JPH10333176A

JPH10333176A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10333176A
Application number: JP13890797A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Shimada; 尚幸島田; Masaya Okamoto; 昌也岡本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-05-28
Filing date: 1997-05-28
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶層の配向乱れによる表示品位の低下を防
ぐ。【解決手段】ラビング処理の進行方向側のソース信号
線５と画素電極１９との重なり幅ｄ２を液晶セルの厚み
ｄ１の２／３以上にする。これにより、隣接する画素電
極１９間に生じる電界に起因する液晶層１０の配向乱れ
の発生箇所を、ソース信号線５の画素電極１９との重な
り部分で隠す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータやＯ
Ａ（ＯｆｆｉｃｅＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器の表示
部などに用いられる液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述した液晶表示装置として、図４に示
す構成のアクティブマトリクス基板を用いたものが知ら
れている。このアクティブマトリクス基板は、薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと略称する）を用いた構成の一例
を示す。

【０００３】このアクティブマトリクス基板は、マトリ
クス状にスイッチング素子であるＴＦＴ２および画素容
量１が形成されている。ゲート信号線３はＴＦＴ２のゲ
ート電極に接続され、そこへ入力される信号によってＴ
ＦＴ２がオンオフ駆動される。ソース信号線５はＴＦＴ
２のソース電極に接続され、ビデオ信号が入力される。
ＴＦＴ２のドレイン電極には画素電極および画素容量１
の一方の端子が接続されている。各画素容量１のもう一
方の端子は画素容量配線４に接続され、液晶表示装置を
構成した場合には対向基板上に設けられた対向電極と接
続される。

【０００４】図５は、このアクティブマトリクス基板の
断面構成を示す。

【０００５】このアクティブマトリクス基板は、透明絶
縁性の基板１１上に、ゲート電極１２を一部に有するゲ
ート信号線、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネ
ル保護層１５、ソース電極およびドレイン電極となるｎ
⁺−Ｓｉ層１６ａ、１６ｂ、ソース信号線および接続電
極となるＩＴＯ膜９ａ、９ｂ、ソース信号線およびドレ
イン電極となる金属層１７ａ、１７ｂ、層間絶縁膜１
８、および透明導電膜からなる画素電極１９が、基板１
１側からこの順に形成されている。画素電極１９は、層
間絶縁膜１８を貫くコンタクトホール７を介してＴＦＴ
のドレイン電極と接続されている。ここでは、ゲート信
号線やソース信号線と画素電極１９との間に層間絶縁膜
１８が形成されているため、各信号線に対して画素電極
１９の周縁部を重畳させることが可能となる。

【０００６】この様な構造は、例えば特開平７−８４２
８４号に開示されており、これによって開口率を向上で
きることや、信号線の電位に起因して起こる電界を画素
電極１９がシールドすることにより液晶の配向不良を抑
制できるといった効果があることが知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の液晶表示装置のように、ソース信号線に対して画
素電極１９を重畳させる構造とした場合、ソース信号線
と画素電極１９との間の容量が増加するため、以下のよ
うな問題があった。すなわち、ソース信号線と画素電極
１９との間の容量が大きいと、画素に保持されている表
示信号が保持期間の間にソース信号線の電位により揺動
を受け、その画素の液晶層に印加される実効値が変動す
る。その結果、実際の表示において縦クロストークが観
察されるという問題があった。

【０００８】このようにソース信号線と画素電極との間
の容量が表示に与える影響を減らす方法の１つとして、
ソース信号線毎に対応する画素に印加される表示信号の
極性を反転させるという駆動方法が、例えば特開平６−
２３０４２２号において提案されている。この方法は、
隣接する画素の表示に相関が高い、白黒表示の液晶表示
装置においては有効な方法である。また、現在、ノート
型パーソナルコンピュータ等の対角２５ｃｍ程度の直視
型カラーディスプレイにおいて一般的に用いられている
ような、縦ストライプに画素を配列した液晶表示装置に
おいては、ソース信号線を挟んで隣接する画素の表示色
が異なるため、上記白黒表示の液晶表示装置に比べて効
果が低いが、それでも従来の１／２程度にソース信号線
と画素電極との間の容量が表示に与える影響を減らすこ
とができる。

