TWI556265B - 光穿透性電極 - Google Patents

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Description

光穿透性電極
本發明係主要關於一種用於觸控面板的光穿透性電極，特別是關於適合投影型電容式的觸控面板之光穿透性電極。
於PDA(個人數位助理)、筆記型個人電腦、OA(辦公室自動化)機器、醫療機器或導航系統等的電子機器，於該等顯示器廣泛使用觸控面板作為輸入手段。
於觸控面板係依據檢測出位置的方法，有光學式、超音波式、表面電容式、投影型電容式、電阻膜式等。電阻膜式的觸控面板係光穿透性導電材料與附有光穿透性導電體層的玻璃，隔著間隔物而對向配置，電流流過光穿透性導電材料，量測附有透明導電體層的玻璃之電壓所成的構造。另一方面，電容式的觸控面板的特徵係於基材上具有光穿透性導電體層的光穿透性電極作為基本構成，且無可動部分，因具有高耐久性、高透過率，故適用於各種用途，再者，投影型電容式因可多點同時檢測，被廣泛使用於智慧型手機、或平板電腦等。
就可使用於觸控面板的光穿透性電極而 言，一般係使用基材上形成由ITO(銦錫氧化物)所構成的光穿透性導電層者。但是，由ITO所構成的光穿透性導電層，係其折射率大，因光的表面反射大，故有全部光線透過率低的問題、或因可撓性低，故彎曲時，有於ITO導電層產生龜裂而電阻值變高的問題。
使用由ITO所構成的光穿透性導電層之光穿透性電極替代的光穿透性電極，在光穿透性基材上，藉由使金屬細線形成為例如已調整金屬細線的線寬、間隔、進而圖型形狀等之網格圖型狀，作為光穿透性導電層，可得到維持高的全部光線透過率且具有高導電性的光穿透性電極已為人所知。作為所使用的金屬細線圖型的形狀，已知有可利用各種形狀的重複單元，例如於專利文獻1中，係可利用正三角形、等邊三角形、直角三角形等之三角形、正方形、長方形、菱形、平行四邊行、梯形等的四角形、六角形、八角形、十二角形、二十角形等的多角形、圓、橢圓、星形等的重複單元以及該等2種以上的組合之圖型。
作為使用由金屬細線所構成的光穿透性導電層之光穿透性電極的製造方法，係在基板上形成薄的觸媒層，於其上形成光阻圖型後，藉由電鍍法積層金屬層於光阻開口部，最後藉由除去光阻層及被光阻層保護的底金屬，形成導電性圖型之藉由半加成法，例如已揭露於專利文獻2、專利文獻3等。
而且，近年，已知有提出使用銀鹽擴散轉印法之銀鹽照片感光材料作為導電性材料前驅物之方法。 例如於專利文獻4、專利文獻5、專利文獻6等，係已揭露於基材上至少依序具有物理顯像核心層及鹵化銀乳劑層之銀鹽照片感光材料(導電性材料前驅物)曝光成圖型狀，使可溶性銀鹽形成劑及還原劑在鹼液中作用，而形成金屬銀圖型的技術。以該方式所形成之圖型化，係除可使均勻的線寬再現，並因銀係在金屬中導電性最高，與其他方式比較，可以更細的線寬得到高的導電性。再者，具有以該方法所得到之金屬銀圖型的光穿透性導電層，係具有比由ITO所構成的光穿透性導電層更高的可撓性之所謂彎曲性強的優點。
一般在使用投影型電容式的觸控面板中，係使用具有2層光穿透性導電層之光穿透性電極作為觸控感測器，其中該光穿透性導電層係具有由複數個列電極所構成的感測器部。於如此的用途中，使用具有各種重複單元的金屬圖型作為列電極之觸控面板，係因通常操作者凝視畫面並操作，故有金屬圖型本身照映到眼睛(辨識性高)的問題。而且，在使2層光穿透性導電層重疊之光穿透性電極中，由於金屬圖型的形狀，產生莫疊紋(moire)，有辨識性變更高的問題。再者，使用具有以極細的金屬細線所產生之重複單元的金屬圖型之光穿透性電極，隨圖型形狀，在高溫高濕環境下有電阻值改變的情形，尚未有可同時解決前述的疊紋的問題以及該電阻值的安定性問題之方法。
對於該等的問題，於專利文獻7中，因已提 出2層的光穿透性導電層中之一的光穿透性導電層的列電極具有的金屬圖型之重複單元的形狀為菱形，使用旋轉該菱形90°之重複單元，作為另一光穿透性導電層的列電極具有的金屬圖型的重複單元之方法。但是，於該方法中，係依條件而異，亦有時可見到疊紋，再者關於解決在高溫高濕環境下之電阻值的安定性的問題，亦不足夠。
