JP2012226687A - タッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】タッチ検出電極を見えにくくすることができるタッチ検出器付き表示パネルを得る。
【解決手段】並設された複数の表示要素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む表示層と、第１の方向（方向ｘ）に沿って第１の領域（タッチ検出電極領域ＲＴ）と第２の領域（ダミー電極領域ＲＤ）とに交互に区分されると共に、第２の方向（方向ｙ）に延びるように並設された複数の第１のスリットＳＬと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットＳＬＤとを有する電極層とを備える。
【選択図】図９

Description

本開示は、静電容量の変化に基づいて外部近接物体によるタッチを検出する機能を有するタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器に関する。
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる接触検出装置を液晶表示装置等の表示装置上に装着し、あるいはタッチパネルと表示装置とを一体化し、その表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能とした表示パネルが注目されている。このようなタッチパネルを有する表示パネルは、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。
タッチパネルの方式としては、光学式や抵抗式などいくつかの方式が存在するが、比較的単純な構造をもち、かつ低消費電力が実現できる、静電容量式のタッチパネルが期待されている。例えば、特許文献１には、複数の対向電極（駆動電極）と、これらと交差する複数の検出電極（タッチ検出電極）とを備え、それらの交差部に形成された静電容量が外部近接物体により変化することを利用してタッチを検出するタッチ検出器付き表示装置が開示されている。このタッチ検出器付き表示装置では、例えば、タッチ検出電極を、画素の配置ピッチの自然数倍のピッチで配置することにより、そのタッチ検出電極が見えにくくなるようにしている。
特開２０１０−１９７５７６号公報
このようなタッチパネルでは、このタッチ検出電極が殆ど見えなくなるのが望ましく、さらにこのタッチ検出電極を見えにくくすることが期待されている。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、タッチ検出電極を見えにくくすることができるタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器を提供することにある。
本開示のタッチ検出器付き表示パネルは、表示層と、電極層とを備えている。表示層は、並設された複数の表示要素を含んでいる。電極層は、第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有するものである。
本開示のタッチパネルは、電極層を備えている。この電極層は、第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有するものである。
本開示の電子機器は、上記タッチ検出器付き表示パネルを備えたものであり、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。
本開示のタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器では、電極層の第１の領域および第２の領域において、第２の方向に延びる第１のスリットが並設される。そして、第２の領域において、隣接する第１のスリットは、第２のスリットにより連通される。
本開示のタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器によれば、電極層の第１の領域および第２の領域において、第１のスリットを並設するとともに、第２の領域において、隣接する第１のスリットを、第２のスリットにより連通したので、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、指が接触または近接していない状態を表す図である。 本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、指が接触または近接した状態を表す図である。 本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、駆動信号およびタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。 本開示の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネルの一構成例を表すブロック図である。 図４に示したタッチ検出器付き表示デバイスの概略断面構造を表す断面図である。 図４に示したタッチ検出器付き表示デバイスにおける画素配列を表す回路図である。 図４に示したタッチ検出器付き表示デバイスにおける駆動電極およびタッチ検出電極の一構成例を表す斜視図である。 図７に示したタッチ検出電極の一構成例を表す平面図である。 第１の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 図９に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第１の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第１の実施の形態の他の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 図１２に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第２の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第２の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第２の実施の形態の他の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第３の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 図１７に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第３の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第４の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 図２０に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第５の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 第５の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。 実施の形態を適用したタッチ検出器付き表示パネルのうち、適用例１の外観構成を表す斜視図である。 適用例２の外観構成を表す斜視図である。 適用例３の外観構成を表す斜視図である。 適用例４の外観構成を表す斜視図である。 適用例５の外観構成を表す正面図、側面図、上面図および下面図である。 変形例に係るタッチ検出器付き表示デバイスの概略断面構造を表す断面図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．静電容量式タッチ検出の基本原理
２．第１の実施の形態
３．第２の実施の形態
４．第３の実施の形態
５．第４の実施の形態
６．第５の実施の形態
７．適用例
＜１．静電容量式タッチ検出の基本原理＞
まず最初に、図１〜図３を参照して、本発明のタッチ検出器付き表示装置におけるタッチ検出の基本原理について説明する。このタッチ検出方式は、静電容量式のタッチセンサとして具現化されるものであり、例えば図１（Ａ）に示したように、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極（駆動電極Ｅ１およびタッチ検出電極Ｅ２）を用い、容量素子を構成する。この構造は、図１（Ｂ）に示した等価回路として表される。駆動電極Ｅ１、タッチ検出電極Ｅ２および誘電体Ｄによって、容量素子Ｃ１が構成される。容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端Ｐは抵抗器Ｒを介して接地されると共に、電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数十ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図３（Ｂ））を印加すると、タッチ検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端Ｐ）に、図３（Ａ）に示したような出力波形（タッチ検出信号Ｖdet）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、後述する駆動信号Ｖcomに相当するものである。
