KR102278459B1 - 중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112018082846911-pat00026
Figure 112018082846911-pat00027

상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법{POLYMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS}
중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 그리고 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료 층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료 층을 식각하는 과정을 포함한다.
근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료 층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 유기막을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
하드마스크 층은 선택적 식각 과정을 통하여 포토레지스트의 미세 패턴을 재료 층으로 전사해주는 중간막으로서 역할을 한다. 　따라서 하드마스크 층은 다중 식각 과정 동안 견딜 수 있도록 내열성 및 내식각성의 특성이 필요하다.
일 구현예는 하드마스크 층에 효과적으로 적용할 수 있는 중합체를 제공한다.
다른 구현예는 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기막 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112018082846911-pat00001
Figure 112018082846911-pat00002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
A는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
L은 단일 결합, O, S, NRa, 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수 중 하나이고,
r은 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
*는 연결지점이다.
상기 B는 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[그룹 Ⅰ]
Figure 112018082846911-pat00003
상기 그룹 Ⅰ에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
X는 N, NRb, O 또는 S이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRc이고,
Rb, Rc 및 R2 내지 R18은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 이민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
*은 연결 지점이다.
상기 B는 하기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[그룹 Ⅰ-1]
Figure 112018082846911-pat00004
상기 그룹 Ⅰ-1에서,
Ar3은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C18 아릴기이고,
*은 연결 지점이다.
예컨대, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 R1 및 B 중 적어도 하나는 히드록시기로 치환된 것일 수 있다.
상기 B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기 또는 치환 또는 비치환된 인돌기일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기는 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환 또는 비치환된 펜타페닐기일 수 있다.
상기 구조단위는 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 것 중 어느 하나일 수 있다.
[그룹 Ⅱ]
Figure 112018082846911-pat00005
상기 그룹 Ⅱ에서, *은 연결 지점이다.
상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 200,000일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 중합체, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
상기 중합체는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 재료 층 위에 상기 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따른 중합체를 유기막 재료로 사용할 경우 내식각성이 우수한 유기막을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로아릴기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴기(aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노사이클릭, 폴리사이클릭 또는 융합된 폴리사이클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 개념이며, 이에 추가하여 아릴기, 사이클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에서 탄소(C) 대신에 N, O, S, P 및 Si에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 피리도인돌일기, 벤조피리도옥사진일기, 벤조피리도티아진일기, 9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘일, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 일 예에서, 헤테로고리기 또는 헤테로아릴기는 이미다졸일기, 티오펜일기, 피리딜기, 피리미디닐기 또는 인돌일기일 수 있다.
본 명세서에서, 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기는 위에서 정의한 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기에서 연결기가 2개 있는 것을 의미하는 것이며, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 크리세닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기, 치환 또는 비치환된 인데닐렌기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 피롤릴렌기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴렌기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일렌기, 치환 또는 비치환된 티아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피라지닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 인돌일렌기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐렌기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일렌기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 페나진일렌기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일렌기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸렌기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
또한 본 명세서에서 "비융합 아릴기"는 적어도 하나의 모노사이클릭 아릴기가 σ-결합으로 연결된 형태를 의미한다.
보다 구체적으로, "비융합 아릴기"는 페닐기가 σ-결합으로 연결된 형태를 의미하며, 본 발명의 일 예에서 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 등일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
이하 일 구현예에 따른 중합체를 설명한다.
일 구현예에 따른 중합체는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 구조단위를 포함한다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112018082846911-pat00006
Figure 112018082846911-pat00007
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
A는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
L은 단일 결합, O, S, NRa, 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수 중 하나이고,
r은 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
*는 연결지점이다.
중합체는 바이닐(vinyl) 주쇄를 포함하는 엇갈린 형태(staggered conformation)의 구조단위를 포함함으로써 높은 탄소 함량에도 불구하고 용매에 대한 용해성을 높여 스핀 코팅과 같은 용액 공정에 효과적으로 적용할 수 있을 뿐만 아니라 탄소 함량이 높기 때문에 후속 식각 공정에서 노출되는 식각 가스에 견딜 수 있는 높은 내식각성을 나타낼 수 있다.
특히, 상기 중합체의 경우 히드록시기(-OH)와 같은 친수성 작용기를 도입하지 않고도 중합체에 포함되는 구조단위의 구조적 특성으로 인해 유기 용매에 대한 용해도를 높일 수 있고 이에 따라 하부 막질과의 친화도가 증가하여 이로부터 제조된 하드마스크 층의 막 평탄성이 향상될 수 있다.
일 예로 상기 B는 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[그룹 Ⅰ]
Figure 112018082846911-pat00008
상기 그룹 Ⅰ에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
X는 N, NRb, O 또는 S이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRc이고,
Rb, Rc 및 R2 내지 R18은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 이민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
*은 연결 지점이다.
