KR20000028580A

KR20000028580A - 불휘발성반도체메모리ｉｃ

Info

Publication number: KR20000028580A
Application number: KR1019990018750A
Authority: KR
Inventors: 다키자오노보루
Original assignee: 사토 게니치로; 로무 가부시키가이샤
Priority date: 1998-10-12
Filing date: 1999-05-25
Publication date: 2000-05-25
Also published as: JP2000123599A; US6198663B1; KR100319733B1; JP3078530B2

Abstract

플래시 메모리(11)과 함께 CPU(21)도 탑재한 불휘발성 반도체 메모리IC(60)에 있어서, CPU(21)의 프로그램 코드를 보유하는 마스크ROM(61)과, CPU(21)에 의하여 일시 기억에 사용되는 SRAM(62)를 구비하며, CPU(21)은 플래시 메모리(11)에 액세스하여 그 양부(良否)의 테스트를 행하는 처리(61a)와, 그 결과의 스테이터스(62a)를 SRAM(62)에 일시 퇴피시키는 처리(61a)와, 스테이터스(62a)를 SRAM(62)로부터 플레시메모리(11)로 전환기입(轉記)하는 처리(61a)를 행한다.

이것으로 번인테스트(burn-in test)에 관련하는 일련의 공정이 신속정확하게 더구나 간소하게 처리되며 장치가 간소하게 된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리ＩＣ {NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY IC}

본 발명은, 플래시 메모리 등의 불휘발성 반도체 메모리를 탑재한 IC에 관하고, 또한 플래시 메모리 등과 함께 CPU도 탑재한 불휘발성 반도체 메모리IC에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는, 불휘발성 반도체 메모리부분을 대상으로 한 번인테스트의 결과를 후사용에 반영시키는 기술에 관한 것이다.

도 4에 블록도로 나타내는 IC(10)은 심플한 구조의 불휘발성 메모리IC이며, 불휘발성 반도체 메모리로서 플래시 메모리(11)을 탑재하고 있다.

플래시 메모리(11)은, 전기적으로 일괄소거 및 재기입이 가능한 다수의 메모리셀이 배열형상으로 배치되어 있으며, 어드레스 디코더나 센스앰프 등으로 되는 액세스회로(12)가 부가되어 있다.

그리고, IC(10)은, 외부로부터 단자(13) 등을 통해서 액세스회로(12)에 리드라이트 제어신호나 어드레스신호(A)등이 입력되면, 이에 따라 플래시 메모리(11)내의 해당 어드레스에 액세스하여 데이터신호(D)를 출력하는 등의 동작을 한다.

또, 도 5에 블록도로 나타낸 IC(20)은, 플래시 메모리(11)(불휘발성 반도체 메모리)와 함께 CPU도 원칩내에 탑재한 CPU 내장의 플래시 메모리IC이다.

이것은, CPU(21)에 의한 플래시 메모리(11)에로의 액세스가 가능하도록 양자를 버스결합시키는 버스라인(22)를 가지며, 다시 애플리케이션 등에 응해서 필요하다면, 애플리케이션 프로그램 등을 보유하기 위한 ROM(23)이나, 애플리케이션 프로그램의 실행에 있어서 이용되는 작업메모리용의 DRAM(24) 등도 적절이 도입되어 버스라인(22)에 접속된다.

다시, IC(20)에는, 플래시 메모리(11)에로의 액세스를 CPU(21)을 경유하여 행하는가 혹은 단자(13)을 경유하여 행하는가 하는 동작모드의 선택 전환을 위해 로직회로(25)도 설치되어, 외부로부터 단자(26) 등을 통해서 로직회로(25)에 모드신호(M)이나 리세트신호(R) 등이 입력되면, 리세트시에 지정된 모드에 응해서 적절한 선택전환신호(S1),(S2) 등이 생성되며, 통상모드에서는 선택전환신호(S1)에 응해서 CPU(21)이 버스라인(22)를 통해서 플래시 메모리(11)에 액세스하도록 작동한다.

