KR101640173B1

KR101640173B1 - 광투과성 전극

Info

Publication number: KR101640173B1
Application number: KR1020147030470A
Authority: KR
Inventors: 다케노부 요시키
Original assignee: 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-29
Filing date: 2013-03-26
Publication date: 2016-07-15
Also published as: WO2013146787A1; US9204536B2; CN104106027A; KR20140140629A; JP2013206301A; JP5876351B2; US20150075846A1; CN104106027B

Abstract

패턴 형상에 관계없이 부식에 강하고, 또한 무전해 도금을 실시한 경우에서도 패턴 형상에 관계없이 균일하게 도금하는 것이 가능한 광투과성 전극을 제공한다. 지지체 상에 광투과성 전극부와, 일단이 상기 광투과성 전극부와 전기적으로 접속하고, 타단이 외부와의 전기적 접속을 담당하는 한 개 이상의 주변 배선으로 이루어진 주변 배선부를 가지며, 상기 광투과성 전극부를 구성하는 금속과 상기 주변 배선부를 구성하는 금속은 공통된다. 주변 배선부를 구성하는 적어도 한 개의 금속선의 선폭이 균일하지 않고, 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분을 가장 가는 금속선 부분(A) 및 금속선 부분(A)에 전기적으로 접속된 그 외의 금속선 부분(B)로 나누었을 경우에, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 1.2~20배이고, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 1.5~3배이며, 또한 하나의 주변 배선에 관하여, 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 주변 배선의 수량이, 주변 배선부의 전체 주변배선의 수량의 40% 이상이다.

Description

광투과성 전극 {LIGHT-TRANSMISSIBLE ELECTRODE}

본 발명은, 광투과성 전극에 관한, 특히 저항막 방식 터치 패널이나 정전 용량 방식 터치 패널에 적합하게 이용되는 광투과성 전극에 관한 것이다.

전자수첩(PDA), 노트북, OA기기, 의료기기, 또는 자동차 내비게이션 시스템 등의 전자기기에 있어서, 이들 디스플레이에 입력 수단으로서 터치 패널이 널리 이용되고 있다.

터치 패널에는 위치 검출 방법에 따라 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등이 사용된다. 저항막 방식의 터치 패널은, 광투과성 도전 재료와 광투과성 도전층부 유리가 스페이서를 통해 마주 보도록 배치되어 있고, 광투과성 도전 재료에 전류를 흘려 광투과성 도전층부 유리에서의 전압을 계측하는 것과 같은 구조로 되어 있다. 한편, 정전 용량 방식의 터치 패널은, 광투과성 지지체 상에 투명 도전체층을 가지는 것이 그 기본 구성인데, 가동 부분이 없는 것이 특징이며, 높은 내구성 및 높은 투과율을 가지기 때문에, 예를 들어 차재 용도 등에 적용되고 있다.

터치 패널 용도의 광투과성 전극(광투과성 도전 재료)으로는, 일반적으로 ITO(산화인듐주석)로 구성된 광투과성 도전막이 광투과성 지지체 상에 형성된 것을 사용해 왔다. 하지만 ITO 도전막은 굴절률이 크고 빛의 표면 반사가 크기 때문에, 전체(全) 광선 투과율이 저하하는 문제나, 가요성이 낮아서 구부렸을 때 ITO 도전막에 균열이 생겨 전기 저항치가 높아지는 문제가 있었다. ITO 도전막을 대신하는 광투과성 도전막을 가지는 광투과성 도전 재료로써, 지지체 상에 금속 세선을 예를 들면 메쉬 패턴형상으로 형성하고, 금속 세선의 선폭이나 피치 또는 패턴 형상 등을 조정함에 따라 높은 광선 투과율을 유지하고 높은 도전성을 가지는 광투과성 도전 재료가, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다.

미세한 금속 패턴을 형성하는 방법으로는, 기판 상에 얇은 촉매층을 형성하고, 그 위에 레지스트 패턴을 형성한 후, 도금법에 의해 레지스트 개구부에 금속층을 적층하고, 마지막으로 레지스트층 및 레지스트층으로 보호된 기초 금속을 제거함으로써 금속 패턴을 형성하는 세미 어디티브 방법이, 예를 들면, 특허문헌 2, 특허문헌 3 등에 개시되어 있다.

또한 근래 들어 금속 패턴을 형성하는 방법으로, 은염 사진 감광 재료를 도전성 재료 전구체로 이용하는 방법도 제안되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 4, 특허문헌 5 및 특허문헌 6 등에서는, 광투과성 지지체 상에 물리현상 핵층과 할로겐화 은유제층을 적어도 이 순서대로 가지는 도전성 재료 전구체에, 가용성 은염 형성제 및 환원제를 알칼리액 내에서 작용시켜 금속 은패턴을 형성시키는 기술이 개시되어 있다. 이 방식에 의한 패터닝은 균일한 선폭을 재현할 수 있을 뿐만 아니라, 은은 금속 중에서도 가장 도전성이 높으므로 다른 방식에 비해 보다 가는 선폭으로 높은 도전성을 얻을 수 있기 때문에, 전체 광선 투과율이 높고, 또한 낮은 저항인 광투과성 도전막을 얻을 수 있다. 또한 이 방법으로 얻어진 광투과성 도전막은, ITO 도전막보다 가요성이 우수하여 구부림에 강하다는 이점이 있다.

