JP2003158243A - 半導体装置及び半導体装置の動作頻度の記録方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の動作頻度の記録方法Info
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- JP2003158243A JP2003158243A JP2001356355A JP2001356355A JP2003158243A JP 2003158243 A JP2003158243 A JP 2003158243A JP 2001356355 A JP2001356355 A JP 2001356355A JP 2001356355 A JP2001356355 A JP 2001356355A JP 2003158243 A JP2003158243 A JP 2003158243A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C29/50012—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of timing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
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-
- G—PHYSICS
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- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の実動作時間を実動作頻度から正
確に把握する。 【解決手段】 動作頻度に関する情報を記録する不揮発
性のメモリ（Ａ）４と、動作頻度に関する情報の書き換
えが行われる揮発性のメモリ（Ｂ）５と、メモリ（Ａ）
４に記録された動作頻度に関する情報をメモリ（Ｂ）５
へ送り、メモリ（Ｂ）５上で書き換えた後、メモリ
（Ａ）４に戻す制御手段６とを備える。
確に把握する。 【解決手段】 動作頻度に関する情報を記録する不揮発
性のメモリ（Ａ）４と、動作頻度に関する情報の書き換
えが行われる揮発性のメモリ（Ｂ）５と、メモリ（Ａ）
４に記録された動作頻度に関する情報をメモリ（Ｂ）５
へ送り、メモリ（Ｂ）５上で書き換えた後、メモリ
（Ａ）４に戻す制御手段６とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置及び
半導体装置の動作頻度の記録方法に関し、特に、動作頻
度に応じて製品の保証を行う半導体装置に関するもので
ある。
半導体装置の動作頻度の記録方法に関し、特に、動作頻
度に応じて製品の保証を行う半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近時において、半導体装置は民生用から
高信頼性が要求される自動車用など様々な用途に使用さ
れるようになってきており、用途に応じた製品保証が必
要となっている。
高信頼性が要求される自動車用など様々な用途に使用さ
れるようになってきており、用途に応じた製品保証が必
要となっている。
【０００３】製品保証のうち半導体装置の実動作期間に
ついての保証は、従来から最終製品の使用期間より推測
して保証することが行われている。この最終製品の使用
期間は、用途に応じて予測される使用回数、使用頻度
と、半導体装置の許容使用回数とから推測されるもので
ある。
ついての保証は、従来から最終製品の使用期間より推測
して保証することが行われている。この最終製品の使用
期間は、用途に応じて予測される使用回数、使用頻度
と、半導体装置の許容使用回数とから推測されるもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置の実動作時間、実動作回数は、使用環境、用途等に
応じて大きく異なる。従来の方法では、半導体装置の実
動作時間を最終製品の使用期間レベルでしか把握するこ
とができないため、半導体装置が使用頻度の高い状況で
使用された場合は、定められた使用期間が経過する前に
半導体装置の性能が劣化するという問題が生じていた。
一方、半導体装置が使用頻度の低い状況で使用された場
合には、使用期間が経過してしまうと所期の性能を満足
しているにも関わらず廃棄等がされることとなる。この
ため、実動作時間が許容範囲を経過していない半導体装
置が無駄に廃棄されるという問題が生じていた。
装置の実動作時間、実動作回数は、使用環境、用途等に
応じて大きく異なる。従来の方法では、半導体装置の実
動作時間を最終製品の使用期間レベルでしか把握するこ
とができないため、半導体装置が使用頻度の高い状況で
使用された場合は、定められた使用期間が経過する前に
半導体装置の性能が劣化するという問題が生じていた。
一方、半導体装置が使用頻度の低い状況で使用された場
合には、使用期間が経過してしまうと所期の性能を満足
しているにも関わらず廃棄等がされることとなる。この
ため、実動作時間が許容範囲を経過していない半導体装
置が無駄に廃棄されるという問題が生じていた。
【０００５】この発明は上述したような問題に鑑みて成
されたものであり、半導体装置の実動作時間を実動作頻
度から正確に検出できるようにすることを目的とする。