이에 대하여, 번인테스트 등을 상정한 테스트모드에서는, 선택전환신호(S2)에 응하여 액세스회로(12)가 플래시 메모리(11)의 접속상태를 전환하여, 플래시 메모리(11)이 버스라인(22)에서 분리되어 단자(13)쪽에 접속된다.

그리고, 테스트모드에서는, IC(10)과 동일하게, 플래시 메모리(11)에 대하여 단자(13)을 통하는 직접적인 외부액세스가 유효하게 된다.

또한, 이들 IC(10),(20)의 중간적인 기능을 갖는 메모리IC로서, 일본국 특개평9-219099호 공보에 기재되어 있는 것도 알려져 있다.

이 IC에서는, 번인테스트에 대처하기 위하여, 플래시 메모리(11)과 함께 내장하는 회로가, CPU가 아닌 셀프번인회로로 되어 있다.

그리고, IC(10)과 동일한 기능의 사용방법에 더하여 번인테스트에 있어서는, 테스트모드의 신호입력이 없어도 테스트를 행하여 그 테스트의 결과를 테스터 등으로 송출한다.

어느 경우에 있어서나, 이와같은 종래의 불휘발성 반도체 메모리IC는, 그 전체수, 혹은 발취된 일부가 번인테스트에 걸려진다.

도 6은, 그와 같은 종래의 번인테스트의 상황을 나타내는 모식도이다.

번인테스트의 결과, 플래시 메모리(11)에 불량 개소가 있어도, 그것이 일부에 그치고 대부분이 정상상태로서 그 합계용량이 필요량을 충족하고 있으면, 그 불량개소를 액세스 대상에서 제외하므로서 메모리IC의 생산수율을 높일수가 있기 때문에, 이 경우, 번인테스트의 공정[도 6(a) 참조]에 부가하여, 테스트 후의 불휘발성 반도체 메모리IC에 필요한 액세스 정보를 써넣는 기입공정[도 6(b)참조]도 행하여진다.

테스트공정에서는[도 6(a)참조], IC(10) 등을 가열기(30)에 셋트하여 가열하면서, 가열기(30)에 케이블(31)을 통해서 접속된 테스터(40)을 사용하여 사이클테스트나 번인테스트를 행하는바, 테스트의 주체가 테스터(40)이기 때문에, 테스터(40)으로부터 가열기(30) 및 IC(10) 등에 대하여 온도의 설정이나 테스트데이터의 써넣기와 읽어내기 등의 액세스가 행하여진다.

또, 그 테스트의 결과나, 테스트 결과에 의거한 양부(良否)의 판정에 의해서 얻어진 액세스 정보 등은, 테스터(40)에 부속한 디스플레이(41)이나 프린터(42)에 의해 표시되거나 프린트 출력된다.

번인테스트가 끝나면, IC(10) 등은 가열기(30)에서 분리되어 기입공정으로 돌려진다[도 6(b)참조].

그리고, 이 기입공정에서는, IC(10) 등을 ROM라이터(50)에 세트한다.

그리고, 앞에서의 프린터(42)의 출력 등으로부터 그 IC(10) 등에 해당하는 것을 추출함과 동시에, 그 플래시 메모리(11)내의 불량개소를 나타내는 것 만의 데이터(테스트결과)를 그대로 맵(11a)로 하고, 혹은 그 대체 영역의 어드레스 등을 나타내는 플래그비트나 어드레스리스트 등으로 되는 이용하기 쉬운 구조의 데이터(액세스 정보)로 변환하는 것으로 맵(11a)를 생성하고 나서, 그 맵(11a)를 플래시 메모리(11)의 잉여 영역에 기입한다.

이 공정은, 작업자가 프린터(42)의 출력 등을 참조하면서 ROM라이터(50)을 조작하는 것으로 행하여진다.

맵(11a)의 기입된 IC(10) 등의 사용에 있어서는, 맵(11a)를 이용하여 불량개소에로의 기입이나 읽어내기가 회피된다.

