KR19980065450A - 박막트랜지스터 어레이 - Google Patents

Abstract

본 발명은 매트릭스 형태로 형성된 주사선과 신호선 및 그 교차부에 박막트랜지스터가를 형성된 박막트랜지스터 어레이에서 상기 박막트랜지스터의 안정적인 동작 및 검사를 위해 정전기방지회로의 단락배선을 각각 다른 단락배선에 연결하는 구조에 관한 것이다.

액정패널의 제조공정 중에 발생하는 정전기에 대하여 박막트랜지스터 어레이를 보호하기 위하여 주사선과 신호선에 각각 정전기방지회로를 연결하고, 상기 정전기방지회로를 하나의 공통단락배선에 연결했었다. 그러나, 정전기방지회로를 하나의 공통단락배선에 연결하는 것은 정전기방지회로의 동작특성을 나쁘게 한다.

그래서, 본 발명은 주사선에 연결된 정전기방지회로는 게이트단락배선에 연결하고, 신호선에 연결된 정전기방지회로는 데이터단락배선에 연결한 구조를 가진다. 그리고, 게이트단락배선에는 주사전압의 로(low) 레벨의 전압을 인가하여 게이트단락배선과 주사선 사이의 전압차를 줄이고, 데이터단락배선에는 공통전압을 인가하여 데이터단락배선과 신호선 사이의 전압차를 최소로 줄임으로써 정전기방지회로의 동작특성을 안정화시킨다. 그래서, 주사선과 신호선에 전압을 인가할 때, 상기 각 주사선과 신호선 중, 어느 하나가 다른 하나에 영향을 끼치지 못하게 함으로써 안정적인 동작 및 하판 검사시 검출력을 향상시킬 수 있도록 한다.

Description

박막트랜지스터 어레이.

본 발명은 액정패널의 박막트랜지스터 어레이를 보호하기 위해 설치하는 정전기방지회로의 안정적인 동작에 관한 것으로, 특히 주사선과 연결된 정전기방지회로를 게이트단락배선에 연결하고, 신호선과 연결된 정전기방지회로를 데이터단락배선에 연결한 구조의 액정패널에 관한 것이다. 그리고, 본 발명은 상기 게이트단락배선에는 주사전압에 준하는 전압을 인가하고, 상기 데이터단락배선에는 공통전압에 준하는 전압을 인가하여 상기 정전기방지회로를 안정화시키고 패널검사시 검출력을 향상시키는 것을 목적으로 한다.

현재 표시장치로써 가장 많이 사용되고 있는 CRT 브라운관은 색상구현이 쉽고, 동작속도가 빨라 TV와 컴퓨터모니터를 포함한 디스플레이 장치로서 각광을 받아 왔다. 그러나, CRT 브라운관은 전자총과 화면 사이의 거리를 어느정도 확보해야 하는 구조적 특성으로 인하여 두께가 두꺼울 뿐만 아니라, 전력소비가 크고, 게다가 무게도 상당히 무거워 휴대성이 떨어지는 단점이 있다.

상술한 CRT 브라운관의 단점을 극복하고자 여러 가지 다양한 표시장치가 고안되고 있는데, 그 중 가장 실용화 되어 있는 장치가 바로 액정표시장치이다.

액정표시장치는 CRT 브라운관에 비해 화면이 어둡고 동작속도가 다소 느리지만, 전자총과 같은 장치를 갖추지 않아도 각각의 화소를 평면 상에서 주사되는 신호에 따라 동작시킬 수 있으므로, 얇은 두께로 제작될 수 있어 장차 벽걸이 TV와 같은 초박형 표시장치로 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 액정표시장치는 무게가 가볍고, 전력소비도 CRT 브라운관에 비해 상당히 적어 배터리로 동작하는 노트북 컴퓨터의 디스플레이로 사용되는 등, 휴대용 표시장치로서 가장 적합하다는 평도 받고 있다.

