JP2001051263A - 液晶装置及びそれを用いた電子機器 - Google Patents
液晶装置及びそれを用いた電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実質的に基板面と平行な電界１１３が印加で
きるように構成された液晶装置において、電界制御手段
を有する基板１０９と相対するカラーフィルタ形成基板
１０４に形成した導電膜の電位を接地電位、共通電極電
位、画像信号の中心電位、走査信号の非選択電位、外部
駆動手段のロジック電位、フローティング状態のうちい
ずれかである構成とした。それにより、静電気が入りに
くい高画質な液晶装置を提供することができる。 【解決手段】
きるように構成された液晶装置において、電界制御手段
を有する基板１０９と相対するカラーフィルタ形成基板
１０４に形成した導電膜の電位を接地電位、共通電極電
位、画像信号の中心電位、走査信号の非選択電位、外部
駆動手段のロジック電位、フローティング状態のうちい
ずれかである構成とした。それにより、静電気が入りに
くい高画質な液晶装置を提供することができる。 【解決手段】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各画素（絵素ともい
う）にスイッチングするアクティブ素子を配置し、この
アクティブ素子により画素の液晶に対する電圧印加を制
御するアクティブマトリックス型液晶装置に関し、特
に、各画素において液晶層に対して横電界（層方向）を
かけるタイプの液晶装置に関する。
う）にスイッチングするアクティブ素子を配置し、この
アクティブ素子により画素の液晶に対する電圧印加を制
御するアクティブマトリックス型液晶装置に関し、特
に、各画素において液晶層に対して横電界（層方向）を
かけるタイプの液晶装置に関する。
【０００２】また、本発明は上記液晶装置を用いた電子
機器に関する。
機器に関する。
【０００３】
【従来の技術】現在、ノートパソコンや液晶テレビなど
に用いられている液晶装置は、ほとんどがＴＮ（Twiste
d Nematic）モードである。しかし、このＴＮモードは
観察方向によって異なる見え方がする。この視角特性を
改善する方法として、特開昭５６−０９１２７７号公報
や特開平０６−１６０８７８号公報で横電界を用いたＩ
ＰＳ（In Plane Switching）モードが提案されている。
に用いられている液晶装置は、ほとんどがＴＮ（Twiste
d Nematic）モードである。しかし、このＴＮモードは
観察方向によって異なる見え方がする。この視角特性を
改善する方法として、特開昭５６−０９１２７７号公報
や特開平０６−１６０８７８号公報で横電界を用いたＩ
ＰＳ（In Plane Switching）モードが提案されている。
【０００４】以下に、ＩＰＳモードの動作原理について
図面を用いて簡単に説明する。図４（ａ）（ｂ）はＩＰ
Ｓモードを用いた液晶パネル内での液晶の動作を示す断
面図であり、図４（ａ）は電圧無印加時のセル断面図、
図４（ｂ）は液晶やしきい値を越えた電圧印加時のセル
断面図である。また、図４（ｃ）は図４（ａ）の平面
図、図４（ｄ）は図４（ｂ）の平面図である。図４にお
いて、４０１、４０９は一対の偏光板、４０２、４０８
は液晶を挟持する一対の基板、４０３はカラーフィル
タ、４０４、４０６は配向膜、４０５は模式的に示した
液晶分子を示す。また、４１０は画素電極、４１１は画
素における画素電極の対向電極となる共通電極、４１２
は画像信号線（ソース線）、４０７は画素電極４１０と
共通電極４１１の層を隔てる絶縁層である。ＩＰＳモー
ドの液晶装置においては、このように一方の基板上に液
晶に電界を印加する画素電極及び共通電極を並置する構
造をなす。また、４１３は下側偏光板の吸収軸、４１４
は上側偏光板の吸収軸である。
図面を用いて簡単に説明する。図４（ａ）（ｂ）はＩＰ
Ｓモードを用いた液晶パネル内での液晶の動作を示す断
面図であり、図４（ａ）は電圧無印加時のセル断面図、
図４（ｂ）は液晶やしきい値を越えた電圧印加時のセル
断面図である。また、図４（ｃ）は図４（ａ）の平面
図、図４（ｄ）は図４（ｂ）の平面図である。図４にお
いて、４０１、４０９は一対の偏光板、４０２、４０８
は液晶を挟持する一対の基板、４０３はカラーフィル
タ、４０４、４０６は配向膜、４０５は模式的に示した
液晶分子を示す。また、４１０は画素電極、４１１は画
素における画素電極の対向電極となる共通電極、４１２
は画像信号線（ソース線）、４０７は画素電極４１０と
共通電極４１１の層を隔てる絶縁層である。ＩＰＳモー
ドの液晶装置においては、このように一方の基板上に液
晶に電界を印加する画素電極及び共通電極を並置する構
造をなす。また、４１３は下側偏光板の吸収軸、４１４
は上側偏光板の吸収軸である。
【０００５】図４はＴＦＴ（Thin Film Transistor）な
どのアクティブ素子を省略した模式図である。この模式
図は、図５中のＸ−Ｘ’部分の断面図及び点線で囲まれ
た部分の拡大図である。図５は１画素の構成図であり、
この構成図では１画素内に共通電極５０２が２本と画素
電極５０１が１本長手方向に存在する。これはあくまで
模式的な図面であり、１画素内に数本の共通電極５０２
と数本の画素電極５０１が存在しても構わない。また、
同図において、５０３は走重信号線（ゲート線）、５０
４は画像信号線（ソース線）、５０５は薄膜トラシジス
タ（ＴＦＴ）を示す。
どのアクティブ素子を省略した模式図である。この模式
図は、図５中のＸ−Ｘ’部分の断面図及び点線で囲まれ
た部分の拡大図である。図５は１画素の構成図であり、
この構成図では１画素内に共通電極５０２が２本と画素
電極５０１が１本長手方向に存在する。これはあくまで
模式的な図面であり、１画素内に数本の共通電極５０２
と数本の画素電極５０１が存在しても構わない。また、
同図において、５０３は走重信号線（ゲート線）、５０
４は画像信号線（ソース線）、５０５は薄膜トラシジス
タ（ＴＦＴ）を示す。
【０００６】電圧無印加時の図４（ａ）（ｃ）におい
て、一対の基板４０２・４０８のうち、上側基板４０２
上にはカラーフィルタ４０３が形成され、下側基板４０
８の内側に線状の共通電極４１１と画素電極４１０が形
成され、さらに液晶分子４０５を並べるための配向膜４
０４・４０６が形成されている。一対の基板４０２・４
０８間には液晶が挟持されており、液晶分子４０５は電
圧無印加時に線状電極（共通電極４１１、画素電極４１
０）の長手方向と所定の角度（０度から４５度）を有し
て、均一に配向している。図４ではこの角度を３０度と
した。また、この液晶セルの両側に偏光板４０１・４０
９を配置している。上側偏光板４０１は吸収軸４１４を
液晶の配向方向と平行に、下側偏光板４０９は垂直に配
置してある。この状態が、黒表示状態である。液晶材料
には誘電異方性が正の材料を用いた。
て、一対の基板４０２・４０８のうち、上側基板４０２
上にはカラーフィルタ４０３が形成され、下側基板４０
８の内側に線状の共通電極４１１と画素電極４１０が形
成され、さらに液晶分子４０５を並べるための配向膜４
０４・４０６が形成されている。一対の基板４０２・４
０８間には液晶が挟持されており、液晶分子４０５は電
圧無印加時に線状電極（共通電極４１１、画素電極４１
０）の長手方向と所定の角度（０度から４５度）を有し
て、均一に配向している。図４ではこの角度を３０度と
した。また、この液晶セルの両側に偏光板４０１・４０
９を配置している。上側偏光板４０１は吸収軸４１４を
液晶の配向方向と平行に、下側偏光板４０９は垂直に配
置してある。この状態が、黒表示状態である。液晶材料
には誘電異方性が正の材料を用いた。
【０００７】次に、電界４１５を印加すると、図４
（ｂ）（ｄ）に示すように液晶分子４０５は電界４１５
方向にその長軸を揃えようとするので、液晶分子４０５
は印加電界の強度に対応して偏光板の吸収軸に対してあ
る角度を持つようになる。この印加電界の強度に応じ、
液晶セルの配向する角度を制御することにより液晶の複
屈折が制御できる。それにより、一対の偏光板を透過す
る光透過率を制御でき、それにより階調表示を行うこと
ができる。
（ｂ）（ｄ）に示すように液晶分子４０５は電界４１５
方向にその長軸を揃えようとするので、液晶分子４０５
は印加電界の強度に対応して偏光板の吸収軸に対してあ
る角度を持つようになる。この印加電界の強度に応じ、
液晶セルの配向する角度を制御することにより液晶の複
屈折が制御できる。それにより、一対の偏光板を透過す
る光透過率を制御でき、それにより階調表示を行うこと
ができる。
【０００８】しかしながら、液晶に電界を印加するため
の画素電極４１０及び共通電極４１１が一方の基板上の
みに形成されていて、他方の基板上には電極が全く形成
されていないので、静電気で帯電しやすいという問題が
生じる。静電気で帯電してしまうと、液晶の配向が乱
れ、高画質の表示を行うことができない。また、一度静
電気によって帯電してしまうと、他方の基板に電極が存
在しないため、この静電気を容易に除去することはでき
ない。
の画素電極４１０及び共通電極４１１が一方の基板上の
みに形成されていて、他方の基板上には電極が全く形成
されていないので、静電気で帯電しやすいという問題が
生じる。静電気で帯電してしまうと、液晶の配向が乱
れ、高画質の表示を行うことができない。また、一度静
電気によって帯電してしまうと、他方の基板に電極が存
在しないため、この静電気を容易に除去することはでき
ない。
【０００９】そこで、本発明は静電気の影響を受けにく
くさらに静電気に帯電しにくい高画質な液晶装置を実現
することを目的とする。
くさらに静電気に帯電しにくい高画質な液晶装置を実現
することを目的とする。
【００１０】
【発明の開示】本発明は、一対の基板間に液晶が挟持さ
れ、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査
信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線
に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続
された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と
前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界
が印加できるように構成される液晶装置において、前記
一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光膜を
形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加してなることを
特徴とする。
れ、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された走査
信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線
に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続
された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と
前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界
が印加できるように構成される液晶装置において、前記
一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光膜を
形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加してなることを
特徴とする。
【００１１】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である金属遮
光膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してし
まい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に
数万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に
応答してしまう。このため、高画質な表示を得るために
は液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板
に一定電位の金属遮光膜を設けることは重要である。前
記金属遮光膜には、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）
銅（Ｃｕ）の合金などが適している。
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である金属遮
光膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してし
まい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に
数万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に
応答してしまう。このため、高画質な表示を得るために
は液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板
に一定電位の金属遮光膜を設けることは重要である。前
記金属遮光膜には、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）
銅（Ｃｕ）の合金などが適している。
【００１２】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透
明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位
を印加してなることを特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透
明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位
を印加してなることを特徴とする。