指が接触（または近接）していない状態では、図１に示したように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。このときの容量素子Ｃ１の他端Ｐの電位波形は、例えば図３（Ａ）の波形Ｖ０のようになり、これが電圧検出器ＤＥＴによって検出される。
一方、指が接触（または近接）した状態では、図２に示したように、指によって形成される容量素子Ｃ２が容量素子Ｃ１に直列に追加された形となる。この状態では、容量素子Ｃ１、Ｃ２に対する充放電に伴って、それぞれ電流Ｉ１、Ｉ２が流れる。このときの容量素子Ｃ１の他端Ｐの電位波形は、例えば図３（Ａ）の波形Ｖ１のようになり、これが電圧検出器ＤＥＴによって検出される。このとき、点Ｐの電位は、容量素子Ｃ１、Ｃ２を流れる電流Ｉ１、Ｉ２の値によって定まる分圧電位となる。このため、波形Ｖ１は、非接触状態での波形Ｖ０よりも小さい値となる。電圧検出器ＤＥＴは、検出した電圧を所定のしきい値電圧Ｖthと比較し、このしきい値電圧以上であれば非接触状態と判断する一方、しきい値電圧未満であれば接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出が可能となる。
＜２．第１の実施の形態＞
［構成例］
（全体構成例）
図４は、本発明の第１の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示装置の一構成例を表すものである。尚、本発明の実施の形態に係るタッチ検出装置は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。このタッチ検出器付き表示装置は、表示素子として液晶表示素子を用いており、その液晶表示素子により構成される液晶表示デバイスと静電容量式のタッチ検出デバイスとを一体化した、いわゆるインセルタイプの装置である。
このタッチ検出器付き表示装置１は、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出器付き表示デバイス１０と、タッチ検出部４０とを備えている。
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖdispに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する回路である。
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。具体的には、ゲートドライバ１２は、後述するように、走査信号Ｖscanを、走査信号線ＧＣＬを介して、画素ＰixのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、タッチ検出器付き表示デバイス１０の液晶表示デバイス２０にマトリックス状に形成されている画素Ｐixのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択するようになっている。
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス１０の各画素Ｐix（後述）に画素信号Ｖpixを供給する回路である。具体的には、ソースドライバ１３は、後述するように、画素信号Ｖpixを、画素信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する各画素Ｐixにそれぞれ供給するものである。そして、これらの画素Ｐixでは、供給される画素信号Ｖpixに応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス１０の駆動電極ＣＯＭＬ（後述）に駆動信号Ｖcomを供給する回路である。具体的には、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して、駆動信号Ｖcomを時分割的に順次印加する。そして、タッチ検出デバイス３０は、複数のタッチ検出電極ＴＤＬ（後述）から、その駆動信号Ｖcomに基づくタッチ検出信号Ｖdetを出力し、タッチ検出部４０に供給するようになっている。
タッチ検出器付き表示デバイス１０は、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイスである。タッチ検出器付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。液晶表示デバイス２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖscanに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行うデバイスである。タッチ検出デバイス３０は、上述した静電容量式タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、タッチ検出信号Ｖdetを出力するものである。このタッチ検出デバイス３０は、後述するように、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖcomに従って順次走査を行い、タッチ検出を行うようになっている。
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出器付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給されるタッチ検出信号Ｖdetに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求め、出力信号Ｏutとして出力する回路である。
（タッチ検出器付き表示デバイス１０）
次に、タッチ検出器付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。
図５は、タッチ検出器付き表示デバイス１０の要部断面構造の例を表すものである。このタッチ検出器付き表示デバイス１０は、画素基板２と、この画素基板２に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された液晶層６とを備えている。
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２とを有している。ＴＦＴ基板２１は、各種電極や配線、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）などが形成される回路基板として機能するものであり、例えばガラスにより構成されるものである。このＴＦＴ基板２１の上には、駆動電極ＣＯＭＬが形成される。駆動電極ＣＯＭＬは、複数の画素Ｐix（後述）に共通の電圧を供給するための電極である。この駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示動作のための共通駆動電極として機能するとともに、タッチ検出動作のための駆動電極としても機能するものである。なお、この例では駆動電極を表示とタッチ検出とで共用するようにしたが、別体としてそれぞれ設けるようにしてもよい。駆動電極ＣＯＭＬの上には絶縁層２３が形成され、その上に画素電極２２が形成される。画素電極２２は、表示を行うための画素信号が供給される電極であり、透光性を有するものである。駆動電極ＣＯＭＬおよび画素電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により構成される。
対向基板３は、ガラス基板３１と、カラーフィルタ３２と、タッチ検出電極ＴＤＬとを有している。カラーフィルタ３２は、ガラス基板３１の一方の面に形成されている。このカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタ層を周期的に配列して構成したもので、各表示画素にＲ、Ｇ、Ｂの３色が１組として対応付けられている。なお、カラーフィルタ３２は、ＲＧＢの３色に限定されるものではなく、例えば、他の色のカラーフィルタ層を含んで構成してもよいし、２色以下あるいは４色以上のカラーフィルタ層により構成してもよい。また、ガラス基板３１の他方の面には、透光層３３が形成され、その上にタッチ検出デバイス３０の検出電極であるタッチ検出電極ＴＤＬが複数並設されている。これらのタッチ検出電極ＴＤＬの間には、後述するように、このタッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくするためのダミー電極３７が設けられている。タッチ検出電極ＴＤＬおよびダミー電極３７は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯなどにより構成されるものであり、透光性のある電極である。透光層３３は、例えばＳｉＮ，ＳｉＣなど絶縁性の材料によって構成されるものであり、透光層３３の屈折率は、視感度が高い波長５５０ｎｍ付近において、ガラス基板３１の屈折率（例えば１．５程度）とタッチ検出電極ＴＤＬの屈折率（例えば１．８程度）の間の値（例えばＳｉＮでは１．７５程度、ＳｉＣでは１．６程度）になっている。この透光層３３は、ガラス基板３１とタッチ検出電極ＴＤＬの間における反射を低減するためのインデックスマッチング層として設けられたものである。このタッチ検出電極ＴＤＬの上には、偏光板３５が配設され、その上にはカバーガラス３６が設けられている。なお、この例では、透光層３３を設けるようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、透光層３３を設けなくても良い。
