KR102505387B1 - 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법 - Google Patents

감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102505387B1
KR102505387B1 KR1020207019065A KR20207019065A KR102505387B1 KR 102505387 B1 KR102505387 B1 KR 102505387B1 KR 1020207019065 A KR1020207019065 A KR 1020207019065A KR 20207019065 A KR20207019065 A KR 20207019065A KR 102505387 B1 KR102505387 B1 KR 102505387B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive resin
resin composition
ppm
composition layer
content
Prior art date
Application number
KR1020207019065A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200086743A (ko
Inventor
요시타카 가모치
Original Assignee
아사히 가세이 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가세이 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가세이 가부시키가이샤
Priority to KR1020227013942A priority Critical patent/KR20220061260A/ko
Publication of KR20200086743A publication Critical patent/KR20200086743A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102505387B1 publication Critical patent/KR102505387B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 베이스 필름 상에 구비하는 적층체를 제공한다. 지지 필름과, 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서, 감광성 수지 조성물은, (A) 알칼리 가용성 고분자 ; (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ; (C) 광 중합 개시제 ; 및 (D) 철 원자 ; 를 함유하고, 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법
본 발명은, 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
프린트 배선판은, 일반적으로는 포토리소그래피에 의해 제조된다. 포토리소그래피란, 이하의 공정에 의해, 기판 상에 원하는 배선 패턴을 형성하는 방법이다. 즉, 먼저 기판 상에 감광성의 수지 조성물로 이루어지는 층을 형성하고, 그 도막에 패턴 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서 에칭 또는 도금 처리에 의해 도체 패턴을 형성한다. 그 후, 기판 상의 레지스트 패턴을 제거함으로써, 기판 상에 원하는 배선 패턴을 형성한다.
프린트 배선판의 제조에 있어서는, 감광성 엘리먼트 (감광성 수지 적층체) 를 사용하는 경우가 많다. 이 감광성 엘리먼트를 사용하는 배선 패턴의 형성 방법, 및 이것에 적합한 감광성 수지 조성물로서, 많은 공지예가 존재한다 (특허문헌 1 ∼ 3).
국제 공개 제2012/101908호 국제 공개 제2015/174467호 국제 공개 제2015/174468호
그러나, 상기 특허문헌 1 ∼ 3 에 기재된 감광성 수지 조성물은, 현상성, 밀착성 등을 동시에 만족하는 것이 아니고, 또한 개량의 여지를 갖는 것이었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 베이스 필름 상에 구비하는 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자는, 이하의 기술적 수단에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
[1]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ; 및
(D) 철 원자 ;
를 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[2]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.1 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[3]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.2 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[4]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.3 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[5]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.4 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[6]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.5 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[7]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.6 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[8]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.7 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[9]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.8 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[10]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.9 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[11]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.0 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[12]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 2.0 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[13]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 3.0 ppm 이상인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[14]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 5.0 ppm 이하인, [1] ∼ [13] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[15]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 2.0 ppm 이하인, [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[16]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.5 ppm 이하인, [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[17]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.0 ppm 이하인, [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[18]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.9 ppm 이하인, [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[19]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.8 ppm 이하인, [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[20]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.7 ppm 이하인, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[21]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.6 ppm 이하인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[22]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.5 ppm 이하인, [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[23]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.4 ppm 이하인, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[24]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.3 ppm 이하인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체.
[25]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.2 ppm 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[26]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.1 ppm 이하인, [1] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[27]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ; 및
(E) 칼슘 원자 ;
를 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[28]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.02 ppm 이상 2.5 ppm 이하인, [27] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[29]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.03 ppm 이상 1 ppm 이하인, [27] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[30]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ; 및
(F) 알루미늄 원자 ;
를 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[31]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.02 ppm 이상 2.5 ppm 이하인, [30] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[32]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.03 ppm 이상 1 ppm 이하인, [30] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[33]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ;
(D) 철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자 중의 적어도 1 종 ;
을 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량의 합계가, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.02 ppm 이상 20 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[34]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량의 합계가, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.07 ppm 이상 10 ppm 이하인, [33] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[35]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량의 합계가, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.11 ppm 이상 5 ppm 이하인, [33] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[36]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ; 및
(I) 나트륨 원자 ;
를 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1 ppm 이상 50 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[37]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.5 ppm 이상 25 ppm 이하인, [36] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[38]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 2 ppm 이상 10 ppm 이하인, [36] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[39]
지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
상기 감광성 수지 조성물은,
(A) 알칼리 가용성 고분자 ;
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
(C) 광 중합 개시제 ; 및
(J) 금속 원자 ;
를 함유하고,
상기 감광성 수지 조성물층 중의 금속 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 70 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
[40]
상기 감광성 수지 조성물층 중의 금속 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 5 ppm 이하인, [39] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
[41]
상기 금속 원자로서, 알루미늄, 칼슘, 철, 칼륨, 마그네슘, 및 아연의 적어도 1 종을 함유하는, [39] 또는 [40] 에 기재된 감광성 수지 적층체.
본 발명에 의하면, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 베이스 필름 상에 구비하는 적층체가 제공되고, 그것에 의해 드라이 필름 레지스트를 사용하여 형성된 프린트 배선판의 해상성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 「본 실시형태」 로 약기한다) 에 대해 구체적으로 설명한다.
또한, 본 명세서에 있어서 용어 「(메트)아크릴산」이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미한다. 용어 「(메트)아크릴로일기」란, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 의미한다. 용어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 또는 「메타크릴레이트」를 의미한다.
＜감광성 수지 조성물＞
본 실시형태에서는, 지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
감광성 수지 조성물이, (A) 알칼리 가용성 고분자, (B) 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물, (C) 광 중합 개시제, 및 (J) 금속 원자를 포함한다. (J) 금속 원자는, (D) 철 원자, (E) 칼슘 원자 및 (F) 알루미늄 원자 및 아연 중의 적어도 1 종을 포함한다. (J) 금속 원자로서 (I) 나트륨 원자를 포함해도 된다. 원하는 바에 따라, 감광성 수지 조성물은, (G) 광 증감제, (H) 첨가제 등의 기타 성분을 추가로 포함해도 된다.
특히 본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층은, (J) 금속 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 70 ppm 이하이며, 0.01 ppm 이상 5 ppm 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로는, (D) 철 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하이다. 혹은, (E) 칼슘 원자, (F) 알루미늄 원자 중 어느 것의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하이다. 혹은, (I) 나트륨 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1 ppm 이상 50 ppm 이하이다.
금속 원자, 예를 들어 철 원자, 칼슘 원자, 알루미늄 원자, 나트륨 원자의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있다. 현상성이 양호함으로써, 레지스트 패턴에 잔류물이 남기 어렵고, 기판에의 밀착성이 양호함으로써, 보다 가는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 각 성분을 순서대로 설명한다.
(A) 알칼리 가용성 고분자
(A) 알칼리 가용성 고분자는, 알칼리 물질에 용해 가능한 고분자이다. (A) 알칼리 가용성 고분자는, 단일종의 공중합체, 복수종의 공중합체의 혼합물 및/또는 복수종의 호모폴리머의 혼합물이어도 된다.
알칼리 가용성과 관련해, (A) 알칼리 가용성 고분자의 산당량 ((A) 성분이 복수종의 공중합체를 포함하는 경우에는, 그 혼합물 전체에 대한 산당량) 은, 감광성 수지 조성물층의 내현상성, 그리고 레지스트 패턴의 현상 내성, 해상성 및 밀착성의 관점에서 100 이상인 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물층의 현상성 및 박리성의 관점에서, 900 이하인 것이 바람직하다. (A) 알칼리 가용성 고분자의 산당량은, 200 ∼ 600 인 것이 보다 바람직하고, 250 ∼ 500 인 것이 더욱 바람직하다. 산당량이란, 그 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 선상 중합체의 질량을 말한다.
(A) 알칼리 가용성 고분자
(A) 알칼리 가용성 고분자는 알칼리 물질에 녹기 쉬운 고분자이다. 구체적으로는, 알칼리 가용성에 기여하는 관능기 (예를 들어 카르복실기) 를, 원하는 알칼리 물질에 용해하는 데에 충분한 양으로 갖는 고분자이다. 또, 전형적으로는, (A) 알칼리 가용성 고분자에 포함되는 카르복실기의 양은, 산당량으로 100 ∼ 600 이며, 바람직하게는 250 ∼ 450 이다. 산당량이란, 그 분자 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 선상 중합체의 질량 (단위 : 그램) 을 말한다. (A) 알칼리 가용성 고분자 중의 카르복실기는, 감광성 수지 조성물층에 알칼리 수용액에 대한 현상성 및 박리성을 부여하기 위해서 필요하다. 산당량을 100 이상으로 하는 것은, 현상 내성, 해상성 및 밀착성을 향상시키는 관점에서 바람직하고, 그리고 산당량을 250 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편으로, 산당량을 600 이하로 하는 것은, 현상성 및 박리성을 향상시키는 관점에서 바람직하고, 그리고 산당량을 450 이하로 하는 것이 바람직하다.
(A) 알칼리 가용성 고분자의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 5,000 ∼ 500,000 이다. 중량 평균 분자량을 500,000 이하로 하는 것은, 해상성 및 현상성을 향상시키는 관점에서 바람직하다. 중량 평균 분자량을 300,000 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 200,000 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편으로, 중량 평균 분자량을 5,000 이상으로 하는 것은, 현상 응집물의 성상, 그리고 감광성 수지 적층체의 에지 퓨즈성 및 컷칩성 등의 미노광막의 성상을 제어하는 관점에서 바람직하다. 중량 평균 분자량을 10,000 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 20,000 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 에지 퓨즈성이란, 감광성 수지 적층체로서 롤상으로 권취한 경우에 롤의 단면 (端面) 으로부터 감광성 수지 조성물층이 돌출되는 현상을 말한다. 컷칩성이란 미노광막을 커터로 절단한 경우에 칩이 비산하는 현상을 말한다. 이 칩이 감광성 수지 적층체의 상면 등에 부착되면, 후의 노광 공정 등에서 칩이 마스크에 전사되어 불량품의 원인이 된다.
(A) 알칼리 가용성 고분자의 분산도 (분자량 분포로 부르는 경우도 있다) 는 1 ∼ 6 정도여도 되고, 바람직하게는 1 ∼ 4 이다. 분산도는, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비로 나타내고, (분산도) = (중량 평균 분자량)/(수평균 분자량) 이다. 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피를 이용하여, 폴리스티렌 환산에 의해 측정되는 값이다.
(A) 알칼리 가용성 고분자는, 후술하는 제 1 단량체의 적어도 1 종 및 후술하는 제 2 단량체의 적어도 1 종으로부터 얻어지는 공중합체인 것이 바람직하다.
제 1 단량체는, 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 산 무수물이다. 제 1 단량체로는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 푸마르산, 신남산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 무수물, 말레산 반에스테르 등을 들 수 있다. 특히 (메트)아크릴산이 바람직하다. 본 명세서에서는 (메트)아크릴이란, 아크릴 및/또는 메타크릴을 나타낸다. 이하 동일하다.
제 2 단량체는, 비산성이며, 또한 분자 중에 중합성 불포화기를 적어도 1 개 갖는 단량체이다. 제 2 단량체로는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 비닐알코올의 에스테르류를 들 수 있다. 비닐알코올의 에스테르류로는, 예를 들어 아세트산비닐, (메트)아크릴로니트릴, 스티렌, 및 스티렌 유도체를 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 스티렌, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 및 벤질(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 레지스트 패턴의 해상성 및 밀착성을 향상시키는 관점에서는, 스티렌 및 벤질(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
제 1 단량체 및 제 2 단량체의 공중합 비율은, (A) 알칼리 가용성 고분자의 알칼리 용해성 조정의 관점에서, 제 1 단량체가 10 ∼ 60 질량％ 이며, 또한 제 2 단량체가 40 ∼ 90 질량％ 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 제 1 단량체가 15 ∼ 35 질량％ 이며, 또한 제 2 단량체가 65 ∼ 85 질량％ 이다.
