JPH10206867A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10206867A JPH10206867A JP9010691A JP1069197A JPH10206867A JP H10206867 A JPH10206867 A JP H10206867A JP 9010691 A JP9010691 A JP 9010691A JP 1069197 A JP1069197 A JP 1069197A JP H10206867 A JPH10206867 A JP H10206867A
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- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、横電界によって液晶を駆動する構
成における高視野角特性を有したままで開口率を高くす
ることができる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明は、一対の基板４０、４１間に液
晶層４２が配設され、前記一方の基板の対向面上に一つ
以上の画素電極５４と前記画素電極と協働して液晶に前
記基板面に沿った方向に電界を印加するコモン電極５３
とが複数の画素領域５９を形成するように設けられると
ともに、前記他方の基板の対向面上に前記各画素領域の
表示領域に対応する開口７０を有し前記画素領域以外の
非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクス７１が設
けられ、前記ブラックマトリクスがコモン電極と略同電
位とされてなることを特徴とする。また、ブラックマス
クの他に導電膜８１を設けてこれをコモン電極と略同電
位とすることもできる。
成における高視野角特性を有したままで開口率を高くす
ることができる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明は、一対の基板４０、４１間に液
晶層４２が配設され、前記一方の基板の対向面上に一つ
以上の画素電極５４と前記画素電極と協働して液晶に前
記基板面に沿った方向に電界を印加するコモン電極５３
とが複数の画素領域５９を形成するように設けられると
ともに、前記他方の基板の対向面上に前記各画素領域の
表示領域に対応する開口７０を有し前記画素領域以外の
非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクス７１が設
けられ、前記ブラックマトリクスがコモン電極と略同電
位とされてなることを特徴とする。また、ブラックマス
クの他に導電膜８１を設けてこれをコモン電極と略同電
位とすることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板面に沿った方
向に電界を印加して液晶の配向制御を行う液晶表示装置
に関するもので、視野角を広くできる上に開口率を高く
することができる構造に関する。
向に電界を印加して液晶の配向制御を行う液晶表示装置
に関するもので、視野角を広くできる上に開口率を高く
することができる構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＮモードの液晶表示素子にあっ
ては、左右方向からの視認性は比較的良好であるもの
の、上下方向からの視認性が悪いため、視野角依存性が
高いという問題を有していた。そこで本出願人は先に、
このような問題点を解決できる構造の液晶表示素子を特
願平７−１５７９号、特願平７―３０６２７６号明細書
等において特許出願している。これらの特許出願に係る
技術によれば、液晶層を挟む上下両側の基板にそれぞれ
液晶駆動用の電極を設けるのではなく、図１０に示すよ
うに下方の基板１１のみに異なる極の２種の線状電極１
２…、１３…を互いに離間させて設け、図１０に示す上
方の基板１０に電極を設けない構成とし、電圧の印加に
より両線状電極１２、１３間に発生した横電界の方向
（基板面方向）に沿って液晶分子３６…を配向させるこ
とができるようになっている。
ては、左右方向からの視認性は比較的良好であるもの
の、上下方向からの視認性が悪いため、視野角依存性が
高いという問題を有していた。そこで本出願人は先に、
このような問題点を解決できる構造の液晶表示素子を特
願平７−１５７９号、特願平７―３０６２７６号明細書
等において特許出願している。これらの特許出願に係る
技術によれば、液晶層を挟む上下両側の基板にそれぞれ
液晶駆動用の電極を設けるのではなく、図１０に示すよ
うに下方の基板１１のみに異なる極の２種の線状電極１
２…、１３…を互いに離間させて設け、図１０に示す上
方の基板１０に電極を設けない構成とし、電圧の印加に
より両線状電極１２、１３間に発生した横電界の方向
（基板面方向）に沿って液晶分子３６…を配向させるこ
とができるようになっている。
【０００３】更に詳しくは、図９に示すように線状電極
１２…どうしを基線部１４で接続して櫛刃状の電極１６
を構成し、線状電極１３…どうしを基線部１５で接続し
て櫛刃状の電極１７を構成し、両櫛刃状電極１６、１７
の線状電極１２、１３を交互に隣接させて接触しないよ
うに噛み合わせ状態に配置し、基線部１４、１５に電源
１８とスイッチング素子１９を接続して構成される。ま
た、図１１（ａ）に示すように上の基板１０の液晶側の
面に配向膜を形成してそれにはβ方向に液晶分子３６を
並ばせるように配向処理を施し、下の基板１１の液晶側
の面に配向膜を形成してそれには上記β方向と平行なγ
方向に液晶分子３６を並ばせるように配向処理を施し、
基板１０には図１１（ａ）のβ方向に偏光方向を有する
偏光板を、基板１１にはα方向に偏光方向を有する偏光
板をそれぞれ積層して構成されている。
１２…どうしを基線部１４で接続して櫛刃状の電極１６
を構成し、線状電極１３…どうしを基線部１５で接続し
て櫛刃状の電極１７を構成し、両櫛刃状電極１６、１７
の線状電極１２、１３を交互に隣接させて接触しないよ
うに噛み合わせ状態に配置し、基線部１４、１５に電源
１８とスイッチング素子１９を接続して構成される。ま
た、図１１（ａ）に示すように上の基板１０の液晶側の
面に配向膜を形成してそれにはβ方向に液晶分子３６を
並ばせるように配向処理を施し、下の基板１１の液晶側
の面に配向膜を形成してそれには上記β方向と平行なγ
方向に液晶分子３６を並ばせるように配向処理を施し、
基板１０には図１１（ａ）のβ方向に偏光方向を有する
偏光板を、基板１１にはα方向に偏光方向を有する偏光
板をそれぞれ積層して構成されている。
【０００４】以上のような構成によれば、線状電極１
２、１３間に電圧が印加されていない状態で液晶分子３
６…は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように配向膜の配
向方向に沿って一律に同方向にホモジニアス配向する。
そして、この状態で下の基板１１を通過した光線は、偏
光板によりα方向に偏光されており、液晶分子３６の層
をそのまま透過し、上の基板１０の異なる偏光方向βの
偏光板に到達するので、その偏光板で遮断され、光線は
液晶表示素子を透過することがないので、液晶表示素子
は暗状態となる。
２、１３間に電圧が印加されていない状態で液晶分子３
６…は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように配向膜の配
向方向に沿って一律に同方向にホモジニアス配向する。
そして、この状態で下の基板１１を通過した光線は、偏
光板によりα方向に偏光されており、液晶分子３６の層
をそのまま透過し、上の基板１０の異なる偏光方向βの
偏光板に到達するので、その偏光板で遮断され、光線は
液晶表示素子を透過することがないので、液晶表示素子
は暗状態となる。
【０００５】次に、線状電極１２、１３間に電圧を印加
すると、液晶分子のうち、下の基板１１に接近した液晶
分子３６ほどその配向方向が線状電極１２の長手方向に
対して垂直に変換される。即ち、線状電極１２、１３が
発生させる横電界（基板面方向の電界）により線状電極
１２、１３の長手方向に対し垂直な方向の電気力線が発
生し、下の基板１１に形成されていた配向膜によってγ
方向に長手方向を向けて配向していた液晶分子３６が、
配向膜の規制力よりも強い電界の規制力によってγ方向
とは垂直なα方向に図１２（ａ）に示すように配向方向
が変換される。よって、線状電極１２、１３間に電圧が
印加されると、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように液晶
分子３６・・・のツイスト配向がなされる。この状態であ
ると、下の基板１１を透過し、α方向に偏光した偏光光
線は、ツイストした液晶３６…によってその偏光方向が
変換され、α方向とは異なるβ方向の偏光板の設けられ
た上の基板１０を透過できるようになり、液晶表示素子
は明状態となる。
すると、液晶分子のうち、下の基板１１に接近した液晶
分子３６ほどその配向方向が線状電極１２の長手方向に
対して垂直に変換される。即ち、線状電極１２、１３が
発生させる横電界（基板面方向の電界）により線状電極
１２、１３の長手方向に対し垂直な方向の電気力線が発
生し、下の基板１１に形成されていた配向膜によってγ
方向に長手方向を向けて配向していた液晶分子３６が、
配向膜の規制力よりも強い電界の規制力によってγ方向
とは垂直なα方向に図１２（ａ）に示すように配向方向
が変換される。よって、線状電極１２、１３間に電圧が
印加されると、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように液晶
分子３６・・・のツイスト配向がなされる。この状態であ
ると、下の基板１１を透過し、α方向に偏光した偏光光
線は、ツイストした液晶３６…によってその偏光方向が
変換され、α方向とは異なるβ方向の偏光板の設けられ
た上の基板１０を透過できるようになり、液晶表示素子
は明状態となる。
【０００６】ところで、上記構造の線状電極１２、１３
を備えた液晶表示装置の構造を実際のアクティブマトリ
ックス液晶駆動回路に適用した場合の構造を図１３と図
１４に示す。図１３と図１４に示す構造は１つの画素領
域に対応する部分のみを拡大して示すもので、この例の
構造において、ガラス基板等の透明基板２０上に導電層
からなるゲート電極２１と線状のコモン電極２２、２２
が離間して平行に形成され、これらを覆ってゲート絶縁
層２４が形成され、ゲート電極２１上のゲート絶縁層２
４上に半導体膜２６をその一側と他側の両側から挟んで
ソース電極２７とドレイン電極２８を設けて薄膜トラン
ジスタＴが構成され、上記コモン電極２２、２２の中間
の上方のゲート絶縁膜２４上に導電層からなる線状の画
素電極２９が設けられている。
を備えた液晶表示装置の構造を実際のアクティブマトリ
ックス液晶駆動回路に適用した場合の構造を図１３と図
１４に示す。図１３と図１４に示す構造は１つの画素領
域に対応する部分のみを拡大して示すもので、この例の
構造において、ガラス基板等の透明基板２０上に導電層
