JP2001183700A - 反射型液晶装置および電子機器 - Google Patents
反射型液晶装置および電子機器Info
- Publication number
- JP2001183700A JP2001183700A JP36495399A JP36495399A JP2001183700A JP 2001183700 A JP2001183700 A JP 2001183700A JP 36495399 A JP36495399 A JP 36495399A JP 36495399 A JP36495399 A JP 36495399A JP 2001183700 A JP2001183700 A JP 2001183700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- common electrode
- crystal device
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接画素の電界の影響によるディスクリネー
ションを抑制し、明るく、コントラストの高い表示が得
られる反射型液晶装置を提供する。 【解決手段】 本発明の反射型液晶表示装置は、ＴＦＴ
アレイ基板上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、
これら走査線およびデータ線により区画された各画素領
域毎に設けられたＴＦＴ、共通電極９、共通電極９との
間で横電界を発生させる画素電極８と、反射電極１４と
が設けられている。
ションを抑制し、明るく、コントラストの高い表示が得
られる反射型液晶装置を提供する。 【解決手段】 本発明の反射型液晶表示装置は、ＴＦＴ
アレイ基板上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、
これら走査線およびデータ線により区画された各画素領
域毎に設けられたＴＦＴ、共通電極９、共通電極９との
間で横電界を発生させる画素電極８と、反射電極１４と
が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶装置お
よび電子機器に関し、特に横電界モードを適用した反射
型液晶装置に関するものである。
よび電子機器に関し、特に横電界モードを適用した反射
型液晶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】反射モードの液晶表示方式を用いた投射
型液晶表示装置が従来から知られている。この種の投射
型液晶表示装置の一構成例を図１６に示す。本例の投射
型液晶表示装置は、光源１０１と、光源１０１からの出
射光を平行光に変換するレンズ１０２と、一方の偏光を
反射するとともに他方の偏光を透過する偏光ビームスプ
リッタ１０３と、平行光を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の３原色に分離、合成するダイクロイックプリズ
ム１０４などの光学部材からなる色分離合成系を有して
いる。そして、上記の色分離合成系で分離された３原色
の光を入射光とし、それぞれの色の画像信号に応じて反
射率を制御して反射する３枚の反射モード液晶ライトバ
ルブ１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂと、この反射光を再
び色分離合成系で合成し、スクリーン１０６上に拡大投
影する投射レンズ１０７を有している。
型液晶表示装置が従来から知られている。この種の投射
型液晶表示装置の一構成例を図１６に示す。本例の投射
型液晶表示装置は、光源１０１と、光源１０１からの出
射光を平行光に変換するレンズ１０２と、一方の偏光を
反射するとともに他方の偏光を透過する偏光ビームスプ
リッタ１０３と、平行光を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の３原色に分離、合成するダイクロイックプリズ
ム１０４などの光学部材からなる色分離合成系を有して
いる。そして、上記の色分離合成系で分離された３原色
の光を入射光とし、それぞれの色の画像信号に応じて反
射率を制御して反射する３枚の反射モード液晶ライトバ
ルブ１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂと、この反射光を再
び色分離合成系で合成し、スクリーン１０６上に拡大投
影する投射レンズ１０７を有している。
【０００３】図１７は反射モード液晶ライトバルブの一
構成例を示している。この図に示すように、素子基板１
１０、対向基板１１１の２枚の透明基板の間に枠状のシ
ール材１１２が挟持され、液晶１１３が封止されてい
る。この液晶１１３は、電圧無印加時に液晶分子をほぼ
垂直に配向させ、負の誘電率異方性を有する材料を用い
て、電圧印加時に液晶分子を水平に傾斜させる（以下、
垂直配向モードという）ものである。素子基板１１０の
上面に、反射膜と画素電極とを兼ねた反射電極１１４が
複数配置されている。例えばこの素子基板１１０がスイ
ッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transist
or, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマト
リクス基板であったとすると、多数の反射電極１１４が
マトリクス状に配置され、各反射電極１１４が格子状に
配置されたデータ線（図示略）および走査線（図示略）
にＴＦＴ（図示略）を介して接続される。この反射電極
１１４は通常、銀やアルミニウム等の金属で形成され、
その表面は対向基板１１１側から入射する光を反射する
反射面となっている。反射電極１１４上には配向膜１１
５が設けられている。他方、対向基板１１１上には、隣
接する反射電極１１４の間にあたる領域に遮光膜１１６
が設けられ、遮光膜１１６を覆う絶縁膜１１７が設けら
れ、絶縁膜１１７上にインジウム錫酸化物（Indium Tin
Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜から
なる対向電極１１８が設けられている。対向電極１１８
上には配向膜１１９が設けられている。さらに、対向基
板１１１の外側に位相差板１２０、偏光板１２１が設け
られている。
構成例を示している。この図に示すように、素子基板１
１０、対向基板１１１の２枚の透明基板の間に枠状のシ
ール材１１２が挟持され、液晶１１３が封止されてい
る。この液晶１１３は、電圧無印加時に液晶分子をほぼ
垂直に配向させ、負の誘電率異方性を有する材料を用い
て、電圧印加時に液晶分子を水平に傾斜させる（以下、
垂直配向モードという）ものである。素子基板１１０の
上面に、反射膜と画素電極とを兼ねた反射電極１１４が
複数配置されている。例えばこの素子基板１１０がスイ
ッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transist
or, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマト
リクス基板であったとすると、多数の反射電極１１４が
マトリクス状に配置され、各反射電極１１４が格子状に
配置されたデータ線（図示略）および走査線（図示略）
にＴＦＴ（図示略）を介して接続される。この反射電極
１１４は通常、銀やアルミニウム等の金属で形成され、
その表面は対向基板１１１側から入射する光を反射する
反射面となっている。反射電極１１４上には配向膜１１
５が設けられている。他方、対向基板１１１上には、隣
接する反射電極１１４の間にあたる領域に遮光膜１１６
が設けられ、遮光膜１１６を覆う絶縁膜１１７が設けら
れ、絶縁膜１１７上にインジウム錫酸化物（Indium Tin
Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜から
なる対向電極１１８が設けられている。対向電極１１８
上には配向膜１１９が設けられている。さらに、対向基
板１１１の外側に位相差板１２０、偏光板１２１が設け
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の反射型液晶ライトバルブには、以下のような問題点
があった。