(A) 알칼리 가용성 고분자의 합성은, 제 1 단량체와 제 2 단량체의 혼합물을, 아세톤, 메틸에틸케톤, 또는 이소프로판올 등의 용제로 희석한 용액에, 과산화벤조일, 아조이소부티로니트릴 등의 라디칼 중합 개시제를 적당량 첨가하고, 가열 교반함으로써 실시되는 것이 바람직하다. 혼합물의 일부를 반응액에 적하하면서 합성을 실시하는 경우도 있다. 반응 종료 후에, 추가로 용제를 첨가하여, 원하는 농도로 조정하는 경우도 있다. 합성 수단으로는, 용액 중합 이외에, 괴상 중합, 현탁 중합, 또는 유화 중합을 이용해도 된다.
(A) 알칼리 가용성 고분자 (복수종의 알칼리 가용성 고분자를 혼합하여 사용하는 경우에는, 그 혼합물) 가, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, (G) 성분, (H) 성분, (I) 성분 및 (J) 성분의 총량 (이하, (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량이라고 하는 경우도 있다) 중에서 차지하는 비율로는, 바람직하게는 10 ∼ 90 질량％ 의 범위이며, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량％ 이며, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 60 질량％ 이다. (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 (A) 성분의 비율을 90 질량％ 이하로 하는 것은 현상 시간을 제어하는 관점에서 바람직하다. 한편으로, (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 (A) 성분의 비율을 10 질량％ 이상으로 하는 것은 에지 퓨즈성을 향상시키는 관점에서 바람직하다.
특히, 감광성 수지 조성물은, (A) 성분으로서, 이하의 (a-1) 및 (a-2) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 성분 :
(a-1) 스티렌 15 ∼ 60 질량％ 와, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산에스테르, 및 메타크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 아크릴 단량체를 포함하는 중합 성분에서 유래하는 아크릴 공중합체 ;
(a-2) 벤질메타크릴레이트 20 ∼ 85 질량％ 와, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산에스테르, 및 벤질메타크릴레이트 이외의 메타크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 아크릴 단량체를 포함하는 중합 성분에서 유래하는 아크릴 공중합체 ;
를 포함하는 것이, 고해상성을 발현하는 데에 있어서 바람직하다. (a-1) 성분 및 (a-2) 성분의 총량의, (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량 중에서 차지하는 비율로는, 10 ∼ 60 질량％ 가, 고해상성을 발현하는 데에 있어서 바람직하다. 상기 비율은 해상성의 관점에서 바람직하게는 20 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30 질량％ 이상이며, 컷칩성의 관점에서 바람직하게는 55 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 50 질량％ 이하이다.
(a-1) 에 있어서의 중합 성분은, 스티렌 및 상기 아크릴 단량체만으로 이루어지는 것이어도 되고, 다른 단량체를 추가로 포함해도 된다. 또 (a-2) 에 있어서의 중합 성분은, 벤질메타크릴레이트 및 상기 아크릴 단량체만으로 이루어지는 것이어도 되고, 다른 단량체를 추가로 포함해도 된다. 중합 성분의 조합의 특히 바람직한 예로는, 스티렌이 15 ∼ 60 질량％ 에 대해 메타크릴산이 20 ∼ 35 질량％, 나머지가 메틸메타크릴레이트인 조합, 스티렌이 30 ∼ 50 질량％ 에 대해 메타크릴산이 20 ∼ 40 질량％, 2-에틸헥실아크릴레이트가 10 ∼ 20 질량％, 나머지가 2-하이드록시에틸메타크릴레이트인 조합, 또는 벤질메타크릴레이트가 20 ∼ 60 질량％ 에 대해 스티렌이 10 ∼ 30 질량％, 나머지가 메타크릴산인 조합, 벤질메타크릴레이트가 60 ∼ 85 질량％ 에 대해 2-에틸헥실아크릴레이트가 0 ∼ 15 질량％, 나머지가 메타크릴산인 조합 등을 들 수 있다. 아르알킬기를 갖는 모노머, 및 또는 스티렌을 모노머로서 함유하는 것은, 레지스트 패턴의 내약품성, 밀착성, 고해상성, 또는 스커트 형상의 관점에서 바람직하다.
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물
(B) 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물은, 그 구조 중에 에틸렌성 불포화기를 가짐으로써 중합성을 갖는 화합물이다. 에틸렌성 불포화 결합은, 부가 중합성의 관점에서, 말단 에틸렌성 불포화기인 것이 바람직하다.
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 경화성 및 (A) 알칼리 가용성 고분자와의 상용성의 관점에서 분자 내에 아크릴로일기를 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 분자 내에 아크릴로일기를 갖는 화합물로는, 예를 들어 폴리알킬렌옥사이드의 편방의 말단에 (메트)아크릴산을 부가한 화합물, 또는 폴리알킬렌옥사이드의 편방의 말단에 (메트)아크릴산을 부가하고, 타방의 말단을 알킬에테르화 또는 알릴에테르화한 것 등을 들 수 있다.
이와 같은 화합물로는, 폴리에틸렌글리콜을 페닐기에 부가한 화합물의 (메트)아크릴레이트인 페녹시헥사에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 또는 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드 (이하, PO 로 약기하는 경우도 있다) 를 부가한 폴리프로필렌글리콜과 평균 7 몰의 에틸렌옥사이드 (이하, EO 로 약기하는 경우도 있다) 를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 (메트)아크릴레이트인 4-노르말노닐페녹시헵타에틸렌글리콜디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 평균 1 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜과 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 (메트)아크릴레이트인 4-노르말노닐페녹시펜타에틸렌글리콜모노프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 평균 8 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 아크릴레이트인 4-노르말노닐페녹시옥타에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 (예를 들어 동아 합성 (주) 제조, M-114) 도 들 수 있다.
예를 들어, 알킬렌옥사이드 사슬의 양 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 또는 에틸렌옥사이드 사슬과 프로필렌옥사이드 사슬이 랜덤 혹은 블록으로 결합한 알킬렌옥사이드 사슬의 양 말단에, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
이와 같은 화합물로는, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 헥사에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 헵타에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 옥타에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 노나에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 데카에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 12 몰의 에틸렌옥사이드 사슬의 양 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물 등의 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 화합물 중에 에틸렌옥사이드기와 프로필렌옥사이드기를 포함하는 폴리알킬렌옥사이드디(메트)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들어 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단에 각각 평균 3 몰 부가한 글리콜의 디메타크릴레이트, 평균 18 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단에 각각 평균 15 몰 부가한 글리콜의 디메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드와 폴리프로필렌옥사이드를 양방 갖는 디(메트)아크릴레이트 (예를 들어 「FA-023M, FA-024M, FA-027M, 제품명, 히타치 화성 공업 제조」) 가, 유연성, 해상성, 밀착성 등의 관점에서 바람직하다.
또, 비스페놀 A 를 알킬렌옥사이드 변성하고, 양 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 해상성 및 밀착성의 관점에서는 바람직하다. 알킬렌옥사이드 변성에는 에틸렌옥사이드 변성, 프로필렌옥사이드 변성, 부틸렌옥사이드 변성, 펜틸렌옥사이드 변성, 헥실렌옥사이드 변성 등이 있다. 또 해상성 및 밀착성의 관점에서, 비스페놀 A 를 에틸렌옥사이드 변성하고, 양 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 특히 바람직하다.
이와 같은 화합물로는, 예를 들어 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디에톡시)페닐)프로판 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 NK 에스테르 BPE-200), 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 NK 에스테르 BPE-500), 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헵타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시옥타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시노나에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시운데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시도데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사데카에톡시)페닐)프로판 등의 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판 등을 들 수 있다. 또한, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 6 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)크릴레이트 또는, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 15 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)크릴레이트, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 5 몰씩의 EO 를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 (사) 제조 BPE-500) 등, 에틸렌옥사이드 변성 및 프로필렌옥사이드 변성한 화합물도, 해상성 및 밀착성의 관점에서 바람직하다. 이들 비스페놀 A 를 알킬렌옥사이드 변성하고 양 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물 중의, 비스페놀 A 1 몰에 대한 에틸렌옥사이드의 몰수는, 해상성, 밀착성 및 유연성을 향상시키는 관점에서, 합계로 10 몰 이상 30 몰 이하가 바람직하다.
본 실시형태에 있어서는, (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서, 1 분자 중에 2 개를 초과하는 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 포함하는 것이, 고해상성을 발현하는 데에 있어서 바람직하다. 1 분자 중의 (메트)아크릴로일기의 수는, 보다 바람직하게는 3 개 이상이다. 1 분자 중의 (메트)아크릴로일기의 수는, 박리성의 관점에서, 바람직하게는 6 개 이하, 보다 바람직하게는 4 개 이하이다. 1 분자 중에 2 개를 초과하는 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물은, 중심 골격으로서 분자 내에 알킬렌옥사이드기를 부가시킬 수 있는 기를 3 몰 이상 (즉 중심 골격 1 개당 3 개 이상) 갖고, 이것에 에틸렌옥사이드기, 프로필렌옥사이드기 또는 부틸렌옥사이드기 등의 알킬렌옥사이드기가 부가된 알코올과, (메트)아크릴산으로부터 (메트)아크릴레이트를 형성함으로써 얻어진다. 중심 골격이 알코올이면, 직접 (메트)아크릴산과 (메트)아크릴레이트를 형성함으로써도 얻어진다. 중심 골격이 될 수 있는 화합물로는, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 이소시아누레이트 고리 등을 들 수 있다.
이와 같은 화합물로는, 트리메틸올프로판의 EO 3 몰 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판의 EO 6 몰 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판의 EO 9 몰 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판의 EO 12 몰 변성 트리아크릴레이트, 글리세린의 EO 3 몰 변성 트리아크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 A-GLY-3E), 글리세린의 EO 9 몰 변성 트리아크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 A-GLY-9E), 글리세린의 EO 6 몰 PO 6 몰 변성 트리아크릴레이트 (A-GLY-0606PE), 글리세린의 EO 9 몰 PO 9 몰 변성 트리아크릴레이트 (A-GLY-0909PE), 펜타에리트리톨의 4 EO 변성 테트라아크릴레이트 (예를 들어 사토머 재팬 (주) 사 제조 SR-494), 펜타에리트리톨의 35 EO 변성 테트라아크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 사 제조 NK 에스테르 ATM-35E), 디펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트와 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트의 7 : 3 혼합물 (예를 들어 동아 합성 제조 M-306) 등을 들 수 있다. 또, 메타크릴로일기를 적어도 3 개 갖는 화합물로는, 트리메타크릴레이트, 예를 들어 에톡시화글리세린트리메타크릴레이트, 에톡시화이소시아누르산트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트 (예를 들어 트리메틸올프로판에 평균 21 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판에 평균 30 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 트리메타크릴레이트가, 유연성, 밀착성, 블리드 아웃 억제의 관점에서 바람직하다) 등 ; 테트라메타크릴레이트, 예를 들어 디트리메틸올프로판테트라메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트 등 ; 펜타메타크릴레이트, 예를 들어 디펜타에리트리톨펜타메타크릴레이트 등 ; 헥사메타크릴레이트, 예를 들어 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 테트라, 펜타 또는 헥사메타크릴레이트가 바람직하다.
그 중에서도 바람직한 (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 예는, 실온보다 융점이 낮고, 보존 시에 용이하게 고화하지 않는 것이, 취급성의 관점에서 바람직하다. 특히 트리메틸올프로판의 EO 3 몰 변성 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨의 4 EO 변성 테트라아크릴레이트가 바람직하다.