からなるゲート電極２１と線状のコモン電極２２、２２
が離間して平行に形成され、これらを覆ってゲート絶縁
層２４が形成され、ゲート電極２１上のゲート絶縁層２
４上に半導体膜２６をその一側と他側の両側から挟んで
ソース電極２７とドレイン電極２８を設けて薄膜トラン
ジスタＴが構成され、上記コモン電極２２、２２の中間
の上方のゲート絶縁膜２４上に導電層からなる線状の画
素電極２９が設けられている。
【０００７】また、図１３は各電極の平面構造を示す
が、マトリックス状に組まれたゲート配線３０・・・と信
号配線３１・・・が透明基板２０上に形成されていて、ゲ
ート配線３０・・・と信号配線３１・・・とに囲まれた矩形状
の各領域が画素領域とされ、画素領域の隅部にゲート配
線３０の一部からなるゲート電極２１が形成され、ゲー
ト電極２１上のドレイン電極２８に容量電極部３３を介
して信号配線３１と平行に画素電極２９が接続され、こ
の画素電極２９の両側を挟むように画素電極２９と平行
に画素電極２２、２２が平行配置されている。
が、マトリックス状に組まれたゲート配線３０・・・と信
号配線３１・・・が透明基板２０上に形成されていて、ゲ
ート配線３０・・・と信号配線３１・・・とに囲まれた矩形状
の各領域が画素領域とされ、画素領域の隅部にゲート配
線３０の一部からなるゲート電極２１が形成され、ゲー
ト電極２１上のドレイン電極２８に容量電極部３３を介
して信号配線３１と平行に画素電極２９が接続され、こ
の画素電極２９の両側を挟むように画素電極２９と平行
に画素電極２２、２２が平行配置されている。
【０００８】上記コモン電極２２、２２はゲート配線３
０に近い側の端部においてゲート配線３０に平行に画素
領域内に設けられた接続配線３４により接続され、他側
の端部においてゲート配線３０と平行に設けられた共通
電極３５により接続されている。上記共通電極３５は、
多数の画素領域に渡ってゲート配線３０と平行に設けら
れたもので、各画素領域毎に設けられているコモン電極
２２、２２に共通の電位を与えるためのものである。更
に、基板２０に対向する側の基板３７にはブラックマト
リクス３８が形成され、ブラックマトリクス３８の各画
素領域に対応した部分には開口３８ａが形成されてい
て、基板３７上には各開口３８ａを占めるようにカラー
フィルタ３９が設けられている。
０に近い側の端部においてゲート配線３０に平行に画素
領域内に設けられた接続配線３４により接続され、他側
の端部においてゲート配線３０と平行に設けられた共通
電極３５により接続されている。上記共通電極３５は、
多数の画素領域に渡ってゲート配線３０と平行に設けら
れたもので、各画素領域毎に設けられているコモン電極
２２、２２に共通の電位を与えるためのものである。更
に、基板２０に対向する側の基板３７にはブラックマト
リクス３８が形成され、ブラックマトリクス３８の各画
素領域に対応した部分には開口３８ａが形成されてい
て、基板３７上には各開口３８ａを占めるようにカラー
フィルタ３９が設けられている。
【０００９】上記図１３と図１４に示す例の構造におい
ては、図１４の矢印ａに示す方向に電気力線を形成する
ように横電界を作用させることができるので、この横電
界に従って液晶分子３６を図１４に示すように配向でき
る。従って図１１と図１２を基に先に説明した場合と同
様に液晶を配向制御することで明状態と暗状態の切り替
えができる。
ては、図１４の矢印ａに示す方向に電気力線を形成する
ように横電界を作用させることができるので、この横電
界に従って液晶分子３６を図１４に示すように配向でき
る。従って図１１と図１２を基に先に説明した場合と同
様に液晶を配向制御することで明状態と暗状態の切り替
えができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上のよう
な構造を有する液晶表示装置にあっては、視野角が広い
という長所を有するものの、開口率が小さくなり易いと
いう問題を有していた。即ち、図１３と図１４に示す構
造において、画素電極２９とコモン電極２２、２２との
間に生じる横電界により液晶分子３６・・・を配向制御す
るのであるが、コモン電極２２、２２の上方領域におい
ては、液晶分子３６・・・に印加される電界の向きが横電
界とは異なる向きになるために、図１０において示すよ
うに液晶分子３６・・・の配向方向が画素電極２９とコモ
ン電極２２の間の領域の配向方向と異なることになる。
従って従来、コモン電極２２上の領域は光漏れ等の問題
を生じるおそれがあるので、図１４に示すようにブラッ
クマトリクス３８で覆い隠す構造を採用し、更にブラッ
クマトリクス３８の開口３８ａの周縁部分をコモン電極
２２、２２の内側縁２２ａよりも若干内側に位置させる
構造を採用しているが、ブラックマトリクス３８によっ
て覆い隠す領域が広くなり、液晶表示装置としての開口
率を高くすることができない問題があった。
な構造を有する液晶表示装置にあっては、視野角が広い
という長所を有するものの、開口率が小さくなり易いと
いう問題を有していた。即ち、図１３と図１４に示す構
造において、画素電極２９とコモン電極２２、２２との
間に生じる横電界により液晶分子３６・・・を配向制御す
るのであるが、コモン電極２２、２２の上方領域におい
ては、液晶分子３６・・・に印加される電界の向きが横電
界とは異なる向きになるために、図１０において示すよ
うに液晶分子３６・・・の配向方向が画素電極２９とコモ
ン電極２２の間の領域の配向方向と異なることになる。
従って従来、コモン電極２２上の領域は光漏れ等の問題
を生じるおそれがあるので、図１４に示すようにブラッ
クマトリクス３８で覆い隠す構造を採用し、更にブラッ
クマトリクス３８の開口３８ａの周縁部分をコモン電極
２２、２２の内側縁２２ａよりも若干内側に位置させる
構造を採用しているが、ブラックマトリクス３８によっ
て覆い隠す領域が広くなり、液晶表示装置としての開口
率を高くすることができない問題があった。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、横電界によって液晶を駆動する構成における高視
野角特性を有したままで開口率を高くすることができる
液晶表示装置を提供することを目的とする。
あり、横電界によって液晶を駆動する構成における高視
野角特性を有したままで開口率を高くすることができる
液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、一対の基板間に液晶層が配設され、前記一
方の基板の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素電
極と協働して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を印
加するコモン電極とが複数の画素領域を形成するように
設けられるとともに、前記他方の基板の対向面上に前記
各画素領域の表示領域に対応する開口を有し前記画素領
域以外の非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクス
が設けられ、前記ブラックマトリクスがコモン電極と略
同電位とされてなるものである。また、本発明におい
て、一対の基板間に液晶層が配設され、前記一方の基板
の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素電極と協働
して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を印加するコ
モン電極とが複数の画素領域を形成するように設けられ
るとともに、前記他方の基板の対向面上に前記各画素領
域の表示領域に対応する開口を有し前記画素領域以外の
非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクスが設けら
れ、前記ブラックマトリクス上に絶縁膜を介して少なく
とも前記ブラックマトリクスの各開口周縁部を覆う導電
膜が形成され、前記導電膜がコモン電極と略同電位とさ
れてなることを特徴とする構成でも良い。
するために、一対の基板間に液晶層が配設され、前記一
方の基板の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素電
極と協働して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を印
加するコモン電極とが複数の画素領域を形成するように
設けられるとともに、前記他方の基板の対向面上に前記
各画素領域の表示領域に対応する開口を有し前記画素領
域以外の非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクス
が設けられ、前記ブラックマトリクスがコモン電極と略
同電位とされてなるものである。また、本発明におい
て、一対の基板間に液晶層が配設され、前記一方の基板
の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素電極と協働
して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を印加するコ
モン電極とが複数の画素領域を形成するように設けられ
るとともに、前記他方の基板の対向面上に前記各画素領
域の表示領域に対応する開口を有し前記画素領域以外の
非表示領域を覆う導電性のブラックマトリクスが設けら
れ、前記ブラックマトリクス上に絶縁膜を介して少なく
とも前記ブラックマトリクスの各開口周縁部を覆う導電
膜が形成され、前記導電膜がコモン電極と略同電位とさ
れてなることを特徴とする構成でも良い。
【００１３】基板上に設けたコモン電極と画素電極によ
り横電界を液晶に印加できるので、横電界の印加、無印
加により液晶の配向制御を行うことができ、これにより
明状態と暗状態を切り替えることができる。そして、ブ
ラックマトリクスまたはブラックマトリクスとコモン電
極とを略同電位とするか、ブラックマトリクス上に設け
た導電膜とコモン電極とを略同電位とすることにより、
液晶分子に作用させる横電界の電気力線をコモン電極近
傍で揃えるようにしたので、コモン電極近傍の領域の液
晶の配向乱れを従来より少なくすることができ、コモン
電極に対応する領域を広く覆い隠していた従来のブラッ
クマトリクスよりも開口の面積を大きくできるようにな
り開口率が向上する。
り横電界を液晶に印加できるので、横電界の印加、無印
加により液晶の配向制御を行うことができ、これにより
明状態と暗状態を切り替えることができる。そして、ブ
ラックマトリクスまたはブラックマトリクスとコモン電
極とを略同電位とするか、ブラックマトリクス上に設け
た導電膜とコモン電極とを略同電位とすることにより、
液晶分子に作用させる横電界の電気力線をコモン電極近
傍で揃えるようにしたので、コモン電極近傍の領域の液
晶の配向乱れを従来より少なくすることができ、コモン
電極に対応する領域を広く覆い隠していた従来のブラッ
クマトリクスよりも開口の面積を大きくできるようにな
り開口率が向上する。
【００１４】前記略同電位とは、−０.５Ｖ以上、＋０.
