KR20010051144A - 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 - Google Patents
유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010051144A KR20010051144A KR1020000061624A KR20000061624A KR20010051144A KR 20010051144 A KR20010051144 A KR 20010051144A KR 1020000061624 A KR1020000061624 A KR 1020000061624A KR 20000061624 A KR20000061624 A KR 20000061624A KR 20010051144 A KR20010051144 A KR 20010051144A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- subcomponent
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- mol
- barium titanate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Abstract
Description
Claims (38)
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분과,MgO, CaO, BaO, SrO 및 Cr2O3로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제 1 부성분과,산화 실리콘을 주성분으로 함유하는 제 2 부성분과,V2O5, MoO3및 WO3로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제 3 부성분과,R1의 산화물(단, R1은 Sc, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 적어도 1종)을 함유하는 제 4 부성분과,CaZrO3또는 CaO+ZrO2를 함유하는 제 5 부성분을 적어도 갖는 유전체 자기 조성물로서,티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대한 각 부성분의 비율이,제 1 부성분 : 0.1 ∼ 3몰,제 2 부성분 : 2 ∼ 10몰,제 3 부성분 : 0.01 ∼ 0.5몰,제 4 부성분 : 0.5 ∼ 7몰(단, 제 4 부성분의 몰수는 R1단독의 비율이다),제 5 부성분 : 0 〈 제 5 부성분 ≤ 5몰,인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대한 제 4 부성분 및 제 5 부성분의 몰수(단, 제 4 부성분의 몰수는 R1단독의 비율이다)를 각각 X좌표 및 Y좌표로 나타낸 경우에, 제 4 부성분 및 제 5 부성분의 몰수가 Y=5, Y=0, Y=(2/3)X-(7/3), X=0.5 및 X=5의 직선으로 둘러싸인 범위 내(단, Y=0의 경계선 상은 포함하지 않는다)의 관계에 있는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대한 제 4 부성분 및 제 5 부성분의 몰수(단, 제 4 부성분의 몰수는 R1 단독의 비율이다)를 각각 X좌표 및 Y좌표로 나타낸 경우에, 제 4 부성분 및 제 5 부성분의 몰수가 Y=5, Y=0, Y=(2/3)X-(7/3), Y=-(1.5)X+9.5, X=1 및 X=5의 직선으로 둘러싸인 범위 내(단, Y=0의 경계선 상은 포함하지 않는다)의 관계에 있는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 제 6 부성분으로서 R2의 산화물(단, R2는 Y, Dy, Ho, Tb, Gd 및 Eu로부터 선택되는 적어도 1종)을 또한 갖고, 상기 제 6 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 9몰 이하(단, 제 6 부성분의 몰수는 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 제 6 부성분으로서 R2의 산화물(단, R2는 Y, Dy, Ho, Tb, Gd 및 Eu로부터 선택되는 적어도 1종)을 또한 갖고, 상기 제 6 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 9몰 이하(단, 제 6 부성분의 몰수는 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 3 항에 있어서, 제 6 부성분으로서 R2의 산화물(단, R2는 Y, Dy, Ho, Tb, Gd 및 Eu로부터 선택되는 적어도 1종)을 또한 갖고, 상기 제 6 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 9몰 이하(단, 제 6 부성분의 몰수는 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 합계 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 13몰 이하(단, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 몰수는 R1 및 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 합계 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 13몰 이하(단, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 몰수는 R1 및 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 6 항에 있어서, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 합계 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 13몰 이하(단, 제 4 부성분 및 제 6 부성분의 몰수는 R1 및 R2 단독의 비율이다)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 부성분이 SiO2, MO(단, M은 Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li2O 및 B2O3로부터 선택되는 적어도 1종으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 부성분이 SiO2, MO(단, M은 Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li2O 및 B2O3로부터 선택되는 적어도 1종으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 부성분이 SiO2, MO(단, M은 Ba, Ca, Sr 및 Mg로부터 선택되는 적어도 1종의 원소), Li2O 및 B2O3로부터 선택되는 적어도 1종으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 제 7 부성분으로서 MnO를 또한 갖고, 상기 제 7 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 0.5몰 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 제 7 부성분으로서 MnO를 또한 갖고, 상기 제 7 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 0.5몰 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 제 3 항에 있어서, 제 7 부성분으로서 MnO를 또한 갖고, 상기 제 7 부성분의 함유량이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대해 0.5몰 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,DSC(시차 주사 열량 측정)에 의해 측정된 