【００１３】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である透明導
電膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してし
まい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に
数万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に
応答してしまう。このため、高画質な表示を得るために
は液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板
に一定電位の透明導電膜を設けることは重要である。前
記透明導電膜には、ＩＴＯや酸化スズ（Ｓｎ０2）など
が適している。
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である透明導
電膜が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してし
まい、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に
数万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に
応答してしまう。このため、高画質な表示を得るために
は液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板
に一定電位の透明導電膜を設けることは重要である。前
記透明導電膜には、ＩＴＯや酸化スズ（Ｓｎ０2）など
が適している。
【００１４】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなることを
特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなることを
特徴とする。
【００１５】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜
が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしま
い、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数
万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応
答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには
液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に
一定電位の導電膜を設けることは重要である。前記導電
膜は、表示部以外に形成されるので、透明である必要が
なく多種多様な金属材料を用いることができる。
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜
が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしま
い、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数
万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応
答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには
液晶を駆動するための電極を持たない前記他方の基板に
一定電位の導電膜を設けることは重要である。前記導電
膜は、表示部以外に形成されるので、透明である必要が
なく多種多様な金属材料を用いることができる。
【００１６】なお、画素エリアとは、図３に示すような
液晶セルにおける点線で示した領域３０３のことで、実
際に文字や絵などの表示を行うことができる部分のこと
である。画素エリアの周辺領域とは、その周辺で表示を
行うことができない領域３０４のことである。
液晶セルにおける点線で示した領域３０３のことで、実
際に文字や絵などの表示を行うことができる部分のこと
である。画素エリアの周辺領域とは、その周辺で表示を
行うことができない領域３０４のことである。
【００１７】また、本発明は、前記一定電位が、接地電
位、共通電極の電位、画像信号振幅の中心電位、走査信
号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれ
かであることを特徴とする。
位、共通電極の電位、画像信号振幅の中心電位、走査信
号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれ
かであることを特徴とする。
【００１８】上記構成によれば、新たな電位をつくる必
要がなく液晶装置内に既に存在する電位を用いることが
できる。このことによって、コストアップなしに静電気
に強い高画質な液晶装置が実現できる。
要がなく液晶装置内に既に存在する電位を用いることが
できる。このことによって、コストアップなしに静電気
に強い高画質な液晶装置が実現できる。
【００１９】なお、共通電極電位、画像信号振幅の中心
電位、走査信号の非選択電位とは、ＴＦＴ素子を用いた
液晶パネルの駆動波形図の図６における６０６、６０
５、６０７の電位のことである。図６の駆動波形を図７
のＴＦＴ素子の等価回路を用いて簡単に簡明する。６０
２及び６０３は走査信号線７０３及び画像信号線７０４
の信号であり、それぞれＴＦＴ素子７０５のゲート、ソ
ースに印加される。ＮＴＳＣ方式の画像信号はインタレ
ースされた２つのフィールドからなり、第１フィールド
６１０と第２フィールド６１１を合わせて１フレーム６
１２とし１枚の絵を構成する。選択期間６０８におい
て、走査信号線７０３に選択パルスが印加されＴＦＴ素
子７０５がオンすると、画素電極７０１の電位６０４は
画像信号線７０４の電位６０３とほぼ等しくなる。非選
択期間６０９では、ＴＦＴ素子７０５がオフし液晶容量
７０６に書き込まれた信号は保持される。このようにし
て、すべての走査信号線７０３が１本ずつ順次選択さ
れ、すべての画素のデータは１フィールドにつき１回ず
つ書き換えられることになる。
電位、走査信号の非選択電位とは、ＴＦＴ素子を用いた
液晶パネルの駆動波形図の図６における６０６、６０
５、６０７の電位のことである。図６の駆動波形を図７
のＴＦＴ素子の等価回路を用いて簡単に簡明する。６０
２及び６０３は走査信号線７０３及び画像信号線７０４
の信号であり、それぞれＴＦＴ素子７０５のゲート、ソ
ースに印加される。ＮＴＳＣ方式の画像信号はインタレ
ースされた２つのフィールドからなり、第１フィールド
６１０と第２フィールド６１１を合わせて１フレーム６
１２とし１枚の絵を構成する。選択期間６０８におい
て、走査信号線７０３に選択パルスが印加されＴＦＴ素
子７０５がオンすると、画素電極７０１の電位６０４は
画像信号線７０４の電位６０３とほぼ等しくなる。非選
択期間６０９では、ＴＦＴ素子７０５がオフし液晶容量
７０６に書き込まれた信号は保持される。このようにし
て、すべての走査信号線７０３が１本ずつ順次選択さ
れ、すべての画素のデータは１フィールドにつき１回ず
つ書き換えられることになる。
【００２０】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前紀画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を
印加してなることを特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前紀画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を
印加してなることを特徴とする。
【００２１】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜
が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしま
い、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数
万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応
答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには
液晶を駆動するため電極を持たない前記他方の基板に一
定電位を有する導電性偏光板を設けることは重要であ
る。
からの静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示
が可能になる。前記他方の基板に一定電位である導電膜
が存在しなければ、この基板が静電気で帯電してしま
い、前記一方の基板上の画素電極や共通電極との間に数
万Ｖ以上の大きな電位差を生じ、液晶がこの電位差に応
答してしまう。このため、高画質な表示を得るためには
液晶を駆動するため電極を持たない前記他方の基板に一
定電位を有する導電性偏光板を設けることは重要であ
る。
【００２２】また、本発明は、前記一定電位が、接地電
位、共通電極の電位、画像信号振幅の中心電位、走査信
号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれ
かであることを特徴とする。
位、共通電極の電位、画像信号振幅の中心電位、走査信
号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のいずれ
かであることを特徴とする。
【００２３】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または
内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜
の電位をフローティング状態とすることを特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または
内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜
の電位をフローティング状態とすることを特徴とする。
【００２４】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
透明導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発
生せず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。ま
た、前記透明導電膜の電位がフローティング状態である
ので、電気的な接続をしなくてもよい。通常、前記透明
導電膜を基板内面つまり液晶セル内部に形成すると、画
素電極や共通電極との間に電位差が発生して画質を低下
させてしまうが、導電膜の電位がフローティング状態に
あるので、画質低下を極力抑えることができる。前記透
明導電膜には、ＩＴＯや酸化スズ（ＳｎＯ 2）などが適
している。
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
透明導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発
生せず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。ま
た、前記透明導電膜の電位がフローティング状態である
ので、電気的な接続をしなくてもよい。通常、前記透明
導電膜を基板内面つまり液晶セル内部に形成すると、画
素電極や共通電極との間に電位差が発生して画質を低下
させてしまうが、導電膜の電位がフローティング状態に
あるので、画質低下を極力抑えることができる。前記透
明導電膜には、ＩＴＯや酸化スズ（ＳｎＯ 2）などが適
している。
【００２５】なお、フローティング状態とは、ある導電
体材料の電位がその周辺に存在するどの電位とも電気的
に接続されておらず、浮遊している状態のことである。
体材料の電位がその周辺に存在するどの電位とも電気的
に接続されておらず、浮遊している状態のことである。
【００２６】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とす
ることを特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とす
ることを特徴とする。
【００２７】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せ
ず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前
記導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気
的な接続をしなくてもよい。前記導電膜は、表示部以外
に形成されるので、透明である必要がなく多種多様な金
属材料を用いることができる。
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せ
ず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前
記導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気
的な接続をしなくてもよい。前記導電膜は、表示部以外
に形成されるので、透明である必要がなく多種多様な金
属材料を用いることができる。
【００２８】また、本発明は、一対の基板間に液晶が挟
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフロ
−ティング状態とすることを特徴とする。
持され、一方の該基板上に、マトリクス状に配置された
走査信号線及び画像信号線、該走査信号線及び該画像信
号線に接続されたアクティブ素子、該アクティブ素子に
接続された画素電極、共通電極が配置され、前記画素電
極と前記共通電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な
