JP2019185174A - 表示装置及び検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出性能を向上させることが可能な表示装置及び検出装置を提供する。【解決手段】第１基板と、第１基板と対向する第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられ、画像を表示させる表示機能層と、第１基板の検出領域に設けられた複数の第１電極と、第２基板の上側において、検出領域に設けられた複数の第２電極と、第１基板の検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、第２基板の上側において周辺領域と重なる領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、第１電極選択回路は、複数の第１電極のうちいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた検出駆動信号を第１電極のいくつかに供給し、第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて複数の第２電極のうちいくつかを選択し、選択された複数の第２電極を１つの出力信号線に接続する。【選択図】図６

Description

本発明は、表示装置及び検出装置に関する。

近年、例えば、個人認証等に用いられる指紋検出を静電容量方式で実現することが要求されている（例えば、特許文献１参照）。指紋検出では、手や指の接触を検出する場合に比べ、面積の小さい電極が用いられる。小さい電極から信号を得る場合でも、符号分割選択駆動により、良好な検出感度が得られる。符号分割選択駆動は、複数の駆動電極を同時に選択して、選択された複数の駆動電極のそれぞれに対して、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を供給する駆動方式である（特許文献２参照）。

特開２０１０−３９８１６号公報 特開２０１４−１９９６０５号公報

検出電極及び駆動電極を同一基板に設けた場合、検出電極と駆動電極との間の容量が増大する。このため、検出性能が低下する可能性がある。

本発明は、検出性能を向上させることが可能な表示装置及び検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、画像を表示させる表示機能層と、前記第１基板の検出領域に設けられた複数の第１電極と、前記第２基板の上側において、前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、前記第１基板の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、前記第２基板の上側において前記周辺領域と重なる領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた検出駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちいくつかを選択し、選択された前記複数の第２電極を１つの出力信号線に接続する。

本発明の一態様の検出装置は、第１センサ基体と、前記第１センサ基体と対向する第２センサ基体と、前記第１センサ基体の検出領域に設けられた複数の第１電極と、前記第２センサ基体の前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、前記第１センサ基体の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、前記第２センサ基体の前記周辺領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちのいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちのいくつかを選択し、選択された前記第２電極を１つの出力信号線に接続する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、表示装置の分解斜視図である。 図４は、第１基板を模式的に示す平面図である。 図５は、第２基板を模式的に示す平面図である。 図６は、図４のＡ１−Ａ２線に沿って切断したときの表示装置の断面図である。 図７は、第１電極の他の構成例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態に係る表示装置の画素配置を表す回路図である。 図９は、符号分割選択駆動の動作例を説明するための説明図である。 図１０は、符号分割選択駆動の他の動作例を説明するための説明図である。 図１１は、第１電極選択回路及び第２電極選択回路を模式的に示す回路図である。 図１２は、第１電極と各駆動信号との関係、及び、第２電極とＡＦＥとの接続関係を、期間ごとに示す表である。 図１３は、第２電極選択回路の別の例を説明するための説明図である。 図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。 図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。 図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。 図１７は、第２実施形態に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。 図１８は、第１電極と、第１電極選択回路との接続を説明するための説明図である。 図１９は、第３実施形態に係る検出装置の、第１基板の平面図である。 図２０は、第３実施形態に係る検出装置の、第２基板の平面図である。 図２１は、図１９のＢ１−Ｂ２線に沿って切断したときの表示装置の断面図である。 図２２は、第３実施形態の変形例に係る検出装置の概略断面構造を示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。表示装置１は、表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、検出部４０とを備えている。表示部１０は、表示パネル２０と検出装置３０とを一体化した装置である。表示パネル２０は液晶表示装置である。なお、表示部１０は、表示パネル２０の上に、検出装置３０を装着した装置であってもよい。なお、表示パネル２０は、例えば、有機ＥＬディスプレイパネル（ＯＬＥＤ： Organic Light Emitting Diode）であってもよい。或いは表示パネル２０は、表示素子として電気泳動素子を用いた電気泳動型表示パネル（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）であってもよい。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、表示部１０に設けられていてもよい。

表示パネル２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部１１は、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及び検出部４０を制御する回路（制御装置）である。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及び検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給する。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の、表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する。

ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の、各副画素ＳＰｉｘ（図８参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。

駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の、複数の第１電極Ｔｘ（図４参照）に駆動信号Ｖｃｏｍ又は表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。

検出装置３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行う。検出装置３０は、符号分割選択駆動（以下、ＣＤＭ（Code Division Multiplexing）駆動と表す）により検出を行う。すなわち、第１電極選択回路１５（図４参照）の動作により複数の第１電極Ｔｘを同時に選択する。そして、第１電極選択回路１５は、選択された複数の第１電極Ｔｘのそれぞれに対して、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出装置３０は、相互静電容量方式の検出原理に基づいて、接触又は近接する指又は手の表面の凹凸を検出することで、指紋や掌紋の形状を検出する。

また、検出装置３０は、時分割選択駆動（以下、ＴＤＭ（Time Division Multiplexing）駆動と表す）により、駆動信号Ｖｃｏｍに従って、接触又は近接する指等の位置の検出も可能となっている。ＴＤＭ駆動では、検出装置３０は、複数の第１電極Ｔｘを含む第１電極ブロックＢＫごとに走査することで、検出領域ＡＡ全体にわたって検出することができる。

検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、表示部１０の検出装置３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、細かいピッチでタッチの有無を検出する回路である。検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。

検出信号増幅部４２は、検出装置３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示部１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、第１電極Ｔｘからの検出信号Ｖｄｅｔを受け取って、第３検出信号Ｖｄｅｔ３（図１０参照）を演算する。信号処理部４４は、演算された第３検出信号Ｖｄｅｔ３を受け取って、所定の符号に基づいて復号処理を行う。

また、検出部４０は、ＴＤＭ駆動において、制御部１１から供給される制御信号と、検出装置３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチの有無を検出する。ＴＤＭ駆動では、信号処理部４４は、第２電極選択回路１６（図５参照）を介して、検出信号Ｖｄｅｔを受け取る。信号処理部４４は、指による検出信号Ｖｄｅｔの差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、外部近接物体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。なお、座標抽出部４５は、タッチパネル座標を算出せずに、センサ出力Ｖｏとして検出信号Ｖｄｅｔを出力してもよい。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

検出装置３０は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図２を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。なお、図２は、検出回路を併せて示している。

図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）に接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば、図１に示す検出部４０に含まれる積分回路である。

交流信号源から駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。電圧検出器ＤＥＴには、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。

接触状態では、図２に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。

電圧検出器ＤＥＴから出力される電圧信号の接触状態での振幅は、非接触状態に比べて小さくなる。この電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、接触又は近接する被検出体の影響に応じて変化することになる。検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜に基づいて指の凹凸等を判断する。また、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、被検出体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。なお、「接触状態」とは、指が検出面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を含む。また、「非接触状態」とは、指が検出面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を含む。

次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図３は、表示装置の分解斜視図である。図４は、第１基板を模式的に示す平面図である。図５は、第２基板を模式的に示す平面図である。図６は、図４のＡ１−Ａ２線に沿って切断したときの表示装置の断面図である。

図６に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６と、偏光板２５、３５とを備えている。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられる。

画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、複数の第１電極Ｔｘとを含む。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲート線選択回路１２１（図４参照）や、ソースドライバ１３に含まれる信号線選択回路１３１（図４参照）等の回路が設けられる。また、第１基板２１には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のＴＦＴ素子Ｔｒや、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ（図８参照）等の各種配線が設けられる。また、第１基板２１には、第１電極選択回路１５（図４参照）が設けられる。画素電極２２は、第１基板２１の上側にマトリクス状に配列される。第１電極Ｔｘは、第１基板２１と画素電極２２との間に設けられる。画素電極２２と第１電極Ｔｘとは絶縁層２４を介して絶縁されている。第１基板２１の下側には、接着層２６を介して偏光板２５が設けられている。なお、本実施形態では、画素電極２２が第１電極Ｔｘの上側に設けられる例について説明したが、第１電極Ｔｘが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。