단위 시간당 열류차(dq/dt)를 온도로 미분한 값을 DDSC로 했을 때, 온도와 DDSC의 관계를 나타내는 그래프에 있어서, 퀴리 온도의 양측에 존재하는 1쌍의 피크간의 온도차가 4.1℃ 이상인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,Cu-Kα선을 사용한 X선 회절에 있어서, 2θ=44 ∼ 46°의 범위 내에,(002) 결정면의 피크와 (200) 결정면의 피크를 포함하는 의립방정(擬立方晶) 피크가 관찰되고,실온에 있어서, 상기 의립방정 피크의 반값폭이 0.3°이상이고,상기 (002) 결정면의 피크 강도를 I(002)로 하고, 상기 (200) 결정면의 피크 강도를 I(200)로 했을 때, I(002) ≥ I(200)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,Cu-Kα선을 사용한 X선 회절에 있어서, 2θ=98 ∼ 103°의 범위 내에,(004)결정면의 피크와 (400) 결정면의 피크를 포함하는 의립방정 피크가 관찰되고,120℃에 있어서, 상기 의립방정 피크의 반값폭이 0.4°이상인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,라만 분광법에 의해 시료 온도를 가변시켜 측정한 경우에,시료 온도 130℃에 있어서, 270cm-1에서의 라만 피크 강도를 I270, 310cm-1에서의 라만 피크 강도를 I310으로 했을 때, 0.1 ≤(I310/I270)인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로서,라만 분광법에 의해 시료 온도를 가변시켜 측정한 경우에,시료 온도 130℃에 있어서, 535cm-1에서의 라만 피크의 반값폭이 95cm-1이하인 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분과,MgO, CaO, BaO, SrO 및 Cr2O3로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제 1 부성분과,산화 실리콘을 주성분으로 함유하는 제 2 부성분과,V2O5, MoO3및 WO3로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제 3 부성분과,R1의 산화물(단, R1은 Sc, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 적어도 1종)을 함유하는 제 4 부성분과,CaZrO3또는 CaO+ZrO2를 함유하는 제 5 부성분을 적어도 갖고,티탄산 바륨을 함유하는 주성분 100몰에 대한 각 부성분의 비율이,제 1 부성분 : 0.1 ∼ 3몰,제 2 부성분 : 2 ∼ 10몰,제 3 부성분 : 0.01 ∼ 0.5몰,제 4 부성분 : 0.5 ∼ 7몰(단, 제 4 부성분의 몰수는 R1단독의 비율이다),제 5 부성분 : 0 〈 제 5 부성분 ≤ 5몰,인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 DSC(시차 주사 열량 측정)에 의해 측정된 단위 시간당 열류차(dq/dt)를 온도로 미분한 값을 DDSC로 했을 때, 온도와 DDSC의 관계를 나타내는 그래프에 있어서, 퀴리 온도의 양측에 존재하는 1쌍의 피크간의 온도차가 4.1℃ 이상인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 Cu-Kα선을 사용한 X선 회절 분석하는 경우에, 2θ=44 ∼ 46°의 범위 내에, (002) 결정면의 피크와 (200) 결정면의 피크를 포함하는 의립방정 피크가 관찰되고,실온에 있어서, 상기 의립방정 피크의 반값폭이 0.3°이상이고,상기 (002) 결정면의 피크 강도를 I(002)로 하고, 상기 (200) 결정면의 피크 강도를 I(200)로 했을 때, I(002) ≥ I(200)인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 Cu-Kα선을 사용한 X선 회절에 있어서, 2θ=98 ∼ 103°의 범위 내에, (004)결정면의 피크와 (400) 결정면의 피크를 포함하는 의립방정 피크가 관찰되고,120℃에 있어서, 상기 의립방정 피크의 반값폭이 0.4°이상인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 라만 분광법에 의해 시료 온도를 가변시켜 측정한 경우에, 시료 온도 130℃에 있어서, 270cm-1에서의 라만 피크 강도를 I270, 310cm-1에서의 라만 피크 강도를 I310으로 했을 때, 0.1 ≤(I310/I270)인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 유전체층을 갖는 전자 부품으로서,상기 유전체층이 티탄산 바륨을 함유하는 주성분을 갖는 유전체 자기 조성물로 구성되어 있고,상기 유전체 자기 조성물이 라만 분광법에 의해 시료 온도를 가변시켜 측정한 경우에, 시료 온도 130℃에 있어서, 535cm-1에서의 라만 피크의 반값폭이 95cm-1이하인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 21 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 22 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 23 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 24 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 25 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 26 항에 있어서, 상기 유전체층과 함께 내부 전극층이 번갈아 적층되어 있는 콘덴서 소자 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 27 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 28 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 29 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 30 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 31 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
- 제 32 항에 있어서, 상기 내부 전극층에 함유되는 도전재가 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999-297269 | 1999-10-19 | ||
JP29726999 | 1999-10-19 | ||
JP2000226862A JP3348081B2 (ja) | 1999-10-19 | 2000-07-27 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP2000-226862 | 2000-07-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010051144A true KR20010051144A (ko) | 2001-06-25 |
KR100352245B1 KR100352245B1 (ko) | 2002-09-12 |
Family
ID=26561062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000061624A KR100352245B1 (ko) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1094477B1 (ko) |
JP (1) | JP3348081B2 (ko) |
KR (1) | KR100352245B1 (ko) |
