JP2004306018A - 金属上への感光性樹脂膜の形成方法並びに半導体装置及び表示素子 - Google Patents

金属上への感光性樹脂膜の形成方法並びに半導体装置及び表示素子 Download PDF

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Abstract

【課題】金属と感光性樹脂膜とを強固に接着させるための形成方法を提供する。
【解決手段】金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して樹脂膜を形成する際、金属の表層をエッチング処理した後、感光性樹脂を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂の形成方法であり、エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われ、金属が、Ti、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pd、及びこれらを主成分とする合金のいずれかで形成されてなることが好ましい。

Description

本発明は金属と感光性樹脂膜とを強固に接着させるための金属膜への感光性樹脂膜の形成方法に関するものである。
ポリイミド樹脂は、半導体のプロセス温度に耐えうる優れた耐熱性を有し、段差の平坦化、応力の緩和、メモリーセルのソフトエラーの防止などの理由で半導体工業におけるパッシベーション膜、α線シールド層、層間絶縁膜として利用されている。近年、半導体素子の小型化、高集積化による多層配線化、チップサイズパッケージ(CSP)、ウェハレベルパッケージ(WLP)への移行等により、低誘電率化や、また銅、アルミニウム、Ti、TiW等の配線又は再配線金属との密着性向上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要とされている。
一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式(2)等がある。
Figure 2004306018
これを用いるとパターン作成工程の一部が簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、前述のネガ型ではなくアルカリ水溶液で現像ができる感光性樹脂が開発されている。例えば、特許文献1においてはポリアミド樹脂とジアゾキノン化合物より構成される感光性樹脂が開示されている。これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性も有している。この感光性樹脂の現像メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカリ性水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可溶となる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用し、未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。
近年半導体素子の高集積化、多層化が進む中、半導体パッケージはチップサイズパッケージ(CSP)、ウェハレベルパッケージ(WLP)へと移行している。しかし、これらの用途に感光性樹脂を使用した場合、感光性樹脂膜と配線の金属やまた再配線金属との密着性が劣り、その界面で剥離が発生するという問題があった。
特公平1−46862号公報
本発明は、前述した問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、金属と感光性樹脂膜とを強固に接着させるための形成方法を提供することにある。
すなわち本発明は、
[1]金属の表層をエッチング処理した後、金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して感光性樹脂膜を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[2] エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われる[1]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[3] 感光性樹脂が、アルカリ可溶性樹脂と感光材とを含んでなる[1]又は[2]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[4] 感光性樹脂が、ポリアミド樹脂である[3]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[5] 感光材がジアゾナフトキノンである[3]又は[4]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[6] ポリアミド樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなる[4]又は[5]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[7] 感光性樹脂が、一般式(1)で示されるポリアミド100重量部とジアゾナフトキノン1〜50重量部とを含んでなる[4][5]又は[6]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
Figure 2004306018
[8] 金属が、Ti、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pd及びこれらを主成分とする合金のいずれかで形成されてなる[1]〜[7]のいずれか1項に記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[9] [1]〜[8]項のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された半導体装置、
[10] [1]〜[8]項のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された表示素子である。
本発明に従うと、感光性樹脂膜上に優れた密着性を示す金属膜を形成することができる。
本発明において用いることができる金属表層へのエッチング処理としては、溶液中で化学反応を利用したウエットエッチングや反応性ガス、反応性プラズマ、ラジカルを用いて、気相中の化学反応を利用するドライエッチングが挙げられる。
また、これらの中で特に好ましいのはプラズマを用いたドライエッチングである。プラズマを用いたドライエッチングとしてはバレル型方式、平行平板型RIE方式、マイクロ波放電を使用したダウンストリーム方式、ECR方式などが使用可能である。本発明で使用するエッチングにおけるガス組成としてはフッ素系化合物のガスと酸素からなる2種類以上混合ガスを必須成分とする混合ガス用いることができる。例えばフッ素系化合物のガスとしてはCF4、CHF3、C24、CH22等のフッ素原子を含む化合物のガスを挙げることができる。またフッ素系化合物のガスと酸素以外としてはAr、N2、C48等混合して良い。エッチング処理を行うと金属膜の膜減りが起こるが、本発明では、金属がエッチング処理によって完全に無くならないことが重要である。本発明においての金属は配線に使用した場合やバリヤー層として用いた金属のいずれにも有効である。金属の種類としては、Ti、TiW、Ni、Cu、Cr、W、Al、Ag、Au、Pd、Ta、Mo、Pt、などを使用することができる。またそれら金属の酸化物でも有効である。これらの中で特に有用なのはTi、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pdである。
