CN112750371B - 阵列基板、显示面板及显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示设备，包括显示区及围绕显示区分布的非显示区，非显示区包括芯片区和扇出区，扇出区位于芯片区和显示区之间。芯片区设置有驱动电路，用于向显示区中的像素单元提供驱动信号。扇出区包括由多条信号线构成的信号线组。信号线组包括沿第一方向设置于衬底的第一信号线、第二信号线和保护线。本申请提供的阵列基板、显示面板及显示设备，对保护线施加高电压作为电解池阳极，与施加低电压的第二信号线构成电解池回路，保护显示面板中的其他信号线不被水氧腐蚀。

Description

阵列基板、显示面板及显示设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。

背景技术

触控显示面板一般包括显示面板和触控面板两部分。在制备触控显示面板时，最基本的方案是首先分别制备显示面板和触控面板，而后将显示面板和触控面板贴合形成触控显示面板。为了降低触控显示面板的厚度和增加显示区域的屏幕占比，阵列基板需要在驱动电路IC绑定区多层金属层叠走线，多层金属走线间采用单层绝缘封装材料，且走线间的间距绝缘材料变薄，走线间的间距更近。

但是单层绝缘封装材料不能较好的保护走线不被水和氧气侵蚀，在走线间的距离更近时，驱动电路IC上的引脚及过孔处的电极块容易被氧化腐蚀。

因此，亟需一种可以保护走线的不易被侵蚀的阵列基板。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示设备。本申请实施例提供的阵列基板能够保护其电路走线不被水氧侵害，降低电路走线被氧化腐蚀而导致的电路失效风险，提高阵列基板的寿命。

第一方面，本申请实施例提供的一种阵列基板，包括显示区及围绕显示区分布的非显示区。非显示区包括芯片区和扇出区，扇出区位于芯片区和显示区之间，芯片区设置有驱动电路，用于向显示区中的像素单元提供驱动信号，扇出区包括由多条信号线构成的信号线组，信号线组包括沿第一方向设置于衬底的第一信号线、第二信号线和保护线，第一信号线和第二信号线在第一方向上的最小间隔为第一距离，第一信号线和保护线在第一方向上的最小间隔为第二距离，第一距离大于等于第二距离。保护线的工作电压大于等于第一信号线的工作电压，第一信号线的工作电压大于第二信号线的工作电压。

第二方面，本申请实施例提供的显示面板，包括如上述实施例的阵列基板。

第三方面，本申请实施例提供的显示设备，包括如上述实施例的显示面板。

本申请实施例提供的阵列基板、显示面板和显示设备，通过设置保护线与第二信号线形成电解池回路以保护阵列基板中与保护线相邻的信号线，例如第一信号线。其中，保护线作为电解池的阳极线路，第二信号线作为电解池的阴极线路，第一信号线作为被保护的线路。保护线的工作电压大于等于第一信号线的工作电压，第一信号线的工作电压大于第二信号线的工作电压，第一信号线与第二信号线的距离大于等于保护线与第二信号线的距离，保护线替代第一信号线和其他信号线作为电解池中的阳极线路，在封装材料失效时，保护线优先作为电解池阳极被氧化以保护其他的信号线。本申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示设备能够解决显示设备中的功能线路被水和氧气腐蚀问题，有效提高了阵列基板、显示面板及显示设备的显示效果和显示寿命。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

图1是本申请实施例提供的一种阵列基板结构示意图；

图2是图1沿B-B的一种剖面结构示意图；

图3是图1中A区的一种局部放大结构示意图；

图4是图1沿B-B的另一种剖面结构示意图；

图5是图1中A区的另一种局部放大结构示意图；

图6至图12是图1中A区的其它一些种类的局部放大结构示意图。

附图标记说明：

阵列基板-1；显示区-11；非显示区-12；芯片区-13；扇出区-130；信号线组-14；像素单元-15；

第一信号线-2；第二信号线-3；第三信号线-4；

保护线-5；第一支线段-51；第二支线段-52；第一延伸部-53；第二延伸部-54；

第一金属层-61；第二金属层-62；第三金属层-63；第四金属层-64；

绝缘层-7。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

图1是本申请实施例提供的一种阵列基板结构示意图。

如图1所示，在一些可选的实施例中，阵列基板1，包括显示区11及围绕显示区11分布的非显示区12。其中，非显示区包括芯片区13和扇出区130，扇出区130位于芯片区13和显示区11之间，芯片区130设置有驱动电路，用于向像素单元15提供驱动信号。扇出区130包括由多条信号线构成的信号线组14。

