KR101867971B1

KR101867971B1 - 광투과성 도전재료

Info

Publication number: KR101867971B1
Application number: KR1020167032609A
Authority: KR
Inventors: 다케노부 요시키
Original assignee: 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Priority date: 2014-06-12
Filing date: 2015-05-22
Publication date: 2018-06-15
Also published as: TWI559189B; US20170139503A1; JP6422822B2; KR20160146916A; WO2015190267A1; TW201602874A; CN106462286A; JP2016015123A

Abstract

터치 패널 제조시의 수율 저하가 개선된 광투과성 도전재료를 제공한다. 지지체상에, 광투과성 센서부, 광투과성 더미부, 단자부, 상기 센서부와 상기 단자부를 전기적으로 접속하는 주변 배선부 및 어스부를 가지며, 주변 배선부에는 인접하는 주변 배선간에 평행한 부분이 존재하고, 그 평행 부분에 있어서의 주변 배선간의 최소 간격 거리를 A로 하고, 어스부에는 인접하는 어스 배선간에 평행한 부분이 존재하고, 그 평행 부분에 있어서의 어스 배선간의 최소 간격 거리를 B로 했을 때, A>B이다.

Description

광투과성 도전재료 {LIGHT-TRANSMITTING ELECTRICALLY-CONDUCTIVE MATERIAL}

PDA(퍼스널 디지털 어시스턴트), 노트PC, OA기기, 의료기기, 혹은 카 네비게이션 시스템 등의 전자기기에 있어서는, 이들 디스플레이에 입력 수단으로서 터치 패널이 널리 이용되고 있다.

터치 패널에는, 위치검출의 방법에 따라 광학방식, 초음파방식, 표면형 정전용량방식, 투영형 정전용량방식, 저항막방식 등이 있다. 저항막방식의 터치 패널에서는, 터치 센서가 되는 광투과성 전극으로서, 광투과성 도전재료와 광투과성 도전층 부착식 유리가 스페이서를 통해 대향 배치되어 있고, 광투과성 도전재료에 전류를 흘려 광투과성 도전층 부착식 유리에 있어서의 전압을 계측하는 구조로 되어 있다. 한편, 정전용량방식의 터치 패널에서는, 터치 센서가 되는 광투과성 전극으로서, 지지체상에 광투과성 도전층을 갖는 광투과성 도전재료를 기본적 구성으로 하며, 가동부분이 없는 것을 특징으로 한다는 점에서, 높은 내구성과 높은 광투과성을 가지기 때문에, 다양한 용도에서 적용되고 있다. 더욱이, 투영형 정전용량방식의 터치 패널은 다점 동시 검출을 할 수 있기 때문에, 스마트폰이나 타블렛PC 등에 널리 이용되고 있다.

정전용량방식의 터치 패널에 있어서, 터치 센서가 되는 광투과성 전극(광투과성 도전재료)은 다수의 광투과성 도전부(광투과성 센서부)를 갖기 때문에, 다점 동시 검출이나 이동점의 검출이 가능하다고 하는 우수한 특성을 얻을 수 있다. 이 다수의 광투과성 센서부가 검지한 신호를 외부로 빼내기 위해, 모든 광투과성 센서부와, 신호를 외부로 빼내기 위해 설치되는 단자부 사이에는, 이들을 전기적으로 접속하는 복수의 주변 배선으로 구성되는, 주변 배선부가 설치된다. 최근에는, 액정 디스플레이 화면 이외의 부분을 보다 좁게 하는 것이 요구되고 있으며, 이 주변 배선부가 차지하는 영역을 좁게 하는 것이 요구되고 있다. 이 때문에 주변 배선부에서는, 주변 배선을 보다 가늘게, 또한 주변 배선의 간격을 보다 좁게 하는 것이 필요하다.

터치 패널을 제조할 때, 광투과성 센서부 및 주변 배선부를 갖는 광투과성 도전재료는, 다른 광투과성 도전재료나 보호 패널 등에 접착되어 사용된다. 주변 배선의 선폭을 가늘게 하고, 주변 배선의 간격을 좁게 하면, 제조시에 손상이 발생하여 단선이 생기는 경우가 있다. 이러한 문제를 해소하기 위해, 광투과성 도전재료의 표면에 보호 필름을 접합함으로써 센서부 및 주변 배선부 등을 보호하는 것이 일반적으로 실시된다. 이와 같은 용도로 이용되는 보호 필름은 대전하기 쉽기 때문에, 보호 필름으로 광투과성 도전재료의 표면이 덮이면, 보호 필름이 가지고 있는 전하가 센서부로 이동하여, 센서부가 전하를 띠기 쉽다. 또한, 광투과성 도전재료로부터 보호 필름을 벗길 때에도, 센서부가 전하를 띠기 쉽다. 대전하고 있는 복수의 센서부 간의 전위차가 커지면, 센서부에 개별로 접속되는 주변 배선 사이에서 방전이 발생하기 쉬워지며, 주변 배선의 간격이 좁은 경우에는, 방전의 발생이 더욱 현저해 진다. 이러한 방전이 발생하면, 주변 배선부에 결함(정전 파괴)이 생기고, 터치 패널을 제조할 때의 수율을 현저하게 저하시킨다.

또한, 정전용량방식의 터치 패널을 제조할 때에는, 2매의 광투과성 도전재료가 접합되고, 접합된 광투과성 도전재료는 FPC(플렉서블 프린트 기판) 케이블과 접속되고, 그 FPC 케이블은 컨트롤러 IC와 접속되고, 그들이 회로로서 연결되어 대전 현상은 해소된다. 그러나, 컨트롤러 IC를 접속하기 전 단계, 예를 들면 컨트롤러 IC가 접속되어 있지 않은 단계에서의 광투과성 도전재료의 조립 공정이나 보관 공정에 있어서, 주변 배선부의 정전 파괴의 원인이 되는 대전에 의한 센서부의 전위차의 발생을 해소하는 것은 매우 어려웠다.

특허문헌 1에는, 터치 패널의 제조 과정 중에 발생하는 주변 배선의 손상을 방지하기 위해, 주변 배선부의 근방에 광투과성 도전부와 전기적으로 접속하지 않는 가이드 라인을 설치하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 금속 패턴의 부식 방지나 무전해도금 부착의 균일성을 향상시키기 위해, 주변 배선의 선폭을 변화시키는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 3에는, 배선마다의 전기 용량의 차이를 줄이기 위해, 보조 배선을 설치하고, 주변 배선의 선폭과 주변 배선간의 간격을 변화시키는 것이 기재되어 있다.

