KR20000035336A - 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품 - Google Patents
모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품 Download PDFInfo
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Abstract
Description
샘플번호 | 세라믹 입자의평균 입자 크기(㎛) | 한 층당평균 입자수(개) | 상온 저항(Ω) | 비저항의변화 폭(단위) | 내전압(V) |
1 | 0.8 | 40 | 0.19 | 3.7 | 25 |
2 | 0.9 | 40 | 0.18 | 3.6 | 22 |
3 | 1 | 40 | 0.17 | 3.5 | 20 |
* 4 | 2 | 40 | 0.15 | 3.2 | 8 |
* 5 | 5 | 40 | 0.13 | 3.0 | 6 |
* 6 | 0.8 | 5 | 0.9 | 1.5 | 4 |
* 7 | 0.8 | 8 | 0.7 | 2.0 | 5 |
8 | 0.8 | 10 | 0.08 | 2.9 | 14 |
9 | 0.8 | 20 | 0.14 | 3.3 | 16 |
10 | 0.8 | 40 | 0.18 | 3.6 | 25 |
샘플번호 | 세라믹 입자의평균 입자 크기(㎛) | 한 층당평균 입자수(개) | 상온 저항(Ω) | 비저항의변화 폭(단위) | 내전압(V) |
11 | 0.8 | 40 | 0.19 | 3.9 | 30 |
12 | 0.9 | 40 | 0.18 | 3.8 | 26 |
13 | 1 | 40 | 0.17 | 3.7 | 25 |
* 14 | 2 | 40 | 0.15 | 3.2 | 8 |
* 15 | 5 | 40 | 0.13 | 3.0 | 6 |
* 16 | 0.8 | 5 | 0.9 | 1.5 | 4 |
* 17 | 0.8 | 8 | 0.7 | 2.0 | 5 |
18 | 0.8 | 10 | 0.08 | 3.4 | 20 |
19 | 0.8 | 20 | 0.14 | 3.5 | 23 |
20 | 0.8 | 40 | 0.18 | 3.8 | 28 |
Claims (16)
- 번갈아 적층된 복수의 티탄산바륨 반도체 세라믹층과 내부전극층; 및상기 내부전극층에 전기적으로 접속되는 외부전극;을 포함하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품으로서,상기 반도체 세라믹층은, 세라믹 입자의 평균 입자 크기가 약 1㎛ 이하이고, 상기 반도체 세라믹층의 수직 방향으로 한 층당 평균 세라믹 입자수가 약 10 이상임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 상기 내부전극층은 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 2 항에 있어서, 상기 세라믹 입자의 평균 입자 크기는 0.8∼1㎛임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 3 항에 있어서, 상기 반도체 세라믹층의 수직 방향으로 한 층당 평균 세라믹 입자수는 10∼40임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 4 항에 있어서, BaCO3/BaO비가 약 0.42 이하이고, 격자상수가 약 0.4020㎚ 이상이고, Ba/Ti비가 약 0.990∼1.000의 범위내에 있고, BaCO3대 BaO의 상대강도비가 약 0.50 이하임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 입자의 평균 입자 크기가 0.8∼1㎛임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 6 항에 있어서, 상기 반도체 세라믹층의 수직방향으로 한 층당 평균 세라믹 입자수는 10∼40임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 세라믹층의 수직방향으로 한 층당 평균 세라믹 입자수는 10∼40임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, BaCo3/BaO비가 약 0.42 이하이고, 격자상수가 약 0.4020㎚ 이상이고, Ba/Ti비가 약 0.990∼1.000의 범위내에 있고, BaCO3대 BaO의 상대강도비가 약 0.50 이하임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 티탄산바륨의 바륨이 부분적으로 Ca, Sr 또는 Pb로 치환되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 티탄산바륨의 바륨이 부분적으로 Sn 또는 Zr로 치환되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 1 항에 있어서, 상기 티탄산바륨이 도프(dope)되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 12 항에 있어서, 상기 티탄산 바륨이 La로 도프되는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 13 항에 있어서, 상기 내부 전극층은 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 14 항에 있어서, 상기 세라믹 입자의 평균 입자 크기는 0.8∼1㎛임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
- 제 15 항에 있어서, 반도체 세라믹층의 수직방향으로 한 층당 평균 세라믹 입자수는 10∼40임을 특징으로 하는 모놀리식 반도체 세라믹 전자 부품.
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