JP2003098513A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2003098513A JP2003098513A JP2001289090A JP2001289090A JP2003098513A JP 2003098513 A JP2003098513 A JP 2003098513A JP 2001289090 A JP2001289090 A JP 2001289090A JP 2001289090 A JP2001289090 A JP 2001289090A JP 2003098513 A JP2003098513 A JP 2003098513A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性のある配向膜を備えるものを得る。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板の液
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、前記画素電極と対向電
極は、それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方
向に並設する複数の電極が交互に配列されて構成され、
前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、前記有機材料層は、その
上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの一方
の各電極で挟まれた領域にて、該各電極の層厚を越えな
い範囲で盛り上がりが形成されている。
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、前記画素電極と対向電
極は、それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方
向に並設する複数の電極が交互に配列されて構成され、
前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、前記有機材料層は、その
上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの一方
の各電極で挟まれた領域にて、該各電極の層厚を越えな
い範囲で盛り上がりが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】いわゆる横電界方式の液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の
該液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて配置さ
れる画素電極と対向電極を備え、これら各電極の間に発
生する電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を
挙動させるように構成されている。
液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の
該液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて配置さ
れる画素電極と対向電極を備え、これら各電極の間に発
生する電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を
挙動させるように構成されている。
【０００３】そして、このような液晶表示装置をいわゆ
るアクティブ・マトリクス型に適用させたものは、前記
一方の基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在されｙ方
向に並設されたゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向
に並設されたドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素
領域としている。
るアクティブ・マトリクス型に適用させたものは、前記
一方の基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在されｙ方
向に並設されたゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向
に並設されたドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素
領域としている。
【０００４】そして、これら画素領域には、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイ
ン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、
前記映像信号に対して基準となる対向電圧が供給される
前記対向電極とが備えられている。
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイ
ン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、
前記映像信号に対して基準となる対向電圧が供給される
前記対向電極とが備えられている。
【０００５】また、前記画素電極および対向電極はそれ
ぞれ複数個からなり、たとえばドレイン信号線とほぼ平
行にそれらが交互に配置され、しかも、これら電極群に
おいて対向電極は両脇に位置付けられて配置されるのが
通常となっている。
ぞれ複数個からなり、たとえばドレイン信号線とほぼ平
行にそれらが交互に配置され、しかも、これら電極群に
おいて対向電極は両脇に位置付けられて配置されるのが
通常となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような液
晶表示装置は、各画素領域の配向膜と接する最上層に多
数の電極群からなる画素電極あるいは対向電極が配置さ
れる構成となっていることから、該電極の段差が配向膜
にもそのまま反映し、該配向膜の表面に形成されるラビ
ングにおいてそれが信頼性よく形成されていない場合が
多くなっている。
晶表示装置は、各画素領域の配向膜と接する最上層に多
数の電極群からなる画素電極あるいは対向電極が配置さ
れる構成となっていることから、該電極の段差が配向膜
にもそのまま反映し、該配向膜の表面に形成されるラビ