例如如專利文獻8等，以消除疊紋為目的，亦已提出使用鑽石狀的圖型作為列電極的金屬圖型，2層光穿透性導電層具有的構成列電極的金屬圖型，於上下光穿透性導電材料重疊時，為其全部不重疊之方法。但於該方法中，若2層光穿透性導電層不以極高之位置精度貼合，容易產生上下之圖型錯誤而重疊的部分、或完全沒有圖型的部分，相反地辨識性容易變高。而且，於該方式中，必然產生列電極的寬度變窄的部分，該部分受到具有前述極細的金屬細線之重複單元之金屬圖型的電阻值在高溫高濕環境下變化的問題影響更為顯著。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平10-41682號公報
[專利文獻2]日本特開2007-287994號公報
[專利文獻3]日本特開2007-287953號公報
[專利文獻4]日本特開2003-77350號公報
[專利文獻5]日本特開2005-250169號公報
[專利文獻6]日本特開2007-188655號公報
[專利文獻7]日本特開2011-248722號公報
[專利文獻8]日本特開2012-33147號公報
本發明的課題係提供適合作為使用電容式的觸控面板之光穿透性電極且全部光線透過率高而不易產生疊紋，而且電阻值的安定性優異之光穿透性電極。
本發明的上述課題，基本上係藉由光穿透性電極來達成，而該光穿透性電極之特徵係於光穿透性基材上具有至少2層的光穿透性導電層，而該光穿透性導電層係具有電性連接於端子部的感測器部、以及不與端子部電性連接的虛設部；其中該感測器部與該虛設部係具有既定形狀的單元金屬圖型重複形成之構造，一方之光穿透性導電層所具有的感測器部係由朝第一方向延伸之複數個列電極所構成，列電極與虛設部係交替配置，另一方之光穿透性導電層所具有的感測器部係朝與第一方向垂直的第二方向延伸之複數個列電極所構成，列電極與虛設部係交替配置，進一步全部滿足下述(a)至(c)的要件；
(a)k1>j1
此處，k1表示一方之光穿透性導電層朝第一方向延伸之列電極所具有的既定形狀的單元金屬圖型的第一方向之平均長度，j1表示既定形狀的單元金屬圖型的第二方向之 平均長度。
(b)2M=n×j1
此處，M表示朝第一方向延伸之列電極的平均中心間隔距離，n表示自然數。
(c)k2<j2且k1÷j2與j2÷k1的解兩者皆不為自然數。
此處，k2表示另一方之光穿透性導電層朝第二方向延伸之列電極所具有的既定形狀的單元金屬圖型之第一方向之平均長度，j2表示既定形狀的單元金屬圖型的第二方向之平均長度。
以滿足下述(d)的要件為較佳。
(d)2L=p×k2
此處，L表示另一方之光穿透性導電層朝第二方向延伸之列電極的平均中心間隔距離，p表示自然數。
以滿足下述(e)的要件為較佳。
(e)2L=q×k1
此處，q表示自然數。
以滿足0.15×k1<j1<0.7×k1的要件為較佳，以滿足0.35×k1<j1<0.6×k1的要件為更佳。以滿足0.15×j2<k2<0.7×j2的要件為較佳，以滿足0.35×j2<k2<0.6×j2的要件為更佳。
一個之光穿透性導電層具有的感測器部之既定形狀的單元金屬圖型的圖形與虛設部的既定形狀的單元金屬圖型的圖形一致為較佳。既定形狀的單元金屬圖型的圖形為菱形，其對角線在第一方向及第二方向(與第一方 向垂直的方向)為較佳。
藉由本發明，可提供適合作為使用電容式的觸控面板的光穿透性電極且全部光線透過率高而不易產生疊紋，而且電阻值的安定性優異之光穿透性電極。
1a、1b‧‧‧光穿透性基材
2a、2b‧‧‧光穿透性導電層
3、5‧‧‧保護基材
4‧‧‧接著層
6a、6b‧‧‧列電極
11‧‧‧感測器部
12‧‧‧虛設部
13‧‧‧非圖像部
14‧‧‧配線部
15‧‧‧端子部
16‧‧‧虛設部的金屬圖型
17‧‧‧位於列電極的端部之實心電極
20‧‧‧光穿透性電極
R‧‧‧虛擬的邊界線
k1、k2‧‧‧重複單元的第一方向之平均長度
i1、j2‧‧‧重複單元的第二方向之平均長度
M‧‧‧朝第一方向延伸的列電極之平均中心間隔距離
L‧‧‧朝第二方向延伸的列電極之平均中心間隔距離
第1圖係表示本發明的光穿透性電極的一例之剖面示意圖，第4圖(a)及(b)的沿A-A線的剖視圖。
