TW201602874A - 光穿透性導電材料 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種能夠改善觸控面板製造時的低良率之光穿透性導電材料。此光穿透性導電材料係於支撐體上具有：光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部、端子部、電性連接該感測器部與該端子部之周邊配線部及接地部；周邊配線部中，存在有於相鄰接之周邊配線間為平行的部分，以該平行部分之周邊配線間的最小間隔距離為A，接地部中，存在有於相鄰接之接地配線間為平行的部分，以該平行部分之接地配線間的最小間隔距離為B時，A>B。

Description

光穿透性導電材料

本發明係關於可適合地使用在靜電電容式的觸控面板等之光穿透性導電材料。

於PDA(Personal Digital Assistant；個人數位助理)、筆記型PC、OA機器、醫療機器、或車用導航系統等之電子機器中，係在此等的顯示器中廣泛地採用觸控面板作為輸入手段。

觸控面板，因位置偵測方法的不同，而有光學式、超音波式、表面型靜電電容式、投影型靜電電容式、電阻膜式等。電阻膜式的觸控面板中，係構成為將光穿透性導電材料與附有透明導電體層的玻璃間隔著間隔材而對向地配置，使電流於光穿透性導電材料中流通，並測量附有透明導電體層的玻璃中之電壓之構造。另一方面，於靜電電容式的觸控面板中，關於成為觸控感測器之光穿透性電極，係以於在支撐體上具有光穿透性導電層之光穿透性導電材料作為基本構成，由於其特徵為不具有可動部分，而具有高耐久性及高光穿透性，所以可適用在各種用途。再者，由於投影型靜電電容式的觸控面板可進行多點 同步檢測，所以被廣泛地使用在智慧型手機或平板PC等。

靜電電容式的觸控面板中，成為觸控感測器之光穿透性電極(光穿透性導電材料)，由於具有多數個光穿透性導電部(光穿透性的感測器部)，所以可得到能夠進行多點同步檢測或移動點的檢測之優異特性。為了將該多數個光穿透性的感測器部所檢測之訊號擷取至外部，係於全部光穿透性的感測器部、與用以將訊號擷取至外部所設置之端子部之間，設置有由電性連接此等之複數條周邊配線所構成之周邊配線部。近年來，係要求更進一步窄化液晶顯示器之畫面以外的部分，並要求窄化該周邊配線部所佔有之區域。因此，周邊配線部中，必須進一步細化周邊配線，並進一步窄化周邊配線的間隔。

製造觸控面板時，具有光穿透性的感測器部及周邊配線之光穿透性導電材料，係接著於其他光穿透性導電材料或保護面板等而使用。當細化周邊配線的線寬並窄化周邊配線的間隔時，於製造時有時會產生損傷而造成斷線。為了消除此問題，一般係將保護膜貼合於光穿透性導電材料的表面以保護感測器部及周邊配線等。由於使用在該用途之保護膜容易帶電，當以保護膜來被覆光穿透性導電材料的表面時，保護膜所帶有之電荷容易往感測器部移動，使感測器部帶有電荷。此外，從光穿透性導電材料剝離保護膜時，感測器部亦容易帶有電荷。當帶電之複數個感測器部間的電位差增大時，在個別連接於感測器部之周邊配線之間容易產生放電，當周邊配線的間隔較窄 時，放電的產生更加顯著。產生該放電時，於周邊配線部產生缺陷(靜電破壞)，使製造觸控面板時的良率顯著降低。

此外，製造靜電電容式的觸控面板時，係貼合2片光穿透性導電材料，且使貼合之光穿透性導電材料與FPC(可撓式印刷電路基板)纜線連接，該FPC纜線與控制器IC連接，此等係連接作為電路而消除帶電現象。然而，在連接控制器IC前的階段，例如在未連接控制器IC前的階段之光穿透性導電材料的組裝步驟或保管步驟中，極難以消除由作為周邊配線部的靜電破壞的原因之帶電所造成之感測器部之電位差的產生。

專利文獻1中，係記載有為了防止於觸控面板的製造過程中所產生之周邊配線的損傷，在周邊配線部的旁邊設置未與光穿透性導電部電性連接之防護線之內容。專利文獻2中，係記載有為了提升金屬圖案的抗腐蝕性或無電解電鍍附著的均一性，而改變周邊配線的線寬之內容。專利文獻3中，係記載有為了降低每條配線之電容的差異，而設置輔助配線並改變周邊配線的線寬與周邊配線間的間隔之內容。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-63467號公報