阵列基板1的一侧设置有下台阶，信号线组14在下台阶的绑定区与芯片区13建立电连接。信号线组14包括沿第一方向设置于衬底的第一信号线2、第二信号线3和保护线5，第一信号线2和第二信号线3在第一方向上的最小间隔为第一距离，第一信号线2和保护线5在第一方向上的最小间隔为第二距离，第一距离大于等于第二距离，保护线5的工作电压大于等于第一信号线2的工作电压，第一信号线2的工作电压大于第二信号线3的工作电压。

需要说明的是，信号线组14并不限于第一信号线2、第一信号线3和保护线5这三条信号线，还可以设置用于其他功能的多条信号线以支持阵列基板1的功能设置。

本申请实施例提供的阵列基板1通过设置能够施加最高工作电压的保护线5作为阳极与其他电位的线路构成电解池。

具体的，保护线组14中设置的各条线路的电压并不相同，具有电压差；在保护线组14的保护层失效时，水和氧气会侵入信号线组与高压线路和低压线路构成电解池回路；其中，电压较高的线路将作为阳极，电压较低的线路会作为阴极，水和氧气以及水和氧气中的杂质会作为电解液和电解质。在此基础上，本申请实施例为了尽可能的避免信号线组14中电压较高的线路作为阳极参与电解池反应而被氧化腐蚀，在信号线组14中增添了保护线5；保护线5在信号线组14中被设置有优先与其他线路的反应条件，因此，在保护线组14被水氧侵蚀时，保护线5可以替代信号线组14中的其他高电压线路作为电解池阳极被氧化腐蚀，为其他的功能线路提供了有效的保护。

请一并参阅图2和图3，图2是图1沿B-B的一种剖面结构示意图。图3是图1中A区的一种局部放大结构示意图。

如图2和图3所示，在一些可选的实施例中，第二信号线3、保护线5和第一信号线2沿第一方向间隔排布且同层设置。在第一方向上，保护线5设置于第一信号线2与第二信号线3之间。第一信号线2与保护线5上被施加的电压相同且大于第二信号线3被施加的电压。第二信号线3、保护线5和第一信号线2具有相同的金属材料、绝缘层7以及属材料和绝缘层7的厚度。由此，保护线5相较于第二信号线3具有更好的作为电解池阳极与第一信号线2构成电解池的反应条件，保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2。

在一些可选的实施例中，第二信号线3、保护线5和第一信号线2均在衬底材料上同层设置。其中，第二信号线3包括在衬底表面沿第二方向层叠设置的多个金属层，第一信号线2也设置有与第二信号线3构成相应的多个金属层，其中，第二方向为沿垂直于衬底表面的上方。

保护线5在设置于第二信号线3与第一信号线2之间且与第二信号线3和第一信号线2具有相同的结构。

第二信号线3、保护线5和第一信号线2的金属层的相邻两层金属层之间绝缘层的层数相同。

第二信号线3、保护线5和第一信号线2的金属层的相邻两层金属层之间绝缘层的厚度相同。

第二信号线3、保护线5和第一信号线2中位于同层的金属层的材料也相同。

可以理解的，构成第二信号线3、保护线5和第一信号线2的多层金属层可以通过绝缘层7绝缘设置或者直接接触设置。例如，第二信号线3、保护线5和第一信号线2均包括第一金属层61、第二金属层62、第三金属层63和第四金属层64，其中，第二信号线3、保护线5和第一信号线2的第二金属层62与第三金属层63之间均通过绝缘层7绝缘设置，第一金属层61与第二金属层62接触设置，第四金属层64通过第一过孔与第一金属层61连接、通过第二过孔与第三金属层63连接。通过这样的设计能够保证保护线5及被保护的第二信号线3和/或第一信号线2中的第四金属层64和第三金属层63同层设置，进而达到有效的保护。

