KR20010082656A - 반도체 소자용 퓨즈 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온 주입 및 후속하는 에칭 공정에 의해 고유 퓨즈(4) 하부의 반도체 재료에 동공이 형성됨으로써 상기 반도체 재료가 열적으로 절연되는, 반도체 소자용 퓨즈 장치에 관한 것이다.

Description

반도체 소자용 퓨즈 장치{FUSE ARRANGEMENT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 몸체, 상기 반도체 몸체의 표면상에 적어도 부분적으로 제공된 절연층, 및 상기 절연층 위에 배치되는, 하나 이상의 장소에 퓨즈를 형성하는 수축부를 갖는 스트립 형태의 금속층을 포함하는 반도체 소자용 퓨즈 장치에 관한 것이다.
퓨즈(용융 브릿지)의 바람직한 적용 분야는 반도체 메모리이다. 여기서 퓨즈는 예컨대 메모리 셀에 결함이 발생할 때 여분의 메모리 셀을 활성화시킬 수 있다.
상기 퓨즈의 상태, 즉 "점화되었는지" 또는 "점화되지 않았는지"의 상태가 "0" 및 "1"로서 아니면 그 반대로 평가되기 때문에, 퓨즈는 정보를 저장하기에도 적합하다.
퓨즈의 기능을 위해 매우 중요한, 퓨즈의 점화시 많은 에너지 손실을 야기하는 높은 전류가 사용된다. 이 때 발생하는 열은 퓨즈와 반도체 몸체 사이에 제공된 절연층을 통해 상기 반도체 몸체로 방출되어, 상기 몸체내에서 균열의 형성, 즉 소위 "크랙"의 형성을 초래할 수 있다. 상기 크랙은 인접한 부품들의 동작에 악영향을 미치거나, 심지어 부품들을 파괴할 수도 있다.
본 발명의 목적은, 퓨즈 점화시 실제로 크랙의 형성을 예방할 수 있도록 형성된 퓨즈 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 퓨즈 장치의 개략적 평면도.
도 2는 도 1의 퓨즈 장치의 개략적 단면도.
도면의 주요 부호 설명
1 : 반도체 몸체 2 : 절연층
3 : 금속층 4 : 수축부
5, 7 : 반도체 몸체의 영역들 6 : 다공성 실리콘 영역
상기 목적은 도입부에 언급한 방식의 퓨즈 장치에서 본 발명에 따라, 수축부 하부의 반도체 몸체 내 반도체 영역이 열적으로 절연됨으로써 달성된다. 이 때 상기 반도체 영역이 바람직하게는 다공성 반도체 재료로 형성된다.
상기 다공성 반도체 재료는 이온 주입 및 후속하는 에칭 공정에 의해 형성된다. 이온 주입을 위해 붕소 또는 그밖의 적합한 물질이 사용될 수 있다. 에칭을 위해 바람직하게는 HF-혼합물이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 퓨즈 장치는 고유 퓨즈의 점화 장소 영역내에 예컨대 다공성 반도체 재료를 포함하며, 상기 다공성 반도체 재료는 이온 주입 및 "일반" 반도체재료의 에칭에 의해 형성된다. 반도체 재료는 우선 실리콘을 의미한다. 그러나 본 발명은 반도체 재료로서 실리콘에만 제한되지 않고, 예컨대 AIII-BV-반도체 재료와 같은 다른 반도체 재료에도 적용될 수 있다.
다공성 반도체 재료는 예컨대 메모리 장치의 제조시 필요한 추가적 기술 처리에 대해 충분히 안정적이다. 또한 상기 다공성 반도체 재료가 열적 절연 작용을 함으로써 중요한 장점이 제공된다. 즉, 상기 다공성 반도체 재료에 의한 열적 절연으로 인해 적은 에너지 손실만 기록되기 때문에, 이미 적은 전류의 돌입으로도 퓨즈를 점화시키기에 충분하다.
상기 방식으로 퓨즈가 "점화"되면, 퓨즈가 반도체 몸체상에 제공된 절연층 위에 배치되는 종래 방법의 경우보다 훨씬 적은 에너지가 요구된다. 또한 다공성 반도체 재료만이 파괴되고, 그만큼 상기 다공성 반도체 재료가 "파쇄구역"을 형성한다. 즉, 남은 반도체 몸체 내의 반도체 재료는 완전히 손상되지 않은 채로 남는다. 특히 인접한 부품들을 손상시킬 수 있는 위험한 크랙이 전혀 형성되지 않게 된다.
반도체 재료가 다공 상태로 전환됨으로써 특히 절연층으로 이루어진 받침대 없는 브릿지가 형성될 수 있으며, 상기 브릿지 위에 퓨즈가 놓인다.