液晶層６は、表示機能層として機能するものであり、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。この電界は、駆動電極ＣＯＭＬの電圧と画素電極２２の電圧との電位差により形成される。液晶層６には、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）やＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。
なお、液晶層６と画素基板２との間、および液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設され、また、画素基板２の下面側には入射側偏光板が配置されるが、ここでは図示を省略している。偏光板３５およびこの入射側偏光板（図示せず）は、円偏光板または楕円偏光板が用いられる。
図６は、液晶表示デバイス２０の一構成例を表すものであり、（Ａ）は回路図を示し、（Ｂ）は画素配列を示す。液晶表示デバイス２０は、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐixを有している。各画素Ｐixは、３つのサブ画素ＳＰixにより構成される。この３つのサブ画素ＳＰixは、図５に示したカラーフィルタ３２の３色（ＲＧＢ）にそれぞれ対応するように配置されている。サブ画素ＳＰixは、ＴＦＴ素子Ｔｒおよび液晶素子ＬＣを有している。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソースは画素信号線ＳＧＬに接続され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに接続され、ドレインは液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのドレインに接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
サブ画素ＳＰixは、走査信号線ＧＣＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他のサブ画素ＳＰixと互いに接続されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２と接続され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖscanが供給される。また、サブ画素ＳＰixは、画素信号線ＳＧＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ列に属する他のサブ画素ＳＰixと互いに接続されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖpixが供給される。
画素信号線ＳＧＬおよび走査信号線ＧＣＬは、図６（Ｂ）に示したように、画素基板２において、互いに隣接するサブ画素ＳＰixの間の境界に配置されている。具体的には、画素信号線ＳＧＬは、横方向（ｘ方向）に隣接するサブ画素ＳＰixの間の境界に配置され、走査信号線ＧＣＬは、縦方向（ｙ方向）に隣接するサブ画素ＳＰixの間の境界に配置されている。画素信号線ＳＧＬおよび走査信号線ＧＣＬは、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、チタンなどの単層または多層膜などより構成される。これにより、画素信号線ＳＧＬおよび走査信号線ＧＣＬの部分では光が通らないようになっている。
さらに、サブ画素ＳＰixは、駆動電極ＣＯＭＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他のサブ画素ＳＰixと互いに接続されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４と接続され、駆動電極ドライバ１４より駆動信号Ｖcomが供給される。
この構成により、液晶表示デバイス２０では、ゲートドライバ１２が走査信号線ＧＣＬを時分割的に線順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択され、その１水平ラインに属する画素Ｐixに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖpixを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
図７は、タッチ検出デバイス３０の一構成例を斜視的に表すものである。タッチ検出デバイス３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬ、および対向基板３に設けられたタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。駆動電極ＣＯＭＬは、図の左右方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンに分割されている。タッチ検出動作を行う際は、各電極パターンには、駆動電極ドライバ１４によって駆動信号Ｖcomが順次供給され、時分割的に順次走査駆動が行われるようになっている。タッチ検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びる電極パターンから構成されている。タッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出部４０にそれぞれ接続されている。駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を形成している。
この構成により、タッチ検出デバイス３０では、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖcomを印加することにより、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖdetを出力し、タッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、図１〜図３に示したタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出電極Ｅ２に対応するものであり、タッチ検出デバイス３０はこの基本原理に従ってタッチを検出するようになっている。図７に示したように、互いに交差した電極パターンは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体にわたって走査することにより、外部近接物体の接触または近接が生じた位置の検出も可能となっている。
図８は、タッチ検出電極ＴＤＬの一構成例を表すものである。図８において、タッチ検出電極ＴＤＬ（タッチ検出電極領域ＲＴ）は、表示領域Ｓｄを縦断してｙ方向に延伸するように形成されており、その表示領域Ｓｄの外側の額縁領域Ｓｆから、例えば配線などを介してタッチ検出部４０に接続されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、図８に示したように、四角形の形状の開口部を有している。そして、この開口部の領域および隣接するタッチ検出電極ＴＤＬとの間の領域には、ダミー電極領域ＲＤが設けられ、ダミー電極３７（後述）が形成されている。後述するように、タッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤでは、各画素Ｐixの有効画素領域における電極配置が同じになっている。
図９は、タッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤにおける電極配置の一構成例を表すものである。この図９は、図８に示した部分Ｐを詳細に示したものである。
タッチ検出電極領域ＲＴでは、図９において縦方向（ｙ方向）に延びるスリットＳＬにより分割された複数の電極パターンが形成されている。これらの複数の電極パターンは、図８に示した額縁領域Ｓｆにおいて束ねられ、１本のタッチ検出電極ＴＤＬを構成するようになっている。このスリットＳＬは、タッチ検出電極領域ＲＴと同様に、ダミー電極領域ＲＤにも設けられている。これらのスリットＳＬは、図９の横方向（ｘ方向）において所定数（この例では３つ）のサブ画素Ｓpixごとに配置されている。このスリットＳＬのピッチは、人間の目で認識できない大きさであることが望ましく、例えば５００μｍ以下であることが望ましい。また、ダミー電極領域ＲＤには、図９において横方向に延び、隣接するスリットＳＬを互いに接続するスリットＳＬＤも設けられている。このスリットＳＬＤは、画素基板２において走査信号線ＧＣＬが形成された領域に設けられている。すなわち、このスリットＳＬＤは、光を通さない位置に配置されている。スリットＳＬＤは、図９の縦方向において所定数（この例では８つ）の画素Ｐix（サブ画素Ｓpix）ごとに配置されている。このスリットＳＬＤのピッチは、スリットＳＬの場合と同様に、人間の目で認識できない大きさであることが望ましく、例えば５００μｍ以下であることが望ましい。これにより、ダミー電極領域ＲＤには、スリットＳＬ，ＳＬＤにより分割された、複数のダミー電極３７が形成される。ダミー電極３７のそれぞれは、電気的に他の部分と接続されておらず、フローティング状態になっている。
