつ対をなす他方の駆動ト
ランジスタがオン状態とされるとき選択的にオン状態と
されるトランジスタを含む電流バイパス回路をそれぞれ
設けることで、書き込み電流の一部を上記電流バイパス
回路を介して分流させ、磁気ヘッドの書き込み電流の変
化率を小さくして、磁気ヘッドのフライバック電圧を原
因とするパルス性のピーク電圧を抑制することができる
。これにより、素子の耐圧マージンを確保しつつ、磁気
ヘッドに対する書き込み電圧の絶対値を平均的に大きく
して、ライトアンプの書き込み動作を高速化できる。 その結果、ライトアンプを含む磁気ヘッド駆動集積回路
ひいては磁気ディスク装置の高性能化を図りつつ、その
信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明が適用されたライトアンプの第１の実
施例を示す回路図である。

【図２】図１のライトアンプの一実施例を示す信号波形
図である。

【図３】この発明が適用されたライトアンプの第２の実
施例を示す回路図である。

【図４】この発明が適用されたライトアンプの第３の実
施例を示す回路図である。

【図５】この発明が適用されたライトアンプの第４の実
施例を示す回路図である。

【図６】この発明が適用されたライトアンプの第５の実
施例を示す回路図である。

【図７】従来のライトアンプの一例を示す回路図である
。

【図８】図７のライトアンプの一例を示す信号波形図で
ある。

【符号の説明】

ＭＨ・・・磁気ヘッド、Ｔ１〜Ｔ６・・・ＮＰＮ型バイ
ポーラトランジスタ、Ｒ１〜Ｒ８・・・抵抗、Ｃ１〜Ｃ
６・・・キャパシタ、Ｄ１〜Ｄ２・・・ダイオード、Ｓ
１・・・定電流源。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　インダクタンス性負荷が結合される第
   １及び第２の出力ノードと電流引き込みノードとの間に
   それぞれ設けられ書き込みデータに従って選択的にオン
   状態とされることで上記インダクタンス性負荷に所定方
   向の書き込み電流を与える第１及び第２のトランジスタ
   と、上記第１及び第２の出力ノードと上記電流引き込み
   ノードとの間にそれぞれ設けられる第１及び第２の電流
   バイパス回路とを含むことを特徴とするライトアンプ。
2. 【請求項２】　　上記ライトアンプは、第１の電源電圧
   と上記第１及び第２の出力ノードとの間にそれぞれ設け
   られ上記書き込みデータに従って選択的にオン状態とさ
   れる第３及び第４のトランジスタを含むものであって、
   上記第１及び第２のトランジスタのベースは、対応する
   抵抗手段を介して第１又は第２の入力ノードに結合され
   るものであることを特徴とする請求項１のライトアンプ
   。
3. 【請求項３】　　上記第１の電流バイパス回路は、その
   ベースが実質的に上記第２のトランジスタのベースに結
   合される第５のトランジスタを含み、上記第２の電流バ
   イパス回路は、そのベースが実質的に上記第１のトラン
   ジスタのベースに結合される第６のトランジスタを含む
   ものであることを特徴とする請求項１又は請求項２のラ
   イトアンプ。
4. 【請求項４】　　上記第５及び第６のトランジスタは、
   そのサイズが上記第１及び第２のトランジスタに比較し
   て小さくされるものであることを特徴とする請求項３の
   ライトアンプ。
5. 【請求項５】　　上記第５及び第６のトランジスタのベ
   ースは、対応するキャパシタを介して上記第１又は第２
   の入力ノードに結合されるものであることを特徴とする
   請求項３又は請求項４のライトアンプ。
6. 【請求項６】　　上記第１及び第２ならびに第５及び第
   ６のトランジスタのエミッタは、対応する抵抗手段を介
   して上記電流引き込みノードに結合されることを特徴と
   する請求項３又は請求項４のライトアンプ。
7. 【請求項７】　　上記第５及び第６のトランジスタのエ
   ミッタは、それぞれキャパシタ及び抵抗手段からなる並
   列回路を介して上記電流引き込みノードに結合されるこ
   とを特徴とする請求項３又は請求項４のライトアンプ。
8. 【請求項８】　　上記第１及び第２の電流バイパス回路
   は、ダイオード及びキャパシタからなる直列回路をそれ
   ぞれ含むものであることを特徴とする請求項１又は請求
   項２のライトアンプ。
9. 【請求項９】　　上記ライトアンプは、磁気ディスク装
   置の磁気ヘッド駆動集積回路に含まれるものであって、
   上記インダクタンス性負荷は、上記磁気ディスク装置の
   磁気ヘッドであることを特徴とする請求項１，請求項２
   ，請求項３，請求項４，請求項５，請求項６，請求項７
   又は請求項８のライトアンプ。