本発明で用いる感光性樹脂組成物のベース樹脂にアルカリ可溶性樹脂を用いた物を使用する。アルカリ可溶性樹脂としては、主鎖又は側鎖に水酸基、カルボキシル基、又はスルホン酸基を持つ樹脂であり、クレゾール型ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリアミド樹脂であり、ポリアミド樹脂としては、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造であって、主鎖又は側鎖に水酸基、カルボキシル基、又はスルホン酸基を有する樹脂である。これらの中で、最終加熱後の耐熱性の点から一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂が好ましい。また、これらの樹脂の一部が、閉環し、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリイミド構造となっていてもかまわない。
一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のXは、2〜4価の有機基を表し、R1は、水酸基、O−R3で、mは0〜2の整数、これらは同一でも異なっていても良い。Yは、2〜6価の有機基を表し、R2は水酸基、カルボキシル基、O−R3、COO−R3で、nは0〜4の整数、これらは同一でも異なっていても良い。ここでR3は炭素数1〜15の有機基である。但し、R1として水酸基がない場合は、R2は少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。又R2としてカルボキシル基がない場合は、R1は少なくとも1つは水酸基でなければならない。
一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂は、例えば、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物、必要により配合されるZの構造を有するシリコーンジアミンとYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られるものである。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステルの型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂において、Xの置換基としてのO−R3、Yの置換基としてのO−R3、COO−R3は、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基で保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。R7の例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
このポリアミド樹脂を約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、又はポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
本発明の一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂のXは、例えば、
Figure 2004306018
等であるがこれらに限定されるものではない。
これら中で特に好ましいものとしては、
Figure 2004306018
より選ばれるものであり、これらは2種以上用いても良い。
又一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂のYは、例えば、
Figure 2004306018
Figure 2004306018
等であるがこれらに限定されるものではない。
これらの中で特に好ましいものとしては、
Figure 2004306018
Figure 2004306018
より選ばれるものであり、これらは2種以上用いても良い。
又本発明においては、保存性という観点から、末端を封止する事が望ましい。封止にはアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を有する誘導体を一般式(1)で示されるポリアミドの末端に酸誘導体やアミン誘導体として導入することができる。具体的には、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物、必要により配合されるZの構造を有するシリコーンジアミンとYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて得られた一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂を合成した後、該ポリアミド樹脂中に含まれる末端のアミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。アミノ基と反応した後のアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体に起因する基としては、例えば、
Figure 2004306018
Figure 2004306018
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの中で特に好ましいものとしては、
Figure 2004306018
より選ばれるものであり、これらは2種以上用いても良い。またこの方法に限定される事はなく、該ポリアミド樹脂中に含まれる末端の酸をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャップすることもできる。
更に、必要によって用いる一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂のZは、例えば、
Figure 2004306018
等であるがこれらに限定されるものではなく、又2種以上用いても良い。
一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂のZは、例えば、シリコンウェハーのような基板に対して、特に優れた密着性が必要な場合に用いるが、その使用割合bは最大40モル%までである。40モル%を越えると露光部の樹脂の溶解性が極めて低下し、現像残り(スカム)が発生し、パターン加工ができなくなる。
本発明で用いる感光材としてはジアゾナフトキノンが好ましく、具体的には、1,2−ベンゾキノンジアジド或いは1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第2772975号、第2797213号、第3669658号により公知の物質である。例えば、下記のものが挙げられる。
Figure 2004306018
Figure 2004306018
これらの内で、特に好ましいのは、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステルである。それらについては例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは2種以上用いても良い。
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
本発明で用いる感光材の添加量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して1〜50重量部である。1重量部未満だとポリアミド樹脂のパターニング性が不良となり、50重量部を越えると感度が大幅に低下する。
本発明の感光性樹脂組成物は、感度向上を目的として必要により、フェノール化合物を添加することができる。例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018