５Ｖ以内の範囲に設定されてなることが好ましい。コモ
ン電極とブラックマトリクスまたは導電膜の電位差が上
記の範囲を外れると、コモン電極近傍領域の液晶に作用
させる電気力線の乱れが大きくなり、液晶の配向乱れが
生じ易くなって光り漏れ等の問題を生じ易くなるので、
ブラックマトリクスの開口を大きくできなくなり、開口
率の向上効果を奏することができなくなる。
５Ｖ以内の範囲に設定されてなることが好ましい。コモ
ン電極とブラックマトリクスまたは導電膜の電位差が上
記の範囲を外れると、コモン電極近傍領域の液晶に作用
させる電気力線の乱れが大きくなり、液晶の配向乱れが
生じ易くなって光り漏れ等の問題を生じ易くなるので、
ブラックマトリクスの開口を大きくできなくなり、開口
率の向上効果を奏することができなくなる。
【００１５】また、本発明において、前記一方の基板に
設けられた前記コモン電極が基板端部側に延出形成さ
れ、前記他方の基板に設けられた前記ブラックマトリク
スが基板端部側に延出形成されるとともに、前記基板の
端部側において前記コモン電極と前記ブラックマトリク
スが導電部材を介して電気的に接続されてなることを特
徴とする構成でも良い。また更に、一対の基板間にシー
ル材により液晶層が封止され、前記一方の基板に設けら
れた前記コモン電極が前記基板のシール材のシール位置
よりも外方側に延出形成され、前記他方の基板に設けら
れた前記ブラックマトリクスが前記基板のシール材のシ
ール位置よりも外方側に延出形成されるとともに、前記
基板シール材の外方側において前記コモン電極と前記ブ
ラックマトリクスが基板間に設けられた導電部材を介し
て電気的に接続されてなる構成にすることもできる。こ
れらの構成により、一対の基板間に液晶を封止して液晶
セルを構成した場合に、ブラックマトリクスとコモン電
極の両者を電気的に接続する構成とすることが容易にで
き、両者の電位を略同一にすることができる、視野角の
広い開口率の高い液晶セルを得ることができる。
設けられた前記コモン電極が基板端部側に延出形成さ
れ、前記他方の基板に設けられた前記ブラックマトリク
スが基板端部側に延出形成されるとともに、前記基板の
端部側において前記コモン電極と前記ブラックマトリク
スが導電部材を介して電気的に接続されてなることを特
徴とする構成でも良い。また更に、一対の基板間にシー
ル材により液晶層が封止され、前記一方の基板に設けら
れた前記コモン電極が前記基板のシール材のシール位置
よりも外方側に延出形成され、前記他方の基板に設けら
れた前記ブラックマトリクスが前記基板のシール材のシ
ール位置よりも外方側に延出形成されるとともに、前記
基板シール材の外方側において前記コモン電極と前記ブ
ラックマトリクスが基板間に設けられた導電部材を介し
て電気的に接続されてなる構成にすることもできる。こ
れらの構成により、一対の基板間に液晶を封止して液晶
セルを構成した場合に、ブラックマトリクスとコモン電
極の両者を電気的に接続する構成とすることが容易にで
き、両者の電位を略同一にすることができる、視野角の
広い開口率の高い液晶セルを得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
例について説明する。図１〜図４は本発明に係る液晶表
示装置の要部を示すもので、図１において上の基板４０
と下の基板４１が互いの間に所定の間隔（セルギャッ
プ）をあけて平行に対向配置され、基板４０、４１の間
に液晶層４２が設けられるとともに、基板４０、４１の
外面側に偏光板４３、４４が配置されている。これらの
基板４０、４１はガラス等の透明基板からなるが、実際
の構成においては基板４０、４１の周縁部をシール材で
取り囲み、基板４０、４１とシール材により囲まれた空
間に液晶を収納して液晶層４２が形成されていて、基板
４０、４１と液晶層４２と偏光板４３、４４とを組み合
わせることによって液晶セル４５が構成されている。
例について説明する。図１〜図４は本発明に係る液晶表
示装置の要部を示すもので、図１において上の基板４０
と下の基板４１が互いの間に所定の間隔（セルギャッ
プ）をあけて平行に対向配置され、基板４０、４１の間
に液晶層４２が設けられるとともに、基板４０、４１の
外面側に偏光板４３、４４が配置されている。これらの
基板４０、４１はガラス等の透明基板からなるが、実際
の構成においては基板４０、４１の周縁部をシール材で
取り囲み、基板４０、４１とシール材により囲まれた空
間に液晶を収納して液晶層４２が形成されていて、基板
４０、４１と液晶層４２と偏光板４３、４４とを組み合
わせることによって液晶セル４５が構成されている。
【００１７】この形態の構造にあっては、透明基板４１
上に図２に示すようにマトリックス状に複数のゲート配
線５０と信号配線５１が形成され、ゲート配線５０・・・
と信号配線５１・・・とによって囲まれた画素領域５９に
線状電極（コモン電極）５３、５３と、線状電極（画素
電極）５４とが互いに平行に配置されている。より詳細
には、基板４１上に複数のゲート配線５０が所定間隔を
あけて相互に平行に配列形成されるとともに、基板４１
上においてゲート配線５０に沿ってゲート配線５０と同
一平面上にコモン配線５６が並設され、ゲート配線５０
・・・と信号配線５１・・・によって囲まれた各領域にコモン
配線５６から直角に２本の線状のコモン電極５３、５３
が延設され、これら２本のコモン電極５３、５３の先端
部が隣接する他のゲート配線５０の近傍において接続配
線５７により接続され、ゲート配線５０・・・と信号配線
５１・・・によって囲まれた各領域が画素領域５９とされ
ている。なお、液晶セル４５の全体においては液晶表示
装置として必要な数の多数の画素領域５９が配置されて
いるが、図１においては２つの隣接する画素領域５９、
５９に対応する部分の平面構造のみを示し、図２におい
ては１つの画素領域５９の一部断面構造のみを示してい
る。
上に図２に示すようにマトリックス状に複数のゲート配
線５０と信号配線５１が形成され、ゲート配線５０・・・
と信号配線５１・・・とによって囲まれた画素領域５９に
線状電極（コモン電極）５３、５３と、線状電極（画素
電極）５４とが互いに平行に配置されている。より詳細
には、基板４１上に複数のゲート配線５０が所定間隔を
あけて相互に平行に配列形成されるとともに、基板４１
上においてゲート配線５０に沿ってゲート配線５０と同
一平面上にコモン配線５６が並設され、ゲート配線５０
・・・と信号配線５１・・・によって囲まれた各領域にコモン
配線５６から直角に２本の線状のコモン電極５３、５３
が延設され、これら２本のコモン電極５３、５３の先端
部が隣接する他のゲート配線５０の近傍において接続配
線５７により接続され、ゲート配線５０・・・と信号配線
５１・・・によって囲まれた各領域が画素領域５９とされ
ている。なお、液晶セル４５の全体においては液晶表示
装置として必要な数の多数の画素領域５９が配置されて
いるが、図１においては２つの隣接する画素領域５９、
５９に対応する部分の平面構造のみを示し、図２におい
ては１つの画素領域５９の一部断面構造のみを示してい
る。
【００１８】更に、図１に示すようにこれらの配線を覆
って基板４１上に絶縁層５８が形成され、絶縁層５８上
に上記各ゲート配線５０と平面視直交してマトリックス
状になるように各信号配線５１・・・が形成され、ゲート
配線５０・・・において信号配線５１・・・との交差部分の各
近傍部分がゲート電極６０とされ、このゲート電極６０
上の絶縁層５８上に、半導体膜６１を一側と他側から挟
んだ状態のソース電極６２とドレイン電極６３が設けら
れて薄膜トランジスタ（スイッチング素子）Ｔ 1が構成
されている。また、各画素領域５９の中央部にはコモン
電極５３と平行に線状の画素電極５４が設けられ、画素
電極５４の一端部にはコモン配線５６上の絶縁層５８上
に延出形成された容量生成部６５が形成され、画素電極
５４の他端部には接続配線５７上の絶縁層５８上に延出
形成された容量生成部６６が形成されている。これらの
容量生成部６５、６６は、絶縁層５８を介してコモン配
線５６あるいは接続配線５７との間に容量を生成して液
晶駆動の際の寄生容量を打ち消すためのものである。
って基板４１上に絶縁層５８が形成され、絶縁層５８上
に上記各ゲート配線５０と平面視直交してマトリックス
状になるように各信号配線５１・・・が形成され、ゲート
配線５０・・・において信号配線５１・・・との交差部分の各
近傍部分がゲート電極６０とされ、このゲート電極６０
上の絶縁層５８上に、半導体膜６１を一側と他側から挟
んだ状態のソース電極６２とドレイン電極６３が設けら
れて薄膜トランジスタ（スイッチング素子）Ｔ 1が構成
されている。また、各画素領域５９の中央部にはコモン
電極５３と平行に線状の画素電極５４が設けられ、画素
電極５４の一端部にはコモン配線５６上の絶縁層５８上
に延出形成された容量生成部６５が形成され、画素電極
５４の他端部には接続配線５７上の絶縁層５８上に延出
形成された容量生成部６６が形成されている。これらの
容量生成部６５、６６は、絶縁層５８を介してコモン配
線５６あるいは接続配線５７との間に容量を生成して液
晶駆動の際の寄生容量を打ち消すためのものである。
【００１９】次に、上記ソース電極６２はソース配線５
１に接続されるとともに、ドレイン電極６３は上記接続
配線５７上の絶縁層５８上に位置するように設けられた
容量電極６６に接続され、それらが図１に示すように配
向膜６７により被覆されている。なお、この例で用いる
電極５３、５４は、遮光性の金属電極あるいは透明電極
のいずれから形成されていても良いが、後述するノーマ