第2圖係表示本發明的光穿透性電極的另一例之剖面示意圖。
第3圖係表示本發明的光穿透性電極的又另一例之剖面示意圖。
第4圖(a)及(b)係表示本發明的光穿透性電極的構成之一部分的剖面示意圖，為了容易分辨構造，分別表示從第1圖取出具有光穿透性導電層2a之光穿透性基材1a、以及具有光穿透性導電層2b之光穿透性基材1b之平面圖(實際上具有光穿透性導電層2b之光穿透性基材1b的正上方，存在具有光穿透性導電層2a之光穿透性基材1a)。
第5圖係第4圖的光穿透性導電層2a的一部分之放大平面圖。
第6圖係第4圖的光穿透性導電層2b的一部分之放大平面圖。
第7圖係實施例所使用的圖型原稿的平面圖。
第8圖係實施例所使用的圖型原稿的平面圖。
以下，對於本發明，使用圖式詳細說明，但是本發明在不脫離其技術範圍下，可進行各種變形、或修改，當然不限定於以下的實施態樣。
第1圖係表示本發明的光穿透性電極的一例之剖面示意圖。於第1圖中，光穿透性電極20係在光穿透性基材1a上之一方具有光穿透性導電層2a，該光穿透性導電層2a係具有由複數個列電極6a所構成的感測器部11以及複數個虛設部12，並交替配置列電極6a與虛設部12。如第4圖(a)所示，該列電極6a係與配線部14連接，又配線部14連接於端子部15。於光穿透性基材1a之與具有光穿透性導電層2a的面為相反面之側，係於光穿透性基材1b上設置光穿透性導電層2b，該光穿透性導電層2b與光穿透性基材1a隔著接合層4而貼合。再者，光穿透性導電層2b係具有由複數個列電極6b所構成的感測器部11以及複數個虛設部12，並交替配置列電極6b與虛設部12。該列電極6b因排列於與前述列電極6a垂直的方向，於第1圖中，只顯示1個，又虛設部12未被圖示。於光穿透性導電層2b中，列電極6b係與列電極6a亦同樣地，如第4圖(b)所示，與配線部14連接，又配線部14係連接於端子部15。再者，虛設部亦可配置於包圍光穿透性電極的列電極之位置。
如上述，本發明的光穿透性電極係具有2 層的光穿透性導電層(第1圖中2a、2b)。欲於1個光穿透性基材上製作複數之光穿透性導電層時，係例如使用前述習知的方法(半加成法、或利用銀鹽照片感光材料的方法)，於光穿透性基材的一側的面設置光穿透性導電層，於相反面側係製作例如以日本特開2006-111889號公報記載的方法所得到之無基材之獨立的金屬網，再予以貼合的方法。但是，無基材之獨立的金屬網的貼合係極端複雜。所以，較宜製作2片於光穿透性基材的一側的面具有光穿透性導電層的光穿透性導電材料，再予以積層。
第1圖所示的光穿透性電極20係以習知的方法，在光穿透性基材1a上設置光穿透性導電層2a，而且在光穿透性基材1b上設置光穿透性導電層2b，於前述光穿透性基材1a的另一側的面(不具有光穿透性導電層2a的面)，隔著接合層4而積層被保持於光穿透性基材1b之光穿透性導電層2b，而可容易地製作。第1圖所示的光穿透性電極，係進一步於光穿透性導電層2a上隔著接合層4而積層保護基材3，成為觸控面板時，人係從保護基材3的上方看到光穿透性電極20。而且，光穿透性基材1b係亦作用為光穿透性電極20的另一側的面之保護基材。
第2圖係表示本發明的光穿透性電極的另一例之剖面示意圖。第2圖所示的光穿透性電極20，係以習知的方法，在光穿透性基材1a上(圖面之下側)，設置光穿透性導電層2a，而且在光穿透性基材1b上設置光穿透性導電層2b，使光穿透性導電層2a與光穿透性導電層2b 隔著接合層4而積層，而可容易地製作。此時，光穿透性基材1a、1b係亦作用為光穿透性電極20的保護基材。第2圖所示的光穿透性電極，成為觸控面板時，人係從光穿透性基材1a的上方看到光穿透性電極20。
第3圖係表示本發明的光穿透性電極的又另一例之剖面示意圖。於第3圖中係於光穿透性基材1a上形成光穿透性導電層2a，於光穿透性基材1b上(圖面之下側)形成光穿透性導電層2b。該光穿透性導電層2a、2b隔著接合層4而分別與保護基材3、保護基材5積層。如此的光穿透性電極係例如以習知的方法，在光穿透性基材1a上設置光穿透性導電層2a，而且在光穿透性基材1b上設置光穿透性導電層2b，使光穿透性基材1a與光穿透性基材1b熱融接、或隔著未圖示的接著層而接著，而可容易地製作。於第3圖所示的光穿透性電極，成為觸控面板時，人係從保護基材3的上方看到光穿透性電極20。
