KR20010061975A - 막 퇴적 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치의 제작 방법 - Google Patents

막 퇴적 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치의 제작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010061975A
KR20010061975A KR1020000071138A KR20000071138A KR20010061975A KR 20010061975 A KR20010061975 A KR 20010061975A KR 1020000071138 A KR1020000071138 A KR 1020000071138A KR 20000071138 A KR20000071138 A KR 20000071138A KR 20010061975 A KR20010061975 A KR 20010061975A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
film deposition
substrate
deposition chamber
gate
Prior art date
Application number
KR1020000071138A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100664662B1 (ko
Inventor
야마자키순페이
고누마도시미츠
후쿠나가다케시
Original Assignee
야마자끼 순페이
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마자끼 순페이, 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 야마자끼 순페이
Publication of KR20010061975A publication Critical patent/KR20010061975A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100664662B1 publication Critical patent/KR100664662B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 신뢰성이 높은 EL 소자를 형성할 수 있는 막 퇴적 장치를 제공한다. 스핀 코팅 장치와 같은 액상 막 퇴적실 속에는 산화 셀(205)이 배치된다. 그러한 산화 셀에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소로 이루어진 산소 게터링 작용제(209)가 마련된다. 산소 게터링 작용제(209)는 액상 막 퇴적실의 분위기 중에서 산소를 소모하면서 산화됨으로써 그 분위기의 산소 농도가 1 ppb 이하로 감소되도록 한다. 그것은 산소가 거의 없는 상태에서 EL 소자를 형성하는 것을 가능하게 하고, 그에 따라 EL 소자의 신뢰성이 대폭적으로 개선된다.

Description

막 퇴적 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치의 제작 방법{Film deposition apparatus and a method of manufacturing a light emitting device using the apparatus}
본 발명은 막 퇴적 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치의 제작 방법에 관한 것으로, 그러한 막 퇴적 장치는 양극, 음극 및 그 사이에 개재되어 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 효과를 제공하는 발광성 재료, 특히 발광성 유기재료로 이루어진 EL 소자를 제작하는데 사용된다.
근년에 들어, 유기 EL 재료의 EL 현상을 이용하여 스스로 발광하는 소자로서의 EL 소자를 이용한 표시장치(EL 표시장치)에 있어서 상당한 발전이 이루어져 왔다. EL 표시장치는 스스로 발광할 수 있기 때문에 액정 표시장치와는 다르게 어떠한 배경 조명도 필요로 하지 않을 뿐만 아니라, 시야 각이 넓기 때문에 야외에서 사용하기 위한 휴대용 설비의 디스플레이 유닛으로서 각광을 받고 있다.
EL 표시장치에는 패시브형(패시브 매트릭스 EL 표시장치)과 액티브형(액티브매트릭스 EL 표시장치)의 2가지 유형이 있는데, 양자의 유형 모두가 비약적으로 발전되어 왔다. 그러한 2가지 유형 중에서도 현재 보다 더 각광을 받고 있는 것은 액티브 매트릭스 EL 표시장치이다. EL 소자의 발광층을 형성하기 위한 EL 재료도 역시 유기재료와 무기재료의 2가지 유형으로 구분된다. 다시, 유기재료는 저분자형(단량체 계열) 유기 EL 재료와 고분자형(중합체 계열) 유기 EL 재료로 구분된다. 단량체 계열과 중합체 계열의 2가지 유기 EL 재료 모두에 대해 집중적인 연구가 이루어지고 있지만, 중합체 계열의 유기 EL 재료가 저분자형 유기 EL 재료보다 취급하기 더 간편하고 열에 대한 저항성이 더 큰 이유로 보다 더 많은 관심을 받고 있다.
그러나, 유기 EL 재료는 산화를 통해 분자 구조를 쉽게 바꿈으로써 그 발광 능력을 상실하게 된다. 환언하면, 유기 EL 재료로 형성된 발광층이 산화되어 EL 소자로부터 그 발광 능력을 박탈함으로써 EL 소자를 열화시키게 된다. 따라서, 신뢰성이 높은 EL 소자를 제작함에 있어서는 유기 EL 재료가 형성된 후에 유기 EL 재료의 산화를 가속화시키는 산소(O2)를 최대한으로 제거하는 것이 중요하다.
한편, 저분자형 유기재료에서는 EL 소자 중에 혼입된 산소로 인한 문제점이 그리 심각한 편이 아닌데, 그 이유는 저분자 유기 EL 재료가 진공 중에서 증착에 의해 퇴적되기 때문이다. 단량체 계열의 유기 EL 재료가 퇴적된 후에는 EL 소자가 공기에 노출되지 않고서 기밀 공간 속에 밀봉되기 때문에, EL 소자는 퇴적 단계로부터 감안했을 때에 단 한번도 공기에 노출됨이 없이 완성될 수 있게 된다.
진공 중에서 고분자형 유기 EL 재료로 막을 형성하기는 곤란하기 때문에, 중합체 계열의 유기 EL 재료의 퇴적은 질소 또는 희유 가스와 같은 불활성 가스 중에서 잉크젯 방법, 스핀 코팅 또는 프린팅에 의해 실행된다. 고분자형 유기 EL 재료는 산소에 매우 취약하고, 소량의 산소에 의해서도 쉽게 산화되어 열화된다. 그러한 열화는 불활성 가스 중의 산소 농도를 1 ppm 이하로 감소시킴으로써 심각한 문제점이 제기되지 않을 정도로 억제될 수도 있다. 그러나, 그것은 장기간의 신뢰성을 보장하기에는 여전히 충분하지 않다.
따라서, 전술된 문제점을 고려하여 이루어진 본 발명의 목적은 발광성 재료를 사용하는 발광장치의 신뢰성을 향상시키는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 그와 같이 신뢰성이 높은 발광장치를 형성하기 위한 막 퇴적 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 막 퇴적 장치의 구조를 나타낸 도면;
도 2(A) 및 (B)는 액상 막 퇴적실의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 3(A) 내지 (C)는 액상 막 퇴적실의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 4(A) 및 (B)는 액상 막 퇴적실의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 5(A) 내지 (C)는 액상 막 퇴적실에 마련된 헤드부의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 6(A) 및 (B)는 액상 막 퇴적실에 마련된 헤드부의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 7(A) 내지 (D)는 액상 막 퇴적실에 마련된 헤드부의 구조를 각각 나타낸 도면;
도 8(A) 및 (B)는 전계 발광(EL) 표시장치의 단면 구조를 각각 나타낸 도면;
도 9는 전계 발광(EL) 표시장치의 단면 구조를 각각 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100a 내지 100g : 게이트 101 : 이송실(A)
102 : 이송 기구(A) 103 : 기판
104 : 배출구 105 : 저장실
106 : 이송실(B) 107 : 이송 기구(B)
108 : 배소실 109 : 액상 막 퇴적실
110 : 표면 처리실 111 : 기상 막 퇴적실
112 : 밀봉실 113 : 자외선 조사 기구
114 : 인도실 115 : 이송 기구(C)
본 발명은 EL 재료(특히, 유기 EL 재료)의 퇴적 전에 막 퇴적실 중에서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소(알칼리 금속원소 또는 알칼리 토금속원소)를 산화시켜 막 퇴적실의 내부에 있는 산소를 제거하는 것을 그 특징으로 한다. 즉, 본 발명은 알칼리 금속원소 또는 알칼리 토금속원소의 성질, 즉 매우 쉽게 산화되는 성질을 활용하여 산소를 화학적으로 제거(게터링)하는 것을 그 특징으로 한다.
구체적으로, 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 막 퇴적실의 내부에 놓여진 산화 셀(cell) 중에 배치한다. 그 후에, 그 산화 셀 중에서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시킨다. 사용되는 원소가 실온에서 산화되지 않는 원소인 경우에는 산화 셀을 가열한다. 사용되는 원소가 실온에서 산화되는 원소인 경우에는 그 원소를 예컨대 알코올 중에 보관함으로써 산소가 도달되지 못하게 유지하면서 산화 셀 속에 밀봉시키고, 산화 셀을 막 퇴적실 중에 놓은 후에 그 원소를 산화시킨다.
본 발명을 실행함에 있어서, 막 퇴적실 중에 존재하는 산소는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소의 산화 과정 중에 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 그 원소와의 산화 반응에 의해 소모된다. 그것은 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소에 의한 산소의 게터링으로서 간주될 수 있다.
본 발명은 액상(液相) 방법(잉크젯 방법, 스핀 코팅, 프린팅, 또는 디스펜싱)에 의해 고분자형 유기 EL 재료로 막을 형성함에 있어서 매우 효과적인 전처리로서 실행된다. 그러나, 기상(氣相) 방법(증착 또는 스퍼터링)에 의해 저분자형 유기 EL 재료로 막을 형성함에 있어서 본 발명을 전(前)처리로서 실행하는 것도 역시 가능하다.
전술된 바와 같이, EL 재료를 퇴적하기 위한 전처리로서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소와 막 퇴적실 중에 있는 산소와의 산화 반응을 활용한다. 그러한 산화 반응에 의해 막 퇴적실 중의 산소 농도가 1 ppb 이하(바람직하게는 0.1 ppb 이하)로 감소된다. 그 결과, EL 재료는 산소 농도가 1 ppb 이하(바람직하게는 0.1 ppb 이하)인 불활성 분위기 중에서 퇴적될 수 있게 된다. 즉, EL 소자가 실질적으로 무산소 상태로 형성되어 신뢰성이 종래의 장치에 비해 더 높은 EL 표시장치를 제공할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조로 하여 더욱 상세히 설명하기로 한다.
[실시형태]
먼저, 본 발명의 막 퇴적 장치를 도 1, 도 2(A) 및 도 2(B)를 참조하여 설명하기로 한다. 도 1에서, 부호 "101"은 기판(103)을 이송하기 위한 이송 기구(A)(102)를 구비한 이송실(A)을 지시하고 있다. 이송실(A)(101)은 감압된 분위기 하에 있고, 이송실(A)과 처리실 간의 소통은 게이트에 의해 차단된다. 이송 기구(A)(102)는 각각의 게이트가 개방되었을 때에 각각의 처리실로부터 기판을 수납하거나 각각의 처리실로 기판을 인도한다. 이송실(A)(101)을 진공으로 만드는데는 오일 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보 분자 펌프(turbomolecular pump), 또는 극저온 펌프(cryo pump)와 같은 송출 펌프가 사용될 수 있다. 그러한 펌프 중에서도 극저온 펌프가 수분을 제거하는데 효과적이기 때문에 바람직하다.
도 1의 막 퇴적 장치는 이송실(A)(101)의 일 측에 배치된 배출구(104)를 구비한다. 송출 펌프는 배출구(104)의 아래에 배치된다. 그러한 구조는 송출 펌프를 유지하기 쉽다는 점에서 유리하다.