電界が印加できるように構成される液晶装置において、
前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフロ
−ティング状態とすることを特徴とする。
【００２９】上記構成によれば、前記他方の基板が外部
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せ
ず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前
記導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気
的な接続をしなくてもよい。
からの静電気等で帯電しにくく、高画質な表示が可能に
なる。例えば、液晶装置の一部分が帯電したとしても、
導電膜が存在するため局部的な液晶配向の乱れは発生せ
ず、導電膜全体で帯電した電荷は緩和される。また、前
記導電膜の電位がフローティング状態であるので、電気
的な接続をしなくてもよい。
【００３０】なお、本発明においては、液晶の配向を良
好にするために、他方の基板の内面又は外面に導電膜を
配置する構成であり、どちらも外部からの静電気を吸収
することができるが、内面側に導電膜を形成して静電気
対策を施す方が液晶層の近い箇所で静電気を吸収でき
る。
好にするために、他方の基板の内面又は外面に導電膜を
配置する構成であり、どちらも外部からの静電気を吸収
することができるが、内面側に導電膜を形成して静電気
対策を施す方が液晶層の近い箇所で静電気を吸収でき
る。
【００３１】また、以上の本発明の構成は、種々の電子
機器の表示装置として用いることができる。
機器の表示装置として用いることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００３３】（実施例１）図１は本発明に係る液晶装置
の構成の要部を示す図である。（ａ）がカラーフィルタ
形成基板１０４の平面図であり、（ｂ）が液晶装置の断
面図である。まず、構成を説明する。１．１ｍｍ厚の透
明ガラス基板１０４・１０９を２枚重ね合わせた構造を
とっており、その間に液晶層１０６が挟持される。上側
ガラス基板１０４は内側にクロム（Ｃｒ）遮光膜１０
１、赤緑青（ＲＧＢ）カラーフィルタ１０２及び配向膜
１０５が順次形成されており、外側には偏光板１０３が
配置されている。下側ガラス基板１０９は、内側に共通
電極１１１、絶縁層１０８、画素電極１１２及び配向膜
１０７が形成されており、外側には偏光板１１０が配置
されている。
の構成の要部を示す図である。（ａ）がカラーフィルタ
形成基板１０４の平面図であり、（ｂ）が液晶装置の断
面図である。まず、構成を説明する。１．１ｍｍ厚の透
明ガラス基板１０４・１０９を２枚重ね合わせた構造を
とっており、その間に液晶層１０６が挟持される。上側
ガラス基板１０４は内側にクロム（Ｃｒ）遮光膜１０
１、赤緑青（ＲＧＢ）カラーフィルタ１０２及び配向膜
１０５が順次形成されており、外側には偏光板１０３が
配置されている。下側ガラス基板１０９は、内側に共通
電極１１１、絶縁層１０８、画素電極１１２及び配向膜
１０７が形成されており、外側には偏光板１１０が配置
されている。
【００３４】各画素は下側ガラス基板の平面図となる先
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（１１２）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（１１２）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。
【００３５】図１のＣｒ遮光膜１０１は、下側基板に形
成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・走査信号線の領域
を遮光するように形成されるものである。
成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・走査信号線の領域
を遮光するように形成されるものである。
【００３６】図１において、１画素内で共通電極１１１
（５０２）と画素電極１１２（５０１）は絶縁層１０８
を介して異なる層に配置されている。図１中の１１３は
電界の方向を示している。基板間のギャップを４．５μ
ｍとし、液晶材料１０６には屈折率異方性△ｎ＝０．０
７０で誘電異方性が正のネマティツク液晶を用いた。線
状の共通電極１１１と画素電極１１２の間の距離を１０
μｍとし、両電極の線幅を５μｍとした。液晶分子の分
子長軸方向が線状電極（共通電極１１１、画素電極１１
２）の長手方向と３０度の角度を有するようラビング配
向処理を施した。上側ガラス基板１０４の偏光板１０３
は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板１
０９の偏光板１１０は垂直に配置してある。この状態
が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に
応じて液晶分子の配向する角度が変化し、それにより液
晶の複屈折率が変化するので階調表示が可能となってい
る。なお、下基板１０９側には、バックライト光源が配
置される。この液晶分子の配向の仕方及び偏光板の吸収
軸の設定は、先に説明した図４と同様である。
（５０２）と画素電極１１２（５０１）は絶縁層１０８
を介して異なる層に配置されている。図１中の１１３は
電界の方向を示している。基板間のギャップを４．５μ
ｍとし、液晶材料１０６には屈折率異方性△ｎ＝０．０
７０で誘電異方性が正のネマティツク液晶を用いた。線
状の共通電極１１１と画素電極１１２の間の距離を１０
μｍとし、両電極の線幅を５μｍとした。液晶分子の分
子長軸方向が線状電極（共通電極１１１、画素電極１１
２）の長手方向と３０度の角度を有するようラビング配
向処理を施した。上側ガラス基板１０４の偏光板１０３
は吸収軸を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板１
０９の偏光板１１０は垂直に配置してある。この状態
が、黒表示状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に
応じて液晶分子の配向する角度が変化し、それにより液
晶の複屈折率が変化するので階調表示が可能となってい
る。なお、下基板１０９側には、バックライト光源が配
置される。この液晶分子の配向の仕方及び偏光板の吸収
軸の設定は、先に説明した図４と同様である。
【００３７】また、図１のＣｒ遮光膜１０１は、下側基
板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・走査信号線
の領域を遮光するように形成されるものである。
板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・走査信号線
の領域を遮光するように形成されるものである。
【００３８】次に、図６及び図７を用いて、以上に説明
したアクティブマトリックス型液晶装置の駆動方法につ
いて説明する。図７は液晶装置の１画素の等価回路図で
あり、図６は駆動波形を示す。図７において、７０３は
図５の５０３に相当する走査信号線であり、７０４は図
５の５０４に相当する画像信号線でり、７０５は図５の
５０５に相当するＴＦＴ素子である。ＴＦＴ素子７０５
のゲート電極は走査信号線５０３に接続され、ソース電
極は画像信号線７０４に接続され、ドレイン電極は図５
の５０１（図１の１１２）に相当する画素電極７０１に
接続される。７０６は液晶容量であり、７０２は図５の
５０２（図１の１１１）に相当する共通電極５０２であ
る。図６は１画素における駆動を時系列的に示したもの
であり、６０７は走査信号線に印加される走査信号、６
０８はＴＦＴ素子を導通させる選択期間、６０９はＴＦ
Ｔ素子を非導通させて液晶に印加した電圧を保持する非
選択期間である。選択期間６０８においては、画像信号
線に供給される画像信号６０３がＴＦＴ素子を介して画
素電極に供給される。６１２は１フレーム期間を示し、
６１０は第１フィールド、６１１は第２フィールドを示
す。画像信号６０３は第１フィールドと第２フィールド
とで、画像信号の振幅中心電位６０５を基準として電圧
極性が反転されている。６０４は画素電極の電位であ
り、共通電極の電位６０６との間の電位差が液晶に印加
される電圧となる。選択期間６０８においてＴＦＴ素子
を介して画像信号６０６が画素電極に印加され、画素電
極の電位は画像信号６０６の電位になる。しかし、選択
期間６０８において、ＴＦＴ素子のドレイン電極とゲー
ト電極の間に寄生する容量に蓄積された電荷が、非選択
期間６０９に画素電極側に流れ込み画素電極の電位は△
Ｖ降下する。このため、共通電極電位６０６を画像信号
の振幅中心電位６０５から予め△Ｖだけ下げておく。こ
れにより、画素電極の電位は共通電極電位を基準として
フィールド毎に実質的に対称に極性反転する。なお、液
晶容量７０６だけでなく、これと並列に蓄積容量を画素
内に設けることができる。この場合、この蓄積容量は、
図５における画素の周辺部にて、画素電極５０１と共通
電極５０２の絶縁膜を介してオーバーラップさせること
で形成される。
したアクティブマトリックス型液晶装置の駆動方法につ
いて説明する。図７は液晶装置の１画素の等価回路図で
あり、図６は駆動波形を示す。図７において、７０３は
図５の５０３に相当する走査信号線であり、７０４は図
５の５０４に相当する画像信号線でり、７０５は図５の
５０５に相当するＴＦＴ素子である。ＴＦＴ素子７０５
のゲート電極は走査信号線５０３に接続され、ソース電
極は画像信号線７０４に接続され、ドレイン電極は図５
の５０１（図１の１１２）に相当する画素電極７０１に
接続される。７０６は液晶容量であり、７０２は図５の
５０２（図１の１１１）に相当する共通電極５０２であ
る。図６は１画素における駆動を時系列的に示したもの
であり、６０７は走査信号線に印加される走査信号、６
０８はＴＦＴ素子を導通させる選択期間、６０９はＴＦ
Ｔ素子を非導通させて液晶に印加した電圧を保持する非
選択期間である。選択期間６０８においては、画像信号
線に供給される画像信号６０３がＴＦＴ素子を介して画
素電極に供給される。６１２は１フレーム期間を示し、
６１０は第１フィールド、６１１は第２フィールドを示
す。画像信号６０３は第１フィールドと第２フィールド
とで、画像信号の振幅中心電位６０５を基準として電圧
極性が反転されている。６０４は画素電極の電位であ
り、共通電極の電位６０６との間の電位差が液晶に印加
される電圧となる。選択期間６０８においてＴＦＴ素子
を介して画像信号６０６が画素電極に印加され、画素電
極の電位は画像信号６０６の電位になる。しかし、選択
期間６０８において、ＴＦＴ素子のドレイン電極とゲー
ト電極の間に寄生する容量に蓄積された電荷が、非選択
期間６０９に画素電極側に流れ込み画素電極の電位は△
Ｖ降下する。このため、共通電極電位６０６を画像信号
の振幅中心電位６０５から予め△Ｖだけ下げておく。こ
れにより、画素電極の電位は共通電極電位を基準として
フィールド毎に実質的に対称に極性反転する。なお、液
晶容量７０６だけでなく、これと並列に蓄積容量を画素
内に設けることができる。この場合、この蓄積容量は、
図５における画素の周辺部にて、画素電極５０１と共通
電極５０２の絶縁膜を介してオーバーラップさせること
で形成される。
【００３９】さて、このような構成の液晶装置におい
て、本実施例では、図８に示すように上側ガラス基板８
０１（図１の１０４）のＣｒ遮光膜８０７（図１の１０
１）を、下側ガラス基板８０２（図１の１０９）に形成
された共通電極８０８（図１の１１１）と同電位になる
ように、液晶セルの画素エリア８０３の周辺部８０４で
銀ペースト８０５を介して短絡している。図８の（ａ）
は液晶パネルの平面図であり、（ｂ）は上下基板を銀ペ
ーストによって短絡させた拡大断面図である。図８にお
いてＣｒ遮光膜は画素エリア８０３内ではＴＦＴ素子と
画素間を遮光するが、画素エリアの周辺部８０４では画
素エリア８０３とシール部８０６の間では画素エリアを
取り囲むように形成することにより画素エリアの見切り
とすることができる。
て、本実施例では、図８に示すように上側ガラス基板８
０１（図１の１０４）のＣｒ遮光膜８０７（図１の１０
１）を、下側ガラス基板８０２（図１の１０９）に形成
された共通電極８０８（図１の１１１）と同電位になる
ように、液晶セルの画素エリア８０３の周辺部８０４で
銀ペースト８０５を介して短絡している。図８の（ａ）
は液晶パネルの平面図であり、（ｂ）は上下基板を銀ペ
ーストによって短絡させた拡大断面図である。図８にお
いてＣｒ遮光膜は画素エリア８０３内ではＴＦＴ素子と
画素間を遮光するが、画素エリアの周辺部８０４では画
素エリア８０３とシール部８０６の間では画素エリアを
取り囲むように形成することにより画素エリアの見切り
とすることができる。
【００４０】周辺部８０４のシール部の外側に引き出さ
れたＣｒ遮光膜８０７（１０１）は、銀ペースト８０５
によって液晶パネルのシール部（一対の基板を接着する
シールであり画素エリア８０３を取り囲むように配置さ
れる）８０６の外側４点で、画素エリアから引き出され
た共通電極８０８（１１１）と電気的に短絡されてい
る。複数の箇所で遮光膜と共通電極とを接続しているの
は、画素エリア全体において遮光膜の電圧分布を均一化
するためのものである。
れたＣｒ遮光膜８０７（１０１）は、銀ペースト８０５
によって液晶パネルのシール部（一対の基板を接着する
シールであり画素エリア８０３を取り囲むように配置さ
れる）８０６の外側４点で、画素エリアから引き出され
た共通電極８０８（１１１）と電気的に短絡されてい
る。複数の箇所で遮光膜と共通電極とを接続しているの
は、画素エリア全体において遮光膜の電圧分布を均一化
するためのものである。
【００４１】図８（ｂ）において、共通電極８０８から
引き出された端子部は、異方性導電膜（ＡＣＦ：Aisoto
ropic Conducting Film）８０９を介して、液晶ドライ
バを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続するフ
レキシブル基板８１０上に形成されて共通電極電位を供
給する電極配線８１１に電気的に接続される。