【０００９】しかし、この駆動方法では、横方向に隣接
する画素毎に液晶層に印加される表示信号の極性が反転
するため、液晶層に横方向の電界が発生し、この横方向
の電界によって液晶層に配向乱れが発生するという問題
があった。

【００１０】この状態について、図６を参照しながら説
明する。ラビング処理により配向処理を行った場合、液
晶層１０とアクティブマトリクス基板（図６の下側の基
板）との界面近傍において、液晶分子ＬＣはラビング方
向に向かって数度程度の角度を保ってアクティブマトリ
クス基板に対して配向する。この角度はプレティルトと
称される。ここで、ソース信号線５を挟んで隣接する各
画素電極１９毎に液晶層に印加される表示信号の極性が
逆である場合、その境界において横方向の電界が発生す
る。この横方向の電界は、隣接する画素の一方（この図
では右側の画素）において上記プレティルトと逆方向に
なり、その結果、液晶層１０に配向乱れが発生する。な
お、この図６および以下の図において、２１は対向基板
を構成する基板、２２は対向電極を示す。

【００１１】このような配向乱れはコントラストの低下
につながり、表示品位を低下させるので、見えないよう
にする必要がある。特に、大型ディスプレイにおいて、
複数回の露光で複数の小さな領域を形成し、その小さな
領域を継ぎ合わせて大きな画面を形成した場合、このよ
うな配向乱れが生じると、著しく表示品位が損なわれ
る。これは、黒表示において微妙な配向乱れが見える
と、継ぎ合わせ部分の不連続性が線状に見えるからであ
る。

【００１２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、液晶層の配向乱れによる
表示品位の低下を防ぐことができる液晶表示装置を提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶層を間に挟んで対向配置された一対の基板のう
ちの一方の基板に、各ソース信号線および各ゲート信号
線を交差して形成し、これらの交差部位に各スイッチン
グ素子を設け、各ソース信号線および各ゲート信号線に
よって区画される領域に各画素電極を設け、各スイッチ
ング素子によって各画素電極を駆動しており、ソース信
号線を挟んで隣接する各画素電極に、互いに極性が反転
した表示信号が入力されるようになっている液晶表示装
置において、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本
のソース信号線に一部を重畳して形成され、両ソース信
号線のうちの少なくとも一方のソース信号線と該画素電
極との重なり幅が該一対の基板で構成される液晶セルの
厚みの２／３以上になっており、そのことにより上記目
的が達成される。

【００１４】本発明の液晶表示装置は、液晶層を間に挟
んで対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
各ソース信号線および各ゲート信号線を交差して形成
し、これらの交差部位に各スイッチング素子を設け、各
ソース信号線および各ゲート信号線によって区画される
領域に各画素電極を設け、各スイッチング素子によって
各画素電極を駆動しており、ソース信号線を挟んで隣接
する各画素電極に、互いに極性が反転した表示信号が入
力されるようになっている液晶表示装置において、各画
素電極が該各画素電極に隣接する２本のソース信号線に
一部を重畳して形成され、両ソース信号線のうちの少な
くとも一方のソース信号線と該画素電極との重なり幅が
３．３μｍ以上になっており、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１５】前記画素電極は、前記ソース信号線に沿っ
た方向の長さを前記ゲート信号線に沿った方向の長さに
比べて長くした形状になっていてもよい。

【００１６】前記アクティブマトリクス基板が前記液晶
層中の液晶分子を配向させるためにラビング処理されて
おり、前記２本のソース信号線のうち、該ラビング処理
の進行方向側にあるソース信号線と前記画素電極との重
なり幅が、他方のソース信号線と該画素電極との重なり
幅に比べて大きくなっていてもよい。

【００１７】前記アクティブマトリクス基板における各
画素電極が形成されている表示領域は、複数の小領域を
継ぎ合わせて形成され、これらの小領域がそれぞれの露
光によりパターニングされていてもよい。