されたものであり、半導体装置の実動作時間を実動作頻
度から正確に検出できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置
は、動作頻度に関する情報を記録する不揮発性メモリ
と、前記動作頻度に関する情報の書き換えが行われる揮
発性メモリと、前記不揮発性メモリに記録された前記動
作頻度に関する情報を前記揮発性メモリへ送り、前記揮
発性メモリで書き換えた後、前記不揮発性メモリへ戻す
制御手段とを備えたものである。
は、動作頻度に関する情報を記録する不揮発性メモリ
と、前記動作頻度に関する情報の書き換えが行われる揮
発性メモリと、前記不揮発性メモリに記録された前記動
作頻度に関する情報を前記揮発性メモリへ送り、前記揮
発性メモリで書き換えた後、前記不揮発性メモリへ戻す
制御手段とを備えたものである。
【０００７】また、前記動作頻度に関する情報がリセッ
ト回数の情報である。
ト回数の情報である。
【０００８】また、前記動作頻度に関する情報がパワー
オン回数の情報である。
オン回数の情報である。
【０００９】また、前記制御手段は、前記不揮発性メモ
リに記録された前記動作頻度に関する情報を前記揮発性
メモリへ送った後、前記不揮発性メモリの記録内容を消
去するものである。
リに記録された前記動作頻度に関する情報を前記揮発性
メモリへ送った後、前記不揮発性メモリの記録内容を消
去するものである。
【００１０】また、この発明の半導体装置の動作頻度の
記録方法は、不揮発性メモリと揮発性メモリを備えた半
導体装置に動作頻度に関する情報を記録する方法であっ
て、前記動作頻度に関する情報を前記不揮発性メモリに
記録するステップと、前記不揮発性メモリに記録された
動作頻度に関する情報を前記揮発性メモリに送るステッ
プと、前記揮発性メモリ上で前記動作頻度に関する情報
を書き換えるステップと、書き換えられた前記動作頻度
に関する情報を前記不揮発性メモリへ戻すステップとを
備えたものである。
記録方法は、不揮発性メモリと揮発性メモリを備えた半
導体装置に動作頻度に関する情報を記録する方法であっ
て、前記動作頻度に関する情報を前記不揮発性メモリに
記録するステップと、前記不揮発性メモリに記録された
動作頻度に関する情報を前記揮発性メモリに送るステッ
プと、前記揮発性メモリ上で前記動作頻度に関する情報
を書き換えるステップと、書き換えられた前記動作頻度
に関する情報を前記不揮発性メモリへ戻すステップとを
備えたものである。
【００１１】また、前記動作頻度に関する情報がリセッ
ト回数の情報である。
ト回数の情報である。
【００１２】また、前記動作頻度に関する情報がパワー
オン回数の情報である。
オン回数の情報である。
【００１３】また、前記不揮発性メモリに記録された前
記動作頻度に関する情報を前記揮発性メモリへ送るステ
ップの後、前記不揮発性メモリの記録内容を消去するス
テップを更に備えたものである。
記動作頻度に関する情報を前記揮発性メモリへ送るステ
ップの後、前記不揮発性メモリの記録内容を消去するス
テップを更に備えたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施の形態
にかかる半導体装置１の構成を示す模式図である。図１
に示すように、この半導体装置１はリセット回数記憶回
路２、その他の機能回路３、メモリ（Ａ）４、メモリ
（Ｂ）５、制御回路６を１チップ上に備えたものであ
る。ここで、メモリ（Ａ）４、メモリ（Ｂ）５及び制御
回路６はリセット回数記憶回路２に含まれる。
にかかる半導体装置１の構成を示す模式図である。図１
に示すように、この半導体装置１はリセット回数記憶回
路２、その他の機能回路３、メモリ（Ａ）４、メモリ
（Ｂ）５、制御回路６を１チップ上に備えたものであ
る。ここで、メモリ（Ａ）４、メモリ（Ｂ）５及び制御
回路６はリセット回数記憶回路２に含まれる。
【００１５】メモリ（Ａ）４はリセット回数記憶用の不
揮発かつリライタブルなメモリ、メモリ（Ｂ）５はＲＡ
Ｍ等の書き換え可能なメモリである。また、制御回路６
はメモリ（Ａ）４、メモリ（Ｂ）５を制御するための機
能を有する回路であり、内部ブロックに同期して動作す
るものである。制御回路６の具体的な制御内容として
は、消去（ERACE）／書き込み（WRITE）、データ転送、
データインクリメントなどの処理が挙げられる。
揮発かつリライタブルなメモリ、メモリ（Ｂ）５はＲＡ
Ｍ等の書き換え可能なメモリである。また、制御回路６
はメモリ（Ａ）４、メモリ（Ｂ）５を制御するための機
能を有する回路であり、内部ブロックに同期して動作す
るものである。制御回路６の具体的な制御内容として
は、消去（ERACE）／書き込み（WRITE）、データ転送、
データインクリメントなどの処理が挙げられる。
【００１６】この実施の形態では、半導体装置１の動作
頻度に関する情報としてリセット回数を記録するように
している。リセット回数はメモリ（Ａ）４が保持してい
る。
頻度に関する情報としてリセット回数を記録するように
している。リセット回数はメモリ（Ａ）４が保持してい
る。
【００１７】メモリ（Ａ）４は不揮発性のメモリである
ため、メモリ（Ａ）４に書き込まれたデータは電源を切
った後も保存される。一方、メモリ（Ｂ）５はＲＡＭ等
の揮発性メモリであり、電源が投入されている間はメモ
リ（Ｂ）５内のデータを自由に書き換えることができ
