KR102373243B1 - 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기에 관한 것이고, 디스플레이 패널은 픽셀 회로가 마련되어 있는 기판, 복수의 제1 개구를 구비하는 픽셀 제한층, 복수의 상기 제1 개구 내에 마련되어, 복수의 서브픽셀 행 및 복수의 서브픽셀 열을 형성하고, 서로 인접하는 서브픽셀 행에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되거나 및/또는 서로 인접하는 서브픽셀 열에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되는 복수의 서브픽셀을 형성하는 발광 구조층, 상기 픽셀 회로에 마련되고 상기 픽셀 회로에 일대일로 대응되며, 상기 서브픽셀에 일대일로 대응되는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층, 상기 발광 구조층 상부에 마련되고 면전극인 제2 전극, 및 상기 픽셀 회로에 연결되고, 상기 픽셀 회로에 전압을 제공하여 상기 픽셀 회로의 도통/차단을 제어하기 위한 스캔 라인 및 상기 픽셀 회로에 연결되고 상기 픽셀 회로 도통 시, 구동 전류를 직접 상기 제1 전극에 제공하여 상기 서브픽셀의 발광을 제어하기 위한 데이터 라인을 포함한다.

Description

디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것이고, 구체적으로 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기에 관한 것이다.
디스플레이 단말기의 빠른 발전과 더불어 스크린 투 바디 비율에 대한 유저들의 요구들도 높아지고 있어, 스크린 상부에 카메라, 센서, 수화기 등 소자들을 설치하여야 하기에, 스크린 상부에는 상기 소자들의 설치를 위한 일부 영역을 미리 남겨두는 바, 일례로 애플사의 모바일 폰 iphoneX의 스크린에 노치 디자인 영역이 마련되어 있다. 이러한 마련은 스크린 전체의 일관성에 영향을 주고 더 나아가 유저의 체험에도 영향을 미친다. 이에 더 나은 스크린의 전체 일관성을 구비한 풀 스크린 디스플레이에 대한 업계의 관심도 나날이 높아지고 있다.
이에 기반하여, 상기 기술적 문제를 겨냥하여 풀 스크린을 위한 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린, 디스플레이 단말기를 제공할 필요가 있다.
이를 위해, 본 발명은 다음과 같은 기술 방안을 제공한다.
제1 측면에 의하면, 본 발명의 실시예는, 픽셀 회로가 마련되어 있는 기판, 복수의 제1 개구를 구비하는 픽셀 제한층, 복수의 상기 제1 개구 내에 마련되어, 복수의 서브픽셀 행 및 복수의 서브픽셀 열을 형성하고, 서로 인접하는 서브픽셀 행에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되거나 및/또는 서로 인접하는 서브픽셀 열에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되는 복수의 서브픽셀을 형성하는 발광 구조층, 상기 픽셀 회로에 마련되어 있고 상기 픽셀 회로와 일대일로 대응되고, 상기 서브픽셀에 일대일로 대응되는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층, 상기 발광 구조층 상부에 마련되고 면전극인 제2 전극, 및 모두 상기 픽셀 회로에 연결되고, 상기 픽셀 회로에 전압을 제공하여 상기 픽셀 회로의 도통/차단을 제어하기 위한 스캔 라인 및 상기 픽셀 회로 도통 시, 구동 전류를 직접 상기 제1 전극에 제공하여 상기 서브픽셀의 발광을 제어하기 위한 데이터 라인을 포함하는 디스플레이 패널을 제공한다.
제1 측면에 결부하여, 제1 측면의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 서브픽셀의 제1 전극 및 상기 데이터 라인은 동일층에 마련되고, 상기 제1 전극 및 상기 데이터 라인은 동일한 프로세스 단계에서 형성되며, 상기 데이터 라인은 대응되는 제1 전극 사이에 감김 설치되고, 상기 데이터 라인의 변과 상기 제1 전극의 변이 평행되지 않는다.
제1 측면에 결부하여, 제1 측면의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 데이터 라인은 상기 제1 전극의 하부에 마련되고, 상기 기판상에서의 상기 데이터 라인의 투영은 제1 투영이며, 상기 기판에서의 상기 서브픽셀의 발광 구조층의 투영은 제2 투영이고, 각 상기 제1 투영은 모두 복수의 상기 제2 투영을 관통한다.
제1 측면에 결부하여, 제1 측면의 제3실시 형태에 있어서, 상기 픽셀 회로는 스위치 소자만 포함한다.
제1 측면의 제3실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제4실시 형태에 있어서, 상기 픽셀 회로의 스위치 소자의 수량은 1개이고, 상기 스위치 소자는 상기 데이터 라인이 연결되는 제1 단, 상기 제1 전극이 연결되는 제2 단 및 상기 스캔 라인이 연결되는 제어단을 포함한다.
제1 측면의 제4실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제5실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이며, 상기 스위치 소자는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)이고 상기 제1 단은 상기 구동 TFT의 소스 전극 또는 드레인 전극이며, 상기 제2 단은 상기 구동 TFT의 드레인 전극 또는 소스 전극이고, 상기 제어단은 상기 구동 TFT의 그리드 전극이며, 상기 구동 TFT는 탑 게이트 구조 또는 바텀 게이트 구조이며, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터 또는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터일 수 있다.
제1 측면 또는 제1 측면의 어느 한 실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제6실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극, 제2 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인 중의 하나 또는 복수는 빛 투과율이 90%를 초과하는 투명 전도성 재료를 사용하여 제조된다.
제1 측면의 제6실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제7실시 형태에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 은을 도핑한 인듐 주석 산화물 또는 은을 도핑한 인듐 아연 산화물이다.
제1 측면의 제7실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제8실시 형태에 있어서, 상기 그리드 전극 재료가 투명 전도성 재료일 경우, 상기 스캔 라인 및 상기 그리드 전극은 동일한 프로세스 단계에서 형성되거나, 또는 상기 그리드 전극 재료가 금속 재료일 경우, 상기 스캔 라인은 상기 그리드 전극의 상부 또는 하부에 마련된다.
제1 측면 또는 제1 측면의 어느 한 실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제9실시 형태에 있어서, 복수의 상기 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장되고, 복수의 상기 데이터 라인은 제1 방향에 서로 교차되는 제2 방향을 따라 연장된다.
제1 측면의 제9실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제10실시 형태에 있어서, 서로 인접한 상기 스캔 라인 사이에는 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제1 간격을 구비하거나 또는 서로 인접한 상기 데이터 라인 사이에는 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제2 간격을 구비한다.
제1 측면의 제9실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제11실시 형태에 있어서, 상기 스캔 라인의 폭은 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되거나 또는 상기 데이터 라인의 폭은 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화된다.
제1 측면의 제9실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제12실시 형태에 있어서, 상기 연장 방향에서의 상기 스캔 라인의 두 변은 모두 그 파봉이 대향하여 마련되고, 파곡이 대향하여 마련되는 웨이브 형상이거나 또는 상기 연장 방향에서의 상기 데이터 라인의 두 변은 모두 그 파봉이 대향하여 마련되고, 파곡이 대향하여 마련되는 웨이브 형상이다.
제1 측면의 제12실시 형태에 결부하여, 제1 측면의 제13실시 형태에 있어서, 상기 스캔 라인의 파곡의 대향 위치에 상기 스캔 라인과 상기 스위치 소자의 전기적 연결 영역인 스트립 형상의 제1 연결부가 형성되거나 또는 상기 데이터 라인의 파곡의 대향 위치에 상기 데이터 라인과 상기 스위치 소자의 전기적 연결 영역인 스트립 형상의 제2 연결부가 형성된다.
제2 측면에 의하면, 본 발명의 실시예는 적어도 동적 또는 정적 화면을 표시하기 위한 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 제1 표시 영역의 하부에는 감광 소자가 마련될 수 있으며, 그 중, 상기 제1 표시 영역에 본 발명의 제1 측면 또는 제1 측면의 어느 한 실시 형태에 있어서, 설명한 디스플레이 패널이 마련되어 있고, 상기 제2 표시 영역에 마련되는 디스플레이 패널은 패시브 매트릭스 유기발광 다이오드(Passive Matrix Organic Light-Emitting Diode, PMOLED) 디스플레이 패널 또는 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode, AMOLED) 디스플레이 패널인, 디스플레이 스크린을 제공한다.
제2 측면에 결부하여, 제2 측면의 제1 실시 형태에 있어서, 제1 표시 영역의 해상도가 상기 제2 표시 영역의 해상도보다 낮고, 상기 픽셀 제한층은 상기 제1 표시 영역 내에서 상기 복수의 제1 개구를 제한하며, 상기 제2 표시 영역 내에서 복수의 제1 개구의 면적보다 작은 제2 개구를 제한하고, 상기 제1 표시 영역 내에 수량과 위치가 상기 제1 개구에 대응되는 제1 서브픽셀이 마련되어 있으며, 상기 제2 표시 영역 내에 수량 및 위치가 상기 제2 개구에 대응되는 제2 서브픽셀이 마련되 있다.
제2 측면에 결부하여, 제2 측면의 제2 실시 형태에 있어서, 상기 제2 표시 영역에 설치된 디스플레이 패널이 AMOLED 디스플레이 패널일 경우, 상기 제1 표시 영역의 디스플레이 패널의 음극과 상기 제2 표시 영역의 디스플레이 패널의 음극은 전면의 면전극을 공용한다.
제3 측면에 의하면, 본 발명의 실시예는 상기 제1 표시 영역의 하부에 위치하고 상기 제1 표시 영역을 투과하여 광선을 수집하는 감광 소자가 마련되는 소자 영역을 구비하는 디바이스 본체, 및 디바이스 본체에 커버되는본 발명의 제2 측면 또는 제2 측면의 어느 한 실시 형태에 기재된 디스플레이 스크린을 포함하는 디스플레이 단말기를 제공한다.