リーブラックタイプの表示形態を採用する場合は、ＩＴ
Ｏ（インジウムスズ酸化物）などからなる透明電極であ
ることが好ましい。
１に接続されるとともに、ドレイン電極６３は上記接続
配線５７上の絶縁層５８上に位置するように設けられた
容量電極６６に接続され、それらが図１に示すように配
向膜６７により被覆されている。なお、この例で用いる
電極５３、５４は、遮光性の金属電極あるいは透明電極
のいずれから形成されていても良いが、後述するノーマ
リーブラックタイプの表示形態を採用する場合は、ＩＴ
Ｏ（インジウムスズ酸化物）などからなる透明電極であ
ることが好ましい。
【００２０】次に、上の基板４０の下面側には、下の基
板４１側に設けられている画素領域５９に対応する開口
７０・・・を有するブラックマトリクス７１が設けられ、
各開口７０の部分はカラーフィルタ７２で覆われるとと
もに、ブラックマトリクス７１とカラーフィルタ７２を
覆って配向膜７３が設けられている。上記ブラックマト
リクス７１は、Ｃｒ層、あるいは、ＣｒＯ層とＣｒ層を
積層した遮光性の金属膜からなり、下の基板４１側に設
けられている各画素領域５９のうち、表示に寄与しない
部分を覆い隠すためのものであり、ブラックマトリクス
７１は、各画素領域５９のうち、コモン配線５６および
接続配線５７と、信号配線５１およびゲート配線５０の
部分等を覆い、かつ、コモン電極５３の幅方向の一部を
覆い隠すように形成されている。換言すると、ブラック
マトリクス７１の開口７０は、図２の２点鎖線で示すよ
うに、各画素領域５９の左右のコモン電極５３、５３で
挟まれた領域のほとんど全ての部分と、左右のコモン電
極５３の幅方向の大部分を露出可能な大きさに形成され
ている。
板４１側に設けられている画素領域５９に対応する開口
７０・・・を有するブラックマトリクス７１が設けられ、
各開口７０の部分はカラーフィルタ７２で覆われるとと
もに、ブラックマトリクス７１とカラーフィルタ７２を
覆って配向膜７３が設けられている。上記ブラックマト
リクス７１は、Ｃｒ層、あるいは、ＣｒＯ層とＣｒ層を
積層した遮光性の金属膜からなり、下の基板４１側に設
けられている各画素領域５９のうち、表示に寄与しない
部分を覆い隠すためのものであり、ブラックマトリクス
７１は、各画素領域５９のうち、コモン配線５６および
接続配線５７と、信号配線５１およびゲート配線５０の
部分等を覆い、かつ、コモン電極５３の幅方向の一部を
覆い隠すように形成されている。換言すると、ブラック
マトリクス７１の開口７０は、図２の２点鎖線で示すよ
うに、各画素領域５９の左右のコモン電極５３、５３で
挟まれた領域のほとんど全ての部分と、左右のコモン電
極５３の幅方向の大部分を露出可能な大きさに形成され
ている。
【００２１】なお、液晶表示装置がカラー表示のものの
場合は、図１と図２に示すようにカラーフィルタ７２が
設けられていて、このカラーフィルタ７２は、各画素領
域５９毎にカラーフィルタの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色を配置した構成とされているが、液晶表示
装置がカラー表示でないものの場合は、カラーフィルタ
７２を省略しても良いのは勿論である。
場合は、図１と図２に示すようにカラーフィルタ７２が
設けられていて、このカラーフィルタ７２は、各画素領
域５９毎にカラーフィルタの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色を配置した構成とされているが、液晶表示
装置がカラー表示でないものの場合は、カラーフィルタ
７２を省略しても良いのは勿論である。
【００２２】次に、基板４０に形成されたブラックマト
リクス７１の周縁部は、基板４０の周縁部に設けられて
いる液晶封止用のシール部材７５の外部側まで図４に示
すように延出形成され、基板４１上に形成されたコモン
配線５６・・・は基板４１の周縁部に設けられている液晶
封止用のシール部材７５の外部側まで図３と図４に示す
ように延出形成され、基板４１の周縁部にコモン配線５
６・・・に接続される端子５６ａ、５６ａが設けられてい
て、これらの端子５６ａ、５６ａは上下の基板間に設け
られたＡｇペースト等の導電部材７６により図４に示す
ように接続されていて、ブラックマトリクス７１とコモ
ン配線５６（コモン電極５３）とがいずれも同一電位
（接地電位）とされるようになっている。ここで端子５
６ａを２つ設けたのは、１つの端子５６ａにおいて導電
部材７６による接続が不良となった場合であっても、他
の端子５６ａと導電部材７６により接続を確保できるよ
うにするためである。なお、この実施形態においてはブ
ラックマトリクス７１とコモン配線５６（コモン電極５
３）とが接続されて同一電位とされるように構成されて
いるが、両者が全く同一電位である必要はなく、ほぼ等
しい略同電位状態であれば良い。また、ここで略同電位
とは、ブラックマトリクス７１とコモン電極５３との電
位差が−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内の範囲にされてな
ることを意味するものとする。
リクス７１の周縁部は、基板４０の周縁部に設けられて
いる液晶封止用のシール部材７５の外部側まで図４に示
すように延出形成され、基板４１上に形成されたコモン
配線５６・・・は基板４１の周縁部に設けられている液晶
封止用のシール部材７５の外部側まで図３と図４に示す
ように延出形成され、基板４１の周縁部にコモン配線５
６・・・に接続される端子５６ａ、５６ａが設けられてい
て、これらの端子５６ａ、５６ａは上下の基板間に設け
られたＡｇペースト等の導電部材７６により図４に示す
ように接続されていて、ブラックマトリクス７１とコモ
ン配線５６（コモン電極５３）とがいずれも同一電位
（接地電位）とされるようになっている。ここで端子５
６ａを２つ設けたのは、１つの端子５６ａにおいて導電
部材７６による接続が不良となった場合であっても、他
の端子５６ａと導電部材７６により接続を確保できるよ
うにするためである。なお、この実施形態においてはブ
ラックマトリクス７１とコモン配線５６（コモン電極５
３）とが接続されて同一電位とされるように構成されて
いるが、両者が全く同一電位である必要はなく、ほぼ等
しい略同電位状態であれば良い。また、ここで略同電位
とは、ブラックマトリクス７１とコモン電極５３との電
位差が−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内の範囲にされてな
ることを意味するものとする。
【００２３】更にこの形態の液晶表示装置においては、
上の基板４０側の配向膜７３と下の基板４１側の配向膜
６７に対しては、コモン電極５３の長さ方向とほぼ平行
な方向に配向処理が施されている。上記の配向処理によ
って、基板４０、４１間に存在する液晶層４２の液晶分
子は、電界が作用していない状態において、それらの長
軸をコモン電極５３の長さ方向に平行にした状態でホモ
ジニアス配列されるようになっている。
上の基板４０側の配向膜７３と下の基板４１側の配向膜
６７に対しては、コモン電極５３の長さ方向とほぼ平行
な方向に配向処理が施されている。上記の配向処理によ
って、基板４０、４１間に存在する液晶層４２の液晶分
子は、電界が作用していない状態において、それらの長
軸をコモン電極５３の長さ方向に平行にした状態でホモ
ジニアス配列されるようになっている。
【００２４】また、この形態の構造において上の偏光板
４３の偏光軸の方向は、コモン電極５３の長さ方向とほ
ぼ平行な方向（図１の紙面厚さ方向）に向けられ、下の
偏光板４４の偏光軸方向はコモン電極５３の長さ方向に
直角な方向（図１の左右方向）に向けられている。
４３の偏光軸の方向は、コモン電極５３の長さ方向とほ
ぼ平行な方向（図１の紙面厚さ方向）に向けられ、下の
偏光板４４の偏光軸方向はコモン電極５３の長さ方向に
直角な方向（図１の左右方向）に向けられている。
【００２５】本発明に係る上記の構造においては、スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタＴ1の作動によっ
て所望の画素領域５９のコモン電極５３、５３と画素電
極５４間に電圧を印加するか否かを切り換えることで暗
状態と明状態を切り替えて使用することができる。即
ち、薄膜トランジスタＴ1を作動させて所望の位置の画
素領域５９に設けられているコモン電極５３、５３と画
素電極５４間に電圧を印加することで、図１の横方向に
電界を印加することができ、これにより図１２に示した
場合と同様に液晶分子を上下の基板間でツイストした状
態とすることができ、明状態を得ることができる。ま
た、コモン電極５３、５３と画素電極５４間に電圧を印
加しない状態とすることによって、液晶分子を図１１に
示した場合と同様に配向膜６７、７３の配向処理方向と
同じ方向にホモジニアス配向させた状態とすることがで
き、暗状態を得ることができる。
ッチング素子である薄膜トランジスタＴ1の作動によっ
て所望の画素領域５９のコモン電極５３、５３と画素電
極５４間に電圧を印加するか否かを切り換えることで暗
状態と明状態を切り替えて使用することができる。即
ち、薄膜トランジスタＴ1を作動させて所望の位置の画
素領域５９に設けられているコモン電極５３、５３と画
素電極５４間に電圧を印加することで、図１の横方向に
電界を印加することができ、これにより図１２に示した
場合と同様に液晶分子を上下の基板間でツイストした状
態とすることができ、明状態を得ることができる。ま
た、コモン電極５３、５３と画素電極５４間に電圧を印
