JPH09307146A - 熱電変換素子の製造方法 - Google Patents

熱電変換素子の製造方法

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JPH09307146A
JPH09307146A JP8118652A JP11865296A JPH09307146A JP H09307146 A JPH09307146 A JP H09307146A JP 8118652 A JP8118652 A JP 8118652A JP 11865296 A JP11865296 A JP 11865296A JP H09307146 A JPH09307146 A JP H09307146A
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JP
Japan
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thermoelectric conversion
conversion element
manufacturing
getter material
thermoelectric
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JP8118652A
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English (en)
Inventor
Takusane Ueda
卓実 上田
Hiroyoshi Yoda
浩好 余田
Keiichi Yamazaki
圭一 山崎
Noboru Hashimoto
登 橋本
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 緻密化が向上し、熱電変換性能に優れた熱電
変換素子が得られる熱電変換素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 Bi、Te、Se及びSb元素からなる
群より選択される少なくとも2種類以上の元素を含有し
た合金の焼結体からなる熱電変換素子を製造する熱電変
換素子の製造方法において、Bi、Te、Se及びSb
元素からなる群より選択された少なくとも2種類以上の
元素を含有する熱電変換原料粉末、有機溶剤及び有機バ
インダーを混合してペーストを作製し、このペーストを
所望の形状に成形して成形体を作製し、この成形体を非
酸化雰囲気中で、かつ、前記有機バインダーの分解ガス
を吸着又は反応除去するゲッター材の存在下で、脱バイ
ンダーして、焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はペルチェ効果を利用
した熱電変換素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】熱電変換素子は、一般に、P型半導体素
子とN型半導体素子とを交互に2枚の基板等の絶縁体の
間に並べて、P型半導体素子とN型半導体素子のそれぞ
れの上端、下端を導通させて、これらを多数、電気的に
直列に接続したペルチェ素子群に直流電圧を印加するこ
とによって、基板に発熱又は吸熱を生じさせるものであ
り、熱電変換モジュールとして使用され、熱電発電及び
熱電冷却における種々の分野において幅広く利用されて
いる。
【0003】また、熱電変換素子の性能評価としては、
熱電性能指数Zが用いられる。これは、次式の3種の基
本的特性により、決定されるものである。
【0004】Z=α2 /(ρ・κ) Z;熱電性能指数(1/K) α;熱電能(μV/K) ρ;比抵抗(mΩ・cm) κ;熱伝導率(W/cm
・K) 一般に、熱電性能指数が大きいほど、熱電変換効率が良
いとされており、熱電変換素子は、大きな熱電性能指数
を有するほうが良いとされている。
【0005】この熱電変換素子を製造する方法としては
一般に、特開平1−202343号公報に開示されてい
るように、原料粉末を溶解させ単結晶に近い棒状インゴ
ットを成長させる単結晶法及び特開平1−106478
号公報に開示されているように原料粉末をホットプレス
によりインゴットを作製するホットプレス法を用いて、
バルク状の熱電変換材料インゴットを作製し、これを用
途に応じて切断し、熱電変換素子を作製するという製造
方法であった。