る。
ため、メモリ（Ａ）４に書き込まれたデータは電源を切
った後も保存される。一方、メモリ（Ｂ）５はＲＡＭ等
の揮発性メモリであり、電源が投入されている間はメモ
リ（Ｂ）５内のデータを自由に書き換えることができ
る。
【００１８】この実施の形態ではこのようなメモリ
（Ａ）４，メモリ（Ｂ）５それぞれの特質を生かして、
データの保持はメモリ（Ａ）４で行い、データの書き換
えはメモリ（Ｂ）５で行うようにしている。すなわち、
リセット動作があった場合には、メモリ（Ａ）４に書き
込まれたデータをメモリ（Ｂ）５へ転送し、メモリ
（Ｂ）５においてデータの書き換えを行う。メモリ
（Ｂ）５において書き換えを行ったデータはメモリ
（Ａ）４へ戻される。このように、リセット動作に伴う
データの書き換えを揮発性メモリであるメモリ（Ｂ）５
で行うことにより、不揮発性メモリであるメモリ（Ａ）
４のデータの書き換えを確実に行うことが可能となる。
（Ａ）４，メモリ（Ｂ）５それぞれの特質を生かして、
データの保持はメモリ（Ａ）４で行い、データの書き換
えはメモリ（Ｂ）５で行うようにしている。すなわち、
リセット動作があった場合には、メモリ（Ａ）４に書き
込まれたデータをメモリ（Ｂ）５へ転送し、メモリ
（Ｂ）５においてデータの書き換えを行う。メモリ
（Ｂ）５において書き換えを行ったデータはメモリ
（Ａ）４へ戻される。このように、リセット動作に伴う
データの書き換えを揮発性メモリであるメモリ（Ｂ）５
で行うことにより、不揮発性メモリであるメモリ（Ａ）
４のデータの書き換えを確実に行うことが可能となる。
【００１９】図２は、図１の半導体装置１においてリセ
ット回数を記憶しておくための処理手順を示すフローチ
ャートである。先ず、出荷時にはステップＳ１に示すよ
うにメモリ（Ａ）４をブランク状態にしておく。
ット回数を記憶しておくための処理手順を示すフローチ
ャートである。先ず、出荷時にはステップＳ１に示すよ
うにメモリ（Ａ）４をブランク状態にしておく。
【００２０】次のステップＳ２において、ユーザの使用
によって半導体装置１がリセットされると、制御回路６
はメモリ（Ａ）４の記録内容をメモリ（Ｂ）４へ転送す
る。次に、ステップＳ３では、制御回路６がメモリ
（Ｂ）５へ転送されたリセット回数の値を＋１（インク
リメント）する。次のステップＳ４では、制御回路６は
メモリ（Ａ）４の内容を消去してブランク状態にする。
によって半導体装置１がリセットされると、制御回路６
はメモリ（Ａ）４の記録内容をメモリ（Ｂ）４へ転送す
る。次に、ステップＳ３では、制御回路６がメモリ
（Ｂ）５へ転送されたリセット回数の値を＋１（インク
リメント）する。次のステップＳ４では、制御回路６は
メモリ（Ａ）４の内容を消去してブランク状態にする。
【００２１】ここで、ステップＳ３とステップＳ４の順
序を逆に行うようにしてもよい。すなわち、ステップＳ
２、ステップＳ４、ステップＳ３の順に処理を行うこと
も可能である。次のステップＳ５において、制御回路６
はメモリ（Ｂ）５に保持されている更新されたリセット
回数の値をメモリ（Ａ）４へ転送して書き込む。
序を逆に行うようにしてもよい。すなわち、ステップＳ
２、ステップＳ４、ステップＳ３の順に処理を行うこと
も可能である。次のステップＳ５において、制御回路６
はメモリ（Ｂ）５に保持されている更新されたリセット
回数の値をメモリ（Ａ）４へ転送して書き込む。
【００２２】このように、図１の構成を備えた半導体装
置１がステップＳ２からステップＳ５までの処理を自動
的に実施することで、メモリ（Ａ）４には常時リセット
の回数が加算されていくことになる。そして、メモリ
（Ａ）４の記録内容を読み出すことにより、半導体装置
１がリセットされた回数を常時確認することが可能とな
る。
置１がステップＳ２からステップＳ５までの処理を自動
的に実施することで、メモリ（Ａ）４には常時リセット
の回数が加算されていくことになる。そして、メモリ
（Ａ）４の記録内容を読み出すことにより、半導体装置
１がリセットされた回数を常時確認することが可能とな
る。
【００２３】以上説明したようにこの実施の形態によれ
ば、リセット回数に基づく半導体装置１の使用頻度が常
時確認できるため、半導体装置１を使用するユーザ側に
とっても使用頻度を確認しながら半導体装置１を使用す
ることが可能となる。
ば、リセット回数に基づく半導体装置１の使用頻度が常
時確認できるため、半導体装置１を使用するユーザ側に
とっても使用頻度を確認しながら半導体装置１を使用す
ることが可能となる。
【００２４】また、メーカ側においても、例えば高信頼
性が要求される用途に対しては、半導体装置１が磨耗故
障期間に入る前に自動的に半導体装置１からアラームを
発信するというような動作頻度に対応した設計が可能と
なる。また、メーカ側においては、客先からの返却品評
価時に客先用途とリセット回数より高精度に使用時間を
推測することが可能となる。
性が要求される用途に対しては、半導体装置１が磨耗故
障期間に入る前に自動的に半導体装置１からアラームを
発信するというような動作頻度に対応した設計が可能と
なる。また、メーカ側においては、客先からの返却品評
価時に客先用途とリセット回数より高精度に使用時間を
推測することが可能となる。
【００２５】なお、上述の説明では動作頻度に関する情
報としてリセット回数を記録するようにしたが、この発
明はこれに限定されるものではなく、パワーＯＮ回数、
