KR102009963B1 - 열선 차폐성 점착제 조성물, 열선 차폐성 투명 점착 시트 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

[과제] 유리창 등에 접착하여 이용되어 열선을 차폐하는 열선 차폐성 점착제, 열선 차폐성 투명 점착 시트 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 가시광 영역에서 투과율이 높고 헤이즈가 낮으며 투명성에 의해 한층 우수한 열선 차폐성 투명 점착 시트를 제공한다. [해결수단] X선 회절 패턴에 의해 얻어지는 제 1 주 피크의 반값 폭이 0.01°이상 0.8°이하인 열선 차폐성 미립자를 포함하는 열선 차폐성 점착제 조성물을 이용하는 것에 의해 투명성 및 열선 차폐성 부여를 간소화할 수 있고, 열선 차폐성 투명 점착 시트를 염가로 제공할 수 있다.

Description

열선 차폐성 점착제 조성물, 열선 차폐성 투명 점착 시트 및 그의 제조 방법{HEAT RAY SHIELDING ADHESIVE COMPOSITION, HEAT RAY SHIELDING TRANSPARENT ADHESIVE SHEET, AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 유리창 등에 접착하여 이용되어 열선을 차폐하는 것과 동시에 투명성이 뛰어난 저헤이즈성 열선 차폐성 점착제 조성물, 열선 차폐성 투명 점착 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
건물의 창, 차량의 창 또는 냉장, 냉동 쇼케이스의 창 등에서 더위의 경감, 에너지 절약화 등을 도모하기 위하여, 이러한 창에 열선(적외선)을 반사 또는 흡수하는 성능을 부여하는 것이 요구되고 있고, 그 한 방법으로서 투명한 열선 차폐성 점착 시트를 각 창에 접착하는 방법이 있다.
종래의 투명성이 높은 열선 차폐성 점착 시트를 제작하는 방법으로서 유전체의 다층 박막 또는 금속막 또는 투명 도전막의 박막을 스퍼터링, 증착 등의 방법을 이용하여 투명 시트 상에 열선 차폐층으로 성막하고 추가로 점착제를 도포하는 방법이 채용되고 있다.
또한 특허 문헌 1에는 투명 필름 기체의 일면 상에 안티몬 함유 산화 주석 미립자 또는 주석 도프 산화 인듐 미립자를 함유하는 하드 코트층을 형성하고, 다른 일면 상에 점착제층, 박리층을 순차로 적층한 적층 구조의 막을 형성하여 이 하드 코트층이 열선 차폐층을 겸비하는 열선 차폐막 부착 투명 필름이 제안되고 있다. 그러나 이러한 방법에서는 열선 차폐성의 점착 시트를 제작하는 경우, 2회 이상의 다른 성막 공정이 필요하다는 문제점이 있고, 보다 간편하게 열선 차폐성 투명 시트를 제조하는 방법이 요구되어 시트측이 아닌 점착제에 열선 차폐성을 부여하는 방법이 나타났다.
예컨대, 특허 문헌 2에서 점착제에 광학적 선택 흡수 특성을 갖는 물질을 첨가하여 염가로 광학적 선택 흡수 특성을 갖는 점착 필름을 제조하는 아이디어가 개시되고 있지만, 구체적인 제조 방법, 점착제의 배합 등은 전혀 기재되지 않았다.
한편, 특허 문헌 3에서 소수성 안티몬 함유 산화 주석과 바인더 수지를 이용하여 가시광에 대해서는 투명하고 열선만을 차폐하는 코팅제가 개시되고 있고, 또한 특허 문헌 4에서 하드 코트층 또는 점착제층에 열선 차폐성 미립자를 함유시켜 가시광에 대해서는 투명하고 열선만을 차폐하는 점착 시트가 개시되고 있다.
그러나 이 점착 시트의 경우 열선 차폐층, 점착제층, 하드 코트층을 갖는 3층 구조로 되어 제조 공정의 간소화 과제를 해결할 수 없다는 문제점이 있었다.
또한 특허 문헌 5에서 점착제에 열선 차폐성 미립자를 분산시키는 것에 의해 투명성 및 열선 차폐성의 부여를 간소화시키는 것, 열선 차폐성 점착제, 그 제조방법 및 열선 차폐성 투명 시트가 개시되고 있다. 그러나 열선 차폐성 투명 시트의 경우, 가시광 영역에 있어서 투명성, 헤이즈가 불충분하고, 가시광 영역에서 투과율, 헤이즈 및 열선 차폐성의 새로운 개선이 요구되고 있다.
선행기술문헌
특허문헌 1: 특개평 8-281860호
특허문헌 2: 특공소 57-10913호
특허문헌 3: 특개평 7-257922호
특허문헌 4: 특원평 7-85762호
특허문헌 5: 특원평 10-8010호
본 발명은 건물의 창, 차량의 창 또는 냉장, 냉동 쇼케이스의 유리창 등에 접착하여 이용되는 열선 차폐성 점착제 및 열선 차폐성 투명 점착 시트에 관한 것으로, 종래의 점착제 및 시트에서의 과제인 가시광 영역에 있어서의 투명율, 헤이즈, 열선 차폐성을 대폭적으로 개선하는 것이다.