1 분자 중에 2 개를 초과하는 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물의 함유량으로는, 상기 (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 50 ∼ 100 질량％ 인 것이 바람직하다. 그 함유량은, 해상도의 관점에서 바람직하게는 50 질량％ 이상이며, 보다 바람직하게는 60 질량％ 이상이다. 그 함유량은, 100 질량％ 여도 되지만, 박리성의 관점에서 바람직하게는 95 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 90 질량％ 이하여도 된다.
(B) 성분은, 상기한 화합물 이외에도, 예를 들어 이하에 드는 화합물을 적절히 포함할 수 있다. 예를 들어, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 2,2-비스[(4-(메트)아크릴옥시폴리프로필렌옥시)페닐]프로판, 2,2-비스[(4-(메트)아크릴옥시폴리부틸렌옥시)페닐]프로판, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, β-하이드록시프로필-β'-(아크릴로일옥시)프로필프탈레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리부틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 이하와 같은 우레탄 화합물도 들 수 있다. 예를 들어, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 또는 디이소시아네이트 화합물 (예를 들어, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트) 과, 1 분자 중에 하이드록실기와 (메트)아크릴기를 갖는 화합물, 예를 들어 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트의 우레탄 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (예를 들어 닛폰 유지 (주) 제조, 블렘머 PP1000) 의 반응 생성물이 있다. 또, 폴리프로필렌글리콜 또는 폴리카프로락톤에 의해 변성한 이소시아누르산에스테르의 디 또는 트리(메트)아크릴레이트 등도 들 수 있다. 또, 예를 들어 디이소시아네이트와 폴리올의 중부가물로서 얻어지는 우레탄 화합물의 말단과 에틸렌성 불포화 이중 결합 및 하이드록실기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄 올리고머 등도 들 수 있다.
또, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로서, 4-노르말노닐페녹시옥타에틸렌글리콜아크릴레이트, 4-노르말노닐페녹시테트라에틸렌글리콜아크릴레이트, γ-클로로-β-하이드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-о-프탈레이트와 같은 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 갖는 화합물을 포함해도 된다. 박리성이나 경화막 유연성의 관점에서 바람직하고, γ-클로로-β-하이드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-о-프탈레이트를 포함하면 감도, 해상성, 밀착성의 관점에서도 바람직하다.
상기 (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 분자 내에 하이드록실기를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 특히 감도 (생산성), 해상성, 밀착성이 우수한 것이 된다.
(B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 비율은, 5 ∼ 70 질량％ 인 것이 바람직하다. 이 비율을 5 질량％ 이상으로 하는 것은, 감도, 해상성 및 밀착성의 관점에서 바람직하고, 이 비율은 보다 바람직하게는 10 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 20 질량％ 이상이다. 한편으로, 이 비율을 70 질량％ 이하로 하는 것은, 에지 퓨즈 및 경화 레지스트의 박리 지연을 억제한다는 관점에서 바람직하고, 이 비율은, 보다 바람직하게는 60 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50 질량％ 이하이다.
(C) 광 중합 개시제
(C) 광 중합 개시제는, 감도와 해상도를 얻는 관점에서 헥사아릴비이미다졸 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
헥사아릴비이미다졸 화합물로는, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐비이미다졸, 2,2',5-트리스-(o-클로로페닐)-4-(3,4-디메톡시페닐)-4',5'-디페닐비이미다졸, 2,4-비스-(o-클로로페닐)-5-(3,4-디메톡시페닐)-디페닐비이미다졸, 2,4,5-트리스-(o-클로로페닐)-디페닐비이미다졸, 2-(o-클로로페닐)-비스-4,5-(3,4-디메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2-플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3-디플루오로메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,4-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,5-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,6-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3,4-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3,5-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3,6-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,4,5-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,4,6-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3,4,5-테트라플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 2,2'-비스-(2,3,4,6-테트라플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸, 및 2,2'-비스-(2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-비이미다졸 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 감도와 해상도의 관점에서 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체가 바람직하다.
(C) 성분으로서 헥사아릴비이미다졸 화합물 이외에 함유해도 되는 광 중합 개시제로는, N-아릴-α-아미노산 화합물, 퀴논류, 방향족 케톤류, 아세토페논류, 아실포스핀옥사이드류, 벤조인 또는 벤조인에테르류, 디알킬케탈류, 티오크산톤류, 디알킬아미노벤조산에스테르류, 옥심에스테르류, 아크리딘류, N-아릴아미노산의 에스테르 화합물, 및 할로겐 화합물 등을 들 수 있다.
N-아릴-α-아미노산 화합물의 예로는, N-페닐글리신, N-메틸-N-페닐글리신, N-에틸-N-페닐글리신 등을 들 수 있다. 특히 N-페닐글리신은 증감 효과가 높아 바람직하다.
퀴논류로는, 2-에틸안트라퀴논, 옥타에틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논, 3-클로로-2-메틸안트라퀴논 등을 들 수 있다.
방향족 케톤류로는, 예를 들어 벤조페논, 미힐러케톤[4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논], 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 및 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논을 들 수 있다.
아세토페논류로는, 예를 들어 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)-페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판온-1 을 들 수 있다. 시판품으로는, 치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조의 이르가큐어 907, 이르가큐어 369, 및 이르가큐어 379 를 들 수 있다.
아실포스핀옥사이드류로는, 예를 들어 2,4,6-트리메틸벤질디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 시판품으로는 BASF 사 제조의 루시린 TPO, 및 치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조의 이르가큐어 819 를 들 수 있다.
벤조인 또는 벤조인에테르류로는, 예를 들어 벤조인, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르, 메틸벤조인, 및 에틸벤조인을 들 수 있다.
디알킬케탈류로는, 예를 들어 벤질디메틸케탈, 및 벤질디에틸케탈을 들 수 있다.
티오크산톤류로는, 예를 들어 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 및 2-클로르티오크산톤을 들 수 있다.
디알킬아미노벤조산에스테르류로는, 예를 들어 디메틸아미노벤조산에틸, 디에틸아미노벤조산에틸, 에틸-p-디메틸아미노벤조에이트, 2-에틸헥실-4-(디메틸아미노)벤조에이트 등을 들 수 있다.
옥심에스테르류로는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-O-벤조일옥심, 및 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 시판품으로는, 치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01, 및 이르가큐어 OXE02 를 들 수 있다.
아크리딘류로는, 예를 들어 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄, 9-페닐아크리딘, 9-메틸아크리딘, 9-에틸아크리딘, 9-클로로에틸아크리딘, 9-메톡시아크리딘, 9-에톡시아크리딘, 9-(4-메틸페닐)아크리딘, 9-(4-에틸페닐)아크리딘, 9-(4-n-프로필페닐)아크리딘, 9-(4-n-부틸페닐)아크리딘, 9-(4-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(4-메톡시페닐)아크리딘, 9-(4-에톡시페닐)아크리딘, 9-(4-아세틸페닐)아크리딘, 9-(4-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(4-클로로페닐)아크리딘, 9-(4-브로모페닐)아크리딘, 9-(3-메틸페닐)아크리딘, 9-(3-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(3-아세틸페닐)아크리딘, 9-(3-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(3-디에틸아미노페닐)아크리딘, 9-(3-클로로페닐)아크리딘, 9-(3-브로모페닐)아크리딘, 9-(2-피리딜)아크리딘, 9-(3-피리딜)아크리딘, 및 9-(4-피리딜)아크리딘을 들 수 있다.
N-아릴아미노산의 에스테르 화합물로는, 예를 들어 N-페닐글리신의 메틸에스테르, N-페닐글리신의 에틸에스테르, N-페닐글리신의 n-프로필에스테르, N-페닐글리신의 이소프로필에스테르, N-페닐글리신의 1-부틸에스테르, N-페닐글리신의 2-부틸에스테르, N-페닐글리신의 tert 부틸에스테르, N-페닐글리신의 펜틸에스테르, N-페닐글리신의 헥실에스테르, N-페닐글리신의 펜틸에스테르, N-페닐글리신의 옥틸에스테르 등을 들 수 있다.
할로겐 화합물로는, 예를 들어 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤질, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 4 브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 클로르화트리아진 화합물, 디알릴요오드늄 화합물 등을 들 수 있고, 특히 트리브로모메틸페닐술폰이 바람직하다. 감광성 수지 조성물 중의 할로겐 화합물의 함유량은, 감도의 관점에서 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대해 0.01 ∼ 3 질량％ 인 것이 바람직하다.
이들 광 중합 개시제는 단독으로 사용해도 되고 2 종류 이상 병용해도 된다.
(C) 광 중합 개시제의 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 비율은, 0.1 ∼ 20 질량％ 가 바람직하다. 이 비율을 0.1 질량％ 이상으로 하는 것은 충분한 감도를 얻는 관점에서 바람직하고, 이 비율을 0.2 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.5 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편으로, 이 비율을 20 질량％ 이하로 하는 것은 높은 해상성을 얻고, 또한 현상액 중에서의 응집성을 억제하는 관점에서 바람직하고, 이 비율을 10 질량％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
(D) 철 원자
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층은, 철 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하이다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량의 하한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상이다.
철 원자의 함유량이 상기 범위를 하회하는 경우, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 적어지는 것에 의한 밀착 불량이 발생하기 쉬워진다. 예를 들어 안정적으로 존재하는 철 이온은 3 가이기 때문에, 기판 표면의 CuO- 와 바인더인 카르복실산 사이에서 배위 결합할 수 있다 (예를 들어, CuO-…Fe3＋…COO-). 철 원자의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 강해져, 밀착성이 우수하다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량은, 0.03 ppm 이상이어도 되고, 0.05 ppm 이상이어도 된다. 또, 0.1 ppm 이상이어도 되고, 0.2 ppm 이상이어도 되고, 0.3 ppm 이상이어도 되고, 0.4 ppm 이상이어도 되고, 0.5 ppm 이상이어도 되고, 0.6 ppm 이상이어도 되고, 0.7 ppm 이상이어도 되고, 0.8 ppm 이상이어도 되고, 0.9 ppm 이상이어도 되고, 1.0 ppm 이상이어도 된다. 또, 1.1 ppm 이상이어도 되고, 1.2 ppm 이상이어도 되고, 1.3 ppm 이상이어도 되고, 1.4 ppm 이상이어도 되고, 1.5 ppm 이상이어도 된다. 또, 2.0 ppm 이상이어도 되고, 3.0 ppm 이상이어도 되고, 4.0 ppm 이상이어도 되고, 5.0 ppm 이상이어도 된다. 철 원자의 함유량이 많을수록 밀착성이 향상된다.
한편, 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량의 상한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 10 ppm 이하이다.
철 원자의 함유량이 상기 범위를 초과하는 경우, 철 이온이 분자 사이에서 배위 결합성의 결합을 생성함으로써 유사 가교가 생긴다. 이 유사 가교에 의해 현상액에의 용해성이 저하하고, 현상 시간의 지연이 발생한다. 철 원자의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 현상액에의 용해성이 적당하고, 현상 시간도 적당한 시간이 된다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량은, 5.0 ppm 이하여도 되고, 4.0 ppm 이하여도 되고, 3.0 ppm 이하여도 되고, 2.0 ppm 이하여도 된다. 또, 1.5 ppm 이하여도 되고, 1.4 ppm 이하여도 되고, 1.3 ppm 이하여도 되고, 1.2 ppm 이하여도 되고, 1.1 ppm 이하여도 되고, 1.0 ppm 이하여도 된다. 또, 0.9 ppm 이하여도 되고, 0.8 ppm 이하여도 되고, 0.7 ppm 이하여도 되고, 0.6 ppm 이하여도 되고, 0.5 ppm 이하여도 되고, 0.4 ppm 이하여도 되고, 0.3 ppm 이하여도 되고, 0.2 ppm 이하여도 되고, 0.1 ppm 이하여도 된다. 철 원자의 함유량이 적을수록 현상 시간을 적게 할 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하이며, 0.05 ppm 이상 2.0 ppm 이하의 범위가 가장 바람직하다.
