KR19990003545A - 반도체 소자의 캐퍼시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 트랜지스터와 캐퍼시터를 구비하는 반도체 소자의 캐퍼시터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 트랜지스터의 접합 영역과 게이트 전극을 포함하고, 전체 구조 상에 층간 절연막이 기형성된 반도체 기판을 제공하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 층간 절연막의 상부를 요철 형태로 식각하되, 상기 스토리지 전극이 형성될 영역의 상기 층간 절연막만을 요철 형태로 식각하는 단계, 상기 스토리지 전극을 형성하기 위하여 사진 식각 공정으로 소정의 상기 접합 영역 상에 콘택홀을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 1 폴리실리콘막과 절연막을 증착하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 절연막과 제 1 폴리실리콘막을 차례로 식각하여, 상부에 상기 절연막이 남아 있는 제 1 스토리지 전극 패턴을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 2 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 상기 제 2 폴리실리콘막을 전면성 식각하여 상기 절연막과 제 1 스토리지 전극 패턴 측면에 스페이서 형태의 제 2 스토리지 전극 패턴을 형성하는 단계 및 요철이 있는 실린더 형태로 연결된 상기 제 1 및 제 2 스토리지 전극 상의 상기 절연막을 제거함으로써, 상기 캐퍼시터의 스토리지 전극을 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고용량 캐퍼시터를 제조하기 위한 반도체 소자의 캐퍼시터 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 현재 널리 사용되는 DRAM 소자는 스위치 역할을 하는 트랜지스터와 실제로 정보를 저장하는 캐피시터로 구성된다. 최근 DRAM 소자가 고집적화됨에 따라 각 구성 요소의 크기가 축소되고 있고 이에 따라 캐퍼시터가 형성되는 영역도 축소되고 있다. 따라서, DRAM 소자의 동작에 신뢰성을 주면서 같은 크기의 DRAM 소자에 대해 보다 큰 캐퍼시터를 갖는 DRAM 소자의 제조 방법이 요구된다.
도 1은 종래의 실린더(Cylinder)형 구조의 캐퍼시터를 갖는 반도체 DRAM 소자를 나타내는 단면도로, 게이트 전극과 비트라인(도시하지 않음)이 형성된 반도체 기판의 소오스 영역 상에 실린더형 캐퍼시터가 형성되어 있다. 도 1을 간략하게 살펴보면, 소자 분리막(101)이 형성된 반도체 기판(100) 상에 게이트 산화막(103)과 사이드월 스페이서(102)를 갖는 게이트 전극(104)이 형성되어 있으며, 게이트 전극상에 층간 절연막(106)과 평탄화 절연막(107)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 전극에 인접하여 형성된 소오스 영역(105) 상에 폴리 스페이서를 포함한 스토리지 전극(109), 유전막(110) 및 플레이트 전극(111)이 차례로 적층된 캐퍼시터가 형성되어 있다. 따라서, 이와 같은 실린더 형태의 캐퍼시터는 종래에 비해 폴리 스페이서가 더 형성되어 있어 캐퍼시터 용량을 증가시킨다.
그러나, 반도체 DRAM 소자의 고집적화에 따라 캐퍼시터가 차지하는 면적은 한정되어 있고, 이 한정된 면적 내에서 표면적을 보다 증가시켜 반도체 소자의 캐퍼시터 용량을 증대시킬 수 있는 반도체 DRAM 소자의 캐퍼시터 제조 방법이 요구된다.
본 발명은, 반도체 DRAM 소자의 크기는 증가시키지 않으면서 정보 저장능력(Charge storge capacity)은 종래에 비해 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 캐퍼시터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 실린더 형태의 캐퍼시터를 갖는 반도체 DRAM 소자를 나타내는 단면도.
도 2a 및 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 요철이 있는 실린더 형태의 캐퍼시터를 갖는 반도체 DRAM 소자의 제조 공정을 나타내는 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100,200 : 반도체 기판 101,201 : 소자 분리막
102,202 : 사이드월 스페이서 103,203 : 게이트 산화막
104,204 : 게이트 전극 105,205 : 소오스 영역
106,206 : 층간 절연막 107,207 : 평탄화 절연막
108,208 : 스페이서 109,209,211 : 스토리지 전극
110,212 : 유전막 111,213 : 플레이트 전극
210:절연막
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 트랜지스터와 캐퍼시터를 구비하는 반도체 소자를 제조함에 있어서, 상기 트랜지스터의 접합 영역과 게이트전극을 포함하고, 전체 구조 상에 층간 절연막이 기형성된 반도체 기판을 제공하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 층간 절연막의 상부를 요철 형태로 식각하되, 상기 스토리지 전극이 형성될 영역의 상기 층간 절연막만을 요철 형태로 식각하는 단계, 상기 스토리지 전극을 형성하기 위하여 사진 식각 공정으로 소정의 상기 접합 영역 상에 콘택홀을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 1 폴리실리콘막과 절연막을 증착하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 절연막과 제 1 폴리실리콘막을 차례로 식각하여, 상부에 상기 절연막이 남아 있는 제 1 스토리지 전극 패턴을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 2 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 상기 제 2 폴리실리콘막을 전면성 식각하여 상기 절연막과 제 1 스토리지 전극 패턴 측면에 스페이서 형태의 제 2 스토리지 전극 패턴을 형성하는 단계 및 요철이 있는 실린더 형태로 연결된 상기 제 1 및 제 2 스토리지 전극 상의 상기 절연막을 제거함으로써, 상기 캐퍼시터의 스토리지 전극을 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.
