KR101668827B1

KR101668827B1 - 광투과성 전극

Info

Publication number: KR101668827B1
Application number: KR1020157025963A
Authority: KR
Inventors: 타케노부 요시키
Original assignee: 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Priority date: 2013-02-22
Filing date: 2014-02-03
Publication date: 2016-10-28
Also published as: CN104956295B; US20150378477A1; US9606689B2; JP6193757B2; JP2014186716A; TWI556265B; WO2014129298A1; KR20150120503A; CN104956295A; TW201447927A

Abstract

　전광선 투과율이 높아서 모아레가 발생하기 어려운 한편 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 제공하는 것을 기술 과제로 하고, 광투과성 기재상에, 단자부에 전기적으로 접속된 센서부(sensor part)와 단자부에 전기적으로 접속되어있지 않은 더미부(dummy part)를 가지는 광투과성 도전층을 가지고, 해당 센서부와 해당 더미부는 소정 형상의 단위 금속 패턴이 반복되는 구조를 가지고, 일방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향으로 신장된 복수의 열 전극으로 구성되고 열 전극과 더미부가 교대로 배치되어 있고, 타방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향에 직교하는 제 2의 방향으로 신장된 복수의 열 전극으로부터 구성되고, 열 전극과 더미부가 교대로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광투과성 전극.

Description

광투과성 전극{LIGHT-TRANSMISSIVE ELECTRODE}

본 발명은 주로 터치 패널에 이용되는 광투과성 전극에 관한 것이며, 보다 상세하게는 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널에 적합한 광투과성 전극에 관한 것이다.

PDA(퍼스널 디지털 어시스턴트), 노트 PC, OA기기, 의료기기, 또는 자동차 내비게이션 시스템 등의 전자기기에 있어서, 이러한 디스플레이에 입력 수단으로서 터치 패널이 널리 이용되고 있다.

터치 패널에는 위치 검출의 방법에 따라 광학 방식, 초음파 방식, 표면형 정전 용량 방식, 투영형 정전 용량 방식, 저항막 방식 등이 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 광투과성 도전재료와 투명 도전체층 부착 유리가 스페이서를 통하여 대향 배치되어 있고, 광투과성 도전재료에 전류를 흘려, 투명 도전체층 부착 유리에 서의 전압을 계측하는 것 같은 구조로 되어 있다. 한편, 정전 용량 방식의 터치 패널은 기재상에 광투과성 도전층을 가지는 광투과성 전극을 기본적 구성으로 하여, 가동 부분이 없는 것이 특징이며, 고 내구성, 고 투과율을 가지기 때문에, 여러가지 용도에 있어서 적용되고, 또한 투영형 정전 용량 방식은 다점 동시 검출을 할 수 있기 때문에, 스마트폰이나 타블렛 PC 등에 널리 이용되고 있다.

터치 패널에 이용되는 광투과성 전극으로서는, 일반적으로 ITO(산화 인듐 주석)로 이루어진 광투과성 도전층이 기재상에 형성된 것이 사용되어 왔다. 그러나 ITO로 이루어진 광투과성 도전층은 굴절률이 크고, 빛의 표면 반사가 크기 때문에 전광선 투과율이 저하하는 문제나, 가요성이 낮아서 굴곡했을 때에 ITO 도전층에 균열이 생겨, 전기 저항치가 높아지는 문제가 있었다.

ITO로 이루어진 광투과성 도전층을 이용한 광투과성 전극을 대신하는 광투과성 전극으로서 광투과성 기재상에 광투과성 도전층으로서 금속 세선(thin line)을, 예를 들면, 금속 세선의 선폭이나 피치, 또 패턴 형상 등을 조정한 메쉬 패턴모양으로 형성함으로써, 높은 전광선 투과율을 유지하는 한편 높은 도전성을 가지는 광투과성 전극을 얻을 수 있는 것이 알려져 있다. 이용되는 금속 세선 패턴의 형상으로서는, 각종 형상의 반복 단위를 이용할 수 있는 것이 알려져 있고, 예를 들면 특허 문헌 1에서는, 정삼각형, 이등변 삼각형, 직각삼각형 등의 삼각형, 정사각형, 직사각형, 마름모, 평행사변형, 사다리꼴 등의 사각형, 육각형, 팔각형, 십이각형, 이십각형 등의 다각형, 원, 타원, 별모양 등의 반복 단위, 및 이러한 두 종류 이상의 조합 패턴이 이용되고 있다.

금속 세선으로 이루어진 광투과성 도전층을 이용한 광투과성 전극의 제조 방법으로서는, 기판상에 얇은 촉매층을 형성하고, 그 위에 레지스트 패턴을 형성한 후, 도금법에 의해 레지스트 개구부에 금속층을 적층하여, 마지막에 레지스트층 및 레지스트층에서 보호된 기초 금속을 제거함으로써, 도전성 패턴을 형성하는 세미 어디티브 방법이, 예를 들면, 특허 문헌 2, 특허 문헌 3 등에 개시되어 있다.

또 근래, 은염 확산 전사법을 이용한 은염 사진 감광 재료를 도전성 재료 전구체로서 이용하는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 4, 특허 문헌 5, 특허 문헌 6등에서는, 기재상에 물리 현상핵층(physical development nucleus layer) 과 할로겐화 은유제층(silver halide emulsion layer)을 적어도 이 순서로 가지는 은염 사진 감광 재료(도전성 재료 전구체)를 패턴모양으로 노광하고, 가용성 은염 형성제 및 환원제를 알칼리액 내에서 작용시켜, 금속 은패턴을 형성시키는 기술이 개시되어 있다. 이 방식에 의한 패터닝은 균일한 선폭을 재현 할 수 있는 데다가, 은은 금속 중에서 가장 도전성이 높기 때문에, 타방식에 비해, 보다 가는 선폭으로 높은 도전성을 얻을 수 있다. 또한, 이 방법으로 얻어진 금속은 패턴(metal silver pattern)을 가지는 광투과성 도전층은 ITO로 이루어진 광투과성 도전층보다 가요성이 높고 구부림에 강하다는 이점이 있다.

