JPS6284569A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS6284569A JPS6284569A JP60225885A JP22588585A JPS6284569A JP S6284569 A JPS6284569 A JP S6284569A JP 60225885 A JP60225885 A JP 60225885A JP 22588585 A JP22588585 A JP 22588585A JP S6284569 A JPS6284569 A JP S6284569A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の光起電力素子を集積した光起電力装置
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
一般に光起電力装置は、透光性絶縁基板に透明電極、ｐ
−１−ｎ接合型、或いはｎ−１−ｐ接合型等の非晶質半
導体層、裏面電極をこの順序に積層形成してなる光起電
力素子を相互に直列接続して構成されるが、従来におけ
るこの極光起電力装置の製造方法は第３図（イ）〜（へ
）に示す如き工程にて製造されている。
−１−ｎ接合型、或いはｎ−１−ｐ接合型等の非晶質半
導体層、裏面電極をこの順序に積層形成してなる光起電
力素子を相互に直列接続して構成されるが、従来におけ
るこの極光起電力装置の製造方法は第３図（イ）〜（へ
）に示す如き工程にて製造されている。
先ず第３図（イ）に示す如くガラス等の透光性絶縁基板
２１上に透明電極２２を平面的に積層形成し、この透明
電極２２を第３図（ロ）に示す如くレーザビームにて各
光起電力素子を構成すべき領域（図面では３部分）毎に
分断し、透光性絶縁基板２１、透明電極２２上にわたっ
て第３図（ハ）に示す如くｐ−１−ｎ接合型、或いはｎ
−１−ｐ接合型の各半導体層２３、例えばアモルファス
シリコン層を積層形成した後、第３図（ニ）に示す如く
相隣する透明電極の同側の一端側上面が一部露出するよ
うに各透明電極２２の一端縁上にて同じくレーザビーム
にて’ｙＨＦｒし、更にこのアモルファスシリコン層及
び露出した透明電極２２に亘って第３図（ホ）に示す如
く ＡＩ２等の裏面電極２４を積層形成し、この裏面電
極２４を第３図（へ）に示す如く非晶質半導体層２３の
同側の一端側上面が一部露出するようにレーザビームに
て分断し、相隣する一方の光起電力素子の裏面電極２４
と他方の光起電力素子の透明電極２２とを直列接続した
光起電力装置を製造することが行われている（特開昭５
７−１２５６８号）。
２１上に透明電極２２を平面的に積層形成し、この透明
電極２２を第３図（ロ）に示す如くレーザビームにて各
光起電力素子を構成すべき領域（図面では３部分）毎に
分断し、透光性絶縁基板２１、透明電極２２上にわたっ
て第３図（ハ）に示す如くｐ−１−ｎ接合型、或いはｎ
−１−ｐ接合型の各半導体層２３、例えばアモルファス
シリコン層を積層形成した後、第３図（ニ）に示す如く
相隣する透明電極の同側の一端側上面が一部露出するよ
うに各透明電極２２の一端縁上にて同じくレーザビーム
にて’ｙＨＦｒし、更にこのアモルファスシリコン層及
び露出した透明電極２２に亘って第３図（ホ）に示す如
く ＡＩ２等の裏面電極２４を積層形成し、この裏面電
極２４を第３図（へ）に示す如く非晶質半導体層２３の
同側の一端側上面が一部露出するようにレーザビームに
て分断し、相隣する一方の光起電力素子の裏面電極２４
と他方の光起電力素子の透明電極２２とを直列接続した
光起電力装置を製造することが行われている（特開昭５
７−１２５６８号）。
ところで光起電力装置を上述した如き方法で製造する場
合、各透明電極２２、非晶質半導体層２３、裏面電極２
４を夫々形成する都度価々に切断する結果、例えば非晶
質半導体Ｊｉｉ２３はその表面をむき出した状態のまま
で切断加工されるために切断に際して飛散するシリコン
の溶融粒が非晶質半導体層表面に付着する外、酸化、水
分吸収等によって劣化し易く膜品質低下の大きな要因と
なるという問題があった。
合、各透明電極２２、非晶質半導体層２３、裏面電極２
４を夫々形成する都度価々に切断する結果、例えば非晶
質半導体Ｊｉｉ２３はその表面をむき出した状態のまま
で切断加工されるために切断に際して飛散するシリコン
の溶融粒が非晶質半導体層表面に付着する外、酸化、水
分吸収等によって劣化し易く膜品質低下の大きな要因と
なるという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは透光性絶縁基板上に透明電極、非晶