제3 측면에 결부하여, 제3 측면의 제1 실시 형태에 있어서, 상기 소자 영역은 슬롯팅 영역이고, 상기 감광 소자는 카메라 및/또는 광 센서를 포함한다.
본 발명의 기술 방안은 다음과 같은 장점을 가진다.
본 발명의 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널은 풀 스크린 디자인을 실현하였고, 카메라 상부의 디스플레이 패널에서 픽셀 회로와 서브픽셀이 일대일로 대응하여 구동되는 관계이며, 유기발광 다이오드(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode, AMOLED)의 구동에 필요한 트랜지스터의 수량을 줄이고 디스플레이 스크린의 투명도를 향상시킨다. 또한, 상기 디스플레이 스크린의 서브픽셀의 배열이 행/열 정렬이 아닌 점에 기초하여 특수한 배선 설계를 진행함으로써 상기 디스플레이 패널이 높은 투명도를 구비하는 동시에 외부 광선이 데이터 라인 및 제1 전극(바람직하게는 양극) 사이로 조사될 경우 회절 현상이 생기는 것을 피할 수 있어 풀 스크린의 촬영 효과를 개선하였고, 데이터 라인 및 제1 전극사이의 서로간의 간섭도 피하였으며 동시에 디스플레이 패널의 사용 수명을 연장하였다.
본 발명의 구체적인 실시 형태 또는 종래의 기술의 기술 방안을 더 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 구체적인 실시 형태 또는 종래의 기술의 설명에 필요되는 첨부 도면에 대해 간단히 소개하고, 이하에서 서술되는 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시 형태이고, 본 분야에서 통상적인 지식을 가진 작업자에게 있어서 창조성 노동을 들이지 않은 전제 하에서 이러한 첨부 도면에 의해 다른 도면을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구체적인 일 예시의 서브픽셀 전극 및 데이터 라인의 구조 관계 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 서브픽셀 전극 및 데이터 라인의 구조 관계 개략도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 스캔 라인의 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 스캔 라인의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 스캔 라인의 다른 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법의 구체적인 일 예시의 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법에서 기판에 스위치 소자, 스캔 라인 및 데이터 라인을 형성하는 구체적인 일 예시의 흐름도이다.
도 14는 본 발명의 실시예의 스위치 소자의 구체적인 일 예시의 구조 개략도이다.
도 15는 본 발명의 실시예의 스위치 소자의 다른 구체적인 일 예시의 구조 개략도이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법을 통해 형성되는 디스플레이 패널의 구체적인 일 예시의 구조도이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법에서 기판에 스위치 소자, 스캔 라인 및 데이터 라인을 형성하는 다른 구체적인 일 예시의 흐름도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법을 통해 형성되는 디스플레이 패널의 다른 구체적인 일 예시의 구조도이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 형성 방법에서 스위치 소자에 일대일로 대응되는 복수의 서브픽셀을 형성하는 구체적인 일 실시예의 흐름도이다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 스크린의 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 21은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 정밀 마스크를 사용하여 기판에 제1 발광층 및 제2 발광층을 형성하는 구조 개략도이다.
도 22는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 단말기의 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 23은 본 발명의 실시예의 디바이스 본체의 구조 개략도이다.
도 24는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구동 방법의 구체적인 일 예시의 흐름도이다.
도 25는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구동 방법에서 구동칩의 구체적인 일 예시의 개략도이다.
도 27a는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구동 방법에서 데이터 신호 및 스캔 신호의 구체적인 일 예시의 파형도이다.
도 27b는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 구동 방법에서 데이터 신호 및 스캔 신호의 다른 구체적인 일 예시의 파형도이다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 스크린의 구동에 사용되는 방법의 구체적인 일 예시의 흐름도이다.
이하, 본 발명의 목적, 기술 방안 및 장점들을 더 명확하게 하기 위하여 첨부 도면 및 실시예들에 결부하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 여기서 서술하는 구체적 실시예는 본 발명을 해석하는데 불과하고, 본 발명을 한정하고자 하는 것이 아닌 것을 이해해야 한다.
배경 기술에서 설명한 바와 같이, 풀 스크린 디스플레이의 실현은 업계의 많은 관심을 받고 있다. 풀 스크린 디스플레이의 실현을 위해, 디스플레이 스크린은 일정한 투명도를 가져야 하고, 카메라 등 소자의 디스플레이 스크린의 투명도에 대한 요구를 만족시켜야 한다. 투명 스크린이 PMOLED를 이용할 경우, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxid, ITO)을 OLED의 음극과 양극의 배선으로 사용하여, 디스플레이 스크린의 투명도를 현저하게 향상시킬 수 있으나, ITO의 전극 저항이 비교적 크고 PM-OLED의 구동 방식에서 행 방향의 배선은 전체 행 서브픽셀 OLED의 전류를 감당해야 하고, 각 서브픽셀의 순간 전류가 AMOLED의 서브픽셀 전류보다 훨씬 높아 고저항의 ITO전극은 이러한 높은 전류를 감당할 수 없고, Ag 또는 Mg/Ag의 전극 저항은 ITO의 전극 저항보다 훨씬 작고, Ag 또는 Mg/Ag를 음극으로 사용하여 전류 감당 능력을 향상시킬 수 있으나, 이는 디스플레이 스크린의 투명도가 현저하게 낮아질 수 있다. 투명 스크린이 AMOLED을 이용할 경우, OLED의 구동에 필요한 트랜지스터의 수량이 비교적 많고 금속 배선이 비교적 복잡하며 금속 배선은 디스플레이 스크린의 투명도에 심각한 영향을 미치게 된다.
이에 기반하여, 본 발명은 카메라 상부에 마련되는 디스플레이 패널을 제공하고, 상기 디스플레이 패널에 마련된 픽셀 회로는 서브픽셀에 일대일로 대응되는 관계를 가지며, 또한 픽셀 회로가 간단하고 스위치 소자만 마련할 수 있어, 서브픽셀의 구동을 위한 트랜지스터의 수량을 줄이고, 디스플레이 스크린의 투명도를 향상시킨다.
본 발명의 실시예는 도 1 및 도 2에서 나타낸 바와 같이, 디스플레이 패널을 제공하고, 디스플레이 패널은 기판(1) 및 기판(1)에 마련되는 픽셀 회로(2), 상기 픽셀 회로(2)에 마련되어 있고 상기 픽셀 회로(2)에 일대일로 대응되는 관계이며, 서브픽셀에 일대일로 대응되는 복수의 양극인 제1 전극(3)을 포함하는 양극층인 제1 전극층, 복수의 제1 개구(31)를 구비하는 픽셀 제한층(4), 제1 개구(31) 내에 마련되어 복수의 서브픽셀을 형성하고, 복수의 서브픽셀로 구성되는 서로 인접하는 각 행이 어긋나게 배열되거나 및/또는 복수의 서브픽셀로 구성되는 서로 인접하는 각 열이 어긋나게 배열되는 발광 구조층(5), 픽셀 회로(2)에 마련되어 있고, 상기 픽셀 회로(2)와 일대일로 대응되는 관계이고, 서브픽셀에 일대일로 대응되는 복수의 제1 전극(3)을 포함하는 제1 전극층, 픽셀 회로(2)에 연결되고 픽셀 회로(2)에 전압을 제공하여 픽셀 회로(2)의 도통/차단을 제어하는 스캔 라인, 및 픽셀 회로(2)에 연결되고 픽셀 회로(2) 도통 시, 구동 전류를 직접 제1 전극(3)에 제공하여 서브픽셀의 발광을 제어하고 각각 동일한 컬러의 서브픽셀에 연결되며 다른 종류의 서브픽셀과 미리 설정된 거리를 두는 데이터 라인을 포함한다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 복수의 서브픽셀은 복수의 서브픽셀 행 및 복수의 서브픽셀 열을 구성하고, 서로 인접하는 서브픽셀 행에서 각 서브픽셀은 어긋나게 배열되거나 및/또는 서로 인접하는 서브픽셀 열에서 각 서브픽셀은 어긋나게 배열된다. 구체적으로, 도 2에서 나타낸 바와 같이, 제1 영역(D1) 내에 복수의 제1 개구(31)가 구비된다. 각 제1 개구(31) 내에 제1 서브픽셀(제1 발광층(41))이 형성되어 있다. 도면에서 서로 다른 컬러의 서브픽셀을 나타내기 위해, 서로 다른 해치 패턴을 구비하는 블록으로 서로 다른 컬러로 형성된 서브픽셀을 표시하고, 해치 패턴을 사용하는 블록이 존재하는 영역은 서브픽셀이 형성되어 있는 영역을 표시하며, 동일한 해치 패턴을 구비하는 블록이 존재하는 영역에 형성되는 서브픽셀의 컬러는 동일하고, 서로 다른 해치 패턴을 구비하는 블록이 존재하는 영역에 형성되는 서브픽셀의 컬러는 서로 다르다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(D1)에 대해, 3개의 제1 서브픽셀(41)이 하나의 제3 픽셀유닛(P1)(또는 P2)을 형성한다. 상기 3개의 제1 서브픽셀(41)은 서로 다른 바, 각각 레드 서브픽셀, 그린 서브픽셀 및 블루 서브픽셀이다. 상기 3개의 서브픽셀(41)은 서로 인접하는 두 행에 위치하고, 예를 들어, 각각 제1 영역(D1)의 제1 행 및 제2 행에 위치하며, 3개의 제1 서브픽셀(41)의 위치는 서로 인접된다. 또한, 그 중 하나의 제1 서브픽셀(41)은 다른 두개의 제1 서브픽셀(41)의 중간 위치에 위치하고, 이러한 3개 제1 서브픽셀(41)은 "틔"자 형상, 또는 거꾸로 된 "틔"자 형상을 형성한다. 3개의 제1 서브픽셀(41)에서 하나 또는 복수가 발광하도록 제어하는 것을 통해 서로 다른 다양한 컬러를 표시할 수 있고, 더 나아가 제1 영역에서 풀 컬러 화면 표시를 실현할 수 있다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(D1)에 대해, 3개의 서로 다른 컬러의 제1 서브픽셀(41)은 하나의 제1 픽셀유닛(P7)을 형성한다. 상기 3개의 제1 서브픽셀(41)은 12각형 형상의 제1 픽셀유닛(P7)을 형성하고, 상기 3개의 제1 서브픽셀(41)은 서로 인접하는 두 행에 위치하며 위치는 서로 인접되고, 도 3에서 가로방향에 위치하는 두 점선 사이의 제1 발광층을 일행으로 부를 수 있으며 상기 3개의 제1 서브픽셀(41)은 12각형 형상의 제1 픽셀유닛(P7)을 형성한다.