이후로는 각각의 실(chamber)에 관해 설명하기로 한다. 이송실(A)(101)은 감압된 분위기 하에 있기 때문에, 이송실(A)(101)에 접속된 모든 처리실은 송출 펌프(도시 생략)를 구비한다. 그러한 송출 펌프로서 사용될 수 있는 펌프는 전술된 오일 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보 분자 펌프, 및 극저온 펌프를 포함한다.
부호 "105"는 기판을 놓기(배치하기) 위한 저장실을 지시하고 있는데, 그러한 저장실(105)은 로드 로크 체임버(load lock chamber)로서 지칭되기도 한다. 저장실(105)과 이송실(A)(101) 간의 소통은 게이트(100a)에 의해 차단된다. 저장실 속에는 기판(103)이 놓여지게 되는 캐리어(도시를 생략)가 배치된다. 저장실은 기판이 실리는 공간과 기판이 내려지는 공간을 구비하도록 분할될 수도 있다. 저장실(105)은 전술된 바와 같은 송출 펌프 및 극히 순수한 질소 가스 또는 희유 가스를 도입하기 위한 퍼지 라인을 구비한다.
본 실시예 형식에서는 기판(103)이 겉을 밑으로 하여(즉, EL 소자가 형성되어야 하는 측면이 아래쪽으로 향하도록 하여) 캐리어에 놓여진다. 그것은 면 하향 방법(face down method)(상향 퇴적 방법으로서도 지칭됨)을 채용하는 기상 퇴적(스퍼터링 또는 증착에 의한 퇴적)의 후속 단계를 용이하게 하기 위함이다. 면 하향 방법에서는 EL 소자가 형성되어야 하는 기판의 측면이 아래쪽으로 향한 채로 퇴적이 이루어짐으로써 EL 소자를 형성하기 위한 측면에 먼지 등이 떨어지는 것을 방지하게 된다.
부호 "106"은 게이트(100b)를 통해 저장실(105)과 접속되고 이송 기구(B)(107)를 구비하는 이송실(B)을 지시하고 있다. 부호 "108"은 게이트(100c)를 통해 이송실(B)(106)과 접속되는 배소실(소성실)을 지시하고 있다. 배소실(108)은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비한다. 특히, 그러한 기구는 면 하향 방법에 따라 이송되는 기판을 뒤집음으로써 면 상향 방법(face up method)으로전환되도록 한다. 그에 의해, 기판이 액상 막 퇴적실(109)에서 면이 상향한 상태로 다음 처리를 받을 수 있게 된다. 액상 막 퇴적실(109)에서의 처리가 완료된 후에는 기판이 배소실로 복귀되어 다시 한번 배소되고 뒤집어짐으로써 면 하향 방법으로 다시 전환된다. 이어서, 기판은 저장실(105)로 복귀된다.
액상 막 퇴적실(109)은 게이트(100d)를 통해 이송실(B)(106)과 접속된다. 액상 막 퇴적실(109)은 EL 재료를 함유한 용액을 기판에 도포함으로써 EL 재료를 함유한 막을 형성하기 위한 것이다. 본 발명에서는 고분자형(중합체 계열) 유기 EL 재료가 액상 막 퇴적실 중에서 퇴적된다. 본 발명에 사용되는 EL 재료란 발광층을 형성하기 위한 재료뿐만 아니라, 전하 주입 층 또는 전하 이송 층을 형성하기 위한 재료도 포함하는 것이다. 공지되어 있는 임의의 고분자형 유기 EL 재료가 사용될 수 있다.
발광층을 형성하기 위한 대표적인 유기 EL 재료로서는 PPV(폴리파라페닐렌 비닐렌) 유도체, PVK(폴리비닐 카르바졸) 유도체, 및 폴리플루오렌 유도체가 포함된다. 그러한 것들은 π짝 중합체로서 지칭되기도 한다. 전하 주입 층을 형성하기 위한 EL 재료의 예로서는 PEDOT(폴리티오펜) 및 PAni(폴리아닐린)가 포함된다.
이후로는 액상 막 퇴적실을 도 2(A) 및 도 2(B)를 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시예는 액상 막 퇴적실(109)로서 스핀 코팅 장치가 사용되는 예를 예시하고 있다. 그러나, 액상 막 퇴적실을 스핀 코팅 장치로 한정할 필요는 없고, 액상 막 퇴적실은 디스펜싱, 프린팅, 또는 잉크젯 방법을 사용하는 막 퇴적실로 될 수도 있음을 유의해야 할 것이다.
도 2(A)는 액상 막 퇴적실(109)의 평면도이다. 부호 "201"은 중심에 척(chuck)(202)을 구비하는 도포 컵을 지시하고 있다. 도포 컵(201)으로 이송된 기판(203)은 척(202)에 의해 유지된다. 부호 "204"에 의해 지시되어 있는 도포 노즐은 그 선단으로부터 유기 EL 재료를 배출한다.
본 발명에 따르면, 액상 막 퇴적실(109)은 산화 셀(산화실)(205)을 추가로 구비한다. 본 발명에서는 그러한 산화 셀(205)이 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소로 이루어진 고체를 그 속에서 산화시키는데 사용된다. 즉, 액상 막 퇴적실(109) 중의 산소가 게터링(포획)된다. 그 시점에 게이트(100d)가 폐쇄된다면, 액상 막 퇴적실(109)은 기밀적으로 밀봉되어 효율적으로 산소를 게터링하게 된다. 그러한 목적으로 본 발명에 사용되는 1족 원소 또는 2족 원소를 이후로 산소 게터링 작용제로서 지칭하기로 한다.
도 2(B)는 도 2(A)의 A-A' 선을 따른 액상 막 퇴적실(109)의 단면도이다. 척(202)은 회전축(206)과 결합되고, 그 회전축(206)은 베어링으로서의 역할을 하는 제어기구(207)에 의해 구동된다. 산화 셀(205)의 아래에는 히터(208)가 배치되어 산화 셀(205) 속에 놓여진 산소 게터링 작용제(209)가 그 히터(208)에 의해 가열 및 산화되게 된다. 선택적으로, 산화 셀(205) 그 자체를 통해 전류를 흘려서 산소 게터링 작용제(209)가 저항 가열에 의해 산화되도록 할 수도 있다.
산소 게터링 작용제(209)의 산화가 얼마동안 지속되는가는 산화 셀(205)의 입구 근처에 마련되고 폐쇄 시에 산화 셀(205)을 기밀적으로 밀봉할 수 있는 덮개를 개폐시킴으로써 조절될 수 있다. 그것은 실온에서 자발적으로 연소되는 원소(대표적으로 나트륨) 가운데 하나를 사용할 때에 효과적이다. 주도 면밀하게 하기 위해, 유기 EL 재료의 퇴적 전에 산소 게터링 작용제(209)를 일정 시간의 기간동안 산화시킨다. 이어서, 덮개를 폐쇄시켜 산화 셀(205)을 기밀적으로 밀봉하고 산소 공급을 차단하여 강제적으로 산화 공정을 종료시킨다. 기판이 다시 액상 막 퇴적실로 이송되면, 덮개를 개방하여 산소 게터링 작용제(209)의 산화를 개시한다. 산소 게터링 작용제를 교체함이 없이 다수의 기판이 처리될 수 있도록 그러한 조작을 반복함으로써 제작 시의 단위 시간당 처리량을 개선시킬 수 있다.
전술된 바와 같이, 도 1에 도시된 막 퇴적 장치는 산화 셀(205) 및 액상 막 퇴적실(109)을 기밀적으로 밀봉하기 방진 후드(210)가 마련된 액상 막 퇴적실(109)을 구비한다. 따라서, 산화 셀(205) 속에서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시킴으로써 막 퇴적실의 분위기 중에 있는 산소가 손쉽게 제거될 수 있다. 즉, 본 발명은 산소 농도가 1 ppb 이하(바람직하게는 0.1 ppb 이하)인 불활성 분위기 중에서 유기 EL 재료를 퇴적하는 것이 가능하게 되도록 한다.
그러한 불활성 분위기를 가압하게 되면(바람직하게는 2 내지 3 기압으로), 액상 막 퇴적실(109) 속의 압력이 상승되어 산소의 침투가 최소화된다.
다음으로, 부호 "110"은 EL 소자의 화소 전극으로서의 역할을 하는 음극 또는 양극의 표면을 처리하기 위한 처리실(이후로 그 처리실을 전처리실로서 지칭하기로 함)을 지시하고 있다. 전처리실(110)과 이송실(A)(101) 간의 소통은 게이트(100e)에 의해 차단된다. 전처리실(110)은 EL 소자의 제작 공정에 따라 각종의 다른 형태를 취할 수 있다. 본 실시예 형식에서는 화소 전극의 표면을 자외선으로 조사하여 그 표면이 100 내지 120 ℃로 가열되도록 한다. 그 같은 전처리는 EL 소자의 양극 표면을 처리하는데 효과적이다.
이후로는 부호 "111"로 지시되어 있는 기상 막 퇴적실을 설명하기로 하는데, 그러한 기상 막 퇴적실은 증착 또는 스퍼터링에 의해 전도 막을 형성하거나 유기 EL 재료를 퇴적하기 위한 것이다. 기상 막 퇴적실(111)은 게이트(100f)를 통해 이송실(A)(101)과 접속된다. 본 실시예 형식에서는 기상 막 퇴적실(111)로서 증착실을 채용하고 있다. 증착실은 그 내부에 다수의 증착원을 구비할 수 있다. 그러한 증착원은 저항 가열 또는 전자빔에 의해 증착되어 막을 형성하게 된다.
기상 막 퇴적실(111) 중에서 형성된 전도 막은 EL 소자의 음극 전극으로서 사용된다. 그러한 전도 막을 형성하기 위해, 일 함수가 작은 금속을 증착시킨다. 그러한 금속은 전형적으로 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소(그 대표적인 것으로서는 리튬, 마그네슘, 세슘, 칼슘, 칼륨, 바륨, 나트륨, 및 베릴륨이 포함됨), 또는 일 함수가 전술된 원소의 그것과 유사한 금속으로 된다. 그 대신에, 알루미늄, 구리, 또는 은을 증착시켜 저항이 낮은 전도 막을 형성할 수도 있다. 또한, 증착에 의해 산화인듐과 산화주석과의 화합물 또는 산화인듐과 산화아연과의 화합물로 투명 전도 막을 형성하는 것도 역시 가능하다.
기상 막 퇴적실(111) 중에서는 공지되어 있는 임의의 EL 재료(특히, 저분자형 유기 EL 재료)가 퇴적될 수 있다. 발광층용의 EL 재료는 전형적으로 Alq3(트리스-8-퀴놀린올레이트 알루미늄 착체; tris-8- quinolinolate aluminum complex) 또는 DSA(증류된 알릴렌 유도체; distill allylene derivative)로 된다. 전하 주입 층용의 EL 재료는 전형적으로 CuPc(구리 프탈로시아닌; copper phthalocyanine), LiF(불화리튬; lithium fluoride), 또는 acacK(칼륨 아세틸아세토네이트; Kalium acetylacetonate)로 된다. 전하 이송 층용의 EL 재료는 전형적으로 TPD(트리-페닐아민 유도체; tri-phenylamine derivative) 또는 NPD(안트라센 유도체; anthracene derivative)로 된다.