특허문헌 1: 일본특허공개 2014-63467호 공보 특허문헌 2: 일본특허공개 2013-206301호 공보 특허문헌 3: 일본특허공개 2009-237673호 공보

특허문헌 1이나 특허문헌 2, 특허문헌 3 등에 기재된 방법을 이용해도, 주변 배선부의 정전 파괴를 막고, 터치 패널 제조시의 수율을 향상시키는 목적에 있어서는, 만족할 수 있는 결과는 얻을 수 없었다. 이에 본 발명의 목적은, 터치 패널 제조시의 수율 저하가 개선된 광투과성 도전재료를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 상기 과제는, 지지체상에, 제1 방향으로 신장하는 광투과성 센서부와, 제1 방향에 대해 수직 방향인 제2 방향에 있어서 상기 센서부와 교대로 늘어선 광투과성 더미부와, 단자부와, 상기 센서부와 상기 단자부를 전기적으로 접속하는 복수의 주변 배선으로 구성되는 주변 배선부와, 상기 센서부와 전기적으로 접속되지 않는 복수의 어스 배선으로 구성되는 어스부를 가지며, 주변 배선부가 갖는 복수의 주변 배선은, 인접하는 주변 배선간에 평행한 부분을 가지며, 어스부가 갖는 복수의 어스 배선은, 인접하는 어스 배선간에 평행한 부분을 가지며, 그 주변 배선이 평행한 부분에 있어서, 주변 배선간의 최소 간격 거리를 A, 그 어스 배선이 평행한 부분에 있어서, 어스 배선간의 최소 간격 거리를 B로 했을 때, A>B인 광투과성 도전재료에 의해 기본적으로 해결된다.

여기서, 주변 배선부의 주변 배선이 평행한 부분의 배선 방향과, 어스부의 어스 배선이 평행한 부분의 배선 방향이 일치하는 것이 바람직하다. 또한, 배선 방향이 동일한 주변 배선이 평행한 부분의 주변 배선간의 간격 거리가, 모두 최소 간격 거리 A인 것이 바람직하다. 또한, 배선 방향이 동일한 어스 배선이 평행한 부분의 어스 배선간의 간격 거리가, 모두 최소 간격 거리 A보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 최소 간격 거리 B가 최소 간격 거리 A에 대해 10~80%인 것이 바람직하다. 또한, 어스 배선의 선폭이 주변 배선의 선폭 이상인 것이 바람직하다. 또한, 어스부가, 단자부에 접속되는 적어도 한 개의 어스 배선과, 다른 부위에 접속되지 않는 복수의 어스 배선으로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 어스 배선의 적어도 한 개가, 광투과성 센서부와 광투과성 더미부와 주변 배선부를, 단자부 이외의 장소에서 둘러싸고 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 따라 센서부간의 전위차를 해소할 수 있고, 주변 배선부의 정전 파괴를 방지할 수 있기 때문에, 터치 패널 제조시의 수율 저하가 개선된 광투과성 도전재료를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 광투과성 도전재료의 일례를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의, 인접하는 주변 배선의 위치 관계를 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 도 1에 도시한 광투과성 도전재료의 주변 배선부, 단자부 및 어스부의 확대도이다.
도 4(a)는 주변 배선간의 최소 간격 거리 A를 설명하기 위한 확대도, 도 4(b)는 어스 배선간의 최소 간격 거리 B를 설명하기 위한 확대도이다.

이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명하면서 도면을 이용하여 설명하지만, 본 발명은 그 기술적 범위를 벗어나지 않는 한 다양한 변형이나 수정이 가능하며, 이하의 실시 형태로 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다.

도 1은 본 발명의 광투과성 도전재료의 일례를 도시한 개략도이다. 본 발명의 광투과성 도전재료(1)는, 지지체(2)상에, 제1 방향(도 중 y방향)으로 신장하는 광투과성 센서부(11)와, 제1 방향에 대해 수직 방향인 제2 방향(도 중 x방향)에 있어서, 상기 센서부(11)와 교대로 늘어선 광투과성 더미부(12)를 가진다. 센서부(11)는 복수개가 설치되며(도 중 11a, 11b, 11c, …, 11p 등), 이에 따라 상기 센서부(11)와 교대로 늘어선 더미부(12)도 복수개가 설치된다(도 중 12a, 12b, 12c 등). 또한, 도 1에 있어서 센서부(11)와 더미부(12)는, 그들의 영역을 나타내기 위해 편의상 격자 모양과 도트 모양으로 나타내고 있다.

단자부(14)는, 센서부(11)와 외부를 전기적으로 접속하기 위한 부분이며, 센서부(11)의 수에 따라(또한 후술하는 어스 배선(151)이 접속되는 단자도 포함되며) 복수의 단자(도 중 14a, 14b, 14c 등)로 구성된다. 센서부(11a)는 주변 배선(13a)을 통해 단자(14a)에 전기적으로 접속되어 있고, 이 단자(14a)를 통해 외부에 전기적으로 접속함으로써, 센서부(11)에서 감지한 정전 용량의 변화를 파악할 수 있다. 더미부(12)는 단자부(14)와 전기적인 접속은 없다.

주변 배선부(13)는, 센서부(11)와 단자부(14)를 전기적으로 접속하는 복수의 주변 배선으로 구성되며(도 중 13a, 13b, 13c, …, 13p 등), 각각의 주변 배선은 인접하고, 굴절하면서 도 중 y방향과 x방향으로 신장하여 센서부(11)와 단자부(14)를 연결하고 있기 때문에, 주변 배선부(13)가 갖는 복수의 주변 배선은, 인접하는 주변 배선과의 사이에서 평행한 부분을 가지고 있다. 예를 들면 도 1에 있어서, 주변 배선(13a)과 이에 인접하는 주변 배선(13b) 사이에는, 배선 방향이 y방향과 x방향의 2 방향에 있어서, 평행한 부분이 존재한다. 그 평행한 부분에 있어서의 배선 방향은, y방향 단독 혹은 x방향 단독이어도 괜찮고, 경사 방향이어도 괜찮다.