请一并参阅图4和图5，图4是图1沿B-B的另一种剖面结构示意图。图5是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图4和图5所示，第一信号线2、第二信号线3和保护线5沿第一方向间隔排布。保护线5包括主体段和连接于主体段且相互间隔分布的多个支线段，至少一支支线段位于第二信号线3和第一信号线2之间，以保护第一信号线2不能优先作为电解池阳极被腐蚀。

作为一个实例，保护线5包括两个位于第二信号线3两侧的第一支线段51和第二支线段52。保护线5的电压等于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于第二信号线3的电压。但保护线5与第二信号线3的距离小于第一信号线2与第二信号线3的距离。此时，保护线5的第一支线段51相较于第一信号线2更靠近第二信号线3。在第一支线段51与第一信号线2的电压相同时，更近的距离会使信号线51优先于第一信号2与第二信号线3构成电解池。由此，保护线5相较于第一信号线2具有更好的作为电解池阳极的反应条件，保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2不被作为阳极而腐蚀。

在一些可选的实施例中，与前述的一些实施例不同的是，保护线5的构成不完全与第一信号线2相同，只是部分构成相同且相对应，例如第一信号线2包括第一金属层61、第二金属层62、第三金属层63和第四金属层64。第一信号线2的第二金属层62与第三金属层63之间通过绝缘层7绝缘设置，第一金属层61与第二金属层62接触设置，第四金属层64通过第一过孔与第一金属层61连接、通过第二过孔与第三金属层63连接。但是，保护线5只包括第一金属层61、第二金属层62和第三金属层63。

在本实施例中，第二信号线3的电压小于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压小于保护线5的电压。第二信号线3与保护线5的距离小于第二信号线3与第一信号线2的距离。由此在绝缘层7失效时，保护线5与第一信号线2相比，更靠近第二信号线3，在距离上更优先作为电解池阳极，保护了第一信号线2不被腐蚀。

在一些可选的实施例中，对于第一信号线2、第二信号线3和保护线5整体的材质可以采用相同的材质制备，也可以采用不同的材质制备，第一导线2、第二导线3和保护线5的材质可以选用铝、钛、钼和氧化烟锡等多种导电材料中的一种或多种。作为一种实例，构成保护线5的金属材质的金属活性大于构成第二信号线3的金属材质的金属活性。

保护线5采用的材质的活性高于被保护的第一信号线2或第二信号线3等信号线采用的材质活性，那么在阵列基板1的绝缘层7失效且阵列基板1处于关闭状态时，保护线5作为原电池的负极，与第一信号线2或第二信号线3构成原电池，作为原电池阴极的保护线5被氧化腐蚀，第一信号线2或第二信号线3被保护。由此，本申请实施例的设置可以在阵列基板1开启和关闭状态通过保护线5保护信号线组14中的其他线路。

保护线5与被保护的第一信号线2或第二信号线3等信号线采用相同层数的金属层并保证各层均位于共面设置是为了在金属层之间或最顶层的绝缘层7破损时，保护线5可以第一时间作为电解池阳极线路被氧化腐蚀以保护信号线组14。

在本实施例中，因为保护线5相较于信号线组14中的其他线路最靠近第二信号线3，又与第二信号线3具有最大的电压差，保证了保护线5可以优先作为阳极线路以避免第一信号线2作为电解池阳极被氧化腐蚀。保护线5作为不涉及显示功能的耗材优先被氧化腐蚀，解决了阵列基板1中信号线组14中的功能线路被水氧侵蚀失效，寿命降低的问题。

本申请实施例通过使信号线组14构成电解池时，保护线5相较于第一信号线2具有在电压关系、距离关系、结构关系、材质关系中的一种或多种可以作为电解池阳极的反应条件。因此，保护线5具有会优先于第一信号线2与第二信号线3发生电解池反应。以确保在阵列基板1工作时信号线组14中绝缘层7失效时，各线路间的离子浓度等反应条件相近，保护线5具有最优的反应条件作为电解质阳极被氧化腐蚀以保护其他线路。在阵列基板1关闭时保护线5作为原电池阴极保护其他线路。本申请实施例提供的阵列基板1，提高了信号线组的抗水氧腐蚀能力，从而提高阵列基板1的可靠性和显示寿命。

需要说明的是，本申请实施例提供的保护线5的设置是为了在绝缘层7失效时，由保护线5作为电解池阳极与其他信号线构成电解池反应，为保护线5能够作为电解池阳极提供优于其他信号线的保护条件，但并不意味着本申请实施例提供的保护线5设置会主动的导致绝缘层7失效。