成の反射型液晶ライトバルブには、以下のような問題点
があった。
【０００５】反射型液晶ライトバルブには、従来から垂
直配向モードの液晶が検討されてきた。その理由は、垂
直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配
列された状態（法線方向から見た光学的リターデーショ
ンが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の画質が
良く、高いコントラストが得られる。また、正面コント
ラストに優れる垂直配向モードのＴＮ液晶では、一定の
コントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのツ
イステッド・ネマティック（Twisted Nematic,以下、Ｔ
Ｎと略記する）液晶に比較して広くなる。さらに、ＴＮ
方式に比較して液晶層にツイスト構造を用いないため、
応答速度が速い、といった種々の効果が期待できるから
である。
直配向モードの液晶が検討されてきた。その理由は、垂
直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配
列された状態（法線方向から見た光学的リターデーショ
ンが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の画質が
良く、高いコントラストが得られる。また、正面コント
ラストに優れる垂直配向モードのＴＮ液晶では、一定の
コントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのツ
イステッド・ネマティック（Twisted Nematic,以下、Ｔ
Ｎと略記する）液晶に比較して広くなる。さらに、ＴＮ
方式に比較して液晶層にツイスト構造を用いないため、
応答速度が速い、といった種々の効果が期待できるから
である。
【０００６】このような利点を有する垂直配向モードで
あるが、その反面、反射型液晶ライトバルブに適用した
場合、ディスクリネーション（液晶の配向不良）の発生
が避けられず、実際のところ、明るく、コントラストの
高い反射型液晶ライトバルブを得るのは困難であった。
あるが、その反面、反射型液晶ライトバルブに適用した
場合、ディスクリネーション（液晶の配向不良）の発生
が避けられず、実際のところ、明るく、コントラストの
高い反射型液晶ライトバルブを得るのは困難であった。
【０００７】図１８は、垂直配向モードの反射型液晶表
示装置において、液晶に印加される電界と光の透過率を
シミュレーションした結果を示している。図において、
符号１３０は画素電極（反射電極）、１３１は対向電
極、１点鎖線で示した曲線Ｅは等電位線、実線で示した
曲線Ｔは透過率曲線である。また、１つの画素電極に共
通電極に対して＋５Ｖの電圧（以下、画素電極の電圧の
設定は共通電極に対して、また共通電極の電圧の設定は
液晶に印加する電圧幅の中心電圧に対してである）が印
加されたとするとその隣の画素電極には−５Ｖの電圧が
印加されるというように、隣接する画素電極に逆極性の
電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の
駆動方式を採用するものとする。また、本例では垂直配
向モードの液晶を用いているので、液晶分子は等電位線
に沿う方向に傾斜する。
示装置において、液晶に印加される電界と光の透過率を
シミュレーションした結果を示している。図において、
符号１３０は画素電極（反射電極）、１３１は対向電
極、１点鎖線で示した曲線Ｅは等電位線、実線で示した
曲線Ｔは透過率曲線である。また、１つの画素電極に共
通電極に対して＋５Ｖの電圧（以下、画素電極の電圧の
設定は共通電極に対して、また共通電極の電圧の設定は
液晶に印加する電圧幅の中心電圧に対してである）が印
加されたとするとその隣の画素電極には−５Ｖの電圧が
印加されるというように、隣接する画素電極に逆極性の
電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の
駆動方式を採用するものとする。また、本例では垂直配
向モードの液晶を用いているので、液晶分子は等電位線
に沿う方向に傾斜する。
【０００８】１つの画素領域Ｒに着目すると、画素領域
Ｒの中央にディスクリネーションが発生しているのに加
え、隣接する画素電極に印加される電界の影響を受けて
画素領域Ｒの端部にもディスクリネーションの発生が見
られる。ドット反転駆動等の駆動方式を採る以上、画素
領域中央部のディスクリネーションと画素領域端部のデ
ィスクリネーションを抑制しない限り、明るく、コント
ラストの高い表示は期待できない。
Ｒの中央にディスクリネーションが発生しているのに加
え、隣接する画素電極に印加される電界の影響を受けて
画素領域Ｒの端部にもディスクリネーションの発生が見
られる。ドット反転駆動等の駆動方式を採る以上、画素
領域中央部のディスクリネーションと画素領域端部のデ
ィスクリネーションを抑制しない限り、明るく、コント
ラストの高い表示は期待できない。
【０００９】以上、垂直配向モードの場合を例に挙げて
説明したが、水平配向モードのＴＮ液晶を用いた場合で
も、全く同様の問題点があった。
説明したが、水平配向モードのＴＮ液晶を用いた場合で
も、全く同様の問題点があった。
【００１０】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、隣接画素の電界の影響によるディ
スクリネーションを抑制し、明るく、コントラストの高
い表示が得られる反射型液晶装置およびこれを用いた電
子機器を提供することを目的とする。
されたものであって、隣接画素の電界の影響によるディ
スクリネーションを抑制し、明るく、コントラストの高
い表示が得られる反射型液晶装置およびこれを用いた電
子機器を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の反射型液晶装置は、素子基板と対向基板
からなる一対の基板間に液晶が挟持され、前記素子基板
上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、これら走査
線およびデータ線により区画された各画素領域毎に設け
られたスイッチング素子および共通電極および該共通電
極との間で横電界を発生させる画素電極と、前記対向基
板側から前記液晶を透過して入射される光を反射する反
射層とが設けられたことを特徴とする。
めに、本発明の反射型液晶装置は、素子基板と対向基板
からなる一対の基板間に液晶が挟持され、前記素子基板
上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、これら走査
線およびデータ線により区画された各画素領域毎に設け
られたスイッチング素子および共通電極および該共通電
極との間で横電界を発生させる画素電極と、前記対向基
板側から前記液晶を透過して入射される光を反射する反
射層とが設けられたことを特徴とする。
【００１２】すなわち、本発明の反射型液晶装置は、素
子基板上に共通電極と画素電極とを設け、これら電極間
で横電界を発生させる横電界モードの液晶装置を反射型
液晶装置に適用したものである。本発明者らは、素子基
板上に共通電極と画素電極とを備えた横電界モードの反
射型液晶装置について、図１８に示したのと同様の液晶
への印加電界と液晶分子の配列とのシミュレーションを
実施した。その結果、横電界モードの適用によって隣接
画素からの印加電界の影響を低減でき、特に画素領域端
部のディスクリネーションを充分に抑制できることを発
見した。この構成により、従来に比べて明るく、コント
ラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現でき
る。
子基板上に共通電極と画素電極とを設け、これら電極間
で横電界を発生させる横電界モードの液晶装置を反射型
液晶装置に適用したものである。本発明者らは、素子基
板上に共通電極と画素電極とを備えた横電界モードの反
射型液晶装置について、図１８に示したのと同様の液晶
への印加電界と液晶分子の配列とのシミュレーションを
実施した。その結果、横電界モードの適用によって隣接
画素からの印加電界の影響を低減でき、特に画素領域端
部のディスクリネーションを充分に抑制できることを発