본 발명자 등은 가시광 영역에 있어서의 투과율, 헤이즈가 대폭 개선된 열선 차폐성 투명 점착 시트를 얻기 위하여 예의 검토한 결과, 열선 차폐성 미립자의 X선 회절 패턴(Xray　Diffraction Pattern, XRD 패턴)에 의해서 얻어지는 제 1 주 피크의 반값 폭이나 일차 입자 직경, 비표면적을 제어하는 것에 의해 점착제에 분산시킨 상태로 가시광 영역에서의 투과율, 헤이즈가 대폭 개선된 열선 차폐성 투명 점착 시트를 얻을 수 있는 것을 밝혀내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은
(1) X선 회절 패턴에 의해 얻어지는 제 1 주 피크의 반값 폭이 0.01°이상 0.80°이하인 열선 차폐성 미립자를 포함하는 열선 차폐성 점착제 조성물,
(2) 상기 열선 차폐성 미립자의 일차 입자의 직경이 1~100ｎｍ이고, 일차 입자의 ＢＥＴ법에 의해 산출되는 비표면적이 5~200ｍ２／ｇ인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물,
(3) 상기 열선 차폐성 미립자가 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연 중 어느 것인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물,
(4) (A) (1)~(3) 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐성 미립자, (B) 아크릴계 공중합체, (C) 분산제를 필수 성분으로 하는 열선 차폐성 점착제 조성물,
(5) 상기 아크릴계 공중합체가 카르복시기 또는 산무수물 함유 모노머 구조 단위를 폴리머 중의 전체 모노머 구조 단위에 대하여 1~5% 함유하는 것을 특징으로 하는 (4)에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물,
(6) 상기 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량이 10만~120만인 것을 특징으로 하는 (5)에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물,
(7) (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물을 적어도 용매 중에 용해, 분산하여 이루어지는 바니시 조성물,
(8) (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물 또는 제7항에 기재된 바니시 조성물을 도포하여 이루어지는 열선 차폐성 투명 점착 시트,
(9) 가시광 투과율이 ５0％ 이상, 일사 투과율이 80% 이하, 헤이즈가 8% 이하인 것을 특징으로 하는 (8)에 기재된 열선 차폐성 투명 점착 시트,
(10) 열선 차폐성 미립자와 분산제를 함유하는 열선 차폐성 미립자의 분산액과 아크릴계 공중합체를 함유하는 점착제를 혼합시키는 공정을 포함하는 열선 차폐성 점착제 조성물의 제조방법,
에 관련된다.
본 발명의 열선 차폐성 점착제 조성물 및 그 점착제 조성물을 유리 상에 도공한 열선 차폐성 투명 점착 시트는 근적외선으로부터 원적외선까지 넓은 영역에서 양호한 흡수 특성을 갖고, 투명성이 뛰어나며 저헤이즈성인 열선 차폐 성능을 효과적으로 대폭 향상시킬 수 있어 동절기 난방비 저감 효과 및 하절기 온도 저감 효과를 모두 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 열선 차폐성 점착제 조성물의 제조 방법에 따라 미리 중합화한 점착제에 열선 차폐성 미립자와 분산제를 함유하는 열선 차폐성 미립자의 분산액을 혼합시키고, 그 점착제 조성물 중에서 열선 차폐성 미립자의 분산성이 좋고, 헤이즈값이 낮으며, 높은 투명성의 점착제를 제조할 수 있고, 이러한 특성을 유지하면서 열선 차폐성을 부여시킬 수 있다. 그 결과, 그 점착제 조성물을 유리 상에 도포하는 것에 의해 열선 차폐층과 점착층을 별층화 하는 일 없이 열선 차폐성 투명 점착 시트를 제작할 수 있다. 이러한 열선 차폐성 투명 점착 시트의 제조 공정을 채용하는 것에 의해 점착제층과 열차단층을 별층화 하는 일 없이 제조 공정을 간략화할 수 있어 염가로 차열성이 높은 열선 차폐성 투명 점착 시트를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 있어서 실시예 및 비교예의 열선 차폐 점착 필름의 분광 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명에 있어서 실시예 및 비교예의 열선 차폐 점착 필름의 분광 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 열선 차폐 점착 필름 및 열차단성 투명 점착 시트를 나타내는 도면이다.
본 발명의 열선 차폐성 점착제 조성물에 이용하는 열선 차폐성 미립자는 가시광의 흡수가 없고, 근적외부로부터 원적외부에 걸쳐 양호한 흡수 또는 산란 특성을 갖는 것이 적합하다. 그러한 예로서는 근적외역에 플라스마 파장을 갖는 전기 전도성의 금속 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연, 산화 텅스텐, 산화 크롬, 산화 몰리브덴 등을 예시할 수 있다. 이 중, 가시광 영역에서 광흡수성이 없는 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연이 매우 적합하다.
또한 이러한 산화물의 전기 도전성을 향상시키기 위해서 제 3 성분을 도프 하는 것은 매우 바람직하다. 이를 위한 도펀트로서는 산화 주석에 대해서는 Sb, V, Nb, Ta 등이 선택되고, 산화 인듐에 대해서는 Zn, Al, Sn, Sb, Ga, Ge 등이 선택되며, 산화 아연에 대해서는 Al, Ga, ln, Sn, Sb, Nb 등이 선택된다.
본 발명에서 이용하는 열선 차폐성 미립자는 하기와 같이 하여 얻어지는 직경이 1~100nm의 일차 입자를 유기 용매 중에 분산 에너지를 더해 분산시켜 얻을 수 있다. 이 미립자의 제법은 1~100nm인 것을 얻을 수 있으면 특별한 제한은 없고, 기상 합성법, 액층 합성법 등의 공지 방법에 의해 얻을 수 있다. 예컨대 산화 인듐 미립자에 대해서는 특개평 6-227815호에 개시되어 있는 방법이 좋다. 즉, 특정 미립자 원소를 포함하는 염의 수용액을 알칼리에 의해 중화하고 얻어지는 침전물을 여과, 세정하여 고온으로 가열 처리하는 것에 의해 열선 차폐성 미립자를 얻는 방법이다. 또한 산화 주석 미립자, 산화 아연 미립자의 제법에 대해서는 각각 특개평 2-105875호, 특개평 6-234522호에 개시되어 있다. 또한 상기 성능을 만족하면 시판되는 것도 상관없다. 아울러 입경은 BET법으로 측정된 비표면적으로부터 산출된 것이다.