저항막 방식 터치 패널이나 정전 용량 방식 터치 패널에서는, 광투과성 전극 안에, 디스플레이 위에 배치되어 손으로 조작하는 광투과성 전극부와, 디스플레이의 밖에 배치되는 광투과성 전극부에서 감지된 전기신호를 외부로 꺼내는 주변 전극부를 가진다. 광투과성 전극부에 ITO 도전막을 이용하는 경우, 일반적으로는 ITO 도전막 위에서부터 은 페이스트 등을 이용해서 주변 전극부를 제작하는 등, ITO 도전막을 제작하는 것과는 다른 공정을 필요로 하기 때문에 제조 효율이 그다지 좋지 않았다. 그러나, 상술한 은염 사진 감광 재료를 도전성 재료 전구체로 이용하는 방법은, 예를 들면, 특허문헌 7에 기재되어 있듯이, 은패턴으로 이루어진 그물코 형상의 광투과성 전극부와 주변 전극부를 어느 것이나 동시에 제작할 수 있는 상당히 효율이 좋은 방식이다.

하지만, 은이라고 하는 금속은 귀금속이지만 공기 중의 유황과 쉽게 반응하여 황화은이 되는 등, 결코 안정성이 높은 금속이라 할 수 없어, 상술한 은염 사진 감광 재료를 도전성 재료 전구체로 이용하는 방법에는 은의 안정성에 관한 문제가 존재한다. 게다가 은을 이용해서 전극 패턴을 제작한 경우, 패턴 형상에 따라 그 안정성이 변하는 불가해한 현상이 나타나므로, 패턴의 대부분은 전혀 부식되지 않았는데도 불구하고 특정 부분만, 특히 긴 주변 배선부와 전기적으로 접속하고 있는 그물코 형상의 광투과성 전극부만이 부식에 매우 약하다는 문제가 존재한다. 또한 은염 사진 감광 재료를 도전성 재료 전구체로 이용하는 방법에서는, 더욱 도전성을 높이기 위해, 제작한 은패턴으로 이루어진 그물코 형상의 광투과성 전극부에 다른 금속을 무전해 도금하는 방법 등도 이용된다. 그러나 이 방법에도 이유는 분명하지 않으나 패턴 형상에 따라서는 무전해 도금의 부착방식이 다르거나, 또는 전혀 무전해 도금이 부착되지 않는 부분이 생기는 등의 문제가 존재한다.

한편, 특허문헌 8에는 주변 배선의 굵기를 변경하는 것이 제안되어 있으나, 주변 배선은 몰리브덴/니오브 등의 금속이며 광투과성 전극부는 ITO 도전막이다.

　　특개 평10-41682호 공보 　 특개 2007-287994호 공보 　　특개 2007-287953호 공보 　　특개 2003-77350호 공보 　　특개 2005-250169호 공보 　　특개 2007-188655호 공보 　　특개 2012-4042호 공보 　　특표 2011-523143호 공보

본 발명의 과제는, 광투과성 전극부와 주변 배선부를 가지고, 상기 광투과성 전극부의 일부가 주변 배선부와 전기적으로 접속하고 있는 광투과성 전극에서, 패턴 형상에 관계없이 부식에 강하고, 또 무전해 도금을 실시한 경우에도 패턴 형상에 관계없이 균일하게 도금하는 것이 가능한 광투과성 전극을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 상기 과제는 이하의 발명에 의해 달성된다.

지지체 상에 광투과성 전극부와, 일단이 상기 광투과성 전극부와 전기적으로 접속하고, 타단이 외부와의 전기적 접속을 담당하는 한 개 이상의 주변 배선으로 이루어진 주변 배선부를 가지며, 상기 광투과성 전극부를 구성하는 금속과 상기 주변 배선부를 구성하는 금속이 공통되는 광투과성 전극에 관하여, 주변 배선부를 구성하는 적어도 한 개의 금속선의 선폭이 균일하지 않고, 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분을 가장 가는 금속선 부분(A) 및 금속선 부분(A)에 전기적으로 접속된 그 외의 금속선 부분(B)으로 나누었을 경우에, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 1.2~20배이고, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 1.5~3배이며, 또한 하나의 주변 배선에 관하여, 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 주변 배선의 수량이, 주변 배선부의 전체 주변 배선 수량의 40% 이상인 것을 특징으로 하는 광투과성 전극.