[專利文獻2]日本特開2013-206301號公報

[專利文獻3]日本特開2009-237673號公報

即使使用專利文獻1、專利文獻2或專利文獻3等所記載之方法，在防止周邊配線的靜電破壞並提升觸控面板製造時的良率者之目的，仍無法得到令人滿意之結果。因此，本發明之目的在於提供一種能夠改善觸控面板製造時的低良率之光穿透性導電材料。

本發明之上述課題，基本上可藉由下列之光穿透性導電材料來解決。該光穿透性導電材料係於支撐體上具有：在第一方向上延伸之光穿透性的感測器部、在屬於垂直於第一方向之方向的第二方向上與該感測器部交互地排列之光穿透性的虛設部、端子部、由電性連接該感測器部與該端子部之複數條周邊配線所構成之周邊配線部、以及由未與該感測器部電性連接之複數條接地配線所構成之接地部；周邊配線部所具有之複數條周邊配線係具有於相鄰接之周邊配線間為平行的部分，接地部所具有之複數條接地配線係具有於相鄰接之接地配線間為平行的部分，於該周邊配線呈平行的部分中，以周邊配線間的最小間隔距離為A，於該接地配線呈平行的部分中，以接地配線間的最小間隔距離為B時，A>B。

在此，周邊配線部之周邊配線呈平行的部分之配線的方向，與接地部之接地配線呈平行的部分之配線的方向較佳為呈一致。此外，配線方向為相同之周邊配 線呈平行的部分之周邊配線間的間隔距離，較佳為均為最小間隔距離A。此外，配線方向為相同之接地配線呈平行的部分之接地配線間的間隔距離，較佳為均較最小間隔距離A小。此外，最小間隔距離B較佳為相對於最小間隔距離A為10至80%。此外，接地配線的線寬較佳為周邊配線的線寬以上。此外，接地部較佳為由連接於端子部之至少一條接地配線、與未連接於其他部位之複數條接地配線所構成。此外，至少一條接地配線較佳在端子部以外的地方包圍光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部與周邊配線部。

藉由本發明，由於可消除感測器部間的電位差，防止周邊配線的靜電破壞，故可提供一種能夠改善觸控面板製造時的低良率之光穿透性導電材料。

1‧‧‧光穿透性導電材料

2‧‧‧支撐體

11、11a、11b、11c、11p‧‧‧感測器部

12、12a、12b、12c‧‧‧虛設部

13‧‧‧周邊配線部

13a、13b、13c、13p‧‧‧周邊配線

14‧‧‧端子部

14a、14b、14c、14r‧‧‧端子

15‧‧‧接地部

151、15a、15b、15c、15d、15e、15f、15g、15h‧‧‧接地配線

21、22、23、24‧‧‧線段

221、222、231、232‧‧‧點

2211、2221、2311、2321‧‧‧垂線

第1圖係顯示本發明之光穿透性導電材料的一例之概略圖。

第2圖係用以說明本發明之相鄰接之周邊配線的位置關係之擴大圖。

第3圖係第1圖所示之光穿透性導電材料的周邊配線部、端子部及接地部之擴大圖。

第4圖(a)係用以說明周邊配線間的最小間隔距離A之擴大圖，第4圖(b)係用以說明接地配線間的最小間隔距離 B之擴大圖。

以下，在詳細說明本發明時，係使用圖面來說明，但本發明在不脫離該技術範圍內，可進行各種變形和修正，且當然不限定於以下實施形態。

第1圖係顯示本發明之光穿透性導電材料的一例之概略圖。本發明之光穿透性導電材料1，於支撐體2上，具有：在第一方向(圖中y方向)延伸之光穿透性的感測器部11，以及在垂直於第一方向之方向的第二方向(圖中x方向)與該感測器部11交互地排列之光穿透性的虛設部12。感測器部11係設置有複數個(圖中11a、11b、11c…、11p等)，因應於此，與該感測器部11交互地排列之虛設部12亦設置有複數個(圖中12a、12b、12c等)。第1圖中，感測器部11與虛設部12，為了表示此等的區域，簡便上係以方格圖樣與點圖樣來表示。

端子部14為用以電性連接感測器部11與外部之部分，並對應感測器部11的數目(亦包含連接有後述接地配線151之端子)由複數個端子(圖中14a、14b、14c等)所構成。感測器部11a透過周邊配線13a與端子14a電性連接，並藉由通過端子14a電性連接於外部，可掌握感測器部11所感測之靜電電容的變化。虛設部12未與端子14電性連接。

周邊配線13，係由電性連接感測器部13與端子14之複數條周邊配線所構成(圖中13a、13b、13c…、 13p等)，各條周邊配線相鄰接，且係彎折並往圖中y方向與x方向延伸而連接感測器部11與端子14，所以周邊配線13所具有之複數條周邊配線，於相鄰接之周邊配線間具有平行的部分。例如於第1圖中，於周邊配線13a和與此相鄰接之周邊配線13b之間，在配線的方向為y方向與x方向的2方向，存在有平行的部分。該平行的部分之配線的方向，可單獨為y方向或單獨為x方向，亦可為斜向。