DE (1) | DE60042050D1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100683543B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-02-15 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 전자부품 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7482299B2 (en) | 1998-07-29 | 2009-01-27 | Namics Corporation | Dielectric ceramic composition and multi-layer ceramic capacitor |
EP1262467B1 (en) | 2000-12-25 | 2007-07-25 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition and electronic parts |
EP1327616B9 (en) | 2002-01-15 | 2011-04-13 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
JP4534001B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-09-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ジルコニウム酸カルシウム粉末 |
TW200531955A (en) * | 2004-03-16 | 2005-10-01 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition, multilayer ceramic capacitor, and method for manufacturing the same |
WO2005090260A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Tdk Corporation | 積層型セラミックコンデンサ |
JP2005272262A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2005335963A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP5017770B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2012-09-05 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP4203452B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2009-01-07 | Tdk株式会社 | 積層型セラミックコンデンサの製造方法 |
JP4095586B2 (ja) | 2004-06-29 | 2008-06-04 | Tdk株式会社 | 積層型セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP4206062B2 (ja) | 2004-08-30 | 2009-01-07 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4275036B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2009-06-10 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
TWI275582B (en) | 2004-08-30 | 2007-03-11 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition and electronic device |
JP4295179B2 (ja) | 2004-08-31 | 2009-07-15 | Tdk株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
JP4701364B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-06-15 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | 誘電体磁器の評価方法 |
US7277269B2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-10-02 | Kemet Electronics Corporation | Refractory metal nickel electrodes for capacitors |
JP4407497B2 (ja) | 2004-11-30 | 2010-02-03 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
JP5017792B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2012-09-05 | Tdk株式会社 | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
JP4483659B2 (ja) | 2005-04-04 | 2010-06-16 | Tdk株式会社 | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
JP5167579B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2013-03-21 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
JP2007131476A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ |
JP4782551B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器 |
JP4299827B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2009-07-22 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ |
CN101163652A (zh) * | 2006-06-12 | 2008-04-16 | 纳美仕有限公司 | 电介质陶瓷组合物以及多层陶瓷电容器 |
KR100765708B1 (ko) * | 2006-11-15 | 2008-04-02 | 나믹스 코포레이션 | 유전체 자기 조성물 및 적층 세라믹 콘덴서 |
WO2008088552A2 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Ferro Corporation | X8r dielectric composition for use with nickel electrodes |
JP4931697B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-05-16 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびコンデンサ |
JP5100592B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-12-19 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
CN102164873B (zh) * | 2008-09-30 | 2013-04-17 | 株式会社村田制作所 | 钛酸钡系半导体陶瓷组合物及ptc热敏电阻 |
CN101805178B (zh) * | 2010-01-22 | 2012-06-13 | 华中科技大学 | 一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法 |
CN104628378B (zh) * | 2015-02-05 | 2017-02-22 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 一种可用于铜电极陶瓷电容器的介质及其制备方法 |
CN107710361B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-06-05 | 爱普科斯公司 | 介电组合物、介电元件、电子部件和层叠电子部件 |