본 발명에 의해, 광투과성 전극부와 주변 배선부를 가지고 상기 광투과성 전극부의 일부가 주변 배선부와 전기적으로 접속하고 있는 광투과성 전극에서, 패턴 형상에 관계없이 부식에 강하고, 또한 무전해 도금을 실시한 경우에도 패턴 형상에 관계없이 균일하게 도금하는 것이 가능한 광투과성 전극을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타낸 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 주변 배선부를 확대하여 나타낸 도이다.
도 4는 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 그 외의 금속선 부분(B)의 길이를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 그 외의 금속선 부분(B)의 선폭을 설명하기 위한 도이다.
도 6은 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭을 설명하기 위한 도이다.

본 발명에 대해 상세하게 설명하기 위해 이하의 도면을 들어 설명한다. 도 1은 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 2는 본 발명의 광투과성 전극의 일례를 나타낸 개략적인 평면도이다.

도 1에 나타난 것처럼, 본 발명의 광투과성 전극(111)은 지지체(11)와 적어도 한 층인 도전부(12)를 가진다. 도 2에 나타난 것처럼, 도전부(12)는 적어도 광투과성 전극부(13)와 주변 배선부(14)로 구성된다. 또한 광투과성 전극부(13)는 주변 배선부(14)에 연결되는 그물코 형상 도전부(網目狀導電部)(17) 이외에도, 주변 배선부(14)에 연결되지 않는 단선 메쉬부(18)를 가질 수도 있다. 도전부(12)에 기타 쉴드부(도시하지 않음) 등을 붙이는 것도 가능하다.

본 발명의 광투과성 전극(111)이 가지는 지지체(11)로는, 플라스틱, 유리, 고무, 세라믹스 등이 바람직하다. 이들 지지체(11)는 전체 광선 투과율이 60% 이상인 광투과성 지지체가 바람직하다. 플라스틱 중에서도 플렉서블성을 가지는 수지 필름은 취급성이 우수하다는 점에서 이용하기에 알맞다. 지지체로 사용되는 수지 필름의 구체적인 예로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 폴리카보네이트 수지, 디아세테이트 수지, 트리아세테이트 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리염화비닐, 폴리설폰 수지, 폴리에테르 설폰 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지, 환형 폴리올레핀 수지 등으로 구성된 수지 필름을 들 수 있고, 그 두께는 25~300㎛인 것이 바람직하다. 또한 지지체는 간단한 접착층 등 공지의 층을 구비해도 무방하다. 또한 후술할 내용처럼 도전부(12)를 은염 확산 전사법으로 형성하는 경우, 지지체 상에 물리현상 핵층을 만들 수 있다.

본 발명의 광투과성 전극(111)이 가지는 도전부(12)는, 금속, 특히 금, 은, 동, 니켈, 알루미늄 및 이들의 복합재로 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명에서 도전부(12)를 구성하는 광투과성 전극부(13)와 주변 배선부(14)는, 구성하는 금속(복수종의 금속으로 구성되는 경우는 적어도 1종)이 공통된다. 도전부(12)를 구성하는 광투과성 전극부(13)나 주변 배선부(14)는 모두 같은 수법으로 일괄 제작하는 것이 바람직하다. 따라서 이 경우에 이들은 모두 같은 금속으로 구성된다. 도전부(12)를 형성하는 방법으로는 은염 감광 재료를 이용하는 방법, 은염 감광 재료를 이용하여 추가적으로 얻어진 은화상에 무전해 도금이나 전해 도금을 입히는 방법, 스크린 인쇄법을 이용해서 은페이스트 등의 도전성 잉크를 인쇄하는 방법, 은잉크 등의 도전성 잉크를 잉크젯법으로 인쇄하는 방법, 무전해 도금 등으로 동 등의 금속으로 구성된 도전성층을 형성하는 방법, 혹은 증착이나 스팩터 등으로 도전성층을 형성하고 그 위에 레지스트막을 형성해서, 노광, 현상, 에칭, 레지스트층을 제거하는 것으로 얻는 방법, 동박 등의 금속박을 붙이고, 더욱이 그 위에 레지스트막을 형성해서, 노광, 현상, 에칭, 레지스트층을 제거하는 것으로 얻는 방법 등, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 그 중에서도 광투과성 전극부(13)를 구성하는 금속선을 미세하게 하는 것이 용이한 은염 확산 전사법을 이용하는 것이 바람직하다. 은염 확산 전사법으로는 예를 들면 특허공개 2003-77350호 공보나 특허공개 2005-250169호 공보에 기재되어 있는, 지지체 상에 만들어진 물리현상 핵층에, 원하는 패턴으로 노광한 할로겐화 은유제층과 가용성 은착염 형성제 및 환원제를 알칼리액 안에서 작용시켜, 금속은을 석출시키는 방법을 들 수 있다. 이들 수법으로 제작한 도전부(12)의 두께는 0.05~5㎛가 바람직하고, 0.1~1㎛가 더욱 바람직하다.