이러한 액정표시장치는 도1에서와 같이 영상을 표시하는 표시영역(12)과 영상신호를 발생하는 드라이버IC(10, 11)로 구성되어 있는데, 상기 액정패널의 상세한 구조는 도2에 나타낸 것과 같다. 먼저 제1기판(21)에는 복수개의 주사선(14)과 복수개의 신호선(16)이 매트릭스 형태로 형성되어 있고, 그 교차점에는 화소전극(26)과 박막트랜지스터(13)(Thin Film Transistor:이하 TFT)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1기판과 대향하는 제2기판(22)에는 공통전극(24)과 칼라필터(23)가 형성되어 있고, 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 액정(25)이 주입된 구조로 되어 있다. 상기 액정을 사이에 두고 공통전극과 마주보고 있는 화소전극이 액정표시장치의 화소(畵素)로서의 역할을 하게된다. 또, 상기 액정의 배향방향에 따라 상기 제1기판과 상기 제2기판의 바깥면에는 외부 빛의 투과방향을 일정하게 해주는 편광판(20)이 부착되어 있다.

상기 TFT는 도3에 나타낸 것과 같이 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 등의 금속으로 된 게이트전극(30)과 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 등의 금속으로 된 소스전극(32)과 드레인전극(33), 및 반도체층(34)과 불순물반도체층(36)으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 게이트전극(30)은 도2에 나타낸 주사선(14)에 연결되어 있고, 상기 소스전극은 상기 도2에 나타낸 신호선(16)에 연결되어 있으며, 상기 드레인전극(33)은 화소전극(26)에 연결되어 있다. 이러한 구조를 가진 상기 TFT는 주사선(14)을 통해 주사전압이 게이트전극(30)에 인가되면, 상기 신호선(16)에 흐르는 신호전압이 소스전극(32)에서 드레인전극(33)으로 반도체층(34)을 통해 인가되도록 동작한다.

상기 소스전극에 신호전압이 인가되면, 소스전극과 연결된 화소전극에 신호전압이 인가됨으로써 상기 화소의 화소전극(26)과 공통전극(24)사이에 전압차가 발생한다. 그러면, 이러한 전압차로 인해 상기 화소전극과 공통전극 사이에 존재하고 있는 액정(25)의 분자배열이 변화되는데, 이 액정의 분자배열이 변화됨으로 인하여 화소의 광투과량이 변하게 되어 데이터전압이 인가된 화소와 인가되지 않은 화소의 시각적인 차이가 발생한다. 이러한 시각적인 차이가 있는 화소들이 모임으로써 상기 액정표시장치는 표시장치의 역할을 하게 된다.

상기 도2에 나타낸 액정표시장치는 화소전극이 형성된 기판과 공통전극이 형성된 기판이 분리된 구조로 되어 있다. 즉, 제1기판에 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있고, 제2기판의 전체에 걸쳐 공통전극이 형성된 구조로 되어 있다는 것이다.

그런데, 상기 제1기판을 제조하는 공정 중에, 외부로부터 고압의 정전기가 발생하면, TFT가 손상될 수 있으므로, 그 방지책이 필요하다. 그래서, 종래에는 주사선과 신호선 각각에 정전기방지회로를 설치하고, 상기 정전기방지회로를 하나의 공통단락배선에 연결한 구조로 제1기판을 제조하였다.

도4에 나타낸 것과 같이 상기 제1기판은 제조공정 중에 상기 TFT의 동작을 테스트하기 위한 데이터쇼팅바(42) 및 게이트쇼팅바(41)가 형성된다. 그리고, 상기 데이터쇼팅바와 게이트쇼팅바는 외부쇼팅바(40)에 의해 단락되어 있다. 상기 데이터쇼팅바와 게이트쇼팅바는 제1기판에 구성된 각각의 TFT가 정확하게 동작하는 지 검사하기 위한 신호를 인가받는 역할을 한다. 상기 TFT의 동작을 검사하는 방법은 각각의 게이트쇼팅바와 데이터쇼팅바에 전압을 가하여 출력전압의 값을 구함으로써 TFT의 정상적인 동작여부를 점검할 수 있다.