철 원자의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있다. 현상성이 양호하면, 레지스트 패턴에 잔류물이 남기 어려운 효과가 있고, 기판에의 밀착성이 양호하면, 보다 가는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 효과가 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량을 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하의 범위 내로 조정하는 수단으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 감광성 수지 조성물의 조성을, 각 성분에 관해서 다양하게 조정하는 것을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 결정된다.
(E) 칼슘 원자
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층은, 칼슘 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하이다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량의 하한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상이다.
칼슘 원자의 함유량이 상기 범위를 하회하는 경우, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 적어지는 것에 의한 밀착 불량이 발생한다. 예를 들어 안정적으로 존재하는 칼슘 이온은 2 가이기 때문에, 기판 표면의 CuO- 와 바인더인 카르복실산 사이에서 배위 결합할 수 있다 (예를 들어, CuO-…Ca2＋…COO-). 칼슘 원자의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 강해져, 밀착성이 우수하다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량은, 0.01 ppm 이상이어도 되고, 0.03 ppm 이상이어도 되고, 0.05 ppm 이상이어도 되고, 0.08 ppm 이상이어도 된다. 또, 0.1 ppm 이상이어도 되고, 0.2 ppm 이상이어도 되고, 0.3 ppm 이상이어도 되고, 0.4 ppm 이상이어도 되고, 0.5 ppm 이상이어도 되고, 0.6 ppm 이상이어도 되고, 0.7 ppm 이상이어도 되고, 0.8 ppm 이상이어도 되고, 0.9 ppm 이상이어도 되고, 1.0 ppm 이상이어도 된다. 또, 1.1 ppm 이상이어도 되고, 1.2 ppm 이상이어도 되고, 1.3 ppm 이상이어도 되고, 1.4 ppm 이상이어도 되고, 1.5 ppm 이상이어도 된다. 또, 2.0 ppm 이상이어도 되고, 3.0 ppm 이상이어도 되고, 4.0 ppm 이상이어도 된다. 칼슘 원자의 함유량이 많을수록 밀착성이 향상된다.
한편, 감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량의 상한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 5 ppm 이하이다.
칼슘 원자의 함유량이 상기 범위를 초과하는 경우, 칼슘 이온이 분자 사이에서 배위 결합성의 결합을 생성함으로써 유사 가교가 생긴다. 이 유사 가교에 의해 현상액에의 용해성이 저하하고, 현상 시간의 지연이 발생한다. 칼슘 원자의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 현상액에의 용해성이 적당하고, 현상 시간도 적당한 시간이 된다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량은, 4.0 ppm 이하여도 되고, 3.0 ppm 이하여도 되고, 2.0 ppm 이하여도 된다. 또, 1.5 ppm 이하여도 되고, 1.4 ppm 이하여도 되고, 1.3 ppm 이하여도 되고, 1.2 ppm 이하여도 되고, 1.1 ppm 이하여도 되고, 1.0 ppm 이하여도 된다. 또, 0.9 ppm 이하여도 되고, 0.8 ppm 이하여도 되고, 0.7 ppm 이하여도 되고, 0.6 ppm 이하여도 되고, 0.5 ppm 이하여도 되고, 0.4 ppm 이하여도 되고, 0.3 ppm 이하여도 되고, 0.2 ppm 이하여도 되고, 0.1 ppm 이하여도 되고, 0.05 ppm 이하여도 된다. 칼슘 원자의 함유량이 적을수록 현상 시간을 적게 할 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하이며, 0.03 ppm 이상 1.0 ppm 이하의 범위가 가장 바람직하다.
칼슘 원자의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있다. 현상성이 양호하면, 레지스트 패턴에 잔류물이 남기 어려운 효과가 있고, 기판에의 밀착성이 양호하면, 보다 가는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 효과가 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량을 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하의 범위 내로 조정하는 수단으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 감광성 수지 조성물의 조성을, 각 성분에 관해서 다양하게 조정하는 것을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 칼슘 원자의 함유량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 결정된다.
(F) 알루미늄 원자
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층은, 알루미늄 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하이다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량의 하한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상이다.
알루미늄 원자의 함유량이 상기 범위를 하회하는 경우, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 적어지는 것에 의한 밀착 불량이 발생한다. 예를 들어 안정적으로 존재하는 알루미늄 이온은 3 가이기 때문에, 기판 표면의 CuO- 와 바인더인 카르복실산 사이에서 배위 결합할 수 있다 (예를 들어, CuO-…Al3＋…COO-). 알루미늄 원자의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 기판의 금속 표면과의 상호작용이 강해져, 밀착성이 우수하다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량은, 0.01 ppm 이상이어도 되고, 0.03 ppm 이상이어도 되고, 0.05 ppm 이상이어도 되고, 0.08 ppm 이상이어도 된다. 또, 0.1 ppm 이상이어도 되고, 0.2 ppm 이상이어도 되고, 0.3 ppm 이상이어도 되고, 0.4 ppm 이상이어도 되고, 0.5 ppm 이상이어도 되고, 0.6 ppm 이상이어도 되고, 0.7 ppm 이상이어도 되고, 0.8 ppm 이상이어도 되고, 0.9 ppm 이상이어도 되고, 1.0 ppm 이상이어도 된다. 또, 1.1 ppm 이상이어도 되고, 1.2 ppm 이상이어도 되고, 1.3 ppm 이상이어도 되고, 1.4 ppm 이상이어도 되고, 1.5 ppm 이상이어도 된다. 또, 2.0 ppm 이상이어도 되고, 3.0 ppm 이상이어도 되고, 4.0 ppm 이상이어도 된다. 알루미늄 원자의 함유량이 많을수록 밀착성이 향상된다.
한편, 감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량의 상한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 5 ppm 이하이다.
알루미늄 원자의 함유량이 상기 범위를 초과하는 경우, 알루미늄 이온이 분자 사이에서 배위 결합성의 결합을 생성함으로써 유사 가교가 생긴다. 이 유사 가교에 의해 현상액에의 용해성이 저하하고, 현상 시간의 지연이 발생한다. 알루미늄 원자의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 현상액에의 용해성이 적당하고, 현상 시간도 적당한 시간이 된다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량은, 4.0 ppm 이하여도 되고, 3.0 ppm 이하여도 되고, 2.0 ppm 이하여도 된다. 또, 1.5 ppm 이하여도 되고, 1.4 ppm 이하여도 되고, 1.3 ppm 이하여도 되고, 1.2 ppm 이하여도 되고, 1.1 ppm 이하여도 되고, 1.0 ppm 이하여도 된다. 또, 0.9 ppm 이하여도 되고, 0.8 ppm 이하여도 되고, 0.7 ppm 이하여도 되고, 0.6 ppm 이하여도 되고, 0.5 ppm 이하여도 되고, 0.4 ppm 이하여도 되고, 0.3 ppm 이하여도 되고, 0.2 ppm 이하여도 되고, 0.1 ppm 이하여도 되고, 0.05 ppm 이하여도 된다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하이며, 0.02 ppm 이상 2.5 ppm 이하가 바람직하고, 0.03 ppm 이상 1.0 ppm 이하의 범위가 가장 바람직하다.
알루미늄 원자의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있다. 현상성이 양호하면, 레지스트 패턴에 잔류물이 남기 어려운 효과가 있고, 기판에의 밀착성이 양호하면, 보다 가는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 효과가 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량을 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하의 범위 내로 조정하는 수단으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 감광성 수지 조성물의 조성을, 각 성분에 관해서 다양하게 조정하는 것을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 알루미늄 원자의 함유량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 결정된다.
감광성 수지 조성물층 중의 철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량은 0.02 ppm 이상 20 ppm 이하인 것이 바람직하다.
철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량은, 0.03 ppm 이상이어도 되고, 0.04 ppm 이상이어도 되고, 0.05 ppm 이상이어도 되고, 0.06 ppm 이상이어도 되고, 0.07 ppm 이상이어도 되고, 0.08 ppm 이상이어도 되고, 0.09 ppm 이상이어도 되고, 0.1 ppm 이상이어도 된다. 또, 0.1 ppm 이상이어도 되고, 0.11 ppm 이상이어도 되고, 0.12 ppm 이상이어도 되고, 0.13 ppm 이상이어도 되고, 0.14 ppm 이상이어도 되고, 0.15 ppm 이상이어도 되고, 0.16 ppm 이상이어도 되고, 0.17 ppm 이상이어도 되고, 0.18 ppm 이상이어도 되고, 0.19 ppm 이상이어도 되고, 0.2 ppm 이상이어도 된다. 또, 0.3 ppm 이상이어도 되고, 0.4 ppm 이상이어도 되고, 0.5 ppm 이상이어도 되고, 0.6 ppm 이상이어도 되고, 0.7 ppm 이상이어도 되고, 0.8 ppm 이상이어도 되고, 0.9 ppm 이상이어도 되고, 1.0 ppm 이상이어도 된다. 또, 1.5 ppm 이상이어도 되고, 2.0 ppm 이상이어도 되고, 2.5 ppm 이상이어도 되고, 3.0 ppm 이상이어도 되고, 3.5 ppm 이상이어도 되고, 4.0 ppm 이상이어도 된다.
철 원자, 칼슘 원자 및 알루미늄 원자의 함유량은, 15 ppm 이하여도 되고, 10 ppm 이하여도 되고, 5 ppm 이하여도 되고, 4 ppm 이하여도 되고, 3 ppm 이하여도 되고, 2 ppm 이하여도 되고, 1 ppm 이하여도 된다. 바람직하게는 0.11 ppm 이상 5 ppm 이하이다.
(I) 나트륨 원자
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층은, 나트륨 원자의 함유량이, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1 ppm 이상 50 ppm 이하이다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량의 하한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1 ppm 이상이다.
나트륨 원자의 함유량이, 상기 범위를 하회하는 경우, 형성한 배선 사이에 잔류물이 생기기 쉽다. 감광성 수지 조성체에 미량의 나트륨 이온이 포함됨으로써, 현상액 및 수세수의 침투성이 우수하기 때문에, 밀집한 배선 간이어도 잔류물이 생기는 일없이 현상하는 것이 가능하다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량은, 1 ppm 이상이어도 되고, 1.5 ppm 이상이어도 되고, 2 ppm 이상이어도 되고, 3 ppm 이상이어도 되고, 4 ppm 이상이어도 되고, 5 ppm 이상이어도 되고, 6 ppm 이상이어도 되고, 7 ppm 이상이어도 되고, 8 ppm 이상이어도 되고, 9 ppm 이상이어도 되고, 10 ppm 이상이어도 된다. 또, 15 ppm 이상이어도 되고, 16 ppm 이상이어도 되고, 17 ppm 이상이어도 되고, 18 ppm 이상이어도 되고, 19 ppm 이상이어도 되고, 20 ppm 이상이어도 된다. 또, 30 ppm 이상이어도 되고, 35 ppm 이상이어도 되고, 40 ppm 이상이어도 되고, 45 ppm 이상이어도 된다. 나트륨 원자의 함유량이 많을수록 배선 간의 잔류물이 생기기 어렵다.
한편, 감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량의 상한값으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 50 ppm 이하이다.
