JP2004306018A - 金属上への感光性樹脂膜の形成方法並びに半導体装置及び表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して樹脂膜を形成する際、金属の表層をエッチング処理した後、感光性樹脂を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂の形成方法であり、エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われ、金属が、Ti、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pd、及びこれらを主成分とする合金のいずれかで形成されてなることが好ましい。
Description
一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式(2)等がある。
[1]金属の表層をエッチング処理した後、金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して感光性樹脂膜を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[2] エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われる[1]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[3] 感光性樹脂が、アルカリ可溶性樹脂と感光材とを含んでなる[1]又は[2]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[4] 感光性樹脂が、ポリアミド樹脂である[3]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[5] 感光材がジアゾナフトキノンである[3]又は[4]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[6] ポリアミド樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなる[4]又は[5]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[7] 感光性樹脂が、一般式(1)で示されるポリアミド100重量部とジアゾナフトキノン1〜50重量部とを含んでなる[4][5]又は[6]項記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法、
[9] [1]〜[8]項のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された半導体装置、
[10] [1]〜[8]項のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された表示素子である。
また、これらの中で特に好ましいのはプラズマを用いたドライエッチングである。プラズマを用いたドライエッチングとしてはバレル型方式、平行平板型RIE方式、マイクロ波放電を使用したダウンストリーム方式、ECR方式などが使用可能である。本発明で使用するエッチングにおけるガス組成としてはフッ素系化合物のガスと酸素からなる2種類以上混合ガスを必須成分とする混合ガス用いることができる。例えばフッ素系化合物のガスとしてはCF4、CHF3、C2F4、CH2F2等のフッ素原子を含む化合物のガスを挙げることができる。またフッ素系化合物のガスと酸素以外としてはAr、N2、C4H8等混合して良い。エッチング処理を行うと金属膜の膜減りが起こるが、本発明では、金属がエッチング処理によって完全に無くならないことが重要である。本発明においての金属は配線に使用した場合やバリヤー層として用いた金属のいずれにも有効である。金属の種類としては、Ti、TiW、Ni、Cu、Cr、W、Al、Ag、Au、Pd、Ta、Mo、Pt、などを使用することができる。またそれら金属の酸化物でも有効である。これらの中で特に有用なのはTi、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pdである。
このポリアミド樹脂を約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、又はポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
これらの中で特に好ましいものとしては、
本発明の感光性樹脂組成物は、感度向上を目的として必要により、フェノール化合物を添加することができる。例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導体を含んでいてもよい。ジヒドロピリジン誘導体としては、例えば、2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
本発明においては、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
本発明による感光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や表示素子における液晶配向膜、層間絶縁膜等としても有用である。
<実施例1>
ポリイミド樹脂の合成
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール12.4g(0.167モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−1)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−1)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物19gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
スパッタ装置でTiW(Ti/W=1/9)を700Åの厚みになるように付けたウエハーを、エッチング装置OPM−EM1000(東京応化性工業製)を使用し、CF4/O2=140/60sccmのガス、圧力は2.2Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った。次にこのウエハーに作製した感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約11μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、350mJ/cm2で露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に110秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。3μmパターンが形成されていることが確認できた。
次に得られたウエハーを光洋リンドバーク製のクリーンオーブンを用い、30分/150℃、30分/350℃の順で、窒素雰囲気下で加熱、硬化させた。得られた塗膜のパターン開口を行っていない未露光部分の塗膜を1mm角に100個の碁盤目にカットした。これにセロテープを貼り付け、引き剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数(これを「硬化後剥がれ数」と称する)は0であり、硬化膜のシリコンウエハーへの密着性も優れていることが確認できた。
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)のエッチングする所において、ガスをCF4/O2=140/60sccmからCF4/CHF3/Ar=50/30/300sccmに変更し、圧力は2.0Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行い同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)の代わりに、Tiを700Åの厚みになるように付けたウエハーを用いて、エッチング装置OPM−EM1000(東京応化性工業製)を使用し、CF4/O2=140/60sccmのガス、圧力は2.2Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った。次に同じ装置を用いて、酸素ガス200sccmのガスを使用し、圧力は2.4Torr、温度は200℃、400ワットで3分間酸素プラズマでアッシングした。そのほかは実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
ポリアミド樹脂の合成
テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)360.4g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3及びY−4の混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−2)を得た。
合成したポリアミド樹脂(A−2)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物21gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
それ以外は実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
実施例2におけるポリアミド樹脂の合成において、テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルの替わりに、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルを用いて、実施例1と同様にして反応し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−3)を合成した。更に下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物17gと下記式(C−1)の構造を有するフェノール化合物15gを表1の様に変えた以外は実施例2と同様に感光性樹脂組成物を作製し、実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.0g(0.12モル)をN−メチル−2−ピロリドン200gに溶解させた後、N−メチル−2−ピロリドン160gに溶解させた無水トリメリット酸クロライド50.6g(0.24モル)を5℃以下に冷却しながら加えた。更にピリジン22.8g(0.29モル)を加えて、20℃以下で3時間攪拌した。次に、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル24.0g(0.12モル)を加えた後、室温で5時間反応させた。次に内温を85℃に上げ、3時間攪拌した。反応終了後、濾過した反応混合物を、水/メタノール=5/1(体積比)に投入し、沈殿物を濾集して水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、X―2で、Yが下記式Y−5からなる混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−5)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−5)100g、下記式(Q−2)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物22gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は0であり、密着性が優れていることが確認された。