而且，於本發明中，藉由上述方法以外的製造方法，亦可組合光穿透性導電材料，或積層硬塗膜、抗反射膜、或電磁波遮蔽膜等習知的光學膜等。
作為第1圖及第3圖所示的保護基材3、5，係以使用玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等的聚酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、矽氧樹脂、聚碳酸酯、二乙酸酯樹脂、三乙酸酯樹脂、聚芳酯、聚氯乙烯、聚碸、聚醚碸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚烯烴、環狀聚烯烴等所構成的習知具有光穿透性的薄片為 較佳。此處所謂光穿透性係指全部光線透過率為60%以上。保護基材3、5的厚度以50μm至5mm為較佳。而且，於保護基材3、5係亦可賦予指紋抗汙層、硬塗層、抗反射層、抗眩層等習知的層。再者，第3圖之保護基材3及保護基材5的材質，係可為相同，亦可為相異。
於前述第2圖中，光穿透性基材1a、1b成為最表面，但該情況的光穿透性基材1a、1b係被要求與保護基材同等的功能。光穿透性基材單獨不具有該功能時等，係以隔著接著層等而積層前述保護基材為較佳。作為第1圖~3記載的光穿透性基材1a、1b，只要是全部光線透過率為60%以上者即可，可利用習知的基材，例如與前述保護基材3、5相同的薄片。光穿透性基材1a、1b的厚度以50μm至300μm為較佳。
作為第1至3圖所示的光穿透性電極20具有之接著層4，係以丙烯酸系黏著劑或胺基甲酸酯(urethane)系黏著劑等黏著劑、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯醇丁縮醛(PVB)、胺基甲酸酯系熱融接著劑等的熱塑性樹脂、環氧樹脂、熱硬化性胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂、丙烯酸系紫外線硬化樹脂、環氧系紫外線硬化樹脂等紫外線硬化型樹脂等習知者，可使用接著後具有光穿透性的樹脂組成物。再者，此業界皆知光穿透性導電層2a與2b必須絕緣，例如於第1圖中，藉由光穿透性基材1a及接著層4，使光穿透性導電層2a與2b絕緣，於第2圖，藉由接著層4，使光穿透性導電層2a與2b絕緣，於第3圖，藉由 光穿透性基材1a及1b，使光穿透性導電層2a與2b絕緣。
於本發明中，2個光穿透性導電層之間的位置關係特別重要，於光穿透性導電層2a與2b之間，只要滿足以下記載的位置關係，即使第1至3圖或其他構成，亦可得到相同的效果。再者，以後的說明中，權宜上，以第1圖的光穿透性電極為例而說明之。
第4圖係表示本發明的光穿透性電極的構成之一部分的剖面示意圖，表示第1圖之具有光穿透性導電層2a之光穿透性基材1a以及具有光穿透性導電層2b之光穿透性基材1b，為了說明方便，省略保護基材3及接著層4。光穿透性導電層2a及2b係由感測電容變化且具有光穿透性的感測器部11(由隔著配線部14而與端子部15電性連接之複數個列電極6所構成的感測器部)以及相同地具有光穿透性的虛設部12(由不與端子部15電性連接之金屬圖型16所構成的虛設部)所構成。光穿透性基材1a及1b亦具有無該等金屬圖型部位之非圖像部13。
於本發明中，感測器部11係亦可與端子部15直接電性連接，如第4圖所示，為了聚集於複數個端子部15附近，以隔著配線部14而感測器部11與端子部15電性連接為較佳。
於光穿透性導電層2a中構成感測器部11的列電極6a，係隔著配線部14，與端子部15電性連接，通過該端子部15而與外部電性連接，可捕捉以感測器部所感測的電容變化。另一方面，不與端子部15電性連接之金 屬圖型，於本發明全部成為虛設部。於本發明中，配線部14、端子部15係不須特別具有光穿透性，故亦可為無間隙的實心圖型，或與列電極6a相同地具有光穿透性。
於第4圖的光穿透性導電層2a中，係朝x方向延伸的列電極6a與虛設部12複數列交替地排列，該列電極6a分別排列在其中心間隔距離的平均值成為M的位置。另一方面，於光穿透性導電層2b中，朝與x方向垂直之y方向延伸的列電極6b與虛設部12複數列交替地排列，該列電極6b分別排列在其中心間隔距離的平均值成為L的位置。