본 발명에 있어서 주변 배선부(13)가 갖는 복수의 주변 배선은, 상술한 대로, 인접하는 주변 배선간에 평행한 부분을 가진다. 이하에 이 평행한 부분에 대해 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는, 본 발명에 있어서의, 인접하는 주변 배선의 위치 관계를 설명하기 위한 확대도이다.

도 2에 있어서, 선분(21~24)은 모두 x방향으로 신장하고 있기 때문에 평행하다. 선분(22)에 있어서, 점(221~222) 사이에서는 선분(22)의 수선(2211) 및 수선(2221)은 선분(23)과 교차한다. 이 경우, 즉, 도 중 x방향에 있어서 선분(22)과 선분(23)에 병렬하는 부분이 존재하는 경우에, 선분(22)과 선분(23)은 인접하는 위치 관계에 있다고 한다. 또한 선분(23)에 있어서, 점(231~232) 사이에서는 선분(23)의 수선(2311) 및 수선(2321)은 선분(24)과 교차한다. 이 경우, 즉, 도 중 x방향에 있어서 선분(23)과 선분(24)에 병렬하는 부분이 존재하는 경우에, 선분(23)과 선분(24)은 인접하는 위치 관계에 있다고 한다. 한편, 선분(21)과 선분(22) 사이에는 수선을 그어도 교차하는 영역이 없다. 이 경우, 즉, 도 중 x방향에 있어서 선분(21)과 선분(22)에는 병렬하는 부분이 존재하지 않는 경우에는, 선분(21)과 선분(22)은 인접하는 위치 관계에 없다. 여기서, 2개의 선분이 병렬하는 위치 관계에 있어도, 그들 사이에 다른 패턴이 끼워져 존재하고 있는 경우는, 그들이 인접하고 있다고는 말하지 않는다. 이와 같이 도 2에 있어서는, 인접하는 선분(22)과 선분(23) 사이에 평행한 부분이 존재하고, 인접하는 선분(23)과 선분(24) 사이에 평행한 부분이 존재하고, 게다가, 각각이 인접하는 관계에 있는 선분(22)과 선분(23)과 선분(24)의 3개가 평행하기 때문에, 이들 3개로 본 발명에 있어서의 평행한 부분을 형성하고 있다고도 말할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 있어서의 평행한 부분은, 인접하는 2개의 주변 배선만으로 형성하고 있어도 괜찮고, 각각이 인접하고 있는 3개 이상의 주변 배선으로 형성하고 있어도 괜찮다. 또한, 평행한 부분은 주변 배선부 중 적어도 한 곳 존재하면 괜찮다. 또한, 상기한 본 발명에 있어서의 「인접」의 정의는, 어스부에 있어서의 어스 배선의 위치 관계에 있어서도 같은 의미다.

이어서 어스부에 대해 설명한다. 본 발명의 광투과성 도전재료는, 상기한 센서부(11)와 전기적으로 접속되지 않는 어스부(15)를 가진다.

도 3은, 도 1에 도시한 광투과성 도전재료의 주변 배선부, 단자부 및 어스부의 확대도이다. 또한, 도 3 중, 광투과성 센서부(11)와 광투과성 더미부(12)는 생략했다. 본 발명에 있어서, 어스부(15)는 센서부(11)와는 접속되지 않는다. 본 발명에 있어서, 어스부(15)를 구성하는 어스 배선은, 단자부(14)에 접속되어 있어도, 접속되어 있지 않아도 괜찮지만, 어스부(15)는, 단자부에 접속되는 적어도 한 개의 어스 배선과, 다른 부위에 접속되지 않는 복수의 어스 배선으로 구성되는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 있어서, 어스부(15)는, 단자(14r)에 접속되는 어스 배선(151)과, 도 4(b)에 도시한, 다른 부위에 접속되지 않는 복수의 어스 배선, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h으로 구성된다. 도 3에 있어서, 어스부(15)는, 배선 방향이 x방향에 있어서, 각각 인접하고 평행한 부분을 가진다. 도 3에서는, 배선 방향이 x방향에 있어서, 각각이 인접하는 관계에 있는 모든 어스 배선이 평행하게 되어 있는 예를 도시했지만, 본 발명에 있어서, 평행한 부분은 어스부 중에 적어도 한 곳 존재하면 괜찮다.

도 3에서는, 어스 배선(151)은 단자(14r)에 접속되는 배선이며, 동시에, 광투과성 센서부(11)와, 광투과성 더미부(12)와, 주변 배선부(13)를, 단자부(14) 이외의 장소에서 둘러싸는 배선이기도 하다(상술한 도 1 참조). 이와 같이 어스 배선의 적어도 한 개는, 광투과성 센서부(11)와, 광투과성 더미부(12)와, 주변 배선부(13)를, 단자부(14) 이외의 장소에서 둘러싸는 것이 바람직하다. 이에 따라 정전 파괴에 대한 내성에 특히 우수한 광투과성 도전재료를 얻을 수 있다.

또한 도 3에서는, 복수의 주변 배선간에 존재하는 평행한 부분은, 배선 방향이 x방향에 있어서 평행한 부분과, 배선 방향이 y방향에 있어서 평행한 부분의 2 방향이며, 한편, 복수의 어스 배선간에 존재하는 평행한 부분은, 배선 방향이 x방향에 있어서 평행하기 때문에, 복수의 주변 배선간에 존재하는 평행한 부분의 배선 방향과, 복수의 어스 배선간에 존재하는 평행한 부분의 배선 방향은 x방향으로 일치하고 있다. 이와 같이, 주변 배선부의 주변 배선이 평행한 부분의 배선 방향과, 어스부의 어스 배선이 평행한 부분의 배선 방향이 일치하고 있는 점에서, 정전 파괴에 대한 내성에 특히 우수한 광투과성 도전재료를 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.

이어서 도 3 및 도 4를 이용하여, 본 발명에 있어서의 최소 간격 거리에 대해 설명한다.