本發明中，周邊配線13所具有之複數條周邊配線，係如上述般，於相鄰接之周邊配線間具有平行的部分。以下使用第2圖來說明平行的部分。第2圖係用以說明本發明之相鄰接之周邊配線的位置關係之擴大圖。

第2圖中，線段21至24均於x方向上延伸，故相互呈平行。線段22中，於點221至222間，線段22的垂線2211及垂線2221與線段23相交。此時，亦即在圖中x方向上存在有線段22與線段23並列之部分時，線段22與線段23可說是處於相鄰接之位置關係。此外，線段23中，於點231至232間，線段23的垂線2311及垂線2321與線段24相交。此時，亦即在圖中x方向上存在有線段23與線段24並列之部分時，線段23與線段24可說是處於相鄰接之位置關係。另一方面，於線段21與線段22之間，即使拉出垂線，亦無相交之區域。此時，亦即在圖中x方向上不存在線段21與線段22並列之部分時，線段21與線段22不處於相鄰接之位置關係。在此，即使2條線段處於並列之位置關係，當其他圖案夾持於此等之間而存在 時，此等並非相鄰接。如此，第2圖中，於相鄰接之線段22與線段23之間存在有平行的部分，於相鄰接之線段23與線段24之間存在有平行的部分，並且分別處於相鄰接之關係的線段22與線段23與線段24之3條呈平行，所以此等3條，可說是形成本發明之平行的部分。如此，本發明之平行的部分，可僅由相鄰接之2條周邊配線所形成，或是由分別相鄰接之3條以上的周邊配線所形成。此外，平行的部分於周邊配線部中只須至少存在於1處即可。上述本發明之「相鄰接」的定義，於接地部之接地配線的位置關係中亦為同義。

接著說明接地部。本發明之光穿透性導電材料，具有未與前述感測器部11電性連接之接地部15。

第3圖係第1圖所示之光穿透性導電材料的周邊配線部、端子部及接地部之擴大圖。另外，第3圖中省略了光穿透性的感測器部11與光穿透性的虛設部12。本發明中，接地部15未與感測器部11連接。本發明中，構成接地部15之接地配線，可連接或不連接於端子部14，但接地部15較佳係由連接於端子部之至少一條接地配線與未連接於其他部位之複數條接地配線所構成。本實施形態中，接地部15係由連接於端子14r之接地配線151、與第4圖(b)所示之未連接於其他部位之複數條接地配線15a、15b、15c、15d、15e、15f、15g、15h所構成。第3圖中，接地部15在配線的方向為x方向上，具有分別相鄰接且呈平行的部分。第3圖中，係顯示在配線的方向為x 方向上，處於分別相鄰接之關係的全部接地配線呈平行之例子，但在本發明中，平行的部分只要存在於接地部中的至少1處即可。

第3圖中，接地配線151為連接於端子14r之配線，同時亦為在端子部14以外的地方包圍光穿透性的感測器部11與光穿透性的虛設部12與周邊配線部13之配線(參考前述第1圖)。如此，至少一條接地配線較佳係在端子部14以外的地方，包圍光穿透性的感測器部11、光穿透性的虛設部12、與周邊配線部13。藉此可得到耐靜電破壞性特別優異之光穿透性導電材料。

第3圖中，存在於複數條周邊配線間之平行的部分，為配線的方向為x方向上之平行的部分，與配線的方向為y方向上之平行的部分之2方向，另一方面，存在於複數條接地配線間之平行的部分，在配線的方向為x方向上呈平行，所以存在於複數條周邊配線間之平行的部分之配線的方向，與存在於複數條接地配線間之平行的部分之配線的方向呈一致。如此，周邊配線部之周邊配線呈平行的部分之配線的方向，與接地部之接地配線呈平行的部分之配線的方向呈一致，可得到耐靜電破壞性特別優異之光穿透性導電材料，故較佳。