第5圖係第4圖的光穿透性導電層2a的一部分之放大平面圖。於第5圖，朝x方向延伸的列電極6a與構成虛設部之金屬圖型16複數列交替排列，列電極6a係具有菱形的單元金屬圖型重複的構造。另一方面，構成虛設部的金屬圖型16(為了說明，以所設置的虛線表示之虛擬邊界線R，與列電極6a區別的部分)，因在菱形的頂點附近設置斷線部，故與列電極6a之間電性不導通。但是，使邊延長，連結斷線部之圖型為與列電極6的菱形單元金屬圖型一致之菱形單元金屬圖型所構成。於第5圖，列電極6a具有的菱形單元金屬圖型之x方向之平均長度(平均重複週期)為k1，y方向之平均長度(平均重複週期)為j1。設計圖型時，可任意設定k1、j1。但於第5圖中，k1可將列電極6a的長度(x方向的長度)除以列電極中重複單元的x方向之重複數目而求得，而且，j1係可將列電極 6a的寬度(y方向的長度)除以列電極中重複單元的y方向之重複數目、或將平均中心間隔距離M除以存在於後述的相鄰列電極的中心線間之重複單元的y方向之重複數目(於第5圖中係一致的菱形I~IV以重複單元存在，重複數目為4)而求得。
於第5圖、或後述的第6圖中，列電極6a、6b的重複單元及構成虛設部之金屬圖型16的重複單元(也包含延長邊、連結斷線部之圖型)為一致的圖型，於本發明中該等重複單元為一致的圖型，在辨識性的觀點(降低辨識性)上最佳，但不一定需要一致，略為一致的形狀也佳。於本發明中，所謂略為一致係指邊的長度、格子的角度、邊的位置、邊的厚度幾乎一致，邊的長度時，為±10%以內的範圍，格子的角度時，為±5°以內的範圍，邊的位置時，為邊的長度之±10%的範圍內，邊的厚度時，邊的厚度(線寬)為±50%的範圍內。
設計圖型時，可任意設定列電極6a的平均中心間隔距離M，但就確認方法而言，設定使列電極的寬度之中心通過x方向的中心線，對於相鄰的列電極全部的組合，求得中心線間隔距離，亦可由該算術平均值算出。而且，對於從全部的中心線間隔距離的算術平均值偏離之中心線間隔距離，亦可依偏離寬度的大小順序，相對於母群而排除10%的數後，算出平均值。
於第5圖中，在構成感測器部的列電極6a及構成虛設部的金屬圖型16中，係重複形成菱形的單元金 屬圖型，但可使用前述專利文獻1記載的各種形狀之重複單元。而且，亦可為邊不是直線例如鋸齒線(zigzag)、波浪線等構成。再者，可使用如日本特開2002-223095號公報所揭露之條紋狀、砌磚圖案狀的圖型作為重複單元。較佳係使用易製作x方向及y方向上皆具有短週期之週期性構造且對x方向或y方向之角度不同的片段數目儘可能少之基本圖型。所以，於本發明中，較佳的基本圖型為菱形及平行四邊行，菱形更佳。菱形中係其對角線在x方向及y方向者較佳，以相鄰的2邊所成的角度之一為30至70°較佳。而且，以重複單元的線間隔(對邊之間的距離)為400μm以下為較佳。又，其線寬為20μm以下為較佳，更佳為1至15μm，最佳為1至10μm。
如前述，構成感測器部的列電極6a與構成虛設部的金屬圖型16之間，必須為電性不導通。作為遮斷電性導通之方法，如第5圖所示，亦可使用在金屬圖型16的一部分設置斷線部之方法，如後述第6圖所示，沿著列電極6b與金屬圖型16的邊界(為了說明設置虛線表示的虛擬邊界線R)，列電極6b與金屬圖型16的重複單元偏移之方法等之任意方法。於設置斷線部時，斷線寬度(斷線的線與線之間隔)為1至40μm為較佳，更佳為4至20μm，最佳為6至12μm。而且，斷線部亦可設置在邊界線R以外。如第6圖所示，沿著列電極6b與金屬圖型16的邊界，於列電極6b與金屬圖型16的重複單元偏移之方法，偏移的距離為金屬圖型的線寬的1.5倍以上且50μm以下為較 佳，更佳為線寬的2倍以上且40μm以下。再者，於本發明中，亦可併用如第5圖所示般設置斷線部而遮斷列電極6b與金屬圖型16電性導通之方法、以及如第6圖所示般沿著邊界而列電極6b與金屬圖型16的重複單元偏移以遮斷列電極6b與金屬圖型16電性導通之方法。