상기 게이트쇼팅바, 데이터쇼팅바와 주사선 및 신호선의 연결구조를 상세히 표현하면 도5과 같다. 게이트쇼팅바(50)는 주사선(55)에 연결되어 있고, 데이터쇼팅바(51)는 신호선(56)에 연결되어 있다. 그리고, 상기 주사선(55)과 신호선(56)은 정전기를 방지할 수 있는 소자 또는, 정전기방지회로(52)에 의해 공통단락배선(53)에 연결되어 있다. 상기 공통단락배선은 기판에서 박막트랜지스터(54)가 형성된 영역의 주위를 둘러싸며, 각각의 주사선(55)과 신호선(56)의 양쪽 끝단에 형성되어 있는 정전기방지회로(52)와 연결된 형태로 되어 있다.

도6는 정전기방지회로의 회로도이다. 이 정전기방지회로는 트랜지스터로 구성되어 있으므로, 박막트랜지스터어레이와 함께 형성되어질 수 있다. 상기 정전기방지회로는 액정패널의 제조 또는, 검사공정시 발생할 수 있는 정전기에 의해 박막트랜지스터가 손상되는 것을 방지하기 위해 형성한다. 예를 들어, 주사선에 연결된 정전기방지회로는 상기 주사선 중 일부에 정전기가 발생했을 때, 인접한 다른 주사선과의 전압차에 의해 박막트랜지스터가 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 그리고, 신호선에 연결된 정전기방지회로는 상기 신호선 중 일부에 정전기가 발생했을 때, 인접한 다른 신호선과의 전압차에 의해 박막트랜지스터가 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 그리고, 주사선과 신호선이 공통단락배선에 의해 모두 연결됨으로써 박막트랜지스터 어레이의 어떤 부분에서 발생하는 정전기라도 모두 보호할 수 있도록 하였다.

도6에 나타낸 정전기방지회로의 원리는 다음과 같다. 제1단자(60)에 정전기에 의한 고전압이 인가되었을 경우, 제1트랜지스터(62)가 도통되면서 제3트랜지스터(64)를 도통시킨다. 그래서, 제1단자(60)와 제2단자(61)가 도통되어 등전위를 이루게 된다. 그리고, 제2단자(61)에 정전기에 의한 고전압이 인가되었을 경우, 제2트랜지스터(63)가 도통되면서 제3트랜지스터(64)를 도통시킨다. 그래서, 결국 제1단자(60)와 제2단자(61)가 도통되어 등전위를 이루게 된다. 그러나, 제1단자 또는, 제2단자에 정전기가 인가되지 않은 정상상태에서는 제1트랜지스터와 제2트랜지스터가 도통되지 않으므로, 극히 미세한 전류를 제외하면 제1단자와 제2단자는 절연상태를 유지한다.

정전기방지회로에 의해 연결된 전극 간에는 저전압에서는 전기가 통하지 않아 절연성을 띄고, 박막트랜지스터의 구동전압보다 월등히 높은 고전압에서는 도통성을 띄게 한다. 정전기는 매우 높은 고전압이므로, 저전압에서 동작하는 박막트랜지스터를 파괴시킨다. 그래서, 박막트랜지스터의 점검을 위한 전압이 인가되면 정전기방지회로에 의해 연결된 전극 사이가 절연되어 동작점검을 할 수 있도록 하지만, 비정상적으로 높은 정전기전압이 인가되면 모든 전극이 도통되어 연결된 모든 배선 사이의 전위차를 없앰으로써 박막트랜지스터 어레이를 보호할 수 있게 된다.

즉, 박막트랜지스터의 동작을 검사하기 위하여 주사선과 신호선에 전압을 인가하면, 상기 정전기방지회로가 절연성을 유지하므로 주사선과 신호선이 서로 전압에 의해 받는 영향이 적다. 그러나, 정전기가 주사선, 또는 신호선의 배선에 침입하면, 정전기방지회로는 모든 배선을 도통시켜 등전위를 유지하게 하므로 제1기판에 형성된 박막트랜지스터를 보호할 수 있게 되는 것이다.