전술된 EL 재료는 형광 물질(전형적으로 쿠마린(coumarin) 6, 나릴 레드(Nile red), DCM, 퀴나크리돈(quinacridone) 등)과 함께 공동으로 증착될 수도 있다. 그러한 공동 증착에는 공지되어 있는 임의의 형광 물질이 사용될 수 있다. 또한, EL 재료와 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 공동으로 증착시켜 발광층의 일부가 전하 이송 층 또는 전하 주입 층으로서의 역할을 하도록 하는 것도 역시 가능하다. 좀더 명확히 한다면, 공동 증착이란 퇴적 중에 상이한 물질이 혼합되도록 2개 이상의 증착원이 동시에 가열되는 증착을 의미한다.
여하튼, 유기 EL 재료의 증착이든 전도 막의 형성이든 그 어느 것이라도 기상 막 퇴적실(111)과 이송실(A)(101) 간의 소통을 게이트(100f)에 의해 차단한 채로 진공 중에서 실행하게 된다. 퇴적 시에는 페이스다운 방법(상향 퇴적 방법)이 채용됨을 유의해야 할 것이다.
다음으로, 부호 "112"는 게이트(110g)를 통해 이송실(A)(101)과 접속되는 밀봉실(글러브 박스(glove box)로서도 지칭됨)을 지시하고 있다. 밀봉실(112)에서 이루어지는 처리는 EL 소자를 기밀 공간 속에 밀봉하는 최종 단계에 대비하여 EL소자를 준비시키기 위한 것이다. 그러한 처리는 밀봉 재료를 사용하여 EL 소자를 기계적으로 밀봉함으로써 또는 열 경화 수지나 자외선 경화 수지로 밀봉함으로써 제작된 EL 소자가 산소 및 수분에 대해 보호되도록 한다.
밀봉 재료로서는 유리, 세라믹, 금속 등이 사용될 수 있다. 그러나, 발광이 밀봉 재료 측으로 이루어진다면, 밀봉 재료는 광 투과성이 있는 것이어야 한다. 밀봉 재료와 그 위에 EL 소자가 형성된 기판은 열 처리 또는 자외선 조사에 의해 경화되어 기밀 공간을 형성하는 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지의 사용에 의해 서로 접합된다. 기밀 공간 속에는 산화바륨과 같은 건조제를 넣어 두는 것이 효과적이다.
선택적으로, 밀봉 재료와 EL 소자에 의해 한정되는 공간을 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지로 충전시킬 수도 있다. 그 경우, 산화바륨과 같은 건조제를 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지 중에 혼합하는 것이 효과적이다.
도 1에 도시된 막 퇴적 장치에서는 밀봉실(112)이 그 내부에 자외선을 조사하기 위한 기구(113)(이후로 자외선 조사 기구로서 지칭됨)를 구비한다. 자외선 조사 기구(113)는 자외선을 방출하여 자외선 경화 수지를 경화시킨다. 밀봉실(112)에서의 조작은 글러브를 사용하여 수작업으로 이루어질 수도 있다. 그러나, 컴퓨터 제어 하의 자동 조작이 바람직하다. 밀봉 재료를 사용할 경우, 밀봉실(112)은 액정 장치에서와 유사하게 셀 조립 단계에서 사용되는 것과 같은 밀봉제(본 경우에는 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지)를 부착하기 위한 기구, 기판을 접합하기 위한 기구, 및 밀봉제를 경화시키기 위한 기구를 내장하고 있는것이 바람직하다.
송출 펌프를 밀봉실(112)에 부착한 경우에는 밀봉실(112)의 내부가 진공으로 될 수 있다. 밀봉 단계가 로봇에 의한 조작을 통해 자동으로 이루어질 경우에는 밀봉실 중의 압력을 감소시킴으로써 산소 및 수분의 침투를 방지하게 된다. 역으로, 밀봉실(112)의 내부를 가압할 수도 있다. 그 경우, 극히 순수한 질소 가스 또는 희유 가스로 퍼징하면서 가압을 실현함으로써 외기로부터 산소 등이 침투하는 것을 방지하게 된다.
밀봉실(112)은 인도실(패스 박스)(114)과 접속되어 있다. 인도실(114)은 밀봉실(112)에서 EL 소자의 밀봉이 완료된 후에 기판을 인도실(114)로 이송하는 이송 기구(C)(115)를 구비한다. 송출 펌프가 인도실(114)에 부착된 경우에는 인도실(114)도 역시 진공으로 될 수 있다. 인도실(114)은 밀봉실(112)이 외기에 바로 노출되는 것을 회피하기 위한 수용 설비이자 기판을 꺼내는 장소이다.
전술된 바와 같이, 도 1에 도시된 막 퇴적 장치는 기밀 공간 속에 EL 소자를 밀봉하는 것이 종료될 때까지 EL 소자가 외기에 노출되는 것을 완벽하게 방지할 수 있다. 또한, EL 소자는 산소 농도가 1 ppb 이하인 불활 성 분위기 하에 있는 액상 막 퇴적실(109) 중에서 퇴적되고, 그에 의해 산소가 거의 없는 상태로 막을 형성할 수 있게 된다. 그러한 이유로, 선행 기술에서보다 신뢰성이 더 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
[실시예 1]
본 실시예에서는 도 1에 도시된 액상 막 퇴적실(109)의 구조와는 상이한 구조로 된 액상 막 퇴적실을 채용하는 예에 관해 도 3(A) 내지 도 3(C)를 참조하여 설명하기로 한다. 도 3(A)는 액상 막 퇴적실(301)의 평면도이다. 도 2(A) 및 도 2(B)와 도 3(A) 내지 도 3(C)는 도포 컵(201), 척(202), 기판(203), 및 도포 노즐(204)을 공유하고 있다. 도 3에 도시된 막 퇴적 장치의 특징은 막 퇴적 장치의 외부에 산화로(302)가 마련되어 도 2(A) 및 도 2(B)의 산화 셀(205)을 대체하고 있고, 산화로(302)가 배관(303)에 의해 액상 막 퇴적실(301)에 접속되는데 있다.
특히, 도 3(B)에 도시된 바와 같이, 배관(3030)의 한쪽 출입구(흡입구)는 방진 후드(310)의 일부분에 마련되고, 배관(303)의 다른 쪽 출입구(배출구)는 산화로(302)에 마련된다.
도 3(C)에 도시된 바와 같이, 산화로(302)는 산화 셀(304), 히터(305), 및 산화 셀(304) 속에 놓여진 산소 게터링 작용제(306)를 구비한다. 산소 게터링 작용제(306)는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소로 이루어진다. 본 실시예에서는 산화 셀(304)로의 산소 공급을 차단하기 위한 셔터(307)가 추가로 마련된다.
본 실시예에서는 산소 게터링 작용제(306)가 산화로(302) 중에서 산화(연소)된다. 그러한 산화 시에 소모되는 산소는 배관(303)을 통해 액상 막 퇴적실(301)로부터 공급되고, 그에 의해 액상 막 퇴적실(301) 중의 산소 농도가 감소된다. 본 실시예에 따른 막 퇴적 장치는 본 실시예의 막 퇴적 장치의 인근에 열원이 배치될 필요가 없다는 점에서 도 1의 막 퇴적 장치와 근본적으로 상이하다. 열원이 본 실시예의 장치로부터 떨어져 있음으로써 취급이 보다 더 용이해지는데, 그 이유는 액상 막 퇴적실(301) 중에서 퇴적될 고분자형 유기 EL 재료가 도포 전에 유기 용매중에 용해되게 되기 때문이다.
본 실시예의 액상 막 퇴적실(301)은 도 1에 도시된 막 퇴적 장치의 막 퇴적실의 하나로서 사용될 수도 있다.
[실시예 2]
본 실시예에서는 다수의 줄의 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층을 형성하기 위한 액상 막 퇴적실이 도 1의 막 퇴적 장치에 마련되는 예에 관해 설명하기로 한다. 그러한 본 실시예의 액상 막 퇴적실을 도 4A 및 도 4B를 참조하여 설명하기로 한다.
도 4(A)는 옆으로부터 바라본 본 실시예의 액상 막 퇴적실(400)의 외양을 나타내고 있는 반면에, 도 4(B)는 전방으로부터 바라본 본 실시예의 액상 막 퇴적실의 외양을 나타내고 있다. 도 4(A)에서, 부호 "401"은 지지 베이스를, 그리고 부호 "402"는 그 위에 기판(403)이 고정되는 이송 스테이지를 각각 지시하고 있다. 이송 스테이지(402)는 X 방향(수평 방향) 및 Y 방향(수직 방향)으로 이동될 수 있다.
지지 베이스(401)에는 지지 필라(404) 및 홀더(405)가 부착된다. 도포 유닛(406)은 이송 스테이지(402) 위에 놓여진다. 도포 유닛(406)은 유기 EL 재료를 함유한 용액을 기판에 도포하기 위한 기구를 구비한 장치이다. 도포 유닛(406)은 헤드부(407)에 압축 가스(압축 불활성 가스) 및 유기 EL 재료를 함유한 용액을 공급한다. 도포 유닛(406)은 역 흡입(suck back) 기구(역 흡입 밸브 또는 공기 작동 밸브를 포함한 기구)를 구비하는 것이 바람직하다. 역 흡입 기구는 격막 게이지(diaphragm gage) 등에 의해 생기는 체적의 변화를 이용하여 배관 속의 압력을 감소시킴으로써 배관의 노즐 선단 근처에 수집된 용액의 액적을 노즐로 흡입시키기 위한 기구이다.
도포 유닛 및 전술된 기타의 구성 부품은 지지 베이스(401)에 부착된 방진 후드(408)에 의해 차폐된다. 방진 후드(408)는 기판을 이송하기 위한 입구를 구비한다. 그러한 입구에는 게이트가 마련되어 지지 베이스(401)와 방진 후드(408)와의 사이에 기밀 공간이 형성되도록 한다.
산화 셀(409), 히터(410), 및 산소 게터링 작용제(411)는 지지 베이스(401) 상에 배치되고, 산소 게터링 작용제(411)는 유기 EL 재료가 퇴적되기 전에 산화된다.
도 4(A) 및 도 4(B)의 액상 막 퇴적실(400)에서는 헤드부(407)가 고정되는 반면에 기판(403)을 실은 이송 스테이지(402)가 X 방향 또는 Y 방향으로 이동된다. 환언하면, 이송 스테이지의 이동에 의해 헤드부(407)가 위로, 그리고 기판(403)에 대해 이동되는 것이다. 물론, 헤드부(407) 그 자체가 이동될 수도 있다. 그러나, 헤드부가 아니라 기판을 이동시킬 경우에 보다 더 큰 안정성이 얻어진다.