【００１８】本発明の液晶表示装置は、液晶層を間に挟
んで対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
各ソース信号線および各ゲート信号線を交差して形成
し、これらの交差部位に各スイッチング素子を設け、各
ソース信号線および各ゲート信号線によって区画される
領域に各画素電極を設け、各スイッチング素子によって
各画素電極を駆動しており、ゲート信号線を挟んで隣接
する各画素電極に、互いに極性が反転した表示信号が入
力されるようになっている液晶表示装置において、各画
素電極が該各画素電極に隣接する２本のゲート信号線に
一部を重畳して形成され、両ゲート信号線のうちの少な
くとも一方のゲート信号線と該画素電極との重なり幅が
該一対の基板で構成される液晶セルの厚みの２／３以上
になっており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１９】本発明の液晶表示装置は、液晶層を間に挟
んで対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
各ソース信号線および各ゲート信号線を交差して形成
し、これらの交差部位に各スイッチング素子を設け、各
ソース信号線および各ゲート信号線によって区画される
領域に各画素電極を設け、各スイッチング素子によって
各画素電極を駆動しており、ゲート信号線を挟んで隣接
する各画素電極に、互いに極性が反転した表示信号が入
力されるようになっていると共に、ソース信号線を挟ん
で隣接する各画素電極に、互いに極性が反転した表示信
号が入力されるようになっている液晶表示装置におい
て、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本のゲート
信号線に一部を重畳して形成され、両ゲート信号線のう
ちの少なくとも一方のゲート信号線と該画素電極との重
なり幅が該一対の基板で構成される液晶セルの厚みの２
／３以上になっていると共に、各画素電極が該画素電極
に隣接する２本のソース信号線に一部を重畳して形成さ
れ、両ソース信号線のうちの少なくとも一方のソース信
号線と該画素電極との重なり幅が液晶セルの厚みの２／
３以上になっており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。

【００２０】以下、本発明の作用について説明する。

【００２１】本発明にあっては、ソース信号線を挟んで
隣接する各画素電極に、互いに極性が反転した表示信号
が入力される液晶表示装置に対して、各画素電極とその
画素電極に隣接する２本のソース信号線のうちの少なく
とも一方のソース信号線との重なり幅を、液晶セルの厚
みの２／３以上にする。ソース信号線を挟んで隣接する
画素電極間に横方向の電界が生じ、これに起因して液晶
層に配向乱れが発生しても、その発生部分は液晶層の厚
みであるセル厚の２／３程度の領域である。よって、ソ
ース信号線と画素電極との重なり幅を液晶セルの厚みの
２／３以上にすることにより、配向乱れがソース信号線
の画素電極との重なり部分に隠れて見えなくなる。例え
ば、液晶セルの厚みが５μｍの場合には、画素電極とソ
ース信号線との重なり幅を３．３μｍ以上にする。

【００２２】直視型のカラー液晶表示装置においては、
一般に、画素電極はソース信号線に沿った方向の長さが
ゲート信号線に沿った方向の長さに比べて長い形状にな
っている。その場合、ソース信号線に沿った方向に生じ
る液晶層の配向乱れの影響がより大きくなるので、請求
項１または２に記載の本発明の構成がより有効である。

【００２３】１つの画素電極に重畳される２本のソース
信号線のうち、ラビング処理の進行方向と反対側のソー
ス信号線側では、隣接する画素電極間に生じる横方向の
電界とプレティルトとが同じ方向であり、その部分では
液晶層に配向乱れが生じない。よって、そのソース信号
線と画素電極との重なり幅は小さくしても問題が生じ
ず、また、その重なり幅は小さい方がソース信号線と画
素電極との間の容量が小さくなる。

【００２４】また、複数回の露光で複数の小領域を形成
し、その小領域を継ぎ合わせて表示領域を形成した大画
面の液晶表示装置の場合、液晶層に配向乱れが発生する
と、黒表示において継ぎ合わせの境界が見えて表示品位
が著しく損なわれるので、本発明の構成がより有効であ
る。

【００２５】他の本発明にあっては、ゲート信号線を挟
んで隣接する各画素電極に、互いに極性が反転した表示
信号が入力される液晶表示装置に対して、各画素電極と
その画素電極に隣接する２本のゲート信号線のうちの少
なくとも一方のゲート信号線との重なり幅を、液晶セル
の厚みの２／３以上にする。ゲート信号線を挟んで隣接
する画素電極間に電界が生じ、これに起因して液晶層に
配向乱れが発生しても、その発生部分は液晶セルの厚み
の２／３程度の領域である。よって、ゲート信号線と画
素電極との重なり幅を液晶セルの厚みの２／３以上にす
ることにより、配向乱れがゲート信号線の画素電極との
重なり部分に隠れて見えなくなる。