이와같이하여, 번인테스트의 결과를 후사용에 반영시키므로서, 불휘발성 반도체 메모리의 일부에 불량이 있더라도, 많은 불휘발성 반도체 메모리IC는, 결함없이 사용할 수가 있게 된다.

그러나, 이와같은 종래의 불휘발성 반도체 메모리IC에서는, 불휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 행하는 번인테스트의 공정[도 6(a)참조]과, 그 테스트결과에 의거하는 액세스 정보를 그 불휘발성 반도체 메모리에 써넣는 기입공정[도 6(b)참조]이, 사람의 손이 필요한 별개의 공정으로 되어 있었다.

이 때문에, 다수의 IC를 처리하는 경우, ROM라이터(50)의 조작 등에도 방대한 시간과 노력이 걸리게 될 뿐만 아니라, 제시된 액세스 정보의 출력(41),(42)와, 각 IC(10),(20)을 정확하게 대응시키는 것도 번잡한 것이었다.

또, 불휘발성 반도체 메모리의 용량이나 구조도 애플리케이션 등에 의해 여러 종류로 미치게 되므로, 그와 같은 메모리를 탑재한 IC의 종류마다 관련장치인 테스터도 여러가지로 개변할 필요가 있다.

그래서, 불휘발성 반도체 메모리IC의 검사공정에 요하는 공수를 삭감하는 것과 동시에, 검사결과를 확실하게 이용할수 있도록, IC의 번인테스트에 관련하는 작업에 대하여, 각 공정을 연속해서 자동처리할 수 있도록 하는 것과, 그 작업에 요하는 장치를 공용화하거나 필요없게 하는 것이 과제로 된다.

또한, 일본국 특개평9-219099호 공보에 기재된 것은, 셀프번인회로를 내장한것으로서 테스터의 공용화율의 향상 등에 기여하고 있다고도 할 수 있으나, 전적으로 번인테스트중에 테스터와 주고 받는 제어신호 등을 적게 할 수 있는 것으로서, 한꺼번에 다수의 칩을 테스트 할 수 있게 한 것에 불과하다.

이 때문에, 작업자의 수고나 종류가 다른 IC에 대한 테스터의 광범위한 적합성 등에 대해서는 전혀 고려되고 있지 않으며, 하물며 테스트결과를 후사용에 반영시킨다는 기능을 전제로 한 해결 등이 전혀되어 있지 않은 것이다.

본 발명은, 이와같은 괴제를 해결하기 위한 것으로서, 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소하게 될 수 있는 불휘발성 반도체 메모리IC를 실현하는 것을 목적으로 한다.

도 1은, 본 발명의 불휘발성 반도체 메모리IC의 한 실시예에 대하여, 그 내부구조를 나타내는 블록도.

도 2는, 그 번인테스트를 할 때의 상황도.

도 3은, 그 동작설명도로서, (a)는 가온상태, (b)∼(d)는 메모리에로의 액세스상태를 나타내고 있는 상태도.

도 4는, 종래의 플래시 메모리IC.

도 5는, 종래의 CPU내장 플래시 메모리IC.

도 6은, 종래의 번인테스트의 상항도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

10 IC (불휘발성 반도체 메모리IC)

11 플래시 메모리 (기억소자부, 불휘발성 반도체 메모리)

11a 맵 (양부 분포도, 대체리스트, 액세스 정보)

12 액세스회로 (구동증폭회로, 리드라이트 제어회로)

13 단자 (IC핀, 리이드, 외부배선 접속단자)

20 IC (불휘발성 반도체 메모리IC)

21 CPU (마이크로프로세서 연산부)

22 버스라인

23 ROM (애플리케이션 프로그램 보유용메모리)

24 DRAM (에플리케이션 프로그램용 작업메모리)

25 로직회로 (논리회로, 주변회로, I/F회로, 제어회로)

26 단자 (IC핀, 리이드, 외부배선 접속단자)

30 가열기, 31 케이블

40 테스터,

41 디스프레이 (표시장치, 제시장치, 출력장치)