見した。この構成により、従来に比べて明るく、コント
ラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現でき
る。
【００１３】また、反射層を導電性材料で形成し、反射
膜と電極とを兼ねる反射電極として機能する構成にして
もよい。
膜と電極とを兼ねる反射電極として機能する構成にして
もよい。
【００１４】共通電極と画素電極の位置関係として、共
通電極を各画素領域の両端部に設け、画素電極を、絶縁
膜を介した共通電極の上層の各画素領域の中央部に設け
ることができる。
通電極を各画素領域の両端部に設け、画素電極を、絶縁
膜を介した共通電極の上層の各画素領域の中央部に設け
ることができる。
【００１５】その場合、対向基板上に対向側共通電極を
設けることができる。対向側共通電極には０Ｖを印加し
てもよいし、素子基板上の画素電極と逆極性の電圧を印
加してもよい。
設けることができる。対向側共通電極には０Ｖを印加し
てもよいし、素子基板上の画素電極と逆極性の電圧を印
加してもよい。
【００１６】また、共通電極や画素電極の幅に関して
は、データ線や走査線の幅と同程度に共通電極や画素電
極の幅を細く形成してもよいし、共通電極と画素電極と
が１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成しても
よい。
は、データ線や走査線の幅と同程度に共通電極や画素電
極の幅を細く形成してもよいし、共通電極と画素電極と
が１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成しても
よい。
【００１７】さらに、各画素領域の端部に配置した共通
電極の上方に、補助共通電極を設けてもよい。通常、共
通電極には０Ｖを印加するが、補助共通電極には０Ｖに
近いわずかな電圧（例えば１Ｖ程度）を印加する。印加
電圧の極性については、画素電極への印加電圧と同極性
の電圧を印加してもよいし、画素電極への印加電圧と逆
極性の電圧を印加してもよい。
電極の上方に、補助共通電極を設けてもよい。通常、共
通電極には０Ｖを印加するが、補助共通電極には０Ｖに
近いわずかな電圧（例えば１Ｖ程度）を印加する。印加
電圧の極性については、画素電極への印加電圧と同極性
の電圧を印加してもよいし、画素電極への印加電圧と逆
極性の電圧を印加してもよい。
【００１８】共通電極と画素電極の他の位置関係とし
て、上記の場合とは逆に、画素電極を各画素領域の両端
部に設け、共通電極を、絶縁膜を介した画素電極の上層
の各画素領域の中央部に設けてもよい。
て、上記の場合とは逆に、画素電極を各画素領域の両端
部に設け、共通電極を、絶縁膜を介した画素電極の上層
の各画素領域の中央部に設けてもよい。
【００１９】さらに他の位置関係として、共通電極を各
画素領域の両端部に設け、画素電極を、共通電極と同一
層上で共通電極とは絶縁状態とした上で各画素領域の中
央部に設けてもよい。
画素領域の両端部に設け、画素電極を、共通電極と同一
層上で共通電極とは絶縁状態とした上で各画素領域の中
央部に設けてもよい。
【００２０】反射層を上記のような導電性材料で形成す
ることに代えて、誘電体材料で形成していわゆる誘電体
ミラーとし、反射層に電圧を印加しない構成としてもよ
い。
ることに代えて、誘電体材料で形成していわゆる誘電体
ミラーとし、反射層に電圧を印加しない構成としてもよ
い。
【００２１】上に様々な電極構成のバリエーションを提
示したが、これら全ての場合において従来に比べて隣接
画素からの印加電界の影響を低減することができる。各
電極構成におけるシミュレーション結果については次の
「発明の実施の形態」の項で詳述する。
示したが、これら全ての場合において従来に比べて隣接
画素からの印加電界の影響を低減することができる。各
電極構成におけるシミュレーション結果については次の
「発明の実施の形態」の項で詳述する。
【００２２】本発明の電子機器は、上記本発明の反射型
液晶表示装置を備えたことを特徴とするものである。
液晶表示装置を備えたことを特徴とするものである。
【００２３】上記本発明の反射型液晶表示装置を備えた
ことにより、従来より明るく、コントラストの高い液晶
表示部を有する電子機器を実現することができる。
ことにより、従来より明るく、コントラストの高い液晶
表示部を有する電子機器を実現することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１ないし図３を参照して説明
する。
明の第１の実施の形態を図１ないし図３を参照して説明
する。
【００２５】図１は本実施の形態の反射型液晶表示装置
を構成するＴＦＴアレイ基板（素子基板）における隣接
する２画素分の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’
線に沿う断面図である。なお、図２においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
を構成するＴＦＴアレイ基板（素子基板）における隣接
する２画素分の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’
線に沿う断面図である。なお、図２においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２６】反射型液晶装置のＴＦＴアレイ基板１上に
は、図１に示すように、紙面縦方向に延びるデータ線２
と、紙面横方向に延びる走査線３とが格子状に設けられ
ている。これらデータ線２と走査線３とにより区画され
た各画素領域Ｒの角部にＴＦＴ５が設けられている。本
実施の形態の場合、ＴＦＴ５は、図２に示すように、ボ
トムゲート型ＴＦＴであり、走査線３から延びるゲート
電極６上を半導体層７が横断し、半導体層７の一端にデ
ータ線２（ＴＦＴ５ではソース電極に相当）が接続され
るとともに、半導体層７の他端に画素電極８（ＴＦＴ５
ではドレイン電極に相当）が接続されている。画素領域
Ｒの周縁部に沿って額縁状の共通電極９が形成される一
方、画素領域Ｒの中央部には画素電極８が延びている。
したがって、このＴＦＴアレイ基板１においては、共通
電極９と画素電極８との間に電圧が印加されると、画素
領域Ｒ端部の紙面縦方向に延びる共通電極９の２辺と、
画素領域Ｒ中央部の画素電極８との間に横電界（矢印
Ｂ）が生じる構成となっている。
は、図１に示すように、紙面縦方向に延びるデータ線２
と、紙面横方向に延びる走査線３とが格子状に設けられ
ている。これらデータ線２と走査線３とにより区画され
た各画素領域Ｒの角部にＴＦＴ５が設けられている。本
実施の形態の場合、ＴＦＴ５は、図２に示すように、ボ
トムゲート型ＴＦＴであり、走査線３から延びるゲート
電極６上を半導体層７が横断し、半導体層７の一端にデ
ータ線２（ＴＦＴ５ではソース電極に相当）が接続され
るとともに、半導体層７の他端に画素電極８（ＴＦＴ５
ではドレイン電極に相当）が接続されている。画素領域
Ｒの周縁部に沿って額縁状の共通電極９が形成される一
方、画素領域Ｒの中央部には画素電極８が延びている。
したがって、このＴＦＴアレイ基板１においては、共通
電極９と画素電極８との間に電圧が印加されると、画素
領域Ｒ端部の紙面縦方向に延びる共通電極９の２辺と、
画素領域Ｒ中央部の画素電極８との間に横電界（矢印
Ｂ）が生じる構成となっている。
【００２７】本実施の形態の反射型液晶装置の断面構造
は、図２に示すように、一対の透明基板１０，１１を有
しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１
と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１
２とを備え、これら基板１，１２間に水平配向モードの
液晶１３が挟持されている。
は、図２に示すように、一対の透明基板１０，１１を有
しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１
と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１
２とを備え、これら基板１，１２間に水平配向モードの
液晶１３が挟持されている。
【００２８】ＴＦＴアレイ基板１を構成する透明基板１