또한, 주사선 또는, 신호선과 공통단락배선 간의 전압차의 안정을 위해 일반적으로 공통단락배선에 일정한 전위로 전압을 걸어 준다.

그런데, 주사선과 신호선의 정전기방지회로가 공통단락배선에 의해 모두 연결된 구조로 된 제1기판의 경우, 박막트랜지스터의 검사시 절연소자로 작용하는 정전기방지회로가 미세한 저항성을 띄게 되어 검출력을 감소시키고, 정전기방지회로 양단 간에 일어나는 전압차에 의해 누설전류가 발생되어 액정표시장치의 화질에 영향을 줄 수 있다. 즉, 비록 정전기방지회로가 높은 저항에 의한 절연의 효과를 가지고 있지만, 상기 정전기방지회로도 미세하게나마 전기적으로 도통된다는 것이다. 그래서, 박막트랜지스터의 검사를 위해 주사선 또는, 신호선에 전압을 인가하면, 일부의 전류가 누설되어 정확한 검사가 이루어지지 않게 된다.

예를 들어, 박막트랜지스터의 동작을 위해 주사선에 주사전압을 인가하면, 인가된 주사전압으로 인한 전류 일부가 정전기방지회로를 통해 공통단락배선으로 흐른다. 상기 공통단락배선으로 흘러 들어간 전류는 공통단락배선과 정전기방지회로에 의해 연결된 신호선에 영향을 미치게 되어 오류가 발생하게 된다. 뿐만아니라, 신호선에 인가된 신호전압도 공통단락배선을 통해 주사선에 영향을 미치게 되므로 박막트랜지스터의 검출력이 떨어지게 된다.

상기 박막트랜지스터의 검출력을 향상시키기 위해서는 공통단락배선을 분리하여 주사선에 연결된 정전기방지회로는 제1단락배선에 접속시키고, 신호선에 연결된 정전기방지회로는 제2단락배선에 접속시키는 방법도 제안되어 있다.

그러나, 주사선에 인가되는 주사전압과 신호선에 인가되는 신호전압의 전위차가 다르므로, 주사선과 제1단락배선 사이의 전위차와 신호선과 제2단락배선 사이의 전위차가 다르게 되어 정전기방지회로의 동작이 불안정하게 된다. 게다가 종래의 액정패널은 정전기방지회로의 안정화를 위해 공통단락배선 또는, 제1단락배선과 제2단락배선에 일정한 전압을 인가하여야 하므로, 추가로 구동회로를 필요로 하는 단점이 있다.

도1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 도시한 개략도이다.

도2는 액정패널의 제1기판과 제2기판을 나타낸 사시도이다.

도3은 박막트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도이다.

도4는 액정패널의 제1기판의 데이터쇼팅바와 게이트쇼팅바를 나타낸 도면이다.

도5는 종래의 액정패널의 게이트쇼팅바와 데이터쇼팅바 및 정전기방지회로와 공통단락배선을 나타낸 도면이다.

도6은 정전기방지회로의 회로도이다.

도7은 본 발명의 박막트랜지스터어레이에서 게이트단락배선과 데이터단락배선을 각각 분리한 액정패널을 나타낸 도면이다.

도8은 본 발명의 실시예3에서 게이트단락배선과 데이터단락배선 사이를 정전기방지회로로 연결한 것을 나타낸 도면이다.