【0006】更に、近年においては、前記の熱電変換素
子の製造方法以外の製造方法として、特公平3−477
50号公報に開示されているように、量産性が良く、材
料コストがかからないスクリーン印刷法により厚膜熱電
変換素子を作製するという熱電変換素子の製造方法があ
った。
【0007】従来のスクリーン印刷法による熱電変換素
子の製造方法では、脱バインダー及び焼成時に発生する
有機バインダーの分解ガスによるカーボン雰囲気が、熱
電変換材料の焼結性に悪影響をおよぼし、熱電変換素子
が充分に緻密化されず、そのため、熱電変換素子の機械
強度等が悪くなるという問題があった。更に、バインダ
ー成分から生じる分解ガス成分については酸素成分 (O
2)を含んでおり、この酸素が、熱電変換材料の金属元素
を酸化させ、熱電性能を低下させる原因となっていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の事実に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、緻密
化が向上し、熱電変換性能に優れた熱電変換素子が得ら
れる熱電変換素子の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
熱電変換素子の製造方法は、Bi、Te、Se及びSb
元素からなる群より選択される少なくとも2種類以上の
元素を含有した合金の焼結体からなる熱電変換素子を製
造する熱電変換素子の製造方法において、Bi、Te、
Se及びSb元素からなる群より選択された少なくとも
2種類以上の元素を含有する熱電変換原料粉末、有機溶
剤及び有機バインダーを混合してペーストを作製し、こ
のペーストを所望の形状に成形して成形体を作製し、こ
の成形体を非酸化雰囲気中で、かつ、前記有機バインダ
ーの分解ガスを吸着又は反応除去するゲッター材の存在
下で、脱バインダーして、焼成することを特徴とする。
【0010】本発明の請求項2に係る熱電変換素子の製
造方法は、前記ゲッター材が、バリウム−アルミニウム
合金、バリウム−マグネシウム合金、鉄、コバルト、ニ
ッケル、銅、及び亜鉛からなる群より選択される少なく
とも1種以上の金属又はこれらの合金であることを特徴
とする。
【0011】本発明の請求項3に係る熱電変換素子の製
造方法は、前記ゲッター材が粉末であり、かつ、この粉
末のゲッター材を前記成形体から離して配置し、脱バイ
ンダーして、焼成することを特徴とする。
【0012】本発明の請求項4に係る熱電変換素子の製
造方法は、前記ゲッター材で被覆された内壁を備える容
器中で、前記成形体を脱バインダーして、焼成すること
を特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳述する。
【0014】本発明に係る熱電変換素子の製造方法は、
P型半導体素子とN型半導体素子とを交互に2枚の絶縁
層の間に並べて銅電極等の電極により電気的に直列に接
続したペルチエ素子群に直流電圧を印加することによっ
て、いわゆるペルチエ効果で一方の絶縁層が発熱される
とともに、他方の絶縁層が吸熱される熱電変換モジュー
ルに用いられるP型半導体素子又はN型半導体素子であ
る熱電変換素子の製造方法である。
【0015】本発明に係る熱電変換素子の構成元素とし
ては、少なくとも、ビスマス(Bi)、テルル(T
e)、セレン(Se)又はアンチモン(Sb)元素のう
ち、2種類以上の元素が必要である。これらの構成元素
を含んだ原料に、N型半導体又はP型半導体の熱電変換
素子になるように微量のドーパントを加え、十分に混合
及び/又は必要に応じて溶融した後、粉砕して熱電変換
原料粉末を得る。熱電変換原料粉末としては、例えば、
Bi−Te合金、Bi−Sb合金、Bi−Te−Sb合
金、Bi−Te−Se合金又はBi−Te−Sb−Se
合金等を用いることができるが、上記組み合わせに限定
される物ではない。この熱電変換原料粉末、有機溶剤及
び有機バインダーを混合してペーストを作製する。
【0016】本発明の熱電変換素子に係る製造方法に用
いる有機溶剤としては、例えば、テルピネオール又はブ
チルカルビトールアセテート等が挙げられる。本発明の
熱電変換素子に係る製造方法に用いる有機バインダーと
しては、例えば、アクリル系樹脂等が挙げられる。前記
ペーストを所望の形状に成形して成形体を作製し、この
成形体を非酸化雰囲気中で、かつ、前記有機バインダー