０上の全面に、アルミニウム、銀等の反射率の高い金属
膜（導電性材料）からなる反射電極１４（反射層）が形
成されている。反射電極１４上に第１の絶縁膜１５が形
成され、第１の絶縁膜１５上に走査線３、ゲート電極６
と、共通電極９とが形成されている。これら走査線３、
ゲート電極６、共通電極９を覆うようにＴＦＴ５のゲー
ト絶縁膜となる第２の絶縁膜１６が形成され、第２の絶
縁膜１６上に半導体層７が形成されている。この半導体
層７の両端にそれぞれ接するようにデータ線２、画素電
極８が形成され、全面を覆うように第３の絶縁膜１７が
形成されている。ここでは図示を省略したが、第３の絶
縁膜１７上には配向膜が形成されている。
０上の全面に、アルミニウム、銀等の反射率の高い金属
膜（導電性材料）からなる反射電極１４（反射層）が形
成されている。反射電極１４上に第１の絶縁膜１５が形
成され、第１の絶縁膜１５上に走査線３、ゲート電極６
と、共通電極９とが形成されている。これら走査線３、
ゲート電極６、共通電極９を覆うようにＴＦＴ５のゲー
ト絶縁膜となる第２の絶縁膜１６が形成され、第２の絶
縁膜１６上に半導体層７が形成されている。この半導体
層７の両端にそれぞれ接するようにデータ線２、画素電
極８が形成され、全面を覆うように第３の絶縁膜１７が
形成されている。ここでは図示を省略したが、第３の絶
縁膜１７上には配向膜が形成されている。
【００２９】他方、対向基板１２上には、透明基板１１
上に隣接する画素領域Ｒ間の領域を遮光する遮光膜１８
が形成され、全面に配向膜（図示略）が形成されてい
る。
上に隣接する画素領域Ｒ間の領域を遮光する遮光膜１８
が形成され、全面に配向膜（図示略）が形成されてい
る。
【００３０】図３は、上記の本実施形態の電極構成にお
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅ
は電気力線である。また、１つの画素電極８に＋５Ｖの
電圧が印加されたとするとその隣の画素電極８には−５
Ｖの電圧が印加されるというように、隣接する画素電極
８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン
反転駆動等の駆動方式を採用するものとする。共通電極
９には０Ｖを印加している。また、本実施の形態では水
平配向モードの液晶を用いているので、液晶分子は電気
力線Ｅにほぼ直交する方向に傾斜する。
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅ
は電気力線である。また、１つの画素電極８に＋５Ｖの
電圧が印加されたとするとその隣の画素電極８には−５
Ｖの電圧が印加されるというように、隣接する画素電極
８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン
反転駆動等の駆動方式を採用するものとする。共通電極
９には０Ｖを印加している。また、本実施の形態では水
平配向モードの液晶を用いているので、液晶分子は電気
力線Ｅにほぼ直交する方向に傾斜する。
【００３１】本実施の形態の場合、画素領域Ｒの中央に
はディスクリネーションが発生しているが、画素領域Ｒ
の端部近傍においては、図１８に示した従来例に比べて
隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力
線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分
子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生
が抑制できていることが確認される。したがって、本実
施の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラスト
の高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
はディスクリネーションが発生しているが、画素領域Ｒ
の端部近傍においては、図１８に示した従来例に比べて
隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力
線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分
子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生
が抑制できていることが確認される。したがって、本実
施の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラスト
の高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３２】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図４、図５を参照して説明する。
の実施の形態を図４、図５を参照して説明する。
【００３３】図４は本実施の形態の反射型液晶表示装置
の断面図である。本実施の形態の反射型液晶表示装置の
基本構造は第１の実施の形態と同様であり、異なる点は
対向基板側にも対向側共通電極が設けられた点のみであ
る。よって、図４において図２と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
の断面図である。本実施の形態の反射型液晶表示装置の
基本構造は第１の実施の形態と同様であり、異なる点は
対向基板側にも対向側共通電極が設けられた点のみであ
る。よって、図４において図２と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３４】本実施の形態の反射型液晶表示装置では、
図４に示すように、対向基板１２上の遮光膜１８を覆う
絶縁膜２１が形成され、絶縁膜２１上におけるＴＦＴア
レイ基板１上の共通電極９の上方にあたる位置に対向側
共通電極２２が形成されている。
図４に示すように、対向基板１２上の遮光膜１８を覆う
絶縁膜２１が形成され、絶縁膜２１上におけるＴＦＴア
レイ基板１上の共通電極９の上方にあたる位置に対向側
共通電極２２が形成されている。
【００３５】図５は、上記の本実施形態の電極構成にお
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、８は画素電極、２２は対向側共通電
極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。隣接する画
素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、
ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、対向側共通電極
２２には０Ｖを印加している。
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、８は画素電極、２２は対向側共通電
極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。隣接する画
素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、
ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、対向側共通電極
２２には０Ｖを印加している。
【００３６】本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部
近傍においては、図１８に示した従来例に比べて隣接す
る画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが
基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配
列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制
できていることが確認される。したがって、本実施の形
態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い
反射型液晶表示装置を実現することができる。
近傍においては、図１８に示した従来例に比べて隣接す