* 도면의 부호설명 *

10 : 드라이버IC 11 : 드라이버IC12 : 표시영역

13 : 박막트랜지스터14 : 주사선15 : 화소

16 : 신호선20 : 편광판21 : 제1기판

22 : 제2기판23 : 컬러필터24 : 공통전극

25 : 액정26 : 화소전극30 : 게이트전극

31 : 게이트절연막32 : 소스전극33 : 드레인전극

34 : 반도체층35 : 보호막36 : 불순물반도체층

40 : 외부쇼팅바41 : 게이트쇼팅바 42 : 데이터쇼팅바

43 : 연결부50 : 게이트쇼팅바51 : 데이터쇼팅바

52 : 정전기방지소자53 : 공통단락배선54 : 트랜지스터

55 : 주사선56 : 신호선60 : 제1단자

61 : 제2단자62 : 제1트랜지스터63 : 제2트랜지스터

64 : 제3트랜지스터

100 : 게이트쇼팅바110 : 데이터쇼팅바120 : 제1정전기방지회로

130 : 제2정전기방지회로140 : 주사선150 : 신호선

160 : 게이트단락배선170 : 데이터단락배선200 : 정전기방지소자

① : 제1전압인가수단② : 제2전압인가수단

본 발명은 매트릭스 형태로 형성된 주사선과 신호선 및 그 교차부에 형성된 박막트랜지스터가 제조된 박막트랜지스터 어레이에서 상기 박막트랜지스터를 정전기로부터 보호하기 위해 주사선에 형성한 정전기방지회로와 신호선에 형성한 정전기방지회로를 안정화시키기 위해 각각 별개의 단락배선에 접속시킨 것이다.

다시 말해, 도7에 나타낸 것과 같이 주사선(140)은 게이트쇼팅바(100)와 게이트단락배선(160)에 연결하고, 신호선(150)은 데이터쇼팅바(110)와 데이터단락배선(170)에 연결하여 형성한다는 것이다. 그리고, 정전기방지회로(120)를 안정화시키기 위하여 상기 게이트단락배선에는 일정한 전위의 제1전압(①)을 인가하고, 상기 데이터단락배선에도 일정한 전위의 제2전압(②)을 인가한다. 즉, 게이트단락배선과 데이터단락배선을 분리하고, 서로 다른 전압을 따로 인가한다는 것이다. 그래서, 주사선과 신호선에 전압을 인가할 때, 상기 각 주사선과 신호선 중, 어느 하나가 다른 하나에 영향을 끼치지 못하게 함으로써 정전기방지회로를 안정화시키고, 제1기판의 검사공정의 검출력을 향상시킬 수 있도록 한다.

실시예를 통해 본 발명의 구성과 동작을 상세히 설명하겠다.

(실시예1)

본 발명을 이용한 액정패널은 주사선과 신호선의 교차부에 형성된 박막트랜지스터 어레이의 주위에 게이트단락배선과 데이터단락배선이 형성되어 있다. 본 실시예의 박막트랜지스터 어레이의 구조는 상술했던 도7와 같다.

절연기판(도면미도시) 위에 주사선(140)과 신호선(150)이 직교하여 형성되어 있고, 그 교차부에는 도면에는 도시되지 않았지만, 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있다. 그리고, 상기 주사선의 한쪽 단에는 게이트쇼팅바(100)가 형성되어 있고, 신호선의 한쪽 단에는 데이터쇼팅바(110)가 형성되어 있다. 또, 주사선단락배선(160)이 상기 주사선과 제1정전기방지회로(120)를 통해 연결되어 있고, 데이터단락배선이 상기 신호선과 제2정전기방지회로(130)를 통해 연결되어 있다. 상기 제1정전기방지회로와 제2정전기방지회로는 동일한 소자를 사용한다. 즉, 상기 제1정전기방지회로와 제2정전기방지회로는 동일한 공정에서 형성될 수 있다는 것이다. 또, 상기 제1정전기방지회로와 제2정전기방지회로는 도6에 나타낸 회로를 채용해도 된다.

그리고, 상기 게이트단락배선의 전극에 박막트랜지스터를 구동하기 위해 주사선에 인가하는 주사전압 중, 로(low)레벨의 전압 Vgl을 인가하여 상기 주사선과 게이트단락배선 사이에 연결된 제1정전기방지회로를 안정화시킨다. 또, 상기 데이터단락배선의 전극에는 공통전극에 인가하는 전압과 동일한 전압 Vcom을 인가하여 상기 신호선과 데이터단락배선 사이에 연결된 제2정전기방지회로를 안정화시킨다. 그러므로, 종래에 정전기방지회로를 안정화시키기 위해 공통단락배선에 연결하였던 별개의 전압인가수단이 필요없게 되어 액정패널의 구동회로가 간단해진다.