対向基板３は、第２基板３１と、複数の第２電極Ｒｘと、カラーフィルタ３２とを含む。第２電極Ｒｘは、検出装置３０の検出電極であり、第２基板３１の一方の面に設けられる。カラーフィルタ３２は、第２基板３１の他方の面に設けられる。さらに、第２電極Ｒｘの上には、保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３６を介して偏光板３５が設けられている。また、第２基板３１には、第２電極選択回路１６が設けられる。第１基板２１及び第２基板３１は、可視光を透過可能な透光性を有するガラス基板である。又は、第２基板３１は、ポリイミド等の樹脂で構成された透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。

また、第１基板２１には、フレキシブル基板７２が設けられる。第１基板２１は、フレキシブル基板７２を介して外部の駆動ＩＣと接続される。駆動ＩＣは、図１に示す制御部１１の機能の全部又は一部を含む。第２基板３１にはフレキシブル基板７１が設けられる。第２基板３１は、フレキシブル基板７１を介して外部のタッチＩＣと接続される。タッチＩＣは、図１に示す検出部４０の機能の全部又は一部を含む。駆動ＩＣ及びタッチＩＣは、外部の制御基板に設けられる。なお、駆動ＩＣ及びタッチＩＣの少なくとも一方は、第１基板２１に設けられていてもよい。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

第１基板２１と第２基板３１とは、シール部６１により所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１、第２基板３１、及びシール部６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。液晶層６は、画像を表示するための表示機能層として設けられる。なお、図６に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。

図３及び図４に示すように、第１基板２１は、検出装置３０（図１参照）の検出領域ＡＡと、検出領域ＡＡの外側に設けられた周辺領域ＧＡとに対応する領域が形成されている。検出領域ＡＡは、表示パネル２０の表示領域と重なる領域に設けられる。つまり、検出領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘ（図８参照）と重なる領域である。複数の第１電極Ｔｘは、検出領域ＡＡに設けられ、第１方向Ｄｘに延びており、第２方向Ｄｙに配列される。第１電極Ｔｘは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性の導電材料で構成されている。画素電極２２は、平面視で第１電極Ｔｘと重なって設けられる。複数のゲート線ＧＣＬは、第１方向Ｄｘに延びており、第２方向Ｄｙに配列される。複数の信号線ＳＧＬは、第２方向Ｄｙに延びており、第１方向Ｄｘに配列される。画素電極２２は、ゲート線ＧＣＬと信号線ＳＧＬとで囲まれた領域に設けられている。

なお、第１方向Ｄｘは、第１基板２１と平行な面内の一方向であり、例えば、検出領域ＡＡの一辺と平行な方向である。また、第２方向Ｄｙは、第１基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。

図４に示すように、第２方向Ｄｙにおける第１電極Ｔｘの配置間隔をＰｔとする。配置間隔Ｐｔは、第２電極Ｒｘの屈曲部２６ｘの配置間隔Ｐｒｙの１／２程度である（図５参照）。なお、これに限定されず、配置間隔Ｐｔは、配置間隔Ｐｒｙの半整数倍以外であってもよい。配置間隔Ｐｔは、例えば２０μｍ以上、１００μｍ以下である。また、１つの第１電極Ｔｘに重なって、２つの画素電極２２が第２方向Ｄｙに隣り合って配置される。つまり、第１電極Ｔｘは、２つの画素Ｐｉｘの幅を有する。

第１基板２１の周辺領域ＧＡには、ゲート線選択回路１２１、信号線選択回路１３１及び第１電極選択回路１５が設けられている。ゲート線選択回路１２１は、ゲート線ＧＣＬを選択する回路である。ゲート線選択回路１２１は、第１電極Ｔｘの端部と隣り合う位置の周辺領域ＧＡに設けられる。信号線選択回路１３１は、信号線ＳＧＬを選択する回路である。信号線選択回路１３１は、第１電極Ｔｘの延在方向に沿った周辺領域ＧＡに設けられる。

第１電極選択回路１５は、複数の第１電極Ｔｘのうちいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた駆動信号Ｖｃｏｍを第１電極Ｔｘのいくつかに供給する回路である。第１電極選択回路１５は、第１符号生成回路１５１と、駆動信号供給回路１５２とを有する。第１電極選択回路１５は、第１電極Ｔｘの端部と隣り合う位置の周辺領域ＧＡに設けられる。第１電極選択回路１５と第１電極Ｔｘとの間にゲート線選択回路１２１が設けられる。また、第１基板２１には、フレキシブル基板７３が設けられている。第１電極選択回路１５は、フレキシブル基板７３を介して制御部１１（図１参照）と接続される。第１電極選択回路１５は、制御部１１からの制御信号に基づいて所定の符号を生成する。

図３及び図５に示すように、複数の第２電極Ｒｘは、第２基板３１の検出領域ＡＡと重なる領域に設けられ、第２方向Ｄｙに延びており、第１方向Ｄｘに配列される。第２電極Ｒｘは、平面視で、第１電極Ｔｘと交差する方向に延びている。第２電極Ｒｘは、ジグザグ状の線であり、全体として第２方向Ｄｙに長手を有する。例えば、第２電極Ｒｘは、複数の第１直線部２６ａと、複数の第２直線部２６ｂと、複数の屈曲部２６ｘと、を有する。第２直線部２６ｂは、第１直線部２６ａと交差する方向に延びている。また、屈曲部２６ｘは、第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂとを接続している。

第１直線部２６ａは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する方向に延びている。第２直線部２６ｂも、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する方向に延びている。第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂは、第１方向Ｄｘに平行な仮想線（図示せず）を軸に、対称となるように配置されている。第２電極Ｒｘは、第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂとが第２方向Ｄｙに交互に接続される。

第２電極Ｒｘは、アルミニウム又はアルミニウム合金などの金属材料で構成されている。なお、第１電極Ｔｘを金属材料で構成し、第２電極ＲｘをＩＴＯで形成してもよい。ただし、第２電極Ｒｘを金属材料とすることで、検出信号Ｖｄｅｔに係る抵抗を低減することができる。また、第２電極Ｒｘは、ジグザグ状に限定されず、波線状、直線状、メッシュ状等であってもよい。

第２基板３１の周辺領域ＧＡには、第２電極選択回路１６が設けられている。第２電極選択回路１６は、所定の符号に基づいて複数の第２電極Ｒｘのうちいくつかを選択し、選択された複数の第２電極Ｒｘを１つの第１出力信号線ＬＡ１（図１１参照）に接続する回路である。第２電極選択回路１６は、第２電極Ｒｘの端部と隣り合う位置の周辺領域ＧＡに設けられる。複数の第２電極Ｒｘは、第２電極選択回路１６を介してフレキシブル基板７１に電気的に接続される。

第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、第１電極選択回路１５は、第１電極Ｔｘを選択し、選択された第１電極Ｔｘに同時に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、接触又は近接する指等の表面の凹凸による容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが第２電極Ｒｘから出力されることにより、指紋検出が行われる。又は、接触又は近接する指等による容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが第２電極Ｒｘから出力されることにより、タッチ検出が行われる。

本実施形態では、第２電極Ｒｘは、第１電極Ｔｘが設けられた第１基板２１と異なる第２基板３１に設けられている。具体的には、図６に示すように、第２電極Ｒｘは、第２基板３１を挟んで第１電極Ｔｘの反対側に設けられ、第２電極Ｒｘは、第２基板３１に垂直な方向において、第２基板３１と偏光板３５との間に配置される。このため、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとを同一基板上に形成した場合に比べて、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの距離が大きくなる。第２電極Ｒｘの配置間隔Ｐｒｙを小さくし、多数の第２電極Ｒｘが設けられた場合であっても、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの間の静電容量の増大を抑制できる。また、検出電極である第２電極Ｒｘは、第１電極Ｔｘよりも指等の被検出体に近い位置に設けられる。したがって、表示装置１は、検出性能を向上させることが可能である。

また、第１電極選択回路１５は第１基板２１に設けられ、第２電極選択回路１６は第２基板３１に設けられる。このため、フレキシブル基板７３と第１基板２１との接続端子数が第１電極Ｔｘの数よりも少なくなる。また、フレキシブル基板７１と第２基板３１との接続端子数が第２電極Ｒｘの数よりも少なくなる。すなわち、外部の駆動ＩＣやタッチＩＣ等と接続するための端子数を少なくすることができる。