引き出された端子部は、異方性導電膜（ＡＣＦ：Aisoto
ropic Conducting Film）８０９を介して、液晶ドライ
バを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続するフ
レキシブル基板８１０上に形成されて共通電極電位を供
給する電極配線８１１に電気的に接続される。
【００４２】このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
【００４３】以上の実施例１のような液晶装置の構成に
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（共通電極電
位）であるので、カラーフィルタ形成基板が外部からの
静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能
になる。カラーフィルタ形成基板に一定電位である金属
遮光膜が存在しなければ、静電気によって上側基板と下
側基板上の画素電極や共通電極との間に大きな電位差を
生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、
高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極
を持たないカラーフィルタ形成基板に一定電位の金属遮
光膜を設けることが重要となってくる。また、本実施例
で金属遮光膜の電位として用いた共通電極電位は既に液
晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要
がない。よって、液晶装置の静電対策を低コストで実現
できる。
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（共通電極電
位）であるので、カラーフィルタ形成基板が外部からの
静電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能
になる。カラーフィルタ形成基板に一定電位である金属
遮光膜が存在しなければ、静電気によって上側基板と下
側基板上の画素電極や共通電極との間に大きな電位差を
生じ、液晶がこの電位差に応答してしまう。このため、
高画質な表示を得るためには液晶を駆動するための電極
を持たないカラーフィルタ形成基板に一定電位の金属遮
光膜を設けることが重要となってくる。また、本実施例
で金属遮光膜の電位として用いた共通電極電位は既に液
晶装置内に存在する電位であるので、新たにつくる必要
がない。よって、液晶装置の静電対策を低コストで実現
できる。
【００４４】（実施例２）図９に示すように、実施例１
と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板のＣ
ｒ遮光膜９０３（図１の１０１）を接地した。このとき
の構成を図９を用いて説明する。図９（ａ）は液晶パネ
ルの平面図であり、（ｂ）は上下基板を銀ペーストによ
って短絡させた拡大断面図である。上側基板９０１（図
１の１０４）内側のＣｒ遮光膜９０３はシール部９０６
の外側で銀ペースト９０５を介して下側基板９０２（図
１の１０９）内側のダミー電極９０４に接続される。そ
して、このダミー電極９０４は、図９（ｂ）に示すよう
に、異方性導電膜（ＡＣＦ）９０７を介して、液晶ドラ
イバを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続する
フレキシブル基板９０９上に形成されて接地電位を供給
する電極配線９０８に電気的に接続される。液晶駆動用
回路基板における接地電位配線に接続した。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配
向の乱れも観察されなかった。
と同様な液晶装置の構成において、上側ガラス基板のＣ
ｒ遮光膜９０３（図１の１０１）を接地した。このとき
の構成を図９を用いて説明する。図９（ａ）は液晶パネ
ルの平面図であり、（ｂ）は上下基板を銀ペーストによ
って短絡させた拡大断面図である。上側基板９０１（図
１の１０４）内側のＣｒ遮光膜９０３はシール部９０６
の外側で銀ペースト９０５を介して下側基板９０２（図
１の１０９）内側のダミー電極９０４に接続される。そ
して、このダミー電極９０４は、図９（ｂ）に示すよう
に、異方性導電膜（ＡＣＦ）９０７を介して、液晶ドラ
イバを実装する又は、回路基板と液晶パネルを接続する
フレキシブル基板９０９上に形成されて接地電位を供給
する電極配線９０８に電気的に接続される。液晶駆動用
回路基板における接地電位配線に接続した。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配
向の乱れも観察されなかった。
【００４５】以上の実施例２のような液晶装置の構成に
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（接地電位）
であるので、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電
気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能にな
る。Ｃｒ遮光膜の電位を接地電位とすると、Ｃｒ遮光膜
と画素電極、共通電極との間で若干の電位差を生じる。
しかし、Ｃｒ遮光膜上にはカラーフィルタ層、配向膜な
どが存在するので、この部分で電圧降下がおき実際に液
晶に印加される電位差はきらに小さくなり無視できる程
度となる。また、一定電位であるＣｒ遮光膜が存在しな
ければ、静電気によってカラーフィルター形成基板が帯
電すると数万Ｖの電位差が液晶に印加されることになっ
てしまい、表示装置として機能しなくなってしまう。こ
のため、高画質な表示を得るには液晶を駆動するための
電極を持たないカラーフィルタ形成基板に一定電位（接
地電位）の金属遮光膜を設けることが重要となってく
る。接地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるの
で、新たにつくる必要がなく低コストで静電気に強い高
画質な液晶装置が実現できる。
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（接地電位）
であるので、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電
気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能にな
る。Ｃｒ遮光膜の電位を接地電位とすると、Ｃｒ遮光膜
と画素電極、共通電極との間で若干の電位差を生じる。
しかし、Ｃｒ遮光膜上にはカラーフィルタ層、配向膜な
どが存在するので、この部分で電圧降下がおき実際に液
晶に印加される電位差はきらに小さくなり無視できる程
度となる。また、一定電位であるＣｒ遮光膜が存在しな
ければ、静電気によってカラーフィルター形成基板が帯
電すると数万Ｖの電位差が液晶に印加されることになっ
てしまい、表示装置として機能しなくなってしまう。こ
のため、高画質な表示を得るには液晶を駆動するための
電極を持たないカラーフィルタ形成基板に一定電位（接
地電位）の金属遮光膜を設けることが重要となってく
る。接地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるの
で、新たにつくる必要がなく低コストで静電気に強い高
画質な液晶装置が実現できる。
【００４６】（実施例３）実施例１と同様な液晶装置の
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を画像信号
の振幅における中心電位（図６の６０５）に接続した。
このときの接続方法は図９のようにし、ダミー電極９０
４を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板９０９
に配線される画像信号振幅の中心電位の電位配線に接続
することで実現した。このような液晶装置に、約１ｋＶ
の静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良
好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されな
かった。
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を画像信号
の振幅における中心電位（図６の６０５）に接続した。
このときの接続方法は図９のようにし、ダミー電極９０
４を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板９０９
に配線される画像信号振幅の中心電位の電位配線に接続
することで実現した。このような液晶装置に、約１ｋＶ
の静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良
好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されな
かった。
【００４７】以上の実施例３のような液晶装置の構成に
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（画像信号の
振幅の中心電位）であるので、実施例１、実施例２と同
様な理由によりカラーフィルタ形成基板が外部からの静
電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能に
なる。また、画像信号の中心電位は既に液晶装置内に存
在する電位であるので、新たにつくる必要がない。
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（画像信号の
振幅の中心電位）であるので、実施例１、実施例２と同
様な理由によりカラーフィルタ形成基板が外部からの静
電気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能に
なる。また、画像信号の中心電位は既に液晶装置内に存
在する電位であるので、新たにつくる必要がない。
【００４８】（実施例４）実施例１と同様な液晶装置の
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を走査信号
線（図５の５０３）に印加される非選択電位（図６の走
査信号６０７の非選択期間６０９の電位）に接続した。
このときの接続方法は図９のようにし、ダミー電極９０
４を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板９０９
における走査信号線の非選択電位の電位配線に接続する
ことで実現した。このような液晶装置に、約１ｋＶの静
電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な
表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかっ
た。
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を走査信号
線（図５の５０３）に印加される非選択電位（図６の走
査信号６０７の非選択期間６０９の電位）に接続した。
このときの接続方法は図９のようにし、ダミー電極９０
４を、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板９０９
における走査信号線の非選択電位の電位配線に接続する
ことで実現した。このような液晶装置に、約１ｋＶの静
電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な
表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかっ
た。
【００４９】以上の実施例４のような液晶装置の構成に
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（走査信号の
非選択電位）であるので、実施例１、実施例２と同様な
理由により、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電
気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能にな
る。また、走査信号の非選択電位は既に液晶装置内に存
在する電位であるので、新たにつくる必要がない。
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（走査信号の
非選択電位）であるので、実施例１、実施例２と同様な
理由により、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電
気等で帯電しないようになり、高画質な表示が可能にな
る。また、走査信号の非選択電位は既に液晶装置内に存
在する電位であるので、新たにつくる必要がない。
【００５０】（実施例５）実施例１と同様な液晶装置の
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を液晶駆動
回路のロジツク電位に接続した。このときの接続方法は
図９のようにし、ダミー電極を、液晶パネルに実装され
るフレキシブル基板９０９におけるロジック電位配線に
接続することで実現した。このような液晶装置に、約１
ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せず
に良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察さ
れなかった。
構成において、上側ガラス基板のＣｒ遮光膜を液晶駆動
回路のロジツク電位に接続した。このときの接続方法は
図９のようにし、ダミー電極を、液晶パネルに実装され
るフレキシブル基板９０９におけるロジック電位配線に
接続することで実現した。このような液晶装置に、約１
ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せず
に良好な表示が行えた。また、液晶配向の乱れも観察さ
れなかった。
