KR20010032136A - 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

신틸레이터 패널(1)의 비정질 카본제의 기판(10)의 표면은 샌드 블라스트 처리가 이루어져 있고, 한쪽의 표면에는 광 반사막으로서의 Al막(12)이 형성되어 있다. 이 Al막(12)의 표면에는 입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(14)가 형성되어 있다.

Description

신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서{Scintillator panel and radiation image sensor}
의료, 공업용 X선 촬영에서는 종래, X선 감광 필름이 사용되어 왔지만, 편리성이나 촬영 결과의 보존성의 면에서 방사선 검출기를 사용한 방사선 이미징 시스템이 보급되고 있다. 이러한 방사선 이미징 시스템에 있어서는 방사선 검출기에 의해 2차원의 방사선에 의한 화소 데이터를 전기 신호로서 취득하여, 이 신호를 처리 장치에 의해 처리하여 모니터상에 표시하고 있다.
종래, 대표적인 방사선 검출기로서, 알루미늄, 유리, 용융 석영 등의 기판상에 신틸레이터를 형성한 신틸레이터 패널과 촬상 소자를 접합시킨 구조를 갖는 방사선 검출기가 존재한다. 이 방사선 검출기에 있어서는 기판측에서 입사하는 방사선을 신틸레이터로 광으로 변환하여 촬상 소자로 검출하고 있다(특공평7-21560호 공보 참조).
그런데 의료용, 특히 치과 검사용 방사선 검출기에 있어서는, 저 에너지의 X선이 사용되어지기 때문에, 알루미늄 기판을 사용한 경우에는 기판에 의해 흡수되는 X선 성분이 적지 않게 존재하고 있었다. 따라서, 저 에너지의 X선이 사용되는 방사선 검출기에 있어서는 신틸레이터 패널의 기판을 방사선 투과율이 높은 것으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 신틸레이터 패널의 기판을 방사선 투과율이 높은 것으로 함으로써광 출력을 증대시킨 신틸레이터 패널을 제공하는 것 및 광 출력을 증대시킨 신틸레이터 패널을 사용한 방사선 이미지 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 의료용 X선 촬영 등에 사용되는 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서에 관한 것이다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면도.
도 2는 제 1 실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 단면도.
도 3a는 제 1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 제조공정을 도시한 도면.
도 3b는 제 1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 제조공정을 도시한 도면.
도 3c는 제 1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 제조공정을 도시한 도면.
도 3d는 제 1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 제조공정을 도시한 도면.
도 4는 제 2 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면도.
도 5는 제 2 실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 단면도.
도 6은 제 3 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면도.
도 7은 제 3 실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 단면도.
도 8은 제 4 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면도.
도 9는 제 4 실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 단면도.
도 1O은 제 1 실시예 내지 제 4 실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 출력을 종래의 방사선 이미지 센서의 출력과 비교한 결과를 도시한 도면.
본 발명의 신틸레이터 패널은 탄소를 주성분으로 하는 기판과, 상기 기판상에 퇴적한 신틸레이터와, 상기 신틸레이터를 피복하는 보호막을 구비한 것을 특징으로 한다.
이 신틸레이터 패널에 의하면, 탄소를 주성분으로 하는 기판은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 방사선 이미지 센서는 탄소를 주성분으로 하는 기판과, 상기 기판상에 퇴적한 신틸레이터와, 상기 신틸레이터를 피복하는 보호막을 구비한 신틸레이터 패널의 상기 신틸레이터에 대향하여 촬상 소자를 배치한 것을 특징으로 한다.
이 방사선 이미지 센서에 의하면, 신틸레이터 패널이 방사선 투과율이 높은 탄소를 주성분으로 하는 기판을 갖기 때문에 촬상 소자에 도달하는 광의 양을 증가시킬 수 있다.
이하, 도 1, 도 2, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예를 설명한다. 도 1은 신틸레이터 패널(1)의 단면도이고, 도 2는 방사선 이미지 센서(2)의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(1)의 비정질 카본(a-C)(유리와 유사한 카본 또는 유리형상 카본)제의 기판(10)의 표면은 샌드 블라스트 처리가 이루어져 있고, 한쪽의 표면에는 광 반사막으로서의 Al막(12)이 형성되어 있다. 이 Al막(12)의 표면에는 입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(14)가 형성되어 있다. 또, 신틸레이터(14)에는 Tl 도프의 CsI가 사용되고 있다. 이 신틸레이터(14)는 기판(10)과 함께 폴리파라크실렌 막(16)으로 덮여져 있다.