接著使用第3圖及第4圖說明本發明之最小間隔距離。

第3圖中，周邊配線13係由周邊配線13a、13b、…、13p所構成，周邊配線13a、13b、…、13p在配 線的方向為y方向與x方向的2方向，分別有相鄰接且平行的部分。於此等平行的部分中，周邊配線間的間隔距離最窄之處(周邊配線13a與13b之間)，於第4圖(a)中以D13來顯示。本發明中，將該周邊配線間的間隔距離最窄之處D13之配線間隔距離，設為最小間隔距離A。周邊配線間的間隔距離最窄之處D13可存在複數個，此外，配線的方向為相同之周邊配線呈平行的部分之周邊配線間的間隔距離(例如於第3圖中，周邊配線13a、13b、…、13p之各配線的方向為相同的x方向，且與相鄰接之周邊配線呈平行的部分之各配線間的間隔距離)，較佳均為最小間隔距離A。藉此可得到耐靜電破壞性優異之光穿透性導電材料。第3圖中，接地配線間的間隔距離最窄之處，於第4圖(b)中以D15來顯示。本發明中，將該接地配線間的間隔距離最窄之處(接地配線15g與15h之間)D15之配線間隔距離，設為最小間隔距離B。接地配線間的間隔距離最窄之處D15可存在複數個。此外，本發明中，周邊配線間的最小間隔距離A與接地配線間的最小間隔距離B，處於A>B之關係。藉由保持該關係，可得到能夠改善因靜電破壞所導致之低良率之光穿透性導電材料。此外，接地配線間的最小間隔距離B，相對於周邊配線間的最小間隔距離A，較佳為10至80%。

本發明中，構成周邊配線部之周邊配線的線寬，較佳為5至200μm，尤佳為10至100μm。周邊配線的長度，因觸控面板之畫面大小的不同而不同，通常該 範圍為1至1000mm。另一方面，周邊配線部之各條周邊配線間的間隔距離，較佳為5至150μm，尤佳為10至70μm，特佳為10至50μm。藉由調整該周邊配線的線寬與周邊配線間的間隔距離，可進一步窄化液晶顯示器之畫面以外的部分。構成接地部之接地配線的線寬，較佳與構成周邊配線部之周邊配線的線寬相同或是較此更粗。藉此可得到耐靜電破壞性優異之光穿透性導電材料。此外，如前述般，接地配線間的最小間隔距離B較周邊配線間的最小間隔距離A小，但配線的方向為相同之接地配線呈平行的部分之接地配線間的間隔距離(例如於第3圖及第4圖中，接地配線151及接地配線15a至15h之各配線的方向為相同的x方向，且與相鄰接之接地配線呈平行的部分之各配線間的間隔距離)，較佳均較周邊配線間的最小間隔距離A小。再者，於滿足該條件下，接地配線間的間隔距離，較佳為5至150μm，尤佳為5至50μm。接地部的配線間隔可均為相同或不同。周邊配線與接地配線的厚度，較佳為0.05至10μm，尤佳為0.05至2μm的厚度。

本發明之光穿透性導電材料所具有之支撐體，可較佳地使用塑膠、玻璃、橡膠、陶瓷等。本發明中，支撐體較佳為總透光率60%以上的支撐體。塑膠當中，具有可撓性之樹脂薄膜，從處理性優異之觀點來看，可較佳地使用。用作為光穿透性支撐體之樹脂薄膜的具體例，可列舉出由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、聚 矽氧樹脂、二乙酸酯樹脂、三乙酸酯樹脂、聚碳酸酯、聚芳酯、聚氯乙烯、聚碸、聚醚碸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚烯烴、環狀聚烯烴等所構成之樹脂薄膜，該厚度較佳為25至300μm。支撐體可具有物理顯影核心層、易黏著層、接著劑層等之一般所知的層。

本發明之光穿透性導電材料所具有之光穿透性的感測器部，以及與該感測器部交互地排列之光穿透性的虛設部，可使用一般所知的光穿透性導電層等。例如能以ITO(氧化銦錫)導電膜來形成光穿透性的感測器部，並且將無ITO導電膜之部分構成為虛設部。再者，由於具有與ITO導電膜相比更能夠提高光穿透性及可撓性高等優點，故可較佳地使用由金屬細線所形成之網目狀金屬圖案來作為光穿透性的感測器部及光穿透性的虛設部。形成網目狀金屬圖案時所使用之金屬，較佳是由金、銀、銅、鎳、鋁、及該等的複合材所構成。本發明中，當使用相同金屬來形成光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部、端子部、周邊配線部、以及接地部時，能夠以相同手法同時製作，故從生產性之觀點來看較佳。

藉由金屬圖案來形成光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部、端子部、周邊配線部以及接地部之方法，可使用：使用銀鹽感光材料而得到銀圖像之方法；對使用同一方法所得之銀圖像進一步施以無電解電鍍或電解電鍍之方法；藉由網版印刷等來印刷導電性油墨之方法；藉由噴墨法來印刷導電性油墨之方法；以無電解電鍍 等來形成由銅等的金屬所構成之導電性層之方法；或是藉由蒸鍍或濺鍍等來形成導電性層，並於該上方形成光阻膜，然後進行曝光、顯影、導電性層的蝕刻、光阻層去除而得之方法；貼合銅箔等之金屬箔，然後於該上方形成光阻膜，然後進行曝光、顯影、金屬箔的蝕刻、光阻層去除而得之方法等之一般所知的方法。當中，較佳為可容易使構成光穿透性的感測器部及光穿透性的虛設部之網目狀金屬圖案達到細微化之銀鹽擴散轉印法。使用銀鹽擴散轉印法之方法，例如有記載於日本特開2003-77350號公報和日本特開2005-250169號公報者。以此等手法所製作之網目狀金屬圖案之細線的厚度，較佳為0.05至5μm，尤佳為0.1至1μm。