質半導体層、裏面電極を積層形成した後、これを同時的
に切断加工することによって裏面電極によって非晶質半
導体層を保護し、非晶質半導体層の酸化、吸水を防止す
ると共に、非晶質半導体層の切断に際して熔融粒が飛散
しても裏面電極によってこれを防禦し、非晶質半導体層
の加工過程での膜質低下を防止し得るようにした光起電
力装置の製造方法を提供するにある。
目的とするところは透光性絶縁基板上に透明電極、非晶
質半導体層、裏面電極を積層形成した後、これを同時的
に切断加工することによって裏面電極によって非晶質半
導体層を保護し、非晶質半導体層の酸化、吸水を防止す
ると共に、非晶質半導体層の切断に際して熔融粒が飛散
しても裏面電極によってこれを防禦し、非晶質半導体層
の加工過程での膜質低下を防止し得るようにした光起電
力装置の製造方法を提供するにある。
本発明に係る光起電力装置の製造方法は透光性絶縁基板
上に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に
積層形成した後、前記透明電極、非晶質半導体層及び裏
面電極を同時的に切断する工程を含むことを特徴とする
。
上に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に
積層形成した後、前記透明電極、非晶質半導体層及び裏
面電極を同時的に切断する工程を含むことを特徴とする
。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明方法にて製造した光起電力装置
の断面構造図であり、図中１はガラス等にて形成された
透光性絶縁基板、２は５ｎ０２゜ＴＴＯ／５ｎ０２等に
て構成された透明電極、３はアモルファスシリコン等に
て構成されたｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｎ接合型の
非晶質半導体層、４はＡｌ、Ｔｉ又はＡｇ等にて構成さ
れた裏面電極、５はレジスト等にて構成された絶縁物、
６はＡ／、Ｔｉ又はＡｇ等にて構成された接続電極を示
している。各光起電力素子は透光性絶縁基板１上に絶縁
物５にて区画された状態で前記した各透明電極２、非晶
質半導体層３、裏面電極４をこの順序に積層して構成さ
れており、これら各光起電力素子Ａ、阻Ｃ・・・夫々の
裏面電極４上に接続電極６を積層形成すると共に、この
接続電極６を各相隣する片側の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ
・・・における透明電極２と接続せしめて、各光起電力
素子Ａ、Ｂ、Ｃ・・・を直列接続した集積型の光起電力
装置として構成しである。このような光起電力装置にあ
っては光を透光性絶縁基板１を通して非晶質半導体層３
内に導入し、ここで生成せしめられた光起電力を各光起
電力素子Ａ、Ｂ、Ｃの透明電極２、裏面電極及び接続電
極６にて集電され、透明電極２、接続電極６に接続した
図示しない引出線を通じて外部に取り出されるようにな
っている。
明する。第１図は本発明方法にて製造した光起電力装置
の断面構造図であり、図中１はガラス等にて形成された
透光性絶縁基板、２は５ｎ０２゜ＴＴＯ／５ｎ０２等に
て構成された透明電極、３はアモルファスシリコン等に
て構成されたｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｎ接合型の
非晶質半導体層、４はＡｌ、Ｔｉ又はＡｇ等にて構成さ
れた裏面電極、５はレジスト等にて構成された絶縁物、
６はＡ／、Ｔｉ又はＡｇ等にて構成された接続電極を示
している。各光起電力素子は透光性絶縁基板１上に絶縁
物５にて区画された状態で前記した各透明電極２、非晶
質半導体層３、裏面電極４をこの順序に積層して構成さ
れており、これら各光起電力素子Ａ、阻Ｃ・・・夫々の
裏面電極４上に接続電極６を積層形成すると共に、この
接続電極６を各相隣する片側の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ
・・・における透明電極２と接続せしめて、各光起電力
素子Ａ、Ｂ、Ｃ・・・を直列接続した集積型の光起電力
装置として構成しである。このような光起電力装置にあ
っては光を透光性絶縁基板１を通して非晶質半導体層３
内に導入し、ここで生成せしめられた光起電力を各光起
電力素子Ａ、Ｂ、Ｃの透明電極２、裏面電極及び接続電
極６にて集電され、透明電極２、接続電極６に接続した
図示しない引出線を通じて外部に取り出されるようにな
っている。
次に上記した如き本発明装置の製造過程について第２図
（イ）〜（ニ）に基づき説明する。第２図（イ）〜（ニ