또한, 방사선 이미지 센서(2)는 도 2에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(1)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(18)를 접착한 구조를 갖고 있다.
다음에, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여, 신틸레이터 패널(1)의 제조공정에 대해서 설명한다. 우선, 직사각형 또는 원형의 a-C제의 기판(10 :두께 1mm)의 표면에 대하여 유리 비즈(#800)를 사용하여 샌드 블라스트 처리를 실시한다. 이 샌드 블라스트 처리에 의해 기판(10)의 표면에 미세한 요철을 형성한다(도 3a 참조).
다음에, 기판(10)의 한쪽의 표면에 광 반사막으로서의 Al막(12)을 진공 증착법에 의해 1OOnm의 두께로 형성한다(도 3b 참조). 다음에, Al막(12)의 표면에 Tl 을 도프한 CsI의 기둥형상 결정을 증착법에 의해서 성장시켜 신틸레이터(14)를 25Oμm의 두께로 형성한다(도 3c 참조).
이 신틸레이터(14)를 형성하는 CsI는 흡습성이 높게 노출한 채로 두면 공기중의 수증기를 흡습하여 조해(潮解)되기 때문에, 이것을 방지하기 위해서 CVD법에 의해 폴리파라크실렌 막(16)을 형성한다. 즉, 신틸레이터(14)가 형성된 기판(10)을 CVD 장치에 넣고, 폴리파라크실렌 막(16)을 10μm의 두께로 성막한다. 이로써, 신틸레이터(14) 및 기판(10)의 표면 전체에 폴리파라크실렌 막(16)이 형성된다(도 3d 참조). 또, 기판(10)의 표면에는 샌드 블라스트 처리에 의해 미세한 요철이 형성되어 있기 때문에 폴리파라크실렌 막(16)과 기판(10)의 밀착성을 향상시킬 수 있어 폴리파라크실렌 막(16)의 박리를 방지할 수 있다.
또한, 방사선 이미지 센서(2)는 완성한 신틸레이터 패널(1)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(CCD :18)의 수광부를 대향시켜 접착함으로써 제조된다(도 2 참조).
본 실시예에 따른 방사선 이미지 센서(2)에 의하면, 기판(10)측에서 입사한 방사선을 신틸레이터(14)로 광으로 변환하여 촬상 소자(18)에 의해 검출한다. 이 경우에 a-C제의 기판(10)은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판(10)에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터(14)에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 광 반사막으로서의 Al막(12)이 설치되어 있기 때문에 촬상 소자(18)의 수광부에 입사하는 광을 증가시킬 수 있어 방사선 이미지 센서에 의해 검출된 화상을 선명한 것으로 할 수 있다.
또, 도 1O은 반파 정류용 X선 관에 관 전압으로서 40KV, 50KV, 60KV를 인가하여 발생시킨 X선을 방사선 이미지 센서(2)에 의해 검출한 경우의 방사선 이미지 센서(2)의 출력을 종래의 방사선 이미지 센서의 출력과 비교한 결과를 도시한 것이다. 즉, 반파 정류용 X선 관에 관 전압으로서 4OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 10O%로 하면 방사선 이미지 센서(2)로부터 검출한 경우의 출력은 26O%로 증가하고, 관 전압으로서 5OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 1OO%로 하면 방사선 이미지 센서(2)로부터 검출한 경우의 출력은 23O%로 증가하며, 관 전압으로서 60KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 10O%로 하면 방사선 이미지 센서(2)로부터 검출한 경우의 출력은 22O%로 증가하고 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시예의 설명을 행한다. 또, 제 1 실시예의 신틸레이터 패널(1), 방사선 이미지 센서(2)의 구성과 동일한 구성에는 제 1 실시예의 설명에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙이고 설명을 행한다.