【００５１】以上の実施例５のような液晶装置の構成に
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（ロジック電
位）であるので、実施例１、実施例２と同様な理由によ
り、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等で帯
電しないようになり、高画質な表示が可能になる。ま
た、ロジック電位は既に液晶装置内に存在する電位であ
るので、新たにつくる必要がない。
すると、金属遮光膜であるＣｒが一定電位（ロジック電
位）であるので、実施例１、実施例２と同様な理由によ
り、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等で帯
電しないようになり、高画質な表示が可能になる。ま
た、ロジック電位は既に液晶装置内に存在する電位であ
るので、新たにつくる必要がない。
【００５２】なお、以上の実施例ではＣｒ金属膜を遮光
膜としたが、Ｃｒ以外のＴａ、Ａｌ、Ａｕなどの金属膜
でも同様の効果があることを確認した。
膜としたが、Ｃｒ以外のＴａ、Ａｌ、Ａｕなどの金属膜
でも同様の効果があることを確認した。
【００５３】（実施例６）図２（ａ）は本発明に係る液
晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明
する。１．１ｍｍ厚の透明ガラス基板２０３・２１０を
２枚重ね合わせた構造をとっており、その間に液晶層２
０７が挟持される。上側ガラス基板２０３には内側に赤
線青（ＲＧＢ）カラーフィルタ２０４、樹脂遮光膜２０
５及び配向膜２０６が順次形成されており、外側にはＩ
ＴＯ透明導電膜２０２及び偏光板２０１が配置されてい
る。下側ガラス基板２１０は、内側に共通電極２１３、
絶縁層２０９、画素電極２１２及び配向膜２０８が形成
されており、外側には偏光板２１１が配置されている。
晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明
する。１．１ｍｍ厚の透明ガラス基板２０３・２１０を
２枚重ね合わせた構造をとっており、その間に液晶層２
０７が挟持される。上側ガラス基板２０３には内側に赤
線青（ＲＧＢ）カラーフィルタ２０４、樹脂遮光膜２０
５及び配向膜２０６が順次形成されており、外側にはＩ
ＴＯ透明導電膜２０２及び偏光板２０１が配置されてい
る。下側ガラス基板２１０は、内側に共通電極２１３、
絶縁層２０９、画素電極２１２及び配向膜２０８が形成
されており、外側には偏光板２１１が配置されている。
【００５４】各画素は下側ガラス基板の平面図となる先
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（２１２）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。なお、駆動方法は実施例１と同様である。
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（２１２）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。なお、駆動方法は実施例１と同様である。
【００５５】図２において、１画素内で共通電極２１３
と画素電極２１２は絶縁層２０９を介して異なる層に配
置されている。図２（ａ）中の２１４は、電界の方向を
示している。この実施例では実施例１とギャップ、電極
間距離、ラビング方向を若干変更している。すなわち、
基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶材料２０７に
は屈折率異方性△ｎ＝０．０７０で誘電異方性が正のネ
マティツク液晶を用いた。線状の共通電極２１３と画素
電極２１２の間の距離を１５μｍとし、両電極の線幅を
５μｍとした。液晶分子が電圧無印加時に線状電極（共
通電極２１３、画素電極２１２）の長手方向と４５度の
角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガ
ラス基板２０３の偏光板２０１は吸収軸を液晶の配向方
向と平行に、下側ガラス基板２１０の偏光板２１１は垂
直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外
部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向角度
が変化することにより階調表示が可能となつている。ま
た、下基板２１０側にバックライト光源を配置してい
る。
と画素電極２１２は絶縁層２０９を介して異なる層に配
置されている。図２（ａ）中の２１４は、電界の方向を
示している。この実施例では実施例１とギャップ、電極
間距離、ラビング方向を若干変更している。すなわち、
基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶材料２０７に
は屈折率異方性△ｎ＝０．０７０で誘電異方性が正のネ
マティツク液晶を用いた。線状の共通電極２１３と画素
電極２１２の間の距離を１５μｍとし、両電極の線幅を
５μｍとした。液晶分子が電圧無印加時に線状電極（共
通電極２１３、画素電極２１２）の長手方向と４５度の
角度を有するようにラビング配向処理を施した。上側ガ
ラス基板２０３の偏光板２０１は吸収軸を液晶の配向方
向と平行に、下側ガラス基板２１０の偏光板２１１は垂
直に配置してある。この状態が、黒表示状態であり、外
部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子の配向角度
が変化することにより階調表示が可能となつている。ま
た、下基板２１０側にバックライト光源を配置してい
る。
【００５６】なお、図２（ａ）において、遮光膜２０５
は、下側基板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・
走査信号線の領域を遮光するように配置される。
は、下側基板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・
走査信号線の領域を遮光するように配置される。
【００５７】本実施例においては、上側ガラス基板２０
３のＩＴＯ透明導電膜２０２の電位は画素エリア以外の
領域から電気配線により液晶駆動回路基板上の接地電位
に接続されている。
３のＩＴＯ透明導電膜２０２の電位は画素エリア以外の
領域から電気配線により液晶駆動回路基板上の接地電位
に接続されている。
【００５８】図３は液晶パネルの平面図を示す図であ
り、図中３０２は下側基板（図２（ａ）の２１０）、３
０１は上側基板（図２（ａ）の２０３）、３０３は画素
エリア、３０４はその周辺部である。本実施例では、上
側基板の外側における画素エリア３０３と周辺部３０４
に透明導電膜２０２が形成される。
り、図中３０２は下側基板（図２（ａ）の２１０）、３
０１は上側基板（図２（ａ）の２０３）、３０３は画素
エリア、３０４はその周辺部である。本実施例では、上
側基板の外側における画素エリア３０３と周辺部３０４
に透明導電膜２０２が形成される。
【００５９】透明導電膜への接地電位の接続方法として
は、この透明導電膜を周辺部の端部にて露出させ、一定
電位（接地電位）が印加されている金属製の外枠（図示
せず）等に接触させる又は接続部材を介して接続するこ
とにより、透明導電膜に一定電位（接地電位）を与える
ことが考えられる。外枠に一定電位（接地電位）が印加
されていれば、この外枠ケース自体も液晶装置のシール
ド機能を有することになるので、静電気保護がより一層
確実になる。但し、接地電位への透明導電膜の接続方法
は、上記の例に限定されるものではなく、種々の方法が
採用されて良い。
は、この透明導電膜を周辺部の端部にて露出させ、一定
電位（接地電位）が印加されている金属製の外枠（図示
せず）等に接触させる又は接続部材を介して接続するこ
とにより、透明導電膜に一定電位（接地電位）を与える
ことが考えられる。外枠に一定電位（接地電位）が印加
されていれば、この外枠ケース自体も液晶装置のシール
ド機能を有することになるので、静電気保護がより一層
確実になる。但し、接地電位への透明導電膜の接続方法
は、上記の例に限定されるものではなく、種々の方法が
採用されて良い。
【００６０】このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。
【００６１】以上の実施例６のような液晶装置の構成に
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電せず、高画質な表示が可能になる。また、接地電
位は液晶装置内に従来から存在する電位であるので、新
たにつくる必要がない。
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電せず、高画質な表示が可能になる。また、接地電
位は液晶装置内に従来から存在する電位であるので、新
たにつくる必要がない。
【００６２】本実施例では、ＩＴＯ透明導電膜の電位を
接地電位としたが、実施例２〜５のように、共通電極電
位、画像信号振幅の中心電位、走査信号の非選択電位、
外部駆動手段のロジック電位のような一定電位としても
構わない。また、透明導電膜にはＩＴＯを用いたが、Ｓ
ｎＯ2などの透明導電膜でも構わない。透明導電膜は全
面に形成する必要はなく、部分的な形成でも構わない。
接地電位としたが、実施例２〜５のように、共通電極電
位、画像信号振幅の中心電位、走査信号の非選択電位、
外部駆動手段のロジック電位のような一定電位としても
構わない。また、透明導電膜にはＩＴＯを用いたが、Ｓ
ｎＯ2などの透明導電膜でも構わない。透明導電膜は全
面に形成する必要はなく、部分的な形成でも構わない。
【００６３】（実施例７）実施例６に示すような液晶装
置において、上側基板におけるＩＴＯ透明導電膜の代わ
りに画素エリア３０３を除く周辺部３０４にＣｒ金属膜
を形成した。上側ガラス基板のＣｒ金属膜の電位は接地
電位とした。この周辺部３０４のＣｒ金属膜は画素エリ
ア３０３の周辺を遮光する見切り板として機能させるこ
ともできる。電位の接続方法は、実施例６と同様に種々
考えられる。このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
置において、上側基板におけるＩＴＯ透明導電膜の代わ
りに画素エリア３０３を除く周辺部３０４にＣｒ金属膜
を形成した。上側ガラス基板のＣｒ金属膜の電位は接地
電位とした。この周辺部３０４のＣｒ金属膜は画素エリ
ア３０３の周辺を遮光する見切り板として機能させるこ
ともできる。電位の接続方法は、実施例６と同様に種々
考えられる。このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
【００６４】以上の実施例７のような液晶装置の構成に
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、接
地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新
たにつくる必要がない。
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、接
地電位は既に液晶装置内に存在する電位であるので、新
たにつくる必要がない。
【００６５】本実施例では、Ｃｒ金属膜の電位を接地電
位としたが、共通電極電位、画像信号の中心電位、走査
信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のよう
な一定電位としても静電気の影響を受けず良好な表示を
行うことができた。
位としたが、共通電極電位、画像信号の中心電位、走査
信号の非選択電位、外部駆動手段のロジック電位のよう
な一定電位としても静電気の影響を受けず良好な表示を
行うことができた。
【００６６】また、本実施例では、Ｃｒ金属膜を液晶パ
ネル基板の外側面上の画素エリア以外の領域に形成した
が、実施例１と同様に、Ｃｒ金属膜を液晶パネル基板の
内側面上の周辺部の領域に形成しても同様の効果を確認
した（但し、本実施例の場合は、画素エリア内でのＴＦ
Ｔ素子及び画素間の遮光は樹脂遮光膜による）。
ネル基板の外側面上の画素エリア以外の領域に形成した
が、実施例１と同様に、Ｃｒ金属膜を液晶パネル基板の
内側面上の周辺部の領域に形成しても同様の効果を確認
した（但し、本実施例の場合は、画素エリア内でのＴＦ
Ｔ素子及び画素間の遮光は樹脂遮光膜による）。
【００６７】また、Ｃｒ以外のＴａ、Ａｌ、Ａｕなどの
金属膜でも同様の効果があることを確認した。
金属膜でも同様の効果があることを確認した。
【００６８】（実施例８）本実施例は、実施例６で説明
した図２（ａ）の構成を変更した構成である。本実施例
においては、基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶
材料２０７には屈折率異方性△ｎ＝０．０７０で誘電異
方性が正のネマティツク液晶を用いた。線状の共通電極
２１３と画素電極２１２の間の距離を１５μｍとし、両
電極の線幅を１０μｍとした。液晶分子が電圧無印加時
に線状電極（共通電極２１３、画素電極２１２）の長手
方向と４５度の角度を有するようにラビング配向処理を
施した。上側ガラス基板２０３の偏光板２０１は吸収軸
を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板２１０の偏
光板２１１は垂直に配置してある。この状態が、黒表示
状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶
分子の配向角度が変化することにより階調表示が可能と
なっている。また、下基板２１０側にはパックライト光
源が配置される。
した図２（ａ）の構成を変更した構成である。本実施例
においては、基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶
材料２０７には屈折率異方性△ｎ＝０．０７０で誘電異
方性が正のネマティツク液晶を用いた。線状の共通電極
２１３と画素電極２１２の間の距離を１５μｍとし、両
電極の線幅を１０μｍとした。液晶分子が電圧無印加時
に線状電極（共通電極２１３、画素電極２１２）の長手