図７は、第１電極の他の構成例を示す平面図である。図７は、異なる基板に設けられた第１電極Ｔｘ及び第２電極Ｒｘの、配置の関係を模式的に示している。図７に示すように、第２方向Ｄｙに並ぶ複数の第１電極Ｔｘの各々（例えば、Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４…）は、複数の電極部１３０と、複数の接続部１２７とをそれぞれ有する。複数の第１電極Ｔｘの各々において、複数の電極部１３０は第１方向Ｄｘに並んでおり、互いに離して配置されている。また、複数の第１電極Ｔｘの各々において、接続部１２７は、複数の電極部１３０のうち隣り合う電極部同士を接続している。また、第３方向Ｄｚから見て、１本の第２電極Ｒｘは、隣り合う電極部１３０の間を通って接続部１２７と交差している。

電極部１３０は、第１電極部１３０Ａと、第１電極部１３０Ａとは異なる形状を有する第２電極部１３０Ｂと、を含む。法線方向Ｄｚから見て、第１電極部１３０Ａと、第２電極部１３０Ｂはそれぞれ平行四辺形である。第１電極部１３０Ａを上下反転させた形状が、第２電極部１３０Ｂの形状となっている。

例えば、第２電極Ｒｘの第２直線部２６ｂ（図５参照）と交差する第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２は、第２直線部２６ｂと平行な２辺を有する第１電極部１３０Ａを備える。また、第２電極Ｒｘの第１直線部２６ａ（図５参照）と交差する第１電極Ｔｘ−３、Ｔｘ−４は、第１直線部２６ａと平行な２辺を有する第２電極部１３０Ｂを備える。これにより、法線方向Ｄｚから見て、第１電極部１３０Ａ及び第２電極部１３０Ｂは、ジグザグ状の第２電極Ｒｘに沿って配置されて、第２電極Ｒｘと、各電極部との離隔距離を一定の長さにすることができる。

第２方向Ｄｘにおける接続部１２７の配置間隔をＰｂとする。接続部１２７の配置間隔Ｐｂは、第１電極Ｔｘの配置間隔Ｐｔの０．５倍であることが好ましい。また、第１方向Ｄｘに平行で電極部１３０の中心を通る仮想線を中心線Ｌｃｅｎｔとする。各第１電極Ｔｘにおいて、接続部１２７は、中心線Ｌｃｅｎｔを挟んで、一方の側と他方の側とに交互に配置されていることが好ましい。これにより、電極部１３０と比べて光の透過率が低い接続部１２７が一直線状に並ばないので、表示装置１はモアレ等の意図しない模様の発生を抑制することができる。

また、複数の接続部１２７の長手方向は、一方向に揃っていることが好ましい。例えば、第１電極Ｔｘが有する接続部１２７の長手方向は、全て第１方向Ｄｘとなっている。これにより、第２電極Ｒｘと交差する接続部１２７の形状が揃うため、第１電極Ｔｘと接続部１２７との間の容量が揃いやすい。

図７に示すように、第１電極Ｔｘの形状と第２電極Ｒｘの形状、位置関係が電極間で揃っているこのため、第１電極Ｔｘの容量のばらつきや、第２電極Ｒｘの容量のばらつきが小さい。また、検出部４０における座標の算出の補正等も実行し易いという利点がある。

次に表示装置１の表示動作について説明する。図８は、第１実施形態に係る表示装置の画素配置を表す回路図である。第１基板２１（図６参照）には、図８に示す薄膜トランジスタ素子（以下、ＴＦＴ素子と表す）Ｔｒ、信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬ等の配線が形成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、副画素ＳＰｉｘごとに設けられる。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する配線である。ゲート線ＧＣＬは、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する信号を供給する配線である。

図８に示す表示パネル２０は、マトリックス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と第１電極Ｔｘ（共通電極）との間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図８に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。

駆動電極ドライバ１４は、表示の際に、第１電極Ｔｘに表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは所定の電位を有する直流電圧信号である。これにより、第１電極Ｔｘは、複数の画素Ｐｉｘに対する共通の電位を与える共通電極として機能する。本実施形態の第１電極Ｔｘの延在する方向は、ゲート線ＧＣＬの延在する方向と平行であり、データ線ＳＧＬの延在する方向と交差する方向である。

図６に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが周期的に配列されている。図８に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが１組として対応付けられ、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘが構成される。図６に示すように、カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

次に、表示装置１におけるＣＤＭ駆動について説明する。図９は、符号分割選択駆動の動作例を説明するための説明図である。図９では、説明をわかりやすくするために、４つの第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４についてＣＤＭ駆動の動作例を示す。図９に示すように、第１電極選択回路１５（図４参照）は、第１電極ブロックＢＫの４つの第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４を同時に選択する。そして、第１電極選択回路１５は、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍを、各第１電極Ｔｘに供給する。

例えば、所定の符号は、下記式（１）の正方行列で定義され、正方行列の次数は第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４の数である４になる。所定の符号は、「１」又は「−１」、若しくは「１」又は「０」を要素とし、任意の異なった２つの行が直交行列となる正方行列、例えば、アダマール行列に基づく符号である。下記式（１）の正方行列の対角成分「−１」は、当該正方行列の対角成分以外の成分「１」と異なる。第１電極選択回路１５は、下記式（１）の正方行列に基づいて、正方行列の対角成分以外の成分「１」に対応する交流矩形波の位相と、正方行列の対角成分「−１」に対応する交流矩形波の位相とが、反転するように、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。また、成分「−１」は、成分「１」とは位相が異なるように決められた駆動信号Ｖｃｏｍを供給する成分である。

第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４のうち第１電極Ｔｘ−２に、指などの外部近接物体ＣＱがある場合、相互誘導により外部近接物体ＣＱによる差分の電圧が生じる（例えば差分の電圧は２０％とする）。なお、図９に示す例では、成分「１」に対応する第１検出信号Ｖｄｅｔ１と、成分「−１」に対応する第２検出信号Ｖｄｅｔ２と、が統合された信号が、第３検出信号Ｖｄｅｔ３として第２電極Ｒｘから出力される。検出部４０が第１時間帯で検出する第３検出信号Ｖｄｅｔ３は、（−１）＋（０．８）＋（１）＋（１）＝１．８になる。次に、第２時間帯の第３検出信号Ｖｄｅｔ３は、（１）＋（−０．８）＋（１）＋（１）＝２．２になる。次に、第３時間帯の第３検出信号Ｖｄｅｔ３は、（１）＋（０．８）＋（−１）＋（１）＝１．８になる。次に、第４時間帯の第３検出信号Ｖｄｅｔ３は、（１）＋（０．８）＋（１）＋（−１）＝１．８になる。

信号処理部４４は、第３検出信号Ｖｄｅｔ３を式（１）の正方行列で掛け合わせ、復号を行う。これにより、信号処理部４４は、復号信号Ｖｄｅｔ４としてＶｄｅｔ４＝（４．０、３．２、４．０、４．０）を演算する。検出部４０は、復号信号Ｖｄｅｔ４に基づいて、第１電極Ｔｘ−２の位置に、指などの外部近接物体ＣＱの有無、又は、外部近接物体ＣＱの表面の凹凸を検出できる。このように、表示装置１は、電圧を上げることなく時分割選択（ＴＤＭ）駆動の４倍の検出感度で検出する。そして、座標抽出部４５は、タッチパネル座標または復号信号Ｖｄｅｔ４をセンサ出力Ｖｏとして出力する。

図１０は、符号分割選択駆動の他の動作例を説明するための説明図である。図１０では、正方行列の成分「１」に対応する第１電極Ｔｘと、正方行列の成分「−１」に対応する第１電極Ｔｘとは、異なる時間帯に駆動信号Ｖｃｏｍが印加される。この場合、正方行列の成分「１」に対応する交流矩形波の位相と、正方行列の成分「−１」に対応する交流矩形波の位相とは同じである。具体的には、第１電極選択回路１５は、第１時間帯、第３時間帯、第５時間帯及び第７時間帯では、成分「１」に対応する第１電極Ｔｘに、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、第１電極選択回路１５は、成分「−１」に対応する第１電極Ｔｘには、駆動信号Ｖｃｏｍを供給しない。第２時間帯、第４時間帯、第６時間帯及び第８時間帯では、成分「１」に対応する第１電極Ｔｘに、駆動信号Ｖｃｏｍが供給されず、成分「−１」に対応する第１電極Ｔｘに、駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。