본 발명에 따른 퓨즈 장치에서는 절연층이 그 하부에 놓인, 다공성 반도체 재료에 의해 형성된 파쇄구역과 상호 작용함으로써 특별한 장점이 제공된다. 상기 다공성 반도체 재료에 의해 절연층 하부의 열적 절연화가 증대됨에 따라, 적은 전류 돌입으로도 이미 퓨즈를 점화시키기에 충분하게 되고, 또한 상기 점화시 다공성재료에 의해 형성된 파쇄구역만이 손상됨으로써 남은 반도체 몸체의 손상이 확실히 방지된다.
본 발명은 도면을 참조하여 하기에 더 자세히 설명된다.
도 1은 실리콘-반도체 몸체(1)가 장착된 퓨즈 장치를 나타내며, 상기 반도체 몸체 위에는 예컨대 이산화규소로 이루어진 절연층(2)이 제공되어있다. 상기 절연층(2) 위에는 퓨즈를 형성하는 수축부(4)를 갖는 스트립 형태의 금속층(3)이 위치한다.
상기 수축부(4)가 금속층(3) 위로의 전류의 돌입에 의해, 또는 용융을 위한 레이저 빔의 작용에 의해 형성됨에 따라, 상기 금속층(3)에 의한 전기적 연결은 차단된다. 상기 과정에서 실리콘-반도체 몸체(1)내로 손실 에너지가 방출되고, 이는 인접한 부품들에 손상을 입힐 수 있다.
이러한 현상을 방지하기 위해 본 발명에 따라 실리콘-반도체 몸체(1)의 한 영역(5)에서 이온 주입을 통해 예컨대 붕소 또는 그밖의 p-형 도펀트와 같은 불순물이 주입되고, 상기 불순물은 후속하는 확산 공정을 통해 조금 더 확산된다. 그런 다음 상기 영역(5)이 HF-혼합물을 사용하여 에칭됨으로써 최종적으로, 도 2에 도시된 것처럼, 다공성 실리콘(6)이 상기 영역(5) 및 그 주변에 형성된다. 상기 다공성 실리콘이 열적 절연 효과를 나타냄으로써, 훨씬 더 적은 전류 돌입으로도 용융을 위한 수축부(4)를 형성하기에 충분하게 된다. 즉 종래의 퓨즈 장치의 경우보다 더 적은 에너지가 요구되며, 또한 퓨즈 점화시에는 "파쇄구역"을 형성하는 다공성 실리콘만 손상됨에 따라 상기 다공성 실리콘 외에 실리콘-반도체 몸체(1)내에크랙이 형성되는 것을 막을 수 있다.
경우에 따라 수축부(4)의 하부 영역내에서는 이온 주입 및 후속하는 에칭 공정을 통해 반도체 몸체(1) 전체가 제거될 수 있고, 그 결과 영역(7)내에 "브릿지"가 형성된다. 상기 "브릿지"는 반도체 몸체(1)로부터 열적으로 완전히 절연되기 때문에, 용융을 위한 더 낮은 전류 돌입의 작용에 의해 형성된다.
본 발명을 통해 퓨즈 점화시 실제로 크랙의 형성을 예방할 수 있도록 형성된 퓨즈 장치를 제공하는 것이 보장된다.

Claims (4)

  1. - 반도체 몸체(1),
    - 상기 반도체 몸체(1)의 표면상에 적어도 부분적으로 제공된 절연층(2) 및
    - 스트립 형태의 금속층(3)을 포함하는, 반도체 소자용 퓨즈 장치에 있어서,
    - 상기 스트립 형태의 금속층(3)이 상기 절연층(2) 위에 배치되고, 하나 이상의 장소에 퓨즈를 형성하는 수축부(4)를 가지며,
    - 상기 수축부(4)의 하부에 있는 반도체 몸체(1) 내에 다공성 반도체 재료에 의해 반도체 영역(6)이 형성되어 열적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 퓨즈 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다공성 반도체 재료가 이온 주입 및 후속하는 에칭 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 퓨즈 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 이온 주입을 위해 붕소 또는 그밖의 p-형 도펀트가 사용되는 것을 특징으로 하는 퓨즈 장치.
  4. 제 2항 또는 3항에 있어서,
    상기 에칭을 위해 HF-혼합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 퓨즈 장치.
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