の分解ガスを吸着又は反応除去するゲッター材の存在下
で、例えば、350〜400℃程度で加熱することによ
り、有機バインダーを除去、すなわち脱バインダーし、
次いで、非酸化性雰囲気中で、例えば、360〜520
℃程度の所定の温度で焼成する。非酸化雰囲気中で、焼
成を行わないと焼成中に成形体が酸化してしまい、熱電
変換素子の熱電特性が悪くなってしまうので好ましくな
い。非酸化性雰囲気としては、N 2 及び/又はAr等の
不活性ガス、さらにはこれらの不活性ガスとH2 ガスと
の混合ガスであれば、熱電変換素子の酸化を抑え、さら
には還元作用も得られるために、さらに好ましい。
【0017】前記成形体をゲッター材の存在下で、脱バ
インダー及び焼成することにより、焼結に悪影響を及ぼ
すと考えられるカーボン雰囲気を低減させることが可能
となり、焼結性が改善される。さらに、残存する微量の
酸素の除去が可能となり、熱電変換性能の低下を防ぐこ
とができる。本発明に係る熱電変換素子の製造方法に用
いるゲッター材としては、バリウム−アルミニウム合
金、バリウム−マグネシウム合金、鉄、コバルト、ニッ
ケル、銅、及び亜鉛からなる群より選択される少なくと
も1種以上の金属又はこれらの合金等が好ましい。さら
に、熱電変換素子の成形工程で、前記ゲッター材を粉末
として用い、かつ熱電変換素子の成形体と直接接触しな
いように、この粉末のゲッター材を前記成形体から離し
て配置し、脱バインダーして、焼成することが好まし
い。すなわち、熱電変換素子の成形体と前記ゲッター材
とを直接接触させた場合には、熱電変換原料粉末とゲッ
ター成分の粉末が反応して、合金化してしまい、熱電変
換性能が悪くなってしまう傾向にある。したがって、前
記ゲッター材の粉末と成形体とを直接接触しないように
配置して脱バインダー及び焼成することにより、ゲッタ
ー材としての効果が得られ、熱電変換性能に優れた熱電
変換素子が得られる。例えば、前記ゲッター材で被覆さ
れた内壁を備える容器中で、前記成形体を脱バインダー
して、焼成してもよい。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって具
体的に説明する。
【0019】(実施例1〜実施例7)インゴット全量に
対して、1.75重量%のSeをドープしたP型−Bi
0.5Sb1.5 Te3 の組成を有する熱電変換材料の合金
のインゴットを作製した。このP型熱電変換材料の熱電
性能指数(Z)は、(2.8±0.1)×10-3/Kで
あった。このインゴットを、ボールミルを用いて粉砕
し、熱電変換原料粉末とした。この熱電変換原料粉末1
00重量部に対して、有機溶剤であるナカライ社製のテ
ルピネオールを10重量部及び有機バインダーであるア
クリル系樹脂バインダー〔共栄社油脂社製:商品名オリ
コックス−KC3000C〕を3重量部加えて配合し、
高粘度用真空混練機により8時間混練して、ペーストを
作製した。
【0020】次に、得られたペーストを、作製する素子
形状3mm×3mmを切り抜いた厚さ0. 4mmのメタル
マスク板により素子を印刷成形し、120℃で1時間乾
燥して、前記ペーストに含まれる有機溶剤を蒸発させ
て、成形体を作製した。
【0021】次に、得られた成形体と表1に示したゲッ
ター材である金属粉末とを、BN(ボロンナイトライ
ド)容器中に別々に離して配置して、Ar(アルゴン)
雰囲気中、約350〜400℃で脱バインダーを行った
後、約450℃焼成し、熱電変換素子を作製した。得ら
れた熱電変換素子に対する評価結果として、熱電性能指
数Z及び相対密度を測定して表1に示した。
【0022】熱電性能指数Zは、この熱電変換素子のゼ
ーベック係数α、熱伝導度κ、電気抵抗ρをそれぞれ測
定し、熱電性能指数Z=α2 /(κ・ρ)を計算により
算出した。なお、ゼーベック係数αは室温20℃で試料
の一端を20℃に、他端を30℃にして両端温度差を1
0℃にしたときに両端に発生した起電力を測定すること
により求めた。比抵抗ρは四端子法、熱伝導率κはレー
ザーフラッシュ法にて測定した。また、相対密度は、ア
ルキメデス法による相対密度測定を行い、熱電変換材料
の真密度を100%として焼結体の密度を算出したもの
である。
【0023】(実施例8〜実施例10)実施例1におい
て、成形体とゲッター材である金属粉末とを、BN容器
中に別々に離して配置することに代えて、表1に示した
ゲッター材をBN容器の内壁に被覆して、ゲッター材で