第6圖係第4圖的光穿透性導電層2b之放大平面圖。於第6圖，係採取朝y方向延伸之列電極6b以及構成虛設部的金屬圖型16交替地排列複數列之構造。構成感測器部之列電極6b，係具有菱形的單元金屬圖型重複之構造。構成虛設部的金屬圖型16(為了說明，以設置的虛線表示之虛擬邊界線R與列電極6b區別的部分)係由菱形的單元金屬圖型之一部分所構成，因該菱形的單元金屬圖型的一部分沿邊界線R而與列電極6b的菱形的單元金屬圖型錯開，故遮斷金屬圖型16與列電極6b之電性導通。金屬圖型16係由菱形的單元金屬圖型的一部分所構成，但若使該菱形的單元金屬圖型的一部分沿邊界線R而偏移既定長度，與列電極6b的菱形的單元金屬圖型一致。於第6圖中，列電極6b具有的重複單元(菱形)的x方向之平均長度(平均重複週期)為k2，y方向之平均長度(平均重複週期)為j2，列電極6b的平均中心間隔距離為L。再者，第6圖之k2、j2及L的設定或確認方法，係可與第5圖的光穿透性導電層2a的k1、j1及M相同方式進行。
本發明的光穿透性電極係必須滿足下述(a)至(c)的要件全部。
(a)j1<k1
(b)2M=n×j1(其中，n為自然數)
(c)k2<j2且k1÷j2與j2÷k1的兩者之解皆不為自然數
再者，於本發明，滿足下述(d)的要件達成本發明的目的上為較佳。
(d)2L=p×k2(其中，p為自然數)
而且，滿足下述(e)的要件達成本發明的目的上為較佳。
(e)2L=q×k1(其中，q為自然數)
藉由滿足該等要件，可得到電阻值之安定性優異的光穿透性電極。
於k1及j1的關係，存在較佳的要件。較佳為0.15×k1<j1<0.7×k1，更佳為0.35×k1<j1<0.6×k1。於k2及j2的關係中，亦存在較佳的要件。較佳為0.15×j2<k2<0.7×j2，更佳為0.35×j2<k2<0.6×j2。藉由滿足該等要件，可得到電阻值之安定性更優的光穿透性電極。
本發明的光穿透性電極係除了具有前述的2層的光穿透性導電層以外，亦可設置硬塗層、抗反射層、黏著層、抗眩層等習知的層於任意處。而且，在光穿透性基材與光穿透性導電層之間，可設置物理顯像核心層、易接著層、接著層等習知的層。
[實施例]
以下，使用實施例，詳細地說明本發明，但本發明只要在不超出其技術範圍下，不限定於以下的實 施例。
〈實施例1〉
使用厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為光穿透性基材。再者，該光穿透性基材的全部光線透過率為91%。
以下，根據下述配方，製作物理顯像核芯層塗佈液，塗佈於上述光穿透性基材之單面上，使其乾燥而設置物理顯像核芯層。
〈硫化鈀溶膠的調製〉
將A液與B液一邊攪拌一邊混合，30分鐘後，通過填充有離子交換樹脂的管柱，得到硫化鈀溶膠。
〈物理顯像核芯層塗佈液的調製〉銀鹽感光材料每1m2的量
(日本觸媒股份公司製聚乙烯亞胺；平均分子量10,000)
然後，從靠近光穿透性基材側，依序塗佈下述組成的中間層、鹵化銀乳劑層以及保護層，於上述物理顯像核芯層上，使其乾燥，得到銀鹽感光材料。鹵化銀乳劑係以照片用鹵化銀乳劑的一般雙噴射混合法製造。包含於該鹵化銀乳劑之氯化銀，係以氯化銀95莫耳%與溴化銀5莫耳%所構成，且平均粒徑成為0.15μm之方式進行調製。對如此所得之鹵化銀乳劑，使用根據常規方法的硫代硫酸鈉及氯金酸，實施金硫增感。如此所得之鹵化銀乳劑，係對每1g的銀，含有0.5g的明膠(gelatin)。
〈中間層組成/銀鹽感光材料每1m2的量〉
〈鹵化銀乳劑組成/銀鹽感光材料每1m2的量〉
〈保護層組成/銀鹽感光材料每1m2的量〉
將如此作法所得之銀鹽感光材料與具有第7圖或第8圖的圖型之透光原稿密著，使用水銀燈作為光源之密著印刷機，經由遮斷400nm以下的光之樹脂濾光片而進行曝光。再者，於第7圖或第8圖的圖型，權宜上係感測器部11表示為格子圖案，虛設部12表示為點圖案。第7圖或第8圖的圖型之感測器部11與虛設部12，係具有線寬5μm的菱形重複的構造，重複的菱形之2條對角線的方向係列電極的延伸方向、與正交於其的方向一致。 構成感測器部的列電極的圖型與構成虛設部的圖型之間，係設置寬度10μm的斷線部，再者於虛設部的重複單元之菱形的各邊之中點，設置寬度7μm的斷線部，以防止製作金屬圖型後之構成感測器部的列電極與構成虛設部的圖型之電性導通。