加しない状態とすることによって、液晶分子を図１１に
示した場合と同様に配向膜６７、７３の配向処理方向と
同じ方向にホモジニアス配向させた状態とすることがで
き、暗状態を得ることができる。
【００２６】従って以上のように液晶分子の配向制御を
行うことができ、基板４１の下側に設けたバックライト
からの光線を導入することにより、このバックライトの
光線を液晶分子の配向制御状態により遮断するか透過す
るかを切り替えることで暗状態と明状態を得ることがで
きる。この例の表示形態は液晶分子の配向制御を行わな
い状態において黒表示となり、液晶分子の配向制御を行
った状態において明状態となるために、ノーマリーブラ
ックと称される表示形態となる。また、両基板４０、４
１間において液晶分子３６・・・は基板面方向に向いたま
まホモジニアス配向するか９０゜ねじれの状態に配向制
御されるので、視野角による透過率の変動の少ない高視
野角の液晶表示装置が得られる。
行うことができ、基板４１の下側に設けたバックライト
からの光線を導入することにより、このバックライトの
光線を液晶分子の配向制御状態により遮断するか透過す
るかを切り替えることで暗状態と明状態を得ることがで
きる。この例の表示形態は液晶分子の配向制御を行わな
い状態において黒表示となり、液晶分子の配向制御を行
った状態において明状態となるために、ノーマリーブラ
ックと称される表示形態となる。また、両基板４０、４
１間において液晶分子３６・・・は基板面方向に向いたま
まホモジニアス配向するか９０゜ねじれの状態に配向制
御されるので、視野角による透過率の変動の少ない高視
野角の液晶表示装置が得られる。
【００２７】ここで、この実施形態の構造においては、
ブラックマトリクス７１とコモン電極５３、５３とを略
同電位とすることができので、コモン電極５３、５３に
対応する領域の電気力線の乱れを少なくして液晶分子の
配向乱れを少なくすることができる。即ち、図１４に示
す構造においてブラックマトリクス３８は電気的にはフ
ローテイング状態とされていて、周囲の電界の状況によ
り電位が生じ、それが変動するおそれがあり、ブラック
マトリクス７１に電位が生じることでコモン電極５３に
対応する領域の液晶に配向乱れを生じるおそれがあった
が、本実施形態の構造でブラックマトリクス７１とコモ
ン電極５３とを略同電位で接地することでコモン電極５
３の対応領域の電界の乱れは従来よりも少なくなり、コ
モン電極５３の対応領域の液晶分子３６・・・の配向制御
状態が従来構造よりも向上する。結果的にコモン電極５
３の対応領域部分での光漏れ等の問題は生じ難いので、
光漏れを生じない領域（コモン電極５３の上方の領域）
までブラックマトリクス７１の開口７０を広く形成でき
るようになり、開口率の高い液晶表示装置を提供でき
る。従って、横電界により液晶の配向制御を行って暗状
態と明状態を切り換えることができ、視野角依存性が少
ないとともに、開口率の高い液晶表示装置を提供するこ
とができる。
ブラックマトリクス７１とコモン電極５３、５３とを略
同電位とすることができので、コモン電極５３、５３に
対応する領域の電気力線の乱れを少なくして液晶分子の
配向乱れを少なくすることができる。即ち、図１４に示
す構造においてブラックマトリクス３８は電気的にはフ
ローテイング状態とされていて、周囲の電界の状況によ
り電位が生じ、それが変動するおそれがあり、ブラック
マトリクス７１に電位が生じることでコモン電極５３に
対応する領域の液晶に配向乱れを生じるおそれがあった
が、本実施形態の構造でブラックマトリクス７１とコモ
ン電極５３とを略同電位で接地することでコモン電極５
３の対応領域の電界の乱れは従来よりも少なくなり、コ
モン電極５３の対応領域の液晶分子３６・・・の配向制御
状態が従来構造よりも向上する。結果的にコモン電極５
３の対応領域部分での光漏れ等の問題は生じ難いので、
光漏れを生じない領域（コモン電極５３の上方の領域）
までブラックマトリクス７１の開口７０を広く形成でき
るようになり、開口率の高い液晶表示装置を提供でき
る。従って、横電界により液晶の配向制御を行って暗状
態と明状態を切り換えることができ、視野角依存性が少
ないとともに、開口率の高い液晶表示装置を提供するこ
とができる。
【００２８】また、本実施の形態の構造において、ブラ
ックマトリクス７１とコモン電極５３とを略同電位にす
るとは、両者の電位差で−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内
の範囲に設定することが好ましい。コモン電極５３とブ
ラックマトリクス７１の電位差が上記の範囲を外れる
と、コモン電極５３に対応する領域の液晶に作用させる
電気力線の乱れが大きくなり、液晶分子３６・・・の配向
乱れが生じ易くなって光り漏れ等の問題を生じ易くなる
ので、ブラックマトリクス７１の開口７０を大きくでき
なくなり、開口率の向上効果を奏することができなくな
る。更に、本実施形態の構造においては、コモン電極５
３、５３に対応する領域の液晶の配向乱れを少なくして
ブラックマトリクス７１の開口７０を大きくすることで
開口率を向上できるので、液晶表示装置としての最大透
過率を示す駆動電圧を低減することができ、省電力駆動
することができる。次に、容量電極６５、６６を設け、
これらに対して絶縁層５８を介して対峙するようにコモ
ン配線５６、接続配線５７を設けることでこれらの間に
容量を形成することができ、この容量で液晶表示装置に
生じる寄生容量の一部を打ち消すことができる。
ックマトリクス７１とコモン電極５３とを略同電位にす
るとは、両者の電位差で−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内
の範囲に設定することが好ましい。コモン電極５３とブ
ラックマトリクス７１の電位差が上記の範囲を外れる
と、コモン電極５３に対応する領域の液晶に作用させる
電気力線の乱れが大きくなり、液晶分子３６・・・の配向
乱れが生じ易くなって光り漏れ等の問題を生じ易くなる
ので、ブラックマトリクス７１の開口７０を大きくでき
なくなり、開口率の向上効果を奏することができなくな
る。更に、本実施形態の構造においては、コモン電極５
３、５３に対応する領域の液晶の配向乱れを少なくして
ブラックマトリクス７１の開口７０を大きくすることで
開口率を向上できるので、液晶表示装置としての最大透
過率を示す駆動電圧を低減することができ、省電力駆動
することができる。次に、容量電極６５、６６を設け、
これらに対して絶縁層５８を介して対峙するようにコモ
ン配線５６、接続配線５７を設けることでこれらの間に
容量を形成することができ、この容量で液晶表示装置に
生じる寄生容量の一部を打ち消すことができる。
【００２９】図５は本発明に係る第２の実施形態の液晶
表示装置の要部を示すもので、図５において図１に示す
第１の実施形態の液晶表示装置と同一の部分には同一の
符号を付してそれらの部分の説明を省略する。この形態
の液晶表示装置において先の第１の形態の液晶表示装置
と異なっているのは、上の基板４０の下面（対向面）側
において、ブラックマトリクス７１とカラーフィルタ７
２を覆ってオーバーコート層などの絶縁膜８０が形成さ
れ、この絶縁膜８０上にブラックマトリクス７１と同一
平面形状の導電膜８１が設けられ、導電膜８１上に配向
膜７３が設けられていることである。更に、この第２の
実施形態の構造においては、導電膜８１に導電部材７
６'を介してコモン電極５３が接続され、コモン電極５
３と導電膜８１とが接地されて両者が略同電位になるよ
うに構成されている。なお、導電膜８１にはブラックマ
トリクス７１の開口７２と同一平面形状の開口８２が形
成されている。上記導電層８１は、Ｃｒ等の遮光性の金
属層から形成されるものでも、ＩＴＯなどの透明導電層
から形成されるものでも良い。
表示装置の要部を示すもので、図５において図１に示す
第１の実施形態の液晶表示装置と同一の部分には同一の
符号を付してそれらの部分の説明を省略する。この形態
の液晶表示装置において先の第１の形態の液晶表示装置
と異なっているのは、上の基板４０の下面（対向面）側
において、ブラックマトリクス７１とカラーフィルタ７
２を覆ってオーバーコート層などの絶縁膜８０が形成さ
れ、この絶縁膜８０上にブラックマトリクス７１と同一
平面形状の導電膜８１が設けられ、導電膜８１上に配向
膜７３が設けられていることである。更に、この第２の
実施形態の構造においては、導電膜８１に導電部材７
６'を介してコモン電極５３が接続され、コモン電極５
３と導電膜８１とが接地されて両者が略同電位になるよ
うに構成されている。なお、導電膜８１にはブラックマ
トリクス７１の開口７２と同一平面形状の開口８２が形
成されている。上記導電層８１は、Ｃｒ等の遮光性の金
属層から形成されるものでも、ＩＴＯなどの透明導電層
から形成されるものでも良い。
【００３０】図５に示す構造の液晶表示装置にあって
は、先に説明した第１の実施形態の液晶表示装置と同様
に、薄膜トランジスタＴ1の作動によって所望の画素領
域５９のコモン電極５３、５３と画素電極５４間に電圧
を印加するか否かを切り換えることで暗状態と明状態を
切り替えて使用することができる。そして、導電膜８１
とコモン電極５３、５３とを略同電位とすることができ
ので、コモン電極５３、５３に対応する領域の電気力線
の乱れを少なくして液晶分子３６・・・の配向乱れを少な
くすることができる。
は、先に説明した第１の実施形態の液晶表示装置と同様
に、薄膜トランジスタＴ1の作動によって所望の画素領
域５９のコモン電極５３、５３と画素電極５４間に電圧
を印加するか否かを切り換えることで暗状態と明状態を