方向と４５度の角度を有するようにラビング配向処理を
施した。上側ガラス基板２０３の偏光板２０１は吸収軸
を液晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板２１０の偏
光板２１１は垂直に配置してある。この状態が、黒表示
状態であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶
分子の配向角度が変化することにより階調表示が可能と
なっている。また、下基板２１０側にはパックライト光
源が配置される。
【００６９】本実施例においては、上側ガラス基板２０
３のＩＴＯ透明導電膜２０２の電位はフローティング状
態とし、電気的な接続は全く施していない。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。
３のＩＴＯ透明導電膜２０２の電位はフローティング状
態とし、電気的な接続は全く施していない。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。
【００７０】以上の実施例８のような液晶装置の構成に
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前
記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、
電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策
が可能となる。
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前
記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、
電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策
が可能となる。
【００７１】（実施例９）図２（ｂ）は本発明に係る液
晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明
する。１．１ｍｍ厚の透明ガラス基板２１６・２２４を
２枚重ね合わせた構造をとっており、その間に液晶層２
２１が挟持されている。上側ガラス基板２１６には内側
に赤緑青（ＲＧＢ）カラーフィルタ２１８、樹脂遮光膜
２１７、ＩＴＯ透明導電膜２１９及び配向膜２２０が順
次形成されており、外側には偏光板２１５が配置されて
いる。下側ガラス基板２２４は、内側に共通電極２２
７、絶縁層２２３、画素電極２２８及び配向膜２２２が
形成されており、外側には偏光板２２５が配置されてい
る。
晶装置の構造の要部を示す図である。まず、構成を説明
する。１．１ｍｍ厚の透明ガラス基板２１６・２２４を
２枚重ね合わせた構造をとっており、その間に液晶層２
２１が挟持されている。上側ガラス基板２１６には内側
に赤緑青（ＲＧＢ）カラーフィルタ２１８、樹脂遮光膜
２１７、ＩＴＯ透明導電膜２１９及び配向膜２２０が順
次形成されており、外側には偏光板２１５が配置されて
いる。下側ガラス基板２２４は、内側に共通電極２２
７、絶縁層２２３、画素電極２２８及び配向膜２２２が
形成されており、外側には偏光板２２５が配置されてい
る。
【００７２】各画素は下側ガラス基板の平面図となる先
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（２２８）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。なお、駆動方法は実施例１と同様である。
に説明した図５に示されるように、走査信号線（ゲート
線）５０３、画像信号線（ソース線）５０４がマトリク
ス状に配置されており、その交点近傍に、ゲート電極が
走査信号線５０３、ソース電極が画像信号線５０４、ド
レイン電極が画素電極５０１（２２８）に接続された薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）５０５が形成されてい
る。なお、駆動方法は実施例１と同様である。
【００７３】１画素内で共通電極２２７と画素電極２２
８は絶縁層２２３を介して異なる層に配置されている。
図２（ｂ）中の２２６は、電界の方向を示している。こ
の実施例では実施例１と基板間のギャップ、屈折率異方
性、電極間距離、ラビング方向を若干変更している。す
なわち、基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶材料
２２１には屈折率異方性△ｎ＝０．０８５で誘電異方性
が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極２２
７と画素電極２２８の間の距離を１２μｍとし、両電極
の線幅を５μｍとした。液晶分子が電圧無印加時に線状
電極（共通電極２２７、画素電極２２８）の長手方向と
４０度の角度を有するようにラビング配向処理を施し
た。上側ガラス基板２１６の偏光板２１５は吸収軸を液
晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板２２４の偏光板
２２５は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態
であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子
の配向角度が変化することにより階調表示が可能となっ
ている。また、下基板２２４側にはバックライト光源が
配置される。
８は絶縁層２２３を介して異なる層に配置されている。
図２（ｂ）中の２２６は、電界の方向を示している。こ
の実施例では実施例１と基板間のギャップ、屈折率異方
性、電極間距離、ラビング方向を若干変更している。す
なわち、基板間のギャップを４．０μｍとし、液晶材料
２２１には屈折率異方性△ｎ＝０．０８５で誘電異方性
が正のネマティック液晶を用いた。線状の共通電極２２
７と画素電極２２８の間の距離を１２μｍとし、両電極
の線幅を５μｍとした。液晶分子が電圧無印加時に線状
電極（共通電極２２７、画素電極２２８）の長手方向と
４０度の角度を有するようにラビング配向処理を施し
た。上側ガラス基板２１６の偏光板２１５は吸収軸を液
晶の配向方向と平行に、下側ガラス基板２２４の偏光板
２２５は垂直に配置してある。この状態が、黒表示状態
であり、外部駆動手段からの印加電圧に応じて液晶分子
の配向角度が変化することにより階調表示が可能となっ
ている。また、下基板２２４側にはバックライト光源が
配置される。
【００７４】なお、図２（ａ）において、遮光膜２０５
は、下側基板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・
走査信号線の領域を遮光するように配置される。
は、下側基板に形成されたＴＦＴ素子及び画像信号線・
走査信号線の領域を遮光するように配置される。
【００７５】本実施例においては、上側ガラス基板２１
６のＩＴＯ透明導電膜２１９の電位はフローティング状
態とし、電気的な接続は全く施していない。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配
向の乱れも観察されなかった。
６のＩＴＯ透明導電膜２１９の電位はフローティング状
態とし、電気的な接続は全く施していない。このような
液晶装置に、約１ｋＶの静電気で静電耐圧試験を行って
も、全く帯電せずに良好な表示が行えた。また、液晶配
向の乱れも観察されなかった。
【００７６】以上の実施例９のような液晶装置の構成に
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前
記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、
電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策
が可能となる。通常透明導電膜を液晶層と接する面つま
り液晶セル内部に形成すると、画素電極や共通電極との
間に電界が発生して画質を低下させてしまうが、導電膜
の電位がフローティング状態にあるので、画質低下を極
力抑えることができる。
すると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等
で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、前
記透明導電膜の電位がフローティング状態であるので、
電気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策
が可能となる。通常透明導電膜を液晶層と接する面つま
り液晶セル内部に形成すると、画素電極や共通電極との
間に電界が発生して画質を低下させてしまうが、導電膜
の電位がフローティング状態にあるので、画質低下を極
力抑えることができる。
【００７７】本実施例では、ＩＴＯ透明導電膜を上側基
板のカラーフィルタ層と配向膜の間に設けたが、基板と
カラーフィルタ層の間に設けても構わない。
板のカラーフィルタ層と配向膜の間に設けたが、基板と
カラーフィルタ層の間に設けても構わない。
【００７８】（実施例１０）本実施例では、実施例８及
び実施例９における図２の樹脂遮光膜２０５・２１７を
Ｃｒなどの金属遮光膜に変更する。また、このとき金属
遮光膜をＴＦＴ素子及び画素間の遮光膜として機能させ
るだけでなく、画素エリアの周辺部にて実施例１から実
施例５の図８に示されるように一定電位に接続する。
び実施例９における図２の樹脂遮光膜２０５・２１７を
Ｃｒなどの金属遮光膜に変更する。また、このとき金属
遮光膜をＴＦＴ素子及び画素間の遮光膜として機能させ
るだけでなく、画素エリアの周辺部にて実施例１から実
施例５の図８に示されるように一定電位に接続する。
【００７９】さらに実施例８及び実施例９で示したよう
なフローティング状態のＩＴＯ透明導電膜を、図２に示
すように上側基板の外側面または内側面に形成するよう
にして、Ｃｒ遮光膜とフローティング状態のＩＴＯ透明
導電膜とを組み合わせる。
なフローティング状態のＩＴＯ透明導電膜を、図２に示
すように上側基板の外側面または内側面に形成するよう
にして、Ｃｒ遮光膜とフローティング状態のＩＴＯ透明
導電膜とを組み合わせる。
【００８０】このようにすると、静電気を吸収するフロ
ーティング状態のＩＴＯ透明導電膜と静電気から液晶を
シールドする金属遮光膜とが存在するので、静電気に対
してさらに耐久性があがる。
ーティング状態のＩＴＯ透明導電膜と静電気から液晶を
シールドする金属遮光膜とが存在するので、静電気に対
してさらに耐久性があがる。
【００８１】但し、上側基板の内側面に金属遮光膜と透
明導電膜を積層して形成する場合は、両者をカラーフィ
ルタまたは絶縁膜等によって絶縁する必要がある。
明導電膜を積層して形成する場合は、両者をカラーフィ
ルタまたは絶縁膜等によって絶縁する必要がある。
【００８２】本実施例では、ＩＴＯ透明導電膜を上側基
板のカラーフィルタ層と配向膜の間に設けたが、基板と
カラーフィルタ層の間に設けても構わない。
板のカラーフィルタ層と配向膜の間に設けたが、基板と
カラーフィルタ層の間に設けても構わない。
【００８３】（実施例１１）実施例８及び実施例９に示
すような液晶装置において、ＩＴＯ透明導電膜の代わり
に、図３に示す画素エリア３０３の周辺部３０４の上側
ガラス基板の外側面または内側面上にＣｒ金属膜を形成
した。上側ガラス基板のＣｒ金属膜の電位はフローティ
ング状態とした。
すような液晶装置において、ＩＴＯ透明導電膜の代わり
に、図３に示す画素エリア３０３の周辺部３０４の上側
ガラス基板の外側面または内側面上にＣｒ金属膜を形成
した。上側ガラス基板のＣｒ金属膜の電位はフローティ
ング状態とした。
【００８４】このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
【００８５】以上の実施例１１のような液晶装置の構成
にすると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気
等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、
Ｃｒ金属膜の電位がフローティング状態であるので、電
気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策が
可能となる。また、この遮光膜には画素エリアの見切り
機能を持たせることもできる。
にすると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気
等で帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。また、
Ｃｒ金属膜の電位がフローティング状態であるので、電
気的な接続をしなくてもよく、低コストで静電気対策が
可能となる。また、この遮光膜には画素エリアの見切り
機能を持たせることもできる。
【００８６】以上述べたように、本発明によれば、静電
気の影響を受けにくい高画質な液晶装置を実現すること
ができる。
気の影響を受けにくい高画質な液晶装置を実現すること
ができる。
【００８７】（実施例１２）本実施例は、図１（ｂ）、
又は図２（ａ）若しくは（ｂ）の構成において、上側偏
光板１０３、２０１、２１５に導電性を持たせたもので
ある。このような偏光板は、偏光板のフィルム材料に導
電性粒子を混入させる、或いは偏光フィルムに透明導電
層を貼り付けて一体化させる等により、容易に製造する
ことができる。
又は図２（ａ）若しくは（ｂ）の構成において、上側偏
光板１０３、２０１、２１５に導電性を持たせたもので
ある。このような偏光板は、偏光板のフィルム材料に導
電性粒子を混入させる、或いは偏光フィルムに透明導電
層を貼り付けて一体化させる等により、容易に製造する
ことができる。
【００８８】この導電性偏光板は、フォローティング状
態にするか、或いは導電性偏光板又は偏光板の導電層を
露出させて、これに対して、実施例６と同様の方法によ
り、一定電位（共通電極電位、接地電位、走査信号の非
選択電位、外部駆動手投のロジック電位のいずれか）を
印加するかすれば良い。一定電位を印加する場合は、実