도 3에 있어서, 주변 배선부(13)는 주변 배선(13a, 13b, …, 13p)으로 구성되며, 주변 배선(13a, 13b, …, 13p)은, 배선 방향이 x방향 및 y방향의 2 방향에 있어서, 각각 인접하고 평행한 부분을 가진다. 이들의 평행한 부분 중에서, 주변 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳(주변 배선(13a)과 (13b)의 사이)을, 도 4(a)에 있어서, D13으로 도시했다. 본 발명에서는, 이 주변 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳(D13)의 배선 간격 거리를 최소 간격 거리 A로 한다. 주변 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳(D13)이 복수 존재하고 있어도 괜찮고, 게다가, 배선 방향이 동일한 주변 배선이 평행한 부분의 주변 배선간의 간격 거리(예를 들면 도 3에 있어서는, 주변 배선(13a, 13b, …, 13p)의 각각의 배선 방향이 동일한 x방향이며, 인접하는 주변 배선과 평행한 부분의 각 배선간의 간격 거리)가, 모두 최소 간격 거리 A인 것이 바람직하다. 이에 따라 정전 파괴에 대한 내성이 우수한 광투과성 도전재료를 얻을 수 있다. 도 3에 있어서, 어스 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳을, 도 4(b)에 있어서, D15로 도시했다. 본 발명에서는, 이 어스 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳(어스 배선(15g)과 (15h)의 사이)(D15)의 배선 간격 거리를 최소 간격 거리 B로 한다. 어스 배선간의 간격 거리가 가장 좁은 곳(D15)이 복수 존재하고 있어도 괜찮다. 그리고, 본 발명에서는 주변 배선간의 최소 간격 거리 A와 어스 배선간의 최소 간격 거리 B는, A>B의 관계에 있다. 이러한 관계를 유지함으로써, 정전 파괴에 의한 수율의 저하를 개선한 광투과성 도전재료를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 어스 배선간의 최소 간격 거리 B는, 주변 배선간의 최소 간격 거리 A에 대해서 10~80%인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 주변 배선부를 구성하는 주변 배선의 선폭은 5~200μm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~100μm이다. 주변 배선의 길이는, 터치 패널의 화면의 크기에 따라 다르지만, 통상 그 범위는 1~1000mm이다. 한편, 주변 배선부에 있어서의 각각의 주변 배선간의 간격 거리는 5~150μm가 바람직하고, 10~70μm인 것이 보다 바람직하고, 10~50μm인 것이 특히 바람직하다. 이러한 주변 배선의 선폭과 주변 배선간의 간격 거리를 조정함으로써, 액정 디스플레이 화면 이외의 부분을 보다 좁게 하는 것이 가능해진다. 어스부를 구성하는 어스 배선의 선폭은, 주변 배선부를 구성하는 주변 배선의 선폭과 같거나, 혹은 그것보다 굵은 것이 바람직하다. 이에 따라 정전 파괴에 대한 내성이 우수한 광투과성 도전재료를 얻을 수 있다. 또한 상술한 대로, 어스 배선간의 최소 간격 거리 B는 주변 배선간의 최소 간격 거리 A보다도 작지만, 배선 방향이 동일한 어스 배선이 평행한 부분의 어스 배선간의 간격 거리(예를 들면 도 3 및 도 4에 있어서는, 어스 배선(151) 및 어스 배선(15a~15h)의 각각의 배선 방향이 동일한 x방향이며, 인접하는 어스 배선과 평행한 부분의 각 배선간의 간격 거리)가, 모두 주변 배선간의 최소 간격 거리 A보다 작은 것이 바람직하다. 게다가, 이 조건을 만족한 후에, 어스 배선간의 간격 거리는 5~150μm인 것이 바람직하고, 5~50μm인 것이 보다 바람직하다. 어스부의 배선 간격은 모두 같아도 괜찮지만, 달라도 괜찮다. 주변 배선과 어스 배선의 두께는 0.05~10μm인 것이 바람직하고, 0.05~2μm의 두께인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 광투과성 도전재료가 갖는 지지체로서는, 플라스틱, 유리, 고무, 세라믹스 등이 바람직하게 이용된다. 본 발명에 있어서 지지체는, 전 광선 투과율이 60% 이상의 광투과성 지지체인 것이 바람직하다. 플라스틱 중에서도, 플렉서블성을 갖는 수지 필름은, 취급성이 우수한 점에서 바람직하게 이용된다. 광투과성 지지체로서 사용되는 수지 필름의 구체적인 예로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 아크릴수지, 에폭시수지, 불소수지, 실리콘수지, 디아세테이트수지, 트리아세테이트수지, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리올레핀, 환형상 폴리올레핀 등으로 이루어진 수지 필름을 들 수 있고, 그 두께는 25~300μm인 것이 바람직하다. 지지체는 물리현상핵층, 역접착층, 접착제층 등 공지의 층을 가질 수 있다.

본 발명의 광투과성 도전재료가 갖는 광투과성 센서부와, 상기 센서부와 교대로 늘어선 광투과성 더미부에는, 공지의 광투과성 도전층 등을 이용할 수 있다. 예를 들면, 광투과성 센서부를 ITO(산화인듐주석) 도전막으로 형성하고, ITO 도전막이 없는 부분을 더미부로 할 수 있다. 게다가, ITO 도전막보다 광투과성을 높게 할 수 있는 점과 가효성이 높은 점 등의 이점을 갖기 때문에, 광투과성 센서부 및 광투과성 더미부로서 금속 세선에 의해 형성한 그물코 모양 금속 패턴이 바람직하게 이용된다. 그물코 모양 금속 패턴을 형성할 때에 이용하는 금속으로서는, 금, 은, 동, 니켈, 알루미늄, 및 이들 복합재에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 광투과성 센서부, 광투과성 더미부, 단자부, 주변 배선부 및 어스부를, 같은 금속을 이용하여 형성하면, 같은 수법으로 동시에 제작할 수 있기 때문에, 생산성의 관점에서 바람직하다.