【００２６】他の本発明にあっては、ゲート信号線を挟
んで隣接する各画素電極に、互いに極性が反転した表示
信号が入力されるようになっていると共に、ソース信号
線を挟んで隣接する各画素電極に、互いに極性が反転し
た表示信号が入力されるようになっている液晶表示装置
に対して、各画素電極とその画素電極に隣接する２本の
ゲート信号線のうちの少なくとも一方のゲート信号線と
の重なり幅を、液晶層の厚みの２／３以上にすると共
に、各画素電極と隣接する２本のソース信号線のうちの
少なくとも一方のソース信号線との重なり幅を、液晶層
の厚みの２／３以上にする。ゲート信号線やソース信号
線を挟んで隣接する画素電極間に電界が生じ、これに起
因して液晶層に配向乱れが発生しても、その発生部分は
液晶層の厚みであるセル厚の２／３程度の領域である。
よって、ゲート信号線やソース信号線と画素電極との重
なり幅を液晶層の厚みの２／３以上にすることにより、
配向乱れがゲート信号線やソース信号線の画素電極との
重なり部分に隠れて見えなくなる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお、以下の図にお
いて、従来技術と同じ機能を有する部分については同じ
番号を付して示している。

【００２８】図１は本発明の一実施形態である液晶表示
装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の平
面構成を示し、図２に図１のＡ−Ａ′線における断面構
成、つまりＴＦＴ２部分の断面構成を示し、図３に図１
のＢ−Ｂ’線における断面構成、つまり画素電極１９が
ソース信号線５に対して重畳されている部分の断面構成
を示す。なお、図３においては、アクティブマトリクス
基板と液晶層１０を挟んで対向配置される対向基板も示
している。

【００２９】この液晶表示装置において、アクティブマ
トリクス基板は、透明絶縁性の基板１１上に、ゲート電
極１２を一部に有するゲート信号線３、ゲート絶縁膜１
３、半導体層１４、チャネル保護層１５、ソース電極お
よびドレイン電極となるｎ⁺−Ｓｉ層１６ａ、１６ｂ、
ソース信号線５および接続電極電極となるＩＴＯ膜９
ａ、９ｂ、ソース信号線５およびドレイン電極となる金
属層１７ａ、１７ｂ、層間絶縁膜１８、および透明導電
膜からなる画素電極１９が、基板１１側からこの順に形
成されている。画素電極１９は、層間絶縁膜１８を貫く
コンタクトホール７を介して接続電極９ｂに接続され、
この接続電極９ｂがＴＦＴ２のドレイン電極と接続され
ている。各画素電極１９の周縁部は、層間絶縁膜１８を
介してゲート信号線３およびソース信号線５と重畳して
いる。各画素電極１９は、ラビング処理の進行方向側
（図３では右側）のソース信号線５との重なり幅ｄ２
が、液晶層の厚みである液晶セルの厚みｄ１の２／３以
上にされている。また、画素容量信号線４、ゲート絶縁
膜１３および接続電極９ｂの重畳部が画素容量１となっ
ている。このアクティブマトリクス基板と液晶層１０を
間に挟んで対向配置される基板２１上には対向電極２２
が形成されている。

【００３０】この液晶表示装置は、例えば以下のように
して作製することができる。

【００３１】まず、アクティブマトリクス基板の作製工
程を述べる。透明絶縁性の基板１１上に、ゲート電極１
２およびゲート信号線３、画素容量信号線４、ゲート絶
縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層１５、ソース
電極およびドレイン電極となるｎ⁺−Ｓｉ層１６ａ、１
６ｂを順に形成した。