예컨대 상기 B는 하기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[그룹 Ⅰ-1]
Figure 112018082846911-pat00009
상기 그룹 Ⅰ-1에서,
Ar3은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C18 아릴기이고,
*은 연결 지점이다.
예컨대, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 R1 및 B 중 적어도 하나는 히드록시기로 치환된 것일 수 있다.
히드록시기와 같은 친수성 작용기가 도입되는 경우 가교도가 개선되며 기판의 종류에 따라 평탄도가 더욱 개선될 수 있다.
일 예로 상기 B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기 또는 치환 또는 비치환된 인돌기일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기는 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환 또는 비치환된 펜타페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 구조단위는 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 것 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
[그룹 Ⅱ]
Figure 112018082846911-pat00010
상기 그룹 Ⅱ에서, *은 연결 지점이다.
한편, 상기 중합체는 UV 노광이 포함된 공정에 적용될 경우 바이닐 주쇄 사이에 photocycloaddition 메커니즘에 의한 분자 간 가교 반응이 유도될 수 있다.
이에 의해 감광성 첨가제 없이도 감광 특성을 나타낼 수 있으며, 감광 특성을 이용하여 막질 영역별 노광량 차이로 인한 막두께 수축률과 내식각성을 조절할 수 있을 뿐만 아니라 후속 포토리소그래피 공정 없이도 자체적인 패턴 형성 기능을 제공할 수 있다.
상기 중합체는 약 1,000 내지 200,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물(예컨대, 하드마스크 조성물)의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상술한 중합체, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
상기 용매는 상기 중합체에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 4-메톡시벤젠 및 테트라하이드로나프탈렌에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 중합체는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 예컨대 약 0.1 내지 50 중량%, 예컨대 약 0.5 내지 40 중량%, 약 1 내지 30 중량%, 또는 약 5 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 중합체가 포함됨으로써 하드마스크의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
상기 유기막 조성물은 추가적으로 계면활성제, 가교제, 열산 발생제, 가소제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 플루오로알킬계 화합물, 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜, 제4암모늄염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가교제는 예컨대 멜라민계, 치환요소계, 또는 이들 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교 형성 치환기를 갖는 가교제로, 예를 들면, 메톡시메틸화 글리코루릴, 부톡시메틸화 글리코루릴, 메톡시메틸화 멜라민, 부톡시메틸화 멜라민, 메톡시메틸화 벤조구아나민, 부톡시메틸화 벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화 티오요소, 또는 부톡시메틸화 티오요소 등의 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 사용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족 고리(예를 들면 벤젠 고리, 나프탈렌 고리)를 가지는 가교 형성 치환기를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 첨가제는 상기 유기막 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 유기막 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 유기막 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화막, 희생막, 충진제 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
이하 상술한 유기막 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 중합체 및 용매를 포함하는 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 유기막 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅 방법으로 도포될 수 있다. 이 때 상기 유기막 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50 내지 200,000Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 유기막 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 700℃에서 약 10초　내지 1시간　동안 수행할 수 있다.
일 예로, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC, SiO 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.
일 예로, 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부 또는 하드마스크 층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 노광 후 약 100 내지 700℃에서 열처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
합성예
합성예 1
플라스크에 증류 장치를 설치 후 4-Ethynylbiphenyl 5g과 촉매인 Azobisisobutyronitrile(이하 AIBN) 1g을 투입 후 Dichlorobenzene 18g를 투입한 후 교반하여 용해시켰다. 100℃로 가열하여 24시간 동안 반응시킨 후 20℃로 냉각시킨다. Tetrahydrofuran 10g을 반응액에 투입하여 묽힌 용액을 n-Hexane/Isopropylalcohol 혼합 용액(7/3) 1L에 적하했다. 침전된 화합물을 필터하여 n-Hexane으로 세척 후 진공 건조시킨 후 하기 화학식 1a로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw)은 1,500이었다.
[화학식 1a]
Figure 112018082846911-pat00011
합성예 2
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 4-Ethynyl-[1,1'-biphenyl]-4-ol 5.5g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1b로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체을 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중량평균분자량은 2,000이었다.
[화학식 1b]
Figure 112018082846911-pat00012
합성예 3
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 2-Ethynyl-naphthalene 4.3g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1c로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량은 1,300이었다.
[화학식 1c]
Figure 112018082846911-pat00013
합성예 4
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 1-Ethynyl-4-phenoxybenzene 5.5g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1d로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량은 1,500이었다.
[화학식 1d]
Figure 112018082846911-pat00014
합성예 5
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 4'-(2-Propyn-1-yloxy)[1,1'-biphenyl]-4-ol 6.3g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1e로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량은 1,500이었다.