도 3은 도 2의 주변 배선부를 확대하여 나타낸 도이다. 도 3에서 커넥터부(15)는 A1~A7의 7개의 커넥터로 구성된다. 본 발명에서, 주변 배선부란 광투과성 전극부(13)와 전기적으로 접속된 접속부(16)와, 외부와 전기적으로 접속된 커넥터부(15)와, 또한 접속부(16)와 커넥터부(15)를 전기적으로 접속하는 금속선(도 3의 31, 32)으로 구성되는 배선 부분을 가리키며, 한 개 이상의 주변 배선을 통틀어 주변 배선부라고 본 발명에서는 부르기로 한다. 커넥터부(15)는 통상적으로 FPC(플렉서블 기판) 등의 배선과 전기적으로 접속하여, 광투과성 전극이 관여한 신호를 이 FPC를 통해 외부의 IC(집적회로) 등에 전하게 할 목적으로 설치된다. 또한 접속부(16)는 광투과성 전극이 된 메쉬 패턴(도 2의 광투과성 전극부(13))과 보다 많은 점에서 접속하기 위해서 설치되나, 본 발명에서 이들 커넥터부(15)와 접속부(16)는 생략 가능하다. 이 경우에는 금속선(31)과 금속선(32)이 커넥터부(15)와 접속부(16)의 기능을 행하게 된다.

일례로 이 중에서 커넥터(A6)에 접속된 주변 배선에 대해 설명한다. 커넥터(A6)에서 접속부(16)까지의 주변 배선은, 가장 가는 금속선 부분(31)(본 발명의 금속선 부분(A))과 그보다 선폭이 넓은 금속선 부분(32)(본 발명의 금속선 부분(B))으로 전기적으로 접속되어 있다. 본 발명에서의 금속선의 선폭이란, 지지체면 상에서 금속 부분에서의 전류의 흐름 방향에 직교하는 방향의 길이를 말한다. 금속선 부분(31)의 선폭은 그물코 형상 도전부(17)(도 2 참조)를 구성하는 금속선의 선폭의 1.2~20배이다. 금속선 부분(31)은 직각으로 구부러져 있는 곳도 있지만, 본 발명에서는 구부러진 부분의 선폭은 구부러진 부분을 포함한 2 방향의 금속선 부분의 선폭을 선폭이라 부르기로 한다. 도 3의 커넥터(A6)에 접속된 주변 배선에서, 금속선 부분(32)의 선폭은 금속선 부분(31)의 선폭의 2배이나, 1.5~3배의 범위 내라면 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.

본 발명에서 한 개의 주변 배선 중 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 주변 배선 수량은, 주변 배선부의 전체 주변 배선 수량의 40% 이상이다. 금속선 부분(A)의 선폭이 일정하지 않은 경우나 금속선 부분(B)과의 접속부에서 선폭이 점증하는 경우도 있기 때문에, 본 발명에서 금속선 부분(A)의 전체 길이란, 다른 선폭으로의 이행 부분도 포함하여 한 개의 주변 배선 중 가장 가는 금속선 부분의 선폭에 대해 1.2배 이하인 선폭을 가지는 금속선 부분의 합계 길이를 의미한다. 또한 금속선 부분(B)의 전체 길이도 위와 마찬가지로 다른 선폭으로의 이행 부분도 포함하여 한 개의 주변 배선 중 가장 가는 금속선 부분의 선폭에 대해 1.5~3배인 선폭을 가지는 금속선 부분의 합계 길이를 의미하며, 3배보다 큰 금속선 부분(통상적으로는 커넥터부 및 접속부)의 길이는 제외한다. 도 3의 커넥터(A6)에 접속된 주변 배선에서 금속선 부분(31)의 전체 길이는 금속선 부분(32)의 0.238배로 설정되어 있다. 더욱이 주변 배선에서 커넥터부와 접속부를 포함하여 전체 길이를 차지하는, 금속선 부분(A)의 전체 길이와 금속선 부분(B)의 전체 길이의 합계 길이는 60% 이상인 것이 바람직하다.

본 발명에서 모든 주변 배선의 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 범위에 속할 필요는 없고, 예를 들면 도 3의 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선에서는 한 종류의 선폭을 가지는 금속선 부분밖에 없다. (덧붙여 커넥터부, 접속부는 이 금속선 부분의 선폭보다 3배 이상 큰 폭을 가지도록 되어있다.) 본 발명에서는 주변 배선부의 전체 주변 배선 중, 수량의 40% 이상이 상기 범위(금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 범위) 안에 들어가 있으면 적당하다. 전체 길이가 긴 주변 배선 순으로 40% 이상의 수량이 상기 범위 안에 들어 있으면 바람직하고, 전체 길이가 긴 주변 배선 순으로 60% 이상의 수량이 상기 범위 안에 들어가 있으면 더욱 바람직하다. 도 3에서, 도시되어있지는 않으나 커넥터(A1~A6)를 포함하는 주변 배선까지가 상기 범위 안에 들어 있고, 오직 커넥터(A7)를 포함하는 주변 배선만이 상기 범위 안에 들어있지 않다. 따라서 85.7% 수량의 주변 배선이 상기 범위 안에 들어있는 것이 된다.