當本發明之光穿透性導電材料所具有之光穿透性的感測器部及光穿透性的虛設部具有由金屬細線所形成之網目狀金屬圖案時，網目狀金屬圖案較佳係具有將複數個單位格子配置為網目狀的幾何學形狀。單位格子的形狀，例如可列舉出組合有正三角形、等腰三角形、直角三角形等之三角形，正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等之四角形，六角形、八角形、十二角形、二十角形等之n角形，星形等之形狀，此外，可列舉出此等形狀的單獨重複，或是2種以上的複數種形狀之組合。當中，單位格子的形狀較佳為正方形或菱形。此外，以沃羅諾伊(Voronoi)圖形或德洛涅(Delaunay)圖形、潘洛斯(Penrose)圖形等為代表之不規則幾何學形狀，亦為本發明之較佳網目 狀金屬圖案的形狀之一。

構成光穿透性的感測器部及光穿透性的虛設部之金屬線的線寬較佳為20μm以下，尤佳為1至10μm。此外，單位格子的重複間隔較佳為600μm以下，尤佳為400μm以下。單位格子的重複間隔的下限為50μm。光穿透性的感測器部及光穿透性的虛設部之開口率，較佳為85%以上，尤佳為88至99%。

本發明之光穿透性導電材料所具有之光穿透性的虛設部，係以降低光穿透性的感測器部之辨視性者為目的而應用，光穿透性的虛設部，未與端子部電性連接。如前述般，當使用ITO導電膜作為感測器部時，可僅將無ITO導電膜之部分構成為虛設部，但當以金屬細線來形成感測器部時，於虛設部上未設置任何細線時，感測器部會變得顯眼，所以亦將金屬細線的圖案形成於虛設部，藉此可減少感測器部與虛設部之辨視上的差距，而降低感測器部的辨視性。然而，當以金屬細線來形成虛設部時，會產生導電性，所以須於感測器部與虛設部之間至少設置不存在導電部分之絕緣部分以斷絕電性連接。該絕緣部分，可容易地在金屬細線上設置斷線部分而形成。斷線部分的長度較佳為30μm以下，尤佳為3至15μm，更佳為5至12μm。此外，於虛設部的內部，較佳亦設置複數個斷線部分。藉此可得到作為感測器時的感度優異之光穿透性導電材料。此外，虛設部，由於以降低感測器部的辨視性者為目的，故較佳係由與感測器部相同形狀之單位格子所構 成，亦可構成為由一部分形成斷線之單位格子所構成斷線方格。設置斷線方格之方法，可為以與構成單位格子之金屬細線正交之方式，於方格的一部分設置斷線部，或是設置使構成單位格子之金屬細線斜向地斷線之斷線部。虛設部之金屬細線的線寬，較佳與感測器部之金屬細線的線寬相同，或是更粗相當於虛設部之斷線部分的面積之量。虛設部之斷線部分的長度較佳為30μm以下，尤佳為3至15μm。此外，感測器部與虛設部之總透光率的差，較佳為1%以內。

本發明中，端子部係與連接於光穿透性的感測器部之周邊配線連接，藉由將FPC配線等接合於該端子部而連接於IC電路，而具有將光穿透性的感測器部上所接收之靜電電容資訊傳送至IC電路之功能。端子部所具有之複數個端子的形狀，可使用長方形、圓角長方形、圓、橢圓等之一般所知的形狀。

本發明之光穿透性導電材料，於具有光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部等之一側的面上，或是該相反側的面上，可具有硬塗層、抗反射層、黏著層、防眩層等之一般所知的層。

[實施例]

以下係使用實施例來詳細地說明本發明，但只要不超越該主旨，本發明不限定於下述實施例。

〈光穿透性導電材料1的製作〉

使用厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜作為支撐體。該支撐體的總透光率為91%。

接著依據下述配方來調製物理顯影核心層塗布液，將此塗布於支撐體上並進行乾燥而設置物理顯影核心層。

〈硫化鈀溶膠的調製〉

一邊攪拌並混合A液與B液，於30分鐘後通過充填有離子交換樹脂之管柱而得硫化鈀溶膠。

<物理顯影核心層塗布液的調製〉銀鹽感光材料每1m²的量

(日本觸媒股份有限公司製的SP-200；平均分子量10000)