施例６と同様な接続方法を採用することができる。
態にするか、或いは導電性偏光板又は偏光板の導電層を
露出させて、これに対して、実施例６と同様の方法によ
り、一定電位（共通電極電位、接地電位、走査信号の非
選択電位、外部駆動手投のロジック電位のいずれか）を
印加するかすれば良い。一定電位を印加する場合は、実
施例６と同様な接続方法を採用することができる。
【００８９】このような液晶装置に、約１ｋＶの静電気
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
で静電耐圧試験を行っても、全く帯電せずに良好な表示
が行えた。また、液晶配向の乱れも観察されなかった。
【００９０】以上の実施例のような液晶装置の構成にす
ると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等で
帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。
ると、カラーフィルタ形成基板が外部からの静電気等で
帯電しにくく、高画質な表示が可能になる。
【００９１】なお、下側偏光板も併せて、導電性を有す
る偏光板とし、液晶パネルを上下から導電性偏光板で挟
めば、より一層静電気に対して良好な表示を行うことが
できる。
る偏光板とし、液晶パネルを上下から導電性偏光板で挟
めば、より一層静電気に対して良好な表示を行うことが
できる。
【００９２】さらに、本実施例は、他の実施例１〜１１
のいずれの実施例とも組み合わせて、液晶パネルに採用
しても良い。そうすることにより、より一層の静電気対
策ができる。
のいずれの実施例とも組み合わせて、液晶パネルに採用
しても良い。そうすることにより、より一層の静電気対
策ができる。
【００９３】（実施例１３）上述の実施例１〜１２の液
晶装置を用いて構成される電子機器の実施例について以
下に説明する。
晶装置を用いて構成される電子機器の実施例について以
下に説明する。
【００９４】液晶装置を用いた電子機器は、図１０に示
す表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、表示駆動回路１００４、液晶パネルなどの表示パネ
ル１００６、クロック発生回路１００８及び電源回路１
０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００
は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号を同調し
て出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発
生回路１００８からのクロックに基づいて、ビデオ信号
などの表示情報を出力する。表示情報処理回路１００２
は、クロック発生回路１００８からのクロックに基づい
て表示情報を処理して出力する。この表示情報処理回路
１００２は、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、
ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ
回路等を含むことができる。表示駆動回路１００４は、
走査側駆動回路及びデータ側駆動回路を含んで構成さ
れ、液晶パネル１００６を表示駆動する。電源回路１０
１０は、上述の各回路に電力を供給する。
す表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、表示駆動回路１００４、液晶パネルなどの表示パネ
ル１００６、クロック発生回路１００８及び電源回路１
０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００
は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号を同調し
て出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発
生回路１００８からのクロックに基づいて、ビデオ信号
などの表示情報を出力する。表示情報処理回路１００２
は、クロック発生回路１００８からのクロックに基づい
て表示情報を処理して出力する。この表示情報処理回路
１００２は、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、
ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ
回路等を含むことができる。表示駆動回路１００４は、
走査側駆動回路及びデータ側駆動回路を含んで構成さ
れ、液晶パネル１００６を表示駆動する。電源回路１０
１０は、上述の各回路に電力を供給する。
【００９５】このような構成の電子機器として、図１１
に示すマルチメディア対応のパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション
（ＥＷＳ）の他、図１２に示すページャ、あるいは携帯
電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型
又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、
電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端
末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができ
る。
に示すマルチメディア対応のパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション
（ＥＷＳ）の他、図１２に示すページャ、あるいは携帯
電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型
又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、
電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端
末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができ
る。
【００９６】図１１に示すパーソナルコンピュータ１２
００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、液晶表示画面１２０６とを有する。
００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、液晶表示画面１２０６とを有する。
【００９７】図１２に示すページャ１３００は、金属製
フレーム１３０２内に、ガラス基板１３０４、バックラ
イト１３０６ａを備えたライトガイド１３０６、回路基
板１３０８、第Ｉ，第２のシールド板１３１０，１３１
２、２つの弾性導電体１３１４，１３１６、及びフィル
ムキャリアテープ（フレキシブル基板）１３１８を有す
る。２つの弾性導電体１３１４，１３１６及びフィルム
キャリアテープ１３１８は、ガラス基板１３０４と回路
基板１３０８とを接続するものである。
フレーム１３０２内に、ガラス基板１３０４、バックラ
イト１３０６ａを備えたライトガイド１３０６、回路基
板１３０８、第Ｉ，第２のシールド板１３１０，１３１
２、２つの弾性導電体１３１４，１３１６、及びフィル
ムキャリアテープ（フレキシブル基板）１３１８を有す
る。２つの弾性導電体１３１４，１３１６及びフィルム
キャリアテープ１３１８は、ガラス基板１３０４と回路
基板１３０８とを接続するものである。
【００９８】ここで、基板１３０４は、２枚の透明ガラ
ス基板１３０４ａ，１３０４ｂの間に液晶を封入したも
ので、これにより少なくとも液晶パネル装置が構成され
る。一方の透明基板に、図１０に示す駆動回路１００
４、あるいはこれに加えて表示情報処理回路１００２を
形成することができる。基板１３０４に搭載されない回
路は、基板の外付け回路とされ、図１２の場合には回路
基板１３０８に搭載できる。
ス基板１３０４ａ，１３０４ｂの間に液晶を封入したも
ので、これにより少なくとも液晶パネル装置が構成され
る。一方の透明基板に、図１０に示す駆動回路１００
４、あるいはこれに加えて表示情報処理回路１００２を
形成することができる。基板１３０４に搭載されない回
路は、基板の外付け回路とされ、図１２の場合には回路
基板１３０８に搭載できる。
【００９９】図１２はページャの構成を示すものである
から、ガラス基板１３０４以外に回路基板１３０８が必
要となるが、電子機器用の一部品として液晶表示装置が
使用される場合であって、透明基板に表示駆動回路など
が搭載される場合には、その液晶表示装置の最小単位は
基板１３０４である。あるいは、基板１３０４を筐体と
しての金属フレーム１３０２に固定したものを、電子機
器用の一部品である液晶装置として使用することもでき
る。さらに、バックライト式の場合には、金属製フレー
ム１３０２内に、基板１３０４と、バックライト１３０
６ａを備えたライトガイド１３０６とを組み込んで、液
晶表示装置を構成することができる。これらに代えて、
図１３に示すように、基板１３０４を構成する２枚の透
明基板１３０４ａ，１３０４ｂの一方に、金属の導電膜
が形成されたポリイミドテープ（フレキシブル基板）１
３２２にＩＣチップ１３２４を実装したＴＣＰ（Ｔａｐ
ｅＣａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）１３２０を接続し
て、電子機器用の一部品である液晶装置として使用する
こともできる。
から、ガラス基板１３０４以外に回路基板１３０８が必
要となるが、電子機器用の一部品として液晶表示装置が
使用される場合であって、透明基板に表示駆動回路など
が搭載される場合には、その液晶表示装置の最小単位は
基板１３０４である。あるいは、基板１３０４を筐体と
しての金属フレーム１３０２に固定したものを、電子機
器用の一部品である液晶装置として使用することもでき
る。さらに、バックライト式の場合には、金属製フレー
ム１３０２内に、基板１３０４と、バックライト１３０
６ａを備えたライトガイド１３０６とを組み込んで、液
晶表示装置を構成することができる。これらに代えて、
図１３に示すように、基板１３０４を構成する２枚の透
明基板１３０４ａ，１３０４ｂの一方に、金属の導電膜
が形成されたポリイミドテープ（フレキシブル基板）１
３２２にＩＣチップ１３２４を実装したＴＣＰ（Ｔａｐ
ｅＣａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）１３２０を接続し
て、電子機器用の一部品である液晶装置として使用する
こともできる。
【０１００】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
【０１０１】実施例１〜１２との関連では、液晶装置に
は図１０の電源回路１０１０から種々の一定電位が供給
されるものであり、実施例にて遮光膜や透明導電膜に印
加される一定電位は、上記電源回路から、または駆動回
路１００４から供給されることになる。また、実施例に
て説明されたように、遮光膜は共通電極やダミー電極に
接続されるものであるが、共通電極やダミー電極は、図
１２のテープ１３１８や図１３のテープ１３２２によ
り、一定電位の配線に接続される。
は図１０の電源回路１０１０から種々の一定電位が供給
されるものであり、実施例にて遮光膜や透明導電膜に印
加される一定電位は、上記電源回路から、または駆動回
路１００４から供給されることになる。また、実施例に
て説明されたように、遮光膜は共通電極やダミー電極に
接続されるものであるが、共通電極やダミー電極は、図
１２のテープ１３１８や図１３のテープ１３２２によ
り、一定電位の配線に接続される。
【０１０２】また、上側ガラス基板の外側面に形成した
透明導電膜や金属膜に一定電位を印加する場合は、先に
説明したように、金属製外枠となる図１２のフレーム１
３０２に図１０の電源回路１０１０から一定電位を与
え、これを介して上側基板１３０４ａの透明導電膜や金
属膜に一定電位を供給するようにすれば良い。
透明導電膜や金属膜に一定電位を印加する場合は、先に
説明したように、金属製外枠となる図１２のフレーム１
３０２に図１０の電源回路１０１０から一定電位を与
え、これを介して上側基板１３０４ａの透明導電膜や金
属膜に一定電位を供給するようにすれば良い。
【０１０３】なお、以上の実施例では、Ｃｒ金属膜を用
いたが、Ｃｒ以外のＴａ、Ａｌ、Ａｕの他、ＣｒとＮｉ
やＣｕとの合金の金属膜でも同様の効果があることを確
認した。また、以上の実施例では透明導電膜にはＩＴＯ
を用いたが、ＳｎＯ2などの透明導電膜でも構わない。
さらに透明導電膜は全面に形成する必要はなく、部分的
な形成でも構わない。
いたが、Ｃｒ以外のＴａ、Ａｌ、Ａｕの他、ＣｒとＮｉ
やＣｕとの合金の金属膜でも同様の効果があることを確
認した。また、以上の実施例では透明導電膜にはＩＴＯ
を用いたが、ＳｎＯ2などの透明導電膜でも構わない。
さらに透明導電膜は全面に形成する必要はなく、部分的
な形成でも構わない。
【０１０４】
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる液晶装置
は、広視野角を有するアクティブマトリックス型液晶装
置であるので、パーソナルコンピュータ、ワークステー
ション等の表示装置として、さらにマルティメディア端
末機器やテレビ等のモニターとして用いることができ
る。特に、静電気の発生しやすい環境、例えば電子機器
の多いオフィス等の環境において、液晶装置を静電気か
ら保護するのに適している。
は、広視野角を有するアクティブマトリックス型液晶装
置であるので、パーソナルコンピュータ、ワークステー
ション等の表示装置として、さらにマルティメディア端
末機器やテレビ等のモニターとして用いることができ
る。特に、静電気の発生しやすい環境、例えば電子機器
の多いオフィス等の環境において、液晶装置を静電気か
ら保護するのに適している。
【図１】本発明の液晶装置の構成図である。
【図２】本発明の液晶装置の断面構成図である。
【図３】本発明の液晶セルの平面図である。
【図４】ＩＰＳモードの説明図である。