나트륨 원자의 함유량이 상기 범위를 초과하는 경우, 현상액 및 수세수의 침투성이 지나치게 높기 때문에, 형성한 밀집 배선 패턴이 팽윤하여 근접한 배선과 접촉함으로써, 밀집한 배선 패턴이 얻어지지 않는다. 나트륨 원자의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 현상액 및 수세수의 침투성이 적당하고, 밀집한 패턴에 있어서의 해상성이 우수하다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량은, 45 ppm 이하여도 되고, 40 ppm 이하여도 되고, 35 ppm 이하여도 되고, 30 ppm 이하여도 된다. 또, 25 ppm 이하여도 되고, 20 ppm 이하여도 되고, 19 ppm 이하여도 되고, 18 ppm 이하여도 되고, 17 ppm 이하여도 되고, 16 ppm 이하여도 되고, 15 ppm 이하여도 된다. 또, 9 ppm 이하여도 되고, 8 ppm 이하여도 되고, 7 ppm 이하여도 되고, 6 ppm 이하여도 되고, 5 ppm 이하여도 되고, 4 ppm 이하여도 되고, 3 ppm 이하여도 되고, 2 ppm 이하여도 된다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량으로는, 그 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1 ppm 이상 50 ppm 이하이며, 1.5 ppm 이상 25 ppm 이하의 범위가 바람직하고, 2 ppm 이상 10 ppm 이하의 범위가 가장 바람직하다.
나트륨 원자의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 배선 간의 잔류물과 패턴끼리의 접촉을 방지하기 때문에, 밀집한 배선 패턴의 형성성이 우수하다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량을 1 ppm 이상 50 ppm 이하의 범위 내로 조정하는 수단으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 감광성 수지 조성물의 조성을, 각 성분에 관해서 다양하게 조정하거나, 이온 교환 수지를 사용하여 제거하거나, 각종 나트륨염 화합물을 첨가하는 것을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 중의 나트륨 원자의 함유량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 결정된다.
(G) 증감제
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에서는, (G) 증감제가, 피라졸린 화합물, 안트라센 화합물, 트리아릴아민 화합물, 옥사졸 화합물에서 선택되는 적어도 하나를 포함한다. 이들 화합물은 h 선으로 불리는 405 nm 부근의 광의 흡수가 크다. 이들 화합물을 증감제로서 사용함으로써, 감도, 화상 형성성이 양호해진다. 그 중에서도 (G) 증감제는, 피라졸린 화합물 및 안트라센 화합물에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 (G) 증감제는, 그 감광성 수지 조성물의 고형분의 합계 질량에 대해 0.005 ∼ 2 질량％ 가 바람직하다. 상기 (G) 증감제를 이 범위에서 사용함으로써, 양호한 감도, 해상도, 밀착성이 얻어진다.
본 발명에 있어서의 (G) 증감제는, (C) 개시제와 조합함으로써 감도가 향상되는 것이면 된다. (G) 증감제의 기능으로는, 노광 파장의 광을 흡수하고, 개시제에 에너지 또는 전자를 부여하는 것, (C) 개시제의 개열을 촉진하는 것, (C) 개시제로부터 발생한 개시 라디칼 또는 일단 모노머에 부가하여 중합한 후의 성장 라디칼이 (G) 증감제로 이동하여 새로운 개열, 분해를 거쳐 라디칼을 재생하는 것, 등 여러 가지 들 수 있다.
피라졸린 화합물, 안트라센 화합물, 트리아릴아민 화합물, 옥사졸 화합물 이외의 (G) 증감제로는, N-아릴-α-아미노산 화합물, 알킬아미노기가 치환된 방향족 케톤 화합물, 디알킬아미노벤조산에스테르 화합물, 피라졸린 유도체, 안트라센 유도체, 트리페닐아민 유도체, N-아릴아미노산의 에스테르 화합물, 할로겐 화합물 등을 들 수 있다.
N-아릴-α-아미노산 화합물로는, 예를 들어 N-페닐글리신, N-메틸-N-페닐글리신, N-에틸-N-페닐글리신 등을 들 수 있다. 특히 N-페닐글리신은 증감 효과가 높아 바람직하다.
알킬아미노기가 치환된 방향족 케톤 화합물로는, 미힐러케톤[4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논], 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논 등을 들 수 있다.
디알킬아미노벤조산에스테르 화합물로는, 예를 들어 디메틸아미노벤조산에틸, 디에틸아미노벤조산에틸, 에틸-p-디메틸아미노벤조에이트, 2-에틸헥실-4-(디메틸아미노)벤조에이트 등을 들 수 있다.
피라졸린 유도체로는, 밀착성 및 레지스트 패턴의 사각형성의 관점에서, 5-(4-tert-부틸페닐)-3-(4-tert-부틸스티릴)-1-페닐-2-피라졸린, 5-(4-tert-부틸페닐)-1-페닐-3-(4-페닐페닐)-4,5-디하이드로-1H-피라졸, 1-페닐-3-(4-이소프로필스티릴)-5-(4-이소프로필페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-메톡시스티릴)-5-(4-메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(3,5-디메톡시스티릴)-5-(3,5-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(3,4-디메톡시스티릴)-5-(3,4-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,6-디메톡시스티릴)-5-(2,6-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,5-디메톡시스티릴)-5-(2,5-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,3-디메톡시스티릴)-5-(2,3-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(2,4-디메톡시스티릴)-5-(2,4-디메톡시페닐)-피라졸린, 1-페닐-3,5-비스(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3,5-비스(4-메톡시-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-메톡시-페닐)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-tert-부틸-페닐)-5-(4-메톡시-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-이소프로필-페닐)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-tert-부틸-페닐)-5-(4-이소프로필-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-메톡시-페닐)-5-(4-이소프로필-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-이소프로필-페닐)-5-(4-메톡시-페닐)-피라졸린, 1,5-디페닐-3-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1,3-디페닐-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1,5-디페닐-3-(4-이소프로필-페닐)-피라졸린, 1,3-디페닐-5-(4-이소프로필-페닐)-피라졸린, 1,5-디페닐-3-(4-메톡시-페닐)-피라졸린, 1,3-디페닐-5-(4-메톡시-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3,5-비스(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1,5-디페닐-3-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린이 바람직하다.
1-페닐-3-(4-비페닐)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-비페닐)-5-(4-tert-옥틸-페닐)-피라졸린이 바람직하다.
안트라센 화합물로는, 안트라센, 9,10-디알콕시안트라센, 9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센이 바람직하다. 그 중에서도 9,10-디부톡시안트라센이 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 트리아릴아민 화합물로는, 분자 중에 트리페닐아민 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다. 트리아릴아민 화합물로는, 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112020068440907-pct00001
상기 일반식 (2) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알콕시기를 나타낸다. n4, n5 및 n6 은, n4 ＋ n5 ＋ n6 의 값이 1 이상이 되도록 선택되는 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. 또한, n4 가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R1 은 동일해도 되고 상이해도 되고, n5 가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R2 는 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R3 은 동일해도 되고 상이해도 된다.
일반식 (2) 로 나타내는 화합물은, 해상도와 밀착성의 관점에서, R2 가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기이고, n4 및 n6 이 0 이며, n5 가 1 인 것이 바람직하다. R2 가 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기이고, n4 및 n6 이 0 이며, n5 가 1 인 것이 보다 바람직하다.
옥사졸 화합물로는, 분자 중에 옥사졸 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다. 감도의 관점에서, 5-tert-부틸-2-[5-(5-tert-부틸-1,3-벤족사졸-2-일)티오펜-2-일]-1,3-벤족사졸, 2-[4-(1,3-벤족사졸-2-일)나프탈렌-1-일]-1,3-벤족사졸이 바람직하다.
N-아릴아미노산의 에스테르 화합물로는, 예를 들어, N-페닐글리신의 메틸에스테르, N-페닐글리신의 에틸에스테르, N-페닐글리신의 n-프로필에스테르, N-페닐글리신의 이소프로필에스테르, N-페닐글리신의 1-부틸에스테르, N-페닐글리신의 2-부틸에스테르, N-페닐글리신의 tert 부틸에스테르, N-페닐글리신의 펜틸에스테르, N-페닐글리신의 헥실에스테르, N-페닐글리신의 펜틸에스테르, N-페닐글리신의 옥틸에스테르 등을 들 수 있다.
할로겐 화합물로는, 예를 들어, 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤질, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 4 브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 클로르화트리아진 화합물, 디알릴요오드늄 화합물 등을 들 수 있고, 특히 트리브로모메틸페닐술폰이 바람직하다.
(H) 첨가제
본 개시에서 「(H) 첨가제」란, 감광성 수지 조성물에 원하는 기능을 부여하기 위해서 배합되는 성분으로서 상기 서술한 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, (E) 성분, (F) 성분, (G) 성분, (I) 성분 및 (J) 성분 이외의 것을 포함한다.
(H) 첨가제는, 기판의 적면을 방지하는 관점에서, 카르복실벤조트리아졸류를 포함한다. 카르복실벤조트리아졸류를 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대해 0.01 ∼ 5 질량％ 포함한다. 이 배합량을 0.01 질량％ 이상으로 하는 것은, 감광성 수지 적층체를 구리 피복 적층판 등의 기판에 라미네이트하고, 시간이 경과하고 나서 현상했을 때의 기판의 적면을 방지한다는 관점에서 필요하고, 이 배합량을 0.03 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.05 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 한편으로, 이 배합량을 5 질량％ 이하로 하는 것은, 높은 해상성을 얻는 관점에서 필요하고, 이 배합량을 3 질량％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 1 질량％ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
카르복실벤조트리아졸류로는, 예를 들어, 4-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, 5-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, 치환되어 있어도 되는 아미노메틸기를 함유하고 있는 1-〔N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸〕-4-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N,N-비스(이소프로필)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N-하이드로-N-3-(2-에틸헥실옥시)-1-프로필아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N,N-비스(1-옥틸)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N,N-비스(2-하이드로옥시프로필)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸, 1-〔N,N-비스(1-부틸)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 적면 방지 성능의 관점에서 1-〔N,N-비스(1-부틸)아미노메틸〕-5-카르복실벤조트리아졸이 바람직하다. 카르복실기의 치환 위치는, 합성 과정에서 5 위치와 6 위치가 혼재하는 경우가 있지만, 그 모두 바람직하다. 예를 들어 5 위치 치환체와 6 위치 치환체의 0.5 : 1.5 ∼ 1.5 : 0.5 (질량비) 의 혼합물, 특히 1 : 1 (질량비) 혼합물을 사용할 수 있다. 간단히 「1-N-디부틸아미노메틸카르복실벤조트리아졸」로 기술하고 5 위치 치환체와 6 위치 치환체의 혼합물을 가리키는 경우도 있다. 카르복실벤조트리아졸로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2008-175957호에 기재된 화합물도 사용할 수 있다. 그 외, 2-메르캅토벤조이미다졸, 1H-테트라졸, 1-메틸-5-메르캅토-1H-테트라졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-메르캅토트리아졸, 4,5-디페닐-1,3-디아졸-2-일, 5-아미노-1H-테트라졸 등도 사용할 수 있다.
상기 서술한 감광성 수지 조성물에, (H) 성분으로서 첨가해도 되는 기타 첨가제로는, 착색제, 라디칼 중합 금지제, 카르복실벤조트리아졸류 이외의 벤조트리아졸류, 비스페놀 A 의 에폭시 화합물류, 가소제 등을 들 수 있다.
착색제로는, 푹신, 프탈로시아닌 그린, 오라민 염기, 파라마젠타, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린 (예를 들어 호도가야 화학 (주) 제조 아이젠 (등록상표) MALACHITE GREEN), 베이직 블루 20, 다이아몬드 그린 (예를 들어 호도가야 화학 (주) 제조 아이젠 (등록상표) DIAMOND GREEN GH), 1,4-비스(4-메틸페닐아미노)-9,10-안트라퀴논 (예를 들어 오리엔트 화학 공업 (주) 제조, OPLAS GREEN533), 1,4-비스(부틸아미노)안트라퀴논 (예를 들어 오리엔트 화학 공업 (주) 제조, OIL BLUE 2N), 1,4-비스(이소프로필아미노)-9,10-안트라퀴논 (예를 들어 오리엔트 화학 공업 (주) 제조, OIL BLUE 630) 등을 들 수 있다.