일차 입자를 유기 용매에 분산하는 방법으로서는 종래의 방법을 이용할 수 있다. 즉, 일차 입자와 유기 용제를 소정 비율로 혼합하고 필요에 따라 분산제, 계면활성제 등을 첨가하여 샌드 밀. 아트라이터, 볼 밀, 호모지나이저, 롤 밀 등의 분산 장치를 이용하여 분산할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 열선 차열성 미립자는 XRD 패턴에 의해 얻어지는 제 1 주 피크의 반값 폭이 0.01~0.8°이다. 반값 폭이 0.01°이하이면 일차 입자 직경이 커지기 때문에 투명성을 확보하는 것이 어렵다. 또한 반값 폭이 0.8°을 초과하면 충분한 차열성을 발현하는 것이 어렵다. 또한 상기 열선차열성 미립자는 반값 폭의 바람직한 하한이 0.1°, 바람직한 상한이 0.8°, 보다 바람직한 하한이 0.2°, 보다 바람직한 상한이 0.5°이다.
반값 폭이 0.01~0.8°인 열선차열성 미립자는 일차 입자를 분산할 때 주속, 비즈 입경, 비즈 충전율, 분산 시간 등의 분산 조건을 제어하는 것에 의해 얻을 수 있다. 주속은 바람직하게는 1~13m/s이며, 보다 바람직하게는 2~12m/s이다. 또한 비즈 입경은 바람직하게는 1000~15μm이며, 보다 바람직하게는 600~30μ／s이다. 또한 비즈 충전율은 바람직하게는 10~90%이며, 보다 바람직하게는 20~85%이다. 분산 시간은 바람직하게는 1~240분이며, 보다 바람직하게는 5~120분이다.
본 발명에서 이용되는 열선 차폐 미립자의 일차 입자는 BELSORP-miniII(일본 벨 주식회사)를 이용하여 BET법(비표면적 측정법)으로 측정한 비표면적이 5~200m2/g인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~150m2/g이며, 특히 바람직하게는 10~100m2/g이다. BET법에 의한 비표면적이 5m2/g보다 작은 것은 일차 입자 직경이 크기 때문에 시트나 필름, 도료, 수지 조성물로 만들 경우 완성 표면의 평활성이 발휘되지 않을 우려가 있다. 또한 투명성을 기대할 수 없는 등의 단점이 생길 우려가 있다. 한편, BET법에 의한 비표면적이 200m2/g 보다 큰 것은 제조에 특수 기술이 필요하고 충분한 결정화도를 얻지 못하며, 열선 차폐 특성이 손상될 우려가 있다. 아울러 BET법은 분체 입자 표면에 크기를 아는 분자나 이온을 흡착시키고 그 양으로부터 시료의 비표면적을 측정하는 방법이다.
열선 차폐성 점착제를 도공한 열선 차폐성 투명 점착 시트는 유리창에 붙여 태양광에 포함되는 파장 중 열선 성분을 차단하는 목적으로 사용하기 때문에 내후성이 좋은 것이 제일 조건이다. 따라서 이 실시 형태에 이용하는 점착성 수지는 내후성이 좋은 아크릴계 공중합체의 점착성 수지인 것이 바람직하다. 아크릴계 공중합체는 통상 호모폴리머로 만들 경우 유리 전이점이 낮은 폴리머를 제공하는 주모노머와 유리 전이점이 높은 폴리머를 제공하는 코모노머를 공중합하는 것에 의해 만들 수 있다.
상기 아크릴계 공중합체의 주성분이 되는 모노머는 폴리머로 만들 경우 유리 전이점이 낮은 폴리머를 제공하는 알킬기의 탄소수가 2 내지 14의 아크릴산알킬에스테르 또는 알킬기의 탄소수가 4 내지 16의 메타아크릴산알킬에스테르 및 폴리머로 만들 경우 유리 전이점이 그 보다 높은 폴리머를 제공하여 그들과 공중합 가능한 모노머가 사용된다.
유리 전이점이 낮은 폴리머를 제공하는 아크릴산알킬에스테르 모노머로서는 아크릴산에틸, 아크릴산n-프로필, 아크릴산이소프로필, 아크릴산메톡시에틸, 아크틸산n-부틸, 아크릴산이소부틸, 아크릴산세컨더리부틸, 아크릴산2-에틸헥실, 아크릴산n-옥틸, 아크릴산이소옥틸, 아크릴산이소노닐, 아크릴산이소스테아릴 등을 예시할 수 있다.
또한 유리 전이점이 낮은 폴리머를 제공하는 메타아크릴산알킬에스테르 모노머는 메타크릴산2-에틸헥실, 메타크릴산n-옥틸, 메타크릴산n-라우릴 등을 사용할 수 있다.
또한 공중합 가능 모노머로서는 초산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아마이드, 스티렌, 메타아크릴산메틸, 아크릴산메틸 등을 사용할 수 있다.
상기 모노머 이외에 필요한 점착 성능을 얻기 위해서 관능기 함유 모노머로서 (메타)아크릴산, 이타콘산, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 아크릴아마이드, 메틸올아크릴아마이드, 디메틸아크릴아미드, 글리시딜메타아크릴레이트, 무수 말레인산 등도 사용된다.
분산제로서는 지방산염(비누), α-술포지방산에스테르염(MES), 알킬벤젠술폰산염(ABS), 직쇄알킬벤젠술폰산염(LAS), 알킬황산염(AS), 알킬에테르황산에스테르염(AES), 알킬황산트리에탄올의 저분자 음이온성(앤아이온성) 화합물, 지방산에탄올아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르(AE), 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르(APE), 소르비톨, 소르비탄의 저분자 비이온계 화합물, 알킬트리메틸암모늄염, 디알킬디메틸암모늄클로라이드, 알킬피리듐클로라이드의 저분자 양이온성(카타이온성) 화합물, 알킬카르복시베타인, 술포베타인, 레시틴의 저분자 양성계 화합물이나, 나프탈렌술폰산염의 포르말린 축합물, 폴리스티렌 술폰산염, 폴리아크릴산염, 비닐 화합물과 카르복시계 단량체의 공중합체염, 카복시메틸셀룰로오스, 폴리비닐알코올 등으로 대표되는 고분자 수계 분산제, 폴리아크릴산부분알킬에스테르, 폴리알킬렌폴리아민의 고분자비수계 분산제, 폴리에틸렌이민, 아미노알킬메타크릴레이트 공중합체의 고분자 양이온계 분산제가 대표적인 것이지만, 본 발명의 입자에 매우 적합하게 적용되는 것이면 여기에 예시한 형태 이외의 구조를 갖는 것을 배제하지 않는다. 또한 분산제로서 구체적으로는 하기와 같은 것을 사용할 수 있다. 플로렌ＤＯＰＡ－１５Ｂ, 플로렌ＤＯＰＡ－１７(공영사화학주식회사제), 솔프라스ＡＸ５, 솔프라스ＴＸ５, 솔스파스９０００, 솔스파스１２０００, 솔스파스１７０００, 솔스파스２００００, 솔스파스２１０００, 솔스파스２４０００, 솔스파스２６０００, 솔스파스２７０００, 솔스파스２８０００, 솔스파스３２０００, 솔스파스３５１００, 솔스파스５４０００, 솔식스２５０(일본루브리졸주식화사제), ＥＦＫＡ４００８, ＥＦＫＡ４００９, ＥＦＫＡ４０１０, ＥＦＫＡ４０１５, ＥＦＫＡ４０４６, ＥＦＫＡ４０４７, ＥＦＫＡ４０６０, ＥＦＫＡ４０８０, ＥＦＫＡ７４６２, ＥＦＫＡ４０２０, ＥＦＫＡ４０５０, ＥＦＫＡ４０５５, ＥＦＫＡ４４００, ＥＦＫＡ４４０１, ＥＦＫＡ４４０２, ＥＦＫＡ４４０３, ＥＦＫＡ４３００, ＥＦＫＡ４３２０, ＥＦＫＡ４３３０, ＥＦＫＡ４３４０, ＥＦＫＡ６２２０, ＥＦＫＡ６２２５, ＥＦＫＡ６７００, ＥＦＫＡ６７８０, ＥＦＫＡ６７８２, ＥＦＫＡ８５０３(에프카아디디브즈사제), 아디스파ＰＡ１１１, 아디스파ＰＢ７１１, 아디스파ＰＢ８２１, 아디스파ＰＢ８２２, 아디스파ＰＮ４１１, 페이멕스Ｌ－１２(아지노모토파인테크노주식화사제), ＴＥＸＡＰＨＯＲ-ＵＶ２１, ＴＥＸＡＰＨＯＲ-ＵＶ６１(코그니스재팬주식회사제), ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１０１, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１０２, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１０６, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１０８, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１１１, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１１６, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１３０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１４０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１４２, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１４５, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６１, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６２, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６３, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６４, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６６, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６７, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１６８, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１７０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１７１, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１７４, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１８０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１８２, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１９２, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ１９３, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２０００, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２００１, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２０２０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２０２５, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２０５０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２０７０, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２１５５, ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ２１６４, ＢＹＫ２２０Ｓ, ＢＹＫ３００, ＢＹＫ３０６, ＢＹＫ３２０, ＢＹＫ３２２, ＢＹＫ３２５, ＢＹＫ３３０, ＢＹＫ３４０, ＢＹＫ３５０, ＢＹＫ３７７, ＢＹＫ３７８, ＢＹＫ３８０Ｎ, ＢＹＫ４１０, ＢＹＫ４２５, ＢＹＫ４３０(피크케미·재팬주식회사제), 디스파론１７５１Ｎ, 디스파론１８３１, 디스파론１８５０, 디스파론１８６０, 디스파론１９３４, 디스파론ＤＡ－４００Ｎ, 디스파론ＤＡ－７０３－５０, 디스파론ＤＡ－７２５, 디스파론ＤＡ－７０５, 디스파론ＤＡ－７３０１, 디스파론ＤＮ－９００, 디스파론ＮＳ－５２１０, 디스파론ＮＶＩ－８５１４Ｌ, 히프라드ＥＤ－１５２, 히프라드ＥＤ－２１６, 히프라드ＥＤ－２５１, 히프라드ＥＤ－３６０(구스모토화성주식회사), ＦＴＸ－２０７Ｓ, ＦＴＸ－２１２Ｐ, ＦＴＸ－２２０Ｐ, ＦＴＸ－２２０Ｓ, ＦＴＸ－２２８Ｐ, ＦＴＸ－７１０ＬＬ, ＦＴＸ－７５０ＬＬ, 프타디엔트２１２Ｐ, 프타디엔트２２０Ｐ, 프타디엔트２２２Ｆ, 프타디엔트２２８Ｐ, 프타디엔트２４５Ｆ, 프타디엔트２４５Ｐ, 프타디엔트２５０, 프타디엔트２５１, 프타디엔트７１０ＦＭ, 프타디엔트７３０ＦＭ, 프타디엔트７３０ＬＬ, 프타디엔트７３０ＬＳ, 프타디엔트７５０ＤＭ, 프타디엔트７５０ＦＭ(주식회사네오스제), ＡＳ－１１００, ＡＳ－１８００, ＡＳ－２０００(동아합성주식회사제), 카오세라２０００, 카오세라２１００, ＫＤＨ－１５４, ＭＸ－２０４５Ｌ, 호모게놀Ｌ－１８, 호모게놀Ｌ－９５, 레오돌ＳＰ－０１０Ｖ, 레오돌ＳＰ－０３０Ｖ, 레오돌ＳＰ－Ｌ１０, 레오돌ＳＰ－Ｐ１０(화왕주식회사제), 에반Ｕ１０３, 시아놀ＤＣ９０２Ｂ, 노이겐ＥＡ－１６７, 브라이사프Ａ２１９Ｂ, 브라이사프ＡＬ(제일공업주식회사제), 메가파크Ｆ－４７７, 메가파크４８０ＳＦ, 메가파크Ｆ－４８２,（ＤＩＣ주식회사제), 실페이스ＳＡＧ５０３Ａ, 다이놀６０４(일신화학공업주식회사제), ＳＮ스파즈２１８０, ＳＮ스파즈２１９０,ＳＮ레베라Ｓ－９０６(산노프코주식회사제), Ｓ－３８６, Ｓ－４２０(ＡＧＣ세미케미칼주식회사제) 등을 들 수 있다.
일반적으로, 열선 차열 입자와 분산제의 RED(Relatiｖe　Energy　Difference)는 작을수록 용해도가 좋고, 1.5 이하가 되는 조합이 바람직하며, 열선 차열 입자와의 RED가 1.5 이하가 되는 분산제로서는 ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１６, ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４２, ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５, ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１６３, ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０００, ＤＳＰＥＲＢＹＫ―２１５５, ＢＹＫ－Ｐ１０５, ＡＮＴＩ－ＴＥＲＲＡ　Ｕ, ＥＦＫＡ－４０１０, ＤＯＰＡ－１７ＨＦ를 예로 들 수 있고, 보다 바람직하게 사용할 수 있다.
RED의 계산 방법은 하기와 같다. Hansen이 Hildebrand의 용해도 파라미터-(δ)에 관여하고 있는 분산력, 쌍극자 상호작용, 수소결합의 효과를 고려하여 제안한 수 1에 나타나는 용해도 파라미터를 이용하여, δD(분산력에 의한 기여; 분자 충돌에 의해 유도되는 쌍극자의 형성에 의해서 생기는 런던력 또는 반데르발스력에 의한 기여로 알려져 있다), δP(극성 상호작용에 의한 기여; 분자가 용액 중에 존재하는 경우에 대상으로 하는 분자가 발생하는 영구 쌍극자에 의한 기여를 의미한다),δH(수소결합에 의한 기여; 특정 상호 작용을 나타내며, 예컨대 수소결합, 산/염기 결합 및 도너/억셉터 결합에 의한 기여를 나타낸다)을 산출하고, 하기 수 2, 수 3을 이용하여 상호 작용 반경 R0, HSP간 거리 Ra의 비로부터 RED를 산출한다.
[수 1]
Figure 112019003754968-pat00001
[수 2]
Figure 112019003754968-pat00002
[수 3]
Figure 112019003754968-pat00003
본 발명에서 열선 차폐성 미립자를 함유하는 점착제 조성물을 만드는 경우, 아크릴계 공중합체 등의 점착성 수지를 함유하는 점착제(이하,「점착제」로 칭함)에 미립자를 용매에 분산시킨 미립자 분산액을 혼합하는 방법이 간소하다. 따라서 본 발명자 등은 점착제와 미립자 분산액을 혼합하는 방법을 검토한 바, 점착제에 함유되는 아크릴계 공중합체의 조성에 의해서 미립자의 분산액과의 혼합성에 차이가 있는 것을 알 수 있었다. 미립자 분산액 조성에서 미립자 및 점착제와의 RED가 1.5 이하인 분산제, 분산매 및 아세틸아세톤 존재하에서 제작한 분산액에 대하여, 점착제와 혼합하는 경우에, 카르복시기 또는 산무수물 함유 모노머 구조 단위를 폴리머 중의 전체 모노머 구조 단위에 대해서 1~5% 함유하는 것인 아크릴계 공중합체를 함유하는 점착제와 혼합하는 경우에, 혼합 후 점착제 조성물에서 응집이나 점도 상승, 겔화가 일어나기 어려운 경향이 있었다. 1% 보다 적으면 응집이 일어나기 쉽고, 5% 보다 많으면 혼합 직후에 점도의 상승이나 겔화가 일어나기 쉽다. 또한 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량이 10만~120만인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 20만~80만이다.
즉, 분자량이 높은 아크릴계 공중합체를 함유하고 점도가 높은 점착제에 열선 차폐성 미립자를 분산하는 경우, 큰 분산 에너지가 필요하고 한정된 분산력의 분산 장치에서는 장시간 분산이 필요할 뿐만 아니라, 어느 한계 이상의 분산성은 얻을 수 없다. 또한 분자량이 어느 크기 이상이 되면, 수지의 분자쇄가 분산하고자 하는 열선 차폐성 미립자를 구속하여 응집제로서 기능하기 때문에 분산성을 얻을 수 없다.
열선 차폐성 미립자의 분산성이 나쁜 점착제를 이용하면 직선 투과율보다 확산 투과율이 높아지기 때문에 헤이즈값이 높은 점착 시트가 되고 투명성이 나빠진다. 일반적으로, 미립자에 의한 빛의 산란은 입경이 파장의 1/2 부근에서 최대가 되고, 그 보다 작은 경우에는 입경의 6승에 비례하여 작아진다. 따라서 가시광의 파장 400~780nm의 범위에 대해서는 열선 차폐성 미립자의 입경이 200~390nm 때에 산란이 최대이고, 그 이하가 되면 산란이 작아지며, 입경이 100nm 이하가 되면 점착제 피막은 실질적으로 투명하게 된다. 따라서 투명성이 좋은 점착 시트를 얻기 위해서는 열선 차폐성 미립자의 분산 입경을 100nm 이하로 할 필요가 있고, 분자량이 높아 분산성을 얻을 수 없는 중합체를 이용하는 경우에는, 분산 입경을 100nm 이하로 하지 못하고 투명성이 나쁜 점착 시트가 된다. 한편, 분자량이 낮은 점착제를 이용하면 점착제를 도공한 필름의 막 물성이 나빠지고 기계적 강도가 약해지거나 필름 가공성이 나빠지는 문제가 있다. 이러한 점착제는 가교형 또는 비가교형의 어느 것도 사용할 수 있다. 가교형의 경우, 에폭시계 화합물, 이소시아나트계 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속 알콕시드, 금속염, 아민 화합물, 히드라진 화합물 또는 알데히드계 화합물 등의 각종 가교제를 이용하는 방법 또는 방사선을 조사하는 방법 등을 들 수 있고, 이들은 관능기의 종류 등에 따라 적당히 선택된다.
본 발명에서 점착제를 구성하는 고분자 재료의 가교도는 점착성 수지의 종류, 조성 등의 제 조건에 의해 다르고 특별히 한정되지 않는다.
또한 본 발명의 열선 차폐성 점착제 조성물은 필요에 따라 가소제를 함유해도 좋다. 이 가소제로서는 프탈산에스테르, 트리멜리트산에스테르, 피로멜리트산에스테르, 아디핀산에스테르, 세바신산에스테르, 인산트리에스테르 또는 글리콜에스테르 등의 에스테르류나 프로세스 오일, 액상 폴리에테르, 액상 폴리테르펜, 기타의 액상 수지 등을 들 수 있으며, 이 중 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 이러한 가소제는 점착제와의 상용성이 좋은 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 열선 차폐성 점착제 조성물은 상기 가소제 이외 필요에 따라 예컨대 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광안정제 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다.
본 발명에서 열선 차폐성 점착제 조성물의 도포 방법에 관해서도 특별한 한정은 없지만, 콤마 코터, 바 코터, 스핀 코터, 스프레이 코터, 롤 코터, 그라비아 코터, 나이프 코터 또는 기타 각종의 코팅 장치의 사용이 가능하다.
점착성 수지에 대한 열선 차폐성 미립자의 분산 비율은 점착층의 도공 두께와 차폐 성능에 의해 결정된다. 열선 차폐성 점착제를 도공한 필름의 광학 성능으로서는 가시광 투과율이 높고, 일사 투과율이 낮은 것이 이상적이지만, 일반적으로 양자는 비례 관계에 있고, 어느 쪽의 성능을 중시할까에 의해 광학 성능을 결정하게 된다.
이 열선 차폐성 점착제 조성물을 도공한 필름을 실제로 건물 및 자동차의 유리창에 붙여 하계 및 동계 효과를 각각 측정한 바, 하계의 온도 저감 효과를 충분히 얻기 위해서는 일사 투과율은 80% 이하로 하는 것이 좋고, 조명 코스트 및 동계의 난방 코스트의 상승을 최소한으로 하기 위해서 가시광 투과율은 50% 이상으로 하는 것이 좋다. 따라서 열선 차폐성 점착제 조성물을 도공한 필름의 광학 특성은 가시광 투과율은 50% 이상으로 한편 일사 투과율은 80% 이하로 하는 것이 바람직하다.
일반적으로, 점착층의 도공 두께는 피접착면에의 추종성이나 점착력 및 경제성을 고려하여 통상 10~50μm의 두께가 채용되지만, 이 범위에서 상기 열선 차폐성을 부여하는 미립자의 양으로서 미립자：수지 고형분 = 3：97 ~ 1：1(중량비)의 범위가 매우 적합하다. 열선 차폐제 미립자의 비율이 이 보다 적은 경우, 필요한 열선 차폐성을 얻으려면 50μm 이상의 막 두께가 필요하고, 반대로 이 보다 많은 경우, 가시광 투과율이 너무 작아지기 때문이다. 또한 필름의 헤이즈값는 유리의 투명성을 해치지 않는 것으로 할 필요가 있고, 8% 이하로 하는 것이 좋으며, 보다 바람직하게는 3% 이하로 하는 것이 좋다.
실시예
이하에 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
염화 제 2 주석(SnCl4·5H2O) 5.9g 및 염화 인듐(InCl3) 75.9g를 물 4000ml에 용해하고, 여기에 2% 암모니아수를 58분 걸쳐 첨가하여 pH를 최종적으로 7.85로 하는 것에 의해 산화 주석 및 산화 인듐의 수화물을 공침(共沈)하였다. 이때 액체 온도는 5℃를 유지하도록 하였다. 이어서, 이 공침물을 세정 후 건조, 다시 900℃에서 2시간 고온에서 소성하여 주석 함유 산화 인듐(ITO) 미분말(일차 입자)을 얻었다. 얻어진 미분말을 BET법으로 측정한 결과 비표면적이 35.3m2/s이고 입경이 25.6nm였다.
제조예 2
톨루엔 용액 7ml에 제조예 1에서 얻어진 ITO 미분말 1.12g, 아세틸아세톤 0. 7g, 분산제 DisperBYK140을 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 35% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 6.8m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 10분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발(乳鉢)로 분쇄한 후, XRD 패턴(XPERT-PROMPD　스펙트리스사제)를 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
제조예 3
톨루엔 용액 7ml에 제조예 1에서 얻어진 ITO 미분말 1.12g, 아세틸아세톤 0. 7g, 분산제 DisperBYK140을 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 70% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 10m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 30분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발로 분쇄한 후, XRD 해석 장치를 이용하여 XRD 패턴을 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
제조예 4
톨루엔 용액 7ml에 제조예 1에서 얻어진 ITO 미분말 1.12g, 아세틸아세톤 0. 7g, 분산제 DisperBYK140을 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 70% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 13.6m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 60분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발로 분쇄한 후, XRD 패턴을 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다. 또, 표 1 내의 ＦＷＨＭ（°）（Full Width at Half Maximun)은 각 분산액의 XRD 패턴의 제 1 주 피크의 반값 폭을 나타내었다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
제조예 5
산화 아연 슬러리 수용액 50g/l를 조제하고, 2mol/L 질산 갈륨 수용액을 산화 아연에 대해서 3mol% 첨가하여 탄산나트륨으로 중화하였다. 이어서 여과 세정하고 120℃에서 10시간 건조 후 유발로 분쇄하고, 환원 분위기하 400℃에서 3시간 처리를 실시하여 갈륨 함유 산화 아연(GZO) 미분말(일차 입자)을 얻었다. 얻어진 미분말을 BET법으로 측정한 결과 비표면적이 49.3m2/s이고 입경이 24.3nm였다.
제조예 6
톨루엔 용액 7ml에 제조예 5에서 얻어진 GZO 미분말 1.12g, 분산제 ＡＮＴＩ－ＴＥＲＲＡ　Ｕ를 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 35% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 6.8m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 10분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발로 분쇄한 후, XRD 패턴(XPERT-PROMPD　스펙트리스사제)를 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
제조예 7
톨루엔 용액 7ml에 제조예 5에서 얻어진 GZO 미분말 1.12g, 분산제 ＡＮＴＩ－ＴＥＲＲＡ　Ｕ를 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 35% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 10m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 10분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발로 분쇄한 후, XRD 패턴(XPERT-PROMPD　스펙트리스사제)를 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
제조예 8
톨루엔 용액 7ml에 제조예 1에서 얻어진 GZO 미분말 1.12g, 아세틸아세톤 0.7g, 분산제 ＡＮＴＩ－ＴＥＲＲＡ　Ｕ를 0.175g 부가하고, 배치식 비즈 밀링 장치(T. K. 필믹스 30-25형, 프라이믹스(주)제)의 분쇄 용기에 투입하였다. 분쇄 비즈로는 평균 입경이 30μm인 지르코니아 비즈를 이용하고 분쇄 용기 체적의 70% 충전까지 충전하였다. 분쇄는 주속이 13.6m/s가 되도록 모터를 설정하고, 분쇄 시간은 60분의 조건에서 수행하였다. 이와 같이 하여 얻어지는 분산체를 드라이 오븐 120℃에서 건조하고 유발로 분쇄한 후, XRD 패턴을 측정하여 제 1 주 피크의 반값 폭을 표 1에 나타냈다. 또한 표 1 내의 ＦＷＨＭ（°）（Full Width at Half Maximun)은 각 분산액의 XRD 패턴의 제 1 주 피크의 반값 폭을 나타내었다.
또한 얻어진 분산체를 원심분리기(히타치 공업기계 주식회사 himac　CR18)를 이용하여 회전수 5000rpm에서 15분간 원심 처리를 실시하였다.
표 1
Figure 112019003754968-pat00004
표 1에 나타낸 바와 같이 제조예 2~4, 6~8의 제 1 주 피크의 분산액의 반값 폭은 각각, 0.441, 0.487, 0.904, 0.405, 0.511, 0.878이었다. 이상과 같이, 분산시 주속을 제어하는 것에 의해 소망하는 반값 폭의 차열 미립자를 얻었다.
제조예 5(아크릴계 점착제 A)
아크릴산n-부틸 291g과 아크릴산 9g을 톨루엔 366g에 용해하고 아조비스이소부틸올니트릴 0.15g를 첨가하고, 질소 기류 하 70℃에서 6시간 중합하여 아크릴 수지 공중합체(중량 평균 분자량：Mw=32만)를 얻었다. 아울러 톨루엔으로 희석하고 고형분율 29.36%, 점도 2700Pas의 아크릴계 공중합체 용액(아크릴계 점착제 A)을 얻었다.
(실시예 1)
아크릴계 점착제 A　100중량부(아크릴산부틸/아크릴산=97/3), 제조예 2에서 제작한 주석 함유 산화인듐(ITO)의 톨루엔 분산액　128중량부, 톨루엔　152중량부를 균일하게 되도록 혼합 용해한 점착제 조성물을 이형 시트의 폴리에스테르 필름(편면 측에 실리콘 처리를 가한 것)(린테크사제　3811　두께：38μm) 위에 콤마 코터로 도포하고 건조하며, 이형 시트의 폴리에스테르 필름(편면 측에 실리콘 처리를 가한 것)(린테크사제　3801　두께：38μm)로 피복하는 것에 의해 점착제층(두께：15μm)을 형성하였다.
(실시예 2)
제조예 3에서 제작한 주석 함유 산화 인듐(ITO)의 톨루엔 분산액을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제작했다.
(실시예 3)
제조예 6에서 제작한 갈륨 함유 산화 아연(GZO)의 톨루엔 분산액을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제작했다.
(실시예 4)
제조예 7에서 제작한 갈륨 함유 산화 아연(GZO)의 톨루엔 분산액을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제작했다.
(비교예 1)
제조예 4에서 제작한 주석 함유 산화 인듐(ITO)의 톨루엔 분산액을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제작했다.
(비교예 2)
제조예 8에서 제작한 갈륨 함유 산화 아연(GZO)의 톨루엔 분산액을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제작했다.
실시예 1~4 및 비교예 1, 2에 대해서, 점착 시트를 3mm의 보통 판유리에 전사 했을 때의 가시광 투과율 및 Tts(일사열 취득율), 헤이즈값를 측정한 결과를 도 1 및 표 2에 나타내었다.
(Tts(일사열 취득율)의 측정)
분광 광도계(시마즈 제작소 사제　UV3100)를 이용하고, JIS　R3106(1998)에 준거하여 얻어진 점착 시트의 상기 Tts를 측정했다.
(가시광 투과율의 측정)
분광 광도계(시마즈 제작소 사제　UV3100)를 이용하고, JIS　R3106(1998)에 준거하여 얻어진 점착 시트의 파장 380nm~780nm에서의 상기 가시광 투과율을 측정했다.
(헤이즈값의 측정)
헤이즈미터(도쿄전색사제　TCHIIIDPK)를 이용하고, JIS　K6714에 준거하여 얻어진 점착 시트의 헤이즈값을 측정했다.
표 2
Figure 112019003754968-pat00005
실시예 1, 2는 비교예 1과 비교하면 도 1에 나타낸 바와 같이 가시광 영역의 투과율을 유지하면서 파장 1200nm 이상의 적외 영역에 있어서의 흡수가 커진다. 또한 표 2에 나타낸 바와 같이 높은 가시광 투과율을 유지하면서 일사열 취득율은 대략 36% 정도 낮아지며 높은 차열성이 얻어진다. 또한 헤이즈값도 낮아지고 열선 차폐성 미립자의 분산성이 좋아지며 투명성이 향상하고 있는 것을 나타내고 있다. 실시예 3, 4는 비교예 2와 비교하면, 도 2에 나타낸 바와 같이 파장 1600nm 이상의 적외 영역에 있어서의 흡수가 커지는 것과 동시에 가시광 영역의 투과율도 향상하고 있으며, 또한 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율이 대략 18% 향상하고 일사열취득율도 대략 1~2.5% 정도 낮아지며 높은 투명성과 차열성이 얻어진다. 또한 헤이즈값도 낮아지고 열선 차폐성 미립자의 분산성이 좋아지며 투명성이 향상하고 있는 것을 나타내고 있다.
또한 표 1에 나타낸 바와 같이 실시예 1, 2, 비교예 1, 실시예 3, 4, 비교예 2에서 이용한 열선 차단성 미립자의 분산액은 각각 제조예 2, 3, 4, 6, 7, 8이며 또한 그러한 분산액의 반값 폭은 각각 0.441, 0,487, 0,904, 0.405, 0.511, 0.878이었다. 이것은 열선 차단성 미립자의 반값 폭이 0.01 이상 0.80 이하의 열선 차단성 미립자를 이용하는 것에 의해 일사열 취득율이 낮아지고 높은 차열성을 얻을 수 있으며, 아울러 높은 가시광 투과율을 유지하고, 헤이즈값도 낮으며 열선 차폐성 미립자의 분산성이 좋아져 투명성이 향상하는 것을 나타낸다.
1:　열선 차폐성 투명 점착 시트
2:　열선 차폐성 미립자
3:　점착제층
4:　유리

Claims (10)

  1. X선 회절 패턴에 의해 얻어지는 제 1 주 피크의 반값 폭이 0.01°이상 0.80°이하인 열선 차폐성 미립자와 분산제를 함유하는 열선 차폐성 미립자의 분산액으로서, 상기 열선 차폐성 미립자가 주석 함유 산화 인듐(ITO) 또는 갈륨 함유 산화 아연(GZO)이고, 상기 열선 차폐성 미립자의 일차 입자의 직경이 1~100ｎｍ이고, 일차 입자의 ＢＥＴ법에 의해 산출되는 비표면적이 5~200ｍ２／ｇ인 분산액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분산제의 열선 차폐성 미립자와의 RED(Relatiｖe　Energy　Difference)가 1.5 이하인 분산액.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분산제가 고분자 비수계 분산제인 분산액.
  4. 아크릴계 공중합체를 함유하는 점착제에 제1항에 기재된 분산액을 혼합하여 이루어지는 열선 차폐성 점착제 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 열선 차폐성 미립자와 점착제의 RED가 1.5 이하인 열선 차폐성 점착제 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체가 카르복시기 또는 산무수물 함유 모노머 구조 단위를 폴리머 중의 전체 모노머 구조 단위에 대하여 1~5% 함유하는 것을 특징으로 하는 열선 차폐성 점착제 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량이 10만~120만인 것을 특징으로 하는 열선 차폐성 점착제 조성물.
  8. 제4항에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물을 적어도 용매 중에 용해, 분산하여 이루어지는 바니시 조성물.
  9. 제4항에 기재된 열선 차폐성 점착제 조성물 또는 제8항에 기재된 바니시 조성물을 도포하여 이루어지는 열선 차폐성 투명 점착 시트.
  10. 제9항에 있어서, 가시광 투과율이 ５0％ 이상, 일사 투과율이 80% 이하, 헤이즈가 8% 이하인 것을 특징으로 하는 열선 차폐성 투명 점착 시트.
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