【００３２】次に、ソース信号線５および接続電極を構
成する透明導電膜であるＩＴＯ膜９ａ、９ｂと、金属層
１７ａ、１７ｂとを順にスパッタ法によって形成し、パ
ターニングした。本実施形態においては、ソース信号線
５を構成する層を、金属層１７ａと透明導電膜であるＩ
ＴＯ膜９ａとの２層構造とした。この構成の場合には、
仮にソース信号線を構成する金属層１７ａの一部に膜の
欠損があったとしても、ＩＴＯ膜９ａによって電気的に
接続されるため、ソース信号線５の断線を少なくするこ
とが出来るという利点がある。

【００３３】続いて、層間絶縁膜１８を形成し、層間絶
縁膜１８を貫通するコンタクトホール７を形成した。本
実施形態においては、層間絶縁膜として感光性のアクリ
ル樹脂をスピン塗布法により３μｍの膜厚で形成した。

【００３４】次に、画素電極となる透明導電膜を、たと
えばスパッタ法によって形成してパターニングし、画素
電極１９を得た。この画素電極１９は、層間絶縁膜１８
を貫くコンタクトホール７を介して、ＴＦＴ２のドレイ
ン電極、つまりｎ⁺−Ｓｉ層１６ｂと接続されている下
層のＩＴＯ膜９ｂと接続される。なお、以上のアクティ
ブマトリクス基板の作製工程において、各層のパターニ
ングは、露光装置を用いてフォトレジストをパターニン
グすることにより行った。特に対角２５ｃｍ程度の大型
ディスプレイにおいては、ステッパー方式と称される方
法を用いた。この方法は、複数の小さな領域を複数回の
露光で形成し、その小さな領域を継ぎ合わせて大きな画
面を形成する方法である。

【００３５】その後、以上のようにして作製されたアク
ティブマトリクス基板と、透明絶縁性の基板２１上にカ
ラーフィルタの色層（図示せず）および透明導電膜から
なる対向電極２２を形成した対向基板とに、ポリイミド
からなる配向膜（図示せず）を０．０５μｍ程度の膜厚
で形成し、その表面をラビングすることにより配向処理
を行った。本実施形態では、液晶層１０がＴＮ（ツイス
ティッドネマティック）モードとなるように配向処理の
方向を設定した。

【００３６】最後に、両基板を配向膜を内側に向けて貼
り合わせ、両基板の間隙に液晶を注入して液晶層１０と
した。

【００３７】このようにして得られる本実施形態の液晶
表示装置において、ソース信号線５付近は図３に示すよ
うな構造になっている。この図３ではソース信号線５に
対して垂直な方向の断面を示しているが、液晶表示装置
の視野角の観点からは実際のラビング方向をソース信号
線５に対して４５゜の角度にするのが一般的であり、図
３のラビング方向はこの断面に対してラビング方向を投
影したものを示している。ここで、液晶セルの厚みｄ１
は液晶層内に散布されるスペーサーの大きさによって決
まり、本実施形態では、液晶セルの厚みｄ１を５μｍに
設定した。また、ラビング処理の進行方向側（図３の左
側）のソース信号線５と画素電極１９との重なり幅ｄ２
は液晶セルの厚みｄ１の２／３（略３．３μｍ）以上で
あり、本実施形態では３．５μｍとした。

【００３８】本実施形態の液晶表示装置は、ソース信号
線５を挟んで隣接する画素電極１９に入力される表示信
号の極性を反転させた駆動方法を用いて駆動する。この
駆動方法では、ゲート信号線３毎に信号を書き込むとき
に、ソース信号線５を挟んで隣接する各画素電極１９の
電荷が相殺されるので、対向電極２２または画素容量配
線４の信号遅延が小さくなり、画素への充電のマージン
が大きくなるという利点を有する。また、このように隣
接する各画素の電荷が相殺されることには、横方向への
クロストークが小さくなり、特に大型化・高精細化され
た液晶表示装置の場合には表示品位を改善できるという
効果がある。但し、この駆動方法を用いた場合、隣接す
る画素間に生じる横方向の電界による液晶層１０の配向
乱れが避けられない。しかし、本実施形態の液晶表示装
置によれば、ソース信号線５と画素電極１９との重なり
幅ｄ２を液晶セルの厚みｄ１の２／３以上である３．３
μｍ以上の３．５μｍとしてあるので、この配向乱れを
ソース信号線５により隠して、実際の表示に対する影響
が殆ど生じないようにすることができた。特に、本実施
形態においては、ステッパー方式でパターニングを行っ
たが、その場合でも黒表示において継ぎ目が目立つこと
なく良好な表示品位が得られた。