42 프린터 (인쇄장치, 제시장치, 출력장치)

50 ROM라이터

60 IC (불휘발성 반도체 메모리IC)

61 마스크ROM (테스트루틴 보유용메모리)

61a 테스트 루틴 (기입, 일시퇴피, 전환기입 등의 처리·수단)

62 SRAM (일시퇴피용의 기억수단)

62a 스테이터스 (테스트결과, 일시퇴피중의 액세스 정보)

63 로직회로 (논리회로, 주변회로, I/F회로, 제어회로)

70 테스터, 71 온도설정 루틴

72 테스트모드설정 루틴, 73 전환기입지시 루틴

이와 같은 과제를 해결하기 위하여 발명된 제1내지 제3의 해결수단에 대하여 그 구성 및 작용효과를 다음에 설명한다.

〔제1의 해결수단〕

제1의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC는, 본 발명의 청구항 1에 기재하는 바와같이, 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서, 불휘발성 반도체 메모리를 탑재한 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서, 상기 불휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 그 양부(良否)테스트를 하는 테스트수단과, 그 테스트결과 또는 그것에 의거하여 생성된 액세스 정보를 상기 불휘발성 반도체 메모리에 써넣는 기입수단을 구비한 것이다.

이와같은 제1의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, 테스트수단에 의해 불휘발성 반도체 메모리가 액세스되어 그 양부테스트가 행하여짐과 동시에, 기입수단에 의해 그 테스트결과 또는 그에 의거하여 생성된 액세스 정보가 불휘발성 반도체 메모리에 써넣어지게 됨으로써, 후사용시에 불휘발성 반도체 메모리의 테스트결과 또는 액세스 정보를 참조할 수 있게 되므로, 번인테스트 결과를 후사용에 반영시킬수가 있다.

더구나, 테스트수단 및 기입수단이 IC쪽에 구비되어 있기 때문에, IC자신이 주체적으로 작용하여 테스트공정 및 기입공정이 함께 자동적으로 행하여진다.

이에 의해, 테스트공정과 기입공정 사이에 사람의 손을 개재시킬 필요가 없어짐과 동시에, 일련의 공정이 신속 정확하게 행하여진다.

또, 처리의 주체가 테스터 등으로부터 IC자신으로 바뀌어짐으로써, 테스터가 간소화·공통화됨과 동시에, ROM라이터 등의 기입장치가 필요없게 된다.

따라서, 본 발명에 의하면, 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소한 것으로 된 불휘발성 반도체 메모리IC를, 테스트결과를 후의 사용에 반영시키는 기능을 손상시키지 않고 실현할 수가 있다.

〔제2의 해결수단〕

제2의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC는, 본 발명의 청구항 2에 기재한 바와 같이, 상기 제1의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC로서, 상기한 써넣기에 앞서서 상기 테스트결과 또는 상기 액세스 정보를 일시 퇴피시켜 놓는 일시 퇴피수단도 구비한 것이다.

이와같은 제2의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, 번인테스트에서 얻어진 테스트결과 또는 액세스 정보는, 번인테스트가 끝날때까지 일시 퇴피수단에 의해서 일시 퇴피되며, 그 후에 불휘발성 반도체 메모리로 써넣어진다.

이것으로, 번인테스트중의 불안정한 불휘발성 반도체 메모리에로의 기입이 회피되고, 불휘발성 반도체 메모리가 안정상태로 된 다음에 불휘발성 반도체 메모리에로의 기입이 행해지기 때문에, 불휘발성 반도체 메모리에 기입된 테스트결과 또는 액세스 정보가 그 후에도 정확히 보존되게 된다.

따라서, 본 발명에 의하면, 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간단한 것이 되는 불휘발성 반도체 메모리IC로서, 테스트결과가 확실하게 이용될 수 있는 것을 실현할 수 있다.