상기 게이트단락배선에 주사전압의 로(low)레벨의 전압 Vgl을 인가하는 이유는 다음과 같다. 프레임단위로 구동하는 액정패널에서는 한 프레임에 해당하는 영상을 표시할 때, 모든 주사선에 소정의 기간동안 한 번씩 주사전압의 하이(high)레벨의 전압 Vgh가 인가되며, 한 프레임에서 상기 소정의 기간을 제외한 나머지 시간에는 각 주사선에 주사전압의 로(low)레벨의 전압이 인가된다. 만약 게이트단락배선에 전압을 인가하지 않고 접지시켰을 때, 어떤 주사선에 주사전압이 인가된 후에는 그 주사선에 연결된 정전기방지회로의 양단에는 Vgl의 전압차가 생겨 정전기방지회로의 절연상태가 불안정해진다. 만약 이 때, Vgl에 불규칙한 신호변동(예를들어 노이즈)이나, 약한 정전기가 발생하여 순간적으로 Vgl보다 높은 전위차가 정전기방지회로의 양단에 발생했을 경우, 정전기방지회로의 절연상태가 파괴되어 다른 인접한 주사선의 박막트랜지스터에 영향을 미칠 우려가 있다.

그러나, 게이트단락배선에 상기 주사전압 Vgl과 동일한 전압을 인가하여 주면, 주사선에 주사전압의 하이(high)레벨의 전압 Vgh가 인가되는 시간을 제외한 나머지 시간의 정전기방지회로의 양단은 전압차가 없게 되어 정전기방지회로의 절연상태가 안정적으로 보존된다. 그러므로, 게이트단락배선에 게이트전압과 동일한 전압을 인가하는 것이다.

데이터단락배선에 공통전압과 동일한 Vcom을 인가하는 이유는 다음과 같다. 액정표시장치는 화소전극과 공통전극 사이의 전위차에 의해 발생하는 액정분자의 광투과율의 변화에 의해 동작한다. 그런데, 상기 공통전극에 인가되는 공통전압은 항상 일정한 주기와 전위차를 가지고 있으나, 화소전극에 인가되는 화소전압은 표시하고자하는 영상신호에 따라 다른 값을 갖게 된다. 그래서, 화소전압과 공통전압의 차이에 의해 액정분자의 광투과율이 변화하는 것이다. 이 때, 데이터단락배선에 화소전압을 인가할 수는 없다. 왜냐하면, 화소전압은 외부영상신호를 입력받아 신호선에 인가하는 신호전압에 의해 유지되는 것이므로, 항상 일정한 전위를 인가받아야 되는 데이터단락배선에 연결할 수 없기 때문이다.

그런데, 별도의 전압인가수단을 연결하지 않는 상태에서 상기 신호전압과 비슷한 파형의 전압은 공통전압이다. 그러므로, 공통전압을 데이터단락배선에 인가하는 전압으로 사용하여 제2정전기방지회로의 절연특성을 안정화시킨다.

(실시예2)

본 발명의 실시예1의 변형으로 도9과 같이 게이트단락배선(160)과 데이터단락배선(170)이 형성될 수도 있다. 게이트단락배선이 신호선과 나란한 방향으로 주사선의 끝단에 형성되어 있고, 데이터단락배선이 주사선과 나란한 방향으로 신호선의 끝단에 형성되는 것이다. 그리고, 게이트단락배선에는 실시예1과 마찬가지로 주사전압의 로(low)레벨의 전압 Vgl을 인가하고, 데이터단락배선에는 공통전압을 인가하는 것이다.

본 실시예2의 게이트단락배선 및 데이터단락배선을 형성하는 방법은 도8에 나타낸 실시예1과 비슷하다. 다만, 주사선을 형성하는 공정에서 데이터단락배선을 형성하고, 신호선을 형성하는 공정에서 게이트단락배선을 형성하는 것이 다르다.