도 2에서 그물코 형상 도전부(17)는, 금속선으로 구성된 복수의 단위격자를 그물코 형상으로 배치한 기하학 형상을 가진다. 단위격자의 형상으로는, 예를 들면 정삼각형, 이등변삼각형, 직각삼각형 등의 삼각형, 정사각형, 직사각형, 마름모꼴, 평행사변형, 사다리꼴 등의 사각형, (정)육각형, (정)팔각형, (정)십이각형, (정)이십각형 등의 (정)n각형, 별 모양 등을 조합한 형상을 들 수 있으며, 또한 이들 형상이 단독으로 반복되거나 2종류 이상의 복수 형상이 조합되는 형상을 들 수 있다. 그 중에서도 단위격자의 형상으로는 정사각형 또는 마름모꼴이 바람직하다.

그물코 형상 도전부(17)를 구성하는 금속선의 선폭은 20㎛ 이하가 바람직하고, 1~10㎛가 더욱 바람직하다. 또한 단위격자의 반복 간격은 600㎛ 이하가 바람직하고, 400㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 그물코 형상 도전부(17)의 개구율(率)은 85% 이상이 바람직하고, 88~99%가 더욱 바람직하다. 이 개구율은 그물코 형상 도전부(17)가 가지는 단위격자의 면적에 대한 금속선이 존재하지 않는 부분의 면적(광투과성을 가지는 부분의 면적)의 비율을 산출한 값이다.

상술한 바와 같이 광투과성 전극부(13) 안에는 주변 배선부에 연결되지 않는 단선 메쉬부(18)를 설치할 수 있다. 단선 메쉬부(18)는 주변 배선에 연결되지 않을 뿐만 아니라, 예를 들면 그물코 형상 도전부(17)와 같은 단위격자로 이루어지나, 일부가 단선된 단위격자로 구성된 단선 메쉬인 것이 바람직하다. 단선 방법은, 단위격자를 구성하는 금속선에 직교하듯이 단선되어도 되고 비스듬하게 단선되어도 된다. 단선 메쉬부(18)의 금속선의 선폭은 그물코 형상 도전부(17)와 같은 선폭, 또는 단선 부분의 면적에 상당하는 부분 만큼 굵게 하는 것이 바람직하다. 단선 부분의 길이는 30㎛ 이하가 바람직하고, 3~15㎛가 더욱 바람직하다. 또한 그물코 형상 도전부(17)와 단선 메쉬부(18)의 개구율의 차이는 1% 이내인 것이 바람직하다. 덧붙여, 개구율의 의미는 상술한 바와 같다.

위의 설명을 통해 밝힌 것처럼, 본 발명은 주변 배선부를 구성하는 적어도 한 개의 금속선의 선폭이 균일하지 않고, 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분을 가장 가는 금속선 부분(A) 및 금속선 부분(A)에 전기적으로 접속된 그 외의 금속선 부분(B)으로 나누었을 경우에, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 1.2~20배이고, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 1.5~3배이며, 또한 한 개의 주변 배선에서 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 주변 배선의 수량이, 주변 배선부의 전체 주변 배선 수량의 40% 이상인 것을 특징으로 하고 있으므로, 그 특징을 이해하기 쉽게 하기 위해 도면을 이용하여 설명한다.

도 4는 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 그 외의 금속선 부분(B)의 길이를 설명하기 위한 도면이다. 가장 가는 금속선 부분(31)(금속선 부분(A))의 전체 길이(L)는 L₁+L₂+L₃의 합계 길이이다. 금속선 부분(A)보다 선폭이 넓은 금속선 부분(32)(금속선 부분(B))의 전체 길이는 L₀이기 때문에, 0.01×L≤L₀≤40L이 된다.

도 5는 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 그 외의 금속선 부분(B)의 선폭을 설명하기 위한 도면이다. 가장 가는 금속선 부분(31)(금속선 부분(A))의 선폭은 d이며, 금속선 부분(A)보다 선폭이 넓은 금속선 부분(32)(금속선 부분(B))의 선폭은 D이기 때문에, 1.5×d≤D≤3.0d가 된다.

도 6은 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분에서 가장 가는 금속선 부분(A)과 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭을 설명하기 위한 도면이다. 가장 가는 금속선 부분(31)(금속선 부분(A))의 선폭은 d이며, 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭은 d₁이기 때문에, 1.2×d₁≤d≤20.0×d₁이 된다.

덧붙여, 상술한 도 1에서 광투과성 전극(111)은, 지지체(11)와 도전부(12) 이외에도 하드코트층, 반사 방지층, 점착층, 방현(防眩)층 등 공지의 층을 전극 패턴 위(도전부(12) 위) 또는 지지체(11) 도전부(12)의 반대측에 만들 수 있다.