도 2a 및 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 요철이 있는 실린더 형태의 캐퍼시터를 갖는 반도체 DRAM 소자의 제조 공정을 나타내는 공정 단면도이다. 먼저, 소자 분리막(201)으로 분리된 반도체 기판(200) 상에 사이드월 스페이서(202)를 갖는 트랜지스터의 게이트 산화막(203)과 게이트 전극(204), 소오스(205) 및 드레인 영역(도시하지 않음)이 기형성되고, 드레인 영역 상에 비트라인(도시하지 않음)과 전체 구조에 층간 절연막(206)이 기형성된 전체 구조 상에 평탄화 절연막(207)을 증착한다. 캐퍼시터의 스토리지 전극은 후속 공정에서 소오스 영역(205)에 상에 형성되는데, 이 스토리지 전극이 형성될 위치의 층간 절연막을 사진식각 공정을 통하여 도 2a와 같이 요철 형태로 일부 식각한다. 이와 같이, 스토리지 전극이 형성될 영역에 요철을 만들어 줌으로써 스토리지 전극의 표면적을 증가시킬 수 있고, 따라서 캐퍼시터의 크기가 증가하지 않으면서 용량은 증가하게 된다. 이어서, 스토리지 전극을 형성하기 위하여 상기 소오스 영역(205) 상에 마스크를 형성하여 콘택홀을 형성한 다음, 전체 구조 상에 절연막을 증착하고 전면성 식각하여 콘택홀 내측면에 스페이서(208)를 형성한다. 계속해서, 제 1 폴리실리콘막(209)과 절연막(210)을 증착한 후 사진 식각 공정을 통하여 도 2b와 같이 제 1 스토리지 전극을 형성한다. 그런 다음, 전체 구조 상에 제 2 폴리실콘막을 증착한 다음 상기 제 2 폴리실리콘막을 전면성 식각함으로써, 도 2c와 같이 제 1 스토리지 전극 측면에 폴리 스페이서 형태의 제 2 스토리지 전극(211)을 형성한다. 이어서, 남아 있는 상기 절연막(210)을 완전히 제거함으로써 요철이 있는 실린더 형태의 스토리지 전극을 완성한다. 그 다음, 전체 구조 상에 유전막과 플레이트 전극을 형성함으로써 도 2d에 도시된 바와 같이 반도체 DRAM 소자의 캐퍼시터를 제조한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 스토리지 전극이 형성될 영역의 표면에 요철을 만들어 줌으로써 캐퍼시터가 차지하는 면적을 늘리지 않으면서 스토리지 전극의 표면적을 증가시킴으로써 캐퍼시터의 용량을 증대시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
Claims (2)
- 트랜지스터와 캐퍼시터를 구비하는 반도체 소자를 제조함에 있어서, 상기 트랜지스터의 접합 영역과 게이트 전극을 포함하고, 전체 구조 상에 층간 절연막이 기형성된 반도체 기판을 제공하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 층간 절연막의 상부를 요철 형태로 식각하되, 상기 스토리지 전극이 형성될 영역의 상기 층간 절연막만을 요철 형태로 식각하는 단계, 상기 스토리지 전극을 형성하기 위하여 사진 식각 공정으로 소정의 상기 접합 영역 상에 콘택홀을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 1 폴리실리콘막과 절연막을 증착하는 단계, 사진 식각 공정을 통하여 상기 절연막과 제 1 폴리실리콘막을 차례로 식각하여, 상부에 상기 절연막이 남아 있는 제 1 스토리지 전극 패턴을 형성하는 단계, 전체 구조 상에 제 2 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 상기 제 2 폴리실리콘막을 전면성 식각하여 상기 절연막과 제 1 스토리지 전극 패턴 측면에 스페이서 형태의 제 2 스트리지 전극 패턴을 형성하는 단계 및 요철이 있는 실린더 형태로 연결된 상기 제 1 및 제 2 스토리지 전극 상의 상기 절연막을 제거함으로써, 상기 캐퍼시터의 스토리지 전극을 완성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 캐퍼시터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 콘택홀 형성 후 상기 콘택홀 내벽에 절연막으로 된 스페이서 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐퍼시터 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019970027426A KR19990003545A (ko) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 반도체 소자의 캐퍼시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR19990003545A (ko) |
-
1997
- 1997-06-25 KR KR1019970027426A patent/KR19990003545A/ko not_active Application Discontinuation
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