於第7圖中，係重複單元的x方向(列電極的延伸方向)之平均長度k1為800μm，y方向(與x方向垂直的方向)之平均長度j1為375μm，菱形的相鄰2邊所成的角度之一(以下表示為角度1)為50.2°，列電極的平均中心間隔距離M為15mm(參考第5圖)。而且，於第8圖中，係重複單元的x方向之平均長度k2為400μm，y方向之平均長度j2為750μm，菱形的相鄰2邊所成的角度之一(以下表示為角度2)為56.1°，列電極的平均中心間隔距離L為20mm(參考第6圖)。
然後，使銀鹽感光材料在20℃下浸漬於下述擴散轉印顯像液中60秒，接著，將鹵化銀乳劑層、中間層以及保護層以40℃的溫水水洗除去，進行乾燥處理。如此作法，分別得到具有第7圖或第8圖的圖型形狀之金屬銀圖像之光穿透性導電材料作為光穿透性導電層。再者，所得之光穿透性導電材料具有的光穿透性導電層之各金屬銀圖像，係與具有第7圖或第8圖的圖型之透光原稿完全相同的形狀、相同的線寬。而且，以共焦點顯微鏡研究之金屬銀圖像的膜厚為0.1μm。
〈擴散轉印顯像液的組成〉
氫氧化鈉 25g 添加水而使全部量調製為1000ml，調整pH為12.2。
將所得之光穿透性導電材料2片與厚度2mm的聚碳酸酯板(三菱氣體化學公司製，以下簡稱為PC板)，使各光穿透性導電材料的光穿透性導電層面朝向PC板側，使用光學黏著膠帶(MHM-FW25、日榮化工公司製，以下簡稱為OCA)，使4個角落的對準標記(+標記)一致，且於第7圖、第8圖記載的虛擬的虛線表示之四角形部分內僅貼合OCA，貼合成為：貼合順序為PC板/OCA/具有第7圖的圖型形狀之具有金屬銀圖像之光穿透性導電材料/OCA/具有第8圖的圖型形狀之具有金屬銀圖像之光穿透性導電材料，，製作光穿透性電極1。
〈實施例2、實施例3、比較例1至5〉
使用第7圖之k1、j1及角度1、以及第8圖之k2、j2及角度2為表1所示的值之透過原稿以外，與實施例1相同做法，而分別得到實施例2、實施例3、比較例1至5之光穿透性電極。全部的光穿透性電極，M為15mm，L為20mm。
對於所得之實施例1至3、比較例1至5之光穿透性電極，用以下的方法，評估其疊紋的產生、全部 光線透過率及電阻值的安定性。結果表示於表1。
〈疊紋的產生〉
將所得之光穿透性電極載置於顯示全面白圖像之23吋的寬液晶監視器(RDT234WK(BK)、三菱電機製)的畫面上，用以下的基準進行評價。△及X在實用上有問題。
○：在目視下，完全無法確認疊紋
△：在目視下，仔細看可確認疊紋
×：在目視下，可明確地確認疊紋
〈全部光線透過率〉
將所得之光穿透性電極之以OCA貼合的部分之全部光線透過率，使用霧度計(HZ-2、SUGA測試機公司製)進行測定。
〈電阻值的安定性〉
(1)於所得之光穿透性電極具有第7圖的圖型之光穿透性導電材料側的各列電極，測定隔著配線部而電性連接的端子部15、與設置於列電極的配線部未連結之側的端部之實心電極17之間的電阻值。
(2)然後，於具有第8圖的圖型之光穿透性導電材料側的各列電極，測定從其兩側分別隔著配線部而電性連接的端子部15-端子部15之間的電阻值。
(3)然後，在具有第7圖的圖型之光穿透性導電材料側的全部端子部、與具有第8圖的圖型之光穿透性導電材料側的全部端子部之間，施加0.2V的電壓5分鐘。
(4)然後，將光穿透性電極在60℃、90%RH的環境下 放置120小時。
(5)然後，以與(1)及(2)相同的方法，測定電阻值。
(6)然後，使光穿透性電極的列電極部分以放大鏡觀察，察看是否有斷線的產生。
(7)然後，於具有第7圖的圖型之光穿透性導電材料側之各列電極，比較在(1)的電阻值與在(5)的電阻值，算出其變化量佔在(1)的電阻值之比例，使排除其最小值與最大值之剩餘的列電極(5條)的值進行平均，作為具有第7圖的圖型之光穿透性導電材料側的電阻值之安定性之指標。而且，於具有第8圖的圖型之光穿透性導電材料側之各列電極中，比較在(2)的電阻值與在(5)的電阻值，算出其變化量佔在(2)的電阻值之比例，使全部列電極(4根)的值進行平均，作為具有第8圖的圖型之光穿透性導電材料側的電阻值的安定性之指標。具有第7圖的圖型之光穿透性導電材料側的電阻值的安定性之指標、與具有第8圖的圖型之光穿透性導電材料側的電阻值的安定性之指標中，以大者作為其光穿透性電極的電阻值的安定性之指標。