ングにおいてそれが信頼性よく形成されていない場合が
多くなっている。
【０００７】特に、該電極の周辺からその外方近くにお
いてラビングが良好に形成されず、配向の弱い領域とな
っている。
いてラビングが良好に形成されず、配向の弱い領域とな
っている。
【０００８】このため、長時間の表示駆動を継続した場
合、該領域の液晶の分子の配向状態が乱れるようにな
り、表示のコントラスト比の低下をもたらすという現象
の発生を免れないものとなっている。
合、該領域の液晶の分子の配向状態が乱れるようにな
り、表示のコントラスト比の低下をもたらすという現象
の発生を免れないものとなっている。
【０００９】そして、横電界方式の場合、このような配
向の乱れは比較的短時間で残像現象が発生してくるとい
う不都合をももたらすようになることも指摘されてい
る。
向の乱れは比較的短時間で残像現象が発生してくるとい
う不都合をももたらすようになることも指摘されてい
る。
【００１０】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たもので、その目的は信頼性のある配向膜を備える液晶
表示装置を提供することにある。
たもので、その目的は信頼性のある配向膜を備える液晶
表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】手段１．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記有機材料層は、その上面に
形成された前記画素電極と対向電極のうちの一方の各電
極で挟まれた領域にて盛り上がりが形成されていること
を特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記有機材料層は、その上面に
形成された前記画素電極と対向電極のうちの一方の各電
極で挟まれた領域にて盛り上がりが形成されていること
を特徴とするものである。
【００１３】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１の構成を前提に、前記盛り上がりが前記
各電極の層厚を越えない範囲であることを特徴とするも
のである。
とえば、手段１の構成を前提に、前記盛り上がりが前記
各電極の層厚を越えない範囲であることを特徴とするも
のである。
【００１４】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記絶縁膜の有機材料層の厚さ
に対する前記絶縁膜の下層に形成される前記画素電極と
対向電極のうちの一方の電極の厚さの比率が０．２以上
に設定されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記絶縁膜の有機材料層の厚さ
に対する前記絶縁膜の下層に形成される前記画素電極と
対向電極のうちの一方の電極の厚さの比率が０．２以上
に設定されていることを特徴とするものである。
【００１５】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記有機材料層とこの有機材料
層の上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの
一方の各電極との圧縮および伸張の応力の差により、該
一方の各電極で挟まれた該有機材料層の領域にて盛り上
がりが形成されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜を介し
て層を異にして形成され、前記画素電極と対向電極は、
それぞれ一方向に延在されて該方向に交差する方向に並
設する複数の電極が交互に配列されて構成され、前記絶
縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層と
の順次積層体からなり、前記有機材料層とこの有機材料
層の上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの
一方の各電極との圧縮および伸張の応力の差により、該
一方の各電極で挟まれた該有機材料層の領域にて盛り上
がりが形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段４の構成を前提に、前記盛り上がりが前記
各電極の層厚を越えない範囲であることを特徴とするも
のである。
とえば、手段４の構成を前提に、前記盛り上がりが前記
各電極の層厚を越えない範囲であることを特徴とするも
のである。
【００１７】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段４あるいは５の構成を前提に、一方の各電
極の材料はｐ−ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯのいずれかで
形成されていることを特徴とするものである。
とえば、手段４あるいは５の構成を前提に、一方の各電
極の材料はｐ−ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯのいずれかで
形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段４あるいは５の構成を前提に、一方の各電
極の材料はＣｒあるいはＭｏあるいはＡｌ、もしくはそ
れらを含む金属で形成されていることを特徴とするもの
である。
とえば、手段４あるいは５の構成を前提に、一方の各電
極の材料はＣｒあるいはＭｏあるいはＡｌ、もしくはそ
れらを含む金属で形成されていることを特徴とするもの
である。
【００１９】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１から５のうちいずれかの構成を前提に、
有機材料層の膜厚は０．２５μｍより大きく２．０μｍ
より小さく設定されていることを特徴とするものであ
る。
とえば、手段１から５のうちいずれかの構成を前提に、
有機材料層の膜厚は０．２５μｍより大きく２．０μｍ
より小さく設定されていることを特徴とするものであ
る。
【００２０】手段９．本発明による液晶表示装置の製造
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
の液晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶
縁膜を介して層を異にして形成され、前記画素電極と対
向電極は、それぞれ一方向に延在されて該方向に交差す