도 4는 신틸레이터 패널(3)의 단면도이고, 도 5는 방사선 이미지 센서(4)의 단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(3)의 a-C제의 기판(10)의 표면은 샌드 블라스트 처리가 이루어져 있고, 한쪽의 표면에는 반사막으로서의 Al 막(12)이 형성되어 있다. 또한, Al막(12)상에 저굴절율 재료로서, 즉 신틸레이터(14)보다도 낮은 굴절율(굴절율=1.3)을 갖는 LiF막(광 투과성 박막 :22)이 형성되어 있다. 또, LiF막(22)의 표면에는 입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(14)가 형성되어 있다. 또, 신틸레이터(14)에는 Tl 도프의 CsI(굴절율= 1.8)가 사용되고 있다. 이 신틸레이터(14)는 기판(10)과 함께 폴리파라크실렌 막(16)으로 덮여져 있다.
또한, 방사선 이미지 센서(4)는 도 5에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(3)의 신틸레이터(14)측에 촬상 소자(18)를 접착한 구조를 갖고 있다.
다음에, 신틸레이터 패널(3)의 제조공정에 대해서 설명한다. 우선, 직사각형 또는 원형의 a-C제의 기판(10 :두께 1mm)의 표면에 대하여 유리 비즈(# 80O)를 사용하여 샌드 블라스트 처리를 실시하여 기판(10)의 표면에 미세한 요철을 형성한다.
다음에, 기판(10)의 한쪽의 표면에 반사막으로서의 Al막(12)을 진공 증착법에 의해 1OOnm의 두께로 형성하고, Al막(12)상에 저굴절율 재료로서의 LiF막(22)을 진공 증착법에 의해 1OOnm의 두께로 형성한다. 다음에, LiF막(22)의 표면에 Tl을 도프한 CsI의 기둥형상 결정을 증착법에 의해서 성장시켜 신틸레이터(14)를 25Oμm의 두께로 형성한다. 다음에, CVD법에 의해 1Oμm의 두께로 폴리파라크실렌 막(16)을 형성한다. 이로써, 신틸레이터(14) 및 기판(10)의 표면 전체에 폴리파라크실렌 막(16)이 형성된다.
또한, 방사선 이미지 센서(4)는 완성한 신틸레이터 패널(3)의 신틸레이터(14)의 선단부에 촬상 소자(CCD :18)의 수광부를 대향시켜 접착함으로써제조된다(도 5 참조).
본 실시예에 따른 방사선 이미지 센서(4)에 의하면, 기판(10) 측에서 입사한 방사선을 신틸레이터(14)로 광으로 변환하여 촬상 소자(18)에 의해 검출한다. 이 경우에 a-C제의 기판(10)은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판(10)에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터(14)에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 반사막으로서의 Al막(12) 및 저굴절율 재료로서의 LiF막(22)을 설치하고 있기 때문에 촬상 소자(18)의 수광부에 입사하는 광을 증가시킬 수 있어 방사선 이미지 센서에 의해 검출된 화상을 선명한 것으로 할 수 있다.
즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 반파 정류용 X선 관에 관 전압으로서 40KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 100%로 하면 방사선 이미지 센서(4)로부터 검출한 경우의 출력은 300%로 증가하고, 관 전압으로서 50KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 1O0%로 하면 방사선 이미지 센서(4)로부터 검출한 경우의 출력은 270%로 증가하고, 관 전압으로서 60KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 1OO%로 하면 방사선 이미지 센서(4)로부터 검출한 경우의 출력은 26O%로 증가하고 있다.
다음에, 본 발명의 제 3 실시예의 설명을 행한다. 또, 제 1 실시예의 신틸레이터 패널(1), 방사선 이미지 센서(2) 및 제 2 실시예의 신틸레이터 패널(3), 방사선 이미지 센서(4)의 구성과 동일한 구성에는 제 1 실시예 및 제 2 실시예의 설명에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙이고 설명을 행한다.
도 6은 신틸레이터 패널(5)의 단면도이고, 도 7은 방사선 이미지 센서(6)의 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(5)의 a-C제의 기판(10)의 표면은 샌드 블라스트 처리가 이루어져 있고, 한쪽의 표면에는 저굴절율 재료로서의 LiF막(광 투과성 박막 :22)이 형성되어 있다. 더우기 LiF막(22)의 표면에는 입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(14)가 형성되어 있다. 또, 신틸레이터(14)에는 Tl 도프의 CsI가 사용되고 있다. 이 신틸레이터(14)는 기판(10)과 함께 폴리파라크실렌 막(16)으로 덮여져 있다.