디스플레이 구조 상의 각 구조들을 명확하게 나타내기 위해 디스플레이 구조 상의 각 구조들의 사이즈를 확대하였기에, 상기 도 2 및 도 3에서 제1 영역 가장자리에 위치하는 제1 서브픽셀은 일부 구조가 완전하지 않으나 여기서 첨부 도면은 개략적으로 나타내는데 불과하다. 실제 응용에서, 제1 서브픽셀의 사이즈는 매우 작고 제1 영역의 가장자리에 위치하는 제1 서브픽셀은 일반적으로 완전한 구조를 구비한다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서 매칭 구조가 아닌 서브픽셀 배열에 적응하기 위해, 데이터 라인의 배선에 대해 대응되는 디자인을 진행한다. 여기서, 서브픽셀의 제1 전극(3)과 데이터 라인이 동일층에 마련될 경우, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 바와 같이, 데이터 라인은 대응되는 제1 전극(3) 사이에 감김 설치되고 데이터 라인의 변과 제1 전극(3)의 변은 평행되지 않으며, 데이터 라인 및 연결되지 않는 제1 전극(3) 사이에 미리 설정된 거리를 두어 외부 광선이 데이터 라인 및 제1 전극(바람직하게는 양극) 사이에 직사 시 발생되는 회절 현상을 피할 수 있고, 풀 스크린의 촬영 효과를 개선하였으며, 데이터 라인 및 제1 전극이 서로 간섭하는 것도 피하고, 동시에 디스플레이 패널의 사용 수명도 연장하였다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서 데이터 라인은 제1 전극(3)의 하부에 마련되고 기판(1)에서 데이터 라인의 투영은 제1 투영이며, 기판(1)에서 서브픽셀의 발광 구조층(5)의 투영은 제2 투영이며, 각 제1 투영은 모두 복수의 제2 투영을 관통하고 데이터 라인 및 연결되지 않는 제1 전극(3) 사이에 미리 설정된 거리를 두며 도 5에 나타낸 바와 같다. 여기서, R/G/B는 각각 레드 서브픽셀, 그린 서브픽셀, 블루 서브픽셀의 데이터 라인을 대표하고, 서로 다른 명암의 컬러로 서로 다른 컬러의 서브픽셀의 제1 전극(3)을 나타내며, 도 5에서 알 수 있다시피, 데이터 라인은 서브픽셀의 제1 전극(3) 하부를 관통한다. 이러한 배선 방식을 통해 각 서브픽셀의 데이터 라인, TFT 를 제외한 후의 광선의 통과부분의 면적 및 각 서브픽셀 전체의 면적 사이의 비율을 향상시킬 수 있고, 다시 말해서 개구율을 증가시킬 수 있다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서 기판(1)은 경질 기판 또는 연성 기판일 수 있다. 경질 기판의 재료는 예를 들어, 유리, 석영 또는 플라스틱 등 투명 재료이고, 연성 기판의 재료는 예를 들어 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등을 사용하여 소자의 투명도를 향상시킬 수 있다. 연성 기판을 사용하여 연성 디스플레이 패널의 제작에 적용할 수 있다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서는, 상기 발광 구조층(5)의 상부에는 면전극이자 음극인 제2 전극(6)이 마련되어 있고, 다시 말해서 전면의 전극재료로 형성되는 전면 전극을 형성한다. 스캔 라인 및 데이터 라인은 모두 픽셀 회로(2)에 연결되고 스캔 라인은 픽셀 회로(2)의 도통/차단을 제어하며, 데이터 라인은 픽셀 회로(2) 도통 시, 제1 전극(3)에 구동 전류를 제공하여 서브픽셀의 발광을 제어한다.
상술한 디스플레이 패널에서 스캔 라인은 픽셀 회로에 전압을 제공하여 픽셀 회로의 도통/차단을 제어하는데, 픽셀 회로에 필요한 도통/차단 전압만 제공하면 되기에 스캔 라인의 부하 전류를 크게 낮추고, 데이터 라인은 픽셀 회로 도통 시, 상기 데이터 라인에서 제공되는 구동 전류는 직접 상기 제1 전극에 제공하여 서브 픽셀의 발광을 제어하며, 데이터 라인은 매 시각마다 하나의 서브픽셀의 구동 전류만 제공하면 되기에 데이터 라인의 부하도 매우 작으며, 복수의 서브픽셀은 면전극(음극)을 공용하고 매 시각마다 일행의 서브픽셀의 전류는 전면의 음극으로부터 제공되기에 음극의 전도성에 대한 요구가 대폭 낮아지며, 고투명 전극을 사용할 수 있어 투명도를 향상시키고 스크린 전체의 일관성을 향상시킬 수 있다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 발광 구조층은 유기발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED) 중의 양극과 음극사이의 발광 구조층일 수 있다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 종래의 AMOLED의 픽셀 회로와 달리, 픽셀 회로(2)는 스위치 소자만 포함하고 저장 콘덴서 등 소자를 포함하지 않으며, 구체적으로, 픽셀 회로는 제1 단(2a), 제2 단(2b) 및 제어단(2c)을 포함하는 하나의 스위치 소자만 포함하며 상세한 설명은 아래에서 구체적으로 설명하도록 한다. 스캔 라인(7)은 스위치 소자의 제어단(2c)에 연결되고, 데이터 라인(8)은 스위치 소자의 제1 단(2a)에 연결되며, 제1 전극(3)은 스위치 소자의 제2 단(2b)에 연결된다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 픽셀 회로(2)는 하나의 스위치 소자를 포함고, 스위치 소자는 제1 전극(3)에 일대일로 대응되어 마련되며, 데이터 라인(8)은 스위치 소자의 제1 단(2a)에 연결되고, 스캔 라인(7)은 스위치 소자의 제어단(2c)에 연결되며, 복수의 서브픽셀은 복수의 스위치 소자에 일대일로 대응되며, 다시 말해서 하나의 서브픽셀은 하나의 스위치 소자에 대응된다. 데이터 라인은 스위치 소자의 제1 단에 연결되고, 스캔 라인은 스위치 소자의 제어단에 연결되어 픽셀 회로의 스위치 소자를 적어도 하나로 줄여, 작업 과정에서 스캔 라인에 TFT의 도통/차단 전압만 입력하고 OLED의 부하 전류를 입력할 필요가 없어, 스캔 라인의 부하 전류를 크게 낮추어, 본 발명의 스캔 라인이 ITO 등 투명 재료를 사용하여 제조할 수 있도록 한다. 또한, 데이터 라인은 매 시각마다 하나의 OLED 픽셀의 전류만 제공하면 되기에 부하도 매우 작기에 데이터 라인도 ITO 등 투명 재료를 사용할 수 있어 디스플레이 스크린의 빛 투과율을 향상시켰다.
선택 가능한 일 실시예에 있어서, 픽셀 회로가 하나의 스위치 소자를 포함할 경우, 스위치 소자는 구동 TFT이고, 제1 단(2a)은 구동 TFT의 소스 전극(21)이며, 제2 단(2b)은 구동 TFT의 드레인 전극이고, 제어단(2c)은 구동 TFT의 그리드 전극(23)이며, 구동 TFT는 탑 게이트 구조 또는 바텀 게이트 구조이다. 실제 프로세스 제작 과정에서, TFT의 소스 전극(21)과 드레인 전극(22)의 구조는 일치하고 서로 바뀔 수 있으며, 본 실시예에 있어서 설명의 편리를 위해 박막 트랜지스터의 소스 전극을 제1 단으로 하고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 제2 단으로 하며, 물론 다른 실시예에서 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 제1 단으로 하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극을 제2 단으로 할 수 있다. 대체 가능한 다른 일 실시예에서 스위치 소자는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)일 수 있고, 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)등 통상적으로 스위치 특성을 구비하는 다른 소자일 수도 있으며, 본 실시예에서 스위치 기능을 실현할 수 있고 디스플레이 패널에 집적될 수 있는 전자 소자는 모두 본 발명의 청구 범위 내에 포함된다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터 또는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor, LTPS TFT)일 수 있고, 박막 트랜지스터는 인듐 갈륨 아연 산화물 박막 트랜지스터(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor, IGZO TFT)인 것이 바람직하다. 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 전자 이동율이 높고 해상도가 높으며 디자인이 더욱 간단하고 디스플레이 효과가 더욱 우수하며, 산화물 박막 트랜지스터는 광학적 빛 투과율이 높고 프로세스가 성숙되었으며 제조가 간단하다.