전술된 바와 같이 구성된 액상 막 퇴적실(400)에 따르면, 유기 EL 재료(엄밀히 말하면, 유기 EL 재료를 용매 중에 용해시켜 얻은 혼합물)를 공급하기 위한 노즐을 구비한 헤드부(407)는 위로, 그리고 기판(403)에 대해 이동되어 도포가 필요한 기판의 부분에 유기 EL 재료를 도포하게 된다. 이후로는 헤드부(407)에 의한 유기 EL 재료의 도포 공정을 설명하기로 한다.
도 5(A)는 본 발명이 π계열의 짝 중합체로 이루어진 유기 EL 재료의 퇴적을 어떻게 실행하는지를 나타내는 도면이다. 도 5(A)에서, 부호 "510"은 그 위에 TFT로 화소부(511), 소스 측 구동 회로(512), 및 게이트 측 구동 회로(513)가 형성되는 기판을 지시하고 있다. 소스 측 구동 회로(512)에 접속되는 다수의 소스 배선 및 게이트 측 구동 회로(513)에 접속되는 다수의 게이트 배선이 화소로서 작용하는 영역을 둘러싸게 된다. 각각의 화소에는 TFT 및 그 TFT에 전기적으로 접속되는 EL 소자가 형성된다. 화소부(511)는 매트릭스형으로 배열되는 그러한 화소들로 이루어진다.
부호 "514a"는 용매와 전압이 그에 인가될 때에 적색으로 발광하는 유기 EL 재료(이후로 유기 EL 재료(R)로서 지칭됨)와의 혼합물을 지시하고 있다. 그러한 혼합물은 이후로 도포 용액(R)으로서 지칭된다. 부호 "514b"는 용매와 전압이 그에 인가될 때에 녹색으로 발광하는 유기 EL 재료(이후로 유기 EL 재료(G)로서 지칭됨)와의 혼합물을 지시하고 있다. 그러한 혼합물은 이후로 도포 용액(G)으로서 지칭된다. 부호 "514c"는 용매와 전압이 그에 인가될 때에 청색으로 발광하는 유기 EL 재료(이후로 유기 EL 재료(B)로서 지칭됨)와의 혼합물을 지시하고 있다. 그러한 혼합물은 이후로 도포 용액(B)으로서 지칭된다.
그러한 유기 EL 재료를 준비함에 있어서, 본 발명은 다음의 방법 중의 임의의 것을 취할 수 있다. 하나의 방법은 중합된 재료를 직접 용매 중에 용해시킨 후에 용액을 도포하는 것이다. 다른 방법은 용매 중에 용해된 단량체를 퇴적한 후에 열에 의해 막을 중합시키는 것이다. 본 실시예는 중합된 유기 EL 재료를 용매 중에 용해시킨 후에 용액을 도포하는 예를 예시하고 있다.
본 발명에 따르면, 도포 용액(R)(514a), 도포 용액(G)(514b), 및 도포 용액(B)(514c)을 도 4(A) 및 도 4(B)에 도시된 헤드부(407)로부터 배출하여 화살표로 지시된 방향으로 별개로 도포한다. 그 결과, 다수의 줄의 발광층(엄밀히 말하면, 발광층의 선구 물질)이 적색 발광 화소 열, 녹색 발광 화소 열, 및 청색 발광 화소 열에 동시에 형성되게 된다.
여기에서, 화소 열이란 뱅크(521)에 의해 인접된 모든 열과 분리되는 화소의 열을 의미한다. 각각의 뱅크(521)는 소스 배선 위에 형성된다. 환언하면, 화소 열은 다수의 화소가 소스 배선을 따라 일렬로 정렬되어 있는 열이 된다. 뱅크(521)는 여기에 예시된 예에서는 소스 배선 위에 형성되지만, 게이트 배선 위에 마련될 수도 있다. 그 경우, 화소 열은 다수의 화소가 게이트 배선을 따라 일렬로 정렬되어 있는 열이 된다.
따라서, 화소부(511)는 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선 위에 마련된 다수의 줄의 뱅크에 의해 서로 분리된 다수의 화소 열의 집합체로서 간주될 수 있다. 그러한 관점에서, 화소부(511)는 적색 발광층이 형성된 화소 열, 녹색 발광층이 형성된 화소 열, 및 청색 발광층이 형성된 화소 열로 이루어지면서 그러한 3종의 화소 열이 함께 줄무늬 패턴을 형성하게 된다고 할 수 있다.
또한, 다수의 줄의 뱅크가 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선 위에 형성되므로, 화소부(511)는 실질적으로 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선에 의해 분리된 다수의 화소 열의 집합체가 된다.
도 5(A)의 헤드부(즉, 도포부)(407)가 도 5(B)에 확대도로 도시되어 있다.
그 헤드부(407)는 적색 용액 노즐(516a), 녹색 용액 노즐(516b), 및 청색 용액 노즐(516c)을 구비한다. 그들 노즐의 내부에는 도포 용액(R)(514a), 도포 용액(G)(514b), 및 도포 용액(B)(514c)이 각각 충전되어 있다. 그러한 용액은 배관(517) 속에 충전되어 화소부(511) 상으로 압출되는 압축 가스에 의해 가압된다. 전술된 바와 같이 구성되는 헤드부(407)는 도면의 깊이 방향을 따라 도 5A에 예시된 형식으로 용액을 도포하는 인근 측 쪽으로 기판에 대해 이동된다.
용액이 도포되는 구역은 부호 "518"에 의해 지시되어 있고, 도 5(C)에 확대 도시되어 있다. 기판(510) 상에 마련되는 화소부(511)는 TFT(519a 내지 519c)와 화소 전극(520a 내지 520c)으로 이루어지는 화소의 집합체이다. 도포 용액(514a 내지 514c)은 도 5(B)에 도시된 노즐(516a 내지 516c) 속에서 압축 가스에 의해 가압될 때에 압력에 의해 압출된다.
수지재료로 제작된 뱅크(521)는 인접된 화소 사이에 마련되어 그 인접된 화소의 용액이 섞이는 것을 방지한다. 그러한 구조에서는 뱅크(521)의 폭(사진 인쇄술의 해상도에 의해 결정됨)이 감소되어 화소부에서의 집적도를 개선시키고, 그에 의해 고 선명 상이 제공된다. 점도가 1 내지 30 cp인 도포 용액이 특히 효과적이다.
그러나, 도포 용액의 점도가 30 cp 미만이거나, 용액이 아닌 겔 또는 졸인 경우에는 뱅크가 필요하지 않다. 즉, 코팅되는 표면과 그 표면 상에 놓여지는 도포 용액간의 각이 충분히 큰 경우에는 도포 용액이 그다지 멀리 퍼지지 않는다.따라서, 뱅크에 의해 도포 용액을 유지할 필요가 없다. 뱅크가 형성되지 않는 경우에는 발광층의 최종 형상이 긴 타원형(장축 직경과 단축 직경간의 비가 2 이상인 신장된 타원형)으로 된다. 전형적으로, 그러한 형상은 화소부의 일 단부로부터 그 타 단부까지 연장되는 신장된 타원형으로 된다.
뱅크(521)를 형성하는데 사용될 수 있는 수지 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드, 폴리아미드, 및 폴리이미드아민이 포함된다. 수지 재료를 그 속에 탄소, 흑색 색소 등을 혼합함으로써 미리 검게 만든다면, 뱅크(521)를 화소 사이의 차광 막으로서도 사용할 수 있다.
광 반사를 감지하는 센서가 노즐(516a, 516b, 또는 561c)에 부착될 수도 있다. 그에 의해, 코팅되는 표면과 노즐과의 사이의 간격을 그 간격이 일정하게 유지되도록 조정하는 것이 가능하다. 노즐(516a)과 노즐(516b)과의 사이의 간격 및 노즐(615b)과 노즐(516c)과의 사이의 간격을 화소 피치(화소간 간격)에 따라 조정하기 위한 기구가 그러한 센서에 부가될 수 있다. 그럴 경우, 헤드부는 EL 표시장치의 화소 피치와는 상관이 없이 임의의 EL 표시장치를 취급할 수 있게 된다.
그와 같이 노즐(516a, 내지 516c)로부터 배출되는 도포 용액(514a 내지 514c)은 각각 화소 전극(520a 내지 520c)을 덮도록 도포된다. 전술된 바와 같은 헤드부(407)의 조작은 전기 신호에 의해 제어된다.
도포 용액(514a 내지 514c)을 도포한 후에는 진공 중에서 열처리를 실행하여 도포 용액(514a 내지 514c) 주에 함유된 유기 용매를 증발시킴으로써 유기 EL 재료로 이루어진 발광층을 형성한다. 따라서, 사용되는 유기 용매는 유기 EL 재료의유리 전이 온도(Tg) 보다 더 낮은 온도에서 증발되는 것들 중에서 선택된다. 유기 EL 재료의 점도는 최종 형태의 발광층의 두께를 결정한다. 그러한 점도는 적절한 유기 용매를 선택함으로써 또는 첨가제를 사용함으로써 조정될 수 있다. 바람직한 점도는 1 내지 50 cp(보다 바람직하게는 5 내지 20 cp)이다.
전술된 바와 같은 액상 막 퇴적실은 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광을 각각 방출하는 3종의 발광층을 동시에 형성할 수 있고, 그에 의해 중합체 계열의 유기 EL 재료로 이루어진 발광층을 높은 단위 시간당 처리량으로 형성하는 것을 가능하게 한다. 본 실시예에서는 잉크젯 방법과는 다르게 단일의 조작으로 3가지 용액의 세트를 기판에 도포하여 3줄의 반도체 층을 한번에 형성하기 때문에, 단위 시간당 처리량이 매우 높다.
본 발명에 따라 산소를 게터링하여 EL 소자의 신뢰성을 높이는 것은 본 실시예의 액상 막 퇴적실의 경우에도 마찬가지이다. 본 실시예의 액상 막 퇴적실은 제1 실시예에서 전술된 액상 막 퇴적실(스핀 코팅 장치)과 함께 사용될 수도 있다.
[실시예 3]
본 실시예에서는 도 5(A) 내지 도 5(C)에 도시되고 실시예 2에서 설명된 헤드부와는 다른 구조로 된 액상 막 퇴적실에 관해 설명하기로 한다. 도 5(A) 내지 도 5(C)와 동일한 도면 부호로 지시되는 구성 부품에 관해서는 실시예 2의 설명을 참조하면 된다.
도 6(A)는 본 실시예의 액상 막 퇴적실의 헤드부를 도시하고 있다. 노즐(601a 내지 601c)은 그 노즐에 대해 동축상인 로드(602a 내지 602c)를 그 내부에 각각 구비한다. 그들 노즐(601a 내지 601c) 속에는 도포 용액(R)(603a), 도포 용액(G)(603b), 및 도포 용액(B)(603c)이 각각 충전된다. 로드(602a 내지 602c)는 응고된 도포 용액으로 인한 폐색을 방지할 수 있다.