또한, 방사선 이미지 센서(6)는 도 7에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(5)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(18)를 접착한 구조를 갖고 있다.
다음에, 신틸레이터 패널(5)의 제조공정에 대해서 설명한다. 우선, 직사각형 또는 원형의 a-C제의 기판(10 :두께 1mm)의 표면에 대하여 유리 비즈(# 800)를 사용하여 샌드 블라스트 처리를 실시하여 기판(10)의 표면에 미세한 요철을 형성한다.
다음에, 기판(10)의 한쪽의 표면에 저굴절율 재료로서의 LiF막(22)을 진공 증착법에 의해 10Onm의 두께로 형성한다. 다음에, LiF막(22)의 표면에 Tl를 도프한 CsI의 기둥형상 결정을 증착법에 의해 성장시켜 신틸레이터(14)를 250μm의 두께로 형성한다. 다음에, CVD법에 의해 10μm의 두께로 폴리파라크실렌 막(16)을 형성한다. 이로써 신틸레이터(14) 및 기판(10)의 표면 전체에 폴리파라크실렌 막(16)이 형성된다.
또한, 방사선 이미지 센서(6)는 완성한 신틸레이터 패널(5)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(CCD :18)의 수광부를 대향시켜 접착함으로써 제조된다(도 7 참조).
본 실시예에 따른 방사선 이미지 센서(6)에 의하면, 기판(10)측에서 입사한 방사선을 신틸레이터(14)로 광으로 변환하여 촬상 소자(18)에 의해 검출한다. 이 경우에 a-C제의 기판(10)은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판(10)에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터(14)에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 저굴절율 재료로서의 LiF막(22)을 설치하고 있기 때문에 신틸레이터(14)와 LiF막(22)과의 경계면에 있어서 전반사 조건을 만족하는 광을 출력측에 반사하기 위한 촬상 소자(18)의 수광부에 입사하는 광을 증가시킬 수 있어 방사선 이미지 센서에 의해 검출된 화상을 선명한 것으로 할 수 있다.
즉, 도 1O에 도시한 바와 같이, 반파 정류용 X선 관에 관 전압으로서 4OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 10O%로 하면 방사선 이미지 센서(6)로부터 검출한 경우의 출력은 22O%로 증가하고, 관 전압으로서 5OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 100%로 하면 방사선 이미지 센서(6)로부터 검출한 경우의 출력은 20O%로 증가하며, 관 전압으로서 60KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 100%로 하면 방사선 이미지 센서(6)로부터 검출한 경우의 출력은 190%로 증가하고 있다.
다음에, 본 발명의 제 4 실시예의 설명을 행한다. 또, 제 1 실시예의 신틸레이터 패널(1) 및 방사선 이미지 센서(2)의 구성과 동일한 구성에는 제 1 실시예의 설명에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙이고 설명을 행한다.
도 8은 신틸레이터 패널(7)의 단면도이고, 도 9는 방사선 이미지 센서(8)의 단면도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(7)의 a-C제의 기판(10)의 한쪽의 표면 및 측면은 샌드 블라스트 처리가 이루어져 있고, 다른쪽 표면은 경면(鏡面) 처리가 이루어져 있다.
이의 다른쪽 표면에는 입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(14)가 형성되어 있다. 또, 신틸레이터(14)에는 Tl 도프의 CsI가 사용되고 있다. 이 신틸레이터(14)는 기판(10)과 함께 폴리파라크실렌 막(16)으로 덮여져 있다.
또한, 방사선 이미지 센서(8)는 도 9에 도시한 바와 같이, 신틸레이터 패널(8)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(18)를 접착한 구조를 갖고 있다.
다음에, 신틸레이터 패널(7)의 제조공정에 대해서 설명한다. 우선, 직사각형 또는 원형의 a-C제의 기판(10)의 한쪽의 표면 및 측면에 대하여 유리 비즈(# 800)를 사용하여 샌드 블라스트 처리를 실시하여 기판(10)의 표면에 미세한 요철을 형성한다. 또한, 기판(10)의 다른쪽 표면에 대하여 거울면 처리를 실시한다.
다음에, 기판(10)의 다른쪽의 표면에 Tl를 도프한 CsI의 기둥형상 결정을 증착법에 의해서 성장시켜 신틸레이터(14)를 250μm의 두께로 형성한다. 다음에, CVD법에 의해 10μm의 두께로 폴리파라크실렌 막(16)을 형성한다. 이로써 신틸레이터(14) 및 기판(10)의 표면 전체에 폴리파라크실렌 막(16)이 형성된다.