実際に半導体装置１が動作した時間など動作頻度に関す
る他のデータを記録するようにしても良い。
報としてリセット回数を記録するようにしたが、この発
明はこれに限定されるものではなく、パワーＯＮ回数、
実際に半導体装置１が動作した時間など動作頻度に関す
る他のデータを記録するようにしても良い。
【００２６】また、メモリ（Ｂ）５として揮発性のメモ
リを挙げたが、書き換え可能な不揮発性メモリを用いて
もよい。
リを挙げたが、書き換え可能な不揮発性メモリを用いて
もよい。
【００２７】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００２８】動作頻度に関する情報を揮発性メモリへ送
ることにより、揮発性メモリ上で動作頻度に関する情報
を書き換えることが可能となる。また、書き換えた情報
を不揮発性メモリへ戻すことにより、電源オフ時におい
ても動作頻度に関する情報を保持することが可能とな
る。これにより、不揮発性メモリの記録内容を読み出す
ことにより、半導体装置の使用頻度が常時確認できるた
め、ユーザ側にとっては使用頻度を確認しながら半導体
装置を使用することが可能となる。また、メーカ側にお
いても、動作頻度に応じて所定の動作を行うように半導
体装置を設計することが可能となる。
ることにより、揮発性メモリ上で動作頻度に関する情報
を書き換えることが可能となる。また、書き換えた情報
を不揮発性メモリへ戻すことにより、電源オフ時におい
ても動作頻度に関する情報を保持することが可能とな
る。これにより、不揮発性メモリの記録内容を読み出す
ことにより、半導体装置の使用頻度が常時確認できるた
め、ユーザ側にとっては使用頻度を確認しながら半導体
装置を使用することが可能となる。また、メーカ側にお
いても、動作頻度に応じて所定の動作を行うように半導
体装置を設計することが可能となる。
【００２９】動作頻度に関する情報をリセット回数の情
報とすることにより、半導体装置がリセットされた回数
に応じて動作頻度を書き換えることが可能となる。
報とすることにより、半導体装置がリセットされた回数
に応じて動作頻度を書き換えることが可能となる。
【００３０】動作頻度に関する情報をパワーオン回数の
情報とすることにより、半導体装置がパワーオン回数さ
れた回数に応じて動作頻度を書き換えることが可能とな
る。
情報とすることにより、半導体装置がパワーオン回数さ
れた回数に応じて動作頻度を書き換えることが可能とな
る。
【００３１】動作頻度に関する情報を揮発性メモリへ送
るとともに、不揮発性メモリの記録内容を消去すること
により、揮発性メモリ上で書き換えられた情報を確実に
不揮発性メモリに記録することができる。
るとともに、不揮発性メモリの記録内容を消去すること
により、揮発性メモリ上で書き換えられた情報を確実に
不揮発性メモリに記録することができる。
【図１】 この発明の一実施の形態にかかる半導体装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図２】 この発明の一実施の形態にかかる半導体装置
において、リセット回数を記憶しておくための処理手順
を示すフローチャートである。
において、リセット回数を記憶しておくための処理手順
を示すフローチャートである。
１ 半導体装置、 ２ リセット回数記憶回路、
３ その他の機能回路、 ４ メモリ（Ａ）、 ５
メモリ（Ｂ）、 ６ 制御回路。
３ その他の機能回路、 ４ メモリ（Ａ）、 ５
メモリ（Ｂ）、 ６ 制御回路。
Claims (8)
- 【請求項１】 動作頻度に関する情報を記録する不揮発
性メモリと、 前記動作頻度に関する情報の書き換えが行われる揮発性
メモリと、 前記不揮発性メモリに記録された前記動作頻度に関する
情報を前記揮発性メモリへ送り、前記揮発性メモリで書
き換えた後、前記不揮発性メモリへ戻す制御手段とを備
えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記動作頻度に関する情報がリセット回
数の情報であることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 前記動作頻度に関する情報がパワーオン
回数の情報であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記不揮発性メモリに
記録された前記動作頻度に関する情報を前記揮発性メモ
リへ送った後、前記不揮発性メモリの記録内容を消去す
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 不揮発性メモリと揮発性メモリを備えた
半導体装置に動作頻度に関する情報を記録する方法であ
って、 前記動作頻度に関する情報を前記不揮発性メモリに記録
するステップと、 前記不揮発性メモリに記録された動作頻度に関する情報
を前記揮発性メモリに送るステップと、 前記揮発性メモリ上で前記動作頻度に関する情報を書き
換えるステップと、 書き換えられた前記動作頻度に関する情報を前記不揮発
性メモリへ戻すステップとを備えたことを特徴とする半
導体装置の動作頻度の記録方法。 - 【請求項６】 前記動作頻度に関する情報がリセット回
数の情報であることを特徴とする請求項５記載の半導体
装置の動作頻度の記録方法。 - 【請求項７】 前記動作頻度に関する情報がパワーオン