【００３９】なお、上記液晶層１０の配向乱れには、電
界の横方向成分と縦方向成分とのバランスおよび液晶の
配向力とが関係しており、液晶セルの厚みが大きくなる
と配向乱れがひどくなるため、液晶セルの厚みに応じて
ソース信号線５と画素電極１９との重なり幅ｄ２を大き
くして隠す領域を大きくする必要がある。

【００４０】また、ラビング処理の進行方向と反対側
（図３の右側）のソース信号線５側では、図６に示した
ように、プレティルトと横方向の電界による配向の方向
が同じであるため、液晶層１０に配向乱れが生じない。
よって、ラビング処理の進行方向と反対側のソース信号
線５と画素電極１９との重なり幅はｄ２よりも小さくし
てもよく、また、重なり幅が小さい方がそのソース信号
線５と画素電極との間の容量を小さくすることができる
ため、縦方向に発生するクロストークを小さくできると
いう利点を有する。

【００４１】本実施形態においては、ソース信号線を挟
んで隣接する各画素電極に入力される表示信号の極性を
反転させる駆動方法を用いた例について説明したが、ゲ
ート信号線を挟んで隣接する各画素電極に入力される表
示信号の極性を反転させる駆動方法を用いた液晶表示装
置に対しても本発明は適用可能である。その場合には、
画素電極とその画素電極に隣接するゲート信号線との重
なり幅を液晶セルの厚みの２／３以上または３．３μｍ
以上にすることにより同様の効果が得られる。また、ソ
ース信号線を挟んで隣接する各画素電極に入力される表
示信号の極性を反転させると共にゲート信号線を挟んで
隣接する各画素電極に入力される表示信号の極性を反転
させる駆動方法を用いた液晶表示装置に対しては、ソー
ス信号線と画素電極との重なり幅およびゲート信号線と
画素電極との重なり幅の両方を液晶セルの厚みの２／３
以上または３．３μｍ以上にする。いずれの場合にも、
ラビング処理の進行方向と反対側のゲート信号線側およ
びソース信号線側では、隣接する画素電極間に生じる電
界とプレティルトとの方向が同じであるため、それより
も重なり幅を小さくしてもよい。

【００４２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
は、隣接する画素電極間に生じる電界により液晶層に配
向乱れが発生しても、その発生部分をソース信号線やゲ
ート信号線の画素電極との重なり部分により隠すことが
できるので、良好な表示品位を実現することができる。

【００４３】画素電極の形状が、ソース信号線に沿った
方向の長さがゲート信号線に沿った方向の長さに比べて
長い場合には、配向乱れが表示品位に及ぼす影響が特に
大きいので、一層効果的である。

【００４４】また、ラビング処理の進行方向と反対側で
は配向乱れが生じないので、ラビング処理の進行方向と
反対側のソース信号線と画素電極との重なり幅は、進行
方向のソース信号線と画素電極との重なり幅に比べて小
さくしてもよい。

【００４５】複数回の露光によりパターニングした複数
の小領域を継ぎ合わせて表示領域を形成した大画面の液
晶表示装置の場合、配向乱れが表示品位に及ぼす影響が
特に大きいので、一層効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である液晶表示装置におけ
るアクティブマトリクス基板の１画素分の平面構成を示
す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ′線における断面構成を示す断面
図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ′線における断面構成を示す断面
図である。