る方向に並設する複数の電極が交互に配列されて構成さ
れ、前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有
機材料層との順次積層体からなり、前記有機材料層は、
その上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの
一方の各電極で挟まれた領域にて盛り上がりが形成さ
れ、該有機材料層の上面に前記一方の各電極をも被って
配向膜が形成されているものであって、前記配向膜はそ
の材料のＮＶ値が２％から１０％のを用いることを特徴
とするものである。
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
の液晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶
縁膜を介して層を異にして形成され、前記画素電極と対
向電極は、それぞれ一方向に延在されて該方向に交差す
る方向に並設する複数の電極が交互に配列されて構成さ
れ、前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有
機材料層との順次積層体からなり、前記有機材料層は、
その上面に形成された前記画素電極と対向電極のうちの
一方の各電極で挟まれた領域にて盛り上がりが形成さ
れ、該有機材料層の上面に前記一方の各電極をも被って
配向膜が形成されているものであって、前記配向膜はそ
の材料のＮＶ値が２％から１０％のを用いることを特徴
とするものである。
【００２１】手段１０．本発明による液晶表示装置の製
造方法は、たとえば、手段９の構成を前提に、前記盛り
上がりが前記各電極の層厚を越えない範囲であることを
特徴とするものである。
造方法は、たとえば、手段９の構成を前提に、前記盛り
上がりが前記各電極の層厚を越えない範囲であることを
特徴とするものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００２３】実施例１．図２は、本発明による液晶表示
装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は等価回
路図であるが、実際の幾何学的配置に対応させて描いて
いる。
装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は等価回
路図であるが、実際の幾何学的配置に対応させて描いて
いる。
【００２４】まず、液晶を介して互いに対向配置される
一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一
方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２
の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一
方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２
の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２５】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２６】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２７】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００２８】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００２９】この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【００３０】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００３１】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【００３２】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００３３】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３４】また、ｘ方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＴＭを構成している。こ
の端子ＣＴＭからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＴＭを構成している。こ
の端子ＣＴＭからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
【００３５】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査駆動
回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
【００３６】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【００３７】図１は、前記画素領域における構成を示す
平面図で、そのIII−III線における断面図を図３に、IV
−IV線における断面図を図４に示している。
平面図で、そのIII−III線における断面図を図３に、IV
−IV線における断面図を図４に示している。
【００３８】まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、
ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線
ＧＬが形成されている。
ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線
ＧＬが形成されている。
【００３９】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【００４０】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。
【００４１】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においては
その誘電体膜としての機能を有するようになっている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においては
その誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００４２】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
【００４３】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造ＭＩＳ
型トランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造ＭＩＳ
型トランジスタを構成することができる。
【００４４】ここで、前記ドレイン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【００４５】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
【００４６】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側へ延在されて、換言すれば該ソース電極Ｓ
Ｄ２と一体となって画素電極ＰＸが形成されている。
ら画素領域側へ延在されて、換言すれば該ソース電極Ｓ
Ｄ２と一体となって画素電極ＰＸが形成されている。
【００４７】この画素電極ＰＸは、たとえば図中ｙ方向
へ延在されｘ方向へ並設される２個の電極群から構成さ
れ、それらを互いに電気的に接続させるためにたとえば
画素領域上部において接続された“コ”状のパターンと
して形成されている。
へ延在されｘ方向へ並設される２個の電極群から構成さ
れ、それらを互いに電気的に接続させるためにたとえば
画素領域上部において接続された“コ”状のパターンと
して形成されている。
【００４８】この画素電極ＰＸの材料としては、金属層
のような非透光性の導電層で形成しても、また、たとえ
ばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ(Indium Zinc Oxi
de)あるいはＩＴＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）等のよ
うな透光性の導電層で形成してもよい。
のような非透光性の導電層で形成しても、また、たとえ
ばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ(Indium Zinc Oxi
de)あるいはＩＴＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）等のよ
うな透光性の導電層で形成してもよい。
【００４９】なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
【００５０】このコンタクト層は、たとえば半導体層Ａ
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
【００５１】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレ
イン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電
極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたと
えばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂からなる有機
材料層の保護膜ＰＳＶ２が順次積層されて形成されてい
る。
イン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電
極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたと
えばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂からなる有機
材料層の保護膜ＰＳＶ２が順次積層されて形成されてい
る。
【００５２】これら保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２は前記薄
膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する
膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せん
とするもので、このうち保護膜ＰＳＶ２は塗布により形
成できることからその表面を平坦化でき、それ自体の誘
電率が小さいことから保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２の誘電
率を小さくすることができる。
膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する
膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せん
とするもので、このうち保護膜ＰＳＶ２は塗布により形
成できることからその表面を平坦化でき、それ自体の誘
電率が小さいことから保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２の誘電
率を小さくすることができる。
【００５３】そして、保護膜ＰＳＶ２の表面には対向電
圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴが形成されている。
圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴが形成されている。
【００５４】ここで、対向電圧信号線ＣＬおよび対向電
極ＣＴはそれぞれ一体に形成されている。対向電圧信号
線ＣＬはゲート信号線ＧＬに重畳されかつ該ゲート信号
線ＧＬの走行方向に沿って形成され、対向電極ＣＴは隣
接する対向電圧信号線ＣＬとそれぞれ接続され図中ｙ方
向に延在されｘ方向に並設されたたとえば３個の電極群
から構成されている。
極ＣＴはそれぞれ一体に形成されている。対向電圧信号
線ＣＬはゲート信号線ＧＬに重畳されかつ該ゲート信号
線ＧＬの走行方向に沿って形成され、対向電極ＣＴは隣
接する対向電圧信号線ＣＬとそれぞれ接続され図中ｙ方
向に延在されｘ方向に並設されたたとえば３個の電極群
から構成されている。
【００５５】電極群からなる各対向電極ＣＴのうちの一
つは画素領域の中央、すなわち前記２個の画素電極ＰＸ