切り替えて使用することができる。そして、導電膜８１
とコモン電極５３、５３とを略同電位とすることができ
ので、コモン電極５３、５３に対応する領域の電気力線
の乱れを少なくして液晶分子３６・・・の配向乱れを少な
くすることができる。
【００３１】よって、先に記載の第１の実施形態の液晶
表示装置と同様に、ブラックマトリクス７１の開口７０
を大きくすることができ、横電界により液晶の配向制御
を行って暗状態と明状態を切り換えることができ、視野
角依存性が少ないとともに、開口率の高い液晶表示装置
を提供することができる。また、この第２の形態の液晶
表示装置にあっては、導電層８１をブラックマトリクス
７１よりも液晶分子に接近させて配置できるので、電気
力線を揃える効果を先の第１の実施形態の構造よりも強
く作用させることができ、コモン電極５３の対応領域で
の液晶の配向乱れをより少なくすることができる。
表示装置と同様に、ブラックマトリクス７１の開口７０
を大きくすることができ、横電界により液晶の配向制御
を行って暗状態と明状態を切り換えることができ、視野
角依存性が少ないとともに、開口率の高い液晶表示装置
を提供することができる。また、この第２の形態の液晶
表示装置にあっては、導電層８１をブラックマトリクス
７１よりも液晶分子に接近させて配置できるので、電気
力線を揃える効果を先の第１の実施形態の構造よりも強
く作用させることができ、コモン電極５３の対応領域で
の液晶の配向乱れをより少なくすることができる。
【００３２】ところで、図５に記載した形態において導
電膜８１を遮光性の金属層から形成した場合にブラック
マトリクス７１を省略しても良い。その場合は、遮光性
の金属層がブラックマトリクスの代用となる。更に、ブ
ラックマトリクス７１を基板４０上に設けた場合、導電
膜８１をブラックマトリクス７１の開口７０の周縁部分
にのみに設けてもコモン電極５３に対応する領域の液晶
分子３６・・・に作用する電気力線の乱れを少なくできる
ので、導電膜８１をブラックマトリクス７１と完全に同
一平面形状とする必要はない。導電膜８１をブラックマ
トリクス７１と同一平面形状とすることが、設計上は最
も容易であるが、導電膜８１を少なくともブラックマト
リクス７１の開口部７０の周縁部分に対応する形状にす
るならば目的を達成することができる。
電膜８１を遮光性の金属層から形成した場合にブラック
マトリクス７１を省略しても良い。その場合は、遮光性
の金属層がブラックマトリクスの代用となる。更に、ブ
ラックマトリクス７１を基板４０上に設けた場合、導電
膜８１をブラックマトリクス７１の開口７０の周縁部分
にのみに設けてもコモン電極５３に対応する領域の液晶
分子３６・・・に作用する電気力線の乱れを少なくできる
ので、導電膜８１をブラックマトリクス７１と完全に同
一平面形状とする必要はない。導電膜８１をブラックマ
トリクス７１と同一平面形状とすることが、設計上は最
も容易であるが、導電膜８１を少なくともブラックマト
リクス７１の開口部７０の周縁部分に対応する形状にす
るならば目的を達成することができる。
【００３３】
【実施例】図１と図２に示す構造の回路を有する薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置を製造した。透明な厚さ１ｍ
ｍのガラス基板を２枚用い、これらの基板のうち一方の
基板上に図１に示す線状電極を有する薄膜トランジスタ
回路を形成し、その上に配向膜を形成し、他方の基板上
にも配向膜を形成し、それぞれの配向膜にラビング処理
により液晶配向のための配向処理を施し、２枚の基板を
ギャップ形成用のビーズを介して所定間隔で対向配置し
た状態で基板間の間隙に液晶を注入し、封止材により接
合し、基板の外側に偏光板を配して液晶セルを組み立て
た。上記の構造においてそれぞれの配向膜には、線状電
極の長さ方向と平行な方向にラビングロールを擦り付け
る配向処理を行った。
ランジスタ型液晶表示装置を製造した。透明な厚さ１ｍ
ｍのガラス基板を２枚用い、これらの基板のうち一方の
基板上に図１に示す線状電極を有する薄膜トランジスタ
回路を形成し、その上に配向膜を形成し、他方の基板上
にも配向膜を形成し、それぞれの配向膜にラビング処理
により液晶配向のための配向処理を施し、２枚の基板を
ギャップ形成用のビーズを介して所定間隔で対向配置し
た状態で基板間の間隙に液晶を注入し、封止材により接
合し、基板の外側に偏光板を配して液晶セルを組み立て
た。上記の構造においてそれぞれの配向膜には、線状電
極の長さ方向と平行な方向にラビングロールを擦り付け
る配向処理を行った。
【００３４】この装置を製造するには、画素領域のピッ
チは横方向（信号配線方向）は４３μｍ、縦方向（ゲー
ト配線方向）は１２９μｍ、ブラックマトリクスはＣｒ
からなる厚さ０.３μｍのものを用い、このブラックマ
トリクスには横２７μｍ、縦）１１１μｍの開口を画素
領域毎に形成したものを用いた。また、画素電極幅を５
μｍ、コモン電極幅を５μｍに設定し、画素電極とコモ
ン電極との間隔を１０μｍに設定した。
チは横方向（信号配線方向）は４３μｍ、縦方向（ゲー
ト配線方向）は１２９μｍ、ブラックマトリクスはＣｒ
からなる厚さ０.３μｍのものを用い、このブラックマ
トリクスには横２７μｍ、縦）１１１μｍの開口を画素
領域毎に形成したものを用いた。また、画素電極幅を５
μｍ、コモン電極幅を５μｍに設定し、画素電極とコモ
ン電極との間隔を１０μｍに設定した。
【００３５】また、ゲート配線と信号配線の交差する部
分の近傍にａ-Ｓｉからなる半導体膜をゲート電極とソ
ース電極で挟んだ構造の薄膜トランジスタを形成し、更
に絶縁層で覆い、更にポリイミドの配向膜を形成し、ラ
ビングロールによる配向処理を行って薄膜トランジスタ
アレイ基板を形成した。次いでこの基板に対し、対向側
の基板としてブラックマトリクスとカラーフィルタとポ
リイミドの配向膜を設けたものを用い、両者間のギャッ
プを４μｍにしてシール材により液晶を封入し、シール
材の外部側の基板端部に引き出したブラックマトリクス
に接続する端子２箇所とコモン電極に接続する端子２箇
所どうしをＡｇペーストで接続して液晶表示装置を製造
した。なお、この例の構造においてブラックマトリクス
とコモン電極はいずれも接地した。一方、比較のため
に、ブラックマトリクスに接続する端子とコモン電極に
接続する端子どうしを接続していない構造であって、ブ
ラックマトリクスをフローティング状態とし、コモン電
極を接地した構造の液晶表示装置を製造した。
分の近傍にａ-Ｓｉからなる半導体膜をゲート電極とソ
ース電極で挟んだ構造の薄膜トランジスタを形成し、更
に絶縁層で覆い、更にポリイミドの配向膜を形成し、ラ
ビングロールによる配向処理を行って薄膜トランジスタ
アレイ基板を形成した。次いでこの基板に対し、対向側
の基板としてブラックマトリクスとカラーフィルタとポ
リイミドの配向膜を設けたものを用い、両者間のギャッ
プを４μｍにしてシール材により液晶を封入し、シール
材の外部側の基板端部に引き出したブラックマトリクス
に接続する端子２箇所とコモン電極に接続する端子２箇
所どうしをＡｇペーストで接続して液晶表示装置を製造
した。なお、この例の構造においてブラックマトリクス
とコモン電極はいずれも接地した。一方、比較のため
に、ブラックマトリクスに接続する端子とコモン電極に
接続する端子どうしを接続していない構造であって、ブ
ラックマトリクスをフローティング状態とし、コモン電
極を接地した構造の液晶表示装置を製造した。
【００３６】以上のように形成した各液晶表示装置に対
して画素電極とコモン電極とが発生させる電気力線のシ
ュミレーション結果を図６に示す。図６（Ａ）がブラッ
クマトリクスとコモン電極とを接続して両者を接地した
構造の液晶表示装置のシュミレーション結果を示し、図
６（Ｂ）がブラックマトリクスとコモン電極とを接続せ
ずにブラックマトリクスをフローティング状態、コモン
電極を接地した構造の液晶表示装置のシュミレーション
結果を示す。図６（Ａ）に示す電気力線において、電気
力線の立ち上がり部分Ｒが左右のコモン電極５３、５３
のそれぞれの内側の端部領域Ｐよりも、外側に位置して
いるが、図６（Ｂ）に示す電気力線において、電気力線
の立ち上がり部分Ｒ'が、左右のコモン電極５３、５３
のそれぞれの内側の端部領域Ｐ'よりも内側に位置して
いる。このことは、図６（Ｂ）に示す電気力線が得られ
る構造ではコモン電極５３の内側領域で光漏れを生じる
おそれがあるのに対し、図６（Ａ）に示す電気力線が得
られる構造ではコモン電極５３、５３のそれぞれの内側
端部では光漏れを生じにくいことを意味する。
して画素電極とコモン電極とが発生させる電気力線のシ
ュミレーション結果を図６に示す。図６（Ａ）がブラッ
クマトリクスとコモン電極とを接続して両者を接地した
構造の液晶表示装置のシュミレーション結果を示し、図
６（Ｂ）がブラックマトリクスとコモン電極とを接続せ
ずにブラックマトリクスをフローティング状態、コモン
電極を接地した構造の液晶表示装置のシュミレーション
結果を示す。図６（Ａ）に示す電気力線において、電気
力線の立ち上がり部分Ｒが左右のコモン電極５３、５３
のそれぞれの内側の端部領域Ｐよりも、外側に位置して
いるが、図６（Ｂ）に示す電気力線において、電気力線
の立ち上がり部分Ｒ'が、左右のコモン電極５３、５３
のそれぞれの内側の端部領域Ｐ'よりも内側に位置して
いる。このことは、図６（Ｂ）に示す電気力線が得られ
る構造ではコモン電極５３の内側領域で光漏れを生じる
おそれがあるのに対し、図６（Ａ）に示す電気力線が得
られる構造ではコモン電極５３、５３のそれぞれの内側