[화학식 1e]
Figure 112018082846911-pat00015
합성예 6
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 3-(2-ethynyl-6-quinolinyl)-phenol 6.9g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1f로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량은 1,500이었다.
[화학식 1f]
Figure 112018082846911-pat00016
합성예 7
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 1-Ethynyl-4-(2-phenylethenyl)benzene 5.7g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 1g로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량은 1,500이었다.
[화학식 1g]
Figure 112018082846911-pat00017
합성예 8
질소 가스를 충진한 플라스크에 증류 장치를 설치 후 2-Methyl-4-(naphthalen-2-yl)but-3-yn-2-ol(Rieke Metals NCS Brand 製) 5g과 촉매인 WCl6를 0.5g 투입 후 Dichlorobenzene 18g를 투입한 후 교반하여 용해시켰다. 40℃로 가열하여 6시간 동안 반응시킨 후 20℃로 냉각시킨다. Tetrahydrofuran 10g을 반응액에 투입하여 묽힌 용액을 Methanol 2L에 침전시켰다. 침전된 화합물을 필터하여 n-Hexane으로 세척 후 진공 건조시킨 후 하기 화학식 1h로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다. 화합물은 GPC를 통해 중량평균분자량이 3,000임을 확인하였다.
[화학식 1h]
Figure 112018082846911-pat00018
비교합성예 1
합성예 1의 4-Ethynylbiphenyl 5g 대신 Hydroxystyrene 5.5g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 Y1로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중량평균분자량은 3,800이었다.
[화학식 Y1]
Figure 112018082846911-pat00019
비교합성예 2
비교합성예 1의 Hydroxystyrene 5.5g 대신 4-Vinylbiphenyl 7g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 Y2로 표시되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제조하였다.
겔 투과 크로마토그래피를 사용하여 얻어진 중량평균분자량은 4,500이었다.
[화학식 Y2]
Figure 112018082846911-pat00020
유기막의 형성
실시예 1 내지 8, 비교예 1 및 2
상기 합성예 1 내지 8, 비교합성예 1 및 2에서 얻어진 각각의 중합체를 1 g씩 계량하여 propylene glycol monomethyl ether acetate(PGMEA) 10g에 녹이고, 24시간 교반한 후, 0.1㎛의 필터로 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다. 상기 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀-코팅 방법으로 도포하고 대기 下 2분간 350℃로 가열하여 박막을 형성하였다.
평가
평가 1: 내식각성
실시예 1 내지 8, 비교예 1 및 2에 따른 유기막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 유기막에 CFx/Ar/O2혼합 가스를 사용하여 50초 동안 건식 식각한 후 유기막의 두께를 다시 측정하였다.
건식 식각 전후의 유기막의 두께 차이와 식각 시간으로부터 하기 계산식 1에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하고, 하기 표 2의 기준에 따라 등급을 표 1에 기재하였다.
[계산식 1]
식각율(Å/s)=(초기 유기막 두께 - 식각 후 유기막 두께)/식각 시간
　 CFx/Ar/O2 etch rate(Å/s)
실시예 1 B
실시예 2 B
실시예 3 A
실시예 4 B
실시예 5 B
실시예 6 A
실시예 7 A
실시예 8 A
비교예 1 C
비교예 2 C
등급 내식각성 평가 기준
A etch rate < 25Å/s
B 25Å/s ≤ etch rate ≤ 30Å/s
C etch rate > 30Å/s
표 1 및 2를 참고하면, 실시예 1 내지 8에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 및 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있어서 벌크 에치 특성이 향상됨을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 그리고 용매를 포함하고,
    상기 중합체는 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 내지 50 중량%로 포함되며,
    상기 용매는 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 4-메톡시벤젠 및 테트라하이드로나프탈렌에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 하드마스크 조성물:
    [화학식 1] [화학식 2]
    Figure 112020121906498-pat00021
    Figure 112020121906498-pat00022

    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    A는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
    L은 단일 결합, O, S, NRa, 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
    Ra 및 R1은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수 중 하나이고,
    r은 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
    *는 연결지점이다.
  2. 제1항에서,
    상기 B는 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시되는 것인, 하드마스크 조성물:
    [그룹 Ⅰ]
    Figure 112020121906498-pat00023

    상기 그룹 Ⅰ에서,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기이고,
    Ar2는 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
    X는 N, NRb, O 또는 S이고,
    Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRc이고,
    Rb, Rc 및 R2 내지 R18은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 이민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
    *은 연결 지점이다.
  3. 제1항에서,
    상기 B는 하기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시되는 것인, 하드마스크 조성물:
    [그룹 Ⅰ-1]
    Figure 112021031477649-pat00024

    상기 그룹 Ⅰ-1에서,
    Ar3은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C18 아릴기이고,
    *은 연결 지점이다.