실시예

이하, 본 발명에 관해 실시예를 통해 상세하게 설명하려고 하나, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않으며 본 발명의 기술적 범위를 일탈하지 않는 한 여러 가지로 변형 및 수정이 가능하다.

＜실시예 1＞

광투과성 지지체로 두께 100㎛의 폴리에틸렌 텔레프탈레이트 필름을 이용하였다. 이 광투과성 지지체의 전체 광선 투과율은 91%였다.

이어서 하기 처방에 따라 물리현상 핵층 도포액을 제작하여, 상기 광투과성 지지체 상에 도포 및 건조하여 물리현상 핵층을 만들었다.

＜황화 팔라듐졸의 조제＞

　A액 염화 파라듐 　　　　　　　　　　　　　　 5g

　　　　 염산　　　　　　　　　　　　　　　　　　 40ml

　　　　 증류수　　　　　　　　　　　　　　　　　1000ml

　B액 황화 소다　　　　　　　　　　　　　　　　 8.6g

　　　　 증류수　　　　　　　　　　　　　　　　　1000ml

A액과 B액을 교반하면서 혼합하여, 30분 후에 이온 교환 수지가 충전된 칼럼을 통해 황화 팔라듐졸을 얻었다.

＜물리현상 핵층도포액의 조제＞각 1m²당

　상기 황화 팔라듐졸　　　　　　　　　　　　　　 0.4mg

　2질량% 글리옥살 수용액　　　　　　　　　　　 0.2ml

　계면활성제(S-1)　　　　　　　　　　　　　　　　　 4mg

　데나콜 EX-830　　　　　　　　　　　　　　　　 50mg

　 (나가세켐텍스(주) 제 폴리에틸렌글리콜디그리시딜에테르)

　10질량% SP-200 수용액　　　　　　　　　　　　 0. 5mg

　　 ((주)일본촉매 제 폴리에틸렌이민; 평균 분자량 10000)

다음으로, 광투과성 지지체에 가까운 쪽부터 순서대로 하기 조성의 중간층, 할로겐화 은유제층 및 보호층을 상기 물리현상핵액층 위에 도포, 건조하여 은염 감광 재료(1)를 얻었다. 할로겐화 은유제는 사진용 할로겐화 은유제의 일반적인 더블제트 혼합법으로 제조하였다. 이 할로겐화 은유제는 염화은 95mol%와 취화은 5mol%로, 평균 입자지름이 0.15㎛가 되도록 조제하였다. 이와 같이 하여 얻어진 할로겐화 은유제를, 정법에 따라 티오 황산나트륨과 염화금산을 이용하여 금 유황 증감을 실시하였다. 이렇게 하여 얻어진 할로겐화 은유제는 은 1g 당 0.5g의 젤라틴을 포함한다.

＜중간층 조성/1m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 0.5g

　계면활성제(S-1)　　　　　　　　　　　　　　　　 5mg

　염료(1)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 0. 1g

＜할로겐화 은유제층1조성/1m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0. 5g

　할로겐화 은유제 　　　　　　　　　　　　　3.0g은 상당

　1-페닐-5-메르캅토테트라졸 　　　　　　　3mg

　계면활성제(S-1)　　　　　　　　　　　　　　　　 20mg

＜보호층 조성/1m²당＞

　젤라틴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1g

　부정형 실리카 매트제(평균 입자지름 3.5㎛) 　　　10mg

　계면활성제(S-1)　　　　　　　　　　　　　　　　 10mg

도 2의 패턴을 가지며 주변 배선부는 도 3의 패턴을 가지는 투과원고(1)를 준비했다.

투과원고(1)에서 그물코 형상 도전부(17)는 한 변의 길이(격자 간격)가 0.3mm인 정사각형으로 이루어진 단위격자로 구성된다. 또한 그물코 형상 도전부(17)의 단위격자는 폭 7㎛의 세선에 의해 구성된다. 또한 단선 메쉬부(18)의 단위격자는 폭 8㎛의 세선에 의해 구성된다. 덧붙여 단선 메쉬부(18)는 100㎛ 마다 10㎛의 단선부를 가진다. 투과원고(1)에서, 주변 배선부를 구성하는 가장 가는 선 부분의 선폭은 50㎛이며, 커넥터부(15)는 폭 1mm에 길이 10mm인 선으로 형성되며, 접속부(16)는 폭 3mm에 길이 1mm인 선으로 형성된다. 커넥터(A1~A6)에 접속하는 주변 배선은, 커넥터부(15)와 접속부(16)를 제외한 선 부분이 상술한 선폭 50㎛의 선 부분과 선폭 100㎛의 선 부분으로 형성된다. 50㎛선, 100㎛선, 커넥터부(15), 접속부(16)의 상호 접속은, 선폭이 점증하는 듯한 형상이 아니며 직접 접속된다. 각 주변 배선에서의, 50㎛선의 전체 길이의, 100㎛선의 전체 길이에 대한 비를 표 1에 기재하다. 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선은, 커넥터부(15)와 접속부(16)를 제외한 선 부분이 50㎛선만으로 형성된다. 또한 커넥터(A1~A6)를 포함하는 주변 배선에서, 각각의 주변 배선의 전체 길이를 차지하는 50㎛선과 100㎛선의 합계 길이는 60% 이상이다.