る画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが
基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配
列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制
できていることが確認される。したがって、本実施の形
態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い
反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３７】なお、ここでは対向側共通電極２２に０Ｖ
を印加した例を示したが、対向側共通電極２２にはＴＦ
Ｔアレイ基板１上の画素電極８と逆極性の電圧を印加し
てもよい。
を印加した例を示したが、対向側共通電極２２にはＴＦ
Ｔアレイ基板１上の画素電極８と逆極性の電圧を印加し
てもよい。
【００３８】［第３の実施の形態］以下、本発明の第３
の実施の形態を図６を参照して説明する。
の実施の形態を図６を参照して説明する。
【００３９】図６は、本実施形態の電極構成において、
液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果
を示している。第１、第２の実施の形態においては、共
通電極や画素電極の幅をデータ線や走査線の幅と同程度
に細く形成しているが、本実施の形態は共通電極と画素
電極とが１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成
した例である。
液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果
を示している。第１、第２の実施の形態においては、共
通電極や画素電極の幅をデータ線や走査線の幅と同程度
に細く形成しているが、本実施の形態は共通電極と画素
電極とが１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成
した例である。
【００４０】図６において、符号１４は反射電極、９は
共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力
線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力
線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
【００４１】本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
【００４２】［第４の実施の形態］以下、本発明の第４
の実施の形態を図７ないし図９を参照して説明する。
の実施の形態を図７ないし図９を参照して説明する。
【００４３】図７は本実施の形態の反射型液晶表示装置
の断面図である。本実施の形態の反射型液晶表示装置の
基本構造は上記実施の形態と同様であり、異なる点はＴ
ＦＴアレイ基板上に補助共通電極を設けた点のみであ
る。よって、図７において図２と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
の断面図である。本実施の形態の反射型液晶表示装置の
基本構造は上記実施の形態と同様であり、異なる点はＴ
ＦＴアレイ基板上に補助共通電極を設けた点のみであ
る。よって、図７において図２と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４４】本実施の形態の反射型液晶表示装置では、
図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１の第２の絶縁膜
１６上の共通電極９の上方にあたる位置に２個の補助共
通電極２４が形成されている。
図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１の第２の絶縁膜
１６上の共通電極９の上方にあたる位置に２個の補助共
通電極２４が形成されている。
【００４５】図８は、上記の本実施形態の電極構成にお
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、２４は補助共通電極、８は画素電
極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。隣接する画
素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、
ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、画素電極８に＋
５Ｖ、補助共通電極２４には当該画素電極８と同極性の
電圧である＋１Ｖを印加している。
いて、液晶に印加される電界のシミュレーションを行っ
た結果を示している。図において、符号１４は反射電
極、９は共通電極、２４は補助共通電極、８は画素電
極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。隣接する画
素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、
ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、画素電極８に＋
５Ｖ、補助共通電極２４には当該画素電極８と同極性の
電圧である＋１Ｖを印加している。
【００４６】本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
【００４７】補助共通電極２４に＋１Ｖを印加した図８
に対して、図９は補助共通電極２４に当該画素電極８と
逆極性の電圧である−１Ｖを印加した場合のシミュレー
ション結果である。図９の場合も図８とほぼ同様の結果
を示し、ディスクリネーションの発生が抑制できる。
に対して、図９は補助共通電極２４に当該画素電極８と
逆極性の電圧である−１Ｖを印加した場合のシミュレー
ション結果である。図９の場合も図８とほぼ同様の結果
を示し、ディスクリネーションの発生が抑制できる。
【００４８】［第５の実施の形態］以下、本発明の第５
の実施の形態を図１０を参照して説明する。
の実施の形態を図１０を参照して説明する。
【００４９】図１０は、本実施形態の電極構成におい
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。上記実施の形態においては、共通電
極と画素電極の位置関係を、共通電極を下層側、画素電
極を上層側としたのに対し、本実施の形態は共通電極を
上層側、画素電極を下層側とした例である。
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。上記実施の形態においては、共通電
極と画素電極の位置関係を、共通電極を下層側、画素電
極を上層側としたのに対し、本実施の形態は共通電極を
上層側、画素電極を下層側とした例である。
【００５０】図１０において、符号１４は反射電極、９
は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気
力線である。隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気
力線である。隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
【００５１】本実施の形態の場合も共通電極９と画素電
極８の位置関係が逆の第１の実施の形態の結果（図３参
照）と同様であり、画素領域Ｒの端部近傍において、図
１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｅからの
電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較
的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、
ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確
認される。したがって、本実施の形態によれば、従来に
比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置