スリットＳＬは、この例では、画素Ｐixのうちの、青色（Ｂ）のサブ画素Ｓpixに対応する位置に設けられている。これは、タッチ検出電極ＴＤＬおよびダミー電極３７における光透過率が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうち、青（Ｂ）で最も低いことに対応している。すなわち、スリットＳＬを青色（Ｂ）のサブ画素ＳＰixに対応する位置に配置することにより、青色の光の強度がこれらの電極で低下し、白色の色度が黄変化するのを抑えるようになっている。
ここで、サブ画素ＳＰixは、本開示における「表示要素」の一具体例に対応する。液晶層６は、本開示における「表示層」の一具体例に対応する。タッチ検出電極領域ＲＴは、本開示における「第１の領域」の一具体例に対応する。ダミー電極領域ＲＤは、本開示における「第２の領域」の一具体例に対応する。スリットＳＬは、本開示における「第１のスリット」の一具体例に対応する。スリットＳＬＤは、本開示における「第２のスリット」の一具体例に対応する。走査信号線ＧＣＬは、本開示における「信号配線」の一具体例に対応する。
［作用および効果］
続いて、本実施の形態のタッチ検出器付き表示パネル１の作用および効果について説明する。
（全体動作概要）
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖdispに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する。ゲートドライバ１２は、液晶表示デバイス２０に走査信号Ｖscanを供給し、表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する。ソースドライバ１３は、ゲートドライバ１２により選択された１水平ラインを構成する各画素Ｐixに、画素信号Ｖpixを供給する。駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖcomを順次印加する。タッチ検出器付き表示デバイス１０は、表示動作を行うとともに、駆動信号Ｖcomに基づいてタッチ検出動作を行い、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖdetを出力する。タッチ検出部４０は、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無およびタッチ座標を求め、その結果を出力信号Ｏutとして出力する。
タッチ検出器付き表示パネル１では、タッチ検出電極領域ＲＴと、ダミー電極領域ＲＤとで、画素Ｐixにおける光を通す領域（有効画素領域）における電極配置が同じになっている。これにより、タッチ検出電極領域ＲＴにおける光の透過量と、ダミー電極領域ＲＤにおける光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくすることができる。以下に、その詳細を説明する。
図１０は、有効画素領域における電極配置を表すものであり、（Ａ）はタッチ検出電極領域ＲＴにおける電極配置を示し、（Ｂ），（Ｃ）はダミー電極領域ＲＤにおける電極配置を示す。ここで、図１０（Ｂ）は、図９に示した画素ＰixＤの有効画素領域における電極配置を示し、図１０（Ｃ）は、画素ＰixＤ２の有効画素領域における電極配置を示す。
図１０（Ａ），（Ｂ）に示したように、タッチ検出電極領域ＲＴに係る画素ＰixＴにおける電極配置と、ダミー電極領域ＲＤに係る画素ＰixＤにおける電極配置とは、同じである。これにより、画素ＰixＴの有効画素領域（走査信号線ＧＣＬおよび画素信号線ＳＧＬが設けられていない領域）における電極配置と、画素ＰixＤの有効画素領域における電極配置は同じものとなる。具体的には、画素ＰixＴの有効画素領域のうち、赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域全体を覆うように電極（タッチ検出電極ＴＤＬ）が設けられ、青色（Ｂ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域の一部に電極（タッチ検出電極ＴＤＬ）が設けられている（図１０（Ａ）の斜線部）。同様に、画素ＰixＤの有効画素領域のうち、赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域全体を覆うように電極（ダミー電極３７）が設けられ、青色（Ｂ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域の一部に電極（ダミー電極３７）が設けられている（図１０（Ｂ）の斜線部）。
一方、図１０に示したように、ダミー電極領域ＲＤに係る画素ＰixＤ２における電極配置（図１０（Ｃ））は、画素ＰixＴに係る電極配置（図１０（Ａ））および画素ＰixＤに係る電極配置（図１０（Ｂ））と若干異なる。しかしながら、画素ＰixＤ２の有効画素領域における電極配置は、画素ＰixＴ，ＰixＤのものと同じである。すなわち、画素ＰixＤ２の有効画素領域のうち、赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域全体を覆うように電極（ダミー電極３７）が設けられ、青色（Ｂ）に係るサブ画素ＳＰixの領域には、その領域の一部に電極（ダミー電極３７）が設けられている（図１０（Ｃ）の斜線部）。
このように、タッチ検出器付き表示パネル１では、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、有効画素領域における電極配置パターンが同じになっている。これにより、タッチ検出器付き表示デバイス１０の液晶表示デバイス２０において、例えば、各画素Ｐixが同じ色の表示を行うことにより、画面一面にわたり均一な表示が行われた場合でも、タッチ検出電極領域ＲＴにおける光の透過量と、ダミー電極領域ＲＤにおける光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくすることができる。
なお、図５に示したように、タッチ検出電極ＴＤＬとカラーフィルタ３１とは、互いに異なる層に形成されるため、観察者が表示画面を正面から見た場合には、スリットＳＬが青色（Ｂ）のサブ画素ＳＰixに対応する位置にあっても、観察者が斜めの方向から見た場合には、例えばスリットＳＬが緑色（Ｇ）のサブ画素ＳＰixに対応する位置にあるように見える場合があり、色度ずれが生じるおそれがある。しかしながら、この場合でも、タッチ検出器付き表示パネル１では、画素ＰixＴ，ＰixＤ，ＰixＤ２の有効画素領域における電極配置パターンが同じであるため、タッチ検出電極領域ＲＴと、ダミー電極領域ＲＤとで、この色度ずれも同じになるため、タッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくすることができる。
また、タッチ検出器付き表示パネル１では、ダミー電極領域ＲＤにおいて、スリットＳＬＤを、図９の縦方向（ｙ方向）において８つの画素Ｐix（サブ画素Ｓpix）ごとに配置している。これにより、ダミー電極領域ＲＤにおける電極配置パターンは、ダミー電極領域ＲＤにおいて各画素ＰixごとスリットＳＬＤを設けた場合と比較して、横方向（ｘ方向）に延びるスリットが設けられていないタッチ検出電極領域ＲＴにおける電極配置パターンとより似たものになる。よって、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、ダミー電極領域ＲＤとタッチ検出電極領域ＲＴとで電極配置パターンが似ているため、タッチ検出電極領域ＲＴのタッチ検出電極ＴＤＬが見えてしまうおそれを低減することができる。
［効果］
以上のように本実施の形態では、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、各画素の有効画素領域における電極配置率を等しくしたので、これらの領域における光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
また、本実施の形態では、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、各画素の有効画素領域における電極配置パターンを同じにしたので、同じ色のサブ画素で光の透過量が互いに等しくなるため、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