但本申请并不限于上述实施例，图6是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图6所示，在一些可选的实施例中，第二信号线3、第一信号线2和保护线5沿第一方向间隔排布。在第一方向上第一信号线2设置于保护线5与第二信号线3之间。第二信号线3与第一信号线2间的距离与第一信号线2与保护线5的距离相等。但保护线5的电压大于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于第二信号线3的电压。第二信号线3、保护线5和第一信号线2具有相同的金属材料、绝缘层7以及属材料和绝缘层7的厚度。由此，保护线5相较于第一信号线2具有更好的作为电解池阳极与第一信号线2构成电解池的反应条件。保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2。

图7是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图7所示，在一些可选的实施例中，信号线组14还包括第三信号线4。第二信号线3、第三信号线4、保护线5和第一信号线2沿第一方向间隔排布。在第一方向上第三信号线4和保护线5设置于第二信号线3与第一信号线2之间，保护线5设置于第一信号线2与第三信号线4之间。保护线5的电压等于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于第三信号线4的电压，第三信号线4的电压大于第二信号线3的电压。由此，保护线5和第一信号线2被第三信号线4隔开，降低了信号线组14中电解池构成的可能，但由于保护线5的电压最大，保护线5仍具有最优先的作为电解池阳极的反应条件，保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2和第三信号线4。

图8是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图8所示，在一些可选的实施例中，第二信号线3、第三信号线4、第一信号线2和保护线5沿第一方向间隔排布。在第一方向上第三信号线4和第一信号线2设置于第二信号线3与保护线5之间，第三信号线4置于第二信号线3与第一信号线2之间。保护线5的电压大于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于第三信号线4的电压，第三信号线4的电压大于第二信号线3的电压。但由于保护线5的电压最大，保护线5仍在信号线组14中仍具有最优先的作为电解池阳极的反应条件，保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2和第三信号线4。

图9是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图9所示，在一些可选的实施例中，保护线5设置有三个支线段。在第一方向上，第一支线段51、第二信号线3、第二支线段52、第一信号线2间隔设置。第保护线线144的电压大于第一信号线2的电压。第一信号线2的电压大于第二信号线3的电压。由此，保护线5具有更多的材料设置，可以提供更长的保护时间，保护线5相较于第一信号线2作为电解池阳极的反应条件也更加充分。保护线5作为电解池阳极被腐蚀氧化以保护第一信号线2不被作为阳极而腐蚀。

图10是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图10所示，第一信号线2设置有多个第四金属层64。保护线5还包括由各支线段向第一信号线2延伸的第一延伸部53，各第一延伸部53在第一方向上的正投影至少部分围绕第四金属层64在第一方向上的正投影分布。多个延伸部环绕第一信号线2的多个第四金属层64。保护线5的电压大于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于保护线5的电压。由于在未设置保护线5的情况下，第一信号线2作为电解池阳极时的腐蚀氧化通常从第四金属层64区域开始并延伸至整条线路。因此在设置保护保护线5时将延伸部环绕第四金属层64可以进一步的保护第一信号线2以及第一信号线2的第四金属层64。

图11是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图11所示，第二信号线3设置有多个第四金属层64。保护线5还包括由各支线段向第二信号线3延伸的第一延伸部53，各第一延伸部53在第一方向上的正投影至少部分围绕第四金属层64在第一方向上的正投影分布。多个延伸部环绕第二信号线3的多个第四金属层64。保护线5的电压等于第一信号线2的电压，第一信号线2的电压大于第二信号线3的电压。因此在设置保护保护线5时将延伸部环绕第二信号线3的第四金属层64可以进一步的保护第一信号线2。

图12是图1中A区的另一种局部放大结构示意图。

如图12所示，第一信号线2和第二信号线3均设置有第四金属层64，保护线5包括由多个支线段向第一信号线2以及第二信号线3延伸的第一延伸部53和第二延伸部54。各第一延伸部53和第二延伸部54在第一方向上的正投影至少部分围绕第四金属层64在第一方向上的正投影分布。第一延伸部53和第二延伸部54环绕第一信号线2和二信号线的多个第四金属层64。