또한, 착색제의 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 비율은, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량％, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 5 질량％, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 2 질량％, 특히 바람직하게는 0.5 ∼ 1 질량％ 이다.
착색제로는, 예를 들어, 류코 염료, 또는 플루오란 염료를 함유해도 된다. 이들을 함유함으로써 감광성 수지 조성물층의 노광 부분이 발색하므로 시인성의 점에서 바람직하고, 또, 검사기 등이 노광을 위한 위치 맞춤 마커를 판독하는 경우, 노광부와 미노광부의 콘트라스트가 큰 편이 인식하기 쉬워지기 때문에, 유리하다.
류코 염료로는, 트리스(4-디메틸아미노페닐)메탄 [류코 크리스탈 바이올렛], 비스(4-디메틸아미노페닐)페닐메탄 [류코 말라카이트 그린] 등을 들 수 있다. 특히, 콘트라스트가 양호해지는 관점에서, 류코 염료로는, 류코 크리스탈 바이올렛을 사용하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물 중의 류코 염료의 함유량은, 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대해 0.1 ∼ 10 질량％ 인 것이 바람직하다. 이 함유량을 0.1 질량％ 이상으로 하는 것은, 노광 부분과 미노광 부분의 콘트라스트를 양호하게 하는 관점에서 바람직하고, 이 함유량을 0.2 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.4 질량％ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 한편으로, 이 함유량을 10 질량％ 이하로 하는 것이 보존 안정성을 유지한다는 관점에서 바람직하고, 이 함유량을 2 질량％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 1 질량％ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
또, 감광성 수지 조성물 중에 류코 염료와 할로겐 화합물을 조합하여 사용하는 것은, 밀착성 및 콘트라스트를 최적화하는 관점에서 바람직하다. 할로겐 화합물은, (C) 성분으로서 전술한 유기 할로겐 화합물에서 유래할 수 있고, 특히 트리브로모메틸페닐술폰이 바람직하다.
라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어, p-메톡시페놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, tert-부틸카테콜, 염화 제 1 구리, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 니트로소페닐하이드록시아민알루미늄염, 디페닐니트로소아민 등을 들 수 있다. 감광성 수지 조성물의 감도를 저해하지 않기 위해, 니트로소페닐하이드록시아민알루미늄염이 바람직하다.
카르복실벤조트리아졸류 이외의 벤조트리아졸류로는, 예를 들어, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-클로로-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-톨릴트리아졸, 비스(N-2-하이드록시에틸)아미노메틸렌-1,2,3-벤조트리아졸 등을 들 수 있다.
비스페놀 A 의 에폭시 화합물류로는, 비스페놀 A 를 폴리프로필렌글리콜로 수식하고 말단을 에폭시화한 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 라디칼 중합 금지제, 카르복실벤조트리아졸류 이외의 벤조트리아졸류, 카르복실벤조트리아졸류, 및 비스페놀 A 의 에폭시 화합물류의 합계 함유량은, 상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대해, 바람직하게는 0.001 ∼ 3 질량％ 이며, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 1 질량％ 이다. 당해 함유량을 0.001 질량％ 이상으로 하는 것은, 감광성 수지 조성물에 보존 안정성을 부여한다는 관점에서 바람직하고, 한편으로, 당해 함유량을 3 질량％ 이하로 하는 것은, 감광성 수지 조성물의 감도를 유지하고, 또한 염료의 탈색 및 발색을 억제하는 관점에서 바람직하다.
가소제로는, 예를 들어, 디에틸프탈레이트 등의 프탈산에스테르류, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜알킬에테르 등을 들 수 있다. 또, 아데카놀 SDX-1569, 아데카놀 SDX-1570, 아데카놀 SDX-1571, 아데카놀 SDX-479 (이상 아사히 덴카 (주) 제조), 뉴폴 BP-23P, 뉴폴 BP-3P, 뉴폴 BP-5P, 뉴폴 BPE-20T, 뉴폴 BPE-60, 뉴폴 BPE-100, 뉴폴 BPE-180 (이상 산요 화성 (주) 제조), 유니올 DB-400, 유니올 DAB-800, 유니올 DA-350F, 유니올 DA-400, 유니올 DA-700 (이상 닛폰 유지 (주) 제조), BA-P4U 글리콜, BA-P8 글리콜 (이상 닛폰 유화제 (주) 제조) 등의 비스페놀 골격을 갖는 화합물도 들 수 있다.
상기 (A) 성분 ∼ (J) 성분의 총량에 대한 가소제의 함유량은, 바람직하게는 1 ∼ 50 질량％ 이며, 보다 바람직하게는 1 ∼ 30 질량％ 이다. 그 함유량을 1 질량％ 이상으로 하는 것은, 현상 시간의 지연을 억제하고, 또한 경화막에 유연성을 부여한다는 관점에서 바람직하고, 한편으로 그 함유량을 50 질량％ 이하로 하는 것은, 경화 부족 및 콜드 플로우를 억제한다는 관점에서 바람직하다.
＜감광성 수지 적층체＞
본 실시형태의 감광성 수지 적층체는, 지지 필름과, 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비한다.
다른 실시형태는, 상기와 같은 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층이 지지 필름 상에 적층된 감광성 수지 적층체를 제공한다. 필요에 따라, 감광성 수지 적층체는, 감광성 수지 조성물층의 지지 필름측과는 반대측의 표면에 보호층을 가져도 된다.
지지 필름으로는, 노광 광원으로부터 방사되는 광을 투과하는 투명한 것이 바람직하다. 이와 같은 지지 필름으로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 염화비닐리덴 공중합 필름, 폴리메타크릴산메틸 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리아크릴로니트릴 필름, 스티렌 공중합체 필름, 폴리아미드 필름, 셀룰로오스 유도체 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름은, 필요에 따라 연신된 것도 사용 가능하고, 헤이즈 5 이하의 것이 바람직하다. 필름의 두께는, 얇을수록 화상 형성성 및 경제성을 향상시키기 때문에 유리하지만, 감광성 수지 적층체의 강도를 유지하기 위해서 10 ∼ 30 ㎛ 의 것이 바람직하게 사용된다.
감광성 수지 적층체에 사용되는 보호층의 중요한 특성은, 감광성 수지 조성물층과의 밀착력에 대해 지지 필름보다 보호층쪽이 충분히 작아, 용이하게 박리할 수 있는 것이다. 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 또는 폴리프로필렌 필름을 보호층으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 예를 들어 일본 공개특허공보 소59-202457호에 나타내어진 박리성이 우수한 필름을 사용할 수도 있다. 보호층의 막두께는 10 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다.
보호층에 폴리에틸렌을 사용한 경우에는, 폴리에틸렌 필름 표면에 피시 아이로 불리는 겔이 있고, 이것이 감광성 수지 조성물층에 전사되는 경우가 있다. 피시 아이가 감광성 수지 조성물층에 전사되면 라미네이트 시에 공기를 말려들게 하여 공극이 되는 경우가 있고, 레지스트 패턴의 결손으로 이어진다. 피시 아이를 방지하는 관점에서, 보호층의 재질은 연신 폴리프로필렌이 바람직하다. 구체예로는 오지 제지 (주) 제조 아르판 E-200A 를 들 수 있다.
감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지 조성물층의 두께는, 용도에 있어서 상이하지만, 바람직하게는 5 ㎛ ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ㎛ ∼ 60 ㎛ 이며, 얇을수록 해상도는 향상되고, 또 두꺼울수록 막강도가 향상된다.
＜감광성 수지 적층체의 제조 방법＞
감광성 수지 적층체의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 실시형태의 감광성 수지 적층체의 제조 방법은, 상기 감광성 수지 조성물 조합액을 제조하는 조합액 제조 공정과, 감광성 수지 조성물 조합액을 지지 필름 상에 도포, 건조시켜 감광성 수지 조성물층을 형성하여 상기 감광성 수지 적층체를 제조하는 도포·건조 공정을 포함한다.
지지 필름, 감광성 수지 조성물층, 및 필요에 따라 보호층을 순차 적층하여 감광성 수지 적층체를 제작하는 방법으로는, 이미 알려진 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 감광성 수지 조성물층에 사용하는 감광성 수지 조성물을, 이들을 용해하는 용제와 혼합하여 균일한 용액 (감광성 수지 조성물 조합액) 으로 한다.
바람직한 용매로는, 케톤류, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK) 등 ; 및 알코올류, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등을 들 수 있다. 감광성 수지 조성물 조합액의 점도가 25 ℃ 에서 500 mPa·초 ∼ 4000 mPa·초가 되도록, 용매를 감광성 수지 조성물에 첨가하는 것이 바람직하다.
그리고, 이 감광성 수지 조성물 조합액을, 우선 지지 필름 상에 바 코터 또는 롤 코터를 사용하여 도포하고, 이어서 건조하여 지지 필름 상에 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층을 적층한다. 이어서 필요에 따라, 감광성 수지 조성물층 상에 보호층을 라미네이트함으로써 감광성 수지 적층체를 제작할 수 있다.
＜레지스트 패턴 형성 방법＞
다른 양태는, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 기재에 라미네이트하고, 노광하고, 현상하는 공정을 포함하는, 레지스트 패턴 형성 방법을 제공한다. 이하에, 본 실시형태의 감광성 수지 적층체를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법의 일례를 설명한다. 레지스트 패턴으로는, 회로 기판 (프린트 배선판), 플렉시블 기판, 리드 프레임 기판, COF (칩 온 필름) 용 기판, 반도체 패키지용 기판, 액정 패널용 투명 전극, 액정 패널용 TFT 배선, 유기 EL 디스플레이용 배선, PDP (플라스마 디스플레이 패널) 용 전극 등에 있어서 형성되는 레지스트 패턴을 들 수 있다.
레지스트 패턴은, 이하의 각 공정을 거쳐 형성할 수 있다.
본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 감광성 수지 적층체를 기재에 라미네이트하는 공정과, 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정과, 노광 후의 감광성 수지 조성물층을 현상하는 공정을 포함한다.
(1) 라미네이트 공정
감광성 수지 조성물층의 보호층을 떼어 내면서, 구리 피복 적층판, 플렉시블 기판 등의 기판 상에 핫 롤 라미네이터를 사용하여 감광성 수지 적층체를 밀착시킨다. 라미네이트 조건은 종래 공지된 조건으로 적절히 설정하면 된다.
(2) 노광 공정
원하는 패턴 (예를 들어 배선 패턴) 을 갖는 마스크 필름을 감광성 수지 적층체의 지지 필름 상에 밀착시켜 활성 광원을 사용하여 노광하거나, 또는 원하는 패턴에 대응하는 묘화 패턴을 직접 묘화에 의해 노광한다. 노광을, 묘화 패턴의 직접 묘화에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 노광 파장으로는, i 선, h 선, g 선, 이들의 혼합 등을 적절히 사용할 수 있다. 본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, i 선 또는 h 선, 특히 h 선으로의 노광에 있어서 고감도 및 고해상도를 실현할 수 있는 점에서 유리하다. 또 이로써, 본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, 특히 직접 묘화에 있어서 유용하다. 노광 조건은 종래 공지된 조건으로 적절히 설정하면 된다.