(실시예3)

본 발명의 실시예1은 게이트단락배선과 데이터단락배선이 분리되어 있다. 즉, 주사선과 신호선이 분리되어 있으므로, 정전기에 의해 주사선과 신호선 사이의 전위차가 크게 될 우려가 있다.

본 실시예3에서는 도10A 도10B와 같이 게이트단락배선과 데이터단락배선 사이에 정전기방지회로(200)를 설치한다. 그래서, 주사선 또는, 신호선에 정전기가 발생하더라도 주사선과 신호선 사이의 전위차는 없게 된다.

본 발명은 액정패널의 제조공정시, 발생할 수 있는 정전기에 대하여 액정패널을 보호하기 위하여 형성한 정전기방지회로의 단락배선을 게이트단락배선과 데이터단락배선으로 각각 분리한다. 그리고, 상기 게이트단락배선과 데이터단락배선에 각각 다른 전위의 전압을 인가함으로써 박막트랜지스터를 보호하기 위한 정전기방지회로를 안정화시키는 효과가 있다. 특히, 게이트단락배선에는 주사전압의 로(low)레벨의 전압을 인가하여 게이트단락배선과 주사선 사이에 연결된 정전기방지회로를 안정화시키고, 데이터단락배선에는 공통전압을 인가하여 데이터단락배선과 신호선 사이에 연결된 정전기방지회로를 안정화시킨다.

또, 상기 게이트단락배선은 주사선과 연결되고, 데이터 단락배선은 신호선과 연결되어 있지만, 상기 게이트단락배선과 데이터단락배선은 서로 분리되어 있으므로, 박막트랜지스터 점검을 위하여 주사선에 인가된 전압이 신호선으로 누설되는 것이 방지된다. 그래서, 종래보다 정확한 검사치가 산출되는 효과도 있다.

뿐만 아니라, 게이트단락배선에 주사선전압인가수단을 연결시키고, 데이터단락배선에 공통전압인가수단을 연결시킴으로써 종래와 같이 별도의 전압인가수단이 필요없게 되어 제1기판의 구조가 간단해진다. 그리고, 주사선과 게이트단락배선 사이 및 신호선과 데이터단락배선 사이의 전압차를 없애는 효과에 의해 종래보다 정전기로부터 액정패널을 보다 안정적으로 보호할 수도 있다.

본 발명의 게이트단락배선과 데이터단락배선은 제1기판의 박막트랜지스터를 형성하는 공정 중에 함께 형성될 수 있으므로, 기존의 공정 수가 늘어나지 않는 장점도 있다. 그리고, 게이트단락배선과 데이터단락배선 사이에 별도의 정전기방지회로를 형성시킴으로써 게이트단락배선과 데이트단락배선 사이의 정전기도 방지할 수 있는 효과도 있다.

Claims (18)

1. 기판과;

   상기 기판 위에 행방향으로 연속하여 형성된 복수개의 주사선과;

   상기 기판 위에 열방향으로 연속하여 형성된 복수개의 신호선과;

   상기 주사선과 상기 신호선의 교차부에 형성된 화소전극과;

   상기 화소전극에 연결된 출력전극과, 상기 신호선에 연결된 입력전극과, 상기 주사선에 연결된 제어전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;

   상기 주사선에 연결된 제1정전기방지수단과;

   상기 신호선에 연결된 제2정전기방지수단과;

   상기 제1정전기방지수단과 연결된 게이트단락배선과;

   상기 제2정전기방지수단과 연결된 데이터단락배선과;

   상기 게이트단락배선에 연결된 제1전압인가수단과;