を実現することができる。
極８の位置関係が逆の第１の実施の形態の結果（図３参
照）と同様であり、画素領域Ｒの端部近傍において、図
１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｅからの
電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較
的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、
ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確
認される。したがって、本実施の形態によれば、従来に
比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置
を実現することができる。
【００５２】［第６の実施の形態］以下、本発明の第６
の実施の形態を図１１を参照して説明する。
の実施の形態を図１１を参照して説明する。
【００５３】図１１は、本実施形態の電極構成におい
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。本実施の形態は、共通電極と画素電
極の位置関係として、共通電極と画素電極とを同一層上
に設けた例である。
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。本実施の形態は、共通電極と画素電
極の位置関係として、共通電極と画素電極とを同一層上
に設けた例である。
【００５４】図１１において、符号１４は反射電極、９
は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線は電気力
線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線は電気力
線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加
されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を
採用している。
【００５５】本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。
【００５６】［第７の実施の形態］以下、本発明の第７
の実施の形態を図１２を参照して説明する。
の実施の形態を図１２を参照して説明する。
【００５７】図１２は、本実施形態の電極構成におい
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。第１〜第６の実施の形態は全て反射
層を導電性材料で形成し、反射電極としていたのに対
し、本実施の形態は反射層を誘電体材料で形成し、反射
層に電圧を印加しない場合の例である。
て、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った
結果を示している。第１〜第６の実施の形態は全て反射
層を導電性材料で形成し、反射電極としていたのに対
し、本実施の形態は反射層を誘電体材料で形成し、反射
層に電圧を印加しない場合の例である。
【００５８】図１２において、符号９は共通電極、８は
画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。な
お、反射層は誘電体材料で形成され、いわゆる誘電体ミ
ラーを構成しているが、これは単に反射層として機能す
るのみであって、電圧は印加されないため、図１２には
示していない。また、隣接する画素電極８に逆極性の電
圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆
動方式を採用している。
画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。な
お、反射層は誘電体材料で形成され、いわゆる誘電体ミ
ラーを構成しているが、これは単に反射層として機能す
るのみであって、電圧は印加されないため、図１２には
示していない。また、隣接する画素電極８に逆極性の電
圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆
動方式を採用している。
【００５９】本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。特に本実施
の形態の場合は、上記実施の形態の中で隣接する画素領
域からの電界の影響が最も少ないと推定される。
近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する
画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基
板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列
の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制で
きていることが確認される。したがって、本実施の形態
によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反
射型液晶表示装置を実現することができる。特に本実施
の形態の場合は、上記実施の形態の中で隣接する画素領
域からの電界の影響が最も少ないと推定される。
【００６０】［電子機器の例］以下、本発明の反射型液
晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
【００６１】図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図
である。
である。
【００６２】図１３において、符号１０００は携帯電話
本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液
晶表示部を示している。
本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液
晶表示部を示している。
【００６３】図１４は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【００６４】図１４において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表
示部を示している。
を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表
示部を示している。
【００６５】図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
【００６６】図１５において、符号１２００は情報処理
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶
装置を用いた液晶表示部を示している。
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶
装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６７】図１３ないし図１５に示す電子機器は、上
記の反射型液晶装置を用いた液晶表示部を備えたもので
あるので、明るく、コントラストの高い表示部を備えた
電子機器を実現することができる。
記の反射型液晶装置を用いた液晶表示部を備えたもので
あるので、明るく、コントラストの高い表示部を備えた
電子機器を実現することができる。
【００６８】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば横電界を発生する共通電極や画素電極の平面配置、
寸法等に関しては、任意に設計することが可能である。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば横電界を発生する共通電極や画素電極の平面配置、
寸法等に関しては、任意に設計することが可能である。
【００６９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、横電界モードの適用によって隣接画素からの電