の中央を走行するようにして形成され、他の残りの二つ
はそれぞれ前記の対向電極ＣＴとで前記画素電極ＰＸを
間に配置するようにしてドレイン信号線ＤＬ側に形成さ
れている。
つは画素領域の中央、すなわち前記２個の画素電極ＰＸ
の中央を走行するようにして形成され、他の残りの二つ
はそれぞれ前記の対向電極ＣＴとで前記画素電極ＰＸを
間に配置するようにしてドレイン信号線ＤＬ側に形成さ
れている。
【００５６】ドレイン信号線ＤＬ側の対向電極ＣＴはｘ
方向側に隣接する他の画素領域のドレイン信号線ＤＬ側
の対向電極ＣＴと共通に形成され、これにより、この対
向電極ＣＴは互いの中心軸をほぼ一致させて該ドレイン
信号線ＤＬに重畳されて形成されているとともに、該ド
レイン信号線ＤＬの幅よりも大きな幅を有するようにし
て形成されている。
方向側に隣接する他の画素領域のドレイン信号線ＤＬ側
の対向電極ＣＴと共通に形成され、これにより、この対
向電極ＣＴは互いの中心軸をほぼ一致させて該ドレイン
信号線ＤＬに重畳されて形成されているとともに、該ド
レイン信号線ＤＬの幅よりも大きな幅を有するようにし
て形成されている。
【００５７】これにより、ドレイン信号線ＤＬからの電
界がそれに重畳されて配置される対向電極ＣＴに終端さ
せやすくでき、該対向電極ＣＴに隣接して配置される画
素電極ＰＸに終端するのを回避させることができる。す
なわち該画素電極ＰＸに該電界が終端した場合にそれが
ノイズとなってしまうのを防止できるようになる。
界がそれに重畳されて配置される対向電極ＣＴに終端さ
せやすくでき、該対向電極ＣＴに隣接して配置される画
素電極ＰＸに終端するのを回避させることができる。す
なわち該画素電極ＰＸに該電界が終端した場合にそれが
ノイズとなってしまうのを防止できるようになる。
【００５８】この場合、ドレイン信号線ＤＬと前記対向
電極ＣＴとの間に介在される保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２
のうち保護膜ＰＳＶ２は、誘電率の低い有機材料層から
構成されているため、上述した効果をより確実なものと
することができる。
電極ＣＴとの間に介在される保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２
のうち保護膜ＰＳＶ２は、誘電率の低い有機材料層から
構成されているため、上述した効果をより確実なものと
することができる。
【００５９】なお、対向電圧信号線ＣＬおよび対向電極
ＰＴの材料としては、金属層のような非透光性の導電層
で形成しても、また、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxid
e)、ＩＺＯ(Indium Zinc Oxide)、あるいはＩＴＺＯ（I
ndium Tin Zinc Oxide）等のような透光性の導電層で形
成してもよい。
ＰＴの材料としては、金属層のような非透光性の導電層
で形成しても、また、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxid
e)、ＩＺＯ(Indium Zinc Oxide)、あるいはＩＴＺＯ（I
ndium Tin Zinc Oxide）等のような透光性の導電層で形
成してもよい。
【００６０】そして、図４で明らかとなるように、各対
向電極ＣＴから露出された有機材料層からなる保護膜Ｐ
ＳＶ２の表面は、隣接する各対向電極ＣＴの側にて末広
がりとなるように若干の盛り上がりが形成されている。
向電極ＣＴから露出された有機材料層からなる保護膜Ｐ
ＳＶ２の表面は、隣接する各対向電極ＣＴの側にて末広
がりとなるように若干の盛り上がりが形成されている。
【００６１】換言すれば、隣接する各対向電極ＣＴの間
の帯状の保護膜ＰＳＶ２の露出面は、その長手方向に一
致する中心軸の部分で頂上部を有し前記対向電極ＣＴの
それぞれの側へ滑らかに低くなっている。
の帯状の保護膜ＰＳＶ２の露出面は、その長手方向に一
致する中心軸の部分で頂上部を有し前記対向電極ＣＴの
それぞれの側へ滑らかに低くなっている。
【００６２】そして、このような構成において、前記対
向電極ＣＴをも被って保護膜ＰＳＶ２の上面に配向膜Ｏ
ＲＩ１の材料となる樹脂膜が塗布により形成されてい
る。
向電極ＣＴをも被って保護膜ＰＳＶ２の上面に配向膜Ｏ
ＲＩ１の材料となる樹脂膜が塗布により形成されてい
る。
【００６３】この場合、この樹脂膜は対向電極ＣＴの表
面からその段差の部分へ、また保護膜の表面から末広が
りの部分へ流れ込むようにして形成され、結果として、
対向電極ＣＴの上面の該樹脂膜と保護膜ＰＳＶ２の上面
の該樹脂膜をその段差が大幅に低減された状態で形成す
ることができる。
面からその段差の部分へ、また保護膜の表面から末広が
りの部分へ流れ込むようにして形成され、結果として、
対向電極ＣＴの上面の該樹脂膜と保護膜ＰＳＶ２の上面
の該樹脂膜をその段差が大幅に低減された状態で形成す
ることができる。
【００６４】すなわち、配向膜ＯＲＩ１の材料となる樹
脂膜の表面はその高さにおいて大幅な均一化が図られ、
その後のラビング処理において該ラビングを信頼性よく
行うことができるようになる。
脂膜の表面はその高さにおいて大幅な均一化が図られ、
その後のラビング処理において該ラビングを信頼性よく
行うことができるようになる。
【００６５】図５は、有機材料からなる保護膜の膜厚を
Ａ、該保護膜の下層の電極となる画素電極ＰＸの膜厚を
Ｂ、対向電極ＣＴの膜厚をＤ、前記保護膜の表面の盛り
上がりの高さをＣとした場合の、Ｂ／Ａに対するＣ／Ａ
の関係を実験的に確かめた際の結果を示すグラフであ
る。
Ａ、該保護膜の下層の電極となる画素電極ＰＸの膜厚を
Ｂ、対向電極ＣＴの膜厚をＤ、前記保護膜の表面の盛り
上がりの高さをＣとした場合の、Ｂ／Ａに対するＣ／Ａ
の関係を実験的に確かめた際の結果を示すグラフであ
る。
【００６６】このグラフから明らかになるように、保護
膜の表面の盛り上がりは、この下層の画素電極ＰＸの膜
厚がそのまま反映するのではなく、保護膜の膜厚に対し
て該画素電極ＰＸの膜厚がどの位の割合で形成されてい
るかに反映されることにある。
膜の表面の盛り上がりは、この下層の画素電極ＰＸの膜
厚がそのまま反映するのではなく、保護膜の膜厚に対し
て該画素電極ＰＸの膜厚がどの位の割合で形成されてい
るかに反映されることにある。
【００６７】換言すれば、画素電極ＰＸの膜厚が予め設
定されている場合、それに対して保護膜の厚さをどの位
にするかによって、上述したような保護膜の表面に適切
な高さの盛り上がりを形成できることを意味する。