回数の情報であることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置の動作頻度の記録方法。 - 【請求項８】 前記不揮発性メモリに記録された前記動
作頻度に関する情報を前記揮発性メモリへ送るステップ
の後、前記不揮発性メモリの記録内容を消去するステッ
プを更に備えたことを特徴とする請求項５〜７のいずれ
かに記載の半導体装置の動作頻度の記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356355A JP2003158243A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 半導体装置及び半導体装置の動作頻度の記録方法 |
| US10/176,656 US6646915B2 (en) | 2001-11-21 | 2002-06-24 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356355A JP2003158243A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 半導体装置及び半導体装置の動作頻度の記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158243A true JP2003158243A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=19167891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001356355A Withdrawn JP2003158243A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 半導体装置及び半導体装置の動作頻度の記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6646915B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003158243A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4256198B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | データ記憶システム |
| DE102007046844A1 (de) * | 2007-09-29 | 2009-04-16 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Kompensation einer durch die Betriebszeit hervorgerufenen Beeinträchtigung der Arbeitsgeschwindigkeit durch Anpassen der Versorgungsspannung |
| JP2011107851A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | メモリシステム |
| US8330534B2 (en) | 2010-11-17 | 2012-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit for negative bias temperature instability compensation |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7447069B1 (en) * | 1989-04-13 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
| JPH03288948A (ja) | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
| DE19625619C2 (de) * | 1996-06-26 | 1998-04-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem Kraftfahrzeug |
| JP3078530B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2000-08-21 | ローム株式会社 | 不揮発性半導体メモリｉｃ及びそのバーンインテスト方法 |
-
2001
- 2001-11-21 JP JP2001356355A patent/JP2003158243A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-06-24 US US10/176,656 patent/US6646915B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6646915B2 (en) | 2003-11-11 |
| US20030095433A1 (en) | 2003-05-22 |
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