信号処理部４４は、第１時間帯で検出された第１検出信号Ｖｄｅｔ１＝２．８と、第２時間帯で検出された第２検出信号Ｖｄｅｔ２＝１．０との差分から、第３検出信号Ｖｄｅｔ３＝１．８を演算する。信号処理部４４は、第３時間帯で検出された第１検出信号Ｖｄｅｔ１＝３．０と、第４時間帯で検出された第２検出信号Ｖｄｅｔ２＝０．８との差分から、第３検出信号Ｖｄｅｔ３＝２．２を演算する。第５時間帯以降も同様である。信号処理部４４は、演算された各第３検出信号Ｖｄｅｔ３を復号することで、復号信号Ｖｄｅｔ４としてＶｄｅｔ４＝（４．０、３．２、４．０、４．０）を演算する。

なお、図９及び図１０では、４つの第１電極ＴｘについてＣＤＭ駆動の動作例を示したが、５つ以上の第１電極ＴｘについてＣＤＭ駆動を行ってもよい。この場合、所定の符号の次数は、第１電極Ｔｘの数以上である。

次に第１電極選択回路１５及び第２電極選択回路１６について説明する。図１１は、第１電極選択回路及び第２電極選択回路を模式的に示す回路図である。図１２は、第１電極と各駆動信号との関係、及び、第２電極とＡＦＥとの接続関係を、期間ごとに示す表である。なお、図１１では、異なる基板上に設けられた第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘを、模式的に重ねて示している。

図１１に示すように、第１電極選択回路１５は、第１符号生成回路１５１と、駆動信号供給回路１５２とを有する。第１符号生成回路１５１は、例えば制御部１１（図１参照）からの制御信号に基づいて、下記の式（２）に示す所定の符号を生成する回路である。第１符号生成回路１５１は、第１選択信号Ｖｓｅｌｔ及び第２選択信号ｘＶｓｅｌｔを駆動信号供給回路１５２に供給する。第１選択信号Ｖｓｅｌｔ及び第２選択信号ｘＶｓｅｌｔは、所定の符号に基づいて、第１電極Ｔｘごとに位相が定められた電圧信号である。第１選択信号Ｖｓｅｌｔは、例えば成分「１」に対応する信号である。第２選択信号ｘＶｓｅｌｔは、成分「−１」に対応する信号である。第１選択信号Ｖｓｅｌｔ及び第２選択信号ｘＶｓｅｌｔは、互いに位相が反転された交流電圧信号である。なお、図１１、図１２では、所定の符号として式（２）に示す正方行列を例示しているが、これに限定されない。図１１、図１２においても、所定の符号は、他のアダマール行列に基づく符号であってもよい。

駆動信号供給回路１５２は、第１駆動信号供給線Ｌ１、第２駆動信号供給線Ｌ２、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２を有する。第１駆動信号供給線Ｌ１及び第２駆動信号供給線Ｌ２は、複数の第１電極Ｔｘの端部と隣り合って設けられ、第１電極Ｔｘの配列方向に沿って延在する。第１駆動信号供給線Ｌ１は、第１電圧信号ＶＨを第１電極Ｔｘに供給する。第２駆動信号供給線Ｌ２は、第２電圧信号ＶＬを第１電極Ｔｘに供給する。第２電圧信号ＶＬは、第１電圧信号ＶＨよりも小さい電位を有する直流電圧信号である。

第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、第１電極Ｔｘごとに設けられる。第１スイッチＳＷ１は、第１電極Ｔｘと第１駆動信号供給線Ｌ１との間の接続と遮断を切り替える。第２スイッチＳＷ２は、第１電極Ｔｘと第２駆動信号供給線Ｌ２の間の接続と遮断を切り替える。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、例えばＴＦＴ素子により形成される。

第１スイッチＳＷ１は、第１選択信号Ｖｓｅｌｔに基づいてオン、オフが切り替えられる。第２スイッチＳＷ２は、第２選択信号ｘＶｓｅｌｔに基づいてオン、オフが切り替えられる。すなわち、第１スイッチＳＷ１は、第２スイッチＳＷ２とオン、オフが逆の動作を行う。第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２とが、オン、オフを交互に繰り返すことにより、高レベル電圧の第１電圧信号ＶＨと、低レベル電圧の第２電圧信号ＶＬとが交互に第１電極Ｔｘに供給される。これにより、第１電極Ｔｘに交流の電圧信号である駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。第１符号生成回路１５１は、所定の符号に基づいて、第１電極Ｔｘごとに第１選択信号Ｖｓｅｌｔ及び第２選択信号ｘＶｓｅｌｔの位相を決定する。これにより、駆動信号供給回路１５２は、第１電極Ｔｘにそれぞれ駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈ及び駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｌ（図１２参照）を供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈは、式（２）の成分「１」に対応する交流電圧信号である。駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｌは、成分「−１」に対応する交流電圧信号である。

図１１に示すように、第２電極選択回路１６は、第２符号生成回路１６１と、接続切替回路１６２とを有する。第２符号生成回路１６１は、例えば制御部１１（図１参照）からの制御信号に基づいて、式（２）に示す所定の符号を生成する回路である。第２符号生成回路１６１は、第３選択信号Ｖｓｅｌｒ及び第４選択信号ｘＶｓｅｌｒを接続切替回路１６２に供給する。第３選択信号Ｖｓｅｌｒ及び第４選択信号ｘＶｓｅｌｒは、所定の符号に基づいて、第２電極Ｒｘごとに位相が定められた電圧信号である。第３選択信号Ｖｓｅｌｒは、例えば成分「１」に対応する信号である。第４選択信号ｘＶｓｅｌｒは、成分「−１」に対応する信号である。

接続切替回路１６２は、第１出力信号線ＬＡ１、基準電位供給線ＬＲ、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４を有する。第１出力信号線ＬＡ１及び基準電位供給線ＬＲは、複数の第２電極Ｒｘの端部と隣り合って設けられ、第２電極Ｒｘの配列方向に沿って延在する。第１出力信号線ＬＡ１は、アナログフロントエンド回路（以下、ＡＦＥ（Analog Front End））４８と接続される。ＡＦＥ４８は、少なくとも検出信号増幅部４２及びＡ／Ｄ変換部４３（図１参照）の機能を有する信号処理回路である。第１出力信号線ＬＡ１は、選択された第２電極Ｒｘからの検出信号ＶｄｅｔをＡＦＥ４８に出力する。また、基準電位供給線ＬＲは、基準電位ＶＲに接続される。基準電位供給線ＬＲは、非選択の第２電極Ｒｘに基準電位ＶＲを供給する。基準電位ＶＲは、検出の際に第２電極Ｒｘに供給される電圧信号と同じ電位を有する直流電圧信号である。

第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４は、第２電極Ｒｘごとに設けられる。第３スイッチＳＷ３は、第２電極Ｒｘと第１出力信号線ＬＡ１との間の接続と遮断を切り替える。第４スイッチＳＷ４は、第２電極Ｒｘと基準電位供給線ＬＲの間の接続と遮断を切り替える。第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４は、例えばＴＦＴ素子により形成される。

第３スイッチＳＷ３は、第３選択信号Ｖｓｅｌｒに基づいてオン、オフが切り替えられる。第４スイッチＳＷ４は、第４選択信号ｘＶｓｅｌｒに基づいてオン、オフが切り替えられる。すなわち、第３スイッチＳＷ３は、第４スイッチＳＷ４とオン、オフが逆の動作を行う。成分「１」に対応する第３選択信号Ｖｓｅｌｒにより第３スイッチＳＷ３がオンになる。これにより、選択された第２電極Ｒｘは、ＡＦＥ４８に接続される。複数の第２電極Ｒｘの検出信号Ｖｄｅｔが統合された信号がＡＦＥ４８に出力される。一方、成分「−１」に対応する第４選択信号ｘＶｓｅｌｒにより第４スイッチＳＷ４がオンになる。これにより、非選択の第２電極Ｒｘに基準電位ＶＲが供給される。これにより、選択された第２電極Ｒｘと、非選択の第２電極Ｒｘとの間の容量結合を抑制できる。このため、検出誤差や検出感度の低下を抑制することができる。

図１２では、第１電極Ｔｘに供給される駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈ及び駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｌを、第１期間ｔａ１、第２期間ｔａ２、第３期間ｔａ３、第４期間ｔａ４ごとに示している。また、図１２では、第２電極Ｒｘが接続されるＡＦＥ４８又は基準電位ＶＲを、第１部分期間ｔｂ１から第７部分期間ｔｂ７ごとに示している。