定されている場合、それに対して保護膜の厚さをどの位
にするかによって、上述したような保護膜の表面に適切
な高さの盛り上がりを形成できることを意味する。
【００６８】たとえば、画素電極ＰＸの膜厚が２に対し
て保護膜の膜厚が１０以上であった場合、Ｂ／Ａは０．
２以下となり、該保護膜の表面には全く盛り上がりが形
成されないことが判明する。
て保護膜の膜厚が１０以上であった場合、Ｂ／Ａは０．
２以下となり、該保護膜の表面には全く盛り上がりが形
成されないことが判明する。
【００６９】したがって、保護膜の表面に盛り上がりを
形成するためには、画素電極ＰＸの膜厚が２に対して保
護膜の膜厚を１０以下とする必要があり、しかも該盛り
上がりの高さを対向電極ＣＴの膜厚に近づける場合には
該保護膜の膜厚をさらに小さくする必要がある。
形成するためには、画素電極ＰＸの膜厚が２に対して保
護膜の膜厚を１０以下とする必要があり、しかも該盛り
上がりの高さを対向電極ＣＴの膜厚に近づける場合には
該保護膜の膜厚をさらに小さくする必要がある。
【００７０】最も効果的な構成としては保護膜の盛り上
がりの高さを対向電極ＣＴの膜厚と一致させることにあ
るが、必ずしもこのような構成としなくても実際上支障
のない十分な効果が得られる。盛り上がり形状自体の存
在により効果が得られるためである。
がりの高さを対向電極ＣＴの膜厚と一致させることにあ
るが、必ずしもこのような構成としなくても実際上支障
のない十分な効果が得られる。盛り上がり形状自体の存
在により効果が得られるためである。
【００７１】また、前記頂上部の高さは前記対向電極Ｃ
Ｔの膜厚を超えないように設定されていることによって
も大きな効果を得ることができる。
Ｔの膜厚を超えないように設定されていることによって
も大きな効果を得ることができる。
【００７２】なお、上述した実施例では、一画素領域当
たりの画素電極ＰＸの本数を２本に対向電極ＣＴの本数
を３本としたものである。しかし、これらの本数に限定
されることはなく、たとえば画素電極ＰＸの本数を３本
に対向電極ＣＴの本数を４本とするようにしてもよいこ
とはいうまでもない。また、このことは以下に説明する
実施例の場合でも同様である。
たりの画素電極ＰＸの本数を２本に対向電極ＣＴの本数
を３本としたものである。しかし、これらの本数に限定
されることはなく、たとえば画素電極ＰＸの本数を３本
に対向電極ＣＴの本数を４本とするようにしてもよいこ
とはいうまでもない。また、このことは以下に説明する
実施例の場合でも同様である。
【００７３】実施例２．実施例１では、画素電極ＰＸの
膜厚に対して保護膜の膜厚をどの位にするかによって、
該保護膜の表面の盛り上がりを形成したものである。
膜厚に対して保護膜の膜厚をどの位にするかによって、
該保護膜の表面の盛り上がりを形成したものである。
【００７４】しかし、対向電極ＣＴの材料を特定するこ
とにより、これらの応力と保護膜の応力との差によっ
て、該保護膜の表面に盛り上がりが形成されることが確
認された。
とにより、これらの応力と保護膜の応力との差によっ
て、該保護膜の表面に盛り上がりが形成されることが確
認された。
【００７５】この場合、画素電極ＰＸおよび対向電極Ｃ
Ｔは、図１に示したように、少なくとも一方が細線状の
電極群から構成され、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ
２上に配置されていることが前提となっている。
Ｔは、図１に示したように、少なくとも一方が細線状の
電極群から構成され、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ
２上に配置されていることが前提となっている。
【００７６】対向電極ＣＴが保護膜ＰＳＶ２上に形成し
た場合、対向電極ＣＴを透光性材料であるａ−ＩＴＯ
（アモルファスＩＴＯ）、ｐ−ＩＴＯ（ポリＩＴＯ）、
ＩＺＯ、ＩＴＺＯのそれぞれについて試みた場合、ｐ−
ＩＴＯにおいて保護膜ＰＳＶ２の表面の盛り上がりが顕
著に発生することが確かめられた。また、ＩＴＺＯ、Ｉ
ＺＯにおいても発生が認められたが、ａ−ＩＴＯは比較
して発生量が少なかった。
た場合、対向電極ＣＴを透光性材料であるａ−ＩＴＯ
（アモルファスＩＴＯ）、ｐ−ＩＴＯ（ポリＩＴＯ）、
ＩＺＯ、ＩＴＺＯのそれぞれについて試みた場合、ｐ−
ＩＴＯにおいて保護膜ＰＳＶ２の表面の盛り上がりが顕
著に発生することが確かめられた。また、ＩＴＺＯ、Ｉ
ＺＯにおいても発生が認められたが、ａ−ＩＴＯは比較
して発生量が少なかった。
【００７７】また、対向電極ＣＴを金属材料であるＣｒ
系材料、Ｍｏ系材料、Ａｌ系材料のそれぞれについて試
みた場合、Ａｌ系材料において保護膜ＰＳＶ２の表面の
盛り上がりはほとんど発生しなかったが、Ｃｒ系材料、
Ｍｏ系材料において発生することが確かめられた。
系材料、Ｍｏ系材料、Ａｌ系材料のそれぞれについて試
みた場合、Ａｌ系材料において保護膜ＰＳＶ２の表面の
盛り上がりはほとんど発生しなかったが、Ｃｒ系材料、
Ｍｏ系材料において発生することが確かめられた。
【００７８】ここで、たとえばＣｒ系材料とはＣｒ自身
の材料およびＣｒを含む合金あるいは積層体をいう。
の材料およびＣｒを含む合金あるいは積層体をいう。
【００７９】この実施例に示した構成は、前記実施例１
に示した構成と独立に構成するようにしてもよいが、実
施例１の構成と組み合わせた構成とするようにしてもよ
いことはいうまでもない。
に示した構成と独立に構成するようにしてもよいが、実
施例１の構成と組み合わせた構成とするようにしてもよ
いことはいうまでもない。
【００８０】実施例３．図６は、図１に示した液晶表示
装置の構成において、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ
２の膜厚に対する該保護膜ＰＳＶ２の表面の盛り上がり
がどの位になるかを示したグラフである。
装置の構成において、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ
２の膜厚に対する該保護膜ＰＳＶ２の表面の盛り上がり
がどの位になるかを示したグラフである。
【００８１】この図から明らかとなるように、保護膜Ｐ
ＳＶ２の表面の盛り上がり量は該保護膜ＰＳＶ２の膜厚
に依存していることが明らかとなる。
ＳＶ２の表面の盛り上がり量は該保護膜ＰＳＶ２の膜厚
に依存していることが明らかとなる。
【００８２】ラビング処理を含めた信頼性ある配向膜を
形成するには、保護膜ＰＳＶ２の盛り上がり（Ｄ／Ｃ）