〔제3의 해결수단〕

제3의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC는, 본 발명의 청구항 3에 기재한 바와 같이, 불휘발성 반도체 메모리와 함께 CPU도 탑제한 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서, 상기 CPU의 프로그램 코드를 보유하는 ROM과, 상기 CPU에 의해 일시기억에 사용되는 기억수단을 구비하며, 상기 CPU가 상기 불휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 그 양부테스트를 행하는 테스트처리와, 그 테스트결과 또는 그것에 의거하여 생성된 액세스 정보를 상기 기억수단에 일시 퇴피시키는 일시퇴피처리와, 상기 테스트결과 또는 상기 액세스 정보를 상기 기억수단으로부터 상기 불휘발성 반도체 메모리에로 전환기입하는 전기(轉記)처리를 행하는 것이다.

이와같은 제3의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, CPU의 프로그램처리에 의해, 테스트공정 및 기입공정이 함께 IC주체로 자동적으로 행하여 진다.

또, 테스트결과 또는 액세스 정보의 일시 퇴피도 CPU의 프로그램처리에 의해서 행하여지는바, 그 퇴피장소에는 불휘발성 반도체 메모리와 별도의 기억수단이 사용된다.

더욱이, 그 기억수단은 소용량으로 충분하므로, 불휘발성 반도체 메모리보다 안정된 메모리구조가 채용된다.

또한, CPU나 그 용도의 ROM도 일반적으로 논리회로나 마스크 ROM 등으로 구현화되며, 고온환경하에서 불휘발성 반도체 메모리보다 안정되어 있으므로 테스트 및 기입처리가 확실하게 행하여진다.

이와같이 불휘발성 반도체 메모리와 병치되어 있는 기존의 CPU를 이용하여 테스트공정 및 기입공정이 진행되도록 하므로서, 다소의 ROM과 일시 퇴피용 기억수단을 추가하는 것 만으로 끝나기 때문에 IC의 회로규모나 칩사이즈의 증대를 극력 억제할 수가 있다.

따라서, 본 발명에 의하면, 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소한 것으로 되는 불휘발성 반도체 메모리IC로서, 테스트결과를 확실하게 이용할 수 있는 것을, 칩의 생산수득량을 거의 저하시키지 않고 실현할 수가 있다.

(실시예)

이와같은 해결수단으로 달성된 본 발명의 불휘발성 반도체 메모리IC에 대하여, 이를 실시하기 위한 형태를 설명한다.

도면을 인용하여 그 구체적인 구성을 설명하는바, 도 1은, 그 내부구조를 나타내는 블록도이며, 종래예의 도 5에 대응하고 있다.

또한, 종래와 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙여서 나타내고 있으므로 중복설명은 이를 생략하며, 이하 종래예와의 상이점을 중심으로 설명한다.

이 IC(60)(불휘발성 반도체 메모리IC)이 종래의 IC(20)과 상이한 것은, CPU(21)에 의해서 실행되는 테스트루틴(61a)의 프로그램 코드를 보유하는 마스크ROM(61)(테스트루틴 보유용의 ROM)과, 그 테스트중에 CPU(21)에 의해 스테이터스(62a)의 일시기억에 사용되는 SRAM(62)(일시퇴피용 기억수단)이, 추가로 내장되어 있는 점이다.

또, 이에 수반하여 로직회로(25)는 로직회로(63)으로 개조되며, 로직회로(63)은 테스트모드이지만 번인테스트를 할 때에는 CPU(21)을 작동시켜 테스트루틴(61a)를 실행시킴과 동시에, 외부로부터 단자(26) 등을 통해서 전환기입 지시신호(C)도 입력하여 이에 응해서 테스트루틴(61a)의 전기처리를 실행시키도록 되어 있다.

마스크ROM(61)은, 버스라인(22)에 접속된 소용량의 메모리로 충분하며, IC의 구조가 동일한 이상 테스트루틴(61a)도 공통이므로 기억내용이 고정되어 있어서 고온하에서도 안정된 메모리로 되어 있다.