）は上述した如き、本発明装置の製造過程を示す説明図
であり、先ず第２図（イ）に示す如く、透光性絶縁基板
１上に透明電極２、ｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｐ接
合型の非晶質半導体層３、裏面電極４をこの順序で夫々
所要厚さに積層形成した後、各光起電力素子Ａ、Ｒ，Ｃ
・・・を構成する領域毎に透明電極２、非晶質半導体層
３、裏面電極４に対し、同時的にレーザスクライブを施
す。使用レーザはＱスイッチ付のＹＡＧ レーザであっ
てレーザーパワー密度５ Ｘ １０６ＩＩ ／ ｃｍ２
゜その出力波長は１．０６μｍ、繰り返しパルス数３Ｋ
Ｉｌｚ程度とするのが適切である。レーザービームの投
射は通常は裏面電極４側から行うが、透光性絶縁基板５
側から行ってもよい。
（イ）〜（ニ）に基づき説明する。第２図（イ）〜（ニ
）は上述した如き、本発明装置の製造過程を示す説明図
であり、先ず第２図（イ）に示す如く、透光性絶縁基板
１上に透明電極２、ｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｐ接
合型の非晶質半導体層３、裏面電極４をこの順序で夫々
所要厚さに積層形成した後、各光起電力素子Ａ、Ｒ，Ｃ
・・・を構成する領域毎に透明電極２、非晶質半導体層
３、裏面電極４に対し、同時的にレーザスクライブを施
す。使用レーザはＱスイッチ付のＹＡＧ レーザであっ
てレーザーパワー密度５ Ｘ １０６ＩＩ ／ ｃｍ２
゜その出力波長は１．０６μｍ、繰り返しパルス数３Ｋ
Ｉｌｚ程度とするのが適切である。レーザービームの投
射は通常は裏面電極４側から行うが、透光性絶縁基板５
側から行ってもよい。
次に第２図（ロ）に示す如く切断によって形成された溝
内に絶縁物５を形成する。先ずレジストを裏面電極４の
全面に薄く塗布し透光性絶縁基板１側から露光させたあ
と、レジストを溶剤にて溶解除去する。
内に絶縁物５を形成する。先ずレジストを裏面電極４の
全面に薄く塗布し透光性絶縁基板１側から露光させたあ
と、レジストを溶剤にて溶解除去する。
使用レジストについては特に限定するものではなく、従
来知られたものを適宜採択すればよい。
来知られたものを適宜採択すればよい。
次いで第２図（ハ）に示す如く、各絶縁物５と僅かに間
隔を隔ててその片側にて裏面電極４側から裏面電極４及
び非晶質半導体層３に対して同時的にレーザスクライブ
する。この際透明電極２を損傷しないようレーザパワー
密度は２ｘ１０６Ｗ／ｃｘ２〜５ Ｘ １０” Ｈ／ａ
ｎ２程度とする。
隔を隔ててその片側にて裏面電極４側から裏面電極４及
び非晶質半導体層３に対して同時的にレーザスクライブ
する。この際透明電極２を損傷しないようレーザパワー
密度は２ｘ１０６Ｗ／ｃｘ２〜５ Ｘ １０” Ｈ／ａ
ｎ２程度とする。
次いで第２図（ニ）に示す如く裏面電極４及びレーザス
クライブされ、露出せしめられた透明電極２にわたるよ
う接続電極６を形成すると共に、前記レーザスクライブ
位置と若干の間隔を隔てて、破線で示す如くレーザビー
ムを投射し、接続電極６、裏面電極４にレーザスクライ
ブを施す。この場合のレーザパワー密度は透明電極２を
損傷しないよう２ ＸＩＯ” Ｗ ／ｃｎ２以下が望ま
しい。而して第１図に示す如く相互に複数の光起電力素
子Ａ。
クライブされ、露出せしめられた透明電極２にわたるよ
う接続電極６を形成すると共に、前記レーザスクライブ
位置と若干の間隔を隔てて、破線で示す如くレーザビー
ムを投射し、接続電極６、裏面電極４にレーザスクライ
ブを施す。この場合のレーザパワー密度は透明電極２を
損傷しないよう２ ＸＩＯ” Ｗ ／ｃｎ２以下が望ま
しい。而して第１図に示す如く相互に複数の光起電力素
子Ａ。
Ｂ、Ｃ・・・を直列接続した光起電力装置が得られるこ
ととなる。
ととなる。
以上の如く本発明方法にあっては、透光性絶縁基板上に
透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序で積層
形成した後、これらを同時的に切断することとしている
から、切断加工作業が容易であることは勿論、非晶質半
導体層表面に裏面電極を積層した状態で切断を行うため
、例えばレーザスクライブ等に際しての非晶質半導体層
構成材料の飛散粒子付着による膜質の低下、或いは酸化
。
透明電極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序で積層
形成した後、これらを同時的に切断することとしている
から、切断加工作業が容易であることは勿論、非晶質半
導体層表面に裏面電極を積層した状態で切断を行うため