본 발명에 있어서, 광투과성 센서부, 광투과성 더미부, 단자부, 주변 배선부 및 어스부를, 금속 패턴에 의해 형성하는 방법으로서는, 은염 감광 재료를 이용하여 은화상을 얻는 방법이나, 같은 방법을 이용하여 얻어진 은화상에, 다시 무전해도금이나 전해 도금을 입히는 방법, 스크린 인쇄 등에 의해 도전성 잉크를 인쇄하는 방법, 도전성 잉크를 잉크젯법으로 인쇄하는 방법, 무전해도금 등으로 동 등의 금속으로 이루어진 도전성층을 형성하는 방법, 혹은 증착이나 스팩터 등으로 도전성층을 형성하고, 그 위에 레지스터막을 형성하여, 노광, 현상, 도전성층의 에칭, 레지스터층을 제거함으로써 얻는 방법, 동박 등의 금속박을 붙이고, 다시 그 위에 레지스터막을 형성하여, 노광, 현상, 금속박의 에칭, 레지스터층을 제거함으로써 얻는 방법 등, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 그 중에서도, 광투과성 센서부와 광투과성 더미부를 구성하는 그물코 모양 금속 패턴을 미세화하는 것이 용이한 은염 확산 전사법을 이용하는 것이 바람직하다. 은염 확산 전사법을 이용한 방법은, 예를 들면 일본특허공개 2003-77350호 공보나 일본특허공개 2005-250169호 공보에 기재되어 있다. 이들 수법으로 제작한 그물코 모양 금속 패턴의 세선의 두께는 0.05~5μm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~1μm이다.

본 발명의 광투과성 도전재료가 갖는 광투과성 센서부 및 광투과성 더미부가, 금속 세선에 의해 형성한 그물코 모양 금속 패턴을 갖는 경우, 그물코 모양 금속 패턴은 복수의 단위격자를 그물코 모양에 배치한 기하학 형상을 갖는 것이 바람직하다. 단위격자의 형상으로서는, 예를 들면 정삼각형, 이등변삼각형, 직각삼각형 등의 삼각형, 정사각형, 직사각형, 마름모형, 평행사변형, 사다리꼴 등의 사각형, 육각형, 팔각형, 십이각형, 이십각형 등의 n각형, 별형 등을 조합한 형상을 들 수 있고, 또한, 이들 형상이 단독으로 반복하거나, 혹은 2종류 이상의 복수 형상의 조합을 들 수 있다. 그 중에서도, 단위격자의 형상으로서는 정사각형 혹은 마름모형이 바람직하다. 또한, 보로노이 도형이나 드로네 도형, 펜로즈 타일 도형 등으로 대표되는 불규칙 기하학 형상도, 본 발명에서의 바람직한 그물코 모양 금속 패턴의 형상 중 하나이다.

광투과성 센서부 및 광투과성 더미부를 구성하는 금속선의 선폭은 20μm 이하가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다. 또한, 단위격자의 반복 간격은 600μm 이하가 바람직하고, 400μm 이하가 보다 바람직하다. 단위격자의 반복 간격의 하한은 50μm 이상이다. 광투과성 센서부 및 광투과성 더미부의 개구율은 85% 이상이 바람직하고, 88~99%가 보다 바람직하다.

본 발명의 광투과성 도전재료가 갖는 광투과성 더미부는, 광투과성 센서부의 시인성을 저하시키는 목적으로 이용하는 것이며, 광투과성 더미부는 단자부와 전기적으로 접속되지 않는다. 상술한 바와 같이, 센서부로서 ITO 도전막을 이용하는 경우는, 단지 ITO 도전막이 없는 부분을 더미부라고 해도 괜찮지만, 센서부를 금속 세선에 의해 형성했을 경우는, 더미부에 아무것도 설치하지 않으면 센서부가 눈에 띄어 버리기 때문에, 더미부에도 금속 세선에 의한 패턴을 형성함으로써, 센서부와 더미부에 있어서의 외형의 차이가 적어지고, 센서부의 시인성을 저하시킬 수 있다. 그러나, 더미부를 금속 세선에 의해 형성하면 도전성이 생기기 때문에, 더미부와 센서부 사이에 도전 물질이 존재하지 않는 절연부분을 적어도 설치함으로써 전기적인 접속을 끊는 것이 필요하다. 이 절연부분은 금속 세선에 단선 부분을 설치함으로써 용이하게 형성할 수 있다. 단선 부분의 길이로서는 30μm 이하인 것이 바람직하고, 3~15μm인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5~12μm이다. 또한, 더미부의 내부에도 복수의 단선 부분을 설치하는 것이 바람직하다. 이에 따라 센서로 했을 때의 감도가 우수한 광투과성 도전재료를 얻을 수 있다. 또한 더미부는, 센서부의 시인성을 저하시키는 목적에서, 센서부와 같은 형상의 단위격자로 이루어진 것이 바람직하고, 일부가 단선한 단위격자으로 구성되는 단선 격자로 하는 것도 가능하다. 단선 부분을 설치하는 방법으로서는, 단위격자를 구성하는 금속 세선에 직교하도록 격자의 일부에 단선부를 설치해도 괜찮고, 혹은 단위격자를 구성하는 금속 세선을 비스듬하게 단선시키는 단선부를 설치해도 괜찮다. 더미부의 금속 세선의 선폭은 센서부의 금속 세선과 같은 선폭이나, 혹은 더미부의 단선 부분의 면적에 상당하는 분만큼, 굵게 하는 것이 바람직하다. 더미부에 있어서의 단선 부분의 길이는 30μm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3~15μm이다. 또한, 센서부와 더미부의 전 광선 투과율의 차이는 1% 이내인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 단자부는, 광투과성 센서부에 접속된 주변 배선과 접속되며, 상기 단자부에 FPC 배선 등을 본딩하여 IC회로에 접속함으로써, 광투과성 센서부에서 수신한 정전 용량 정보를 IC회로로 주고 받는 역할을 가진다. 단자부가 갖는 복수의 단자의 형상에는 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형, 원, 타원 등 공지의 형상을 이용할 수 있다.

본 발명의 광투과성 도전재료는, 광투과성 센서부, 광투과성 더미부 등을 갖는 측의 면, 혹은 그 반대측 면에, 하드코트층, 반사방지층, 점착층, 방현층 등 공지의 층을 가질 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

<광투과성 도전재료 1의 제작>

지지체로서, 두께 100μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 이용했다. 또한 이 지지체의 전 광선 투과율은 91%이었다.

이어서 하기의 처방에 따라, 물리현상핵층도액을 조제하고, 지지체상에 도포, 건조하여 물리현상핵층을 설치했다.

<황화 팔라듐졸의 조제>

A액 염화 팔라듐 5g

염산 40ml

증류수 1000ml

B액 황화소다 8.6g

증류수 1000ml

A액과 B액을 교반하면서 혼합하고, 30분 후에 이온교환수지가 충전된 컬럼을 통해 황화 팔라듐졸을 얻었다.