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これらフェノール化合物の添加量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して1〜30重量部である。1重量部未満だと現像時における感度が低下し、30重量部を越えると現像時に著しい未露光部の膜減りが生じたり、冷凍保存中において析出が起こり実用性に欠ける。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導体を含んでいてもよい。ジヒドロピリジン誘導体としては、例えば、2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
本発明における感光性樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤を含んでも良い。
本発明においては、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
本発明の具体的な半導体装置の製造方法については、まず、先に述べた方法を用いて金属表面をドライエッチングを行う。次に感光性樹脂を塗布するが、塗布前に金属表面を酸素プラズマで処理しても良い。感光性樹脂組成物の塗布量は、半導体装置の場合、硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるように塗布する。膜厚が0.1μm未満だと半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、30μmを越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となる。塗布方法としては、スピンナーを用いる回転塗布、スプレーコーターを用いる噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、イミド環、もしくはオキサゾール環、又はイミド環とオキサゾール環の両方の環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
本発明による感光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や表示素子における液晶配向膜、層間絶縁膜等としても有用である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
<実施例1>
ポリイミド樹脂の合成
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール12.4g(0.167モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−1)を合成した。
感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミド樹脂(A−1)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物19gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
特性評価
スパッタ装置でTiW(Ti/W=1/9)を700Åの厚みになるように付けたウエハーを、エッチング装置OPM−EM1000(東京応化性工業製)を使用し、CF4/O2=140/60sccmのガス、圧力は2.2Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った。次にこのウエハーに作製した感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約11μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、350mJ/cm2で露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に110秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。3μmパターンが形成されていることが確認できた。
次に得られたウエハーを光洋リンドバーク製のクリーンオーブンを用い、30分/150℃、30分/350℃の順で、窒素雰囲気下で加熱、硬化させた。得られた塗膜のパターン開口を行っていない未露光部分の塗膜を1mm角に100個の碁盤目にカットした。これにセロテープを貼り付け、引き剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数(これを「硬化後剥がれ数」と称する)は0であり、硬化膜のシリコンウエハーへの密着性も優れていることが確認できた。
<実施例2>
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)のエッチングする所において、ガスをCF4/O2=140/60sccmからCF4/CHF3/Ar=50/30/300sccmに変更し、圧力は2.0Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行い同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
<実施例3>
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)の代わりに、Tiを700Åの厚みになるように付けたウエハーを用いて、エッチング装置OPM−EM1000(東京応化性工業製)を使用し、CF4/O2=140/60sccmのガス、圧力は2.2Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った。次に同じ装置を用いて、酸素ガス200sccmのガスを使用し、圧力は2.4Torr、温度は200℃、400ワットで3分間酸素プラズマでアッシングした。そのほかは実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
<実施例5>
ポリアミド樹脂の合成
テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)360.4g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3及びY−4の混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−2)を得た。
感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミド樹脂(A−2)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物21gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
それ以外は実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
<実施例6>
実施例2におけるポリアミド樹脂の合成において、テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルの替わりに、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルを用いて、実施例1と同様にして反応し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−3)を合成した。更に下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物17gと下記式(C−1)の構造を有するフェノール化合物15gを表1の様に変えた以外は実施例2と同様に感光性樹脂組成物を作製し、実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
<実施例7>