   상기 데이터단락배선에 연결된 제2전압인가수단으로 이루어진 박막트랜지스터 어레이
2. 제1항에 있어서, 상기 제1전압인가수단은 주사전압을 인가하는 수단과 동일한 박막트랜지스터 어레이.
3. 제1항에 있어서, 상기 제2전압인가수단은 공통전압을 인가하는 수단과 동일한 박막트랜지스터 어레이.
4. 제1항에 있어서, 상기 게이트단락배선과 데이터단락배선에 각각 별개의 전압인가수단이 연결된 박막트랜지스터 어레이.
5. 제1항에 있어서, 상기 게이트단락배선은 상기 기판에서 박막트랜지스터가 형성된 영역의 바깥 영역에 위치한 박막트랜지스터 어레이.
6. 제1항에 있어서, 상기 데이터단락배선은 상기 기판에서 박막트랜지스터가 형성된 영역의 바깥 영역에 위치한 박막트랜지스터 어레이.
7. 제1항, 제5항, 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트단락배선과 데이터단락배선이 분리된 구조로 된 박막트랜지스터 어레이.
8. 제7항에 있어서, 상기 게이트단락배선과 상기 데이터단락배선 사이가 비선형소자로 연결된 구조로 된 박막트랜지스터 어레이.
9. 제1항에 있어서, 상기 게이트단락배선과 상기 데이터단락배선 사이가 비선형소자로 연결된 구조로 된 박막트랜지스터 어레이.
10. 제1항에 있어서 상기 제1정전기방지수단과 제2정전기방지수단은 동일한 소자인 박막트랜지스터 어레이.
11. 제1항 또는, 제10항에 있어서, 상기 제1정전기방지수단은 비선형소자로 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이.
12. 제11항에 있어서, 상기 비선형소자는 상기 게이트단락배선에 연결된 제1게이트와 제1소스로 구성된 제1트랜지스터와;

    상기 제1트랜지스터의 제1드레인에 연결된 제2소스와 주사선에 연결된 제2게이트와 제2드레인으로 구성된 제2트랜지스터와;

    상기 제1드레인과 제2소스 사이의 접점에 연결된 제3게이트와, 상기 게이트단락배선에 연결된 제3소스와, 주사선에 연결된 제3드레인으로 구성된 제3트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이.
13. 제1항 또는, 제10항에 있어서, 상기 제2정전기방지수단은 비선형소자로 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이.
14. 제13항에 있어서, 상기 비선형소자는 상기 게이트단락배선에 연결된 제1게이트와 제1소스로 구성된 제1트랜지스터와;

    상기 제1트랜지스터의 제1드레인에 연결된 제2소스와 주사선에 연결된 제2게이트와 제2드레인으로 구성된 제2트랜지스터와;

    상기 제1드레인과 제2소스 사이의 접점에 연결된 제3게이트와, 상기 게이트단락배선에 연결된 제3소스와, 주사선에 연결된 제3드레인으로 구성된 제3트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이.
15. 기판과;

    상기 기판 위에 행방향으로 연속하여 있는 복수개의 주사선과,

    상기 기판 위에 열방향으로 연속하여 있는 복수개의 신호선과,

    상기 주사선과 상기 신호선의 교차부에 형성된 화소전극과,

    상기 화소전극에 연결된 출력전극과, 상기 신호선에 연결된 입력전극과, 상기 주사선에 연결된 제어전극으로 이루어진 박막트랜지스터로 이루어진 박막트랜지스터 어레이와;

    상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 부분의 바깥 영역의 기판에 형성되어 상기 주사선과 정전기방지소자로 연결된 제1단락배선과;

    상기 박막트랜지스터 어레이 외부에 형성된 부분의 바깥 영역의 기판에 상기 제1단락배선과 접촉되지 않게 형성되어 상기 신호선과 정전기방지소자로 연결된 제2단락배선으로 이루어진 액정패널을 구동하는 방법에 있어서,

    상기 게이트쇼팅바에 제1전압을 인가하고;

    상기 데이터쇼팅바에 제2전압을 인가하는 액정패널의 구동방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 제1전압과 상기 제2전압의 전압값이 다른 액정패널의 구동방법.
17. 제15항에 있어서, 상기 제1전압이 게이트전압과 동일한 액정패널의 구동방법.
18. 제15항에 있어서, 상기 제2전압이 공통전압과 동일한 액정패널의 구동방법.