被覆された内壁を備える容器を作製し、この容器中で、
成形体を、脱バインダーした後、焼成した以外は、実施
例1と同様にして熱電変換素子を作製して、熱電性能指
数Z及び相対密度を測定して、その結果を表1に示し
た。 (比較例1)実施例1において、ゲッター材を用
いなかった以外は、実施例1と同様にして熱電変換素子
を作製して、熱電性能指数Z及び相対密度を測定して、
その結果を表1に示した。
【0024】
【表1】
【0025】表1から、実施例は比較例に比べて大きな
熱電性能指数及び相対密度を有する熱電変換材料である
ことが分かった。特に、実施例8〜実施例10について
は、実施例1〜実施例7に比べて、熱電性能指数が、さ
らに優れていることが分かった。
【0026】
【発明の効果】本発明の請求項1乃至請求項4に係る熱
電変換素子の製造方法は、Bi、Te、Se及びSb元
素からなる群より選択される少なくとも2種類以上の元
素を含有した合金の焼結体からなる熱電変換素子を製造
する熱電変換素子の製造方法において、Bi、Te、S
e及びSb元素からなる群より選択された少なくとも2
種類以上の元素を含有する熱電変換原料粉末、有機溶剤
及び有機バインダーを混合してペーストを作製し、この
ペーストを所望の形状に成形して成形体を作製し、この
成形体を非酸化雰囲気中で、かつ、前記有機バインダー
の分解ガスを吸着又は反応除去するゲッター材の存在下
で、脱バインダーして、焼成するので、本発明の請求項
1乃至請求項4に係る熱電変換素子の製造方法による
と、前記成形体をゲッター材の存在下で、脱バインダー
及び焼成することにより、焼結に悪影響を及ぼすと考え
られるカーボン雰囲気を低減させることが可能となり、
焼結性が改善され、さらに、残存する微量の酸素の除去
が可能となり、熱電変換性能の低下を防ぐことができる
ため、大きな熱電性能指数及び相対密度を有する高性能
な熱電変換素子が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 登 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Bi、Te、Se及びSb元素からなる
    群より選択される少なくとも2種類以上の元素を含有し
    た合金の焼結体からなる熱電変換素子を製造する熱電変
    換素子の製造方法において、Bi、Te、Se及びSb
    元素からなる群より選択された少なくとも2種類以上の
    元素を含有する熱電変換原料粉末、有機溶剤及び有機バ
    インダーを混合してペーストを作製し、このペーストを
    所望の形状に成形して成形体を作製し、この成形体を非
    酸化雰囲気中で、かつ、前記有機バインダーの分解ガス
    を吸着又は反応除去するゲッター材の存在下で、脱バイ
    ンダーして、焼成することを特徴とする熱電変換素子の
    製造方法。
  2. 【請求項2】 前記ゲッター材が、バリウム−アルミニ
    ウム合金、バリウム−マグネシウム合金、鉄、コバル
    ト、ニッケル、銅、及び亜鉛からなる群より選択される
    少なくとも1種以上の金属又はこれらの合金であること
    を特徴とする請求項1記載の熱電変換素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記ゲッター材が粉末であり、かつ、こ
    の粉末のゲッター材を前記成形体から離して配置し、脱
    バインダーして、焼成することを特徴とする請求項1又
    は請求項2記載の熱電変換素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記ゲッター材で被覆された内壁を備え
    る容器中で、前記成形体を脱バインダーして、焼成する
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項3いずれかに記載
    の熱電変換素子の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223077A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及びそれを用いた発光装置の作製方法
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