또한, 방사선 이미지 센서(8)는 완성한 신틸레이터 패널(7)의 신틸레이터(14)의 선단부측에 촬상 소자(CCD :18)의 수광부를 대향시켜 접착함으로써 제조된다(도 9 참조).
본 실시예에 따른 방사선 이미지 센서(8)에 의하면, 기판(10)측에서 입사한 방사선을 신틸레이터(14)로 광으로 변환하여 촬상 소자(18)에 의해 검출한다. 이 경우에 a-C제의 기판(10)은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판(10)에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터(14)에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있기 때문에 촬상 소자(18)의 수광부에 입사하는 광을 증가시킬 수 있어 방사선 이미지 센서(8)에 의해 검출된 화상을 선명한 것으로 할 수 있다.
즉, 도 1O에 도시한 바와 같이, 반파 정류용 X선 관에 관 전압으로서 40KV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 1OO%로 하면 방사선 이미지 센서(8)로부터 검출한 경우의 출력은 15O%로 증가하고, 관 전압으로서 5OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 100%로 하면 방사선 이미지 센서(8)로부터 검출한 경우의 출력은 135%로 증가하며, 관 전압으로서 6OKV를 인가하여 발생시킨 X선을 종래의 방사선 이미지 센서에 의해 검출한 경우의 출력을 100%로 하면 방사선 이미지 센서(8)로부터 검출한 경우의 출력은 130%로 증가하고 있다.
또, 상술한 실시예에 있어서는 a-C제의 기판을 사용하고 있지만 흑연제의 기판을 사용하도록 하여도 된다. 흑연제의 기판은 a-C제의 기판과 같이 방사선 투과율이 높기 때문에 a-C제의 기판을 사용한 경우와 마찬가지로 신틸레이터에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 있어서는 광 투과성 박막으로서, LiF막을 사용하고 있지만, LiF, MgF2, CaF2, SiO2, Al203, MgO, NaCl, KBr, KC1 및 AgC1로 이루어지는 그룹 중의 물질을 포함하는 재료로 이루어지는 막으로 하여도 된다.
또한, 상술한 실시예에 있어서는 신틸레이터(14)로서 CsI(Tl)가 사용되고 있지만, 이것에 한정하지 않고 CsI(Na), NaI(Tl), LiI(Eu), KI(Tl) 등을 사용하여도 된다.
또한, 상술한 실시예에서의 폴리파라크실렌에는, 폴리파라크실렌 이외에, 폴리모노클로로파라크실렌, 폴리디클로로파라크실렌, 폴리테트라클로로파라크실렌, 폴리플루오르파라크실렌, 폴리디메틸파라크실렌, 폴리디에틸파라크실렌 등을 포함한다.
본 발명의 신틸레이터 패널에 의하면, 탄소를 주성분으로 하는 기판은 방사선 투과율이 높기 때문에, 기판에 의해 흡수되는 방사선 양을 저감시킬 수 있어 신틸레이터에 도달하는 방사선 양을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 방사선 이미지 센서에 의하면, 신틸레이터 패널이 방사선 투과율이 높은 탄소를 주성분으로 하는 기판을 갖기 때문에 촬상 소자에 도달하는 광의 양을 증가시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서는 의료용 X선 촬영 등에 사용하는 데에 적합하다.

Claims (9)

  1. 탄소를 주성분으로 하는 기판과,
    상기 기판상에 퇴적한 신틸레이터와,
    상기 신틸레이터를 피복하는 보호막을 구비하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 비정질 카본에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 흑연에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판과 상기 신틸레이터의 사이에 광 반사막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 광 반사막은 금속막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 광 반사막은 상기 신틸레이터의 굴절율보다도 낮은 굴절율을 갖는 광 투과성 박막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 광투과성 박막은 LiF, MgF2, CaF2, SiO2, Al2O3, Mg0, NaCl, KBr, KCl 및 AgCl로 이루어지는 그룹 중의 물질을 포함하는 재료로 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 또한 상기 기판을 피복하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 신틸레이터 패널의 상기 신틸레이터에 대향하여 촬상 소자를 배치한 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서.
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