노즐(601a 내지 601c)의 내벽은 도포 용액을 튀겨 내는 것이 바람직하고, 로드(602a 내지 602c)의 표면은 도포 용액을 흡수하는 것이 바람직하다. 노즐(601a 내지 601c)의 내벽을 소수성으로 하기 위해, 노즐은 테프론(Teflon), PVDF(폴리비닐리덴 플루오라이드), 및 금속(전형적으로 스테인리스 강, 알루미늄, 및 지르코늄)과 같은 소수성 재료로 형성된다. 로드(602a 내지 602c)의 표면을 친수성으로 하기 위해, 로드는 나일론 또는 PVA(폴리비닐 알코올)를 그 전형적 예로 하는 친수성 재료로 형성된다.
도포 용액(R)(603a), 도포 용액(G)(603b), 및 도포 용액(B)(603c)이 응고되는 것은 노즐(601a 내지 601c)을 금속으로 형성하여 그 노즐(601a 내지 601c)에 초음파가 전파되도록 함으로써도 역시 방지될 수 있다.
도포 용액(R)(603a), 도포 용액(G)(603b), 및 도포 용액(B)(603c)은 로드(602a 내지 602c)가 퇴적 타깃 표면(본 실시예에서는 화소 전극(520a 내지 520c)의 표면)과 접촉된 상태로 도포된다. 로드(602a 내지 602c)는 매우 연질의 재료로 형성되고, 퇴적 타깃 표면에 맞대어 스치도록 그 표면 상에서 이동된다. 그러한 로드의 이동은 도 6(B)에 예시되어 있다.
노즐(601a)은 로드(602a)가 화소 전극(520a)에 접촉된 상태로 화살표에 의해 지시된 방향으로 이동된다. 따라서, 도포 용액(R)(603a)은 로드(602a)를 따라 미끄러져 내려와서 화소 전극(520a)의 표면에 도포된다. 그러한 방법은 잉크젯 방법에서와 같이 도포 용액을 뿌리는 것을 필요로 하지 않으므로, 용액을 도포함에 있어서 위치 설정이 부정확하게 되는 문제점을 일으키지 않는다.
전술된 바와 같이, 본 실시예의 헤드부를 구비한 액상 막 퇴적실은 유기 EL 소자를 섬세한 패턴에 따라 퇴적시킬 수 있는 동시에 노즐 폐색의 문제점을 해소시킬 수 있다. 또한, 본 실시예의 막 퇴적실은 본 발명의 형식에 따라 미리 산소를 게터링함으로써 EL 소자가 신뢰성이 높게 되도록 할 수 있다.
본 실시예의 구조는 실시예 2에 예시된 액상 막 퇴적실의 헤드부 및 도 1의 액상 막 퇴적실에 적용될 수도 있다. 또한, 실시예 1의 액상 막 퇴적실과 함께 사용될 수도 있다.
[실시예 4]
본 실시예에서는 실시예 3에 설명된 노즐과는 상이한 구조로 된 노즐을 구비하는 액상 막 퇴적실에 관해 설명하기로 한다. 도 7(A)는 도포 전후의 대기 상태에 있는 노즐을, 그리고 도 7(B)는 도포 조작 중에 있는 노즐을 각각 나타내고 있다. 도 7(C) 및 도 7(D)는 위로부터 바라본 노즐의 횡단면도이다.
도 7(A)에서, 부호 "701"은 노즐을, 부호 "702"는 로드를, 그리고 부호 "703"은 도포 용액을 각각 지시하고 있다. 노즐 및 로드의 재료에 관해서는 실시예 2 및 실시예 3을 참조하면 된다. 노즐(701)의 내벽은 도포 용액을 튀겨 낼 수 있고, 로드(702)는 도포 용액을 흡수할 수 있다.
본 실시예의 노즐(701)은 그 내벽 상에 로드 스토퍼부(704a, 74b)를 구비한다. 로드 스토퍼부(704a)는 그 중심에 도포 용액을 통과시킬 수 있는 홀을 구비한다. 로드(702)는 그 직경이 로드 스토퍼부(704a)에 형성된 홀의 직경보다 더 큰 스토퍼부(705)를 구비한다.
즉, 노즐이 도포 전후의 대기 상태에 있을 경우에는 스토퍼부(705)가 도 7(A)에 도시된 바와 같이 로드 스토퍼부(704) 상에 걸리게 되어 도포 용액(703)의 이동 경로가 봉쇄된다. 따라서, 도포 용액(703)은 노즐이 대기 상태에 있는 동안에는 노즐의 선단으로부터 누출되지 않게 된다.
한편, 도포 용액이 도포될 때에는 도 7(B)에 도시된 바와 같이 로드(702)의 선단(706)이 퇴적 타깃 표면(707)과 접촉되어 로드(702)가 노즐(701) 속으로 압입되게 된다. 그 경우, 로드(702)는 스토퍼부(705)가 로드 스토퍼부(704b)에 접촉됨으로써 정지된다. 그러한 상태에서는 도포 용액(703)이 로드(702)를 따라 미끄러져 내려와서 노즐의 외부로 유출됨으로써 퇴적 타깃 표면(707)에 도포되게 된다.
로드(702)의 선단(706)은 구형으로 되는 것이 바람직하다. 그러한 구형 선단은 퇴적 타깃 표면(707)의 손상을 방지할 수 있다.
본 실시예의 액상 막 퇴적실은 전술된 바와 같은 구조의 노즐을 구비함으로써 실시예 2에 설명된 역 흡입 기구를 필요로 함이 없이 도포 용액의 누출을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시예의 막 퇴적실은 본 발명의 형식에 따라 미리 산소를 게터링함으로써 EL 소자가 신뢰성이 높게 되도록 할 수 있다. 본 실시예의 구조는 실시예 2에 예시된 액상 막 퇴적실의 헤드부 및 도 1의 액상 막 퇴적실에 적용될 수도 있다. 또한, 실시예 1의 액상 막 퇴적실과 함께 사용될 수도 있다.
[실시예 5]
본 실시예에서는 도 1의 막 퇴적 장치가 플라즈마 처리용 기구가 마련된 전처리실(110)을 구비하는 예에 관해 설명하기로 한다. EL 소자의 음극 표면을 전처리하게 되면, 바람직하게도 금속으로 제작된 음극의 표면으로부터 천연적인 산화물이 제거된다. 본 실시예에서는 플라즈마 처리용 기구가 불소 또는 염소를 함유한 가스를 사용하여 음극 표면 상에서 플라즈마 처리를 실행함으로써 천연적인 산화물을 제거하게 된다.
본 실시예의 구조는 실시예 1 내지 3의 구조 중의 임의의 것과 자유롭게 조합될 수 있다.
[실시예 6]
본 실시예에서는 도 1의 막 퇴적 장치가 스퍼터링 기구가 마련된 전처리실(110)을 구비하는 예에 관해 설명하기로 한다. EL 소자의 음극 표면을 전처리하게 되면, 바람직하게도 금속으로 제작된 음극의 표면으로부터 천연적인 산화물이 제거된다. 본 실시예에서는 스퍼터링 기구가 희유 가스 또는 질소와 같은 불활성 가스를 사용하여 음극 표면 상에서 스퍼터링을 실행함으로써 천연적인 산화물을 제거하게 된다.
본 실시예의 구조는 실시예 1 내지 3의 구조 중의 임의의 것과 자유롭게 조합될 수 있다.
[실시예 7]
본 실시예에서는 도 1에 도시된 막 퇴적 장치를 사용하여 발광장치(구체적으로 EL 표시장치)를 제작하는 예에 관해 예시하기로 한다.
우선, 화소부 및 구동 회로부를 형성하기 위해 공지의 기술로 기판 상에 TFT를 형성한다. 본 실시예에서는 본 발명의 출원인에게 허여된 미국 특허 제6,023,308호에 개시되어 있는 기술을 사용하여 화소부와 구동 회로부를 동일한 기판 상에 형성한다. 화소부의 화소 TFT에는 투명 전도 막으로 이루어진 화소 전극을 전기적으로 접속된 상태로 마련하여 EL 소자의 양극으로서의 역할을 하도록 한다.
TFT 및 화소 전극의 형성이 완료된 기판(이후로 액티브 매트릭스 기판으로서 지칭하기로 함)을 도 1의 저장실(105) 속에 놓는다.
이어서, 액티브 매트릭스 기판을 전처리실(110)로 이송하여 그 곳에서 화소 전극의 표면을 전처리한다. 본 실시예에서는 오존 분위기 중에서 자외선으로 조사함으로써 화소 전극의 표면 상태를 개선시킨다.
이어서, 액티브 매트릭스 기판을 기상 막 퇴적실(111)로 이송하여 증착에 의해 구리 프탈로시아닌 막을 홀 주입 층으로서 형성한다. 본 실시예에서는 구리 프탈로시아닌 막의 두께가 20 ㎚로 되지만, 그에 특별히 한정되는 것은 아니다.
그 다음, 액티브 매트릭스 기판을 다시 저장실(105)로 복귀시켜 이송 기구(B)(107)에 의해 액티브 매트릭스 기판을 배소실(108)로 이송한다. 배소실(108)에서는 액티브 매트릭스 기판이 뒤집어져서 TFT가 형성되어 있는 측면이 위쪽을 향하게 된다.
그 다음, 뒤집어진 액티브 매트릭스 기판을 도 2(A) 및 도 2(B)에 도시된 구조로 된 액상 막 퇴적실(109)로 이송한다. 액상 막 퇴적실(109)은 실시예 1 내지 4의 구조 중의 임의의 구조로 될 수 있음을 유의해야 할 것이다. 먼저, 산화 셀(205) 중에서 산소 게터링 작용제(본 실시예에서는 마그네슘)를 산화시켜 액상 막 퇴적실 중의 산소 농도를 1 ppb 이하로 감소시킨다. 그런 연후에, 디클로로메탄 중에 용해된 폴리페닐렌 비닐렌의 선구 물질을 스핀 코팅에 의해 도포한다.
그러한 선구 물질로 코팅된 액티브 매트릭스 기판을 배소실(108)로 이송하여 그 곳에서 폴리페닐렌 비닐렌의 선구 물질을 배소시킨다. 즉, 그러한 선구 물질을 중합시켜 폴리페닐렌 비닐렌 막으로 이루어진 발광층을 형성한다. 배소가 완료되면, 액티브 매트릭스 기판을 다시 뒤집어서 저장실(105)로 복귀시킨다.