また、本実施の形態では、ダミー電極領域において、スリットＳＬＤを複数の画素ごとに設けたので、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで電極配置パターンが互いに似たものになるため、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
［変形例１−１］
上記実施の形態では、スリットＳＬを３つのサブ画素ＳＰixごとに配置し、スリットＳＬＤを８つの画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、スリットＳＬを２つ以下もしくは４つ以上のサブ画素ＳＰixごとに配置してもよいし、スリットＳＬＤを７つ以下もしくは９つ以上の画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置してもよい。図１１に、スリットＳＬを各サブ画素Ｓpixごとに配置するとともに、スリットＳＬＤを４つの画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置した場合を示す。この場合でも、上記実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくすることができる。
［変形例１−２］
上記実施の形態では、各サブ画素ＳＰixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、例えば、図１２に示したように、平行四辺形の形状に形成してもよい。この場合でも、図１３に示したように、画素ＰixＴの有効画素領域における電極配置（図１３（Ａ）の斜線部）は、画素ＰixＤ，ＰixＤ２の有効画素領域における電極配置（図１３（Ｂ），（Ｃ）の斜線部）と同じになるため、上記実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬを見えにくくすることができる。
＜３．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０について説明する。本実施の形態は、タッチ検出電極領域ＲＴにも、スリットＳＬに交差する方向に延びるスリットを設けたものである。なお、上記第１の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１４は、タッチ検出器付き表示パネル１２０に係るタッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤにおける電極配置の一構成例を表すものである。なお、図１４では、説明の便宜上、走査信号線ＧＣＬを太く描いている。
タッチ検出電極領域ＲＴには、図１４において横方向（ｘ方向）に延びるスリットＳＬＴを有している。このスリットＳＬＴは、ダミー電極領域ＲＤに設けられたスリットＳＬＤと同様に、走査信号線ＧＣＬに対応する位置に設けられており、この例では、スリットＳＬＴ，ＳＬＤは、図１４の縦方向（ｙ方向）において各画素Ｐix（サブ画素Ｓpix）ごとに配置されている。スリットＳＬＴは、スリットＳＬを中心にして左右に延びるように形成されている。スリットＳＬＴの長さは、図１４の横方向における画素Ｐixの幅と同じであり、スリットＳＬＴの幅は、スリットＳＬＤの幅と同じである。隣接するスリットＳＬに係るスリットＳＬＴは、図１４の縦方向において互い違いに配置されている。
ここで、スリットＳＬＴは、本開示における「第３のスリット」の一具体例に対応する。
この構成により、タッチ検出器付き表示パネル１２０では、上記第１の実施の形態におけるタッチ検出器付き表示パネル１と同様に、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、各画素の有効画素領域における電極配置を同じにしたので、これらの領域における光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極ＴＤＬ２を見えにくくすることができる。
また、タッチ検出器付き表示パネル１２０では、タッチ検出電極領域ＲＴにスリットＳＬＴを設けることにより、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができるとともに、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができる。すなわち、タッチ検出器付き表示パネル１２０では、ダミー電極領域ＲＤにおいて、図１４の縦方向（ｙ方向）に並設された画素Ｐix（サブ画素Ｓpix）ごとにスリットＳＬＤを配置している。この場合には、タッチ検出電極領域ＲＴにおいても、図１４の縦方向に並設された画素Ｐix（サブ画素Ｓpix）ごとにスリットＳＬＴを形成することにより、上記第１の実施の形態に示したような、タッチ検出電極領域ＲＴにスリットＳＬＴを形成しない場合に比べて、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができる。これにより、タッチ検出器付き表示パネル１２０では、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極ＴＤＬ２を見えにくくすることができる。
言い換えれば、上記第１の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１は、ダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤを少なくすることにより、タッチ検出電極領域ＲＴにスリットＳＬＴを設けなくても、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、互いに似た電極配置パターンを有するように構成したものである。
一方、本実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０は、タッチ検出電極領域ＲＴでも、ダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤと同じようにスリットＳＬＴを設けることにより、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにするとともに、互いに似た電極配置パターンを有するように構成したものである。これにより、例えば、ダミー電極領域ＲＤにおいて、スリットＳＬＤが多く配置されている場合でも、タッチ検出電極領域ＲＴに同じようにスリットＳＬＴを設けることにより、タッチ検出電極ＴＤＬ２を見えにくくすることができる。
以上のように、本実施の形態では、タッチ検出電極領域にスリットＳＬＴを設けたので、例えば、ダミー電極領域においてスリットＳＬＤが多く配置されている場合でも、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができるとともに、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。
［変形例２−１］
上記実施の形態では、スリットＳＬを３つのサブ画素ＳＰixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットＳＬを２つ以下もしくは４つ以上のサブ画素ＳＰixごとに配置してもよい。図１５は、スリットＳＬを各サブ画素Ｓpixごとに配置した場合に例を表すものである。この場合でも、上記第２の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ２Ａを見えにくくすることができる。
［変形例２−２］
上記実施の形態では、スリットＳＬＤ，ＳＬＴを各画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットＳＬＤ，ＳＬＴを２つ以上の画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置してもよい。図１６は、スリットＳＬＤ，ＳＬＴを２つの画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置した場合の例を表すものである。この場合でも、上記第２の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ２Ｂを見えにくくすることができる。
［その他の変形例］
上記実施の形態では、各サブ画素ＳＰixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第１の実施の形態の変形例１−２と同様に、各サブ画素ＳＰixを平行四辺形の形状に形成してもよい。
＜４．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１３０について説明する。本実施の形態は、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０において、ダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤを、タッチ検出電極領域ＲＴのスリットＳＬＴと同様に、互い違いに配置したものである。なお、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１７は、タッチ検出器付き表示パネル１３０に係るタッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤにおける電極配置の一構成例を表すものである。なお、図１７では、説明の便宜上、走査信号線ＧＣＬを太く描いている。
