JPS62162344A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS62162344A
JPS62162344A JP406686A JP406686A JPS62162344A JP S62162344 A JPS62162344 A JP S62162344A JP 406686 A JP406686 A JP 406686A JP 406686 A JP406686 A JP 406686A JP S62162344 A JPS62162344 A JP S62162344A
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JP
Japan
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link
laser beams
interconnection
layer
insulating film
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Pending
Application number
JP406686A
Other languages
English (en)
Inventor
Noritoshi Abe
安部　文紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP406686A priority Critical patent/JPS62162344A/ja
Publication of JPS62162344A publication Critical patent/JPS62162344A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は冗長回路を有するＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等に使用
されるリンクを有する半導体装置に関する。
（ロ）従来の技術 一般に特開昭５２−２８２８０号公報、特開昭５２−１
１５６７４号公報に示されるようなリンク構造は良く知
られている。
斯るリンクは第３図および第４図に示される様に、半導
体基板（１１）に形成したＬＯＧＯ３構造の厚い絶縁膜
（１２）の上面に薄い絶縁膜（１３）を形成し、更に配
線構造にしたポリシリコン配線（１４）を構成したもの
である。このポリシリフン配線（１４〉にはアルミニウ
ム配線（１５）が接続され、例えば電源（図示していな
い）あるいはデータ線（図示していない）に接続されて
いる。そしてその表面には低温ＣＶＤ保護膜（１６）を
もって上記ポリシリコン配線（１４）、アルミニウム配
線（１５）を外気より保護している。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 ところで斯るリンクにあっては、必要に応じてレーザ溶
断が行なわれる。この溶断はポリシリコン配線（１４）
を確実に切断するために、レーザ出力、パルス巾を十分
に取る必要がある反面、絶縁膜（１２）＜１３＞および
低温ＣＶＤ保護膜（１６）等はＹＡＧレーザの赤外、緑
に対して透明であるためポリシリコン配線（１４）を切
断後基板（１１）表面にダメージを与えてしまう。この
ため基板（１１）にダメージを与えずポリシリコン配線
（１４）を確実に切るには、レーザ出力の微妙な条件設
定を要求され、極めて作業性が悪い欠点を有していた。
（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上記した欠点に鑑みてなされ、リンク（４）と
半導体基板（１）間にレーザ光を吸収する吸収層（７）
を設けて従来の欠点を除去した半導体装置を提供するも
のである。
（ホ）作用 本発明に依れば、リンク（４）のすぐ下にレーザ光に不
透明な吸収層（７）を設けているので、リンク＜４）を
切断後のレーザ光は吸収層（７）で吸収され、基板（１
）表面に到達せずダメージを与えない。
（へ）実施例 第１図および第２図を参照して本発明の一実施例を詳述
する。
本発明に依るリンクは、半導体基板（１）に形成したＬ
ＯＧＯ３構造の厚い絶縁膜（２）の上面に薄い絶縁膜（
３）を形成し、更に配線構造にしたポリシリコン配線よ
り成るリンク（４）で構成されている。このリンク（４
）の端部にはアルミニウム配線（５）が接続され、例え
ば電源（図示していない）あるいはデータ線（図示して
いない）に接続されている。そしてその表面には低温Ｃ
ＶＤ保護膜（６）をもって上記リンク（４）、アルミニ
ウム配線（５）を外気より保護している。
本発明の最も特徴とする点は吸収層（７）にある。吸収
層（７）はリンク（４）の直下に設けられ、第１図より
明らかな様にリンク（４）より吸収層（７）を点線の如
く広くする。吸収層（７）の材料としてはポリシリコン
やアルミニウム等のレーザ光を遮断するものを用いる。
特に冗長回路を必要とする大容量メモリではポリシリコ
ンの２層配線を採用しているので、第１ポリシリコンで
吸収層（７）を形成し、第２ポリシリコンでリンク（４
）を形成すると、工程の変更なしに本発明を実施できる
。
斯上した本発明の半導体装置に依れば、リンク（４）を
溶断するのに十分なレーザ出力、パルス巾に設定しても
リンク（４）を切断後のレーザ光はすべて吸収層（７）
で吸収されて基板（１）表面にダメージを与えることは
無くなる。
（ト）発明の効果 本発明に依ればリンク（４）の直下に吸収層（７）を設
けることによりリンク（４）を十分な出力のレーザ光で
溶断てきる利点を有する。このためリンク（４）の溶断
工程の管理が著しく容易となり作業性が向上する。また
吸収層（７）の働きでレーザ光を全部吸収するので基板
（１）表面へのダメージの発生も皆無となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に依る半導体装置を説明する上面図、第
２図は第１図のＩＦ−Ｉｔ線断面図、第３図は従来の半
導体装置を説明する上面図、第４図は第３図のＩＶ−Ｉ
Ｖ線断面図である。 （１）は半導体基板、（２）は厚い絶縁膜、（３）は薄
い絶縁膜、（４）はリンク、（５）はアルミニウム配線
、（６）は低温ＣＶＤ保護膜、（７）は吸収層である。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　静　夫 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、レーザ光で切断するリンクを備えた半導体装置にお
    いて、リンクと半導体基板間にレーザ光を吸収する吸収
    層を設けたことを特徴とする半導体装置。
JP406686A 1986-01-10 1986-01-10 半導体装置 Pending JPS62162344A (ja)

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