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.0g(0.12モル)をN−メチル−2−ピロリドン200gに溶解させた後、N−メチル−2−ピロリドン160gに溶解させた無水トリメリット酸クロライド50.6g(0.24モル)を5℃以下に冷却しながら加えた。更にピリジン22.8g(0.29モル)を加えて、20℃以下で3時間攪拌した。次に、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル24.0g(0.12モル)を加えた後、室温で5時間反応させた。次に内温を85℃に上げ、3時間攪拌した。反応終了後、濾過した反応混合物を、水/メタノール=5/1(体積比)に投入し、沈殿物を濾集して水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、X―2で、Yが下記式Y−5からなる混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−5)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−5)100g、下記式(Q−2)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物22gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
<実施例8>
エステル型感光性ポリイミド前駆体の合成
温度計、攪拌機、原料仕込口及び窒素ガス導入口を備えた四つ口セパラブルフラスコに3、3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物322.2g(1.0モル)を2−ヒドロキシエチルメタクリレート260.28g(2.0モル)をN−メチル−2−ピロリドンに懸濁し、ピリジン166.1g(2.1モル)を加え、25℃で10時間反応させた。次に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール270.2g(2.0モル)を加え1時間で完全に溶解した後、反応系を10℃以下に保ちながらN−メチル−2−ピロリドン400gに溶解したジシクロヘキシルカルボジイミド412.6g(2.0モル)を約20分かけて滴下した。その後25℃で3時間反応を行った。反応した反応溶液に4,4’−ジアミノジフェニルエーテル190.2(0.95モル)、30℃で5時間反応を行った。ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、反応混合物をメタノールに再沈し、固形物を濾集し、メタノールで洗浄後、48時間減圧乾燥した。
感光性樹脂組成物の作製
更に、この得られたポリマー100gを、N−メチル−2−ピロリドン200gに溶解し、更にメチルエーテルハイドロキノン0.1gとN−フェニルグリシン5g、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール1g、3−(2−ベンズイミダゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン0.5g、テトラエチレングリコールジメタクリレート10gを添加し、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
特性評価
実施例1と同様にTiWを付けたウエハーに同様なエッチング処理を行った。先に作製した感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートにて100℃で3分プリベークし、膜厚約11μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、250mJ/cm2で露光を行った。次にシクロペンタノンをスプレー状に20秒間噴霧してて未露光部を溶解除去した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで10秒間リンスした。10μmパターンが形成されていることが確認できた。実施例1と同様にクリーンオーブンで硬化させ、引き剥がして評価を行ったところ、剥がれた塗膜の数は2であり、密着性は比較的良いことが確認された。
<比較例1>
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)をエッチングを行わないで、感光性樹脂組成物を塗布し、実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は100であり、密着性が劣ることが確認された。
<比較例2>
実施例1の特性評価においてTiW(Ti/W=1/9)を同様の装置を使用し、ガスをCF4、200sccmに変更し、圧力は2.4Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った所、TiWの膜が全てエッチングされ無くなった。
<比較例3>
実施例1の特性評価においてTiW(Ti/W=1/9)を徳田製作所製RFスパッタリング装置を用い、条件としては、出力は300Wで5分、スパッタ圧力は0.5Pa、ガスは酸素、ガス流量は40sccm逆スパッタの処理を行い実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は70で密着性が劣ることが確認された。
以下に、実施例及び比較例のX−1、X−2、Y−1〜Y−5、Q−1、Q−2、C−1の構造を示す。
Figure 2004306018
Figure 2004306018
Figure 2004306018

Claims (10)

  1. 金属の表層をエッチング処理した後、金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して感光性樹脂膜を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  2. エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われる請求項1記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  3. 感光性樹脂が、アルカリ可溶性樹脂と感光材を含んでなる請求項1又は2記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  4. アルカリ可溶性樹脂がポリアミド樹脂である請求項3記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  5. 感光材がジアゾナフトキノンである請求項3又は4記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  6. ポリアミド樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなる請求項4又は5記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  7. 感光性樹脂が、一般式(1)で示されるポリアミド100重量部とジアゾナフトキノン1〜50重量部とを含んでなる請求項4、5又は6記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
    Figure 2004306018
  8. 金属が、Ti、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pd及びこれらを主成分とする合金のいずれかで形成されてなる請求項1〜7のいずれか1項に記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された半導体装置。
  10. 請求項1〜8のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された表示素子。
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