위와 같이 하여 얻어진 은염 감광 재료(1)의 할로겐화 은유제층을 가지는 면과 투과원고(1)의 패턴을 가지는 쪽의 면을 밀착시킨 후, 수은등을 광원으로 하는 밀착 프린터를 이용하여 400nm 이하 파장의 빛을 커트하는 수지 필터를 통해 노출시켰다. 참고로 후술할 실시예 및 비교예에서도 노출 시 밀착시키는 면은 실시예1과 같다.

그 후, 하기 확산 전사 현상액 안에서 20℃로 60초간 침지한 후, 이어서 할로겐화 은유제층, 중간층, 및 보호층을 물로 씻어 제거한 다음 건조하여 투과원고(1)와 같은 패턴을 은패턴으로 가지는 광투과성 전극(1)을 얻었다. 얻어진 광투과성 전극(1)의 은패턴은 투과원고(1)와 완전히 같은 형상 및 선폭을 가지는 이미지였다. 또한 금속선의 두께는 0.12㎛이며, 그물코 형상 도전부(17)의 개구율은 95.4%, 단선 메쉬부(18)의 개구율은 95.2%였다.

＜확산 전사 현상액 조성＞

　수산화칼륨　　　　　　　　　　　　　　　　　　　25g

　하이드로퀴논　　　　　　　　　　　　　　　　　　 18g

　1-페닐-3-피라졸리돈　　　　　　　　　　　　 2g

　아황산칼륨 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　80g

　N-메틸에탄올아민 　　　　　　　　　　　　　15g

　취화칼륨 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1. 2g

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　전량을 물 1000ml,

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　pH=12.2로 조정하였다.

＜부식성 평가＞

얻어진 광투과성 전극(1)의 광투과성 전극부에, NeoFix100(니치에이화공(주) 제 양면점착테이프)의 약(弱) 점착면을 첩합하여 60℃, 상대습도 90%에서 1000시간 방치한 후, 부식성을 평가하였다. 부식성은, 그물코 형상 도전부(17)의 그물코 형상 금속선 중 어느 곳이든 금속선이 폭방향에 걸쳐 완전히 검어지는 부분이 있으면 ×, 그물코 형상 금속선 중 어느 곳이든 금속선이 폭방향에 걸쳐 완전히 검어지는 것은 아니나 점 모양으로 검은 부분이 발생하였다면 △, 전혀 변화가 없으면 ○으로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.

＜도금 균일성 평가＞

얻어진 광투과성 전극(1)에 멜텍스사 제 Cu5100 무전해 동 도금액을 60℃에서 5분간 도금한 후, 패턴 전부에 동색이 들어 있으면 ○, 패턴의 일부에서 동색이 옅게 나타나면 △, 패턴의 일부에서 전혀 동이 얹혀 있지 않고 은이 노출되어 있으면 ×로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 2＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 각 주변 배선 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(2)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(2)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다. 커넥터(A4~A7)에 접속된 주변 배선은 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 50㎛선만으로 형성되어 있다.

＜실시예 3＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 각 주변 배선 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(3)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(3)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다. 커넥터(A3), 커넥터(A5~A7)에 접속된 주변 배선은 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 50㎛선만으로 형성되어 있다.

＜비교예 1＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 각 주변 배선 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(4)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 1의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다. 커넥터(A3~A7)에 접속된 주변 배선은 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 50㎛선만으로 형성되어 있다.

＜비교예 2＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 각 주변 배선 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른, 또는 커넥터(A3~A7)에 접속된 주변 배선의 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 100㎛선만으로 형성되어 있는 투과원고(5)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 2의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 4＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 100㎛ 선폭의 선인 곳이 140㎛ 선폭의 선인 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(6)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(4)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 5＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 100㎛ 선폭의 선인 곳이 120㎛ 선폭의 선인 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(7)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(5)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 3＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 100㎛ 선폭의 선인 곳이 160㎛ 선폭의 선인 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(8)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 3의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 4＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 100㎛ 선폭의 선인 곳이 55㎛ 선폭의 선인 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(9)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 4의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 6＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 100㎛ 선폭의 선인 곳이 75㎛ 선폭의 선인 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(10)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(6)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 7＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 50㎛ 선폭의 선인 곳이 9.8㎛ 선폭의 선이고, 100㎛ 선폭의 선인 곳이 19.6㎛ 선폭의 선이며, 또한 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선의 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 9.8㎛선만으로 형성되어 있는 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(11)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(7)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 5＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 50㎛ 선폭의 선인 곳이 7㎛ 선폭의 선이고, 100㎛ 선폭의 선인 곳이 14㎛ 선폭의 선이며, 또한 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선의 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 7㎛선만으로 형성되어 있는 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(12)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 5의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 8＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 50㎛ 선폭의 선인 곳이 130㎛ 선폭의 선이고, 100㎛ 선폭의 선인 곳이 260㎛ 선폭의 선이며, 또한 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선의 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 130㎛선만으로 형성되어 있는 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(13)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(8)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 6＞