또, SRAM(62)는, 테스트결과의 데이터인 스테이터스(62a)를 기억할 수 있으면 되는바, 이것도 버스라인(22)에 접속된 소용량의 메모리로 충분하므로, 예를들면 6트랜지스터로 되고 쌍안정상태를 정적(靜的)으로 유지할 수 있는 것과 같은 셀구조를 가지며, 고온하에서도 안정된 메모리로 되어 있다.

CPU(21)에 의해서 실행되는 테스트루틴(61a)는 고온하에서 불량이 발현하기쉬운 플래시 메모리(11)(불휘발성 반도체 메모리)에 가온하면서 액세스하여 그 양부테스트를 행하는 테스트공정과, 번인테스트의 결과 또는 그것에 의거하여 생성된 액세스 정보, 즉 스테이터스(62a)를 최종적으로는 플래시 메모리(11)(불휘발성 메모리)에 써넣는 기입공정을, 연속하여 자동적으로 행하도록 되어 있다.

더욱이, 그때에 스테이터스(62a)의 플래시 메모리(11)에로의 써넣기에 앞서서 플래시 메모리(11)이 불안정한 상태에 있을 때에는 그것을 일시 퇴피시켜 놓고, 그 후에 플래시 메모리(11)이 안정상태로 된 다음 스테이터스(62a)를 맵(11a)로 하여 플래시 메모리(11)에 기입하기 위하여, 번인테스트가 한창일때에는 스테이터스(62a)를 SRAM(62)에 기입함과 동시에, 번인테스트의 최후 또는 그 후에 전기지시신호(C)를 받으면 그때에, 스테이터스(62a)를 SRAM(62)로부터 플래시 메모리(11)의 잉여영역에 전기하도록 되어 있다.

이 실시예의 불휘발성 반도체 메모리IC에 대하여, 그 사용형태 및 동작을 도면을 인용하여 설명한다.

도 2는, 번인테스트를 실시하고 있는 상황도이다.

도 3은, 그때의 동작설명도이고, (a)는 시간경과에 따른 가열온도의 변화를 나타내고 있으며, (b)∼(d)는 메모리에로의 액세스 상태를 나타내고 있다.

이와같은 메모리IC(60)에 대한 번인테스트도, IC(60)을 가열기(30)에 세트하여 가열하면서 행하여지는바(도 2참조), 이 경우에 사용되는 테스터(70)은, 종래의 테스터(40) 보다 간소화 되어 있다.

즉, 가열기(30)에 대하여 온도의 설정을 지시하는 온도설정루틴(71) 등은 종래와 동일하게 남으나, 테스트의 구체적인 처리나 양부판정의 처리가 테스트루틴(61a)의 기능으로서 IC(60)에 도입된 것에 대응하여 테스트데이터의 써넣기나 읽어내기의 루틴, 그리고 양부판정의 루틴은 생략되고, 디스플레이(41)이나 프린터(42)는 있어도 좋으나 필수는 아닌 것으로 되어 있다.

그리고, 적절한 타이밍으로 케이블(31)을 통해서 IC(60)에 대하여 모드신호(M)이나 리세트신호(R)을 송출하는 것 만의 테스트모드 설정루틴(72)와, 동일하게 전기지시신호(C)를 송출하는 것 만의 전기지시루틴(73)이 도입되어 있다.

이와같은 테스터(70) 및 가열기(30)이 작동하여, IC(60)의 번인테스트가 개시되면(도 3참조), 온도설정루틴(71)이 가열기(30)에 지시하여, 처음은 25℃ 등의 실온으로 되어 있던 IC(60)의 분위기온도가 [도 3(a)의 t1참조], 먼저 일정시간[도 3(a)의 t1∼t2참조]은 약 70℃정도로 되며, 다음 이어서 잠시동안[도 3(a)의 t2∼t3참조]은 그 보다 높은 약 125℃로 되며, 그 후에 소정의 강온시간[도 3(a)의 t3∼t4참조]을 거쳐서 실온으로 되돌아온다.