は０．０５以上あればよいとした場合、該保護膜ＰＳＶ
２の膜厚は０．２５μｍより大きく、２．０μｍより小
さければよいことが明らかとなる。すなわち、０．２５
μｍ＜保護膜ＰＳＶ２の膜厚＜２．０μｍの関係が成立
していれば十分となる。
形成するには、保護膜ＰＳＶ２の盛り上がり（Ｄ／Ｃ）
は０．０５以上あればよいとした場合、該保護膜ＰＳＶ
２の膜厚は０．２５μｍより大きく、２．０μｍより小
さければよいことが明らかとなる。すなわち、０．２５
μｍ＜保護膜ＰＳＶ２の膜厚＜２．０μｍの関係が成立
していれば十分となる。
【００８３】また、さらに配向膜をより信頼性あるもの
とするため、保護膜ＰＳＶ２の盛り上がり（Ｄ／Ｃ）を
０．２以上に設定せんとした場合、該保護膜ＰＳＶ２の
膜厚は０．５μｍより大きく、１．６μｍより小さけれ
ばよいことが明らかとなる。すなわち、０．５μｍ＜保
護膜ＰＳＶ２の膜厚＜１．６μｍの関係が生じていれば
十分となる。
とするため、保護膜ＰＳＶ２の盛り上がり（Ｄ／Ｃ）を
０．２以上に設定せんとした場合、該保護膜ＰＳＶ２の
膜厚は０．５μｍより大きく、１．６μｍより小さけれ
ばよいことが明らかとなる。すなわち、０．５μｍ＜保
護膜ＰＳＶ２の膜厚＜１．６μｍの関係が生じていれば
十分となる。
【００８４】実施例４．図７は、上記構成による液晶表
示装置における配向膜の製造方法の一実施例を示す工程
図を示している。
示装置における配向膜の製造方法の一実施例を示す工程
図を示している。
【００８５】工程１．（図７（ａ））
上記各実施例に示した構成を採用することにより、有機
材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の表面に盛り上がりを形
成した工程まで加工した透明基板ＳＵＢ１を用意する。
材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の表面に盛り上がりを形
成した工程まで加工した透明基板ＳＵＢ１を用意する。
【００８６】工程２．（図７（ｂ））
対向電極ＣＴをも被って保護膜ＰＳＶ２の上面に配向膜
の材料となる樹脂膜をたとえば印刷法により膜厚５０〜
１５０ｎｍで形成する。なお、この場合の対向電極ＣＴ
の膜厚は４０〜３００ｎｍとなっている。
の材料となる樹脂膜をたとえば印刷法により膜厚５０〜
１５０ｎｍで形成する。なお、この場合の対向電極ＣＴ
の膜厚は４０〜３００ｎｍとなっている。
【００８７】工程３．（図７（ｃ））
１００℃以下の温度で溶媒乾燥を行う（レベリング）。
この際に配向膜の材料は高い方から低い方へ移動する現
象が見られ、これにより該材料の平坦化が図れるように
なる。
この際に配向膜の材料は高い方から低い方へ移動する現
象が見られ、これにより該材料の平坦化が図れるように
なる。
【００８８】この場合、配向膜の材料の移動はそのＮＶ
値に依存することが確かめられている。ＮＶ値は該材料
の溶液中の固形分濃度をパーセント（％）で示すもの
で、その値が低いほど粘性が低くなる。
値に依存することが確かめられている。ＮＶ値は該材料
の溶液中の固形分濃度をパーセント（％）で示すもの
で、その値が低いほど粘性が低くなる。
【００８９】この実施例においては、該ＮＶ値として２
〜１０％の範囲にあることが望ましい。仮に２％以下だ
と対向電極ＣＴ上に形成される配向膜の厚さが薄くな
り、１０％を越えると配向膜の材料の粘度が高すぎてこ
の工程で見られる移動がなされないからである。
〜１０％の範囲にあることが望ましい。仮に２％以下だ
と対向電極ＣＴ上に形成される配向膜の厚さが薄くな
り、１０％を越えると配向膜の材料の粘度が高すぎてこ
の工程で見られる移動がなされないからである。
【００９０】工程４．（図７（ｄ））
温度１７０〜２５０℃程度の高温で焼成し、該配向膜の
材料のイミド化反応を進行させる。
材料のイミド化反応を進行させる。
【００９１】本実施例による配向膜材料の移動には前記
の盛り上がり形状こそが重要となり、少なくとも最上層
の電極間で保護膜が盛り上がっていればよい。特に、盛
り上がり部が最上層の電極の高さ以下であればより平坦
化の効果を得ることができる。
の盛り上がり形状こそが重要となり、少なくとも最上層
の電極間で保護膜が盛り上がっていればよい。特に、盛
り上がり部が最上層の電極の高さ以下であればより平坦
化の効果を得ることができる。
【００９２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、信頼性のある配向
膜を備えるものを得ることができる。
本発明による液晶表示装置によれば、信頼性のある配向
膜を備えるものを得ることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】電極に挟まれた有機材料層からなる保護膜の表
面の盛り上がりの高さを検証するグラフである。
面の盛り上がりの高さを検証するグラフである。
【図６】有機材料層からなる保護膜のその厚さと表面の
盛り上がりの関係を示すグラフである。
盛り上がりの関係を示すグラフである。
【図７】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図である。
例を示す工程図である。
ＳＵＢ……透明基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……
ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＴＦＴ……
薄膜トランジスタ、ＡＳ……半導体層、ＳＤ１……ドレ
イン電極、ＳＤ２……ソース電極、ＰＸ……画素電極、
ＣＴ……対向電極、ＰＳＶ１……保護膜（無機材料
層）、ＰＳＶ２……保護膜（有機材料層）。
ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＴＦＴ……
薄膜トランジスタ、ＡＳ……半導体層、ＳＤ１……ドレ
イン電極、ＳＤ２……ソース電極、ＰＸ……画素電極、
ＣＴ……対向電極、ＰＳＶ１……保護膜（無機材料
層）、ＰＳＶ２……保護膜（有機材料層）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８Ａ
9/35 9/35
(72)発明者 柳川 和彦
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA15 HB02X HB07X
HC01 HD03 HD14 LA01 MA02
MA07 MA17 MB01
2H092 GA14 GA17 NA04 PA02