<물리현상핵층도액의 조제> 은염 감광 재료 1m²당 양

상기 황화 팔라듐졸 0.4mg

2 질량% 글리옥살 수용액 0.2ml

계면활성제(S-1) 4mg

폴리에틸렌 글리콜 디글리시딜에테르 50mg

(나가세켐텍스(주)제 데나콜 EX-830)

10 질량% 폴리에틸렌이민 수용액 0.5mg

((주)일본촉매제 SP-200, 평균 분자량 10000)

이어서, 지지체에 가까운 쪽부터 순서대로 하기 조성의 중간층, 할로겐화은유제층, 및 보호층을 상기 물리현상핵액층 위에 도포, 건조하여, 은염 감광 재료를 얻었다. 할로겐화은유제는, 사진용 할로겐화은유제의 일반적인 더블 제트 혼합법으로 제조했다. 이 할로겐화은유제는, 염화은 95몰%와 브롬화는 5몰%이고, 평균 입경이 0.15μm가 되도록 조제했다. 이와 같이 하여 얻어진 할로겐화은유제를 정법에 따라 티오황산나트륨과 염화금산을 이용하여, 금황 증감을 입혔다. 이렇게 하여 얻어진 할로겐화은유제는 은1g당 0.5g의 젤라틴을 포함한다.

<중간층 조성> 은염 감광 재료 1m²당 양

젤라틴 0.5g

계면활성제(S-1) 5mg

염료 1 5mg

[화 1]

[화 2]

<할로겐화은유제층 조성> 은염 감광 재료 1m²당 양

젤라틴 0.5g

할로겐화은유제 3.0g은상당

1-페닐-5-메르캅토테트라졸 3mg

계면활성제(S-1) 20mg

<보호층 조성> 은염 감광 재료 1m²당 양

젤라틴 1g

부정형 실리카 매트제(평균 입경 3.5μm) 10mg

계면활성제(S-1) 10mg

이와 같이 하여 얻은 은염 감광 재료와, 도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고를 밀착하고, 수은등을 광원으로 하는 밀착 프린터로 400nm 이하의 빛을 컷하는 수지 필터를 통해 노광했다. 또한, 도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 광투과성 센서부(11)는, 선폭 5μm, 한 변 300μm로 좁은 쪽의 각도가 60°인 능형의 단위 도형으로 이루어진 그물코 모양 패턴을 가진다. 광투과성 더미부(12)는, 선폭 5μm로 광투과성 센서부(11)와 같은 형상의 능형의 단위 도형으로 이루어지지만, 능형의 변의 중앙에 길이 5μm의 단선부를 설치하고, 광투과성 센서부(11)와 광투과성 더미부(12)의 경계부에 길이 10μm의 단선부를 설치하고 있다. 또한, 센서부(11)와 광투과성 더미부(12)의 전 광선 투과율의 차이는 0.05%이다. 주변 배선부(13)와 단자부(14) 및 어스부(15)는 모두 베타의 선분으로 이루어진다. 또한, 이 포지티브형 투과 원고를 도 3 및 도 4로 설명하면, 주변 배선부(13)가 갖는 주변 배선(13a, 13b, …, 13p)의 선폭은 모두 20μm이며, 배선 방향이 x방향에 있어서, 이들이 인접하고 평행한 부분에 있어서의 배선 간격 거리는 모두 20μm이다. 이 평행한 부분의 배선 간격 거리 20μm는, 주변 배선부(13)의 다른 평행한 부분의 배선 간격 거리보다 작기 때문에, 최소 간격 거리 A는 20μm이다. 또한, 어스부(15)가 갖는 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h)의 선폭은 모두 30μm이며, 배선 방향이 x방향에 있어서, 이들이 인접하고 평행한 부분에 있어서의 배선 간격 거리는 모두 10μm이며, 따라서 최소 간격 거리 B도 10μm이다. (이하의 예에서도, 주변 배선부 및 어스부의 배선 간격 거리는, 각각, 배선 방향이 x방향에 있어서 배선이 인접하고 평행한 부분에 있어서의 값을 말하며, 최소 간격 거리 A 및 최소 간격 거리 B는 그 평행한 부분에 존재하고 있다.)

그 후, 노광한 은염 감광 재료를 하기의 확산 전사 현상액 중에 20℃에서 60초간 침지하고, 이어서 할로겐화은유제층, 중간층 및 보호층을 40℃의 온수에서 수세 제거하고, 건조 처리하여 광투과성 도전재료 1을 얻었다. 이상의 작업을 반복하여, 도 1 형상의 금속 패턴을 갖는 광투과성 도전재료 1을 100매 얻었다. 또한, 얻어진 광투과성 도전재료에 있어서의 금속 패턴의 선폭, 배선 간격 거리는 도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고와 같았다. 또한, 광투과성 센서부(11) 및 광투과성 더미부(12)를 구성하는 그물코 모양 금속 패턴의 세선의 두께, 및 주변 배선(13a, 13b, 13c, …, 13p)과 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, …, 15h)의 금속 패턴의 두께를 공초점 현미경으로 조사했는데, 모두 0.1μm였다. 하기의 광투과성 도전재료(2~8)에 있어서도, 공초점 현미경으로 조사한 각 금속 패턴의 두께는, 모두 0.1μm였다.

<확산 전사 현상액 조성>

수산화칼륨 25g

하이드로퀴논 18g

1-페닐-3-피라졸리돈 2g

아황산칼륨 80g

N-메틸에탄올아민 15g

브롬화칼륨 1.2g

물을 더해서 전량을 1000ml로 하여, pH를 12.2로 조정했다.