그 다음, 액티브 매트릭스 기판을 기상 막 퇴적실(111)로 이송하여 증착에 의해 두께가 400 ㎚인 알루미늄 막을 형성한다. 그러한 알루미늄 막은 EL 소자의 음극으로서의 역할도 한다. 본 실시예에 사용되는 알루미늄 막은 티타늄, 스칸듐, 또는 실리콘을 함유한 알루미늄 합금 막으로 될 수 있다. 알루미늄 막 대신에, 구리, 구리 합금, 또는 은으로 이루어진 전도 막을 사용할 수도 있다.
이어서, 액티브 매트릭스 기판을 불활성 가스(질소 가스 또는 희유 가스)로 충전된 밀봉실(112)로 이송한다. 밀봉실에서는 액티브 매트릭스 기판 상에 밀봉 재료를 형성하고, EL 소자가 형성되어 있는 측면을 차폐하도록 액티브 매트릭스 기판에 차폐 부재를 접합한다. 즉, EL 소자가 불활성 가스로 충전된 기밀 공간 속에 밀봉되어 EL 소자와 외기 간의 접촉이 완전히 차단되게 된다. 또한, 기밀 공간을 불활성 가스 대신에 수지 재료로 충전시키는 것도 역시 가능하다. 그럴 경우에는수지 재료 중에 흡수성 물질을 넣는 것이 효과적이다.
결국, 액티브 매트릭스 기판과 차폐 부재가 밀봉 재료에 의해 서로 접합되게 된다. 이어서, 밀봉 재료를 자외선 조사 기구(113)를 사용하여 자외선으로 조사하여 경화시킨다. 그와 같이 EL 소자의 밀봉 처리를 완료한 후에는 밀봉된 액티브 매트릭스 기판을 인도실(114)로 이송한다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 막 퇴적 장치는 산소 함량이 최소화되어 EL 소자와 외기 간의 접촉이 완전히 차단된 환경 중에서 EL 소자를 형성하는 공정을 연속적으로 실행할 수 있다.
본 실시예에 예시된 예는 액티브 매트릭스 EL 표시장치를 제작하는 공정의 예이다. 그러나, 본 실시예는 패시브 매트릭스 EL 표시장치를 제작하는 공정에 적용될 수도 있을 뿐만 아니라, 배경 조명으로서 사용하기 위한 발광장치를 제작하는 공정에도 적용될 수 있다.
[실시예 8]
본 실시예에서는 실시예 7의 것과는 상이한 구조로 된 발광장치를 도 1에 도시된 막 퇴적 장치를 사용하여 제작하는 예에 관해 설명하기로 한다. 본 실시예의 설명은 액티브 매트릭스 EL 표시장치를 예로 하여 이루지게 될 것이다.
우선, 미국 특허 제6,023,308호에 개시되어 있는 기술을 사용하여 화소부와 구동 회로부를 기판 상에 형성한다. 본 실시예에서는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 함유한 전도 막을 화소 전극으로서 사용한다. 즉, 본 실시예에서의 화소 전극은 EL 소자의 음극으로서의 역할을 한다.
그와 같이 액티브 매트릭스 기판을 완성한 후에는 그 액티브 매트릭스 기판을 도 1의 저장실(105) 속에 놓는다.
그 다음, 액티브 매트릭스 기판을 전처리실(110)로 이송하여 화소 전극의 표면을 전처리한다. 본 실시예에서는 불소 또는 염소를 함유한 가스를 사용하여 기판 상에서 플라즈마 처리를 실행하여 천연적인 산화물을 제거한다.
이어서, 액티브 매트릭스 기판을 기상 막 퇴적실(111)로 이송하여 그 곳에서 증착에 의해 불화리튬 막을 전자 주입 층으로서 형성한다. 본 실시예에서는 불화리튬 막의 두께가 20 ㎚로 되지만, 그러한 막 두께에 특별히 한정되는 것은 아니다.
액티브 매트릭스 기판을 저장실(105)로 다시 복귀시킨 후에 이송 기구(B)(107)에 의해 액티브 매트릭스 기판을 배소실(108)로 이송한다. 그 경우에 액티브 매트릭스 기판은 뒤집어진다.
뒤집어진 액티브 매트릭스 기판을 도 4(A) 및 도 4(B)에 도시된 구조로 된 액상 막 퇴적실(109)로 이송한다. 먼저, 산화 셀(409) 중에서 산소 게터링 작용제(본 실시예에서는 나트륨)를 산화시켜 액상 막 퇴적실(109) 중의 산소 농도를 1 ppb 이하로 감소시킨다. 그런 연후에, 톨루엔 중에 용해된 폴리비닐 카르바졸의 선구 물질을 도 5A 내지 도 %C에 도시된 방법으로 도포한다.
그러한 선구 물질로 코팅된 액티브 매트릭스 기판을 배소실(108)로 이송하여 그 곳에서 폴리비닐 카르바졸의 선구 물질을 배소시킨다. 즉, 그러한 선구 물질을 중합시켜 폴리비닐 카르바졸 막으로 이루어진 발광층을 형성한다. 배소가 완료되면, 액티브 매트릭스 기판을 다시 뒤집어서 저장실(105)로 복귀시킨다.
이어서, 액티브 매트릭스 기판을 기상 막 퇴적실(111)로 이송하여 증착에 의해 두께가 20 ㎚인 구리 프탈로시아닌 막을 형성하고, 추가로 증착에 의해 두께가 200 ㎚인 투명 전도 막(특히, 산화인듐과 산화아연의 산화물을 함유한 막)을 형성한다. 그러한 투명 전도 막은 EL 소자의 양극으로서의 역할을 한다. 본 실시예에 사용되는 투명 전도 막은 산화인듐과 산화주석의 화합물을 함유한 막으로 대체될 수도 있다.
그 다음, 액티브 매트릭스 기판을 볼활성 가스(질소 가스 또는 희유 가스)로 충전된 밀봉실(112)로 이송한다. 밀봉실에서는 액티브 매트릭스 기판 상에 밀봉 재료를 형성하고, EL 소자가 형성되어 있는 측면을 차폐하도록 액티브 매트릭스 기판에 차폐 부재를 접합한다. 즉, EL 소자가 불활성 가스로 충전된 기밀 공간 속에 밀봉되어 EL 소자와 외기 간의 접촉이 완전히 차단되게 된다. 또한, 기밀 공간을 불활성 가스 대신에 수지 재료로 충전시키는 것도 역시 가능하다. 그럴 경우에는 수지 재료 중에 흡수성 물질을 넣는 것이 효과적이다.
결국, 액티브 매트릭스 기판과 차폐 부재가 밀봉 재료에 의해 서로 접합되게 된다. 이어서, 밀봉 재료를 자외선 조사 기구(113)를 사용하여 자외선으로 조사하여 경화시킨다. 그와 같이 EL 소자의 밀봉 처리를 완료한 후에는 밀봉된 액티브 매트릭스 기판을 인도실(114)로 이송한다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 막 퇴적 장치는 산소 함량이 최소화되어 EL 소자와 외기 간의 접촉이 완전히 차단된 환경 중에서 EL 소자를 형성하는 공정을 연속적으로 실행할 수 있다.
[실시예 9]
본 실시예에서는 본 발명의 액티브 매트릭스형 EL 표시장치에 관해 도 8(A) 및 도 8(B)를 참조하여 설명하기로 한다. 도 8(A)는 액티브 매트릭스 기판 상에 형성된 EL 소자를 밀봉하는 것이 완료된 상태의 액티브 매트릭스형 EL 표시장치를 나타내는 평면도이다. 점선으로 표시된 것 중에서, 부호 "801"은 소스 측 구동 회로를, 부호 "802"는 게이트 측 구동 회로를, 그리고 부호 "803"은 화소부를 각각 지시하고 있다. 또한, 부호 "804"는 차폐 부재를, 부호 "805"는 제1 밀봉 부재를, 그리고 부호 "806"은 제2 밀봉 부재를 각각 지시하고 있다. 제1 밀봉 부재(805)에 의해 둘러싸인 채로 밀봉된 기판의 내부 및 차폐 부재와 액티브 매트릭스 기판과의 사이에 형성되는 공간 중에는 충전물(도 8(B)를 참조)이 충전된다.
소스 측 구동 회로(801), 게이트 측 구동 회로(802), 및 화소부(803)에 신호를 입력하기 위한 접속 배선이 부호 "808"에 의해 지시되어 있다. 그러한 접속 배선(808)은 외부 기기와의 접속 단자로서의 역할을 하는 FPC(가요성 인쇄 기판)(809)로부터 비디오 신호 및 클록 신호를 수신한다.
도 8(B)에는 도 8(A)의 A-A' 선을 따라 취한 횡단면에 해당하는 단면도가 도시되어 있다. 도 8(A) 및 도 8(B)에서는 동일한 도면 부호가 동일한 구성 부품을 지시하는데 사용되고 있다.
도 8(B)에 도시된 바와 같이, 화소부(803) 및 소스측 구동 회로(801)를 기판(800) 상에 형성한다. 화소부(803)는 EL 소자로 흐르는 전류를 제어하기 위한TFT(851)(이후로 전류 제어 TFT로서 지칭됨) 및 TFT(851)의 드레인에 전기적으로 접속된 화소 전극을 각각 포함하는 다수의 화소로 이루어진다. 본 실시예에서는 전류 제어 TFT가 P채널 TFT로 형성된다. 또한, 소스측 구동 회로(801)는 N채널 TFT(853)와 P채널 TFT(854)가 상보적으로 조합되어 있는 CMOS 회로를 사용하여 형성된다.
각각의 화소는 화소 전극의 아래에 컬러 필터(R)(855), 컬러 필터(G)(856), 및 컬러 필터(B)(도시를 생략)를 구비한다. 컬러 필터(R)는 적색 광을 추출하기 위한 컬러 필터이고, 컬러 필터(G)는 녹색 광을 추출하기 위한 컬러 필터이며, 컬러 필터(B)는 청색 광을 추출하기 위한 컬러 필터이다. 컬러 필터(R)(855), 컬러 필터(G)(856), 및 컬러 필터(B)는 적색 발광 화소, 녹색 발광 화소, 및 청색 발광 화소에 각각 마련되는 것임을 유의해야 할 것이다.
그러한 컬러 필터를 마련하는 경우에 얻어지는 효과로서는 우선 발광되는 광의 컬러 순도가 개선되는 것을 들 수 있다. 예컨대, 적색 광은 적색 발광 화소로 이루어진 EL 소자로부터 조사된다(본 실시예에서는 광이 화소 전극 쪽을 향한 방향으로 조사됨). 그러한 적색 광의 컬러 순도는 그 적색 광이 적색 광을 추출하기 위한 컬러 필터를 통과하도록 함으로써 개선될 수 있다. 그와 같이 컬러 필터에 의해 컬러 순도가 개선되는 것은 녹색 광 및 청색 광의 다른 광에 대해서도 마찬가지로 적용될 수 있다.