端部では光漏れを生じにくいことを意味する。
【００３７】次に図７（Ａ）は、先の実施例と同じ構造
の液晶表示装置を用い、ブラックマトリクスとコモン電
極を接続して両者を接地した構造の本発明に係る液晶表
示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す写真の
模式図である。液晶表示装置を駆動する際のゲート電極
ＶGを１５Ｖ、コモン電圧とブラックマトリクスの電圧
を接地状態の０Ｖとした。ブラックマトリクスとコモン
電極を接続して両者を接地した構造においては図７
（Ａ）に示すように光漏れを生じなかった。図７（Ｂ）
は、ゲート電極ＶGを１５Ｖ、ブラックマトリクスをフ
ローティング状態とし、コモン電極を接地した比較例構
造の液晶表示装置における光漏れの発生状況検査結果を
示す写真の模式図である。この構造においては、図７
（Ｂ）に示すように光漏れを生じてしまった。図７
（Ｂ）に示す結果から、ブラックマトリクスをフローテ
ィング状態とし、コモン電極を接地した比較例構造の液
晶表示装置にあっては、先に説明した形状のブラックマ
トリクスを用いると光漏れを生じるので、ブラックマト
リクスで覆い隠す領域を上記の大きさよりも更に広くす
る必要があり、そのようにすると液晶表示装置としての
開口率が低下してしまう。
の液晶表示装置を用い、ブラックマトリクスとコモン電
極を接続して両者を接地した構造の本発明に係る液晶表
示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す写真の
模式図である。液晶表示装置を駆動する際のゲート電極
ＶGを１５Ｖ、コモン電圧とブラックマトリクスの電圧
を接地状態の０Ｖとした。ブラックマトリクスとコモン
電極を接続して両者を接地した構造においては図７
（Ａ）に示すように光漏れを生じなかった。図７（Ｂ）
は、ゲート電極ＶGを１５Ｖ、ブラックマトリクスをフ
ローティング状態とし、コモン電極を接地した比較例構
造の液晶表示装置における光漏れの発生状況検査結果を
示す写真の模式図である。この構造においては、図７
（Ｂ）に示すように光漏れを生じてしまった。図７
（Ｂ）に示す結果から、ブラックマトリクスをフローテ
ィング状態とし、コモン電極を接地した比較例構造の液
晶表示装置にあっては、先に説明した形状のブラックマ
トリクスを用いると光漏れを生じるので、ブラックマト
リクスで覆い隠す領域を上記の大きさよりも更に広くす
る必要があり、そのようにすると液晶表示装置としての
開口率が低下してしまう。
【００３８】図８（Ａ）と（Ｂ）は、先に説明した実施
例構造と比較例構造の各液晶表示装置における透過率−
駆動電圧特性を示すものである。図８（Ａ）に示すよう
に、本発明に係る実施例の液晶表示装置の最大透過率と
比較例の液晶表示装置の最大透過率はほぼ等しいが、本
発明に係る実施例の液晶表示装置の最大透過率を示す駆
動電圧が６.７Ｖであるのに対し、比較例の液晶表示装
置の最大透過率を示す駆動電圧が７.９Ｖであり、同じ
透過率を得るための駆動電圧は本発明に係る実施例の液
晶表示装置の方が比較例の液晶表示装置よりも低く設定
することができ、結果的に本発明構造を採用することで
駆動電圧を１.２Ｖ低減できた。
例構造と比較例構造の各液晶表示装置における透過率−
駆動電圧特性を示すものである。図８（Ａ）に示すよう
に、本発明に係る実施例の液晶表示装置の最大透過率と
比較例の液晶表示装置の最大透過率はほぼ等しいが、本
発明に係る実施例の液晶表示装置の最大透過率を示す駆
動電圧が６.７Ｖであるのに対し、比較例の液晶表示装
置の最大透過率を示す駆動電圧が７.９Ｖであり、同じ
透過率を得るための駆動電圧は本発明に係る実施例の液
晶表示装置の方が比較例の液晶表示装置よりも低く設定
することができ、結果的に本発明構造を採用することで
駆動電圧を１.２Ｖ低減できた。
【００３９】本発明に係わる実施例の液晶表示装置のブ
ラックマトリクスとコモン電極とを同電位としたときの
透過率を１００％とし、ブラックマトリクスとコモン電
極との電位差と透過率の減少具合との関係を測定した結
果を図１５に示す。図１５から明らかなように、ブラッ
クマトリクスとコモン電極との電位差が０.５Ｖを超え
ると透過率が５％を超えて減少してしまう。このため十
分な透過率を得るためには、ブラックマトリクスとコモ
ン電極との電位差を±０.５Ｖ以内とすることが効果的
であることが確認された。
ラックマトリクスとコモン電極とを同電位としたときの
透過率を１００％とし、ブラックマトリクスとコモン電
極との電位差と透過率の減少具合との関係を測定した結
果を図１５に示す。図１５から明らかなように、ブラッ
クマトリクスとコモン電極との電位差が０.５Ｖを超え
ると透過率が５％を超えて減少してしまう。このため十
分な透過率を得るためには、ブラックマトリクスとコモ
ン電極との電位差を±０.５Ｖ以内とすることが効果的
であることが確認された。
【００４０】次に図１６〜図１８は、コモン電極と略同
電位とされる導電膜８１をブラックマトリクス７１の上
方の一部分のみに設けた他の形態を示す。図１６に示す
構造は、画素領域に対応する各開口７０の上下部分を挟
むように左右方向に延びる帯状の導電膜８１を設けた構
造であり、図１７に示す構造は、画素領域に対応する各
開口７０の左右部分を挟むように上下方向に延びる帯状
の導電膜８１を設けた構造であり、図１８に示す構造
は、画素領域に対応する各開口７０の左右部分と上下部
分の半分ほどを挟むように上下方向と左右方向に延びる
帯状の導電膜８１を設けた構造である。これらのいずれ
の構造においても先に図５を基に説明した構造と同等の
効果を得ることができる。
電位とされる導電膜８１をブラックマトリクス７１の上
方の一部分のみに設けた他の形態を示す。図１６に示す
構造は、画素領域に対応する各開口７０の上下部分を挟
むように左右方向に延びる帯状の導電膜８１を設けた構
造であり、図１７に示す構造は、画素領域に対応する各
開口７０の左右部分を挟むように上下方向に延びる帯状
の導電膜８１を設けた構造であり、図１８に示す構造
は、画素領域に対応する各開口７０の左右部分と上下部
分の半分ほどを挟むように上下方向と左右方向に延びる
帯状の導電膜８１を設けた構造である。これらのいずれ
の構造においても先に図５を基に説明した構造と同等の
効果を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、コ
モン電極と画素電極により基板に平行な方向の横電界を
印加して液晶の配向制御を行う液晶表示装置でブラック
マトリクスとコモン電極を略同電位としたので、コモン
電極対応領域の液晶に印加する電気力線の乱れを少なく
することができ、これによりコモン電極対応領域の液晶
を表示に寄与させることができるようになり、このコモ
ン電極対応領域の部分をブラックマトリクスで覆い隠す
必要がなくなり、ブラックマトリクスの開口を従来より
大きくできるようになるので、ブラックマトリクスをフ
ローティング状態としていた従来構造よりも開口率を高
くすることができる。よって、横電界を印加するか否か
で液晶の配向制御を行って明状態と暗状態を切り替える
方式の広い視野角特性を有する上に、開口率を高くした
液晶表示装置を提供することができる。更に、本実施形
態の構造においては、コモン電極に対応する領域の液晶
の配向乱れを少なくしてブラックマトリクスの開口を大
きくすることで開口率を向上できるので、液晶表示装置
としての最大透過率を示す駆動電圧を低減することがで
き、省電力駆動にすることができる。
モン電極と画素電極により基板に平行な方向の横電界を
印加して液晶の配向制御を行う液晶表示装置でブラック
マトリクスとコモン電極を略同電位としたので、コモン
電極対応領域の液晶に印加する電気力線の乱れを少なく
することができ、これによりコモン電極対応領域の液晶
を表示に寄与させることができるようになり、このコモ
ン電極対応領域の部分をブラックマトリクスで覆い隠す
必要がなくなり、ブラックマトリクスの開口を従来より
大きくできるようになるので、ブラックマトリクスをフ
ローティング状態としていた従来構造よりも開口率を高
くすることができる。よって、横電界を印加するか否か
で液晶の配向制御を行って明状態と暗状態を切り替える
方式の広い視野角特性を有する上に、開口率を高くした
液晶表示装置を提供することができる。更に、本実施形
態の構造においては、コモン電極に対応する領域の液晶
の配向乱れを少なくしてブラックマトリクスの開口を大
きくすることで開口率を向上できるので、液晶表示装置
としての最大透過率を示す駆動電圧を低減することがで
き、省電力駆動にすることができる。
【００４２】前記の構造は、ブラックマトリクス上に絶
縁膜を介してブラックマトリクスと同一形状の導電膜を
形成した構造に対しても適用することができ、この導電
膜をコモン電極と接続して両者を略同電位とすることに
より、上記構造と同じ効果を得ることができる。ここで
略同電位とは、コモン電極とブラックマトリクスの電位
差が−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内の範囲にされてなる
ものであり、両者の電位差がこの範囲内であれば、上記
の効果を確実に得ることができる。
縁膜を介してブラックマトリクスと同一形状の導電膜を
形成した構造に対しても適用することができ、この導電
膜をコモン電極と接続して両者を略同電位とすることに
より、上記構造と同じ効果を得ることができる。ここで
略同電位とは、コモン電極とブラックマトリクスの電位