第１電極選択回路１５は、図１２に示すように、式（２）に示す所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍを、各第１電極Ｔｘに供給する。具体的には、第１期間ｔａ１では、第１電極選択回路１５は、式（２）の１行目の成分「１」に対応して、全ての第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−２、Ｔｘ−３、Ｔｘ−４に駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈを供給する。第２期間ｔａ２では、第１電極選択回路１５は、式（２）の２行目の成分「１」に対応して、第１電極Ｔｘ−１、Ｔｘ−３に駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈを供給する。また、第２期間ｔａ２では、第１電極選択回路１５は、式（２）の２行目の成分「−１」に対応して、第１電極Ｔｘ−２、Ｔｘ−４に駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｌを供給する。第３期間ｔａ３、第４期間ｔａ４にも同様に、第１電極選択回路１５は、式（２）の各成分に対応した駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｈ又は駆動信号Ｖｃｏｍ−Ｌを第１電極Ｔｘに供給する。

第２電極選択回路１６は、図１２に示すように、式（２）に示す所定の符号に基づいて第２電極Ｒｘを選択し、選択された第２電極Ｒｘを１つの第１出力信号線ＬＡ１に接続する。具体的には、第１部分期間ｔｂ１では、第２電極選択回路１６は、式（２）の１行目の成分「１」に対応して、全ての第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４を選択する。第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４は、第１出力信号線ＬＡ１を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４から第１検出信号Ｖｄｅｔ１（図１０参照）がＡＦＥ４８に出力される。式（２）の１行目には成分「−１」が存在しないため、第２検出信号Ｖｄｅｔ２（図１０参照）を検出する期間が省略される。信号処理部４４は、第１部分期間ｔｂ１の第１検出信号Ｖｄｅｔ１（図１０参照）を第３検出信号Ｖｄｅｔ３（図１０参照）として取得する。

第２部分期間ｔｂ２では、第２電極選択回路１６は、式（２）の２行目の成分「１」に対応して、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３を選択する。第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３は、第１出力信号線ＬＡ１を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３から第１検出信号Ｖｄｅｔ１がＡＦＥ４８に出力される。一方、非選択の第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４には、基準電位供給線ＬＲを介して基準電位ＶＲが供給される。

第３部分期間ｔｂ３では、第２電極選択回路１６は、式（２）の２行目の成分「−１」に対応して、第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４を選択する。第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４は、第１出力信号線ＬＡ１を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４から第２検出信号Ｖｄｅｔ２（図１０参照）がＡＦＥ４８に出力される。一方、非選択の第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３には、基準電位供給線ＬＲを介して基準電位ＶＲが供給される。信号処理部４４は、第２部分期間ｔｂ２の第１検出信号Ｖｄｅｔ１と、第３部分期間ｔｂ３の第２検出信号Ｖｄｅｔ２との差分から、第３検出信号Ｖｄｅｔ３を演算する。

同様に、第２電極選択回路１６は、第４部分期間ｔｂ４から第７部分期間ｔｂ７で、式（２）の所定の符号に基づいて第２電極Ｒｘを選択する。これにより、信号処理部４４は、第１部分期間ｔｂ１から第７部分期間ｔｂ７で、４つの第３検出信号Ｖｄｅｔ３を取得する。そして、信号処理部４４は、第３検出信号Ｖｄｅｔ３を復号することで、第２電極Ｒｘごとの復号信号Ｖｄｅｔ４を演算する。これにより、第２電極選択回路１６は、第２電極ＲｘにおいてＣＤＭ駆動を行うことができる。

図５に示したように、第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６は、第２基板３１に設けられる。そして、複数の第２電極Ｒｘは、第１出力信号線ＬＡ１を介して１つのＡＦＥ４８と接続される。これにより、第２電極Ｒｘの数を多くした場合でもＡＦＥ４８の数を少なくすることができる。また、第２基板３１と、ＡＦＥ４８とを接続する配線の数を抑制することができる。

図１２に示すように、第１期間ｔａ１、第２期間ｔａ２、第３期間ｔａ３、第４期間ｔａ４のそれぞれに対応して、第１部分期間ｔｂ１から第７部分期間ｔｂ７が設けられている。なお、各期間の順番は適宜変更してもよい。また、図１１、図１２では、ＣＤＭ駆動について説明したが、表示装置１はＴＤＭ駆動により検出を行ってもよい。ＴＤＭ駆動では、第１電極選択回路１５は、第１電極ブロックＢＫの複数の第１電極Ｔｘに、同じ位相の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。

図１３は、第２電極選択回路の別の例を説明するための説明図である。なお、図１３では、第１電極Ｔｘ、第１電極選択回路１５及び第２符号生成回路１６１を省略して示す。また、図１３では、成分「１」に対応して選択される第２電極Ｒｘに斜線を付して示している。

図１３では、接続切替回路１６２Ａは、第１出力信号線ＬＡ１、第２出力信号線ＬＡ２、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４を有する。第１出力信号線ＬＡ１は、第１ＡＦＥ４８Ａに接続される。第２出力信号線ＬＡ２は、第２ＡＦＥ４８Ｂに接続される。第１ＡＦＥ４８Ａには、式（２）の成分「１」に対応して選択される第２電極Ｒｘが接続される。一方、第２ＡＦＥ４８Ｂには、式（２）の成分「−１」に対応して選択される第２電極Ｒｘが接続される。つまり、第２ＡＦＥ４８Ｂには、複数の第２電極Ｒｘのうち、第１ＡＦＥ４８Ａに接続されない非選択の第２電極Ｒｘが接続される。これにより、第１ＡＦＥ４８Ａには第１検出信号Ｖｄｅｔ１（図１０参照）が出力される。同じ期間に、第２ＡＦＥ４８Ｂには第２検出信号Ｖｄｅｔ２（図１０参照）が出力される。

具体的には、第１部分期間ｔｃ１では、第２電極選択回路１６は、式（２）の１行目の成分「１」に対応して、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４を選択する。第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４は、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４の動作により、第１出力信号線ＬＡ１を介して第１ＡＦＥ４８Ａに接続される。これにより、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−２、Ｒｘ−３、Ｒｘ−４から第１検出信号Ｖｄｅｔ１（図１０参照）が第１ＡＦＥ４８Ａに出力される。第１部分期間ｔｃ１では、式（２）の１行目に成分「−１」が存在しないため、全ての第２電極Ｒｘは、第２ＡＦＥ４８Ｂと非接続となる。

第２部分期間ｔｃ２では、第２電極選択回路１６は、式（２）の２行目の成分「１」に対応して、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３を選択する。第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３は、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４の動作により、第１出力信号線ＬＡ１を介して第１ＡＦＥ４８Ａに接続される。同時に、第２電極選択回路１６は、式（２）の２行目の成分「−１」に対応して、第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４を選択する。第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４は、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４の動作により、第２出力信号線ＬＡ２を介して第２ＡＦＥ４８Ｂに接続される。

これにより、第２電極Ｒｘ−１、Ｒｘ−３から第１検出信号Ｖｄｅｔ１（図１０参照）が第１ＡＦＥ４８Ａに出力される。第２電極Ｒｘ−２、Ｒｘ−４から第２検出信号Ｖｄｅｔ２が第２ＡＦＥ４８Ｂに出力される。信号処理部４４は、第１検出信号Ｖｄｅｔ１と、第２検出信号Ｖｄｅｔ２との差分から、第３検出信号Ｖｄｅｔ３を演算する。

第３部分期間ｔｃ３では、第２電極選択回路１６は、式（２）の３行目の成分に対応して、第２電極Ｒｘを選択する。第４部分期間ｔｃ４では、第２電極選択回路１６は、式（２）の４行目の成分に対応して、第２電極Ｒｘを選択する。信号処理部４４は、各部分期間で得られた第３検出信号Ｖｄｅｔ３を復号することで、第２電極Ｒｘごとの復号信号を演算する。

図１３では、第２電極選択回路１６は、第１ＡＦＥ４８Ａ及び第２ＡＦＥ４８Ｂに接続される。このため、第１部分期間ｔｃ１から第４部分期間ｔｃ４の数を少なくすることができる。したがって、検出に要する時間が短くなる。なお、第１部分期間ｔｃ１から第４部分期間ｔｃ４は、図１２に示す第１期間ｔａ１、第２期間ｔａ２、第３期間ｔａ３、第４期間ｔａ４のそれぞれに対応して設けられる。