일반적으로 투영형 정전 용량 방식을 이용한 터치 패널에서는, 복수의 열 전극들(column electrodes)로 구성되는 센서부를 가지는 광투과성 도전층 2층을 가지는 광투과성 전극을 터치 센서로서 이용하고 있다. 이러한 용도에 있어서, 각종 반복 단위를 가지는 금속 패턴을 열 전극으로서 이용한 터치 패널에서는, 통상 작업자가 화면을 응시하여 조작하기 때문에, 금속 패턴 자체가 눈에 비친다(시인성이 높다)는 문제가 있었다. 또한, 2층의 광투과성 도전층을 쌓는 광투과성 전극에서는, 금속 패턴의 형상에 의해서는 모아레(moire)가 발생하여, 보다 시인성이 높아지는 문제를 가지고 있다. 또한, 극세의 금속 세선에 의한 반복 단위를 가지는 금속 패턴을 이용한 광투과성 전극에서는, 패턴 형상에 의존하여, 고온 고습 분위기하에서 전기 저항치가 변동하는 경우가 있어, 전술한 모아레의 문제와 이 전기 저항치의 안정성의 문제를 동시에 해결하는 방법은 알려지지 않았다.

이러한 문제에 있어서, 특허 문헌 7에서는, 2층의 광투과성 도전층 중 하나의 광투과성 도전층의 열 전극이 가지는 금속 패턴의 반복 단위의 형상을 마름모로 하여, 그 마름모를 90도 회전시킨 반복 단위를, 다른 일방의 광투과성 도전층의 열 전극이 가지는 금속 패턴의 반복 단위로서 이용하는 방법을 제안하고 있다. 그러나 이 방법에서는, 조건에 의해서는 모아레가 보이는 경우도 있어, 또 고온 고습 분위기 하에 있어서의 전기 저항치의 안정성 문제의 해결에 관해서도 불충분했다.

예를 들면, 특허 문헌 8 등과 같이, 모아레를 해소하는 목적으로, 열 전극의 금속 패턴으로서 다이아몬드모양의 패턴을 이용해 2층의 광투과성 도전층이 가지는 열 전극을 구성하는 금속 패턴이 상하의 광투과성 도전재료를 쌓을 때에 일절 겹치지 않게 하는 방법도 제안되고 있지만, 이 방법에서는 2층의 광투과성 도전층을 매우 높은 위치 정밀도로 접합(join)하지 않으면 상하의 패턴이 잘못 겹치는 부분이나, 혹은 패턴이 전혀 없는 부분이 발생하기 쉬워져, 반대로 시인성이 높아지기 쉽다. 또한 이 방식에 있어서 열 전극의 폭이 좁아지는 부분이 필연적으로 생기고, 그 부분은, 전술의 극세의 금속 세선에 의한 반복 단위를 가지는 금속 패턴의 전기 저항치가 고온 고습 분위기하에서 변동하는 문제의 영향을 보다 현저하게 받고 있다.

특허 문헌 1 : 특개평 10－41682호 공보 특허 문헌 2 : 특개 2007－287994호 공보 특허 문헌 3 : 특개 2007－287953호 공보　 특허 문헌 4 : 특개 2003－77350호 공보 특허 문헌 5 : 특개 2005－250169호 공보 특허 문헌 6 : 특개 2007－188655호 공보　 특허 문헌 7 : 특개 2011－248722호 공보 특허 문헌 8 : 특개 2012－33147호 공보

본 발명의 과제는, 정전 용량 방식을 이용한 터치 패널의 광투과성 전극으로서 적합한, 전광선 투과율이 높아서 모아레가 발생하기 어렵고, 한편 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 제공하는 것이다.

　본 발명의 상기 과제는, 광투과성 기재상에, 단자부에 전기적으로 접속된 센서부(sensor part)와 단자부에 전기적으로 접속되어있지 않은 더미부(dummy part)를 가지는 광투과성 도전층을 적어도 2층 가지고, 해당 센서부와 해당 더미부는 소정 형상의 단위 금속 패턴이 반복되는 구조를 가지고, 일방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향으로 신장된 복수의 열 전극으로 구성되고 열 전극과 더미부가 교대로 배치되어 있고, 타방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향에 직교하는 제 2의 방향으로 신장된 복수의 열 전극으로부터 구성되고, 열 전극과 더미부가 교대로 배치되어 있고, 또한 하기(a)~(c)의 요건을 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 광투과성 전극에 의해 기본적으로 달성된다.

(a)　k1＞j1

여기에서, k1는 일방의 광투과성 도전층의 제 1의 방향으로 신장된 열 전극이 가지는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 1의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타내고, j1는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 2의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타낸다.

(b)　2 M=n×j1

여기에서, M는 제 1의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리를 나타내고, n는 자연수를 나타낸다.

(c)　k2＜j2, 또한 k1÷j2와 j2÷k1의 해가 양쪽 모두 자연수가 아니다.

여기에서, k2는 타방의 광투과성 도전층의 제 2의 방향으로 신장된 열 전극이 가지는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 1의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타내고, j2는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 2의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타낸다.

하기(d)의 요건을 만족하는 것이 바람직하다.

(d)　2 L=p×k2

여기에서, L는 타방의 광투과성 도전층에 있어서의 제 2의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리를 나타내고, p는 자연수를 나타낸다.

하기(e)의 요건을 만족하는 것이 바람직하다.

(e)　2 L=q×k1

　여기에서, q는 자연수를 나타낸다.

0. 15×k1＜j1＜0. 7×k1의 요건을 만족하는 것이 바람직하고, 0. 35×k1＜j1＜0. 6×k1의 요건을 만족하는 것이 보다 바람직하다. 0. 15×j2＜k2＜0. 7×j2의 요건을 만족하는 것이 바람직하고, 0. 35×j2＜k2＜0. 6×j2의 요건을 만족하는 것이 보다 바람직하다.

하나의 광투과성 도전층이 가지는 센서부의 소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형과 더미부의 소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형이 합동인 것이 바람직하다. 소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형은 마름모이며, 그 대각선이 제 1의 방향과 제 2의 방향(제 1의 방향에 직교하는 방향)에 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 의해, 정전 용량 방식을 이용한 터치 패널의 광투과성 전극으로서 적합한, 전광선 투과율이 높아서 모아레가 발생하기 어렵고 한편, 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이며, 도 4(a)(b)의 A－A시시 단면을 나타내는 도다.
도 2는 본 발명의 광투과성 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 광투과성 전극의 또 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 광투과성 전극의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이며, 구조를 알기 쉽게 하기 위해서, 도 1로부터 광투과성 도전층(2a)를 가지는 광투과성기재(1a)와 광투과성 도전층(2b)를 가지는 광투과성기재(1b)를 각각 별도로 취하여 나타내는 평면도이다 (실제는, 광투과성 도전층(2b)를 가지는 광투과성기재(1b)의 바로 윗쪽에 광투과성 도전층(2a)를 가지는 광투과성 기재 1 a가 존재한다).
도 5는 도 4의 광투과성 도전층(2a)의 일부의 확대 평면도이다.
도 6은 도 4의 광투과성 도전층(2b)의 일부의 확대 평면도이다.
도 7은 실시예로 이용한 패턴 원고(pattern manuscript)의 평면도이다.
도 8은 실시예로 이용한 패턴 원고(pattern manuscript)의 평면도이다.