差が−０.５Ｖ以上、＋０.５Ｖ以内の範囲にされてなる
ものであり、両者の電位差がこの範囲内であれば、上記
の効果を確実に得ることができる。
【００４３】次に、コモン電極とブラックマトリクスま
たは導電膜を略同電位とするための構造は、両者を設け
た基板の端部側に両者の接続端部を引き出して設け、導
電ペーストなどの導電部材で接続することで実現するこ
とができ、この場合はコモン電極とブラックマトリクス
または導電膜を確実に同電位とすることができる。ま
た、コモン電極とブラックマトリクスまたは導電膜を略
同電位とするための構造は、基板間に液晶を封止するシ
ール部材の外部側にコモン電極とブラックマトリクスま
たは導電膜の一部を引き出し、それらを導電ペーストな
どの導電部材で接続することで実現することができ、こ
の場合はコモン電極とブラックマトリクスまたは導電膜
を確実に同電位とすることができる。
たは導電膜を略同電位とするための構造は、両者を設け
た基板の端部側に両者の接続端部を引き出して設け、導
電ペーストなどの導電部材で接続することで実現するこ
とができ、この場合はコモン電極とブラックマトリクス
または導電膜を確実に同電位とすることができる。ま
た、コモン電極とブラックマトリクスまたは導電膜を略
同電位とするための構造は、基板間に液晶を封止するシ
ール部材の外部側にコモン電極とブラックマトリクスま
たは導電膜の一部を引き出し、それらを導電ペーストな
どの導電部材で接続することで実現することができ、こ
の場合はコモン電極とブラックマトリクスまたは導電膜
を確実に同電位とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明に係る液晶表示装置の第１の形
態の断面図。
態の断面図。
【図２】 図２は同形態の電極配置構成の要部を示す平
面図。
面図。
【図３】 図３は同形態のブラックマトリクスと基板表
面構造の斜視図。
面構造の斜視図。
【図４】 図４は同形態の基板端部接合部分の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図５】 図１は本発明に係る液晶表示装置の第２の形
態の断面図。
態の断面図。
【図６】 液晶表示装置において画素電極とコモン電極
とが発生させる電気力線のシュミレーション結果を求め
たもので、図６（Ａ）はブラックマトリクスとコモン電
極とを接続して両者を接地状態とした構造の液晶表示装
置のシュミレーション結果を示す図、図６（Ｂ）はブラ
ックマトリクスとコモン電極とを接続せずにブラックマ
トリクスをフローティング状態、コモン電極を接地状態
とした構造の液晶表示装置のシュミレーション結果を示
す図。
とが発生させる電気力線のシュミレーション結果を求め
たもので、図６（Ａ）はブラックマトリクスとコモン電
極とを接続して両者を接地状態とした構造の液晶表示装
置のシュミレーション結果を示す図、図６（Ｂ）はブラ
ックマトリクスとコモン電極とを接続せずにブラックマ
トリクスをフローティング状態、コモン電極を接地状態
とした構造の液晶表示装置のシュミレーション結果を示
す図。
【図７】 図７（Ａ）は、ブラックマトリクスとコモン
電極を接続して両者を接地した構造の本発明に係る液晶
表示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す写真
の模式図、図７（Ｂ）は、ブラックマトリクスをフロー
ティング状態とし、コモン電極を接地した比較例構造の
液晶表示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す
写真の模式図。
電極を接続して両者を接地した構造の本発明に係る液晶
表示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す写真
の模式図、図７（Ｂ）は、ブラックマトリクスをフロー
ティング状態とし、コモン電極を接地した比較例構造の
液晶表示装置における光漏れの発生状況検査結果を示す
写真の模式図。
【図８】 実施例の液晶表示装置の透過率と駆動電圧と
の関係を示す図。
の関係を示す図。
【図９】 先に特許出願した明細書に記載された横電界
を付与する方式の液晶表示装置の線状電極を備えた基板
の平面図。
を付与する方式の液晶表示装置の線状電極を備えた基板
の平面図。
【図１０】 同線状電極に電圧を印加した場合の液晶分
子の配向状態を示す断面図。
子の配向状態を示す断面図。
【図１１】 図１１（ａ）は先に特許出願した明細書に
記載された横電界を付与する方式の液晶表示装置の暗状
態の液晶配列を示す図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の
側面図。
記載された横電界を付与する方式の液晶表示装置の暗状
態の液晶配列を示す図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の
側面図。
【図１２】 図１２（ａ）は先に特許出願した明細書に
記載された横電界を付与する方式の液晶表示装置明状態
の液晶配列を示す図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の側
面図。
記載された横電界を付与する方式の液晶表示装置明状態
の液晶配列を示す図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の側
面図。
【図１３】 横電界を付与する方式の液晶表示装置の一
例の断面構造を示す図。
例の断面構造を示す図。
【図１４】 図１４に示す構造の線状電極の配置例を示
す平面図。
す平面図。
【図１５】 本発明に係わる実施例の液晶表示装置のブ
ラックマトリクスとコモン電極とを同電位としたときの
透過率を１００％とし、ブラックマトリクスとコモン電
極との電位差と透過率の減少具合との関係を測定した結
果を示す図。
ラックマトリクスとコモン電極とを同電位としたときの
透過率を１００％とし、ブラックマトリクスとコモン電
極との電位差と透過率の減少具合との関係を測定した結
果を示す図。
【図１６】 本発明に係る構造の第３の形態を示す図。
【図１７】 本発明に係る構造の第４の形態を示す図。
【図１８】 本発明に係る構造の第５の形態を示す図。
Ｔ1 薄膜トランジスタ ４０、４１ 基板 ４２ 液晶層 ４３、４４ 偏光板 ４５ 液晶セル ５０ ゲート配線 ５１ 信号配線 ５３ コモン電極 ５４ 画素電極 ５６ コモン配線 ５７ 接続配線 ７０ 開口 ７１ ブラックマトリクス ７６ 導電膜 ８０ 絶縁膜 ８１ 導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶層が配設され、前記
一方の基板の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素
電極と協働して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を
印加するコモン電極とが複数の画素領域を形成するよう
に設けられるとともに、前記他方の基板の対向面上に前
記各画素領域の表示領域に対応する開口を有し前記画素
領域以外の非表示領域を覆う導電性のブラックマトリク
スが設けられ、前記ブラックマトリクスがコモン電極と
略同電位とされてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 一対の基板間に液晶層が配設され、前記
一方の基板の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素
電極と協働して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を
印加するコモン電極とが複数の画素領域を形成するよう
に設けられるとともに、前記他方の基板の対向面上に前
記各画素領域の表示領域に対応する開口を有し前記画素
領域以外の非表示領域を覆うブラックマトリクスが設け
られ、該ブラックマトリクス上方に絶縁膜を介して少な
くとも前記ブラックマトリクスの上方にコモン電極と略
同電位とされる導電膜が形成されたことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記略同電位が−０.５Ｖ以上、＋０.５
Ｖ以内の範囲にされてなることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記一方の基板に設けられた前記コモン
電極が基板端部側に延出形成され、前記他方の基板に設
けられた前記ブラックマトリクスまたは前記導電膜が基
板端部側に延出形成されるとともに、前記基板の端部側
において前記コモン電極と前記ブラックマトリクスまた
は前記導電膜が導電部材を介して電気的に接続されてな
ることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 一対の基板間にシール材により液晶が封
止され、前記一方の基板に設けられた前記コモン電極が
前記基板のシール材のシール位置よりも外方側に延出形
成され、前記他方の基板に設けられた前記ブラックマト
リクスまたは前記絶縁膜が前記基板のシール材のシール
位置よりも外方側に延出形成されるとともに、前記基板
シール材の外方側において前記コモン電極と前記ブラッ
クマトリクスまたは前記絶縁膜が基板間に設けられた導
電部材を介して電気的に接続されてなることを特徴とす
る請求項１または２記載の液晶表示装置。
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