【図４】アクティブマトリクス基板の構成を示す等価回
路図である。

【図５】従来のアクティブマトリクス基板の断面構成を
示す断面図である。

【図６】従来のアクティブマトリクス基板の断面構成を
示す断面図である。

【符号の説明】

１画素容量２ＴＦＴ３ゲート信号線４画素容量配線５ソース信号線７コンタクトホール９ａソース信号線（ＩＴＯ膜）９ｂ接続電極（ＩＴＯ膜）１０液晶層１１、２１基板１２ゲート電極１３ゲート絶縁膜１４半導体層１５チャネル保護層１６ａソース電極（ｎ⁺−Ｓｉ層）１６ｂドレイン電極（ｎ⁺−Ｓｉ層）１７ａソース信号線（金属層）１７ｂドレイン電極（金属層）１８層間絶縁膜１９画素電極２２対向電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、各ソース信号線および各
ゲート信号線を交差して形成し、これらの交差部位に各
スイッチング素子を設け、各ソース信号線および各ゲー
ト信号線によって区画される領域に各画素電極を設け、
各スイッチング素子によって各画素電極を駆動してお
り、ソース信号線を挟んで隣接する各画素電極に、互い
に極性が反転した表示信号が入力されるようになってい
る液晶表示装置において、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本のソース信号
線に一部を重畳して形成され、両ソース信号線のうちの
少なくとも一方のソース信号線と該画素電極との重なり
幅が該一対の基板で構成される液晶セルの厚みの２／３
以上になっている液晶表示装置。
【請求項２】液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、各ソース信号線および各
ゲート信号線を交差して形成し、これらの交差部位に各
スイッチング素子を設け、各ソース信号線および各ゲー
ト信号線によって区画される領域に各画素電極を設け、
各スイッチング素子によって各画素電極を駆動してお
り、ソース信号線を挟んで隣接する各画素電極に、互い
に極性が反転した表示信号が入力されるようになってい
る液晶表示装置において、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本のソース信号
線に一部を重畳して形成され、両ソース信号線のうちの
少なくとも一方のソース信号線と該画素電極との重なり
幅が３．３μｍ以上になっている液晶表示装置。
【請求項３】前記画素電極は、前記ソース信号線に沿
った方向の長さを前記ゲート信号線に沿った方向の長さ
に比べて長くした形状になっている請求項１または２に
記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記アクティブマトリクス基板が前記液
晶層中の液晶分子を配向させるためにラビング処理され
ており、前記２本のソース信号線のうち、該ラビング処
理の進行方向側にあるソース信号線と前記画素電極との
重なり幅が、他方のソース信号線と該画素電極との重な
り幅に比べて大きくなっている請求項１乃至３のいずれ
か１つに記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記アクティブマトリクス基板における
各画素電極が形成されている表示領域は、複数の小領域
を継ぎ合わせて形成され、これらの小領域がそれぞれの
露光によりパターニングされる請求項１乃至４のいずれ
か１つに記載の液晶表示装置。
【請求項６】液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、各ソース信号線および各
ゲート信号線を交差して形成し、これらの交差部位に各
スイッチング素子を設け、各ソース信号線および各ゲー
ト信号線によって区画される領域に各画素電極を設け、
各スイッチング素子によって各画素電極を駆動してお
り、ゲート信号線を挟んで隣接する各画素電極に、互い
に極性が反転した表示信号が入力されるようになってい
る液晶表示装置において、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本のゲート信号
線に一部を重畳して形成され、両ゲート信号線のうちの
少なくとも一方のゲート信号線と該画素電極との重なり
幅が該一対の基板で構成される液晶セルの厚みの２／３
以上になっている液晶表示装置。
【請求項７】液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、各ソース信号線および各
ゲート信号線を交差して形成し、これらの交差部位に各
スイッチング素子を設け、各ソース信号線および各ゲー
ト信号線によって区画される領域に各画素電極を設け、
各スイッチング素子によって各画素電極を駆動してお
り、ゲート信号線を挟んで隣接する各画素電極に、互い
に極性が反転した表示信号が入力されるようになってい
ると共に、ソース信号線を挟んで隣接する各画素電極
に、互いに極性が反転した表示信号が入力されるように
なっている液晶表示装置において、各画素電極が該各画素電極に隣接する２本のゲート信号
線に一部を重畳して形成され、両ゲート信号線のうちの
少なくとも一方のゲート信号線と該画素電極との重なり
幅が該一対の基板で構成される液晶セルの厚みの２／３
以上になっていると共に、各画素電極が該画素電極に隣
接する２本のソース信号線に一部を重畳して形成され、
両ソース信号線のうちの少なくとも一方のソース信号線
と該画素電極との重なり幅が液晶セルの厚みの２／３以
上になっている液晶表示装置。