接著從靠近支撐體者開始，依序將下述組成的中間層、鹵化銀乳劑層、及保護層塗布於上述物理顯影核心層上，進行乾燥而得銀鹽感光材料。鹵化銀乳劑，係藉由照片用鹵化銀乳劑之一般的雙噴注混合法來製造。該鹵化銀乳劑，係以成為氯化銀95莫耳%與溴化銀5莫耳%，且平均粒徑0.15μm的方式來調製。將如此得到之鹵化銀乳劑，依循既定方法，使用硫代硫酸鈉與氯金酸來施以硫化金增感。如此得到之鹵化銀乳劑，每1g的銀係含有0.5g的明膠。

〈中間層組成〉銀鹽感光材料每1m²的量

〈鹵化銀乳劑層組成〉銀鹽感光材料每1m²的量

〈保護層組成〉銀鹽感光材料每1m²的量

將如此得到之銀鹽感光材料與具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿密合，藉由以汞燈為光源之密合印刷機，經過會濾除400nm以下的光之樹脂濾鏡進行曝光。於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，光穿透性的感測器部11，係具有由線寬5μm、單邊300μm且較窄者的角度為60°之菱形的單位圖形所構成之網目狀圖案。光穿透 性的虛設部12，係由線寬5μm且為與光穿透性的感測器部11為相同形狀之菱形的單位圖形所構成，但在菱形之邊的中央設置長5μm的斷線部，於光穿透性的感測器部11與光穿透性的虛設部12之交界部設置長10μm的斷線部。感測器部11與虛設部12之總透光率的差為0.05%。周邊配線13與端子部14及接地部15，均由空白的線段所構成。以第3圖及第4圖來說明該正型穿透圖稿時，周邊配線部13所具有之周邊配線(13a、13b、…、13p)的線寬均為20μm，於配線的方向在x方向，該等相鄰接且呈平行的部分之配線間隔距離均為20μm。該平行的部分之配線間隔距離20μm，由於較周邊配線部13之其他平行的部分之配線間隔距離小，所以最小間隔距離A為20μm。此外，接地部15所具有之接地配線(151、15a、15b、15c、15d、15e、15f、15g、15h)的線寬均為30μm，於配線的方向在x方向，該等相鄰接且呈平行的部分之配線間隔距離均為10μm，因此，最小間隔距離B亦為10μm。(以下的例子中，周邊配線部及接地部的配線間隔距離，亦指分別在配線的方向為x方向上，配線相鄰接且呈平行的部分之值，最小間隔距離A及最小間隔距離B存在於該平行的部分)。

然後將曝光後的銀鹽感光材料，於20℃浸漬在下述擴散轉印顯影液中60秒，接著在40℃的溫水中進行水洗以去除鹵化銀乳劑層、中間層、及保護層，並進行乾燥處理而得到光穿透性導電材料1。重複以上作業，而得到100片具有第1圖之形狀的金屬圖案之光穿透性導 電材料1。所得之光穿透性導電材料之金屬圖案的線寬與配線間隔距離，係與具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿相同。此外，以共焦顯微鏡來調查構成光穿透性的感測器部11及光穿透性的虛設部12之網目狀金屬圖案之細線的厚度，及周邊配線(13a、13b、13c、…、13p)與接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)之金屬圖案的厚度時，任一者均為0.1μm。下述光穿透性導電材料2至8中，以共焦顯微鏡所調查之各金屬圖案的厚度時，任一者亦均為0.1μm。

<擴散轉印顯影液組成>

加入水以使全量成為1000ml，並將pH調整至12.2。

〈光穿透性導電材料2的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，將接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)之各配線間的配線間隔距離均變更為18μm(因此，最小間隔距離B亦成為18μm)，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外其他均與光穿透性導電材料 1相同而得到100片光穿透性導電材料2。

〈光穿透性導電材料3的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，將接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)之各配線間的配線間隔距離均變更為25μm(因此，最小間隔距離B亦成為25μm)，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料3。

〈光穿透性導電材料4的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，接地部15所具有之接地配線中，僅留下接地配線151，其他接地配線(15a、15b、15c、…、15h)均去除，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料4。

〈光穿透性導電材料5的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，接地配線中，將接地配線15a、15b、15c、15d之各配線間的配線間隔距離均變更為25μm，將15d、15e、15f、15g、15h、151之各配線間的配線間隔距離均變更為18μm(因此，最小間隔距離B成為18μm)，除此之外其他均相同的正型穿 透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料5。