(3) 현상 공정
노광 후, 감광성 수지 조성물층 상의 지지 필름을 박리하고, 계속해서 알칼리 수용액의 현상액을 사용하여 미노광부를 현상 제거해 레지스트 패턴을 기판 상에 형성한다. 알칼리 수용액으로는, Na2CO3 또는 K2CO3 의 수용액을 사용한다. 알칼리 수용액은, 감광성 수지 조성물층의 특성에 맞춰 적절히 선택되지만, 약 0.2 ∼ 2 질량％ 의 농도, 또한 약 20 ∼ 40 ℃ 의 Na2CO3 수용액이 일반적이다.
상기 각 공정을 거쳐 레지스트 패턴을 얻을 수 있지만, 경우에 따라, 추가로 약 100 ∼ 300 ℃ 의 가열 공정을 실시할 수도 있다. 이 가열 공정을 실시함으로써, 추가적인 내약품성 향상이 가능해진다. 가열에는 열풍, 적외선, 또는 원적외선 방식의 가열로를 사용할 수 있다.
본 실시형태의 금속 배선의 형성 방법은, 상기 방법에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴을 사용하여 금속 배선 (도체 패턴) 을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함한다.
다른 양태는, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 기재에 라미네이트하고, 노광하고, 현상하고, 도금하는 공정을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법, 및, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 기재에 라미네이트하고, 노광하고, 현상하고, 에칭하는 공정을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법을 제공한다. 회로 기판은, 레지스트 패턴 형성 방법에 대해 상기 서술한 바와 같은 순서로 레지스트 패턴이 형성된 기재를, 추가로 에칭 또는 도금함으로써 제조할 수 있다. 특히, 회로 기판의 제조에 있어서 노광을 묘화 패턴의 직접 묘화에 의해 실시하는 것은, 마스크의 제작이 불필요하기 때문에, 생산성의 관점에서 유리하다. 에칭 및 도금은, 각각 이하와 같이 실시할 수 있다.
(4) 에칭 공정 또는 도금 공정
상기 서술한 현상에 의해 노출된 기재의 표면 (예를 들어 구리 피복 적층판의 경우의 구리면) 을 에칭 또는 도금하여, 도체 패턴을 형성한다. 에칭 및 도금의 방법은 각각 종래 공지된 방법을 적절히 사용할 수 있다.
(5) 박리 공정
그 후, 레지스트 패턴을 현상액보다 강한 알칼리성을 갖는 수용액에 의해 기판으로부터 박리한다. 박리용의 알칼리 수용액에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 농도 약 2 ∼ 5 질량％, 또한 약 40 ∼ 70 ℃ 의 온도의 NaOH 또는 KOH 의 수용액이 일반적으로 사용된다. 박리액에, 소량의 수용성 용매를 첨가할 수도 있다.
특히 본 실시형태에서는, (G) 광 증감제로서 디페닐피라졸린 유도체를 사용함으로써, 특히 우수한 도금 후 박리성을 갖는다.
상기와 같은 순서로, 회로 기판을 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 반도체 패키지의 제조 방법은, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 기재로서의 반도체 패키지용 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및 그 레지스트 패턴이 형성된 반도체 패키지용 기판을 에칭하거나 또는 도금하는 공정을 포함하는, 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다. 반도체 패키지용 기판, 및 반도체 패키지의 구성은, 종래 공지된 임의의 것을 적절히 채용할 수 있다. 또 레지스트 패턴의 형성, 및 에칭 또는 도금은, 상기 서술한 바와 같은 순서로 각각 실시할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 적층체는, 회로 기판 (프린트 배선판), 플렉시블 기판, 리드 프레임 기판, COF (칩 온 필름) 용 기판, 반도체 패키지용 기판, 액정 패널용 투명 전극, 액정 패널용 TFT 배선, 유기 EL 디스플레이용 배선, PDP (플라스마 디스플레이 패널) 용 전극 등의 도체 패턴의 제조에 적절한 감광성 수지 적층체이다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 현상액에의 용해성 즉 현상성과, 기판 특히 구리 기판에의 밀착성을 양립시킬 수 있는 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각종 파라미터에 대해서는 특별히 기재가 없는 한, 후술하는 실시예에 있어서의 측정 방법에 준해 측정된다.
실시예
고분자 및 단량체의 물성값의 측정, 그리고 실시예 및 비교예의 평가용 샘플의 제작 방법을 설명한다. 이어서, 얻어진 샘플에 대한 평가 방법 및 그 평가 결과를 나타낸다.
(1) 물성값의 측정 또는 계산
＜고분자의 중량 평균 분자량 또는 수평균 분자량의 측정＞
고분자의 중량 평균 분자량 또는 수평균 분자량은, 닛폰 분광 (주) 제조 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) (펌프 : Gulliver, PU-1580 형, 칼럼 : 쇼와 전공 (주) 제조 Shodex (등록상표) (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) 4 개 직렬, 이동층 용매 : 테트라하이드로푸란, 폴리스티렌 표준 샘플 (쇼와 전공 (주) 제조 Shodex STANDARD SM-105) 에 의한 검량선 사용) 에 의해 폴리스티렌 환산으로서 구하였다.
또한, 고분자의 분산도는, 수평균 분자량에 대한 중량 평균 분자량의 비 (중량 평균 분자량/수평균 분자량) 로서 산출되었다.
＜산당량＞
본 명세서에 있어서 산당량이란, 분자 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 중합체의 질량 (그램) 을 의미한다. 히라누마 산업 (주) 제조 히라누마 자동 적정 장치 (COM-555) 를 사용하고, 0.1 mol/L 의 수산화나트륨 수용액을 사용하여 전위차 적정법에 의해 산당량을 측정하였다.
(2) 평가용 샘플의 제작 방법
실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 4 에 있어서의 평가용 샘플은 이하와 같이 제작하였다.
＜감광성 수지 적층체의 제작＞
하기 표 1 또는 2 에 나타내는 성분 (단, 각 성분의 숫자는 고형분으로서의 배합량 (질량부) 을 나타낸다) 및 용매를 충분히 교반, 혼합하여, 감광성 수지 조성물 조합액을 얻었다. 표 1 및 2 중에 약호로 나타낸 성분의 명칭을 하기 표 3 ∼ 표 6 에 나타낸다.
지지 필름으로서 두께 16 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도레이 (주) 제조, FB-40) 을 사용하였다. 지지 필름의 표면에 바 코터를 사용하여, 이 조합액을 균일하게 도포하고, 95 ℃ 의 건조기 중에서 3 분간 건조하여, 감광성 수지 조성물층을 형성하였다. 감광성 수지 조성물층의 건조 두께는 25 ㎛ 였다.
이어서, 감광성 수지 조성물층의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층하고 있지 않은 측의 표면 상에, 보호층으로서 19 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 필름 (타마폴리 주식회사 제조, GF-818) 을 첩합하였다. 이로써, 지지 필름과 감광성 수지 조성물층과 보호층이 순서대로 적층된 감광성 수지 적층체를 얻었다.
＜기판 정면 (整面)＞
35 ㎛ 압연 구리박을 적층한 0.4 mm 두께의 구리 피복 적층판에, 연삭재 (닛폰 카리트 (주) 제조, 사쿠런덤 R (등록상표 ＃220)) 를 스프레이압 0.2 MPa 로 분무하고, 표면을 연마하였다.
＜라미네이트＞
감광성 수지 적층체의 폴리에틸렌 필름을 떼어 내면서, 60 ℃ 로 예열한 구리 피복 적층판에, 핫 롤 라미네이터 (아사히 화성 (주) 사 제조, AL-700) 에 의해, 롤 온도 105 ℃ 에서 라미네이트하였다. 에어압은 0.35 MPa 로 하고, 라미네이트 속도는 1.5 m/분으로 하였다.
＜노광＞
조성물 1 ∼ 7 을 사용하여 제작한 감광성 수지 조성체는, 직접 묘화 노광기 (비아 메카닉스 주식회사 제조, DE-1DH, 광원 : GaN 청자 다이오드, 주파장 405±5 nm) 에 의해, 조도 85 mW/㎠, 60 mJ/㎠ 로 노광하였다.
조성물 8 ∼ 15 를 사용하여 제작한 감광성 수지 조성체는, 평행광 노광기 (주식회사 오크 제작소 제조, HMW-801) 를 사용하여, 노광량 160 mJ/㎠ 로 노광하였다.
＜현상＞
노광한 평가 기판의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하였다. 그 후, 알칼리 현상기 (후지 기공 제조, 드라이 필름용 현상기) 를 사용하여 30 ℃ 의 1 질량％ Na2CO3 수용액을 소정 시간 스프레이하고, 감광성 수지 조성물층의 미노광 부분을 용해 제거하였다. 이때, 최소 현상 시간의 2 배의 시간으로 현상하여, 경화 레지스트부를 제작하였다. 또한, 최소 현상 시간이란, 미노광 부분의 감광성 수지 조성물층이 완전히 용해되는 데에 필요한 가장 적은 시간을 말한다.
(3) 샘플의 평가 방법
＜철 원자, 칼슘 원자, 알루미늄 원자, 나트륨 원자의 함유량 측정＞
감광성 수지 조성물층의 철의 함유량 측정은, JIS K1200-6 에 기재된 유도 결합 플라스마 (ICP) 발광 분석법에 의해 실시하였다. 측정 조건을 이하에 나타낸다.
(1) 장치
유도 결합 플라스마 질량 분석계 (ICP-MS) : ICPMS―2030 ((주) 시마즈 제작소 제조)
(2) 전처리
얻어진 감광성 수지 조성물층을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름측으로부터 직접 묘화 노광기 (비아 메카닉스 주식회사 제조, DE-1DH, 광원 : GaN 청자 다이오드, 주파장 405±5 nm) 에 의해, 조도 85 mW/㎠, 60 mJ/㎠ 로 노광하였다.
이어서, 폴리에틸렌 필름 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 떼어 내고, 노광한 감광성 수지 조성물층 1.000 g 을 칭량하고, 전기로를 사용하여, 당해 감광성 수지를 회화시켰다.
다음으로, 전기로로부터 꺼낸 백금 도가니에 질산 수용액 (와코 준야쿠 공업 (주) 제조 ; 특급 질산, 및 초순수를 1 : 1 로 혼합한 수용액) 을 5 ml 첨가하여, 상기 회화물을 용해하였다.
계속해서, 초순수 15 ml 를 첨가하여, 회화물의 수용액을 얻었다. 상기 조작으로 얻어진 수용액에 대해, JIS K1200-6 에 기재된 유도 결합 플라스마 (ICP) 발광 분석법으로 측정을 실시하고, 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자, 칼슘 원자, 알루미늄 원자, 나트륨 원자의 함유량 (ppmw) 을 구하였다.
＜현상성의 평가 방법＞
감광성 수지 조성체를 기판에 라미네이트 후, 15 분 경과한 후의 최소 현상 시간을 측정하고, 이하의 기준으로 평가를 실시하고, 기준 D 를 불합격으로 하였다.
A (현저하게 양호) : 최소 현상 시간이 17 초 미만
B (양호) : 최소 현상 시간이 17 초 이상 19 초 미만
C (허용) : 최소 현상 시간이 19 초 이상 21 초 미만
D (불량) : 최소 현상 시간이 21 초 이상
＜밀착성의 평가 방법＞
감광성 수지 조성체를 기판에 라미네이트 후, 15 분 경과한 후, 전술한 현상 조건을 이용하여 현상하고, 패턴을 광학 현미경으로 관찰하고, 이하의 기준으로 평가를 실시하고, 기준 D 를 불합격으로 하였다.
A (현저하게 양호) : 독립 패턴의 최소 밀착 선폭이 9 ㎛ 미만
B (양호) : 독립 패턴의 최소 밀착 선폭이 9 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만
C (허용) : 독립 패턴의 최소 밀착 선폭이 10 ㎛ 이상 11 ㎛ 미만
D (불량) : 독립 패턴의 최소 밀착 선폭이 11 ㎛ 이상
(4) 평가 결과
실시예 1 ∼ 13 및 비교예 1 ∼ 2 의 평가 결과를 하기 표 7 ∼ 9 에 나타낸다.