、例えばレーザスクライブ等に際しての非晶質半導体層
構成材料の飛散粒子付着による膜質の低下、或いは酸化
。
水分の吸収を防止出来て膜品質の大幅な向上を図れるな
ど本発明は優れた効果を奏するものである。
ど本発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法によって得た光起電力装置の断面構
造図、第２図は（イ）〜（ニ）は本発明方法の工程を示
す模式図、第３図（イ）〜（へ）は従来方法の工程を示
す模式図である。 １・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明電極 ３・・・
非晶質半導体層 ４・・・裏面電極 ５・・・絶縁物
６・・・接続電穫 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 目 第 ２ 図
造図、第２図は（イ）〜（ニ）は本発明方法の工程を示
す模式図、第３図（イ）〜（へ）は従来方法の工程を示
す模式図である。 １・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明電極 ３・・・
非晶質半導体層 ４・・・裏面電極 ５・・・絶縁物
６・・・接続電穫 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 目 第 ２ 図
Claims (1)
- １、透光性絶縁基板上に透明電極、非晶質半導体層、裏
面電極をこの順序に積層形成した後、前記透明電極、非
晶質半導体層及び裏面電極を同時的に切断する工程を含
むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225885A JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225885A JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284569A true JPS6284569A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0582993B2 JPH0582993B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=16836388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225885A Granted JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284569A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH05183177A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその作製方法 |
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| WO2000007249A1 (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell and method of producing the same, and mask for photolithography for producing solar cell |
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| WO2008157807A2 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Ascent Solar Technologies, Inc. | Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods |
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| CN102918657A (zh) * | 2010-07-06 | 2013-02-06 | 薄膜硅公司 | 光伏模块和制造具有电极扩散层的光伏模块的方法 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60225885A patent/JPS6284569A/ja active Granted
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