CN111875373B (zh) | 2015-05-27 | 2022-11-29 | 爱普科斯公司 | 基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件 |
CN114133238B (zh) * | 2021-11-02 | 2022-09-16 | 广东省先进陶瓷材料科技有限公司 | 一种陶瓷介质材料及其制备方法和应用 |
CN114014649B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-07-25 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 共掺杂钛酸钡陶瓷介电材料、制备方法及其应用 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089932A (en) * | 1989-11-30 | 1992-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
US5103370A (en) * | 1989-12-04 | 1992-04-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
JPH0779004B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-08-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US5319517A (en) * | 1992-03-27 | 1994-06-07 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
JP2764513B2 (ja) * | 1993-01-21 | 1998-06-11 | ティーディーケイ株式会社 | 耐還元性誘電体磁器組成物 |
JP3161278B2 (ja) * | 1995-04-26 | 2001-04-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
KR100196406B1 (ko) * | 1996-09-10 | 1999-06-15 | 조희재 | 고유전율 유전체 자기조성물 |
KR19990009793A (ko) * | 1997-07-11 | 1999-02-05 | 조희재 | 온도보상용계 유전체 자기 조성물 |
DE19737324A1 (de) * | 1997-08-28 | 1999-03-04 | Philips Patentverwaltung | Vielschichtkondensator mit silber- und seltenerdmetalldotiertem Bariumtitanat |
JP3275799B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000226862A patent/JP3348081B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-18 DE DE60042050T patent/DE60042050D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-18 EP EP00122255A patent/EP1094477B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-19 KR KR1020000061624A patent/KR100352245B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100683543B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-02-15 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 전자부품 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1094477B1 (en) | 2009-04-22 |
EP1094477A2 (en) | 2001-04-25 |
KR100352245B1 (ko) | 2002-09-12 |
EP1094477A3 (en) | 2006-03-29 |
DE60042050D1 (de) | 2009-06-04 |
JP2001192264A (ja) | 2001-07-17 |
JP3348081B2 (ja) | 2002-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100352245B1 (ko) | 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 | |
KR100327132B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자부품 | |
KR100807774B1 (ko) | 적층형 세라믹 콘덴서 | |
KR100814205B1 (ko) | 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
KR100673933B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 | |
KR100889900B1 (ko) | 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
JP3340722B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
KR100484515B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자부품 | |
JP2001031467A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
KR20060043615A (ko) | 유전체 자기 조성물, 적층형 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 | |
JP5017792B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
JP2007131476A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ | |
JP2007022819A (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP3340723B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
JP4275036B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP5167579B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP4387990B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP2005263508A (ja) | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP2003192433A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
JP4556607B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP2001135544A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
JP2005294290A (ja) | 積層型セラミックコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120802 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130801 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140808 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150730 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160727 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170804 Year of fee payment: 16 |