エステル型感光性ポリイミド前駆体の合成
温度計、攪拌機、原料仕込口及び窒素ガス導入口を備えた四つ口セパラブルフラスコに3、3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物322.2g(1.0モル)を2−ヒドロキシエチルメタクリレート260.28g(2.0モル)をN−メチル−2−ピロリドンに懸濁し、ピリジン166.1g(2.1モル)を加え、25℃で10時間反応させた。次に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール270.2g(2.0モル)を加え1時間で完全に溶解した後、反応系を10℃以下に保ちながらN−メチル−2−ピロリドン400gに溶解したジシクロヘキシルカルボジイミド412.6g(2.0モル)を約20分かけて滴下した。その後25℃で3時間反応を行った。反応した反応溶液に4,4’−ジアミノジフェニルエーテル190.2(0.95モル)、30℃で5時間反応を行った。ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、反応混合物をメタノールに再沈し、固形物を濾集し、メタノールで洗浄後、48時間減圧乾燥した。
感光性樹脂組成物の作製
更に、この得られたポリマー100gを、N−メチル−2−ピロリドン200gに溶解し、更にメチルエーテルハイドロキノン0.1gとN−フェニルグリシン5g、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール1g、3−(2−ベンズイミダゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン0.5g、テトラエチレングリコールジメタクリレート10gを添加し、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
特性評価
実施例1と同様にTiWを付けたウエハーに同様なエッチング処理を行った。先に作製した感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートにて100℃で3分プリベークし、膜厚約11μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、250mJ/cm2で露光を行った。次にシクロペンタノンをスプレー状に20秒間噴霧してて未露光部を溶解除去した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで10秒間リンスした。10μmパターンが形成されていることが確認できた。実施例1と同様にクリーンオーブンで硬化させ、引き剥がして評価を行ったところ、剥がれた塗膜の数は2であり、密着性は比較的良いことが確認された。
実施例1の特性評価において、TiW(Ti/W=1/9)をエッチングを行わないで、感光性樹脂組成物を塗布し、実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は100であり、密着性が劣ることが確認された。
実施例1の特性評価においてTiW(Ti/W=1/9)を同様の装置を使用し、ガスをCF4、200sccmに変更し、圧力は2.4Torr、温度は室温で、400ワット/5分間、エッチングを行った所、TiWの膜が全てエッチングされ無くなった。
実施例1の特性評価においてTiW(Ti/W=1/9)を徳田製作所製RFスパッタリング装置を用い、条件としては、出力は300Wで5分、スパッタ圧力は0.5Pa、ガスは酸素、ガス流量は40sccm逆スパッタの処理を行い実施例1と同様の評価を行った。引き剥がして評価したところ、剥がれた塗膜の数は70で密着性が劣ることが確認された。
以下に、実施例及び比較例のX−1、X−2、Y−1〜Y−5、Q−1、Q−2、C−1の構造を示す。
Claims (10)
- 金属の表層をエッチング処理した後、金属上に感光性樹脂を塗布、パターニング、硬化して感光性樹脂膜を形成することを特徴とする金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- エッチング処理がフッ素系化合物のガスと酸素とを必須成分とする混合ガスにより行われる請求項1記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- 感光性樹脂が、アルカリ可溶性樹脂と感光材を含んでなる請求項1又は2記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- アルカリ可溶性樹脂がポリアミド樹脂である請求項3記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- 感光材がジアゾナフトキノンである請求項3又は4記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- ポリアミド樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなる請求項4又は5記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- 金属が、Ti、TiW、W、Cr、Cu、Ni、Al、Au、Pd及びこれらを主成分とする合金のいずれかで形成されてなる請求項1〜7のいずれか1項に記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された半導体装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の金属上への感光性樹脂膜の形成方法を用いて製作された表示素子。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006227387A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの形成方法及び電子部品 |
US8097386B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-01-17 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, method for producing patterns, and electronic parts |
CN111527450A (zh) * | 2018-01-18 | 2020-08-11 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂层叠体及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06107832A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 易接着コーティングポリエチレンテレフタレート樹脂基材及びその製造方法 |
JPH07138479A (ja) * | 1993-02-26 | 1995-05-30 | Toshiba Corp | ポリアミド酸組成物および液晶素子 |
JPH09266195A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置 |
JP2002202593A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
JP2002329660A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-03-01 JP JP2004056267A patent/JP2004306018A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06107832A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 易接着コーティングポリエチレンテレフタレート樹脂基材及びその製造方法 |
JPH07138479A (ja) * | 1993-02-26 | 1995-05-30 | Toshiba Corp | ポリアミド酸組成物および液晶素子 |
JPH09266195A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置 |
JP2002202593A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
JP2002329660A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006227387A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの形成方法及び電子部品 |
US8097386B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-01-17 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, method for producing patterns, and electronic parts |
CN111527450A (zh) * | 2018-01-18 | 2020-08-11 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂层叠体及其制造方法 |
CN111527450B (zh) * | 2018-01-18 | 2023-08-08 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂层叠体及其制造方法 |
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