（第１実施形態の第１変形例）
図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。本変形例の表示装置１Ａにおいて、対向基板３と偏光板３５との間にセンサ部５が設けられている。センサ部５は、センサ基体５１と、第２電極Ｒｘと、第２電極選択回路１６とを有する。

センサ基体５１は、透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムである。或いは、センサ基体５１は、ガラス基板であってもよい。センサ基体５１は、第２基板３１の上に接着層３７を介して貼り合わされる。センサ基体５１の一方の面に、複数の第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６が設けられる。センサ基体５１の他方の面は、第２基板３１に貼り合わされる。第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６は、図５、図１１等と同様の構成である。第２電極Ｒｘの上には保護層３８、接着層３６を介して偏光板３５が貼り合わされる。

言い換えると、本変形例の表示装置１Ａは、第２基板３１に垂直な方向において、第１基板２１、複数の第１電極Ｔｘ、第２基板３１、センサ基体５１、複数の第２電極Ｒｘ、偏光板３５の順に設けられる。

本変形例では、第２電極Ｒｘは、第２基板３１の上に直接設けられていない。このため、第２基板３１の厚さを薄くすることが可能である。第２電極Ｒｘは、第１電極Ｔｘが設けられた第１基板２１と異なるセンサ基体５１に設けられている。第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとを同一基板上に形成した場合に比べて、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの距離が大きくなる。これにより、多数の第２電極Ｒｘが設けられた場合であっても、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの間の静電容量の増大を抑制できる。また、検出電極である第２電極Ｒｘは、第１電極Ｔｘよりも指等の被検出体に近い位置に設けられる。具体的には、第２電極Ｒｘは、第２基板３１及びセンサ基体５１を挟んで第１電極Ｔｘの反対側に設けられる。したがって、表示装置１Ａは、検出性能を向上させることが可能である。

（第１実施形態の第２変形例）
図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。本変形例の表示装置１Ｂにおいて、センサ部５は偏光板３５の上に設けられている。すなわち、偏光板３５は、接着層３６を介して第２基板３１の上に貼り合わされる。第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６はセンサ基体５１の一方の面に設けられる。センサ基体５１の他方の面は、接着層３７を介して偏光板３５の上に貼り合わされる。第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６の上には、保護層３８が設けられる。

言い換えると、第２基板３１に垂直な方向において、第１基板２１、複数の第１電極Ｔｘ、第２基板３１、偏光板３５、センサ基体５１、複数の第２電極Ｒｘ、の順に設けられる。

本変形例では、第２電極Ｒｘと第１電極Ｔｘとの間に第２基板３１及び偏光板３５が設けられている。すなわち、表示装置１、１Ａに比べて、当該垂直な方向において、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの距離が大きくなる。このため、多数の第２電極Ｒｘが設けられた場合であっても、第１電極Ｔｘと第２電極Ｒｘとの間の静電容量の増大を抑制できる。また、表示装置１、１Ａに比べて、第２電極Ｒｘは、指等の被検出体により近い位置に設けられる。具体的には、第２電極Ｒｘと、指等の被検出体との間に偏光板３５が配置されていない。したがって、表示装置１Ｂは、検出性能を向上させることが可能である。

（第１実施形態の第３変形例）
図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。図１６に示すように、本変形例の表示装置１Ｃは、さらにカバー基板１０１を有する。カバー基板１０１は、偏光板３５の上側に設けられる。また、センサ部５は、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられる。

第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６はセンサ基体５１の一方の面に設けられる。センサ基体５１の他方の面は、接着層１０２を介してカバー基板１０１の下に貼り合わされる。第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６を覆って保護層３８が設けられる。保護層３８は、接着層３７を介して偏光板３５に貼り合わされる。また、偏光板３５は、接着層３６を介して第２基板３１の上に貼り合わされる。

言い換えると、第２基板３１に垂直な方向において、第１基板２１、複数の第１電極Ｔｘ、第２基板３１、偏光板３５、複数の第２電極Ｒｘ、センサ基体５１、カバー基板１０１の順に設けられる。なお、カバー基板１０１は、上述した表示装置１、１Ａ、１Ｂにも、設けられていてもよい。

なお、カバー基板１０１を設けずに、センサ基体５１の上面（他方の面）にコーティング層を設けてもよい。この場合、センサ基体５１の上面（他方の面）が検出面となり、指等の被検出体は、センサ基体５１の上面（他方の面）にコーティング層を介して接触又は近接する。

（第２実施形態）
図１７は、第２実施形態に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。図１８は、第１電極と、第１電極選択回路との接続を説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｄにおいて、表示パネル２０（図１参照）は、有機ＥＬ表示パネル（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤともいう）である。

図１７に示すように、表示装置１Ｄは、第１基板２１Ａと、下部電極２２Ａと、自発光層１０６と上部電極２２Ｂと、封止層２７と、第１電極ＴｘＡと偏光板２５Ａ、３５Ａと、センサ部５と、カバー基板１０１Ａとを有する。

第１基板２１Ａの上側に絶縁層２４ａ、２４ｂを介して複数の下部電極２２Ａが設けられる。下部電極２２Ａは各副画素ＳＰｉｘに対応してマトリクス状に設けられる。下部電極２２Ａは、有機発光ダイオードのアノード（陽極）である。第１基板２１Ａの下側には、接着層２６Ａを介して偏光板２５Ａが設けられる。第１基板２１Ａは、ポリイミド膜等の樹脂フィルムを用いることができる。なお、下部電極２２Ａと第１基板２１Ａとの間には、副画素ＳＰｉｘを駆動するＴＦＴ素子（図示しない）が設けられる。

複数の下部電極２２Ａの上側に上部電極２２Ｂが設けられる。表示機能層である自発光層１０６は、下部電極２２Ａと上部電極２２Ｂとの間に設けられる。上部電極２２Ｂは、有機発光ダイオードのカソード（陰極）である。下部電極２２Ａ及び上部電極２２Ｂは、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。自発光層１０６は、高分子有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。自発光層１０６は、リブ（絶縁層）によって副画素ＳＰｉｘごとに区画される。

封止層２７は、上部電極２２Ｂを覆う絶縁層である。封止層２７は、上部電極２２Ｂ及び自発光層１０６を封止する。封止層２７は、上部電極２２Ｂ及び自発光層１０６を保護する機能を有する。

このような構成により、自発光層１０６からの光が封止層２７から出射して、観察者の眼に到達する。副画素ＳＰｉｘごとに自発光層１０６の点灯量を制御することにより、表示面に画像が表示される。自発光層１０６は、副画素ＳＰｉｘごとに異なる発光材料が用いられ、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の光を表示する。これにより、表示装置１Ｄは、カラーフィルタを設けない構成とすることができる。なお、これに限定されず、自発光層１０６は副画素ＳＰｉｘごとに同じ発光材料が用いられてもよい。この場合、自発光層１０６の上側にカラーフィルタが設けられる。

複数の第１電極ＴｘＡは、封止層２７の上に設けられる。複数の第１電極ＴｘＡの平面視での構成は、図４に示す第１電極Ｔｘと同様である。複数の第１電極ＴｘＡの上側には、保護層２８、接着層３６Ａを介して偏光板３５Ａが設けられる。

カバー基板１０１Ａは、偏光板３５Ａの上側に設けられる。センサ部５は、偏光板３５Ａとカバー基板１０１Ａとの間に設けられる。

第２電極ＲｘＡ及び第２電極選択回路１６はセンサ基体５１Ａの一方の面に設けられる。センサ基体５１Ａの他方の面は、接着層を介してカバー基板１０１Ａの下に貼り合わされる。第２電極ＲｘＡは、接着層３７Ａを介して偏光板３５Ａに貼り合わされる。第２電極ＲｘＡの平面視での構成は、図５に示す第２電極Ｒｘと同様である。すなわち、第２電極ＲｘＡは、平面視で第１電極ＴｘＡと交差して設けられ、第２電極ＲｘＡと第１電極ＴｘＡとの間に静電容量が形成される。また、偏光板３５Ａは、接着層３６Ａを介して保護層２８に貼り合わされる。