以上的測試結果，以下述的基準評估。1及2在實用上有問題。
5：電阻值的安定性之指標未達5%，全部的列電極無斷線
4：電阻值的安定性之指標為5%以上未達10%，全部的列電極無斷線
3：電阻值的安定性之指標為5%以上未達10%，一部分的列電極有斷線
2：電阻值的安定性之指標為10%以上，一部分的列電極有斷線
1：電阻值的安定性之指標非常大，全部的列電極有斷線
由表1的結果，得知根據本發明，可得到適合作為使用電容式之觸控面板的光穿透性電極且全部光線 透過率高而不易產生疊紋，而且電阻值的安定性優異之光穿透性電極。
1a、1b‧‧‧光穿透性基材
2a、2b‧‧‧光穿透性導電層
3‧‧‧保護基材
4‧‧‧接著層
6a、6b‧‧‧列電極
11‧‧‧感測器部
12‧‧‧虛設部
14‧‧‧配線部
20‧‧‧光穿透性電極

Claims (9)

  1. 一種光穿透性電極，其係於光穿透性基材上具有至少2層的光穿透性導電層，而該光穿透性導電層係具有電性連接於端子部的感測器部、以及不與端子部電性連接的虛設部；其中該感測器部與該虛設部係具有既定形狀的單元金屬圖型重複形成之構造，一方之光穿透性導電層所具有的感測器部係由朝第一方向延伸之複數個列電極所構成，列電極與虛設部係交替配置，另一方之光穿透性導電層所具有的感測器部係朝與第一方向垂直的第二方向延伸之複數個列電極所構成，列電極與虛設部係交替配置，進一步全部滿足下述(a)至(c)的要件；(a)k1>j1此處，k1係表示一方之光穿透性導電層的朝第一方向延伸之列電極所具有的既定形狀的單元金屬圖型之第一方向之平均長度，j1係表示既定形狀的單元金屬圖型的第二方向之平均長度；(b)2M=n×j1此處，M係表示朝第一方向延伸之列電極的平均中心間隔距離，n表示自然數；(c)k2<j2且k1÷j2與j2÷k1的解兩者皆不為自然數此處，k2係表示另一方之光穿透性導電層的朝第二方向延伸之列電極所具有的既定形狀之單元金屬圖型的第一方向之平均長度，j2係表示既定形狀的單元 金屬圖型的第二方向之平均長度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性電極，其係滿足下述(d)的要件，(d)2L=p×k2此處，L表示另一方之光穿透性導電層中的朝第二方向延伸之列電極的平均中心間隔距離，p表示自然數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光穿透性電極，其係滿足下述(e)的要件，(e)2L=q×k1其中，q表示自然數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性電極，其係滿足0.15×k1<j1<0.7×k1的要件。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光穿透性電極，其係滿足0.35×k1<j1<0.6×k1的要件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性電極，其係滿足0.15×j2<k2<0.7×j2的要件。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之光穿透性電極，其係滿足0.35×j2<k2<0.6×j2的要件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性電極，其中，一個光穿透性導電層所具有的感測器部之既定形狀的單元金屬圖型的圖形與虛設部的既定形狀的單元金屬圖型的圖形一致。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之光穿透性電極，其中， 既定形狀的單元金屬圖型的圖形為菱形，其對角線在第一方向及第二方向。
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