界の影響を充分に低減でき、画素領域端部のディスクリ
ネーションを抑制できるので、従来に比べて明るく、コ
ントラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現
することができる。
よれば、横電界モードの適用によって隣接画素からの電
界の影響を充分に低減でき、画素領域端部のディスクリ
ネーションを抑制できるので、従来に比べて明るく、コ
ントラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現
することができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の反射型液晶表示装
置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】 同実施形態の電極構成における液晶への印加
電界のシミュレーション結果である。
電界のシミュレーション結果である。
【図４】 本発明の第２の実施形態の反射型液晶表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図５】 同実施形態の電極構成における液晶への印加
電界のシミュレーション結果である。
電界のシミュレーション結果である。
【図６】 本発明の第３の実施形態の電極構成における
液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図７】 本発明の第４の実施形態の反射型液晶表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図８】 同実施形態の電極構成において、補助共通電
極に当該画素電極と同極性の電圧を印加した場合の液晶
への印加電界のシミュレーション結果である。
極に当該画素電極と同極性の電圧を印加した場合の液晶
への印加電界のシミュレーション結果である。
【図９】 同実施形態の電極構成において、補助共通電
極に当該画素電極と逆極性の電圧を印加した場合の液晶
への印加電界のシミュレーション結果である。
極に当該画素電極と逆極性の電圧を印加した場合の液晶
への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１０】 本発明の第５の実施形態の電極構成におけ
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１１】 本発明の第６の実施形態の電極構成におけ
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１２】 本発明の第７の実施形態の電極構成におけ
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
る液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１３】 本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図１４】 本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器
の他の例を示す斜視図である。
の他の例を示す斜視図である。
【図１５】 本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器
のさらに他の例を示す斜視図である。
のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１６】 従来の投射型液晶表示装置の一構成例を示
す図である。
す図である。
【図１７】 従来の反射モード液晶ライトバルブの一構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図１８】 従来の垂直配向モードの液晶表示装置にお
ける液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
ける液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
１ ＴＦＴアレイ基板（素子基板） ２ データ線 ３ 走査線 ４ 画素領域 ５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、スイッチング素子） ６ ゲート電極 ７ 半導体層 ８ 画素電極 ９ 共通電極 １２ 対向基板 １３ 液晶 １４ 反射電極（反射層） ２２ 対向側共通電極 ２４ 補助共通電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB08 GA02 GA13 HA06 LA17 LA18 LA30 2H092 GA14 HA05 JA26 JB05 JB07 JB14 JB16 JB56 KB04 KB06 KB13 NA04 QA06
Claims (12)
- 【請求項１】 素子基板と対向基板からなる一対の基板
間に液晶が挟持され、前記素子基板上に、複数の走査線
と、複数のデータ線と、これら走査線およびデータ線に
より区画された各画素領域毎に設けられたスイッチング
素子および共通電極および該共通電極との間で横電界を
発生させる画素電極と、前記対向基板側から前記液晶を
透過して入射される光を反射する反射層とが設けられた
ことを特徴とする反射型液晶装置。 - 【請求項２】 前記反射層が、導電性材料で形成され、
反射電極を構成していることを特徴とする請求項１に記
載の反射型液晶装置。 - 【請求項３】 前記共通電極が各画素領域の両端部に設
けられ、前記画素電極が、絶縁膜を介した前記共通電極
の上層における各画素領域の中央部に設けられたことを
特徴とする請求項２に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項４】 前記対向基板上に、対向側共通電極が設
けられたことを特徴とする請求項３に記載の反射型液晶
装置。 - 【請求項５】 前記共通電極および前記画素電極が１つ
の画素領域内をほぼ覆っていることを特徴とする請求項
３に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項６】 前記各画素領域の端部に配置された前記
共通電極の上方に、絶縁膜を介して補助共通電極が設け
られたことを特徴とする請求項３に記載の反射型液晶装
置。 - 【請求項７】 前記補助共通電極に対し、前記画素電極
に供給される電圧と同極性の電圧が供給されることを特
徴とする請求項６に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項８】 前記補助共通電極に対し、前記画素電極
に供給される電圧と逆極性の電圧が供給されることを特
徴とする請求項６に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項９】 前記画素電極が各画素領域の両端部に設
けられ、前記共通電極が、絶縁膜を介した前記画素電極
の上層における各画素領域の中央部に設けられたことを
特徴とする請求項２に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項１０】 前記共通電極が各画素領域の両端部に
設けられ、前記画素電極が、前記共通電極と同一層上に
おける各画素領域の中央部に設けられたことを特徴とす
る請求項２に記載の反射型液晶装置。 - 【請求項１１】 前記反射層が誘電体材料で形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶装
置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかに記載