바람직하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서 박막 트랜지스터가 탑 게이트 구조로 마련되었을 경우, 도 7에 나타낸 바와 같이, 액티브층(25), 액티브층에 마련되는 그리드 전극 절연층(24), 그리드 전극 절연층에 마련되고 스캔 라인에 연결되는 그리드 전극(23), 그리드 전극(23)에 마련되는 층간 절연층(26), 층간 절연층(26)에 마련되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 포함하고, 상술한 액티브층, 그리드 전극 절연층, 그리드 전극, 층간 절연층, 소스 전극 및 드레인 전극은 스위치 소자 TFT를 구성하며, 소스 전극(21)과 드레인 전극(22)에 평탄화층(27)이 마련되어 있고, 소스 전극(21)과 드레인 전극(22)은 각각 평탄화층(27)의 관통홀을 통해 데이터 라인(8) 및 제1 전극(3)에 연결된다. 탑 게이트 구조의 TFT에 필요한 마스크의 수량이 적고 제조 프로세스가 간단하며 원가가 낮다.
대체 가능한 일 실시예에서, 박막 트랜지스터가 바텀 게이트 구조로 마련되었을 경우, 도 8에서 나타낸 바와 같이, 스캔 라인(7)에 마련되고 스캔 라인(7)에 연결되는 그리드 전극(23), 그리드 전극(23)에 차례로 적층되는 그리드 전극 절연층(24), 액티브층(25), 층간 절연층(26), 층간 절연층(26)에 마련되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22), 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)에 마련되는 평탄화층(27)을 포함하고, 소스 전극(21)과 드레인 전극(22)은 각각 평탄화층(27)의 관통홀을 통해 데이터 라인(8) 및 제1 전극(3)에 연결된다. 바텀 게이트 구조는 프로세스가 복잡하고 TFT의 그리드 전극 및 그리드 전극 절연층은 광학 보호 필름으로 사용될 수 있으며, 광학 특성이 우수하다.
본 발명의 실시예에서, 그리드 전극은 투명 전도성 재료 또는 금속 재료로 제조될 수 있다. 스캔 라인은 그리드 전극에 연결되고, 투명 전도성 재료를 사용하여 그리드 전극을 제조할 경우, 프로세스 단계를 간소화하고 공정 프로세스를 줄이기 위해, 스캔 라인 및 그리드 전극은 동일한 프로세스 단계에서 형성될 수 있다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로, 스캔 라인 및 그리드 전극은 모두 ITO 재료를 사용하여 구성될 수 있고, 제조 과정에서 먼저 한 층의 ITO를 제조한 후, 제1 마스크를 통해 ITO에 대한 패턴화를 진행하는 동시에 스캔 라인 및 그리드 전극을 형성할 수 있으며, 도 15에 나타낸 바와 같다.
대체 가능한 일 실시예에서, 금속 재료를 사용하여 그리드 전극을 제작할 경우, 스캔 라인은 그리드 전극의 상부 또는 하부에 마련될 수 있고, 이는 그리드 전극 및 스캔 라인을 각각 형성해야 하며, 도 14에 나타낸 바와 같다.
프로세스 단계를 간소화하고 공정 프로세스를 줄이기 위해, 데이터 라인 및 그리드 전극은 동일한 프로세스 단계에서 형성된다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로, 데이터 라인 및 제1 전극은 모두 ITO 재료를 사용하여 구성될 수 있고, 전면의 ITO를 제조하여 제2 마스크를 통해 ITO에 대한 패턴화를 진행하는 동시에 데이터 라인 및 제1 전극을 형성하고, 대체 가능한 일 실시예에서, 데이터 라인과 제1 전극의 재료가 서로 다를 경우, 데이터 라인 및 제1 전극을 각각 형성할 수도 있다.
선택 가능한 일 실시예에서, 디스플레이 패널의 전체 투명도의 향상을 극대화하기 위해, 제1 전극, 제2 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인은 모두 투명 전도성 재료를 사용하여 제조되고, 투명 전도성 재료의 빛 투과율은 90%를 초과하며, 이를 통해 디스플레이 패널 전체의 빛 투과율이 70% 이상일 수 있고 디스플레이 패널의 투명도가 더욱 높다.
구체적으로, 상술한 제1 전극, 제2 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인에 사용되는 투명 전도성 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있고, 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO)일 수도 있으며, 또는 은을 도핑한 인듐 주석 산화물(Ag+ITO), 또는 은을 도핑한 인듐 아연 산화물일 수 있다. ITO는 프로세스가 성숙되고 원가가 낮기에 전도성 재료는 인듐 아연 산화물인 것이 바람직하다. 추가로, 높은 빛 투과율을 확보하는 것에 기초하여 각 전도 배선의 저항을 줄이기 위해, 투명 전도성 재료는 알루미늄을 도핑한 산화아연, 은을 도핑한 ITO 또는 은을 도핑한 IZO 등 재료일 수 있다.
다른 대체 가능한 실시예에서, 투명 전도성 재료는 다른 통상적인 재료를 사용할 수 있고 실제 필요에 따라 합리적으로 설치하기만 하면 되기에, 본 발명의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 대체 가능한 일 실시예에서 제1 전극, 제2 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인 중의 적어도 하나는 투명 전도성 재료를 사용하여 제조된다.
복수의 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장되고, 복수의 데이터 라인은 제1 방향과 서로 교차되는 제2 방향을 따라 연장된다. 선택 가능한 일 실시예에서 스캔 라인은 X방향에서 연장되고 데이터 라인은 Y방향에서 연장되며, 기판에서 데이터 라인과 스캔 라인의 투영은 서로 수직되고, 그 연장 방향에서 스캔 라인의 두 변은 웨이브 형상이며, 그 연장 방향에서 데이터 라인의 두 변도 웨이브 형상이며, 웨이브 형상의 데이터 라인 및 스캔 라인은 서로 다른 위치 및 확산 방향을 구비하는 회절 무늬를 발생할 수 있어 회절 효과를 약화시키고, 나아가 카메라가 상기 디스플레이 패널의 하부에 설치될 경우, 촬영하여 얻는 이미지는 비교적 높은 해상도를 가지게 된다.
선택 가능한 일 실시예에서, 스캔 라인은 웨이브 형상이기에 서로 인접한 스캔 라인 사이에 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제1 간격을 구비하고, 스캔 라인의 폭은 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화된다. 폭의 연속적 변화는, 스캔 라인에서 임의의 서로 인접한 두 위치에서의 폭이 서로 다르다는 것을 의미한다. 도 9에서, 스캔 라인의 연장 방향은 그의 길이 방향이다. 연장 방향에서 스캔 라인의 폭은 연속적으로 변화된다. 또한, 폭의 비연속적 변화는, 스캔 라인의 일부 영역 내에서 서로 인접하는 두 위치의 폭이 동일하고 일부 영역 내에서 서로 인접하는 두 위치의 폭은 서로 다르다는 것을 의미하다. 본 발명의 실시예에서 복수의 스캔 라인은 기판에 규칙적으로 배열 분포되어 있기에 서로 인접한 두 스캔 라인 사이의 간극은 스캔 라인에 평행되는 연장 방향에서도 연속적 변화 또는 비연속적 변화를 나타낸다. 연장 방향에서 스캔 라인의 폭이 연속적 변화되거나 또는 비연속적 변화되는데 상관없이 모두 주기성 변화일 수 있다.
연장 방향에서 스캔 라인의 두 변은 모두 파봉이 대향하여 마련되고 파곡이 대향하여 마련되는 웨이브 형상이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 연장 방향에서 두 변의 파봉(T)은 대향하여 마련되고 파곡(B)은 대향하여 마련되며, 동일한 스캔 라인 파봉 사이의 폭은 W1이고 동일 한 스캔 라인 파곡 사이의 폭은 W2이며 서로 인접한 두 스캔 라인 파봉 사이의 간격은 D1이고 서로 인접한 두 스캔 라인 파곡 사이의 간격은 D2이다. 본 발명의 실시예에서, 두 변은 모두 동일한 아치형 변이 서로 연결되어 이루어진다. 다른 실시예에서, 두 변은 도 10에 나타낸 바와 같이 모두 동일한 타원형 변이 서로 연결되어 이루어질 수도 있다. 스캔 라인의 두 변을 아치형 또는 타원형으로 형성된 웨이브 형상으로 마련하는 것을 통해 스캔 라인에서 발생하는 회절 무늬가 서로 다른 방향으로 확산되는 것을 확보할 수 있고 나아가 비교적 선명한 회절 효과가 발생할 수 없다.
선택 가능한 일 실시예에서, 웨이브 형상의 스캔 라인의 파곡의 대향 위치에 직선 또는 곡선일 수 있는 제1 연결부가 형성되어 있다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 제1 연결부는 스트립 형상이고 스캔 라인 및 스위치 소자의 전기적 연결 영역이며, 다시 말해서, 스위치 소자의 제어단은 제1 연결부의 위치에 연결된다. 다른 실시예에서, 연결부는 중간이 작고 양단이 큰 형상이거나 또는 중간이 크고 양단이 작은 형상 등 다른 불규칙적인 구조를 이용할 수도 있다.
선택 가능한 일 실시예에서, 데이터 라인은 웨이브 형상이기에 서로 인접한 데이터 라인 사이에는 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제2 간격을 구비하고, 데이터 라인의 폭은 연속적 변화되거나 또는 비연속적 변화된다. 데이터 라인은 스캔 라인과 유사하기에, 상세한 내용은 스캔 라인의 구체적 설명을 참조하고 여기서 중복된 서술을 생략하도록 한다. 데이터 라인은 도 9 내지 도 11 중의 어느 한 웨이브 형상을 이용할 수 있다. 연장 방향에서 데이터 라인의 두 변은 모두 웨이브 형상이고, 두 변의 파봉은 대향하여 마련되며 파곡은 대향하여 마련되고, 데이터 라인의 파곡 대향 위치에 데이터 라인과 스위치 소자의 전기적 연결 영역인 제2 연결부가 형성되어 있으며, 데이터 라인의 마련은 스캔 라인과 유사하기에 상세한 설명은 스캔 라인의 마련을 참조하도록 한다.