〈光穿透性導電材料6的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，接地配線中，將15a與15b之間的配線間隔距離設為10μm，15b與15c之間的配線間隔距離設為14μm，15c與15d之間的配線間隔距離設為18μm，15d與15e之間的配線間隔距離設為22μm，15e與15f之間的配線間隔距離設為26μm，15f與15g之間的配線間隔距離設為30μm，15g與15h之間的配線間隔距離設為34μm，15h與151之間的配線間隔距離設為38μm，以使相鄰接之接地配線間的間隔距離從15a至151每次增加4μm之方式來變更(因此，最小間隔距離B成為10μm)，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料6。

〈光穿透性導電材料7的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，周邊配線中，將13a與13b之間的配線間隔距離設為15μm，將其他周邊配線間的配線間距離均設為25μm(因此，最小間隔距離A成為25μm)，並將接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)之各配線間的配線間隔距離均變更為20μ m(因此，最小間隔距離B亦成為20μm)，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料7。

〈光穿透性導電材料8的製作〉

使用於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，周邊配線中，將13a與13b之間的配線間隔距離設為15μm，將其他周邊配線間的配線間距離均設為25μm(因此，最小間隔距離A成為25μm)，除此之外其他均相同的正型穿透圖稿，除了使用此正型穿透圖稿來進行曝光之外，其他均與光穿透性導電材料1相同而得到100片光穿透性導電材料8。

《良品率的評估試驗》

對於所得之光穿透性導電材料1至8，於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中以處於連接有圖案之關係之感測器部11、周邊配線部13及端子部14，作為1個導電單位，並藉由測試機(Sainsonic公司製的DT9205A)測定該導電單位內之導電的有無、以及與其他導電單位間之短路的有無，在100片光穿透性導電材料內，導通係以具有全部的感測器部(11a至11p)之導電單位來確認，並評估完全無短路之光穿透性導電材料的片數作為良品率(%)。

《靜電破壞的評估試驗》

此外，以使具有光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部等側的面成為不與銅板接觸之朝向之方式，將所得之光穿透性導電材料1至8重疊於銅板上，進一步在銀圖像面上放置厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜，於23℃、相對濕度50%環境下風乾1天後，使用靜電破壞試驗器(EM TEST公司製DITO ESD Simulator、前端晶片使用該公司製的DM1晶片)，以下列方式進行靜電破壞測試。將靜電破壞試驗器的接地線安裝於銅板，將前端晶片部分放置在100μm的PET膜上且位於端子部14的上方，以電壓8kV進行1次靜電放射。靜電放射後，剝離PET膜，確認感測器部11的全線內以及周邊配線13的全線內之導通，以無斷線者為○，1根者為△，2根以上者為×。此等結果如表1所示。

從上述表1的試驗結果中，可得知藉由本發明能夠得到良品率良好且靜電破壞少之光穿透性導電材料，能夠改善觸控面板製造時的低良率。

〈光穿透性導電材料9的製作〉

於具有第1圖的圖案之正型穿透圖稿中，準備於光穿透性的感測器部11之部分僅以整塊圖案描繪而非以網目狀圖案描繪，且其他部分不具有圖案之圖稿。於ITO膜(東洋紡股份有限公司製300R)的ITO面上，層合厚度15μm的乾膜光阻(旭化成股份有限公司製SUNFORT系列SPG102)，然後藉由以汞燈為光源之密合印刷機，不經過濾除400nm以下的光之樹脂濾鏡，使該正型穿透圖稿密合而曝光，接著一邊於30℃的1質量%碳酸鈉水溶液中搖動一邊進行40秒的顯影。接著使用ITO用蝕刻液(佐佐木化學藥品股份有限公司製S-Clean IS)，於常溫下對ITO被膜進行120秒的蝕刻(另外，於蝕刻處理步驟前後設置水洗步驟)，然後以噴霧吹送40℃的3質量%氫氧化鈉水溶液，藉此將乾膜光阻予以剝離去除，並進行乾燥而得到ITO的圖案膜。