の反射型液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36495399A JP2001183700A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 反射型液晶装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36495399A JP2001183700A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 反射型液晶装置および電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007123075A Division JP4821698B2 (ja) | 2007-05-08 | 2007-05-08 | 反射型液晶装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001183700A true JP2001183700A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18483074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36495399A Withdrawn JP2001183700A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 反射型液晶装置および電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001183700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006139050A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 多層基板およびそれを用いた反射型液晶表示素子 |
| JP2006523850A (ja) * | 2002-08-26 | 2006-10-19 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | 高速及び広視野角液晶ディスプレイ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10206867A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| JPH11109321A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JPH11119248A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその表示方法 |
| JPH11125836A (ja) * | 1996-11-29 | 1999-05-11 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH11237619A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子分散型液晶表示パネル |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36495399A patent/JP2001183700A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11125836A (ja) * | 1996-11-29 | 1999-05-11 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH10206867A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| JPH11109321A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JPH11119248A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその表示方法 |
| JPH11237619A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子分散型液晶表示パネル |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523850A (ja) * | 2002-08-26 | 2006-10-19 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | 高速及び広視野角液晶ディスプレイ |
| JP4837283B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2011-12-14 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | 高速及び広視野角液晶ディスプレイ |
| JP2006139050A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 多層基板およびそれを用いた反射型液晶表示素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7671941B2 (en) | Liquid crystal display and electronic device | |
| JP3772842B2 (ja) | 液晶装置、その駆動方法、及び電子機器 | |
| JP3753141B2 (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| US8767160B2 (en) | Liquid crystal display panel | |
| JP2005049687A (ja) | 液晶表示装置、及び電子機器 | |
| JP3900141B2 (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| JP4572837B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3832261B2 (ja) | 液晶装置、投射型表示装置及び電子機器 | |
| US20050099558A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus provided with the same | |
| JP3835422B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3841095B2 (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
| JP4720139B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| JP2002006321A (ja) | 液晶装置、投射型表示装置及び電子機器 | |
| JP4196671B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4586481B2 (ja) | 半透過型液晶表示パネル | |
| JP2004205903A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| JP2001183700A (ja) | 反射型液晶装置および電子機器 | |
| JP4821698B2 (ja) | 反射型液晶装置の駆動方法 | |
| JP2001235744A (ja) | 反射型液晶装置および電子機器 | |
| JP2005140983A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| JP4501898B2 (ja) | 反射型液晶装置及び電子機器 | |
| US7345726B2 (en) | Liquid crystal display and electronic apparatus having dielectric structures and colorant layers | |
| JP5127517B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| JP3794187B2 (ja) | 液晶装置、電子機器、投射型表示装置 | |
| JP4604988B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070510 |