컬러 필터를 사용하지 않는 종래의 구조에서는 EL 표시장치의 외부로부터 침투하는 가시 방사선이 EL 소자의 발광층을 활성화시키기 때문에, 원하는 컬러가 얻어질 수 없는 문제점이 생기게 된다. 그러나, 실시예 9에서와 같은 컬러 필터를 마련함으로써 특정 파장의 광만이 EL 소자로 들어오게 된다. 환언하면, EL 소자를 활성화시키는 외부 광의 단점이 회피될 수 있다.
EL 소자의 구조 중에 컬러 필터를 마련하는 것은 이미 제안된 바 있지만, 그러한 구조에서는 백색 광을 방출하는 EL 소자가 사용되었음을 유의해야 할 것이다. 그 경우, 백색 광을 추출하기 위해 다른 파장의 광이 차단되고, 그 결과 휘도의 감소가 초래되었다. 그러나, 실시예 9에서는 예컨대 EL 소자로부터 발광되는 적색 광이 적색 광을 추출하기 위한 컬러 필터를 통과하게 되기 때문에, 휘도 감소가 발생되지 않는다.
그 다음, 투명 전도 막으로 화소 전극(852)을 형성하여 EL 소자의 양극으로서의 기능을 하도록 한다. 화소(852)의 각각의 단부 상에는 절연 막(857)을 형성하여 적색 광을 방출하는 발광층(858) 및 녹색 광을 방출하는 발광층(859)을 추가로 형성하게 된다. 도면에 도시되지 않은 청색 광을 방출하는 발광층은 인접 화소에 마련됨을 유의해야 할 것이다. 즉, 컬러 디스플레이는 적색, 녹색, 및 청색에 해당하는 화소에 의해 이루어진다. 물론, 청색 광을 방출하는 발광층이 형성되어 있는 화소에는 청색을 추출하기 위한 컬러 필터가 마련된다.
그러한 발광층(858, 859)은 도 1에 도시된 막 퇴적 장치를 사용하여 퇴적됨을 유의해야 할 것이다. 또한, 실제로 발광층이 퇴적되는 액상 막 퇴적실은 실시예 1 내지 4의 구조 중의 임의의 구조로 될 수 있다. 발광층(858, 859)의 재료로서는 유기재료는 무론 무기재료도 사용될 수 있다. 또한, 본 실시예에 예시된 구조는 발광층만으로 이루어지지만, 그러한 구조는 발광층이 전자 주입 층, 전자 이송 층, 홀 이송 층, 또는 홀 주입 층과 조합되어 있는 적층 구조로 될 수도 있음을 유의해야 할 것이다.
차광 특성이 있는 전도 막으로 제작되는 EL 소자의 음극(860)을 각각의 발광층의 상단에 형성한다. 그러한 음극(860)은 모든 화소에 의해 공유되는 공통의 배선으로서의 기능을 하고, 접속 배선(808)을 경유하여 FPC(809)에 전기적으로 접속된다.
그 다음, 제1 밀봉 부재(805)를 디스펜서 등을 사용하여 형성하고, 스페이서(도시를 생략)를 산재시켜 제1 밀봉 부재를 차폐 부재(804)에 접합한다. 이어서, 진공 주입 방법에 의해 액티브 매트리스 기판, 차폐 부재(804), 및 제1 밀봉 부재(805)에 의해 둘러싸인 공간 속에 충전물(807)을 충전한다.
실시예 9에서는 산화바륨이 수분 흡수재(861)로서 충전물(807) 중에 미리 첨가된다. 실시예 9에 사용되는 충전물 중에는 미리 수분 흡수재가 첨가되지만, 그러한 수분 흡수재는 충전물 속에 대량으로 분산되어 밀봉될 수도 있다. 또한, 도면에 도시되지 않은 스페이서의 재료로서 수분 흡수제를 사용하는 것도 역시 가능하다.
충전물(807)을 자외선 조사 또는 열에 의해 경화시킨 후에는 제1 밀봉 부재(805)에 형성된 개구부(도시를 생략)를 밀봉한다. 제1 밀봉 부재(805)의 개구부를 밀봉할 때에는 전도 재료(862)를 사용하여 접속 배선(808)과 FPC(809)를 전기적으로 접속한다. 이어서, 제1 밀봉 부재(805)의 부분과 FPC(809)의 부분을 차폐하도록 제2 밀봉 부재(806)를 배치한다. 제2 밀봉 부재(806)는 제1 밀봉 부재(807)와 동일한 재료로 형성될 수 있다.
전술된 방법을 사용하여 충전물(807) 속에 EL 소자를 밀봉함으로써 EL 소자가 외부로부터 완전히 차단되고, 그에 따라 수분 또는 산소와 같이 유기재료의 산화를 가속화시키는 물질이 외부로부터 침입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 높은 EL 표시장치가 제작될 수 있다.
본 발명을 채용함으로써 기존의 액정 표시장치의 생산라인이 새롭게 개조될 수 있기 때문에, 유지 투자비의 급격한 감소가 가능하게 된다. 다수의 발광장치가 고 수율의 공정에 의해 한 개의 기판으로 제작될 수 있고, 그 결과 제작 비용의 상당히 삭감이 이루어진다.
본 실시예의 EL 표시장치는 실시예 1 내지 7의 구조 중의 임의의 구조와 자유롭게 조합될 수 있음을 유의해야 할 것이다.
[실시예 10]
본 실시예에서는 실시예 9에 도시된 EL 표시장치에서 EL 소자로부터 발광되는 광의 방출 방향 및 컬러 필터의 배치가 상이하게 되는 경우의 예에 관해 설명하기로 한다. 본 실시예의 설명은 도 9를 참조하여 이루어지지만, 그 기본적인 구조는 도 8(B)의 구조와 동일하므로, 변형된 구성 부품을 새로운 도면 부호로 지시하여 설명하는 외에는 공통의 도면 부호를 사용하기로 한다.
본 실시예에서는 화소부(901)의 전류 제어 TFT(902)로서 N채널 TFT가 사용된다. 전류 제어 TFT(902)의 드레인에는 차광 특성이 있는 전도 막으로 형성된 화소전극(903)이 전기적으로 접속된다. 본 실시예에서는 화소 전극(903)이 EL 소자의 음극으로서의 역할을 한다.
적색 광을 방출하는 발광층(858) 및 녹색 광을 방출하는 발광층(859) 상에는 각각의 화소에 의해 공유되는 공통의 전도 막으로서의 기능을 하는 투명 전도 막(904)이 형성되는데, 발광층(858, 859)은 본 발명을 사용하여 형성된다. 투명 전도 막(904)은 EL 소자의 양극으로서의 역할을 한다.
또한, 본 실시예에 따르면, 컬러 필터(R)(905), 컬러 필터(G)(906, 및 컬러 필터(B)(도시를 생략)는 차폐 부재(804) 상에 형성된다. 본 실시예의 EL 소자의 구조를 채용할 경우에는 발광층으로부터 방출되는 광이 차폐 부재 쪽을 향한 방향으로 방출된다. 따라서, 도 9의 구조를 채용함으로써 컬러 필터가 광 경로의 지점에 설치될 수 있게 된다.
본 실시예에서와 같이 컬러 필터(R)(905), 컬러 필터(G)(906), 및 컬러 필터(B)(도시를 생략)를 차폐 부재(804) 상에 마련함으로써 액티브 매트릭스 기판의 제작 단계가 감축될 수 있다. 그 결과, 수율 및 단위 시간당 처리량에서의 개선과 같은 장점이 얻어질 수 있다.
본 실시예의 EL 표시장치는 실시예 1 내지 7의 구조 중의 임의의 구조와 자유롭게 조합될 수 있음을 유의해야 할 것이다.
본 발명에 따른 막 퇴적 장치는 EL 재료로 형성되는 발광층의 열화를 최소한으로 제한함으로써 EL 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 그 EL소자를 사용하는 발광장치의 신뢰성을 현저히 개선시키는 것을 가능하게 한다.

Claims (30)

  1. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    기판을 이송하기 위한 기구를 포함하는 이송실; 및
    게이트를 통해 이송실과 접속되는 액상 막 퇴적실을 구비하고,
    액상 막 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키기 위한 기구가 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  4. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    기판을 이송하기 위한 기구를 포함하는 이송실; 및
    게이트를 통해 이송실과 접속되는 액상 막 퇴적실을 구비하고,
    액상 막 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키기 위한 기구가 배관을 경유하여 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  7. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    게이트를 통해 저장실과 각각 접속되는 2개의 이송실;
    게이트를 통해 2개의 이송실 중의 하나와 접속되는 기상 막 퇴적실; 및
    게이트를 통해 다른 하나의 이송실과 접속되는 액상 막 퇴적실을 구비하고,
    액상 막 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키기 위한 기구가 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  10. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    게이트를 통해 저장실과 각각 접속되는 2개의 이송실;
    게이트를 통해 2개의 이송실 중의 하나와 접속되는 기상 막 퇴적실; 및
    게이트를 통해 다른 하나의 이송실과 접속되는 액상 막 퇴적실을 액상 막 퇴적실을 구비하고,
    액상 막 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키기 위한 기구가 배관을 경유하여 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  13. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    기판을 이송하기 위한 이송실; 및
    게이트를 통해 이송실과 접속되는 EL 재료 퇴적실을 구비하고,
    EL 재료 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키기 위한 기구가 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  16. 기판을 싣거나 내리기 위한 저장실;
    게이트를 통해 저장실과 각각 접속되는 2개의 이송실;
    게이트를 통해 2개의 이송실 중의 하나와 접속되는 기상 막 퇴적실; 및
    게이트를 통해 다른 하나의 이송실과 접속되는 EL 재료 퇴적실을 구비하고,
    EL 재료 퇴적실에는 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소가 들어 있는 셀이 마련되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 이송실의 내부는 감압된 압력 하에 유지되고, 액상 막 퇴적실은 불활성 가스로 충전되어 대기압 하에 또는 가압된 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  18. 제 16 항에 있어서, 이송실은 게이트를 통해 배소실과 접속되고, 배소실은 기판을 뒤집기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 막 퇴적 장치.