【図５】本発明の液晶装置における１画素の構成図であ
る。
る。
【図６】ＴＦＴ型液晶装置の駆動波形を示す図である。
【図７】本発明の液晶装置における１画素の等価回路図
である。
である。
【図８】本発明における銀ペーストによって上下基板の
内面の電極を短絡させた液晶セルの平面図と拡大断面図
である。
内面の電極を短絡させた液晶セルの平面図と拡大断面図
である。
【図９】本発明における銀ペーストによって上下基板の
内面の電極を短絡させた液晶セルの断面図である。
内面の電極を短絡させた液晶セルの断面図である。
【図１０】本発明の液晶装置の駆動回路図である。
【図１１】本発明の液晶装置を用いたパーソナルコンピ
ュータの例を示す図である。
ュータの例を示す図である。
【図１２】本発明の液晶装置を用いたペ−ジャの構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】本発明の液晶装置の実装構造例を示す図であ
る。
る。
Claims (22)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び
画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続され
たアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素
電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電
極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加でき
るように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光
膜を形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加してなるこ
とを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び
画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続され
たアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素
電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電
極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加でき
るように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透
明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位
を印加してなることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項３】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び
画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続され
たアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素
電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電
極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加でき
るように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなることを
特徴とする液晶装置。 - 【請求項４】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び
画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続され
たアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素
電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電
極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加でき
るように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を
印加してなることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項５】 前記一定電位が、接地電位、前記共通電
極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中
心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択
電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位の
いずれかであることを特徴とする請求項１記載の液晶装
置。 - 【請求項６】 前記一定電位が、接地電位、前記共通電
極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中
心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択
電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位の
いずれかであることを特徴とする請求項２記載の液晶装
置。 - 【請求項７】 前記一定電位が、接地電位、前記共通電
極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中
心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択
電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位の
いずれかであることを特徴とする請求項３記載の液晶装
置。 - 【請求項８】 前記一定電位が、接地電位、前記共通電
極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の中
心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選択
電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位の
いずれかであることを特徴とする請求項４記載の液晶装
置。 - 【請求項９】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及び
画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続され
たアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画素
電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通電
極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加でき
るように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または
内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜
の電位をフローティング状態とすることを特徴とする液
晶装置。 - 【請求項１０】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とす
ることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１１】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置において、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフロ
ーティング状態とすることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１２】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いた電子機器におい
て、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板上に金属遮光
膜を形成し、該金属遮光膜に一定電位を印加する配線
と、該配線を介して前記一定電位を供給する電源回路と
を有してなることを特徴とする電子機器。 - 【請求項１３】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器に
おいて、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に透
明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜に一定電位
を印加してなるフレームと、該フレームを介して前記一
定電位を供給する電源回路とを有してなることを特徴と
する電子機器。 - 【請求項１４】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器に
おいて、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜に一定電位を印加してなる配線又
はフレームと、該配線又はフレームを介して前記一定電
位を供給する電源回路とを有してなることを特徴とする
電子機器。 - 【請求項１５】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いてなる電子機器に
おいて、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板に一定電位を
印加してなる配線又はフレームと、該配線又はフレーム
を介して前記一定電位を供給する電源回路とを有してな
ることを特徴とする電子機器。 - 【請求項１６】 前記一定電位が、接地電位、前記共通
電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の
中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選
択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位
のいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の電
子機器。 - 【請求項１７】 前記一定電位が、接地電位、前記共通
電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の
中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選
択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位
のいずれかであることを特徴とする請求項１３記載の電
子機器。 - 【請求項１８】 前記一定電位が、接地電位、前記共通
電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の
中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選
択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位
のいずれかであることを特徴とする請求項１４記載の電
子機器。 - 【請求項１９】 前記一定電位が、接地電位、前記共通
電極と同電位、前記画像信号線に供給される画像信号の
中心電位、前記走査信号線に印加される走査信号の非選
択電位、該液晶装置を駆動する駆動手段のロジック電位
のいずれかであることを特徴とする請求項１５記載の電
子機器。 - 【請求項２０】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いた電子機器におい
て、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面または
内面上に透明導電膜が形成されてなり、前記透明導電膜
の電位をフローティング状態とすることを特徴とする電
子機器。 - 【請求項２１】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いた電子機器におい
て、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の画素部の周
辺領域の基板内面上または基板外面上に導電膜が形成さ
れてなり、前記導電膜の電位をフローティング状態とす
ることを特徴とする電子機器。 - 【請求項２２】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方
の該基板上に、マトリクス状に配置された走査信号線及
び画像信号線、該走査信号線及び該画像信号線に接続さ
れたアクティブ素子、該アクティブ素子に接続された画
素電極、共通電極が配置され、前記画素電極と前記共通
電極の間の液晶に実質的に基板面と平行な電界が印加で
きるように構成される液晶装置を用いた電子機器におい
て、 前記一方の基板と対向する他方の前記基板の外面上に導
電性を有する偏光板を配置し、前記偏光板の電位をフロ
ーティング状態とすることを特徴とする電子機器。
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| JP2000192713A JP3598948B2 (ja) | 1996-03-14 | 2000-06-27 | 液晶装置及びそれを用いた電子機器 |
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