이하, 본 발명에 있어서 상세하게 설명할 때, 도면을 이용해 설명하는데, 본 발명은 그 기술적 범위를 일탈하지 않는 한 여러가지 변형이나 수정이 가능하고, 이하의 실시 형태로 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다.

도 1은 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1에 있어서, 광투과성 전극(20)은, 광투과성기재(1a)상의 일방에 광투과성 도전층(2a)를 가지고, 이 광투과성 도전층(2a)는 복수의 열 전극(6a)로 구성되는 센서부(11)과 복수의 더미부(12)를 가지고, 열 전극(column electrode)(6a)와 더미부(dummy part)(12)가 교대로 배치되어 있다. 도 4(a)에 나타나듯이, 해당 열 전극(6a)는 배선부(14)에 접속되어 있고, 또한 배선부(14)는 단자부(15)에 접속되어 있다. 광투과성기재(1a)의 광투과성 도전층(2a)를 가지는 면과 반대면 측에는, 광투과성기재(1b)상에 광투과성 도전층(2b)이 설치되고, 이 광투과성 도전층(2b)과 광투과성기재(1a)이 접착층(4)을 통해 접합되어 있다. 또한, 광투과성 도전층(2b)는 복수의 열 전극(6b)로 구성되는 센서부(11)과 복수의 더미부(12)를 가지고, 열 전극(6b)와 더미부(12)가 교대로 배치되어 있다. 이 열 전극(6b)는 상기에 개시한 열 전극(6a)와 직교하는 방향으로 늘어서기 때문에, 도 1에 있어서 1개만이 표시되고, 또 더미부(12)는 도시되지 않는다. 광투과성 도전층(2b)에 있어서도, 열 전극(6b)은 열 전극(6a)와 같이, 도 4(b)에 나타나듯이, 배선부(14)에 접속되어 있고 또한 배선부(14)는 단자부(15)에 접속되어 있다. 또한, 더미부는, 광투과성 전극의 열 전극을 둘러싸는 위치에도 배치될 수 있다.

상기 설명한 바와 같이, 본 발명의 광투과성 전극은 2층의 광투과성 도전층을 가진다(도 1에서 2 a, (2b)). 1개의 광투과성기재상에 복수의 광투과성 도전층을 제작하려면, 예를 들면 전술한 공지의 방법(세미 어디티브 방법이나 은염 사진 감광 재료를 이용하는 방법)을 이용해, 광투과성기재의 일방의 면에 광투과성 도전층을 마련하고, 반대면측에는 예를 들면 특개 2006－111889호 공보에 기재된 방법에서 얻은, 기재를 갖지 않는 독립한 금속 메쉬를 제작하여, 이것을 접합하는 방법을 들 수 있다. 그러나 기재를 갖지 않는 독립한 금속 메쉬의 접합은 지극히 번잡하다. 거기에서, 광투과성기재상의 일방의 면에 광투과성 도전층을 가지는 광투과성 도전재료를 2매 제작하여, 그것을 적층하는 것이 바람직하다.

도 1에 나타난 광투과성 전극(20)은, 공지의 방법으로 광투과성기재(1a)상에 광투과성 도전층(2a)를 마련하고, 또 광투과성기재(1b) 위에 광투과성 도전층(2b)를 마련하고, 전술한 광투과성기재(1a)의 다른 일방의 면(광투과성 도전층(2a)를 갖지 않는 면)에, 접착층(4)을 통해, 광투과성기재(1b)에 보호 유지된 광투과성 도전층(2b)를 적층함으로써, 용이하게 제작할 수 있다. 도 1에 나타난 광투과성 전극에서는 또한 광투과성 도전층(2a) 위 접착층(4)을 통해, 보호기재(3)가 적층되고 있어 터치 패널로 사용될 때, 사람은 보호기재(3)의 윗쪽에서 광투과성 전극(20)을 본다. 또 광투과성기재(1b)는 광투과성 전극(20)의 타방의 면의 보호기재로서도 작용한다.

도 2는 본 발명의 광투과성 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2에 나타난 광투과성 전극(20)은, 공지의 방법으로 광투과성기재(1a)상에(도면에서는 아래쪽) 광투과성 도전층(2a)를 마련하고, 또 광투과성기재(1b)상에 광투과성 도전층(2b)를 마련하고, 광투과성 도전층(2a)과 광투과성 도전층(2b)를 접착층(4)을 통해 적층하는 것으로, 용이하게 제작할 수 있다. 이 경우, 광투과성기재(1a), (1b)는 광투과성 전극(20)의 보호기재로서도 작용한다. 도 2에 나타나는 광투과성 전극에서는, 터치 패널로 사용될 때, 사람은 광투과성기재(1a)의 윗쪽에서 광투과성 전극(20)을 본다.

도 3은 본 발명의 광투과성 전극의 또 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 3에 있어서 광투과성기재(1a) 위에 광투과성 도전층(2a)가 형성되어 있고 광투과성기재(1b)상 (도면에서는 아래 쪽)에 광투과성 도전층(2b)가 형성되어 있다. 이 광투과성 도전층(2a), (2b)가 접착층(4)를 통해, 각각 보호기재(3), 보호기재(5)와 적층되어 있다. 이러한 광투과성 전극은, 예를 들면 공지의 방법으로 광투과성 기재(1a)상에 광투과성 도전층(2a)를 마련하고, 또 광투과성기재(1b)상에 광투과성 도전층(2b)를 마련하고, 광투과성기재(1a)와 광투과성기재(1b)를 열융착이나 도시하지 않는 접착층을 통해 접착시키는 것으로, 용이하게 제작할 수 있다. 도 3에 나타나는 광투과성 전극에서는, 터치 패널로 사용될 때, 사람은 보호기재(3)의 윗쪽에서 광투과성 전극(20)을 본다.