準備描繪出與第1圖相同之周邊配線部13、端子部14及接地部15的圖案，且其他部分為不具有圖案之正型穿透圖稿。該正型穿透圖稿中，周邊配線(13a、13b、…、13p)的線寬均設為20μm，周邊配線間的配線間距離均設為20μm(因此，最小間隔距離A亦為20μm)，此外，接地配線(151、15a、15b、15c、15d、15e、15f、15g、 15h)的線寬均設為30μm，接地配線間的配線間距離均設為10μm(因此，最小間隔距離B亦為10μm)。於上述所得之ITO圖案膜之ITO側的面上，再次層合厚度15μm的乾膜光阻(旭化成股份有限公司製SUNFORT系列SPG102)，然後藉由以汞燈為光源之密合印刷機，不經過濾除400nm以下的光之樹脂濾鏡，以使感測器部11與其他部分之位置關係成為與第1圖相同之方式，使該正型穿透圖稿密合而曝光，接著一邊於30℃的1質量%碳酸鈉水溶液中搖動一邊進行40秒的顯影。另外，光阻圖案之周邊配線部13、接地部15的線寬及配線間隔距離，係與正型穿透圖稿相同。接著以使固體成分塗布量成為1g/m²之方式塗布銀奈米油墨(三菱製紙股份有限公司製MU01)並乾燥，於40℃浸漬在30質量%氯化鈉水溶液1分鐘，進行水洗並乾燥。以100號的砂紙輕輕擦拭乾燥後的乾膜光阻表面後，以噴霧吹送40℃的3質量%氫氧化鈉水溶液，藉此將乾膜光阻予以剝離去除，然後進行水洗乾燥而得到光穿透性導電材料9。重複以上作業，而製作出100片光穿透性導電材料9。另外，所得之光穿透性導電材料9之周邊配線部13及接地部15的線寬、配線間隔距離，與正型穿透圖稿相同。以共焦顯微鏡來調查周邊配線(13a、13b、13c、…、13p)與接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)的厚度時，均為0.1μm。

〈光穿透性導電材料10的製作〉

準備描繪出與第1圖相同之周邊配線部13與端子部14，進一步地，僅描繪接地部15中的接地配線151(線寬30μm)，且其他部分為不具有圖案之正型穿透圖稿。該正型穿透圖稿中，周邊配線(13a、13b、…、13p)的線寬均設為20μm，周邊配線間的配線間距離均設為20μm(因此，最小間隔距離A亦為20μm)。並且使用該正型穿透圖稿，來取代光穿透性導電材料9之描繪出周邊配線部13、端子部14及接地部15的圖案且其他部分為不具有圖案之正型穿透圖稿，除此之外，其他與光穿透性導電材料9相同而製作出100片光穿透性導電材料10。所得之光穿透性導電材料10之周邊配線部13的線寬、配線間隔距離、接地部15的線寬，與正型穿透圖稿相同。以共焦顯微鏡來調查周邊配線(13a、13b、13c、…、13p)與接地配線(151、15a、15b、15c、…、15h)的厚度時，任一者均為0.1μm。

與光穿透性導電材料1至8相同，對於光穿透性導電材料9與10進行良品率與靜電破壞進行評估試驗，而得到表2之結果。

從上述表2的試驗結果中，可得知藉由本發明能夠得到良品率良好且靜電破壞少之光穿透性導電材 料，能夠改善觸控面板製造時的低良率。

1‧‧‧光穿透性導電材料

2‧‧‧支撐體

11、11a、11b、11c、11p‧‧‧感測器部

12、12a、12b、12c‧‧‧虛設部

13‧‧‧周邊配線部

13a、13b、13c、13p‧‧‧周邊配線

14‧‧‧端子部

14a、14b、14c‧‧‧端子

15‧‧‧接地部

151‧‧‧接地配線

Claims (8)

1. 一種光穿透性導電材料，其係於支撐體上具有：在第一方向上延伸之光穿透性的感測器部、在屬於垂直於第一方向之方向的第二方向上與該感測器部交互地排列之光穿透性的虛設部、端子部、由電性連接該感測器部與該端子部之複數條周邊配線所構成之周邊配線部、以及由未與該感測器部電性連接之複數條接地配線所構成之接地部；周邊配線部所具有之複數條周邊配線係具有於相鄰接之周邊配線間為平行的部分，接地部所具有之複數條接地配線係具有於相鄰接之接地配線間為平行的部分，於該周邊配線呈平行的部分中，以周邊配線間的最小間隔距離為A，於該接地配線呈平行的部分中，以接地配線間的最小間隔距離為B時，A>B。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性導電材料，其中周邊配線部之周邊配線呈平行的部分之配線的方向，與接地部之接地配線呈平行的部分之配線的方向呈一致。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光穿透性導電材料，其中配線方向為相同之周邊配線呈平行的部分之周邊配線間的間隔距離，均為最小間隔距離A。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中配線方向為相同之接地配線呈平行的部分之接地配線間的間隔距離，均較最小間隔距離A小。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中最小間隔距離B相對於最小間隔距離A 為10至80%。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中接地配線的線寬為周邊配線的線寬以上。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中接地部係由連接於端子部之至少一條接地配線、與未連接於其他部位之複數條接地配線所構成。
8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之光穿透性導電材料，其中，至少一條接地配線在端子部以外的地方包圍光穿透性的感測器部、光穿透性的虛設部與周邊配線部。