言い換えると、偏光板３５Ａは、第１基板２１Ａとセンサ基体５１Ａ（第２基板）との間に設けられる。カバー基板１０１Ａは、センサ基体５１Ａの上側に設けられる。第２電極ＲｘＡは、偏光板３５Ａとセンサ基体５１Ａの間に設けられる。表示装置１Ｄは、センサ基体５１Ａに垂直な方向において、第１基板２１Ａ、自発光層１０６、上部電極２２Ｂ、封止層２７、複数の第１電極ＴｘＡ、偏光板３５Ａ、複数の第２電極ＲｘＡ、センサ基体５１Ａ、カバー基板１０１Ａの順に設けられる、なお、本実施形態では、表示装置１Ｄは、第１電極ＴｘＡと上部電極２２Ｂとを有する。このため、第１電極ＴｘＡは、共通電極としての機能を有していない。

本実施形態においても、第２電極ＲｘＡは、第１電極ＴｘＡが設けられた第１基板２１Ａと異なる基板に設けられる。第２電極ＲｘＡは、第１電極ＴｘＡとの間に偏光板３５Ａが設けられている。すなわち、第２電極ＲｘＡと第１電極ＴｘＡとを同一基板上に設けた構成に比べて、第１電極ＴｘＡと第２電極ＲｘＡとの距離が大きくなる。このため、多数の第２電極ＲｘＡが設けられた場合であっても、第１電極ＴｘＡと第２電極ＲｘＡとの間の静電容量の増大を抑制できる。また、センサ基体５１Ａがカバー基板１０１Ａに貼り合わされている。このため、第２電極ＲｘＡは指等の被検出体に近い位置に設けられる。具体的には、第２電極ＲｘＡと、指等の被検出体との間に偏光板３５Ａが配置されていない。したがって、表示装置１Ｄは、検出性能を向上させることが可能である。

図１８は、表示装置１Ｄの一部を拡大して示す断面図である。また、図１８では、第１電極選択回路１５に含まれるＴＦＴ素子ＴｒＡを示している。図１８に示すように、封止層２７は、上面２７ａと傾斜面２７ｂとを有している。配線ＬＢは、上面２７ａに設けられ、第１電極ＴｘＡと接続される。傾斜面２７ｂは、封止層２７の周縁に形成されて、絶縁層２４ｂと上面２７ａとを接続する。配線ＬＢは、上面２７ａ及び傾斜面２７ｂに設けられて、絶縁層２４ｂに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ素子ＴｒＡと接続される。

ＴＦＴ素子ＴｒＡは、半導体層８１と、ソース電極８２と、ドレイン電極８３と、ゲート電極８４とを有する。ゲート電極８４は、第１基板２１Ａの上に設けられる。第１絶縁層２４１は、ゲート電極８４を覆って第１基板２１Ａの上に設けられる。半導体層８１は、第１絶縁層２４１の上に設けられる。第２絶縁層２４２は、半導体層８１を覆って第１絶縁層２４１の上に設けられる。ソース電極８２及びドレイン電極８３は、第２絶縁層２４２の上に設けられる。ソース電極８２及びドレイン電極８３は、第２絶縁層２４２に設けられたコンタクトホールを介して半導体層８１と接続される。ドレイン電極８３は、配線ＬＢを介して第１電極ＴｘＡと接続される。また、ソース電極８２は、配線ＬＢａを介してフレキシブル基板７２（図１７参照）と接続される。

このような構成により、封止層２７の上面２７ａに設けられた第１電極ＴｘＡは、配線ＬＢを介して第１電極選択回路１５と接続される。なお、図１８に示すＴＦＴ素子ＴｒＡの構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。

（第３実施形態）
図１９は、第３実施形態に係る検出装置の、第１基板の平面図である。図２０は、第３実施形態に係る検出装置の、第２基板の平面図である。図２１は、図１９のＢ１−Ｂ２線に沿って切断したときの表示装置の断面図である。

図２１に示すように、検出装置３０Ａは、第１センサ基体５１１と、第２センサ基体５１２と、複数の第１電極ＴｘＢと、複数の第２電極ＲｘＢと、第１電極選択回路１５（図１９参照）と、第２電極選択回路１６と、を有する。

第２センサ基体５１２は、第１センサ基体５１１と対向する。第１センサ基体５１１及び第２センサ基体５１２は、ガラス基板、樹脂基板又は樹脂フィルムである。第１センサ基体５１１及び第２センサ基体５１２として透光性を有する材料が用いられる。これにより、検出装置３０Ａは、表示装置の表示面に装着することができる。なお、第１センサ基体５１１及び第２センサ基体５１２は、透光性を有さない樹脂材料であってもよい。この場合、検出装置３０Ａは、表示装置等の電子機器の筐体に装着することができる。

第１電極ＴｘＢは、第１センサ基体５１１の一方の面に設けられる。第１電極ＴｘＢの上に、保護層３７１が設けられる。第２電極ＲｘＢは、第２センサ基体５１２の一方の面に設けられる。第２電極ＲｘＢの上に、保護層３８Ａが設けられる。第１センサ基体５１１と第２センサ基体５１２とは、接着層３７２を介して貼り合わされる。

図１９に示すように、複数の第１電極ＴｘＢは、検出領域ＡＡに設けられ、第１方向Ｄｘに延びており、第２方向Ｄｙに配列される。又、第１電極選択回路１５は、周辺領域ＧＡに設けられる。第１電極選択回路１５は、複数の第１電極ＴｘＢを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた駆動信号Ｖｃｏｍを第１電極ＴｘＢに供給する。第１電極選択回路１５は、フレキシブル基板７３と電気的に接続される。本実施形態の第１電極ＴｘＢ及び第１電極選択回路１５は、第１実施形態の第１電極Ｔｘ及び第１電極選択回路１５と同様である。ただし、第１センサ基体５１１には、図４に示す画素電極２２、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ、フレキシブル基板７２等が設けられていない。

図２０に示すように、複数の第２電極ＲｘＢは、検出領域ＡＡに設けられ、第２方向Ｄｙに延びており、第１方向Ｄｘに配列される。又、第２電極選択回路１６は、周辺領域ＧＡに設けられる。第２電極選択回路１６は、所定の符号に基づいて複数の第２電極ＲｘＢを選択し、選択された第２電極ＲｘＢを１つの出力信号線（第１出力信号線ＬＡ１（図１１参照））に接続する。第２電極選択回路１６は、フレキシブル基板７１と電気的に接続される。本実施形態の第２電極ＲｘＢ及び第２電極選択回路１６は、第１実施形態の第２電極Ｒｘ及び第２電極選択回路１６と同様である。

本実施形態においても、第１電極ＴｘＢと第２電極ＲｘＢとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。第１電極選択回路１５は、第１電極ＴｘＢを選択し、選択された第１電極ＴｘＢに同時に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、接触又は近接する指等の表面の凹凸による容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが第２電極ＲｘＢから出力されることにより、指紋検出が行われる。又は、接触又は近接する指等による容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが第２電極ＲｘＢから出力されることにより、タッチ検出が行われる。本実施形態の検出装置３０Ａにおいても、第１電極選択回路１５により第１電極ＴｘＢのＣＤＭ駆動を行うとともに、第２電極選択回路１６により第２電極ＲｘＢのＣＤＭ駆動を行うことができる。

図２１に示すように、第２電極ＲｘＢは、第１電極ＴｘＢが設けられた第１センサ基体５１１と異なる第２センサ基体５１２に設けられている。このため、第１電極ＴｘＢと第２電極ＲｘＢとを同一基板上に形成した場合に比べて、第１電極ＴｘＢと第２電極ＲｘＢとの距離が大きくなる。このため、多数の第２電極ＲｘＢが設けられた場合であっても、第１電極ＴｘＢと第２電極ＲｘＢとの間の静電容量の増大を抑制できる。したがって、検出装置３０Ａは、検出性能を向上させることが可能である。

（第３実施形態の変形例）
図２２は、第３実施形態の変形例に係る検出装置の概略断面構造を示す断面図である。本変形例の検出装置３０Ｂは、第２センサ基体５１２にフレキシブル基板７１（図２１参照）が設けられていない。本変形例の第２センサ基体５１２は、ガラス基板である。第２センサ基体５１２には、厚み方向に貫通する貫通孔であるコンタクトホールＨ１が設けられている。

第２電極ＲｘＢは、第２電極選択回路１６を介して配線ＬＣに接続される。配線ＬＣは、コンタクトホールＨ１を介して、第１センサ基体５１１に設けられた配線ＬＤに接続される。配線ＬＤはフレキシブル基板７３と電気的に接続される。これにより、第１電極ＴｘＢ及び第２電極ＲｘＢは、共通のフレキシブル基板７３に接続することができる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