또, 이와 병행하여, 테스트모드 설정루틴(72) 및 전기지시루틴(73)의 처리에 의하여, 테스트의 개시때[도 3(a)의 t1참조] 또는 그 직후에 사이클테스트를 지시하는 모드신호(M) 및 리세트신호(R)이 IC(60)에 송출된다.

이를 받아서, IC(60)에서는 테스트루틴(61a)에 의한 내부처리에 의하여 사이클테스트가 반복된다[도 3(a)의 t1∼t2참조].

이때에, 플래시 메모리(11)에는, 전체영역에 걸쳐 소정의 테스트데이터의 써넣기와 읽어내기의 체크가 행하여진다[도 3(b)참조].

이렇게 하여, 규격상(사양상)의 한계상태에서도 소거(消去)나 읽고 쓰기의 동작이 바르게 되고 있는지 아닌지가 확인된다.

다시, 그 다음의 승온시[도 3(a)의 t2참조] 또는 그 직후에는, 번인테스트를 지시하는 모드신호(M) 및 리세트신호(R)이 테스터(70)으로부터 IC(60)으로 송출된다.

이를 받아서 IC(60)에서는, 역시 테스트루틴(61a)에 의한 내부처리에 의하여, 사이클테스트에서 기입된 데이터를 대상으로 하여 읽어내기체크가 반복된다[도 3(c)참조].

이때에, 플래시 메모리(11)은, 고온 때문에 기입이나 소거는 불확실한 상태로 되어 있어도, 읽어내기는 가능한 상태이며 많은 데이터가 올바르게 읽어내지고 있으나, 실온상태 등에서는 정상일지라도 가혹한 환경이나 장기간 경과후에 오동작을 일으킬 불안정한 영역에 기입된 데이터에 대해서는 착오읽어내기가 발생하기 쉽게 되어 있다.

그리고, 테스트루틴(61a)에 의해서, 플래시 메모리(11) 가운데 번인테스트중에[도 3(a)의 t2∼t3참조] 한번이라도 바르게 읽어내지 못한 개소에 대해서는, 그 국소영역을 포함한 섹터나 블록 등의 소정범위의 영역단위에서, SRAM(62)의 스테이터스(62a)에 있어서의 불량 플래그가 세트된다[도 3(c)참조].

이와같이 하여, 불휘발성 반도체 메모리(11)에 액세스하여 그 양부테스트를 행하는 테스트공정이 행해짐과 동시에, 그 테스트의 결과로 얻어진 액세스 정보(62a)가 기억수단(62)에 일시 퇴피된 상태로 작성된다.

그리고, 소정의 강온시간을 거쳐서 IC(60)이 실온으로 되돌아올 때 쯤에[도 3(a)의 t4참조], 전기지시루틴(73)의 처리에 의하여 전기지시신호(C)가 테스터(70)으로부터 IC(60)으로 송출된다.

이를 받아서 IC(60)에서는, 역시 테스트루틴(61a)에 의한 내부처리에 의해서, SRAM(62)의 스테이터스(62a)가 읽어내져서 플래시 메모리(11)의 맵(11a)의 곳에 기입된다.

이와같이 하여, 퇴피하고 있던 액세스 정보(62a)가 기억수단(62)로부터 불휘발성 반도체 메모리(11)에 전기된다.

그 후, 번인테스트가 끝난 메모리IC(60)은, 가열기(30)으로부터 분리되는바, 그 시점에서, 플래시 메모리(11) 가운데에 테스트결과를 반영한 맵(11a)가 기입되어 있으므로, 양품일때에는 즉시 그 후의 사용에 제공되게 된다.

이와같이 하여 본 실시예의 IC(60)은, 작업자가 ROM라이터(50) 등을 사용하여 기입할 것도 없이, 자력으로 액세스 정보를 만들어 내기 때문에 테스트공정 및 기입공정의 작업이 쉽게 될 뿐만 아니라 단시간에 끝날 수 있다.