在一些可选的实施例中，保护线5、保护线5支线段以及延伸部具有与第一信号线2和第二信号线3绝缘封装膜上同样的挖孔以保证在绝缘层7失效时，水汽到达保护线5与第一信号线2和第二信号线3以及其他信号线的难易程度相同，以保证保护线5与信号线组14中的其他线路的反应环境具有相同的离子浓度。

但本申请并不限于此，还提供一种显示面板和显示设备，包括前述的一些实施例所提供的阵列基板。

虽然已经参考实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (17)

1.一种阵列基板，包括显示区及围绕所述显示区设置的非显示区，其特征在于，所述非显示区包括：

芯片区和扇出区，所述扇出区位于所述芯片区和所述显示区之间；

所述芯片区设置有驱动电路，用于向所述显示区中的像素单元提供驱动信号；

所述扇出区包括由多条信号线构成的信号线组；

所述信号线组包括沿第一方向排布设置于衬底的第一信号线、第二信号线和保护线，

所述第一信号线和所述第二信号线在所述第一方向上的最小间隔为第一距离，所述保护线和所述第二信号线在所述第一方向上的最小间隔为第二距离，所述第一距离大于等于所述第二距离；

所述保护线的工作电压大于等于所述第一信号线的工作电压，所述第一信号线的工作电压大于所述第二信号线的工作电压；

所述保护线包括主体段和连接于所述主体段且相互间隔分布的多个支线段，至少一支所述支线段位于所述第二信号线和所述第一信号线之间，以保护所述第一信号线；

所述第一信号线设置有多个过孔；

所述保护线还包括由各所述支线段向所述第一信号线延伸的第一延伸部，各所述第一延伸部在所述第一方向上的正投影至少部分围绕所述过孔在所述第一方向上的正投影分布。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、第二信号线和保护线均由相同的材质构成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，构成所述保护线的金属材质的金属活性大于等于构成所述第二信号线的金属材质的金属活性。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、第二信号线和保护线相互绝缘设置；

所述第一信号线、第二信号线和保护线均包括在所述衬底上依次层叠且绝缘设置的多个金属层，所述第一信号线、所述第二信号线及所述保护线包括的所述金属层的层数及所述金属层的材质均相同。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线和所述保护线包括的所述金属层的层数和多层所述金属层之间的绝缘层的层数相同。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线和所述保护线包括的所述金属层的厚度和多层所述金属层之间的绝缘层的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括封装层，所述封装层覆盖于所述显示区以及部分的所述扇出区，所述扇出区的绑定区未被所述封装层覆盖，以暴露部分的信号线组；

所述保护线在所述扇出区的绑定区内分布或者所述保护线由所述绑定区延伸至所述封装层，所述保护线的部分线段被所述封装层覆盖。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、所述第二信号线和所述保护线沿第一方向间隔排布且同层设置；

在所述第一方向上所述保护线设置于所述第一信号线与所述第二信号线之间。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、所述第二信号线和所述保护线沿第一方向间隔排布且同层设置；

在所述第一方向上，所述第二信号线设置于所述第一信号线和所述保护线之间。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线组还包括第三信号线，所述第三信号线、所述第一信号线、所述第二信号线和所述保护线沿第一方向间隔排布且同层设置；

在所述第一方向上所述第三信号线设置于所述第一信号线与所述保护线之间。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线组还包括第三信号线，所述第三信号线、所述第一信号线、所述第二信号线和所述保护线沿第一方向间隔排布且同层设置；

在所述第一方向上所述第三信号线设置于所述第二信号线与所述第一信号线之间。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、所述第二信号线和所述保护线沿第一方向间隔排布且同层设置。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述保护线包括与所述主体段连接的两个所述支线段，在所述第一方向上其中一者分布于所述第一信号线与所述第二信号线之间，另一者分布于所述第一信号线远离所述第二信号线的一侧。

14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线设置有多个过孔；

所述保护线还包括由各所述支线段向所述第二信号线延伸的第二延伸部，各所述第二延伸部在所述第一方向上的正投影至少部分围绕所述过孔的正投影。

15.根据权利要求10或11所述的阵列基板，其特征在于，所述第三信号线工作电压大于所述第二信号线的工作电压，所述第三信号线的工作电压小于所述第一信号线的工作电压。

16.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至15中任一项所述的阵列基板。

17.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求16所述的显示面板。

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