또한 본 발명에 있어서, 상기한 방법 이외의 제조 방법에 의해 광투과성 도전재료를 조합하거나 혹은 하드 코트 필름이나 반사 방지 필름, 전자파 쉴드(shield) 필름 등 공지의 광학 필름을 적층하는 것도 가능하다.

도 1 및 도 3에서 도시한 보호기재(3), (5)로서는, 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 폴리카보네이트, 디아세테이트 수지, 트리아세테이트 수지, 폴리아릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리슬폰, 폴리에테르슬폰, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리오레핀, 환형(cyclic)폴리오레핀 등으로 이루어진 공지의 광투과성을 가지는 시트를 이용하는 것이 바람직하다. 본 출원에서 광투과성(optically transparent)이란 전광선 투과율(total light transmittance)이 60%이상인 것을 의미한다. 보호기재(3), (5)의 두께는 50μm ~ 5mm인 것이 바람직하다. 또 보호기재(3), (5)에는 지문방오층(antifingerprint layer), 하드 코트층, 반사 방지층, 눈부심 방지층(antiglare layer) 등의 공지의 층이 제공될 수도 있다. 또한 도 3에 있어서의 보호기재(3) 및 보호기재(5)의 재질은, 같아도 되고 차이가 나도 된다.

전술한 도 2에 있어서, 광투과성기재(1a), (1b)가 가장 바깥쪽(outermost) 표면으로 되어 있지만, 이 경우의 광투과성기재(1a), (1b)는 보호기재와 동등한 기능이 요구된다. 광투과성기재가 단독으로 이 기능을 갖지 않는 경우 등은, 접착층 등을 통해 상기 보호기재를 적층시키는 것이 바람직하다. 도 1~3에서 기재한 광투과성기재(1a), (1b)로서는, 전광선 투과율이 60%이상의 것이면 공지의 기재를 이용할 수 있는데, 예를 들면 전술한 보호기재(3), (5)와 같은 시트를 들 수 있다. 광투과성기재(1a), (1b)의 두께는 50~300μm인 것이 바람직하다.

도 1~3에서 나타난 광투과성 전극(20)이 가지는 접착층(4)으로서는, 아크릴계 점착제나 우레탄계 점착제 등의 점착제, 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA)나 폴리비닐부티랄(PVB)이나 우레탄계 핫멜트(hot-melt) 접착제 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지나 열강화성 우레탄 수지 등의 열강화성 수지, 아크릴계 자외선 경화 수지나 엑폭시계 자외선 경화 수지 등의 자외 경화형 수지 등 공지의 것으로, 접착 후에 광투과성인 수지 조성물을 이용할 수 있다. 또한 광투과성 도전층(2a)와 (2b)이 절연될 필요가 있는 것은 당업계에서 주지이며, 예를 들면 도 1에서는 광투과성기재(1a)와 접착층(4)에 의해 광투과성 도전층(2a)와 (2b)가 절연되어 있고, 도 2에서는 접착층(4)에 의해 광투과성 도전층(2a)와 (2b)가 절연되어 있고, 도 3에서는 광투과성기재(1a)와 (1b)에 의해 광투과성 도전층(2a)와 (2b)가 절연되어 있다.

본 발명에 있어서는, 2개의 광투과성 도전층간의 위치 관계가 특히 중요하고, 광투과성 도전층(2a)와 (2b)간에 이하에 기재하는 위치 관계가 만족되는 한, 도 1~3, 혹은 그 외의 구성이어도 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한 이후의 설명에서는, 편의상 도 1의 광투과성 전극을 예로 들어 설명한다.

도 4는, 본 발명의 광투과성 전극의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이며, 도 1에 있어서의 광투과성 도전층(2a)를 가지는 광투과성기재(1a)와, 광투과성 도전층(2b)를 가지는 광투과성기재(1b)를 나타내며, 설명의 편의상, 보호기재(3)와 접착층(4)는 생략했다. 광투과성 도전층(2a) 및 (2b)는 정전 용량의 변화를 감지하고, 또한 광투과성을 가지는 센서부(11)(배선부(14)을 통해 단자부(15)에 전기적으로 접속된 복수의 열 전극(6a)으로 구성되는 센서부)과 같이 광투과성을 가지는 더미부(12)(단자부(15)에 전기적으로 접속되지 않는 금속 패턴(16)으로 구성되는 더미부)로 구성된다. 광투과성기재(1a)와 (1b)는, 이러한 금속 패턴 부위가 없는 비화상부(13)도 가진다.

본 발명에 있어서, 센서부(11)은 단자부(15)와 직접 접하는 것으로 전기적으로 접속되어 있어도 되지만, 도 4에 나타나듯이, 복수의 단자부(15)를 근방에 모으기 위해서, 배선부(14)을 통해 센서부(11)가 단자부(15)와 전기적으로 접속되어 있는 것은 바람직하다.

광투과성 도전층(2a)에 있어서 센서부(11)을 구성하는 열 전극(6a)는, 배선부(14)을 통해 단자부(15)에 전기적으로 접속하고 있어, 이 단자부(15)를 통해 외부에 전기적으로 접속함으로써, 센서부에서 감지한 정전 용량의 변화를 파악할 수 있다. 한편, 단자부(15)에 전기적으로 접속하고 있지 않는 금속 패턴은 본 발명에서는 모두 더미부가 된다. 본 발명에 있어서 배선부(14), 단자부(15)는 특히 광투과성을 가질 필요는 없기 때문에, 틈새가 없는 베타패턴(solid pattern)이어도 좋고, 어느 열 전극(6a)와 마찬가지로 광투과성을 가지고 있어도 좋다.

도 4의 광투과성 도전층(2a)에서는, x방향으로 신장된 열 전극(6a)와 더미부(12)가 교대로 복수 열 나열되고, 해당 열 전극(6a)의 각각은, 그 중심간 거리의 평균치가 M이 되는 위치에 나열되어 있다. 한편, 광투과성 도전층(2b)에서는, x방향에 직교하는 방향인 y방향으로 신장된 열 전극(6b)와 더미부(12)가 교대로 복수열 나열되어, 해당 열 전극(6b)의 각각은, 그 중심간 거리의 평균치가 L이 되는 위치에 나열되어 있다.