<광투과성 도전재료 2의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, …, 15h)의 각 배선간의 배선 간격 거리를 모두 18μm(따라서 최소 간격 거리 B도 18μm)로 변경한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 2를 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 3의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, …, 15h)의 각 배선간의 배선 간격 거리를 모두 25μm(따라서 최소 간격 거리 B도 25μm)로 변경한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 3을 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 4의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 어스부(15)가 갖는 어스 배선 중 어스 배선(151)만을 남기고, 다른 어스 배선(15a, 15b, 15c,…, 15h)을 삭제한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 4를 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 5의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 어스 배선 중, 15a, 15b, 15c, 15d의 각 배선간의 배선 간격 거리를 모두 25μm로 변경하고, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h, 151의 각 배선간의 배선 간격 거리를 모두 18μm(따라서 최소 간격 거리 B는 18μm)로 변경한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 5를 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 6의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 어스 배선 중, 15a와 15b 사이의 배선 간격 거리를 10μm로 하고, 15b와 15c 사이의 배선 간격 거리를 14μm로 하고, 15c와 15d 사이의 배선 간격 거리를 18μm로 하고, 15d와 15e 사이의 배선 간격 거리를 22μm로 하고, 15e와 15f 사이의 배선 간격 거리를 26μm로 하고, 15f와 15g 사이의 배선 간격 거리를 30μm로 하고, 15g와 15h 사이의 배선 간격 거리를 34μm로 하고, 15h와 151의 사이의 배선 간격 거리를 38μm로 하여, 인접하는 어스 배선간의 간격 거리가 15a부터 151에 걸쳐 4μm씩 증가하도록 변경한(따라서 최소 간격 거리 B는 10μm) 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 6을 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 7의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 주변 배선 중, 13a와 13b 사이의 배선 간격 거리를 15μm로 하고, 그 외의 주변 배선간에 있어서의 배선간 거리를 모두 25μm(따라서 최소 간격 거리 A는 15μm)로 변경하고, 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, …, 15h)의 각 배선간의 배선 간격 거리를 모두 20μm(따라서 최소 간격 거리 B도 20μm)로 변경한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 7을 100매 얻었다.

<광투과성 도전재료 8의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 주변 배선 중, 13a와 13b 사이의 배선 간격 거리를 15μm로 하고, 그 외의 주변 배선간에 있어서의 배선간 거리를 모두 25μm(따라서 최소 간격 거리 A는 15μm)로 변경한 이외는 동일한 포지티브형 투과 원고를 이용하고, 이것을 이용하여 노광한 이외는 광투과성 도전재료 1과 동일하게 하여, 광투과성 도전재료 8을 100매 얻었다.

《양품율의 평가 시험》

얻어진 광투과성 도전재료 1~8에 대해서, 도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에서는 패턴이 연결되어 있는 관계에 있는 센서부(11), 주변 배선부(13) 및 단자부(14)를 하나의 도전 단위로 하고, 이 도전 단위 내에서의 도통의 유무와, 다른 도전 단위 사이에서의 단락의 유무를 테스터(싸인소닉사제 DT9205A)로 측정하여, 100매의 광투과성 도전재료 중, 도통하는 모든 센서부(11a~11p)를 갖는 도전 단위로 인정되고, 단락이 전혀 없는 광투과성 도전재료의 매수를 양품율(%)로 평가하였다.

《정전 파괴의 평가 시험》

또한, 동판 위에, 얻어진 광투과성 도전재료 1~8를, 광투과성 센서부, 광투과성 더미부 등을 갖는 측의 면이, 동판과 접축하지 않는 방향이 되도록 거듭하여, 다시 은화상면 위에 두께 100μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 두고, 23℃에서 상대습도 50% 분위기하에서 1일 시즈닝한 후, 정전 파괴 시험기(EM TEST사제 DITO ESD Simulator, 선단팁은 동일 회사제 DM1팁을 이용했다)를 이용하여, 이하와 같이 정전 파괴 테스트를 실시했다. 정전 파괴 시험기의 어스선을 동판에 설치하고, 선단칩 부분을 100 μm의 PET 필름 위, 또한 단자부(14)의 위가 되도록 위치시킨 후, 전압 8kV로 1회 정전 방사를 실시하였다. 정전 방사 후, PET 필름을 벗겨, 센서부(11) 전체 선 내 및 주변 배선부(13) 전체선 내에서의 도통을 확이하여, 단선이 없는 것을 ○, 1개인 것을 △, 2개 이상 있는 것을 ×로 했다. 이러한 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

상기 표 1의 시험 결과로부터 밝혀진 바와 같이, 본 발명에 의해 양품율이 양호하고 정전 파괴가 적은 광투과성 도전재료를 얻을 수 있기 때문에, 터치 패널 제조시의 수율의 저하를 개선할 수 있었다.

<광투과성 도전재료 9의 제작>

도 1의 패턴을 갖는 포지티브형 투과 원고에 있어서, 광투과성 센서부(11)의 부분만이 그물코 모양 패턴이 아닌 베타 패턴으로 그려지고, 그 이외의 부분에는 패턴을 갖지 않는 원고를 준비했다. ITO 필름(동양방(주)제 300R)의 ITO면 위에, 두께 15μm의 드라이 필름 레지스터(아사히화성(주)제 SUNFORT시리즈 SPG102)를 래미네이트하고, 다시 수은등을 광원으로 하는 밀착 프린터로 400nm 이하의 빛을 컷하는 수지 필터를 통하지 않고, 이 포지티브형 투과 원고를 밀착시켜 노광하고, 30℃의 1 질량% 탄산나트륨 수용액 중에서 요동시키면서 40초간 현상했다. 이어서, ITO용 에칭액(사사키화학약품(주)제 에스크린IS)을 이용하여 상온에서 120초간 ITO 피막을 에칭하고(또한, 에칭 처리의 전후에는 수세 공정을 설치하고 있다), 그 후, 40℃의 3 질량% 수산화나트륨 수용액을 스프레이로 분무함으로써, 드라이 필름 레지스터를 박리, 제거하고, 수세, 건조하여 ITO의 패터닝 필름을 얻었다.