실시예 1에서 제작한 투과원고(1) 대신에, 투과원고(1)에서는 50㎛ 선폭의 선인 곳이 150㎛ 선폭의 선이고, 100㎛ 선폭의 선인 곳이 300㎛ 선폭의 선이며, 또한 커넥터(A7)에 접속된 주변 배선의 커넥터부와 접속부를 제외한 선 부분이 오로지 150㎛선만으로 형성되어 있는 것 이외에는 투과원고(1)와 같은 도형의 투과원고(14)를 이용하고, 그 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 6의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 9＞

실시예 2에서 제작한 투과원고(2) 대신에, 각 주변 배선의 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(15)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(9)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 7＞

실시예 2에서 제작한 투과원고(2) 대신에, 각 주변 배선의 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(16)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 7의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜실시예 10＞

실시예 2에서 제작한 투과원고(2) 대신에, 각 주변 배선의 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(17)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 광투과성 전극(10)을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

＜비교예 8＞

실시예 2에서 제작한 투과원고(2) 대신에, 각 주변 배선의 50㎛선의 100㎛선에 대한 비가 표 1에 나타난 바와 같이 다른 투과원고(18)를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 같게 하여 비교예 8의 광투과성 전극을 얻었다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.

표 1을 통해 다음과 같은 내용을 알 수 있다. 실시예 1 내지 10의 광투과성 전극은 본 발명의 특징을 모두 갖추고 있으므로, 부식성 및 도금 균일성에 있어 실용적으로 문제가 없다는 특성을 가진다. 그러나 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분을 가장 가는 금속선 부분(A) 및 금속선 부분(A)에 전기적으로 접속된 그 외의 금속선 부분(B)로 나누었을 경우에, 비교예 1과 2의 광투과성 전극은 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배에 포함되는 주변 배선의 수량이, 주변 배선부의 전체 주변배선 수량의 28.6%이기 때문에 부식성과 도금 균일성이 떨어진다. 또한 비교예 3의 광투과성 전극은, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 3.2배이기 때문에 부식성이 떨어진다. 또한 비교예 4의 광투과성 전극은, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 1.1배이기 때문에 부식성이 떨어진다. 또한 비교예 5의 광투과성 전극은, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 1.0배이기 때문에 부식성이 떨어진다. 또한 비교예 6의 광투과성 전극은, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 21.4배이기 때문에 도금 균일성이 떨어진다. 또한 비교예 7의 광투과성 전극은, 1개의 주변 배선에 있어서 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.008배이기 때문에 부식성이 떨어진다. 또한 비교예 8의 광투과성 전극은, 1개의 주변 배선에 있어서 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 42배이기 때문에 부식성이 떨어진다.

11　지지체
12　도전부
13　광투과성 전극부
14　주변 배선부
15　커넥터부
16　접속부
17　그물코 형상 도전부
18　단선 메쉬부
31, 32 금속선 부분
111　광투과성 전극
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7　커넥터

Claims

　　지지체 상에 광투과성 전극부와, 일단이 상기 광투과성 전극부와 전기적으로 접속하고, 타단이 외부와의 전기적 접속을 담당하는 한 개 이상의 주변 배선으로 이루어진 주변 배선부를 가지며, 상기 광투과성 전극부를 구성하는 금속의 적어도 1종과 상기 주변 배선부를 구성하는 금속의 적어도 1종이 공통되는 광투과성 전극에 관하여, 주변 배선부를 구성하는 적어도 한 개의 금속선의 선폭이 균일하지 않고, 주변 배선부를 구성하는 금속선 부분을 가장 가는 금속선 부분(A) 및 금속선 부분(A)에 전기적으로 접속된 그 외의 금속선 부분(B)으로 나누었을 경우에, 금속선 부분(A)의 선폭이 광투과성 전극부를 구성하는 금속선의 선폭의 1.2~20배이고, 금속선 부분(B)의 선폭이 금속선 부분(A)의 선폭의 1.5~3배이며, 또한 하나의 주변 배선에 관하여, 금속선 부분(A)의 전체 길이가 금속선 부분(B)의 전체 길이의 0.01~40배인 주변 배선의 수량이, 주변 배선부의 전체 주변 배선 수량의 40% 이상인 것을 특징으로 하는 광투과성 전극.