タッチ検出器付き表示パネル１３０では、ダミー電極領域ＲＤにおいて、図１７の横方向（ｘ方向）に隣接するスリットＳＬＤが、タッチ検出電極領域ＲＴにおけるスリットＳＬＴと同じように互い違いに配置されている。これにより、タッチ検出器付き表示パネル１３０では、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０の場合に比べて、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、電極配置パターンとを互いにより似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極ＴＤＬ２を見えにくくすることができる。
以上のように、本実施の形態では、ダミー電極領域のスリットＳＬＤを、タッチ検出電極領域のスリットＳＬＴと同じように互い違いに配置したので、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第２の実施の形態の場合と同様である。
［変形例３−１］
上記実施の形態では、スリットＳＬＴ，ＳＬＤは、ともに走査信号線ＧＣＬが形成された領域において互い違いに設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、走査信号線ＧＣＬが形成された領域を挟んで互い違いに設けてもよい。この場合、例えば、図１８に示したように、画素ＰixＴの有効画素領域における電極配置パターン（図１８（Ａ）の斜線部）は、画素ＰixＤの有効画素領域における電極配置パターン（図１８（Ｂ）の斜線部）とは若干異なるものの、各有効画素領域における電極配置率は等しくなるため、上記第３の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ２を見えにくくすることができる。
［変形例３−２］
上記実施の形態では、スリットＳＬを３つのサブ画素ＳＰixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットＳＬを２つ以下もしくは４つ以上のサブ画素ＳＰixごとに配置してもよい。図１９は、スリットＳＬを各サブ画素Ｓpixごとに配置した場合に例を表すものである。この場合でも、上記第３の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ２Ａを見えにくくすることができる。
［その他の変形例］
上記実施の形態では、各サブ画素ＳＰixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第１の実施の形態の変形例１−２と同様に、各サブ画素ＳＰixを平行四辺形の形状に形成してもよい。
＜５．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１４０について説明する。本実施の形態は、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０において、タッチ検出電極領域ＲＴのスリットＳＬＴおよびダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤの延伸方向を傾けて配置したものである。なお、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図２０は、タッチ検出器付き表示パネル１４０に係るタッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤにおける電極配置の一構成例を表すものである。タッチ検出器付き表示パネル１４０では、各サブ画素ＳＰixを平行四辺形の形状に形成しており、それに応じて、タッチ検出電極領域ＲＴのスリットＳＬＴおよびダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤは、走査信号線ＧＣＬが形成された領域において、その延伸方向を傾けて設けられている。タッチ検出電極領域ＲＴにおいて、隣接するスリットＳＬに係るスリットＳＬＴは、上記第３の実施の形態の場合（図１７）とは異なり、図２０の縦方向の同じ位置に配置されている。
これにより、タッチ検出器付き表示パネル１４０では、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極ＴＤＬ４を見えにくくすることができる。
以上のように、本実施の形態では、スリットＳＬＴ，ＳＬＤを斜め方向に延伸するように形成したので、上記第２の実施の形態のように互い違いに形成することなく、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第２の実施の形態の場合と同様である。
［変形例４−１］
上記実施の形態では、スリットＳＬＴ，ＳＬＤは、ともに走査信号線ＧＣＬが形成された領域に設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、走査信号線ＧＣＬが形成された領域からはみ出すように形成してもよい。この場合、図２１に示したように、画素ＰixＴの有効画素領域における電極配置パターン（図２１（Ａ）の斜線部）は、画素ＰixＤの有効画素領域における電極配置パターン（図２１（Ｂ）の斜線部）と若干異なるものの、各有効画素領域における電極配置率はほぼ等しくなるため、上記第４の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ４を見えにくくすることができる。
［その他の変形例］
上記実施の形態では、スリットＳＬを３つのサブ画素ＳＰixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットＳＬを２つ以下もしくは４つ以上のサブ画素ＳＰixごとに配置してもよい。
また、上記実施の形態では、スリットＳＬＤ，ＳＬＴを各画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットＳＬＤ，ＳＬＴを２つ以上の画素Ｐix（サブ画素ＳＰix）ごとに配置してもよい。
また、上記実施の形態では、各サブ画素ＳＰixを平行四辺形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第３の実施の形態等の場合と同様に、長方形の形状に形成してもよい。
＜６．第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１５０について説明する。本実施の形態は、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０において、タッチ検出電極領域ＲＴのスリットＳＬＴを互い違いに配置する代わりに、太く形成したものである。なお、上記第２の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル１２０と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図２２は、タッチ検出器付き表示パネル１５０に係るタッチ検出電極領域ＲＴおよびダミー電極領域ＲＤにおける電極配置の一構成例を表すものである。タッチ検出電極領域ＲＴのスリットＳＬＴは、その長さが図２２の横方向（ｘ方向）における画素Ｐixの幅よりも短く形成されるとともに、その幅がダミー電極領域ＲＤのスリットＳＬＤに比べて太く形成されている。これにより、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができる。隣接するスリットＳＬに係るスリットＳＬＴは、図２２の縦方向（ｙ方向）において同じ位置に配置されている。
これにより、タッチ検出器付き表示パネル１５０では、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極ＴＤＬ５を見えにくくすることができる。
以上のように、本実施の形態では、スリットＳＬＴを太く形成したので、上記第２の実施の形態のように互い違いに形成することなく、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第２の実施の形態の場合と同様である。
［変形例５−１］
上記実施の形態では、スリットＳＬＴは、スリットＳＬから左右に延びるように形成したが、これに限定されるものではなく、例えば、図２３に示したように、スリットＳＬと分離して形成してもよい。この場合でも、タッチ検出電極領域ＲＴとダミー電極領域ＲＤとで、電極配置パターンを互いに似たものにすることができるため、上記第５の実施の形態と同様に、タッチ検出電極ＴＤＬ５Ａを見えにくくすることができる。
＜７．適用例＞
次に、図２４〜図２８を参照して、上記実施の形態および変形例で説明したタッチ検出器付き表示パネルの適用例について説明する。上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルは、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルは、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