Figure 112020068440907-pct00002
Figure 112020068440907-pct00003
Figure 112020068440907-pct00004
Figure 112020068440907-pct00005
Figure 112020068440907-pct00006
Figure 112020068440907-pct00007
Figure 112020068440907-pct00008
Figure 112020068440907-pct00009
Figure 112020068440907-pct00010
표 7 의 결과로부터, 이하의 내용을 판독할 수 있다.
먼저, 철 원자의 함유량이 0.01 ppm 보다 작은 비교예 1 에서는 기판과의 밀착성이 나쁘고, 한편 철 원자의 함유량이 10 ppm 보다 큰 비교예 2 에서는, 현상성이 나빴다.
이것에 대해, 철 원자의 함유량이 0.01 ppm 이상 10 ppm 이하인 실시예 1 ∼ 13 에서는, 현상성과, 기판과의 밀착성의 양방에서 양호한 결과가 얻어지고 있다.
그 중에서도, 철 원자의 함유량이 0.05 ppm 이상 2.0 ppm 이하인 실시예 7, 8 에서는, 특히 양호한 결과가 얻어졌다.
표 8 및 표 9 의 결과로부터, 칼슘 원자 혹은 알루미늄 원자에 대해서도 동일하게, 0.005 ppm 보다 작은 비교예 1 에서는 기판과의 밀착성이 나빴다. 한편, 칼슘 원자 혹은 알루미늄 원자의 함유량이 5 ppm 보다 큰 비교예 2 에서는, 현상성이 나빴다.
이것에 대해, 칼슘 원자 혹은 알루미늄 원자의 함유량이 0.005 ppm 이상 5 ppm 이하인 실시예 1 ∼ 13 에서는, 현상성과, 기판과의 밀착성의 양방에서 양호한 결과가 얻어졌다.
그 중에서도, 칼슘 원자 혹은 알루미늄 원자의 함유량이 0.03 ppm 이상 1.0 ppm 이하인 실시예 7, 8 에서는, 특히 양호한 결과가 얻어졌다.
＜밀집 배선 해상성의 평가 방법＞
실시예 14 ∼ 19 및 비교예 3 ∼ 4 의 감광성 수지 조성체에 대해, 밀집 배선 해상성에 대해 평가하였다.
감광성 수지 조성체를 기판에 라미네이트 후, 15 분 경과한 후, 전술한 현상 조건을 이용하여 현상하고, 패턴을 광학 현미경으로 관찰하고, 관점을 배선 간 잔류물과, 인접하는 배선의 접촉으로 나누어 이하의 기준으로 평가를 실시하고, 기준 D 를 불합격으로 하였다.
A (현저하게 양호) : 1 : 1 의 L/S 패턴의 최소 해상도가 13 ㎛ 미만
B (양호) : 1 : 1 의 L/S 패턴의 최소 해상도가 14 ㎛ 이상 15 ㎛ 미만
C (허용) : 1 : 1 의 L/S 패턴의 최소 해상도가 16 ㎛ 이상 17 ㎛ 미만
D (불량) : 1 : 1 의 L/S 패턴의 최소 해상도가 18 ㎛ 이상
(4) 평가 결과
실시예 14 ∼ 19 및 비교예 3 ∼ 4 의 평가 결과를 하기 표 10 ∼ 11 에 나타낸다.
Figure 112020068440907-pct00011
Figure 112020068440907-pct00012
표 10 및 표 11 의 결과로부터, 나트륨 원자에 대해, 1 ppm 보다 작은 비교예 3 에서는 배선 간 잔류물이 나빴다. 한편, 나트륨 원자의 함유량이 50 ppm 보다 큰 비교예 4 에서는, 인접하는 배선의 접촉이 나빴다.
이것에 대해, 나트륨 원자의 함유량이 1 ppm 이상 50 ppm 이하인 실시예 14 ∼ 19 에서는, 배선 간 잔류물과, 인접하는 배선의 접촉의 양방에서 양호한 결과가 얻어지고 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물 적층체는, 고감도 및 고해상도를 갖는다. 그 때문에, 본 발명의 감광성 수지 조성물 적층체는, 회로 기판 (프린트 배선판), 플렉시블 기판, 리드 프레임 기판, COF (칩 온 필름) 용 기판, 반도체 패키지용 기판, 액정 패널용 투명 전극, 액정 패널용 TFT 배선, 유기 EL 디스플레이용 배선, PDP (플라스마 디스플레이 패널) 용 전극 등에 있어서의 도체 패턴의 제조에 바람직하게 이용할 수 있다.

Claims (41)

  1. 지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 수지 적층체로서,
    상기 지지 필름은 노광 광원으로부터 방사되는 광을 투과하는 투명한 것이고,
    상기 감광성 수지 조성물은,
    (A) 알칼리 가용성 고분자 ;
    (B) 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 ;
    (C) 광 중합 개시제 ; 및
    (D) 철 원자 ;
    를 함유하고,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.012 ppm 이상 9.548 ppm 이하이고,
    상기 (A) 알칼리 가용성 고분자는 카르복실산기 (-COOH) 를 함유하는 단량체의 중합 성분을 포함하는 (메트)아크릴 공중합체를 포함하고,
    상기 카르복실산기를 함유하는 단량체는 메타크릴산인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.1 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.2 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.3 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.4 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.5 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.6 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.7 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.8 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.9 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.0 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 2.0 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 3.0 ppm 이상인, 감광성 수지 적층체.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 5.0 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 2.0 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.5 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 1.0 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.9 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.8 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.7 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.6 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.5 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.4 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.3 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  26. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.2 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  27. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 중의 철 원자의 함유량이, 상기 감광성 수지 조성물층을 기준으로 하여 0.1 ppm 이하인, 감광성 수지 적층체.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
KR1020207019065A 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법 KR102505387B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227013942A KR20220061260A (ko) 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018006341 2018-01-18
JPJP-P-2018-006341 2018-01-18
JP2018098049 2018-05-22
JPJP-P-2018-098049 2018-05-22
PCT/JP2019/000935 WO2019142786A1 (ja) 2018-01-18 2019-01-15 感光性樹脂積層体およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227013942A Division KR20220061260A (ko) 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200086743A KR20200086743A (ko) 2020-07-17
KR102505387B1 true KR102505387B1 (ko) 2023-03-02

Family

ID=67301750

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207019065A KR102505387B1 (ko) 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법
KR1020227013942A KR20220061260A (ko) 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227013942A KR20220061260A (ko) 2018-01-18 2019-01-15 감광성 수지 적층체 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
JP (3) JP7057794B2 (ko)
KR (2) KR102505387B1 (ko)
CN (1) CN111527450B (ko)
MY (1) MY193800A (ko)
TW (2) TWI774909B (ko)
WO (1) WO2019142786A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL311594A (en) 2021-09-29 2024-05-01 Fujifilm Corp A resin composition sensitive to radiation or an actinic beam and a method for producing a durable sample

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015049508A (ja) 2014-02-24 2015-03-16 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂材料および樹脂膜
WO2015199219A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567641B1 (ko) * 1996-06-06 2006-07-19 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 아미노방향족발색단의금속이온함량을감소시키는방법및이를금속함량이낮은포토레지스트용저부반사방지피복물의합성에사용하는방법
JPH10123707A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 感光性樹脂組成物およびその用途
JP3766288B2 (ja) * 2000-03-31 2006-04-12 株式会社東芝 複合部材の製造方法及び電子パッケージ
US20020127494A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Sturni Lance C. Process for preparing a multi-layer circuit assembly
JP4080364B2 (ja) * 2002-03-29 2008-04-23 大日本印刷株式会社 ラジカル発生剤及び感光性樹脂組成物
JP2004045490A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂転写材料を用いた金属酸化物構造体の製造方法
JP4259855B2 (ja) * 2002-11-26 2009-04-30 旭化成エレクトロニクス株式会社 感光性樹脂組成物
JP2004306018A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 金属上への感光性樹脂膜の形成方法並びに半導体装置及び表示素子
JP4422562B2 (ja) * 2004-06-15 2010-02-24 富士フイルム株式会社 パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
JP2006039231A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 光電気配線混載基板の製造方法
JP2006243564A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び感光性フィルム、並びに、永久パターン及びその形成方法
KR101128307B1 (ko) * 2007-04-04 2012-04-12 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 적층체
JP2009072964A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Asahi Kasei Chemicals Corp 印刷用積層体の製造方法
CN102428406B (zh) * 2009-05-20 2014-09-03 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂组合物
TWI491981B (zh) * 2009-11-04 2015-07-11 Sumitomo Chemical Co Coloring the photosensitive resin composition
JP2011213782A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Fujifilm Corp ポリマー溶液の製造方法、ポリマーの精製方法
KR20140005929A (ko) 2011-01-25 2014-01-15 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 제조 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP2013057902A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
KR102057483B1 (ko) * 2012-06-28 2019-12-19 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화물과 그 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 유기 ｅｌ 표시 장치, 및 터치패널 표시 장치
WO2014080908A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物
JP6118086B2 (ja) * 2012-12-03 2017-04-19 富士フイルム株式会社 分散組成物、感光性樹脂組成物、硬化物及びその製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、液晶表示装置、並びに、タッチパネル表示装置
JP6295950B2 (ja) * 2013-03-28 2018-03-20 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、保護膜又は絶縁膜、タッチパネル及びその製造方法
KR20150108744A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물 및 프린트 배선판
JP5686217B1 (ja) * 2014-04-30 2015-03-18 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂材料および樹脂膜
WO2015174468A1 (ja) 2014-05-13 2015-11-19 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
TWI671594B (zh) 2014-05-13 2019-09-11 日商日立化成股份有限公司 感光性樹脂組成物、感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法
WO2016047691A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、樹脂パターンの製造方法、硬化膜及び表示装置
JP2016110691A (ja) * 2014-12-01 2016-06-20 大日本印刷株式会社 導電性基板の製造方法、及び導電性基板
CN106483760B (zh) * 2015-09-02 2019-11-12 东京应化工业株式会社 感光性组合物、其制造方法、膜的形成方法、粘度增加抑制方法、光聚合引发剂及其制造方法
JP2017097060A (ja) * 2015-11-19 2017-06-01 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂パターンの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015049508A (ja) 2014-02-24 2015-03-16 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂材料および樹脂膜
WO2015199219A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP7057794B2 (ja) 2022-04-20
MY193800A (en) 2022-10-27
JP2022058739A (ja) 2022-04-12
CN111527450B (zh) 2023-08-08
JP2024051000A (ja) 2024-04-10
KR20220061260A (ko) 2022-05-12
KR20200086743A (ko) 2020-07-17
WO2019142786A1 (ja) 2019-07-25
TW202041971A (zh) 2020-11-16
JPWO2019142786A1 (ja) 2020-09-17
TWI774909B (zh) 2022-08-21
TW201932981A (zh) 2019-08-16
CN111527450A (zh) 2020-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102437195B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
JP6207654B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP6113967B2 (ja) 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
WO2015174468A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP6936898B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2024051000A (ja) 感光性樹脂積層体およびその製造方法
JP5948543B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2008094803A (ja) 感光性樹脂組成物およびその積層体
TWI818883B (zh) 感光性樹脂積層體及其製造方法
JP5997515B2 (ja) 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
JP6981864B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、レジストパターンが形成された基板および回路基板の製造方法
TW202111429A (zh) 感光性樹脂組合物、及感光性元件
JP6132505B2 (ja) 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
JP2013057902A (ja) 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
JP2014170041A (ja) 感光性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)