도 5는, 도 4의 광투과성 도전층(2a)의 일부의 확대 평면도이다. 도 5에서는, x방향으로 신장된 열 전극(6a)와 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)이 교대로 복수열 나열되어, 열 전극(6a)은 마름모의 단위 금속 패턴이 반복되는 구조를 가지고 있다. 한편, 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)(설명을 위해 마련한 점선으로 나타내는 가상 경계선(imaginary boundary line) R에서 열 전극(6a)와 구별된 부분)은, 마름모의 정점 부근에 단선부가 설치되어 있기 때문에, 열 전극(6a)와의 사이에 전기적인 도통은 없다. 그러나, 변을 연장하고, 단선부를 연결한 도형이 열 전극(6)의 마름모의 단위 금속 패턴과 합동인 마름모의 단위 금속 패턴으로 이루어진다. 도 5에 있어서, 열 전극(6a)이 갖는 마름모의 단위 금속 패턴의 x방향에 있어서의 평균 길이(평균 반복 주기(average repetition pitch))는 k1이며, y방향에 있어서의 평균 길이(평균 반복 주기)는 j1이다. 또한, k1나 j1는 패턴을 설계할 때에 임의로 설정할 수 있지만, 도 5에 있어서 k1는, 열 전극(6a)의 길이(x방향의 길이)를, 열 전극내의 반복 단위의 x방향의 반복횟수로 나눔으로써 구할 수 있고, 또, j1는, 열 전극(6a)의 폭(y방향의 길이)을, 열 전극내의 반복 단위의 y방향의 반복횟수로 나누거나, 평균 중심간 거리 M를, 후술하는 서로 이웃하는 열 전극의 중심선간에 존재하는 반복 단위의 y방향의 반복횟수(도 5에서는 합동의 마름모 I~IV가 반복해 단위로서 존재하기 때문에, 반복횟수는 4)로 나눔으로써 구할 수 있다.

도 5나 후술하는 도 6에 있어서, 열 전극(6a), (6b)의 반복 단위와 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)의 반복 단위(변을 연장해 단선부를 연결한 도형도 포함한다)는 합동의 도형이지만, 본 발명에 있어서는, 이러한 반복 단위가 합동의 도형인 것이 시인성의 관점(시인성을 저하시키는 것)에서 가장 바람직하기는 하지만, 반드시 합동일 필요는 없고, 대략 일치한 형상도 바람직하다. 본 발명에 있어서, 대략 일치(almost the same)란 변의 길이, 격자의 각도, 변의 위치, 변의 굵기가 거의 일치하고 있는 것을 말하며, 변의 길이의 경우, ±10%이내의 범위, 격자의 각도의 경우, ±5°이내의 범위, 변의 위치의 경우, 변의 길이의 ±10%의 범위내, 변의 굵기의 경우, 변의 굵기(선폭)가 ±50%의 범위내에 있는 경우를 말한다.

열 전극(6a)의 평균 중심간 거리 M는 패턴을 설계할 때에 임의로 설정할 수 있지만, 확인 방법으로서는, x방향에서 열 전극의 폭의 중심을 통과하는 중심선을 설정하고, 인접하는 열 전극의 모든 조합에 대해서 중심선간의 거리를 구하고, 이 산술 평균치에 의해 산출할 수 있다. 또, 모든 중심선간 거리의 산술 평균치로부터 빗겨나 있는 중심선간 거리에 대하여, 폭의 차가 큰 순서대로, 모집단에 대해서 10%의 수를 제외한 후 평균치를 산출할 수 있다.

도 5에 있어서, 센서부를 구성하는 열 전극(6a) 및 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)에 있어서 마름모의 단위 금속 패턴이 반복해지지만, 전술한 특허 문헌 1에 기재되는 것 같은 각종 형상의 반복 단위를 이용할 수 있다. 또, 변이 직선이 아니라 예를 들면 지그재그선, 파선 등으로 구성되어 있을 수 있다. 또한, 특개 2002－223095호 공보로 개시되어 있는 것 같은, 스트라이프 모양, 벽돌을 쌓은 모양의 패턴(brick pattern)을 반복 단위로서 이용할 수 있다. x방향과 y방향에 있어서 모두 짧은 주기를 가지는 주기적인 구조를 만들기에 쉽고, 또한 x방향 혹은 y방향에 대하여 다른 각도를 갖는 변들의 수가 가능한 한 적은 기본 도형을 이용하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 있어서 바람직한 기본 도형은 마름모 및 평행사변형이며, 마름모가 보다 더 바람직하다. 마름모에 있어서는, 그 대각선이 x방향과 y방향에 있는 것이 바람직하고, 인접하는 두 변이 이루는 각도의 하나가 30~70°인 것이 바람직하다. 또 반복 단위에 있어서의 선간격(대변간 거리)은 400μm이하가 바람직하다. 또, 그 선 폭은 20μm이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1~15μm, 더욱 바람직하게는 1~10μm이다.

상술한대로, 센서부를 구성하는 열 전극(6a)와 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)과의 사이에서 전기적인 도통은 있어서는 안된다. 전기적인 도통을 끊는 방법으로서는 도 5에 나타난 것처럼, 금속 패턴(16)의 일부에 단선부를 마련하는 방법을 이용해도 좋고, 후술하는 도 6에서 나타내듯이, 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)과의 경계(설명을 위해 마련한 점선으로 나타낸 가상 경계선 R)를 따라, 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)의 반복 단위를 비켜 놓는(displace) 방법 등, 어떤 방법이어도 좋다. 단선부를 마련하는 경우, 단선폭(단선되어 있는 선과 선의 간격)은 1~40μm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4~20μm, 또한 바람직하게는 6~12μm이다. 또, 단선부는 경계선 R 상 이외에도 마련할 수도 있다. 도 6에 나타나듯이, 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)과의 경계를 따라, 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)의 반복 단위를 비켜 놓는 방법에서는, 비켜 놓는 거리가 금속 패턴의 선폭의 1. 5배 이상으로, 또한 50μm이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 선 폭의 2배 이상이면서, 또한 40μm이하이다. 또한 본 발명에 있어서, 도 5에 나타나듯이 단선부를 마련하고, 열 전극(6a)와 금속 패턴(16)의 전기적인 도통을 끊는 방법과 도 6에 나타나듯이 경계를 따라 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)의 반복 단위를 비켜 놓아, 열 전극(6b)와 금속 패턴(16)의 전기적인 도통을 끊는 방법을 병용할 수도 있다.