（適用例１）
図２４は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるテレビジョン装置の外観を表すものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
（適用例２）
図２５は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるデジタルカメラの外観を表すものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
（適用例３）
図２６は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表すものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
（適用例４）
図２７は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、その表示部５４４は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
（適用例５）
図２８は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用される携帯電話機の外観を表すものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
以上、いくつかの実施の形態および変形例、ならびに電子機器への適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、ＴＦＴ基板２１の上に駆動電極ＣＯＭＬを形成し、その上に絶縁膜２３を介して画素電極２２を形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、ＴＦＴ基板２１の上に画素電極２２を形成し、その上に絶縁膜２３を介して駆動電極ＣＯＭＬを形成してもよい。
また、例えば、上記実施の形態等では、ＦＦＳやＩＰＳ等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化したが、これに代えて、ＴＮ（ツイステッドネマティック）、ＶＡ（垂直配向）、ＥＣＢ（電界制御複屈折）等の各種モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化してもよい。このような液晶を用いた場合には、タッチ検出器付き表示デバイスを、図２９に示したように構成可能である。図２９は、本変形例に係るタッチ検出器付き表示デバイス１０Ｂの要部断面構造の一例を表すものであり、画素基板２Ｂと対向基板３Ｂとの間に液晶層６Ｂを挟持された状態を示している。その他の各部の名称や機能等は図５の場合と同様なので、説明を省略する。この例では、図５の場合とは異なり、表示用とタッチ検出用の双方に兼用される駆動電極ＣＯＭＬは、対向基板３Ｂに形成されている。
また、例えば、上記各実施の形態では、液晶表示デバイスと静電容量式のタッチ検出デバイスとを一体化したいわゆるインセルタイプとしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば液晶表示デバイスの表面に静電容量式のタッチ検出デバイスを形成した、いわゆるオンセルタイプであってもよいし、静電容量式のタッチ検出デバイスを表示デバイスとは別体として形成してもよい。
また、例えば、上記各実施の形態では、表示素子は液晶素子としたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えばＥＬ（Electro Luminescence）素子であってもよい。
なお、本技術は以下のような構成とすることができる。
（１）並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層と
を備えたタッチ検出器付き表示パネル
（２）前記第２の方向に隣接する前記表示要素間において前記第１の方向に延伸する信号配線を複数有する配線層をさらに備え、
前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域に設けられている
前記（１）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（３）前記第２のスリットは、複数の前記信号配線ごとに設けられている
前記（２）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（４）前記電極層は、前記第１の領域において、隣接する第１のスリット間を連通させないように配置された複数の第３のスリットを有する
前記（２）または（３）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（５）前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、ともに同じ前記信号配線に対応する領域に設けられている
前記（４）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（６）前記第１の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第３のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において互いに異なる位置に設けられている
前記（４）または（５）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（７）前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において互いに異なる位置に設けられている
前記（６）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（８）前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられている
前記（６）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（９）前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向に延伸し、
前記第２のスリットの幅と前記第３のスリットの幅とは、互いに等しい
前記（６）から（８）のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１０）前記第１の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第３のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられ、
前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられている
前記（４）または（５）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１１）前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向とは異なる第３の方向に延伸する
前記（１０）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１２）前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向に延伸し、
前記第３のスリットの幅は、前記第２のスリットの幅よりも太い
前記（１０）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１３）前記第１のスリットは、前記第１の方向における所定数の前記表示要素ごとに設けられた
前記（１）から（１２）のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１４）前記表示要素は、赤色表示要素、緑色表示要素、および青色表示要素を含む表示画素を構成し、
前記第１のスリットは、前記青色表示要素に対応する位置に配置されている
前記（１３）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１５）前記電極層は、前記第２の領域において、前記第１のスリットおよび前記第２のスリットにより分割された複数のダミー電極を有し、
各ダミー電極は、電気的にフローティング状態である
前記（１）から（１４）のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１６）前記第２の方向と交差する方向に延在する駆動電極を備え、
前記電極層は、前記第１の領域において、前記第１のスリットにより分割された複数の電極パターンからなる検出電極を有し、
前記検出電極と前記駆動電極との交差部分には静電容量が形成されている
前記（１）から（１５）のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示装置。