또, 테스터는 간소한 것으로 될 수 있으며, 지령을 내는 것 만이기 때문에 각종의 불휘발성 반도체 메모리IC의 테스터에 동일한 것을 사용할 수 있다.

또한, ROM라이터(50)도 필요가 없다.

그리고, 상기의 실시예에서는, 일시퇴피용 기억수단으로서 SRAM(62)를 예로 들었으나 이는 한 예이며, SRAM(62)나 CPU(21) 등과 동일하게 플래시 메모리(11) 보다 고온하에서 안정되어 있으면 좋고, 예를들면 레지스터파일이라도 좋다.

또, 가열기(30)에 IC(60)을 한개씩 번갈아 올려놓고 테스트하는 경우에 대하여 설명하였으나, 가열기(30)에 IC(60)을 여러개 올려놓고 테스트하는 경우에도, 본 발명은 적용가능하며, 유효하다.

또한, 상기 실시예에서는, 맵(11a)를 플래시 메모리(11)내의 이미 정해진 영역에 기입하도록 하였으나, 맵(11a)가 플래시 메모리(11)내의 어느 곳에 있어도 이용할수 있도록 맵(11a)를 기입하기 전에 일단 전체영역의 데이터를 소거해 놓고 기입하는 것으로 하여도 좋다.

이때에, 불량개소를 회피함과 동시에 맵(11a)의 선두 등에 검지하기 쉬운 소정의 패턴을 부가해 두는 것도 좋다.

이상의 설명으로 명백한 바와 같이, 본 발명의 제1의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, IC자신이 주체적으로 작용하여 테스트공정 및 기입공정이 행하여지도록 하므로서, 일련의 공정이 신속하고 정확하게 더욱이 간단하게 처리되며, 그 결과, 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소한 것으로 된 불휘발성 반도체 메모리IC를 실현할 수 있다는 유리한 효과가 있다.

또, 본 발명의 제2의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, 번인테스트중의 불안정한 불휘발성 반도체 메모리에로의 기입이 회피되도록 하므로서, 테스트결과 또는 액세스 정보가 정확히 보존되도록 되며, 그 결과 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소한 것으로 된 불휘발성 반도체 메모리IC로서 테스트결과를 확실하게 이용할 수 있는 것을 실현할 수가 있다는 유리한 효과를 나타낸다.

또한, 본 발명의 제3의 해결수단의 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서는, 내장한 CPU를 이용하여 테스트 및 기입이 행하여지도록 하므로서, IC의 회로규모나 칩사이즈의 증대가 억제되고, 그 결과 번인테스트에 관련하는 작업이나 장치가 간소한 것으로 된 불휘발성 반도체 메모리IC로서 테스트결과를 확실하게 이용할 수 있는 것을 칩의 생산수득량의 저하없이 실현할 수가 있다는 유리한 효과가 있다.

Claims

불휘발성 반도체 메모리를 탑재한 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서,

상기 불휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 그 양부(良否) 테스트를 행하는 수단과, 상기 테스트결과 또는 그에 기초하여 생성된 액세스 정보를 상기 불휘발성 반도체 메모리에 써넣는 기입수단을 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리IC.
제1항에 있어서,

상기 기입에 앞서서 상기 테스트결과 또는 상기 액세스 정보를 일시 퇴피시켜놓을 일시퇴피수단을 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리IC.
불휘발성 반도체 메모리와 함께 CPU도 탑재한 불휘발성 반도체 메모리IC에 있어서,

상기 CPU의 프로그램 코드를 보유하는 ROM과, 상기 CPU에 의해 일시 기억에 사용되는 기억수단을 구비하며,

상기 CPU는, 상기 불휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 그 양부테스트를 행하는 테스트처리와, 그 테스트결과 또는 그에 기초하여 생성된 액세스 정보를 상기 기억수단에 일시 퇴피시키는 일시퇴피처리와, 상기 테스트결과 또는 상기 액세스 정보를 상기 기억수단으로부터 상기 불휘발성 반도체 메모리에 전환기입하는 전기(轉記)처리를 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리IC.