5C094 AA31 BA03 BA43 CA19 DA15
EA04 EA07 FA04 FB15 JA08
5G435 AA14 BB12 CC09 KK05 KK09
KK10
Claims (10)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板の液
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、 前記画素電極と対向電極は、それぞれ一方向に延在され
て該方向に交差する方向に並設する複数の電極が交互に
配列されて構成され、 前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、 前記有機材料層は、その上面に形成された前記画素電極
と対向電極のうちの一方の各電極で挟まれた領域にて盛
り上がりが形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記盛り上がりが前記各電極の層厚を越
えない範囲であることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板の液
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、 前記画素電極と対向電極は、それぞれ一方向に延在され
て該方向に交差する方向に並設する複数の電極が交互に
配列されて構成され、 前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、 前記絶縁膜の有機材料層の厚さに対する前記絶縁膜の下
層に形成される前記画素電極と対向電極のうちの一方の
電極の厚さの比率が０．２以上に設定されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板の液
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、 前記画素電極と対向電極は、それぞれ一方向に延在され
て該方向に交差する方向に並設する複数の電極が交互に
配列されて構成され、 前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、 前記有機材料層とこの有機材料層の上面に形成された前
記画素電極と対向電極のうちの一方の各電極との圧縮お
よび伸張の応力の差により、該一方の各電極で挟まれた
該有機材料層の領域にて盛り上がりが形成されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記盛り上がりが前記各電極の層厚を越
えない範囲であることを特徴とする請求項４に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項６】 一方の各電極の材料はｐ−ＩＴＯ、ＩＺ
Ｏ、ＩＴＺＯのいずれかで形成されていることを特徴と
する請求項４あるいは５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 一方の各電極の材料はＣｒあるいはＭｏ
あるいはＡｌ、もしくはそれらを含む金属で形成されて
いることを特徴とする請求項４あるいは５に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項８】 有機材料層の膜厚は０．２５μｍより大
きく２．０μｍより小さく設定されていることを特徴と
する請求項１から５に記載のうちいずれかに記載の液晶
表示装置。 - 【請求項９】 液晶を介して対向配置される各基板の液
晶側の面の画素領域に、画素電極と対向電極とが絶縁膜
を介して層を異にして形成され、 前記画素電極と対向電極は、それぞれ一方向に延在され
て該方向に交差する方向に並設する複数の電極が交互に
配列されて構成され、 前記絶縁膜は有機材料層、あるいは無機材料層と有機材
料層との順次積層体からなり、 前記有機材料層は、その上面に形成された前記画素電極
と対向電極のうちの一方の各電極で挟まれた領域にて盛
り上がりが形成され、該有機材料層の上面に前記一方の
各電極をも被って配向膜が形成されているものであっ
て、 前記配向膜はその材料のＮＶ値が２％から１０％のを用
いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記盛り上がりが前記各電極の層厚を
越えない範囲であることを特徴とする請求項９に記載の
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289090A JP2003098513A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289090A JP2003098513A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003098513A true JP2003098513A (ja) | 2003-04-03 |
Family
ID=19111637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289090A Pending JP2003098513A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003098513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2856505A1 (fr) * | 2003-06-17 | 2004-12-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001289090A patent/JP2003098513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2856505A1 (fr) * | 2003-06-17 | 2004-12-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| US7385661B2 (en) | 2003-06-17 | 2008-06-10 | Lg Displays Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
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