도 6은 도 4의 광투과성 도전층(2b)의 확대 평면도이다. 도 6에서는, y방향으로 신장된 열 전극(6b)와 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)이 교대로 복수열 늘어선 구조를 취하고 있다. 센서부를 구성하는 열 전극(6b)는 마름모의 단위 금속 패턴이 반복되는 구조를 가지고 있다. 더미부를 구성하는 금속 패턴(16)(설명을 위해 마련한 점선으로 나타낸 가상 경계선 R에서 열 전극(6b)와 구별된 부분)은, 마름모의 단위 금속 패턴의 일부로 이루어져, 이 마름모의 단위 금속 패턴의 일부가 경계선 R에 따라 열 전극(6b)의 마름모의 단위 금속 패턴과 어긋나 있기 때문에, 금속 패턴(16)으로 열 전극(6b)의 전기적인 도통이 끊어져 있다. 금속 패턴(16)은 마름모의 단위 금속 패턴의 일부로 이루어져 있는데, 이 마름모의 단위 금속 패턴의 일부를 경계선 R에 따라 소정 길이 비켜 놓으면, 열 전극(6b)의 마름모의 단위 금속 패턴과 일치한다. 도 6에 있어서, 열 전극(6b)이 갖는 반복 단위(마름모)의 x방향에 있어서의 평균 길이(평균 반복 주기)는 k2이며, y방향의 평균 길이(평균 반복 주기)는 j2이며, 열 전극(6b)의 평균 중심간 거리는 L이다. 또한, 도 6에 있어서의 k2, j2 및 L의 설정이나 확인 방법은, 도 5의 광투과성 도전층(2a)의 k1, j1 및 M와 같게 하여 실시할 수 있다.

본 발명의 광투과성 전극은, 하기(a)~(c)의 요건을 모두 만족하는 것이 필요하다.

(a)　j1＜k1

(b)　2 M=n×j1(단 n는 자연수)

(c)　k2＜j2, 한편 k1÷j2와 j2÷k1의 양쪽 모두의 해가 자연수가 아니다.

또한 본 발명에 있어서는, 하기(d)의 요건을 만족하는 것이 본 발명의 목적을 달성하는데 있어서 바람직하다.

(d)　2 L=p×k2(단 p는 자연수)

또, 하기(e)의 요건을 만족하는 것이 본 발명의 목적을 달성하는데 있어서 바람직하다.

(e)　2 L=q×k1(단 q는 자연수)

이러한 요건을 만족하는 것으로, 보다 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 얻는 것이 가능해진다.

k1와 j1의 관계에 있어서 바람직한 요건이 존재한다. 바람직하게는 0. 15×k1＜j1＜0. 7×k1이며, 보다 바람직하게는 0. 35×k1＜j1＜0. 6×k1이다. k2와 j2의 관계에 있어서도 바람직한 요건이 존재한다. 바람직하게는 0. 15×j2＜k2＜0. 7×j2이며, 보다 바람직하게는 0. 35×j2＜k2＜0. 6×j2이다. 이러한 요건을 만족하는 것으로, 보다 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 얻는 것이 가능해진다.

본 발명의 광투과성 전극은, 상기한 2층의 광투과성 도전층을 가지는 것 외에도, 하드 코트층, 반사 방지층, 점착층, 방현층 등 공지의 층을 임의의 장소에 마련될 수 있다. 또, 광투과성 기재와 광투과성 도전층과의 사이에, 물리 현상핵층, 역접착층, 접착층 등 공지의 층을 마련할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명에 관계되어 실시예를 이용해 상세하게 설명하는데, 본 발명은 그 기술적 범위를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

＜실시예 1＞

광투과성기재로서 두께 100μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 이용했다. 또한 이 광투과성기재의 전광선 투과율은 91%였다.

다음으로 하기 처방에 따라, 물리 현상핵층도액(physical development nuclei coating liquid)을 제작하여, 상기 광투과성기재의 한 면위에 도포, 건조하여 물리 현상핵층(physical development nuclei layer)을 마련했다.

＜황화 팔라듐졸의 조제＞

　A액 염화 팔라듐　　　　　　　　　　　　　　　　5g

　　　　　 염산　　　　　　　　　　　　　　　　　　　40ml

　　　　　 증류수　　　　　　　　　　　　　　　　　1000ml

　B액 황화 소다　　　　　　　　　　　　　　　　8. 6g

　　　　　 증류수　　　　　　　　　　　　　　　　　1000ml

　A액과 B액을 교반하면서 혼합하여, 30분후에 이온교환 수지의 충전된 컬럼을 통해 황화 팔라듐졸을 얻었다.

＜물리 현상핵층도액의 조제＞은염 감광 재료의 1 ｍ^２당의 양

　상기 황화 팔라듐졸　　　　　　　　　　　　　　0. 4mg

　2 질량%글리옥살 수용액　　　　　　　　　　　0. 2ml

　계면활성제(S－1)　　　　　　　　　　　　　　　　4mg

　데나콜 EX－830　　　　　　　　　　　　　　　50mg

　　(나가세켐텍스(주) 제 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르 )

　10 질량%SP－200 수용액　　　　　　　　　　　0. 5mg

　　((주) 일본촉매 제 폴리에틸렌이민；평균 분자량 10,000)

　다음으로, 광투과성기재에 가까운 쪽부터 순서대로 하기 조성의 중간층, 할로겐화 은유제층, 및 보호층을 상기 물리현상 핵액층 위에 도포 및 건조해, 은염 감광 재료를 얻었다. 할로겐화 은유제(silver halide emulsion)는, 사진용 할로겐화 은유제의 일반적인 더블 제트 혼합법(double jet mixing method)으로 제조했다. 이 할로겐화 은유제에 포함되는 할로겐화은은, 은염 95mol%과 브롬화은 5mol%로 구성되고 평균 입자지름이 0. 15μm가 되도록 조제했다. 이렇게 하여 얻은 할로겐화 은유제에 있어서, 통상의 방법에 따라 티오황산나트륨과 염화금산을 이용해 금 유황 증감을 실시했다. 이렇게 하여 얻어진 할로겐화 은유제는 은1g당 0. 5 g의 젤라틴을 포함한다.

＜중간층 조성/은염 감광 재료의 1 m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0. 5g

　계면활성제(S－1)　　　　　　　　　　　　　　　　5mg

　염료 1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　50mg

＜할로겐화 은유제층 조성/은염 감광 재료의 1 m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0. 5g

　할로겐화은유제　　　　　　　　　　　　　3. 0 g은상당

　1－페닐-5－머캅토테트라졸(mercapto tetrazole) 　　3mg

계면활성제(S－1)　　　　　　　　　　　　　　　　20mg

＜보호층 조성/은염 감광 재료의 1 m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1g

　부정형 실리카 매트제 (평균 입자지름 3. 5μm)　　10mg

계면활성제(S－1)　　　　　　　　　　　　　　　 10mg

이렇게 하여 얻어진 은염 감광 재료에, 도 7 혹은 도 8의 패턴을 가지는 투과 원고를 밀착시켜, 수은 등을 광원으로 하는 밀착 프린터로 400nm이하의 빛을 커트하는 수지 필터를 통해 노광했다. 또한, 도 7, 도 8의 패턴에는 편의상, 센서부(11)을 격자 모양으로, 더미부(12)를 점 모양으로 나타내고 있다. 도 7 및 도 8의 패턴의 센서부(11)으로 더미부(12)는, 선폭이 5μm의 마름모가 반복되는 구조를 가지고 있고, 반복되는 마름모의 2개의 대각선의 방향은, 열 전극이 신장될 방향과 거기에 직교하는 방향에 일치하고 있다. 센서부를 구성하는 열 전극의 패턴과 더미부를 구성하는 패턴과의 사이에는, 폭 10μm의 단선부를 마련하고, 또한 더미부의 반복 단위의 마름모의 각변의 중점에 있어서 폭 7μm의 단선부를 마련하는 것으로, 금속 패턴을 제작한 후의 센서부를 구성하는 열 전극과 더미부를 구성하는 패턴의 전기적인 도통을 막도록 되어 있다. 도 7에 있어서는, 반복 단위의 x방향(열 전극의 성장 방향)에 있어서의 평균 길이 k1는 800μm, y방향(x방향에 직교하는 방향)에 있어서의 평균 길이 j1는 375μm로, 마름모의 인접하는 두 변이 이루는 각도의 하나(이하, 각도 1로 나타낸다. )는 50.2°이며, 열 전극의 평균 중심간 거리 M는 15mm이다(도 5 참조). 또 도 8에 있어서는, 반복 단위의 x방향에 있어서의 평균 길이 k2는 400μm, y방향에 있어서의 평균 길이 j2는 750μm로, 마름모의 인접하는 두 변이 이루는 각도의 하나(이하, 각도 2로 나타낸다. )(은)는 56. 1°이며, 열 전극의 평균 중심간 거리 L는 20 mm이다(도 6 참조).

그 후, 은염 감광 재료를 하기 확산 전사 현상액 내에 20℃으로 60초간 침지하고, 이어서 할로겐화 은유제층, 중간층 및 보호층을 40℃의 온수로 수세 제거하고 건조 처리했다. 이렇게 하여 광투과성 도전층으로서 도 7 혹은 도 8의 패턴 형상을 가지는 금속은 화상(metal silver image)을 가지는 광투과성 도전 재료를 각각 얻었다. 얻어진 광투과성 도전재료가 가지는 광투과성 도전층의 각각의 금속은화상은, 도 7 혹은 도 8의 패턴을 가지는 투과 원고와 같은 형상, 같은 선 폭이었다. 또, 공초점 현미경(confocal microscope)으로 조사한 금속은화상의 막두께는 0. 1μm였다.

＜확산 전사 현상액 조성＞

　수산화 칼륨　　　　　　　　　　　　　　　　　　　25g

　하이드로키논　　　　　　　　　　　　　　　　　　18g

　1－페닐-3－푸라졸리돈(furazolidone)　　　　　2g

　아황산 칼륨　　　　　　　　　　　　　　　　　　　80g

　N－메틸 에탄올 아민　　　　　　　　　　　　　15g

　브롬화 칼륨　　　　　　　　　　　　　　　　　　1. 2g

물을 추가해 전량을 1000ml로 조제하고, pH를 12.2로 조정했다.

얻어진 광투과성 도전재료 2매와 두께 2mm 폴리카보네이트판(미츠비시 가스 화학사 제조, 이하 PC판이라고 한다)을, 각각의 광투과성 도전재료의 광투과성 도전층면을 PC판측을 향하게 해, 광학 점착 테이프(MHM－FW25　일영화공사 제조, 이하 OCA라고 한다)를 이용해 네 모퉁이의 위치조정마크(alignment mark)(＋인)가 일치하도록, 또한 도 7, 도 8에 기재하고 있는 가상 점선으로 나타난 사각형 부분내에만 OCA가 접합될 수 있도록 하여, 접합순서가 PC판/OCA/도7의 패턴 형상을 가지는 금속은 화상을 가지는 광투과성 도전재료/OCA/도8의 패턴 형상을 가지는 금속은화상을 가지는 광도전성 재료가 되도록 접합하고 광투과성 전극 1을 제작했다.

＜실시예 2, 실시예 3, 비교예 1~5＞

도 7에 있어서의 k1, j1 및 각도 1, 도 8에 있어서의 k2, j2 및 각도 2를 표 1에 나타내는 값으로 한 투과 원고를 이용한 것 이외는 실시예 1와 마찬가지로 하여, 실시예 2, 실시예 3, 비교예 1~5의 각각의 광투과성 전극을 얻었다. 모든 광투과성 전극으로, M는 15 mm, L는 20 mm로 했다.

얻어진 실시예 1~3, 비교예 1~5의 광투과성 전극에 있어서, 모아레의 발생, 전광선 투과율, 및 전기 저항치의 안정성에 있어서 이하의 방법으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

＜모아레의 발생＞

얻어진 광투과성 전극을, 전면 백화상을 표시한 23형 와이드 액정 모니터(RDT234WK(BK) 미츠비시 전기 제)의 화면상에 배치하고 하기 기준으로 평가했다. △및×은 실용상 문제가 있다.

　0：눈으로 봤을 때, 모아레를 전혀 확인할 수 없다.

　△：눈으로 봤을 때, 잘 보면 모아레를 확인할 수 있다.

　×：눈으로 봤을 때, 모아레를 명확하게 확인할 수 있다.

＜전광선 투과율＞

얻어진 광투과성 전극의 OCA로 접합된 부분의 전광선 투과율을, 헤이즈미터(HZ－2　스가시험기사 제)를 이용해 측정했다.

＜전기 저항치의 안정성＞

(1) 얻어진 광투과성 전극의 도 7의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 각각의 열 전극에 있어서, 배선부을 통해, 전기적으로 접속된 단자부(15)와 열 전극의 배선부에는 연결되지 않은 쪽의 끝에 마련한 베타 전극(solid electrode)(17)과의 사이의 전기 저항치를 측정했다.

(2) 다음으로, 도 8의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 각각의 열 전극에 있어서, 그 양측으로부터 각각 배선부을 통해 전기적으로 접속된 단자부(15)－단자부(15)간의 전기 저항치를 측정했다.

(3) 다음으로, 도 7의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 모든 단자부와 도 8의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 모든 단자부와의 사이에 0. 2 V의 전압을 5분간 걸었다.

(4) 다음으로, 광투과성 전극을 60℃ 90%RH의 환경하에서 120시간 방치했다.

(5) 다음으로, (1) 및 (2)같은 방법으로 전기 저항치를 측정했다.

(6) 다음으로, 광투과성 전극의 열 전극 부분을 확대경에서 관찰해, 단선의 발생의 유무를 조사했다.

(7) 다음으로, 도 7의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 각각의 열 전극에 있어서 (1)에서의 전기 저항치와 (5)에서의 전기 저항치를 비교해, 그 변화량이(1)에서의 전기 저항치에 차지하는 비율을 산출해, 그 최소치와 최대치를 제외한 나머지의 열 전극(5개)의 값을 평균하여, 도 7의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 전기 저항치의 안정성의 지표로 했다. 또, 도 8의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 각각의 열 전극에 있어서 (2)에서의 전기 저항치와 (5)에서의 전기 저항치를 비교해, 그 변화량이 (2)에서의 전기 저항치에 차지하는 비율을 산출해 모든 열 전극(4개)의 값을 평균하여, 도 8의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 전기 저항치의 안정성의 지표로 했다. 도 7의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 전기 저항치의 안정성의 지표와 도 8의 패턴을 가지는 광투과성 도전재료측의 전기 저항치의 안정성의 지표 중, 큰 쪽을 그 광투과성 전극의 전기 저항치의 안정성의 지표로 했다.

이상의 시험의 결과에 대해서 하기 기준으로 평가했다. 1 및 2는 실용상 문제가 있다.

5：전기 저항치의 안정성의 지표가 5%미만으로, 모든 열 전극에서 단선이 없다.

4：전기 저항치의 안정성의 지표가 5%이상 10%미만으로, 모든 열 전극에서 단선이 없다.

3：전기 저항치의 안정성의 지표가 5%이상 10%미만으로, 일부의 열 전극에서 단선이 있다.

2：전기 저항치의 안정성의 지표가 10%이상으로, 일부의 열 전극에서 단선이 있다.

1：전기 저항치의 안정성의 지표가 매우 커져, 모든 열 전극에서 단선이 있다.

표 1의 결과로부터, 본 발명에 의해 정전 용량 방식을 이용한 터치 패널의 광투과성 전극으로서 적합한, 전광선 투과율이 높아서 모아레가 발생하기 어려운 한편, 전기 저항치의 안정성이 뛰어난 광투과성 전극을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.

1 a, 1b　광투과성기재
2 a, 2b　광투과성 도전층
3, 5 보호기재
4　접착층
6 a, 6 b　열 전극
11　센서부
12　더미부
13　비화상부
14　배선부
15　단자부
16　더미부의 금속 패턴
17　열 전극의 구석에 위치하는 베타 전극
20　광투과성 전극
R　가상 경계선
k1, k2　반복 단위의 제 1의 방향에 있어서의 평균 길이
j1, j2　반복 단위의 제 2의 방향에 있어서의 평균 길이
M　제 1의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리
L　제 2의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리

Claims

광투과성 기재상에, 단자부에 전기적으로 접속된 센서부와, 단자부에 전기적으로 접속되어 있지 않은 더미부를 가지는 광투과성 도전층을 적어도 2층 가지고, 해당 센서부와 해당 더미부는 소정 형상의 단위 금속 패턴이 반복되는 구조를 가지며, 일방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향으로 신장된 복수의 열 전극(column electrode)으로 구성되고, 열 전극과 더미부(dummy part)는 교대로 배치되어 있고, 타방의 광투과성 도전층이 가지는 센서부는 제 1의 방향에 직교하는 제 2의 방향으로 신장된 복수의 열 전극으로 구성되고, 열 전극과 더미부는 교대로 배치되어 있고, 또한 하기(a)~(c)의 요건을 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 광투과성 전극.
(a)　k1＞j1
　여기에서, k1는 일방의 광투과성 도전층의 제 1의 방향으로 신장된 열 전극이 가지는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 1의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타내고, j1는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 2의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타낸다.
(b)　2 M=n×j1
　여기에서, M는 제 1의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리를 나타내고, n는 자연수를 나타낸다.
(c)　k2＜j2, 한편 k1÷j2와 j2÷k1의 해가 양쪽 모두에 자연수가 아니다.
　여기에서, k2는 타방의 광투과성 도전층의 제 2의 방향으로 신장된 열 전극이 가지는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 1의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타내고, j2는 소정 형상의 단위 금속 패턴의 제 2의 방향에 있어서의 평균 길이를 나타낸다.
청구항 1에 있어서,
하기(d)의 요건을 추가로 만족하는 광투과성 전극.
(d)　2 L=p×k2
　여기에서, L는 타방의 광투과성 도전층에 있어서의 제 2의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리를 나타내고, p는 자연수를 나타낸다.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
하기(e)의 요건을 추가로 만족하는 광투과성 전극.
(e)　2 L=q×k1
여기에서, L는 타방의 광투과성 도전층에 있어서의 제 2의 방향으로 신장된 열 전극의 평균 중심간 거리를 나타내고, q는 자연수를 나타낸다.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,　
0. 15×k1＜j1＜0. 7×k1의 요건을 만족하는 광투과성 전극.
청구항 4에 있어서,
0. 35×k1＜j1＜0. 6×k1의 요건을 만족하는 광투과성 전극.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
0. 15×j2＜k2＜0. 7×j2의 요건을 만족하는 광투과성 전극.
청구항 6에 있어서,　
0. 35×j2＜k2＜0. 6×j2의 요건을 만족하는 광투과성 전극.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
하나의 광투과성 도전층이 가지는 센서부의 소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형과 더미부의 소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형이 합동인 광투과성 전극.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
소정 형상의 단위 금속 패턴의 도형이 마름모이며, 그 대각선이 제 1의 방향과 제 2의 방향에 있는 광투과성 전극.