도 1과 동일한 주변 배선부(13), 단자부(14) 및 어스부(15)의 패턴이 그려지고, 그들 이외의 부분에는 패턴을 갖지 않는 포지티브형 투과 원고를 준비했다. 이 포지티브형 투과 원고에 있어서, 주변 배선(13a, 13b, 13c, …, 13p)의 선폭은 모두 20μm로 하고, 주변 배선간에 있어서의 배선간 거리는 모두 20μm(따라서 최소 간격 거리 A도 20μm)로 하고, 또한, 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h)의 선폭은 모두 30μm로 하고, 어스 배선간에 있어서의 배선 간격 거리는 모두 10μm(따라서 최소 간격 거리 B도 10μm)로 했다. 상기와 같이 하여 얻은 ITO의 패터닝 필름의 ITO측의 면 위에, 한번 더 두께 15μm의 드라이 필름 레지스터(아사히화성(주)제 SUNFORT시리즈 SPG102)를 래미네이트하고, 다시 수은등을 광원으로 하는 밀착 프린터로 400nm 이하의 빛을 컷하는 수지 필터를 통하지 않고, 센서부(11)와 그 외의 부분의 위치 관계가 도 1과 동일하게 되도록, 이 포지티브형 투과 원고를 밀착시켜 노광하고, 30℃의 1 질량% 탄산나트륨 수용액 중에서 요동시키면서 40초간 현상했다. 또한, 레지스터 패턴에 있어서의 주변 배선부(13) 및 어스부(15)의 선폭, 배선 간격 거리는 포지티브형 투과 원고와 같았다. 이어서, 은 나노잉크(미츠비시제지(주)제 MU01)를 고형분 도포량이 1g/m²가 되도록 도포, 건조하고, 30 질량% 염화나트륨 수용액에 40℃에서 1분 침지하여, 수세 건조시켰다. 건조 후의 드라이 필름 레지스터 표면을 100번 사포로 가볍게 비빈 후, 40℃의 3 질량% 수산화나트륨 수용액을 스프레이로 분무함으로써, 드라이 필름 레지스터를 박리, 제거하고, 수세, 건조하여 광투과성 도전재료 9를 얻었다. 이상의 작업을 반복하여, 광투과성 도전재료 9를 100매 제작했다. 또한, 얻어진 광투과성 도전재료 9의 주변 배선부(13) 및 어스부(15)의 선폭, 배선 간격 거리는 포지티브형 투과 원고와 같았다. 주변 배선(13a, 13b, 13c, …, 13p) 및 어스 배선(151, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h)의 두께를 공초점 현미경으로 조사했는데, 모두 0.1μm였다.

<광투과성 도전재료 10>

도 1과 동일한 주변 배선부(13)와 단자부(14)가 그려지고, 그 위에 어스부(15) 중 어스 배선(151)(선폭 30μm)만이 그려지고, 그들 이외의 부분에는 패턴을 갖지 않는 포지티브형 투과 원고를 준비했다. 이 포지티브형 투과 원고에 있어서, 주변 배선(13a, 13b, 13c, …, 13p)의 선폭은 모두 20μm로 하고, 주변 배선간에 있어서의 배선간 거리는 모두 20μm(따라서 최소 간격 거리 A도 20μm)로 했다. 광투과성 도전재료 9에 있어서의, 주변 배선부(13), 단자부(14) 및 어스부(15)의 패턴이 그려지고, 그들 이외의 부분에는 패턴을 갖지 않는 포지티브형 투과 원고 대신에 이 포지티브형 투과 원고를 이용한 이외는 광투과성 도전재료 9와 동일하게 하고, 광투과성 도전재료 10을 100매 제작했다. 또한, 얻어진 광투과성 도전재료 10의 주변 배선부(13)의 선폭, 배선 간격 거리, 어스부(15)의 선폭은 포지티브형 투과 원고와 같았다. 주변 배선(13a, 13b, 13c, …, 13p) 및 어스 배선(151)의 두께를 공초점 현미경으로 조사했는데, 모두 0.1μm였다.

광투과성 도전재료 9로 10에 대해 광투과성 도전재료 1~8과 동일하게, 양품율과 정전 파괴에 대한 평가 시험을 실시하여, 표 2와 같은 결과를 얻었다.

[표 2]

상기 표 2의 시험 결과로부터 밝혀진 바와 같이, 본 발명에 의해서 양품율이 양호하고 정전 파괴가 적은 광투과성 도전재료를 얻을 수 있기 때문에, 터치 패널 제조시의 수율의 저하를 개선할 수 있었다.

1 광투과성 도전재료
2 지지체
11, 11a, 11b, 11c, 11p 센서부
12, 12a, 12b, 12c 더미부
13 주변 배선부
13a, 13b, 13c, 13p 주변 배선
14 단자부
14a, 14b, 14c, 14r 단자
15 어스부
151, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h 어스 배선
21, 22, 23, 24 선분
221, 222, 231, 232 점
2211, 2221, 2311, 2321 수선

Claims

지지체 상에, 제1 방향으로 신장하는 광투과성 센서부와, 제1 방향에 대해 수직 방향인 제2 방향에 있어서 상기 센서부와 교대로 늘어선 광투과성 더미부와, 단자부와, 상기 센서부와 상기 단자부를 전기적으로 접속하는 복수의 주변 배선으로 구성되는 주변 배선부와, 상기 센서부와 전기적으로 접속되지 않는 복수의 어스 배선으로 구성되는 어스부를 가지며, 주변 배선부가 갖는 복수의 주변 배선은, 인접하는 주변 배선간에 평행한 부분을 가지며, 어스부가 갖는 복수의 어스 배선은, 인접하는 어스 배선간에 평행한 부분을 가지며, 상기 주변 배선이 평행한 부분에 있어서, 주변 배선간의 최소 간격 거리를 A, 상기 어스 배선이 평행한 부분에 있어서, 어스 배선간의 최소 간격 거리를 B로 했을 때 A>B인, 광투과성 도전재료.
청구항 1에 있어서, 주변 배선부의 주변 배선이 평행한 부분의 배선 방향과, 어스부의 어스 배선이 평행한 부분의 배선 방향이 일치하는 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 배선 방향이 동일한 주변 배선이 평행한 부분의 주변 배선간의 간격 거리가, 모두 최소 간격 거리 A인 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 배선 방향이 동일한 어스 배선이 평행한 부분의 어스 배선간의 간격 거리가, 모두 최소 간격 거리 A보다 작은 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 최소 간격 거리 B가 최소 간격 거리 A에 대해 10~80%인 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 어스 배선의 선폭이 주변 배선의 선폭 이상인 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 어스부가, 단자부에 접속되는 적어도 한 개의 어스 배선과, 다른 부위에 접속되지 않는 복수의 어스 배선으로 구성되는 광투과성 도전재료.
청구항 1 또는 2에 있어서, 어스 배선의 적어도 한 개가, 광투과성 센서부와 광투과성 더미부와 주변 배선부를, 단자부 이외의 장소에서 둘러싸고 있는 광투과성 도전재료.