（１７）前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
前記（１６）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１８）前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
前記（１６）に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
（１９）第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層を備えた
タッチパネル。
（２０）タッチ検出器付き表示パネルと、
前記タッチ検出器付き表示パネルを利用した動作制御を行う制御部と
を備え、
前記タッチ検出器付き表示パネルは、
並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層と
を有する
電子機器。
１，１２０，１３０，１４０，１５０…タッチ検出器付き表示パネル、２…画素基板、３…対向基板、６…液晶層、１０…タッチ検出器付き表示デバイス、１１…制御部、１２…ゲートドライバ、１３…ソースドライバ、１４…駆動電極ドライバ、２０…液晶表示デバイス、２１…ＴＦＴ基板、２２…画素電極、２３…絶縁層、３０…タッチ検出デバイス、３１…ガラス基板、３２…カラーフィルタ、３３…透光層、３５…偏光板、３６…カバーガラス、３７…ダミー電極、４０…タッチ検出部、ＣＯＭＬ…駆動電極、ＧＣＬ…走査信号線、ＬＣ…液晶素子、Ｏut…出力信号、Ｐix、ＰixＤ，ＰixＤ２，ＰixＴ…画素、ＲＤ…ダミー電極領域、ＲＴ…タッチ検出電極領域、ＳＬ，ＳＬＤ，ＳＬＴ…スリット、ＳＧＬ…画素信号線、ＳＰix…サブ画素、ＴＤＬ，ＴＤＬ２，ＴＤＬ２Ａ，ＴＤＬ２Ｂ，ＴＤＬ４，ＴＤＬ５，ＴＤＬ５Ａ…タッチ検出電極、Ｔｒ…ＴＦＴ素子、Ｖcom…駆動信号、Ｖdet…タッチ検出信号、Ｖdisp…映像信号、Ｖpix…画素信号、Ｖscan…走査信号。

Claims (20)

  1. 並設された複数の表示要素を含む表示層と、
    第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層と
    を備えたタッチ検出器付き表示パネル
  2. 前記第２の方向に隣接する前記表示要素間において前記第１の方向に延伸する信号配線を複数有する配線層をさらに備え、
    前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域に設けられている
    請求項１に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  3. 前記第２のスリットは、複数の前記信号配線ごとに設けられている
    請求項２に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  4. 前記電極層は、前記第１の領域において、隣接する第１のスリット間を連通させないように配置された複数の第３のスリットを有する
    請求項２に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  5. 前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、ともに同じ前記信号配線に対応する領域に設けられている
    請求項４に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  6. 前記第１の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第３のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において互いに異なる位置に設けられている
    請求項５に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  7. 前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において互いに異なる位置に設けられている
    請求項６に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  8. 前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられている
    請求項６に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  9. 前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向に延伸し、
    前記第２のスリットの幅と前記第３のスリットの幅とは、互いに等しい
    請求項６に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  10. 前記第１の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第３のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられ、
    前記第２の領域において、前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第２の方向において同じ位置に設けられている
    請求項５に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  11. 前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向とは異なる第３の方向に延伸する
    請求項１０に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  12. 前記第２のスリットおよび前記第３のスリットは、前記第１の方向に延伸し、
    前記第３のスリットの幅は、前記第２のスリットの幅よりも太い
    請求項１０に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  13. 前記第１のスリットは、前記第１の方向における所定数の前記表示要素ごとに設けられた
    請求項１に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  14. 前記表示要素は、赤色表示要素、緑色表示要素、および青色表示要素を含む表示画素を構成し、
    前記第１のスリットは、前記青色表示要素に対応する位置に配置されている
    請求項１３に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  15. 前記電極層は、前記第２の領域において、前記第１のスリットおよび前記第２のスリットにより分割された複数のダミー電極を有し、
    各ダミー電極は、電気的にフローティング状態である
    請求項１に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  16. 前記第２の方向と交差する方向に延在する駆動電極を備え、
    前記電極層は、前記第１の領域において、前記第１のスリットにより分割された複数の電極パターンからなる検出電極を有し、
    前記検出電極と前記駆動電極との交差部分には静電容量が形成されている
    請求項１に記載のタッチ検出器付き表示装置。
  17. 前記表示要素は、
    液晶層と、
    前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極と
    を含んで構成される
    請求項１６に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  18. 前記表示要素は、
    液晶層と、
    前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極と
    を含んで構成される
    請求項１６に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
  19. 第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層を備えた
    タッチパネル。
  20. タッチ検出器付き表示パネルと、
    前記タッチ検出器付き表示パネルを利用した動作制御を行う制御部と
    を備え、
    前記タッチ検出器付き表示パネルは、
    並設された複数の表示要素を含む表示層と、
    第１の方向に沿って第１の領域と第２の領域とに交互に区分されると共に、第２の方向に延びるように並設された複数の第１のスリットと、前記第２の領域における隣接する第１のスリット間を連通させる複数の第２のスリットとを有する電極層と
    を有する
    電子機器。


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