디스플레이 패널의 스캔 라인, 데이터 라인은 도 9-도 11 중의 어느 한 웨이브 형상을 이용하여 데이터 라인 및 스캔 라인 배선의 연장 방향에서 광선이 서로 다른 폭 위치 및 서로 인접한 배선의 서로 다른 간극 위치를 통과 시, 서로 다른 위치의 회절 무늬를 형성할 수 있고 나아가 회절 효과를 쇠퇴시켜 디스플레이 패널 하부에 배치되는 감광 소자가 정상적으로 작동되도록 할 수 있다.
상술한 디스플레이 패널의 스캔 라인은 스위치 소자의 제어단에 연결되고, 스위치 소자의 도통/차단 전압만 제공하면 되고, 발광 소자를 흐르는 구동 전류를 제공할 필요가 없어 스캔 라인의 부하 전류를 크게 낮추고, 데이터 라인은 스위치 소자의 제1 단에 연결되고, 데이터 라인은 매 시각마다 하나의 서브픽셀의 구동 전류만 제공하면 되기에 데이터 라인의 부하도 매우 작으며, 데이터 라인 및 스캔 라인의 부하는 모두 매우 작아 데이터 라인 및 스캔 라인은 투명 재료(일례로 ITO)를 사용하여 제작할 수 있고 디스플레이 패널의 투명도를 현저히 향상시키며, 음극은 전면 구조로써, 포토레지스트로 음극을 구분할 필요가 없고 매 시각마다 일행의 OLED의 전류는 전면의 음극에서 제공되기에 음극에 대한 전도성 요구가 대폭 낮아져 고투명 음극을 사용하여 투명도를 향상시킬 수 있으며, 투명 OLED 스크린의 배선과 음극 저항 및 투명도 사이의 모순을 잘 해결하였고, 통상적인 디스플레이 스크린의 제조 프로세스를 겸용할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 제공되는 디스플레이 패널은 풀 스크린 디자인을 실현하였고, 카메라 상부의 디스플레이 패널에서 픽셀 회로 및 서브 픽셀은 서로 일대일로 대응되게 구동하는 관계이며, OLED의 구동에 필요한 트랜지스터의 수량을 줄이고 디스플레이 스크린의 투명도를 향상시켰다. 또한, 상기 디스플레이 스크린의 서브픽셀 배열이 행/열 정렬이 아닌 점에 기초하여, 특수한 배선 디자인을 진행함으로써 상기 디스플레이 패널이 높은 투명도를 구비하는 동시에, 외부 광선이 데이터 라인 및 제1 전극(바람직하게 양극) 사이에 직사 시 발생되는 회절 현상을 피하고 풀 스크린의 촬영 효과를 개선하였으며 데이터 라인 및 제1 전극이 서로 간섭하는 것도 피하였고, 동시에 디스플레이 패널의 사용 수명을 연장하였다.
본 발명의 실시예는 디스플레이 패널의 형성 방법을 더 제공하고, 도 12에 나타낸 바와 같이 다음과 같은 단계를 포함한다.
단계 S1: 제1 단, 제2 단 및 제어단을 각각 포함하는 스위치 소자, 스위치 소자의 제1 단에 연결되는 스캔 라인 및 스위치 소자의 제어단에 연결되는 데이터 라인을 형성한다.
선택 가능한 일 실시예에서, 스위치 소자가 탑 게이트 박막 트랜지스터일 경우, 도 13에 나타낸 바와 같이 단계 S1은 구체적으로 단계 S111-S117을 포함한다.
단계 S111: 기판(1)에 복수의 액티브층(25)을 형성한다.
선택 가능한 일 실시예에서 기판(1)은 유리 기판, 석영 기판 또는 플라스틱 기판 등 투명 기판인 강성 기판일 수 있고, P1 박막 등 연성 기판일 수도 있다.
선택 가능한 일 실시예에서, 기판에 자체 프로세스로 인해 차례로 적층되는 차폐층(28) 및 액티브층(25)을 포함하는 P-Si층을 형성하고, 차폐층은 산소 및 물 등을 격리하는 동시에 액티브층과 양호한 계면을 형성하는 작용을 한다. 구체적으로, 기판에 전면의 P-Si층을 형성한 후, 전면의 P-Si층에 한 층의 포토레지스트를 도포하고, 액티브층 마스크(PSI mask)를 사용하여 노출을 진행하며 나아가 패턴화된 액티브층(25)을 형성한다.
선택 가능한 일 실시예에서 액티브층은 다결정 실리콘 재료를 사용하여 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 형성할 수 있고, 또한 다결정 실리콘에 대해 정출을 진행하여 결정 박막 트랜지스터를 제조할 수도 있다. 대체 가능한 일 실시예에서 액티브층은 비결정 실리콘을 사용할 수도 있으며 필요에 따라 합리적으로 설치하면 된다.
단계 S112: 복수의 액티브층(25)에 그리드 전극 절연층(24)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로 화학기상 증착법을 사용하여 그리드 전극 절연층을 제조할 수 있고, 물론 다른 통상적인 방법을 사용하여 그리드 전극 절연층을 제조할 수도 있으며 본 발명의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 그리드 전극 절연층의 재료는 산화 규소 또는 질화 규소 등일 수 있고 필요에 따라 합리적으로 설치하면 된다.
단계 S113: 그리드 전극 절연층(24)에 스캔 라인(7) 및 각 액티브층(25)에 대응되고 스캔 라인(7)에 연결되는 그리드 전극(23)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서 스캔 라인(7)은 인듐 주석 산화물(ITO)재료로 제조되고, 그리드 전극(23)은 금속 재료로 제조되는데, 구체적으로, 그리드 전극 절연층(24)에 전면의 ITO층을 형성한 후, 마스크를 사용하여 패턴화된 스캔 라인(7)을 형성하고, 그 후, 그리드 전극 절연층에 금속 그리드 전극을 형성하며 그리드 전극은 스캔 라인과 동일층에 위치하고 스캔 라인에 연결되며, 구체적으로 도 14에 나타낸 바와 같다. 대체 가능한 일 실시예에서 스캔 라인(7)은 인듐 아연 산화물(IZO) 재료로 제조되고 다른 통상적인 투명 전도성 재료로 제조될 수도 있다. 여기서, 그리드 전극의 형성 단계 및 스캔 라인의 형성 단계의 순서는 프로세스에 따라 조절될 수 있고, 여기서 이에 대해 한정하지 않는다.
대체 가능한 다른 일 실시예에서, 스캔 라인(7) 및 그리드 전극(23)은 모두 인듐 주석 산화물(ITO) 재료로 제조되고, 구체적으로, 그리드 전극 절연층(24)에 전면의 ITO층을 형성한 후, 마스크를 사용하여 패턴화된 스캔 라인(7) 및 그리드 전극(23)을 형성하며 그리드 전극과 스캔 라인은 동일층에 위치하고 스캔 라인에 연결되며, 제조 프로세스가 더욱 간단하고 조작하기 쉬우며, 구체적으로 도 15에 나타낸 바와 같다.
회절을 줄이기 위해, 스캔 라인의 형상은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널에서의 설명을 참조하고, 여기서 이에 대한 중복된 서술을 생략한다.
단계 S114: 복수의 그리드 전극(24)에 층간 절연층(26)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로 화학기상 증착법을 사용하여 층간 절연층을 제조할 수 있고, 물론 다른 통상적인 방법을 사용하여 층간 절연층을 형성할 수도 있으며, 본 발명의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 층간 절연층의 재료는 산화 규소 또는 질화 규소 등일 수 있고 필요에 따라 합리적으로 설치하면 된다.
단계 S115: 층간 절연층(26)에 각 액티브층(25)에 대응되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 형성한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 제조하면 된다. TFT의 성능을 확보하기 위해, 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)은 금속 재료이고, 예를 들어 Ti 또는 Ti/Al/Ti 또는 Ag 등 전도성이 양호한 단층 금속 재료 또는 금속 적층 등을 사용한다.
단계 S116: 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)에 각각 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)에 대응되는 관통홀을 구비하는 평탄화층(27)을 형성한다. 관통홀 위치에서 대응되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)이 노출한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상술한 평탄화층을 제조한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 평탄화층에서 습식 에칭 프로세스를 통해 관통홀을 제조할 수 있고 건식 에칭 등과 같은 다른 통상적인 방법을 사용하여 제조할 수도 있다.
단계 S117: 평탄화층(27)에 관통홀을 통해 소스 전극에 연결되는 데이터 라인(8)을 형성한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 데이터 라인(8)을 제조하면 된다. 데이터 라인(8)은 인듐 주석 산화물(ITO) 재료로 제조되고 인듐 아연 산화물(IZO) 재료로 제조될 수도 있으며 또한 다른 일반적인 투명 전도성 재료를 사용하여 제조될 수도 있다. 회절을 줄이기 위해, 데이터 라인의 형상은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널에서의 설명을 참조하고, 여기서 중복된 서술을 생략하도록 한다.
상기 단계를 통해 제조한 디스플레이 패널의 구조는 도 16에 나타낸 바와 같다.
대체 가능한 일 실시예에서, 스위치 소자가 바텀 게이트 박막 트랜지스터일 경우, 도 17에 나타낸 바와 같이 단계 S1은 구체적으로 단계 S121-S128을 포함한다.
단계 S121: 기판(1)에 스캔 라인(7)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서 스캔 라인(7)은 인듐 주석 산화물(ITO)재료로 제조되고 구체적으로, 기판에 전면의 ITO층을 형성한 후 마스크를 사용하여 패턴화된 스캔 라인(7)을 형성한다.
선택 가능한 일 실시예에서 기판(1)은 유리 기판, 석영 기판 또는 플라스틱 기판 등 투명 기판인 강성 기판일 수 있고, P1 박막 등 연성 기판일 수도 있다.
단계 S122: 스캔 라인(7)에 연결되는 복수의 그리드 전극(23)을 형성하고 그리드 전극(23)은 스캔 라인(7)에 연결된다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 그리드 전극을 제조하면 된다.
단계 S123: 복수의 그리드 전극(23)에 그리드 전극 절연층(24)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로 화학기상 증착법을 사용하여 그리드 전극 절연층을 제조할 수 있고, 물론 다른 통상적인 방법을 사용하여 그리드 전극 절연층을 제조할 수도 있으며 본 발명의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 그리드 전극 절연층의 재료는 산화 규소 또는 질화 규소 등일 수 있으며 필요에 따라 합리적으로 설치하면 된다.
단계 S124: 그리드 전극 절연층(24)에 각 그리드 전극(23)에 대응되는 액티브층(25)을 형성한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 액티브층(25)을 제조하면 된다. 선택 가능한 일 실시예에서 액티브층은 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 재료와 같은 산화물 재료로 제조될 수 있다.
단계 S125: 복수의 액티브층(25)에 층간 절연층(26)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로 화학기상 증착법을 사용하여 층간 절연층을 제조할 수 있고, 물론 다른 통상적인 방법을 사용하여 층간 절연층을 형성할 수도 있으며, 본 발명의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 층간 절연층의 재료는 산화 규소 또는 질화 규소 등일 수 있으며 필요에 따라 합리적으로 설치하면 된다.
단계 S126: 층간 절연층(26)에 각 액티브층(25)에 대응되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 형성한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 제조하면 된다.
단계 S127: 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)에 각각 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)에 대응되는 관통홀을 구비하는 평탄화층(27)을 형성한다. 관통홀 위치에서 대응되는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 노출한다. 선택 가능한 일 실시예에 관련하여, 구체적으로 단계 S116을 참조할 수 있다.
단계 S128: 평탄화층(27)에 관통홀을 통해 소스 전극에 연결되는 데이터 라인(8)을 형성한다. 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 데이터 라인(8)을 제조하면 된다. 데이터 라인(8)은 인듐 주석 산화물(ITO) 재료로 제조된다.
상술한 단계를 통해 제조된 디스플레이 패널의 구조는 도 18에 나타낸 바와 같다.
단계 S2: 스위치 소자에 제1 전극(3), 픽셀 제한층(4), 제2 전극(6) 및 복수가 제2 전극(6)을 공용하고 그 제1 전극(3)이 각각 스위치 소자의 제2 단(2b)에 연결되는 발광 구조층(5)을 대응되게 형성한다.
선택 가능한 일 실시예에서, 도 19에 나타낸 바와 같이 단계 S2는 구체적으로 단계 S21-S24를 포함한다.
단계 S21: 박막 트랜지스터의 드레인 전극(22)에 드레인 전극(22)에 연결되는 대응되는 제1 전극(3)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 구체적으로, 평탄화층(27)에 관통홀을 충진한 후 드레인 전극(22)에 연결되고 ITO 재료로 제조된 제1 전극(3)을 형성한다. 대체 가능한 일 실시예에서, 데이터 라인 및 제1 전극은 동일층에 위치하고 동시에 제조될 수 있으며, 평탄화층(27)에 전면의 ITO 재료를 커버한 후, 마스크를 통해 패턴화된 데이터 라인 및 제1 전극을 실현하고, 이를 통해 제조 프로세스가 간단하고 원가를 저감한다. 회절을 줄이기 위해, 제1 전극의 형상은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 설명을 참조하고, 여기서 중복된 서술을 생략하도록 한다.
단계 S22: 제1 전극(3)에 픽셀 제한층(4)을 형성한다. 픽셀 제한층(4)은 제1 전극을 노출하고 각각 하나의 제1 전극에 대응되는 복수의 개구를 포함한다. 선택 가능한 일 실시예에서, 픽셀 제한층(4)에 형성되는 개구이 기판에서의 투영의 각 변은 서로 평행되지 않고, 각 변은 모두 곡선이며, 다시 말해서 개구는 각 방향에서 모두 변화되는 폭을 구비하고 동일한 위치에서 서로 다른 회절 확산 방향을 구비하며, 외부 광선이 상기 개구를 통과 시, 서로 다른 폭 위치에서 서로 다른 위치 및 확산 방향을 구비하는 회절 무늬가 생길 수 있고, 나아가 비교적 선명한 회절 효과가 생길 수 없어 상기 디스플레이 패널 하부에 마련되는 감광 소자의 정상적인 작동을 확보할 수 있다. 회절을 줄이기 위해, 개구의 투영 형상은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 설명을 참조하고, 여기서 중복된 서술을 생략하도록 한다.
단계 S23: 픽셀 제한층(4)에 제1 전극(3)에 일대일로 대응되는 발광 구조층(5)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서 구체적으로, 개구에 발광 구조층(5)을 형성하며 임의의 통상적인 방식을 사용하여 상기 발광 구조층(5)을 제조하면 된다.
단계 S24: 발광 구조층(5)에 복수의 발광 구조층(5)을 공용하는 제2 전극(6)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서 구체적으로, 복수의 발광 구조층(5) 및 픽셀 제한층(4)에 전면의 제2 전극(6)을 형성한다. 선택 가능한 일 실시예에서 제2 전극(6)은 ITO 재료로 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예는 적어도 하부에 감광 소자를 마련할 수 있고 상기 임의의 실시예에서 설명한 디스플레이 패널에 마련되는 제1 표시 영역 및 마련되는 디스플레이 패널이 PMOLED 디스플레이 패널 또는 AMOLED 디스플레이 패널인 제2 표시 영역을 포함하며 각 표시 영역은 모두 동적 또는 정적 화면을 표시하는데 사용되는 디스플레이 스크린을 더 제공한다. 제1 표시 영역에 상술한 실시예에 따른 디스플레이 패널을 이용하기에 비교적 높은 투명도를 구비하고 디스플레이 스크린의 전체 일관성이 비교적 양호하며, 광선이 상기 디스플레이 영역을 통과 시, 비교적 선명한 회절 효과가 생길 수 없어 상기 제1 표시 영역 하부에 위치하는 감광 소자의 정상적인 작동을 확보할 수 있다. 제1 표시 영역은 감광 소자가 작동하지 않을 경우, 정상적으로 동적 또는 정적 화면을 표시할 수 있고, 감광 소자가 작동할 경우, 표시하지 않는 상태여야 하며, 이를 통해 감광 소자가 상기 디스플레이 패널을 투과하여 정상적인 광선 수집을 할 수 있도록 확보할 수 있다. 제1 표시 영역의 투명도가 현저하게 향상되었고 투명 OLED 스크린의 배선과 음극 저항 및 투명도 사이의 모순을 해결하였으며 정상적인 디스플레이 스크린의 제조 프로세스와 겸용할 수 있어 생산 원가가 비교적 낮다.
선택 가능한 일 실시예에서는 도 20a에 나타낸 바와 같이, 디스플레이 스크린은 모두 정적 또는 동적 화면의 표시하기 위한 제1 표시 영역(161) 및 제2 표시 영역(162)을 포함하고, 여기서, 제1 표시 영역(161)은 상기 임의의 일 실시예에서 설명한 디스플레이 패널을 사용하고 디스플레이 스크린의 상부에 위치한다.
선택 가능하게, 본 발명의 일부 실시예에 있어서, 도 20b에 나타낸 바와 같이, 디스플레이 스크린은 제1 영역(D1) 및 면적이 제1 영역(D1)의 면적보다 크고 해상도가 제1 영역(D1)의 해상도보다 높은 제2 영역(D2)을 포함하고, 제1 영역(D1) 내에 복수의 제1 개구(31)가 제한되며, 제2 영역(D2)에서 복수의 제1 개구(31)의 면적보다 작은 제2 개구(32)가 제한된다.
도 21에 나타낸 바와 같이, 동일한 정밀 마스크(200)를 사용하여 제1 발광층(41) 및 제2 발광층(42)을 증착 형성할 수 있다. 증착 정밀도를 확보하고 정밀 마스크 확장 과정에서 불균일한 작용력으로 인한 변형을 피하기 위해, 면적과 형상이 동일한 개공(201)을 구비하는 정밀 마스크(200)를 사용할 수 있다.
정밀 마스크(200)는 기판(10)에 대응되고, 정밀 마스크(200)의 각 개공(201)은 상기 컬러의 발광층을 형성 하는 영역에 대응되어야 하며, 예를 들어, 도 21에 나타낸 바와 같이, 하나의 개공(201)은 제1 영역(D1)의 하나의 제1 개구(31)의 위치에 대응되고, 하나의 개공(201)은 제2 영역(D2)의 인접한 복수의 제2 개구(32)의 위치에 대응된다.
증착 프로세스를 사용하여 발광층을 형성할 경우, 발광 컬러가 동일한 발광층에 대해 동시에 증착하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 서로 인접한 복수의 제2 개구(32)의 외곽에 형성된 가상 개구 내에서 동시에 증착하여 컬러가 동일하고 수량이 제2 개구(32)에 대응되는 제2 발광층(42)을 형성하고, 각 제1 개구(31) 내에 하나의 제1 발광층(41)을 형성할 수 있다.
도 20b에 나타낸 바와 같이, 제2 영역(D2)에 대해 3개의 제2 서브피셀은 하나의 제1 픽셀유닛(P3)(또는 P4)을 형성한다. 상기 3개의 제2 서브픽셀(42)은 서로 다르고 각각 레드 서브픽셀, 그린 서브픽셀 및 블루 서브픽셀이다. 상기 3개의 서브픽셀(42)은 서로 인접하는 두 행에 위치하고, 예를 들어, 각각 제2 영역(D2)의 제2 행 및 제3 행에 위치하며 3개의 제2 서브픽셀(42)의 위치는 서로 인접된다. 또한, 그중 하나의 제2 서브픽셀(42)은 다른 두개의 제2 서브픽셀(42)의 중간 위치에 위치하고, 상기 3개의 제2 서브픽셀(42)은 “品”자 형상, 또는 거꾸로 된 “品”자 형상을 형성한다. 3개의 제2 서브픽셀(42)에서 하나 또는 복수가 발광하도록 제어하는 것을 통해 서로 다른 다양한 컬러를 표시할 수 있고, 나아가 제2 영역에서 풀 컬러 화면 표시를 실현할 수 있다.
도 20c에 나타낸 바와 같이, 제2 영역(D2)에 대해서, 3개의 제2 서브픽셀(42)은 하나의 제2 픽셀유닛(P8)을 형성한다. 상기 3개의 제2 서브픽셀(42)은 서로 다르고 각각 레드 서브픽셀, 그린 서브픽셀 및 블루 서브픽셀이다. 상기 3개의 제2 서브픽셀(42)은 서로 인접하는 두 행에 위치하고 위치는 서로 인접되며, 각 제2 서브픽셀(42)의 형상은 모두 능형이고 3개의 제2 서브픽셀은 도면에서 나타낸 바와 같이 정육각형의 형상을 가지는 제2 서브픽셀유닛을 형성할 수 있다.
디스플레이 구조의 각 구조들을 더 명확하게 나타내기 위해 디스플레이 구조의 각 구조들의 크기를 확대하였기에 상기 도 20b 및 도 20c에 제2 영역 가장자리에 위치하는 제2 서브픽셀은 일부가 불완전한 구조를 가지고 있다. 그러나 도면에서 이 부분은 개략적으로 나타내고, 실제 응용에서 제2 서브픽셀의 크기는 매우 작고 제2 영역의 가장자리에 위치하는 제2 서브픽셀은 통상적으로 완전한 구조를 구비한다.
선택 가능한 일 실시예에서 디스플레이 스크린은 3개, 심지어 더 많은 표시 영역을 포함할 수 있고, 예를 들어, 3개의 표시 영역(제1 표시 영역, 제2 표시 영역, 제3표시 영역)을 포함할 경우, 제1 표시 영역은 상기 임의의 실시예에서 설명한 디스플레이 패널을 사용하고, 제2 표시 영역 및 제3표시 영역이 사용하는 디스플레이 패널에 대해 본 발명의 실시예를 통해 한정하지 않았으며, PMOLED 디스플레이 패널일 수 있고, AMOLED 디스플레이 패널일 수도 있으며, 물론 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 패널을 사용할 수도 있다.
선택 가능한 일 실시예에서 제2 표시 영역이 마련한 디스플레이 패널은 AMOLED디스플레이 패널일 경우, 제1 표시 영역의 디스플레이 패널의 음극 및 제2 표시 영역의 디스플레이 패널의 음극은 전면의 면전극을 공용한다. 공면 음극은 제조 프로세스를 간단하게 하고 음극에 대한 전도성 요구를 더낮추었으며 고투명 전극을 사용하여 투명도를 향상시키고 전체 스크린의 일관성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는 디바이스 본체에 커버되는 상술한 디스플레이 스크린을 포함하는 디스플레이 디바이스를 더 제공한다. 상기 디스플레이 디바이스는 모바일폰, 태블릿 PC, 텔레비전, 모니터, ipod, 디지털 카메라, 내비게이션 등 디스플레이 기능을 구비하는 제품 또는 부품일 수 있다.
도 22는 일 실시예에서 디바이스 본체(810) 및 디스플레이 스크린(820)을 포함하는 디스플레이 단말기의 구조 개략도이다. 디스플레이 스크린(820)은 디바이스 본체(810)에 마련되고 상기 디바이스 본체(810)에 서로 연결된다. 여기서, 디스플레이 스크린(820)은 상술한 임의의 실시예에 따른 디스플레이 스크린을 이용하여 정적 또는 동적 화면을 표시하는데 사용될 수 있다.
도 23은 일 실시예에서의 디바이스 본체(810)의 구조 개략도이다. 본 발명의 실시예에서 디바이스 본체(810)에 슬롯팅 영역(812) 및 비슬롯팅 영역(814)이 마련될 수 있다. 슬롯팅 영역(812)에는 카메라(930) 및 광센서 등 감광 소자가 설치될 수 있다. 이때, 디스플레이 스크린(820)의 제1 표시 영역의 디스플레이 패널은 슬롯팅 영역(812)에 대응되어 접합됨으로써 상술한 카메라(930) 및 광센서 등 감광 소자들이 상기 제1 표시 영역을 투과하여 외부 광선에 대해 수집 등 조작을 진행하도록 한다. 제1 표시 영역의 디스플레이 패널은 외부 광선이 상기 제1 표시 영역을 투과하여 발생되는 회절 현상을 효과적으로 개선할 수 있어 디스플레이 디바이스의 카메라(930)가 촬영하는 이미지의 품질을 효과적으로 개선하고, 회절로 인해 촬영된 이미지가 왜곡되는 것을 피할 수 있으며 동시에 광 센서가 외부 광선을 감지하는 정확도 및 민감도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는 상술한 실시예에 따른 임의의 디스플레이 패널을 구동하기 위한 방법을 제공하고, 상기 방법은 IC를 구동하는데 사용되며 디스플레이 패널의 표시에 대해 제어하고, 도 24에 나타낸 바와 같이 다음과 같은 단계 S231 및 단계 S232를 포함한다.
단계 S231: 스캔 라인에 스캔 신호를 발송하여 스캔 라인이 일행의 픽셀 회로를 동시에 도통되도록 제어한다.
단계 S232: 데이터 라인에 데이터 신호를 발송하여 픽셀 회로가 도통 시, 데이터 라인은 제1 전극에 구동 전류를 제공하여 서브픽셀의 발광을 제어한다.
선택 가능한 일 실시예에서, 데이터 라인의 펄스 폭에 대한 제어를 통해 서브픽셀의 발광 휘도를 제어한다. 펄스 폭을 통해 서브픽셀의 구동 전류를 조절하고 구동 전류가 클수록 서브픽셀의 휘도가 더 높다.
선택 가능한 일 실시예에서, 도 25에 나타낸 바와 같이, 스캔 신호 및 데이터 신호는 모두 구동칩을 통해 스캔 라인 및 데이터 라인으로 발송되고, 구동칩은 PMOLED 구동칩(PM IC)이며, 데이터 신호 및 스캔 신호는 모두 PM IC에서 제공되고 하나의 IC를 공용하기에 별도의 구동칩을 추가할 필요가 없어 원가를 저감한다.
대체 가능한 일 실시예에서, 도 26에 나타낸 바와 같이, 데이터 신호는 구동칩을 통해 데이터 라인으로 발송되고 구동칩은 PMOLED 구동칩(PM IC)이며, 데이터 신호는 시프트 레지스터 회로(예를 들어 GIP회로)를 통해 스캔 라인으로 발송되고 제어 방식이 간단하다.
도 25 및 도 26의 PMIC 및 GIP의 필요 개수는 개략적으로 나타낸 것에 불과하며 이에 한정되지 않는다. PMOLED의 IC를 통해 스캔 신호 및 데이터 신호를 발생하고, 발광 소자의 충전 및 방전 시 전류를 계산하여 스위치 소자의 폭 대비 길이 비율 및 전압을 확정해야 하며, 전압의 설정은 구체적으로 IC 출력 능력 및 시뮬레이션을 통해 확정된다. 스위치 소자가 P형 구동 TFT일 경우, 스캔 신호는 저전압 구동이고 스캔 신호 및 데이터 신호의 파형은 도 27a에 나타낸 바와 같으며, 스위치 소자가 N형 구동 TFT일 경우, 스캔 신호는 고접압 구동이고 스캔 신호 및 데이터 신호의 파형은 도 27b에 나타낸 바와 같다.
본 발명의 실시예는 상술한 실시예에 따른 어느 한 디스플레이 스크린을 구동하기 위한 방법을 더 제공하고, 디스플레이 스크린은 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하며, 다시 말해서 디스플레이 스크린은 적어도 두개의 스크린을 포함하는 복합 스크린이고 도 28에 나타낸 바와 같이 이하의 단계 S271-S273을 포함한다.
단계 S271: 제1 표시 영역 내의 스캔 라인에 제1 스캔 신호를 발송하여 스캔 라인이 일행의 픽셀 회로가 동시에 도통되도록 제어한다.
단계 S272: 제1 표시 영역 내의 데이터 라인에 제1 데이터 신호를 발송하여 픽셀 회로 도통 시, 데이터 라인은 제1 전극에 구동 전류를 제공하여 서브픽셀의 발광을 제어한다.
단계 S273: 제2 표시 영역 내의 스캔 라인에 제2 스캔 신호를 발송하고 제2 표시 영역 내의 데이터 라인에 제2 데이터 신호를 발송하며 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호가 동기화된다. 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역에서 상응한 내용이 표시되는 것을 확보하기 위해, 동기화 신호를 통해 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구동하여 표시하도록 하고, 다시 말해서 동일한 시각의 트리거링 신호를 통해 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역의 스캔 과정을 개시하며, 제1 스캔 신호의 주파수 및 제2 스캔 신호의 주파수는 서로 다를 수 있고, 제1 스캔 신호의 주파수가 제2 스캔 신호의 주파수의 정수배, 또는 제2 스캔 신호의 주파수가 제1 스캔 신호의 주파수의 정수배인 것이 바람직하다. 이와 같이 동일한 시각에 스캔 신호를 트리거링할 수 있어, 화면의 동기화 표시에 유리하다.