例えば、本態様の表示装置及び検出装置は、以下の態様をとることができる。
（１）第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、画像を表示させる表示機能層と、
前記第１基板の検出領域に設けられた複数の第１電極と、
前記第２基板の上側において、前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、
前記第１基板の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、
前記第２基板の上側において前記周辺領域と重なる領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、
前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた検出駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、
前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちいくつかを選択し、選択された前記複数の第２電極を１つの出力信号線に接続する
表示装置。
（２）前記第２基板の上側に設けられた偏光板を有し、
前記複数の第２電極及び前記第２電極選択回路は前記第２基板に設けられ、
前記複数の第２電極は、前記第２基板に垂直な方向において、前記第２基板と前記偏光板との間に配置される、
上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第２基板の上側に設けられた偏光板と、
前記複数の第２電極及び前記第２電極選択回路が設けられるセンサ基体を有する、
上記（１）に記載の表示装置。
（４）前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記センサ基体、前記複数の第２電極、前記偏光板の順に設けられる、
上記（３）に記載の表示装置。
（５）前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記偏光板、前記センサ基体、前記複数の第２電極、の順に設けられる、
上記（３）に記載の表示装置。
（６）前記偏光板の上側に設けられるカバー基板を有し、
前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記偏光板、前記複数の第２電極、前記センサ基体、前記カバー基板の順に設けられる、
上記（３）に記載の表示装置。
（７）前記センサ基体は、接着層を介して前記カバー基板に貼り合わされる、
上記（６）に記載の表示装置。
（８）前記表示機能層は、液晶層であり、
前記複数の第１電極には、複数の画素に対する共通の電位となる表示駆動信号が供給される、
上記（１）乃至上記（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記表示機能層は、高分子有機材料を含む自発光層であり、
前記自発光層の上側に設けられた上部電極と、
前記自発光層及び前記上部電極を封止する封止層と、を有し、
前記複数の第１電極は、前記封止層の上に設けられる、
上記（１）に記載の表示装置。
（１０）前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた偏光板と、
前記第２基板の上側に設けられたカバー基板と、を有し、
前記第２電極及び前記第２電極選択回路は、前記第２基板に設けられる、
上記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記自発光層、前記上部電極、前記封止層、前記複数の第１電極、前記偏光板、前記複数の第２電極、前記第２基板、前記カバー基板の順に設けられる、
上記（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記複数の第１電極は、前記封止層の上に設けられた配線を介して、前記第１電極選択回路と電気的に接続される、
上記（９）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記出力信号線に接続された第１アナログフロントエンド回路を有する、
上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）第２アナログフロントエンド回路を有し、
前記第２アナログフロントエンド回路には、前記複数の第２電極のうち、前記第１アナログフロントエンド回路に接続されない非選択の前記第２電極が接続される、
上記（１３）に記載の表示装置。
（１５）第１センサ基体と、
前記第１センサ基体と対向する第２センサ基体と、
前記第１センサ基体の検出領域に設けられた複数の第１電極と、
前記第２センサ基体の前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、
前記第１センサ基体の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、
前記第２センサ基体の前記周辺領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、
前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちのいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、
前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちのいくつかを選択し、選択された前記第２電極を１つの出力信号線に接続する、
検出装置。
（１６）前記第２センサ基体の前記周辺領域には、貫通孔が設けられており、
前記第２電極は、前記貫通孔を介して前記第１センサ基体に設けられた配線と接続される、
上記（１５）に記載の検出装置。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
５ センサ部
６ 液晶層
１０ 表示部
１１ 制御部
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４ 駆動電極ドライバ
１５ 第１電極選択回路
１６ 第２電極選択回路
２０ 表示パネル
２１、２１Ａ 第１基板
３０、３０Ａ、３０Ｂ 検出装置
３１ 第２基板
４０ 検出部
４８ ＡＦＥ
４８Ａ 第１ＡＦＥ
４８Ｂ 第２ＡＦＥ
５１、５１Ａ センサ基体
５１１ 第１センサ基体
５１２ 第２センサ基体
７１、７２、７３ フレキシブル基板
１０１、１０１Ａ カバー基板
１２１ ゲート線選択回路
１３１ 信号線選択回路
１５１ 第１符号生成回路
１５２ 駆動信号供給回路
１６１ 第２符号生成回路
１６２、１６２Ａ 接続切替回路
ＡＡ 検出領域
ＧＡ 周辺領域
ＬＡ１ 第１出力信号線
ＬＡ２ 第２出力信号線
ＬＲ 基準電位供給線
Ｔｘ、ＴｘＡ、ＴｘＢ 第１電極
Ｒｘ、ＲｘＡ、ＲｘＢ 第２電極

Claims (16)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、画像を表示させる表示機能層と、
   前記第１基板の検出領域に設けられた複数の第１電極と、
   前記第２基板の上側において、前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、
   前記第１基板の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、
   前記第２基板の上側において前記周辺領域と重なる領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、
   前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた検出駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、
   前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちいくつかを選択し、選択された前記複数の第２電極を１つの出力信号線に接続する
   表示装置。
2. 前記第２基板の上側に設けられた偏光板を有し、
   前記複数の第２電極及び前記第２電極選択回路は前記第２基板に設けられ、
   前記複数の第２電極は、前記第２基板に垂直な方向において、前記第２基板と前記偏光板との間に配置される、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２基板の上側に設けられた偏光板と、
   前記複数の第２電極及び前記第２電極選択回路が設けられるセンサ基体を有する、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記センサ基体、前記複数の第２電極、前記偏光板の順に設けられる、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記偏光板、前記センサ基体、前記複数の第２電極、の順に設けられる、
   請求項３に記載の表示装置。
6. 前記偏光板の上側に設けられるカバー基板を有し、
   前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記複数の第１電極、前記第２基板、前記偏光板、前記複数の第２電極、前記センサ基体、前記カバー基板の順に設けられる、
   請求項３に記載の表示装置。
7. 前記センサ基体は、接着層を介して前記カバー基板に貼り合わされる、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記表示機能層は、液晶層であり、
   前記複数の第１電極には、複数の画素に対する共通の電位となる表示駆動信号が供給される、
   請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記表示機能層は、高分子有機材料を含む自発光層であり、
   前記自発光層の上側に設けられた上部電極と、
   前記自発光層及び前記上部電極を封止する封止層と、を有し、
   前記複数の第１電極は、前記封止層の上に設けられる、
   請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた偏光板と、
    前記第２基板の上側に設けられたカバー基板と、を有し、
    前記第２電極及び前記第２電極選択回路は、前記第２基板に設けられる、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第２基板に垂直な方向において、前記第１基板、前記自発光層、前記上部電極、前記封止層、前記複数の第１電極、前記偏光板、前記複数の第２電極、前記第２基板、前記カバー基板の順に設けられる、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記複数の第１電極は、前記封止層の上に設けられた配線を介して、前記第１電極選択回路と電気的に接続される、
    請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記出力信号線に接続された第１アナログフロントエンド回路を有する、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 第２アナログフロントエンド回路を有し、
    前記第２アナログフロントエンド回路には、前記複数の第２電極のうち、前記第１アナログフロントエンド回路に接続されない非選択の前記第２電極が接続される、
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 第１センサ基体と、
    前記第１センサ基体と対向する第２センサ基体と、
    前記第１センサ基体の検出領域に設けられた複数の第１電極と、
    前記第２センサ基体の前記検出領域に設けられた複数の第２電極と、
    前記第１センサ基体の前記検出領域の外側の周辺領域に設けられた第１電極選択回路と、
    前記第２センサ基体の前記周辺領域に設けられた第２電極選択回路と、を有し、
    前記第１電極選択回路は、前記複数の第１電極のうちのいくつかを選択し、所定の符号に基づいて位相が定められた駆動信号を前記第１電極のいくつかに供給し、
    前記第２電極選択回路は、所定の符号に基づいて前記複数の第２電極のうちのいくつかを選択し、選択された前記第２電極を１つの出力信号線に接続する、
    検出装置。
16. 前記第２センサ基体の前記周辺領域には、貫通孔が設けられており、
    前記第２電極は、前記貫通孔を介して前記第１センサ基体に設けられた配線と接続される、
    請求項１５に記載の検出装置。

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