  4. 제1항에서,
    상기 R1 및 B 중 적어도 하나는 히드록시기로 치환된 것인 하드마스크 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 B는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기 또는 치환 또는 비치환된 인돌기인 하드마스크 조성물.
  6. 제5항에서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 비융합 아릴기는 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환 또는 비치환된 펜타페닐기인 하드마스크 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 구조단위는 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 것 중 어느 하나인 하드마스크 조성물:
    [그룹 Ⅱ]
    Figure 112020121906498-pat00025

    상기 그룹 Ⅱ에서, *은 연결 지점이다.
  8. 제1항에서,
    상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 200,000인 하드마스크 조성물.
  9. 삭제
  10. 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
    상기 재료 층 위에 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 하드마스크 조성물을 적용하는 단계,
    상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
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Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54112986A (en) * 1978-02-23 1979-09-04 Toshinobu Higashimura Production of naphthyl acetylenic polymer
US4767797A (en) * 1983-06-20 1988-08-30 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Photocurable compositions of poly(ethynylphenyl)acetylene, its copolymer and composition thereof
JPS6063212A (ja) * 1983-09-19 1985-04-11 Mitsubishi Chem Ind Ltd アセチレン重合体
JPS60124370A (ja) * 1983-12-08 1985-07-03 Mitsubishi Chem Ind Ltd 二次電池
JPS60187304A (ja) * 1984-03-05 1985-09-24 Mitsubishi Chem Ind Ltd 分離膜
JPH03261953A (ja) * 1990-03-13 1991-11-21 Fujitsu Ltd 微細パターンの形成方法
JPH05175667A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Sekisui Chem Co Ltd 積層配線基板の製造方法
JP3116751B2 (ja) * 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2003137932A (ja) * 2001-11-01 2003-05-14 Nichia Chem Ind Ltd 芳香族環を側鎖に有するポリアセチレンおよびそれを用いた有機電界発光素子
JP2003142266A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd 発光素子
US6852474B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-08 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
JP4157944B2 (ja) * 2002-08-15 2008-10-01 独立行政法人産業技術総合研究所 ポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物、その製造方法及びそれを有する導電用材料
JP4292765B2 (ja) * 2002-08-22 2009-07-08 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂前駆体組成物およびそれを用いた半導体用電子部品ならびに有機電界発光素子用表示装置
JP4708729B2 (ja) * 2004-05-07 2011-06-22 昌祥 田畑 分子吸着材、その製造方法及びガス貯蔵装置
JP5317070B2 (ja) * 2005-09-02 2013-10-16 独立行政法人産業技術総合研究所 自己組織化ポリマー膜の可逆的制御方法、これに用いられる自己組織化ポリマー膜及びポリマー膜材
JP4072573B2 (ja) * 2005-11-25 2008-04-09 積水化学工業株式会社 調光材料及び調光フィルム
JP2008129516A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Sekisui Chem Co Ltd 調光体
JP2009079195A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Fujifilm Corp 層間絶縁膜用組成物
JP5609142B2 (ja) * 2010-02-19 2014-10-22 住友ベークライト株式会社 絶縁膜、積層体、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5576159B2 (ja) * 2010-03-19 2014-08-20 株式会社クラレ 水素吸着材、吸蔵材および水素吸蔵方法
WO2013168601A1 (ja) * 2012-05-11 2013-11-14 国立大学法人 金沢大学 不斉選択性の切り替えが可能なクロマトグラフィー用充填剤
JP6361657B2 (ja) * 2013-06-24 2018-07-25 Jsr株式会社 膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法
TWI541611B (zh) * 2013-06-26 2016-07-11 第一毛織股份有限公司 用於硬罩幕組合物的單體、包括該單體的硬罩幕組合物及使用該硬罩幕組合物形成圖案的方法
JP6248865B2 (ja) * 2014-08-25 2017-12-20 Jsr株式会社 膜形成用組成物、膜、パターンが形成された基板の製造方法及び化合物
KR101862711B1 (ko) * 2015-05-29 2018-05-30 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101895908B1 (ko) * 2015-06-10 2018-10-24 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
JP6625934B2 (ja) * 2015-07-14 2019-12-25 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及び化合物
KR101962419B1 (ko) * 2016-01-20 2019-03-26 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
JP6697416B2 (ja) * 2016-07-07 2020-05-20 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物
JP7029070B2 (ja) * 2016-10-20 2022-03-03 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
KR101994365B1 (ko) * 2016-11-15 2019-06-28 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법
JP7107553B2 (ja) * 2018-05-30 2022-07-27 学校法人神奈川大学 高分子化合物、高分子化合物の製造方法、及び、その利用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
비특허1: Journal of Industrial and Engineering Chemistry 55 (2017)*

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