  19. 위에 다수의 화소 전극이 형성되는 기판을 액상 막 퇴적실로 이송하는 단계;
    액상 막 퇴적실을 기밀적으로 밀봉하여 그 액상 막 퇴적실 중에서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키는 단계; 및
    유기 EL 재료를 함유한 막을 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 형성하는데 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 잉크젯 방법, 또는 디스펜싱 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 산소 농도가 1 ppb 이하인 분위기 중에서 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  22. 위에 다수의 화소 전극이 형성되는 기판을 액상 막 퇴적실로 이송하는 단계;
    액상 막 퇴적실을 기밀적으로 밀봉하여 그 액상 막 퇴적실 중에서 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키는 단계;
    유기 EL 재료를 함유한 막을 기판 상에 형성하는 단계; 및
    위에 유기 EL 재료를 함유한 막이 형성된 기판을 기상 막 퇴적실로 이송하여 유기 EL 재료를 함유한 막 상에 전도 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 형성하는데 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 잉크젯 방법, 또는 디스펜싱 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  24. 제 22 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 산소 농도가 1 ppb 이하인 분위기 중에서 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  25. 위에 다수의 화소 전극이 형성되는 기판을 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소가 들어 있는 셀을 구비하는 EL 재료 퇴적실로 이송하는 단계;
    EL 재료 퇴적실을 기밀적으로 밀봉하여 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키는 단계; 및
    EL 층을 화소 전극 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 형성하는데 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 잉크젯 방법, 또는 디스펜싱 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  27. 제 25 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 산소 농도가 1 ppb 이하인 분위기 중에서 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  28. 위에 다수의 화소 전극이 형성되는 기판을 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소가 들어 있는 셀을 구비하는 EL 재료 퇴적실로 이송하는 단계;
    EL 재료 퇴적실을 기밀적으로 밀봉하여 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소를 산화시키는 단계;
    EL 층을 화소 전극 상에 형성하는 단계; 및
    위에 EL 막이 형성된 기판을 기상 막 퇴적실로 이송하여 EL 막 상에 전도 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 형성하는데 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 잉크젯 방법, 또는 디스펜싱 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
  30. 제 28 항에 있어서, 유기 EL 재료를 함유한 막을 산소 농도가 1 ppb 이하인 분위기 중에서 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제작 방법.
KR1020000071138A 1999-11-29 2000-11-28 성막 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치 제작방법 KR100664662B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33719099 1999-11-29
JP11-337190 1999-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010061975A true KR20010061975A (ko) 2001-07-07
KR100664662B1 KR100664662B1 (ko) 2007-01-04

Family

ID=37529376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000071138A KR100664662B1 (ko) 1999-11-29 2000-11-28 성막 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치 제작방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100255184A1 (ko)
JP (5) JP4827294B2 (ko)
KR (1) KR100664662B1 (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW577813B (en) 2000-07-10 2004-03-01 Semiconductor Energy Lab Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
JP4889883B2 (ja) * 2000-07-10 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法および成膜装置
US6879110B2 (en) 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
WO2002031544A1 (fr) 2000-10-12 2002-04-18 Sanyo Electric Co.,Ltd. Procede de formation d"un filtre couleur, procede de formation d"une couche d"elements electroluminescents, procede de fabrication d"un dispositif d"affichage couleur, comprenant ledit filtre et ladite couche, et dispositif d"affichage couleur
JP2003208977A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP4366896B2 (ja) * 2002-01-24 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置の製造装置
JP3979135B2 (ja) * 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
JP4165145B2 (ja) * 2002-08-07 2008-10-15 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP4343850B2 (ja) 2003-02-20 2009-10-14 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
TWI228384B (en) * 2003-06-26 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Active matrix organic light emitting diode
KR100543004B1 (ko) * 2003-09-18 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
JP5193465B2 (ja) * 2004-04-27 2013-05-08 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ表示パネル
JP2007122914A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置
JP5116978B2 (ja) * 2006-02-27 2013-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 塗布方法および塗布装置
JP5034812B2 (ja) * 2007-09-19 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
JP2009231278A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子の製造方法、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
GB0819450D0 (en) * 2008-10-23 2008-12-03 Cambridge Display Tech Ltd Oled driver chiplet integration
FR2947097B1 (fr) * 2009-06-23 2011-11-25 Riber Sa Appareil de fabrication de galettes de semi-conducteur et appareil de depot par evaporation de materiaux par jet moleculaire
KR101107160B1 (ko) * 2009-07-10 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20130048962A1 (en) * 2010-02-05 2013-02-28 Panasonic Corporation Organic electroluminescent element, method for producing same, and device for producing same
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP3474317B1 (en) * 2013-03-13 2022-06-22 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
JP6220171B2 (ja) * 2013-07-03 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP6232880B2 (ja) * 2013-09-26 2017-11-22 日本精機株式会社 有機ｅｌパネルの製造装置及び有機ｅｌパネルの製造方法。
KR101970449B1 (ko) 2013-12-26 2019-04-18 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
EP3975229A1 (en) * 2014-01-21 2022-03-30 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
KR102059313B1 (ko) * 2014-04-30 2019-12-24 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
WO2016057302A1 (en) * 2014-10-06 2016-04-14 Edgewell Personal Care Brands, Llc Method of shaping a surface coating on a razor blade using centrifugal force
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP6560923B2 (ja) * 2015-07-27 2019-08-14 東レエンジニアリング株式会社 封止膜形成装置および封止膜形成方法
CN205645818U (zh) * 2016-05-18 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板
US10661223B2 (en) 2017-06-02 2020-05-26 Applied Materials, Inc. Anneal chamber with getter
US20200294827A1 (en) * 2019-03-15 2020-09-17 Intel Corporation Needle dispenser for dispensing and collecting an underfill encapsulant

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3649215A (en) * 1969-09-18 1972-03-14 Universal Oil Prod Co Catalytic exhaust converter construction
JPS4816204B1 (ko) * 1969-10-08 1973-05-21
JPS5315466B2 (ko) * 1973-04-28 1978-05-25
US4029747A (en) * 1974-11-26 1977-06-14 Molecular Energy Research Co., Inc. Method of preparing inorganic monomeric and polymeric complexes and products so produced
US4272259A (en) * 1976-07-21 1981-06-09 Union Carbide Corporation Gas gettering system
US4118542A (en) * 1977-01-17 1978-10-03 Wall Colmonoy Corporation Controlled atmosphere and vacuum processes
DE2702582C3 (de) * 1977-01-22 1980-12-04 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur Herstellung von Trimethylolalkanen
US4225805A (en) * 1978-12-22 1980-09-30 Gte Products Corporation Cathode ray tube getter sealing structure
JPS598039B2 (ja) * 1979-12-27 1984-02-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US4357557A (en) * 1979-03-16 1982-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof
US4322230A (en) * 1980-09-08 1982-03-30 Donaldson Company, Inc. Unitized gas-particulate filter and housing
US4405487A (en) * 1982-04-29 1983-09-20 Harrah Larry A Combination moisture and hydrogen getter
JPS58213868A (ja) * 1982-06-04 1983-12-12 Toyota Central Res & Dev Lab Inc アルミニウムまたはアルミニウム合金のイオン窒化方法およびその装置
EP0139764B1 (en) * 1983-03-31 1989-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film integrated devices
US4579723A (en) * 1985-03-28 1986-04-01 The Boc Group, Inc. Methods for purifying inert gas streams
JPH02272568A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Canon Inc 電子写真感光体の製造方法
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
US7071910B1 (en) * 1991-10-16 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US6759680B1 (en) * 1991-10-16 2004-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having thin film transistors
JP2811248B2 (ja) * 1991-12-13 1998-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5328336A (en) * 1992-12-09 1994-07-12 Praxair Technology, Inc. Getter capsule
JPH06206031A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 粘性体塗布装置およびその方法
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JPH07124510A (ja) * 1993-11-05 1995-05-16 Dainippon Printing Co Ltd 同時多層塗工方法及びそれに使用する塗工装置
US5465780A (en) * 1993-11-23 1995-11-14 Alliedsignal Inc. Laser machining of ceramic cores
JPH07226294A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Tec Corp Ｅｌユニットの製作方法
KR100246496B1 (ko) * 1994-03-16 2000-04-01 구라우치 노리타카 유기일렉트로루미너 센스소자
US5821003A (en) * 1994-03-16 1998-10-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Organic electroluminescent device
IT233246Y1 (it) * 1994-04-13 2000-01-26 Sagitta Off Mec Dispositivo di erogazione continua di sostanze dense e/o vischiose con asta cilindrica coassialmente scorrevole
JP3120168B2 (ja) * 1994-05-30 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US5911560A (en) * 1994-10-31 1999-06-15 Saes Pure Gas, Inc. Getter pump module and system
JPH08321380A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Chisso Corp 有機電界発光素子
US5935395A (en) * 1995-11-08 1999-08-10 Mitel Corporation Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump
JPH09307146A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Matsushita Electric Works Ltd 熱電変換素子の製造方法
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JPH10134959A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル
JPH10223138A (ja) * 1996-12-04 1998-08-21 Dainippon Printing Co Ltd 蛍光体充填装置
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP2845856B2 (ja) * 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6051326A (en) * 1997-04-26 2000-04-18 Cabot Corporation Valve metal compositions and method
JP3393534B2 (ja) * 1997-05-16 2003-04-07 タツモ株式会社 処理液供給ノズルシステム
JPH1145779A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法および装置
JP3475051B2 (ja) * 1997-08-25 2003-12-08 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
JP3885303B2 (ja) * 1997-08-29 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 発光基板の製造方法
US6124215A (en) * 1997-10-06 2000-09-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Apparatus and method for planarization of spin-on materials
IT1295340B1 (it) * 1997-10-15 1999-05-12 Getters Spa Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas
WO1999021233A1 (en) * 1997-10-17 1999-04-29 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
JP3722629B2 (ja) * 1997-12-05 2005-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 現像液吐出ノズルおよび現像液供給装置
IT1297013B1 (it) * 1997-12-23 1999-08-03 Getters Spa Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore
DE19812258A1 (de) * 1998-03-20 1999-09-23 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
JPH11297477A (ja) * 1998-04-08 1999-10-29 Tdk Corp 有機ｅｌカラーディスプレイ
JP3775048B2 (ja) * 1998-04-14 2006-05-17 松下電器産業株式会社 有機発光素子
JPH11312581A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子とその製造方法
US6566153B1 (en) * 1998-10-14 2003-05-20 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6873098B2 (en) * 1998-12-22 2005-03-29 Alton O. Christensen, Sr. Electroluminescent devices and displays with integrally fabricated address and logic devices fabricated by printing or weaving
US6317286B1 (en) * 1999-01-29 2001-11-13 Seagate Technology Llc Diaphragm-sealed disc drive
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP4472056B2 (ja) * 1999-07-23 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001223077A (ja) 2001-08-17
US20100255184A1 (en) 2010-10-07
JP5463406B2 (ja) 2014-04-09
JP2014089963A (ja) 2014-05-15
JP2012074389A (ja) 2012-04-12
JP5604581B2 (ja) 2014-10-08
JP2013033761A (ja) 2013-02-14
KR100664662B1 (ko) 2007-01-04
JP2011049182A (ja) 2011-03-10
JP4827294B2 (ja) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100664662B1 (ko) 성막 장치 및 그 장치를 이용한 발광장치 제작방법
US7641533B2 (en) Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment
JP4827290B2 (ja) 薄膜形成装置
US7012367B2 (en) Display device having light blocking layer, and electric device
US6911773B2 (en) Display apparatus, electric device, and manufacturing method of display apparatus
JP5005071B2 (ja) 発光装置の作製方法
US8197295B2 (en) Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
US8105855B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
US7449252B2 (en) Organic electroluminescent device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2003249377A (ja) 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2004259696A (ja) エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2003208978A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121119

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131119

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151201

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161129

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee