KR101872629B1 - 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101872629B1
KR101872629B1 KR1020167019150A KR20167019150A KR101872629B1 KR 101872629 B1 KR101872629 B1 KR 101872629B1 KR 1020167019150 A KR1020167019150 A KR 1020167019150A KR 20167019150 A KR20167019150 A KR 20167019150A KR 101872629 B1 KR101872629 B1 KR 101872629B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric layer
layer
thin film
polysilicon
angstroms
Prior art date
Application number
KR1020167019150A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160098455A (ko
Inventor
샹양 쉬.
Original Assignee
센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20160098455A publication Critical patent/KR20160098455A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101872629B1 publication Critical patent/KR101872629B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 적어도 게이트 절연층을 포함하며, 게이트 절연층은 적어도 3층의 유전체층을 포함하는 복합 절연층으로서, 그 중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중에 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다. 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려함으로써, 각 층 표면의 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시키고, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려함으로써, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시키고 트랜지스터의 응답 속도를 향상시켰다.

Description

저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법{LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제작공정 분야에 관한 것으로서, 특히 전기특성 및 신뢰도를 제공할 수 있는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 평판 디스플레이 기술에서, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 그 중 가장 성숙한 기술이라고 말할 수 있으며, 예를 들어 일상생활에서 흔히 볼 수 있는 핸드폰, 디지털카메라, 비디오카메라, 노트북 컴퓨터 및 모니터는 모두 이러한 기술을 이용하여 제조되는 제품이다.
그러나, 사람들의 디스플레이에 대한 시각적인 요구가 높아지고, 신기술 응용 분야가 부단히 확장됨에 따라, 더욱 향상된 화질, 고해상도, 고휘도이면서 저가인 평면 디스플레이는 이미 향후 디스플레이 기술 발전의 추세가 되었고, 새로운 디스플레이 기술 발전의 원동력이기도 하다. 평면 디스플레이 중의 저온폴리실리콘(Low Temperature Poly-silicon, LTPS) 박막 트랜지스터는 능동 구동 트렌드에 부합되는 특성을 구비하는 이외에, 그 기술이 바로 상기 목표를 달성할 수 있는 중요한 기술적 돌파구이기도 하다.
종래의 LTPS TFT는 도 1에 도시된 바와 같이, 유리기판(101), 유리기판(101)에 설치되는 버퍼층(102)을 포함하며, 상기 버퍼층(102)에 폴리실리콘이 형성되고, 그 위에 소스 영역(103)에 설치되는 소스 전극 및 드레인 영역(104)에 설치되는 드레인 전극 및 채널 영역(111)에 설치되는 게이트 절연층(GI)이 포함된다. 상기 GI층에 게이트 전극(108) 및 부동태화층(109)이 형성되며, GI층은 일반적으로 SiO2와 SiNx인 유전체층(105) 및 유전체층(107)의 2층 복합 구조가 통상적으로 채택된다.
그러나, SiNx와 SiO2로 구성되는 게이트 절연층은 표면 접촉 특성과 박막 연속성이 나쁘고, 또한 GI에 비아홀(VIA hole)을 형성 시, 언더컷(undercut)이 발생되기 쉽다. 즉 SiO2의 에칭률이 SiNx보다 큼으로 인하여 SiO2 홀이 SiNx보다 커지면서 접촉성이 나빠지게 된다.
따라서, 상기 문제를 해결하기 위하여, 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공함으로써, 제조된 트랜지스터가 비교적 강한 접촉 연속성을 지니고, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시켜 트랜지스터의 응답 속도를 강화시키고자 하는 것이 업계에서 주력하는 과제 중의 하나이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술문제 중의 하나는 제조된 트랜지스터가 비교적 강한 접촉 연속성을 지니고, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시켜 트랜지스터의 응답 속도를 강화시킬 수 있는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하고자 하는데 있다. 또한 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터를 더 제공한다.
1) 상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하며, 이는 절연기판을 제공하는 단계; 상기 절연기판의 버퍼층에 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘층의 표면에 소속 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 구비하며, 적어도 3회의 PECVD 공정을 순차적으로 실시하여 상기 채널 영역에 적어도 3층의 유전체층을 순서대로 형성하고, 더 나아가 복합 게이트 절연층을 형성하는 단계; 그중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대되도록 하며, 상기 복합 게이트 절연층에 게이트 전극을 형성하는 단계; 를 포함한다.
2) 본 발명의 제 1)항의 일 바람직한 실시예에서, 상기 복합 게이트 절연층은 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층으로 구성되며, 또한 제 1 유전체층은 SiO2이고, 제 2 유전체층은 SiON이며, 제 3 유전체층은 SiNx이다.
3) 본 발명의 제 1)항 또는 제 2)항 중의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 크다.
4) 본 발명의 제 1)항 내지 제 3)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬이다.
5) 본 발명의 제 1)항 내지 제 4)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 폴리실리콘층을 형성하는 단계는, 상기 절연기판의 표면에 비정질 실리콘층을 형성하기 위한 스퍼터링 공정을 실시하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘층을 재결정화시켜 상기 폴리실리콘층을 형성하기 위한 어닐링 공정을 실시하는 단계;를 포함한다. 그중, 상기 어닐링 공정은 엑시머 레이저 어닐링 공정을 포함한다.
6) 본 발명의 제 1)항 내지 제 5)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 게이트 전극을 형성한 후, 상기 게이트 전극을 MASK로 이용한 이온 주입 공정을 더 실시하여, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 내의 상기 폴리실리콘 내에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 이온 주입 공정 이후, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 내의 도핑제를 활성화하기 위한 활성화 공정을 더 실시한다.
7) 다른 방면에 따르면, 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터를 더 제공하며, 이는 적어도 게이트 절연층을 포함하며, 상기 게이트 절연층은 복합 절연층이고, 상기 복합 절연층은 적어도 3층의 유전체층을 포함하며, 그 중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중에 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다.
8) 본 발명의 제 7)항의 바람직한 실시예에서, 상기 게이트 절연층은 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층으로 구성되며, 또한 제 1 유전체층은 SiO2이고, 제 2 유전체층은 SiON이며, 제 3 유전체층은 SiNx이다.
9) 본 발명의 제 7)항 또는 제 8)항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 크다.
10) 본 발명의 제 7항) 내지 제 9항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬이다.
종래 기술과 비교하여, 본 발명의 하나 또는 복수의 실시예는 다음과 같은 장점을 가진다.
본 발명에서, 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려하였기 때문에, 본 발명의 제조방법에 따라 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 복합 절연층은 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다. 또한, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려하였기 때문에 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시킬 수 있으며, 따라서 트랜지스터의 응답 속도가 향상된다.
본 발명의 기타 특징과 장점은 이후의 명세서에서 설명할 것이며, 또한, 부분적으로 명세서를 통해 자명해지거나, 또는 본 발명의 실시를 통해 이해될 것이다. 본 발명의 목적과 기타 장점은 명세서, 청구항 및 첨부도면에서 특별히 적시한 구조를 통해 구현 및 획득될 수 있다.
첨부도면은 본 발명에 대한 더 구체적인 이해를 제공하고, 또한 명세서의 일부분을 구성하며, 본 발명의 실시예와 함께 본 발명을 설명하기 위한 것으로서, 결코 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 도면 중,
도 1은 종래 기술 중 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 일부 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법의 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 일부 구조도이다.
본 발명의 목적, 기술방안 및 장점이 더욱 명확해지도록, 이하 첨부도면을 결합하여 본 발명을 더 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법의 흐름도이며, 이하 도 2 및 도 3을 동시에 참조하여 LTPS TFT를 제조하는 방법의 각 단계를 설명한다.
단계 S210: 절연기판(101)을 제공하여, 상기 절연기판(101)의 버퍼(buffer)층(102)에 적어도 폴리실리콘(LTPS)층을 형성한다. 그 중, 상기 폴리실리콘층의 표면에 소속 LTPS TFT의 소스 영역(103), 드레인 영역(104) 및 채널 영역(111)이 포함된다.
설명해야 할 점으로, 상기 절연기판(101)은 유리기판 또는 석영기판을 포함하며, buffer층(102)은 PECVD를 통해 절연기판(101)에 형성되는 SiO2이다.
또한, 상기 LTPS층을 형성하는 단계는 이하 공정을 더 포함한다.
먼저, 스퍼터링 공정을 실시하여 상기 절연기판(101)의 표면에 비정질 실리콘층(a-Si)을 형성한 다음, 어닐링 공정을 실시하여, 상기 a-Si층을 재결정화시켜 상기 폴리실리콘을 형성한다. 그 중 상기 어닐링 공정은 엑시머 레이저 어닐링 공정을 포함한다.
단계 S220: 순차적으로 제 1 PECVD 공정, 제 2 PECVD 공정 및 제 3 PECVD 공정을 실시하여, 상기 채널 영역(111)에 순서대로 제 1 유전체층(105), 제 2 유전체층(106) 및 제 3 유전체층(107)을 형성하며, 상기 3개의 유전체층으로 복합 게이트 절연(약칭 GI)층을 구성한다. 그 중 각각의 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대되며, 즉 제 1 유전체층(105) < 제 2 유전체층(106) < 제 3 유전체층(107)이다.
구체적으로, 먼저 폴리실리콘층의 표면에 제 1 PECVD 공정을 통해 제 1 유전체층(105)을 증착하고, 그 다음 제 2 PECVD 공정을 통해 상기 제 1 유전체층(105)에 제 2 유전체층(106)을 증착한 다음, 제 3 PECVD 공정을 통해 상기 제 2 유전체층(106)에 제 3 유전체층(107)을 증착한다.
설명해야 할 점으로, 상기 복합 GI층의 PECVD 공정은 싱글웨이퍼 반응기에서 연속적으로 실시된다.
또한 바람직하게는, 상기 복합 GI층의 제 1 유전체층(105)은 SiO2이고, 제 2 유전체층(106)은 SiON이며, 제 3 유전체층(107)은 SiNx이다. 그 중 상기 복합 GI층 중의 제 1 유전체층(105)과 buffer층(102)의 SiO2는 LTPS와의 인터페이스 특성을 개선하기 위한 것이고, 상기 복합 GI층 중의 제 3 유전체층(107)의 SiNx는 습기 및 금속 이온을 차단하기 위한 것이며, 제 2 유전체층(106)의 SiON은 주로 제 1 유전체층(105)과 제 3 유전체층(107)의 인터페이스 접촉 연속성을 개선하는 역할을 한다(치밀성: SiNx > SiON > SiO2).
이와 같이 상기 3층의 유전체층으로 구성된 복합 게이트 절연층은 그 자신과 저온폴리실리콘 간의 접촉 특성을 개선하고 습기와 금속 이온이 저온폴리실리콘의 인터페이스와 내부에 유입되는 것을 방지하는 동시에, 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다.
물론, 본 실시예는 단지 하나의 예시일뿐으로, 상기 복합 절연층은 예를 들어 4층 또는 5층과 같이 기타 복수층일 수 있으며, 즉 본 분야의 기술자가 예를 들어 4회 또는 5회의 PECVD를 통해 4층 또는 5층의 복층의 유전체층을 형성할 수 있음은 쉽게 이해될 것이다. 주의해야 할 점은, 상기 복합 절연층의 각 유전체층의 치밀성 관계는 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다는 점이다.
또한, 제 1 유전체층(105)의 필름 두께는 제 2 유전체층(106)과 제 3 유전체층(107)의 필름 두께보다 훨씬 두꺼우며, 이와 같이 하면 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시킬 수 있다. 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께는 1000~1500 옹스트롬이고, 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께는 약 100~1000 옹스트롬이며, 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께는 약 100~500 옹스트롬인 것이 바람직하다.
단계 S230: 상기 복합 GI층의 상부에 게이트 전극(Gate)(108)을 형성한다.
설명해야 할 점으로, 상기 게이트 전극의 재료는 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 몰리브덴 및 구리를 포함하는 것이 바람직하다.
단계 S240: 상기 게이트 전극(108)을 MASK로 이용한 이온 주입 공정을 실시하여, 비아 홀(110)을 통해 상기 소스 영역(103) 및 드레인 영역(104) 내의 상기 폴리실리콘 내에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.
단계 S250: 상기 소스 전극 및 드레인 전극 내의 도핑제를 활성화시키기 위한 활성화 공정을 실시한다.
마지막으로, PECVD 공정을 더 실시하여 부동태화층을 형성하며, 상기 부동태화층은 SiO 또는 SiNx일 수 있다.
이와 같이, 상기 제조 과정을 통해 최종적으로 도 3에 도시된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 구조를 형성하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려하였기 때문에, 본 발명의 제조방법에 따라 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다. 또한, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려하였기 때문에 기생 커패시턴스를 효과적으로 감소시킬 수 있으며, 따라서 트랜지스터의 응답 속도가 향상된다. 즉 GI의 필름 성형 품질 개선을 통하여 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 전기 특성 및 신뢰성을 향상시켰다.
이상의 설명은 단지 본 발명의 바람직한 구체적인 실시예에 불과하나, 본 발명의 보호범위는 결코 이에 국한되지 않고, 상기 기술을 숙지하는 자가 본 발명에 공개된 기술 범위 내에서 용이하게 생각해낼 수 있는 변화 또는 교체는 모두 본 발명의 보호범위 내에 포함된다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 청구항의 보호범위를 기준으로 하여야 한다.

Claims (10)

  1. 절연기판을 제공하는 단계;
    상기 절연기판의 버퍼층에 적어도 폴리실리콘층을 형성하는 단계;
    상기 폴리실리콘층의 표면에 소속 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 구비하며,
    적어도 3회의 PECVD 공정을 순차적으로 실시하여 상기 채널 영역에 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층을 순서대로 형성하여 복합 게이트 절연층을 구성하는 단계; 및
    상기 복합 게이트 절연층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 유전체층이 형성된 후에 상기 제 2 유전체층이 형성되고, 상기 제 2 유전체층이 형성된 후에 상기 제 3 유전체층이 형성되며,
    상기 복합 게이트 절연층은 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성이 강화되도록, 상기 제 1 유전체층의 막질보다 상기 제 2 유전체층의 막질이 더 치밀하고, 상기 제 2 유전체층의 막질보다 상기 제 3 유전체층의 막질이 더 치밀한 것을 특징으로 하는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층은 SiO2이고, 상기 제 2 유전체층은 SiON이며, 상기 제 3 유전체층은 SiNx인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리실리콘층을 형성하는 단계는,
    상기 절연기판의 표면에 비정질 실리콘층을 형성하기 위한 스퍼터링 공정을 실시하는 단계; 및
    상기 비정질 실리콘층을 재결정화시켜 상기 폴리실리콘층을 형성하기 위한 어닐링 공정을 실시하는 단계; 를 포함하되,
    상기 어닐링 공정은 엑시머 레이저 어닐링 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 게이트 전극을 형성한 후, 상기 게이트 전극을 MASK로 이용한 이온 주입 공정을 더 실시하여, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 내의 상기 폴리실리콘 내에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 이온 주입 공정 이후, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 내의 도핑제를 활성화하기 위한 활성화 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 복합 게이트 절연층; 및
    상기 복합 게이트 절연층 위에 형성된 게이트 전극을 포함하고,
    상기 복합 게이트 절연층은 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층을 포함하며,
    상기 제 1 유전체층이 형성된 후에 상기 제 2 유전체층이 형성되고, 상기 제 2 유전체층이 형성된 후에 상기 제 3 유전체층이 형성되며,
    상기 복합 게이트 절연층은 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성이 강화되도록, 상기 제 1 유전체층의 막질보다 상기 제 2 유전체층의 막질이 더 치밀하고, 상기 제 2 유전체층의 막질보다 상기 제 3 유전체층의 막질이 더 치밀한 것을 특징으로 하는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층은 SiO2이고, 상기 제 2 유전체층은 SiON이며, 상기 제 3 유전체층은 SiNx인 것을 특징으로 하는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터.
KR1020167019150A 2013-12-25 2014-01-23 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 KR101872629B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310727131.5A CN103762178A (zh) 2013-12-25 2013-12-25 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
CN201310727131.5 2013-12-25
PCT/CN2014/071266 WO2015096264A1 (zh) 2013-12-25 2014-01-23 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160098455A KR20160098455A (ko) 2016-08-18
KR101872629B1 true KR101872629B1 (ko) 2018-08-02

Family

ID=50529394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167019150A KR101872629B1 (ko) 2013-12-25 2014-01-23 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2017508275A (ko)
KR (1) KR101872629B1 (ko)
CN (1) CN103762178A (ko)
GB (1) GB2535404B (ko)
RU (1) RU2634087C1 (ko)
WO (1) WO2015096264A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11329117B2 (en) 2019-07-12 2022-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, display apparatus including the same, and manufacturing methods thereof

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106469750A (zh) * 2015-08-19 2017-03-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
CN106229347B (zh) * 2016-08-24 2019-06-07 武汉华星光电技术有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
CN106601822A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
CN107424920A (zh) * 2017-04-24 2017-12-01 武汉华星光电技术有限公司 栅极绝缘膜层制作方法
CN107393968A (zh) * 2017-08-28 2017-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器件及其制备方法
KR102041048B1 (ko) * 2018-05-16 2019-11-06 한국과학기술원 유기 절연체 3중층으로 이루어진 전하 트랩 구조와 이를 이용한 비휘발성 메모리
CN109119484B (zh) * 2018-07-16 2021-06-18 惠科股份有限公司 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
CN109545690A (zh) * 2018-12-03 2019-03-29 惠科股份有限公司 薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置
CN109616510B (zh) 2018-12-03 2020-04-14 惠科股份有限公司 薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3176091B2 (ja) * 1991-08-19 2001-06-11 株式会社東芝 薄膜トランジスタ
US7199063B2 (en) 2003-05-08 2007-04-03 Ching-Wei Lin Process for passivating polysilicon and process for fabricating polysilicon thin film transistor
CN103000694A (zh) 2012-12-13 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162375A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH04304677A (ja) * 1991-04-01 1992-10-28 Ricoh Co Ltd アモルファスシリコン薄膜半導体装置とその製法
JP3208011B2 (ja) * 1994-06-10 2001-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置
JP3420653B2 (ja) * 1995-03-16 2003-06-30 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよび液晶表示素子
US6338988B1 (en) * 1999-09-30 2002-01-15 International Business Machines Corporation Method for fabricating self-aligned thin-film transistors to define a drain and source in a single photolithographic step
KR100387122B1 (ko) * 2000-09-15 2003-06-12 피티플러스(주) 백 바이어스 효과를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100831227B1 (ko) * 2001-12-17 2008-05-21 삼성전자주식회사 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
TW573364B (en) * 2003-01-07 2004-01-21 Au Optronics Corp Buffer layer capable of increasing electron mobility and thin film transistor having the buffer layer
TW595002B (en) * 2003-04-16 2004-06-21 Au Optronics Corp Fabricating method of low temperature poly-silicon film and low temperature poly-silicon thin film transistor
TWI224868B (en) * 2003-10-07 2004-12-01 Ind Tech Res Inst Method of forming poly-silicon thin film transistor
KR100601950B1 (ko) * 2004-04-08 2006-07-14 삼성전자주식회사 전자소자 및 그 제조방법
KR100796608B1 (ko) * 2006-08-11 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2010056541A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI469354B (zh) * 2008-07-31 2015-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI642113B (zh) * 2008-08-08 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
CN101656233B (zh) * 2008-08-22 2012-10-24 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板的制造方法
JP5552753B2 (ja) * 2008-10-08 2014-07-16 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2011052385A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3176091B2 (ja) * 1991-08-19 2001-06-11 株式会社東芝 薄膜トランジスタ
US7199063B2 (en) 2003-05-08 2007-04-03 Ching-Wei Lin Process for passivating polysilicon and process for fabricating polysilicon thin film transistor
CN103000694A (zh) 2012-12-13 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11329117B2 (en) 2019-07-12 2022-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, display apparatus including the same, and manufacturing methods thereof

Also Published As

Publication number Publication date
GB2535404B (en) 2019-12-11
JP2017508275A (ja) 2017-03-23
RU2634087C1 (ru) 2017-10-23
KR20160098455A (ko) 2016-08-18
GB2535404A (en) 2016-08-17
CN103762178A (zh) 2014-04-30
WO2015096264A1 (zh) 2015-07-02
GB201610213D0 (en) 2016-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101872629B1 (ko) 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US10895774B2 (en) Array substrate, manufacturing method, display panel and display device
US9324735B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
WO2016041304A1 (zh) 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
US9911618B2 (en) Low temperature poly-silicon thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device
WO2013013599A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、液晶面板、显示装置
US7755708B2 (en) Pixel structure for flat panel display
US20120267621A1 (en) Thin film transistor and fabrication method thereof
KR102089244B1 (ko) 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치
US20160268440A1 (en) Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device
CN203521413U (zh) 一种阵列基板及显示装置
TW201501325A (zh) 薄膜電晶體及其製造方法
WO2018214771A1 (zh) 一种oled阵列基板及其制备方法和oled显示装置
WO2017193667A1 (zh) 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
US20150311345A1 (en) Thin film transistor and method of fabricating the same, display substrate and display device
US10121883B2 (en) Manufacturing method of top gate thin-film transistor
TWI497689B (zh) 半導體元件及其製造方法
US20160181290A1 (en) Thin film transistor and fabricating method thereof, and display device
CN106920753B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
US9257290B2 (en) Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof
KR20020050085A (ko) 박막 트랜지스터
WO2018205930A1 (zh) 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板、显示装置
CN1567550A (zh) 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
CN114883346A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111785734A (zh) 一种背板系统

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)