선택 가능한 일 실시예에서 제1 스캔 신호 및 제1 데이터 신호는 제1 구동칩을 통해 발송되고 제2 스캔 신호 및 제2 데이터 신호는 제2 구동칩을 통해 발송되며 제1 구동칩은 PMOLED 구동칩이다. 제2 구동칩은 제2 표시 영역 내의 패널 유형에 따라 확정되고, 제2 표시 영역 내의 패널이 AMOLED일 경우, 제2 구동칩은 AMOLED 구동칩이고, 제2 표시 영역 내의 패널이 PMOLED일 경우, 제2 구동칩은 PMOLED 구동칩이다.
선택 가능한 일 실싱예에서 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역 내의 패널 유형에 따라 전용 구동칩을 설치할 수 있고, 이와 같이 제1 스캔 신호, 제1 데이터 신호, 제2 스캔 신호, 제2 데이터 신호는 동일한 구동칩을 통해 발송될 수 있다. 상기 전용칩 내부에서 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호의 동기화를 실현한다.
대체 가능한 일 실시예에서, 제2 표시 영역이 AMOLED디스플레이 패널일 경우, 제2 표시 영역 내의 스캔 라인에 제2 스캔 신호를 발송하고 제2 표시 영역 내의 데이터 라인에 제2 데이터 신호를 발송하며, 구체적으로, 제2 표시 영역 내의 스캔 라인에 제2 스캔 신호를 발송하고 제2 표시 영역 내의 데이터 라인에 제2 데이터 신호를 발송하여 전원선의 전류가 구동 트랜지스터를 통해 대응되는 서브픽셀에 입력되는 것을 제어하여 대응되는 서브픽셀의 발광을 제어한다. 이를 통해 복합 스크린를 각각 제어한다.
대체 가능한 다른 실시 형태로서, 복합 스크린의 수량이 3개 또는 3개 이상일 경우, 각각의 독립적인 표시 영역을 단독으로 구동하거나 동기화 신호를 통해 동기화 표시되도록 구동하는 방식으로 제어할 수 있다. 상기 방식도 본 발명의 구상의 보호 범위 내에 속한다.
그 외, 제1 표시 영역의 면적이 제2 표시 영역의 표시 면적보다 훨씬 작을 경우, 제2 표시 영역의 스캔 방식은 도 25 및 도 26에 나타낸 위로부터 아래로 또는 아래로부터 위로 진행되는 스캔 방식에 한정되지 않고, 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역의 표시 동기화에 편이하기 위해 제2 표시 영역의 스캔 시작 위치는 제2 표시 영역의 중부 위치일 수도 있으며, 양단을 향해 순차적으로 스캔한다.
도면에 결부하여 본 발명의 실시예에 대해 설명하였고, 본 발명의 기술분야에 속하는 작업자들은 본 발명의 사상 및 범위를 초과하지 않는 한 본 발명에 대해 다양한 수정 및 변형이 가능하며 이러한 수정 및 변형은 모두 특허 청구 범위를 통해 한정하는 범위 내에 속한다.
1: 기판
2: 픽셀 회로
2a: 제1 단 2b: 제2 단
2c: 제어단
21: 소스 전극 22: 드레인 전극
23: 그리드 전극 24: 그리드 전극 절연층
25: 액티브층 26: 층간 절연층
27: 평탄화층 28: 차폐층
3: 제1 전극 4: 픽셀 제한층
5: 발광 구조층 6: 제2 전극
7: 스캔 라인 8: 데이터 라인
161: 제1 표시 영역 162: 제2 표시 영역
810: 디바이스 본체 812: 소자 영역
820: 디스플레이 스크린 930: 카메라
D1: 제1 영역 D2: 제2 영역
31: 제1 개구 32: 제2 개구
41: 제1 발광층 42: 제2 발광층
P1(P2/P7): 제1 픽셀 유닛 P3(P4): 제3 픽셀 유닛
P8: 제2 픽셀 유닛

Claims (20)

  1. 픽셀 회로가 마련되어 있는 기판,
    복수의 제1 개구를 구비하는 픽셀 제한층,
    복수의 상기 제1 개구 내에 마련되어, 복수의 서브픽셀 행 및 복수의 서브픽셀 열을 형성하고, 서로 인접하는 서브픽셀 행에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되거나 또는 서로 인접하는 서브픽셀 열에서 각 서브픽셀이 어긋나게 배열되는 복수의 서브픽셀을 형성하는 발광 구조층,
    상기 픽셀 회로에 마련되어 있고 상기 픽셀 회로와 일대일로 대응되고, 상기 서브픽셀에 일대일로 대응되는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층,
    상기 발광 구조층 상부에 마련되고 면전극인 제2 전극, 및
    모두 상기 픽셀 회로에 연결되고, 상기 픽셀 회로에 전압을 제공하여 상기 픽셀 회로의 도통/차단을 제어하기 위한 스캔 라인 및 상기 픽셀 회로 도통 시, 구동 전류를 직접 상기 제1 전극에 제공하여 상기 서브픽셀의 발광을 제어하기 위한 데이터 라인을 포함하고,
    복수의 상기 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장되고, 복수의 상기 데이터 라인은 제1 방향에 서로 교차되는 제2 방향을 따라 연장되며,
    연장 방향에서의 상기 스캔 라인의 두 변은 모두 그 파봉이 대향하여 마련되고, 파곡이 대향하여 마련되는 웨이브 형상이거나 또는
    연장 방향에서의 상기 데이터 라인의 두 변은 모두 그 파봉이 대향하여 마련되고, 파곡이 대향하여 마련되는 웨이브 형상인, 디스플레이 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 서브픽셀의 제1 전극 및 상기 데이터 라인은 동일층에 마련되고, 상기 제1 전극 및 상기 데이터 라인은 동일한 프로세스 단계에서 형성되며, 상기 데이터 라인은 대응되는 제1 전극 사이에 감김 설치되고, 상기 데이터 라인의 변과 상기 제1 전극의 변이 평행되지 않거나, 또는
    상기 데이터 라인은 상기 제1 전극의 하부에 마련되고, 상기 기판상에서의 상기 데이터 라인의 투영은 제1 투영이며, 상기 기판에서의 상기 서브픽셀의 발광 구조층의 투영은 제2 투영이고, 각 상기 제1 투영은 모두 복수의 상기 제2 투영을 관통하는, 디스플레이 패널.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀 회로는 하나의 스위치 소자만을 포함하고, 상기 스위치 소자는 상기 데이터 라인이 연결되는 제1 단, 상기 제1 전극이 연결되는 제2 단 및 상기 스캔 라인이 연결되는 제어단을 포함하는, 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이며, 상기 스위치 소자는 구동 박막 트랜지스터이고 상기 제1 단은 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극이며, 상기 제2 단은 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극이고, 상기 제어단은 상기 구동 박막 트랜지스터의 그리드 전극이며, 상기 구동 박막 트랜지스터는 탑 게이트 구조 또는 바텀 게이트 구조이고,
    상기 제1 전극, 제2 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인 중의 하나 또는 복수는 투명 전도성 재료로 제조되고,
    상기 그리드 전극 재료가 투명 전도성 재료일 경우, 상기 스캔 라인 및 상기 그리드 전극은 동일한 프로세스 단계에서 형성되거나, 또는
    상기 그리드 전극 재료가 금속 재료일 경우, 상기 스캔 라인은 상기 그리드 전극의 상부 또는 하부에 마련되는, 디스플레이 패널.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    서로 인접한 상기 스캔 라인 사이에는 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제1 간격을 구비하거나 또는
    서로 인접한 상기 데이터 라인 사이에는 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는 제2 간격을 구비하는, 디스플레이 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 스캔 라인의 폭은 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되거나 또는
    상기 데이터 라인의 폭은 연속적으로 변화되거나 또는 비연속적으로 변화되는, 디스플레이 패널.
  14. 삭제
  15. 제6항에 있어서,
    상기 스캔 라인의 파곡의 대향 위치에 상기 스캔 라인과 상기 스위치 소자의 전기적 연결 영역인 스트립 형상의 제1 연결부가 형성되거나 또는
    상기 데이터 라인의 파곡의 대향 위치에 상기 데이터 라인과 상기 스위치 소자의 전기적 연결 영역인 스트립 형상의 제2 연결부가 형성되는, 디스플레이 패널.
  16. 적어도 동적 또는 정적 화면을 표시하기 위한 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하고
    상기 제1 표시 영역의 하부에는 감광 소자가 마련되어 있으며, 제1 항 내지 제2항, 제5항, 제6항, 제12항 내지 제13항 및 제15항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 패널이 설치되어 있고, 상기 제2 표시 영역에 설치되는 디스플레이 패널은 패시브 매트릭스 유기발광 다이오드 디스플레이 패널 또는 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 디스플레이 패널인, 디스플레이 스크린.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 표시 영역의 해상도가 상기 제2 표시 영역의 해상도보다 낮고,
    상기 픽셀 제한층은 상기 제1 표시 영역 내에서 상기 복수의 제1 개구를 제한하고, 상기 제2 표시 영역 내에서 복수의 제1 개구의 면적보다 작은 제2 개구를 제한하며,
    상기 제1 표시 영역 내에 수량과 위치가 상기 제1 개구에 대응되는 제1 서브픽셀이 마련되어 있고, 상기 제2 표시 영역 내에 수량과 위치가 상기 제2 개구에 대응되는 제2 서브픽셀이 마련되어 있으며, 상기 제1 서브픽셀의 발광 구조층과 상기 제2 서브픽셀의 발광 구조층은 동일한 마스크를 적용하여, 동일한 프로세스 단계에서 형성되는, 디스플레이 스크린.
  18. 삭제
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