KR101867749B1 - 터치 패널용 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널 - Google Patents

Abstract

3차원(입체) 형상의 터치 패널을 얻기 위하여 도전 시트의 성형 가공을 할 때에 발생하는 도전 시트의 단선을 억제한다. 제2 터치 패널용 도전 시트(12)에는, 검출 영역에 배치된 복수의 상방 검출 전극(26)과, 주변 배선 영역에 배치되어 상방 검출 전극(26)을 제2 단자부(44, 46)에 전기적으로 접속하기 위한 복수의 제2 단자 배선부(36)(주변 배선)가 형성된다. 상방 검출 전극(26)은, 금속 도체 세선(28)이 교차하여 구성된 그물 형상의 제1 금속 메시로 이루어지고, 또, 제2 단자 배선부(36)는, 상방 검출 전극(26)을 이루는 금속 도체 세선(28)과 동일 재료의 금속 도체 세선(28)이 교차하여 구성된 그물 형상의 제2 금속 메시로 이루어진다. 여기에서, 제1 금속 메시의 선폭은 5μm 이하로 설정되며, 제1 금속 메시 및 제2 금속 메시를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 연장 방향이, 제2 수지 필름(24)의 굴곡부의 굴곡선 방향에 대하여 경사져 있다.

Description

터치 패널용 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널{CONDUCTIVE SHEET FOR TOUCHSCREEN AND CAPACITIVE TOUCHSCREEN}

본 발명은, 복수의 검출 전극과, 상기 검출 전극을 단자부에 전기적으로 접속하기 위한 복수의 주변 배선이 형성되고, 또한 3차원 형상을 이루는 수지 필름을 갖는 터치 패널용 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널에 관한 것이다.

다기능 휴대전화(스마트폰)나 디지털 카메라, 퍼스널 컴퓨터 등의 표시 장치로서, 손가락을 사용하여 접촉함으로써 다양한 조작을 행할 수 있는, 이른바 터치 패널이 광범위하게 채용되기에 이르렀다. 종래, 이 종류의 터치 패널은, 조작면이 평면인, 이른바 2차원 형상체로서 보급되고 있었지만, 최근, 조작면의 단부를 굴곡시켜 측면을 마련하고, 그 측면에 있어서도 조작을 가능하게 한 것으로 대표되는 3차원 형상(입체 형상)체의 것이 제안되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 조작면이 곡면을 이루는 터치 패널이 개시되어 있다.

터치 패널은, 검출 전극과, 그 검출 전극을 단자부에 전기적으로 접속하기 위한 주변 배선이 형성된 수지 필름을 갖는다. 3차원 형상체를 얻기 위해서는, 이 수지 필름을 굴곡시킬 필요가 있지만, 이때에는, 특허문헌 2에 기재되는 바와 같이, 예를 들면, 주변 배선이 수지 필름과 함께 굴곡된다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2012-242871호(특히 도 2 참조) 특허문헌 2: 국제 공개공보 제2012/132846호(특히 도 1 참조)

수지 필름에 대하여 3차원 성형 가공을 실시하여 터치 패널을 시험 제작한 경우, 검출 전극이나 주변 배선에 단선이 발생하는 경우가 있다. 단선 개소는, 주로 검출 전극이나 주변 배선의 굴곡 부위이지만, 그 외의 부위에서도 확인되는 경우가 있다.

단선의 원인에 대하여 본 발명자가 검토를 행한바, 3차원 성형 가공을 행할 때의 가열에 기인하는 것이 판명되었다. 즉, 가열에 의하여 수지 필름이 국소적으로 연신하기 때문이라는 발견이 얻어졌다.

수지 필름의 국소적인 연신은, 굴곡 부위 등의 특정 부위에만 발생하는 것이 아니라, 랜덤인 부위에 발생한다. 이로 인하여, 국소적인 연신이 발생하지 않도록 하는 것은 용이하지 않으며, 따라서, 단선을 회피하는 것도 용이하지 않다.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 3차원 성형 가공이 실시된 수지 필름을 가지면서도 단선이 억제된 터치 패널용 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적은, 이하의 [1]의 구성에 의하여 달성된다.

[1] 검출 영역에 배치된 복수의 검출 전극과, 주변 배선 영역에 배치되어 검출 전극을 단자부에 전기적으로 접속하기 위한 복수의 주변 배선이 형성된 수지 필름을 갖고, 또한 수지 필름이 굴곡부를 갖는 3차원 형상을 이루는 터치 패널용 도전 시트로서, 검출 전극이, 금속 도체 세선이 교차하여 구성된 그물 형상의 제1 금속 메시로 이루어지고, 주변 배선이, 검출 전극을 이루는 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성된 그물 형상의 제2 금속 메시로 이루어지며, 또한 제1 금속 메시의 선폭이 5μm 이하이고, 제1 금속 메시 및 제2 금속 메시를 구성하는 금속 도체 세선의 연장 방향이, 수지 필름의 굴곡부의 굴곡선 방향에 대하여 경사져 있는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 도전 시트.

여기에서, 3차원 형상이란, 수지 필름이 굴곡 부위를 갖고, 이로 인하여 조작면이 2차원 평탄면이 아닌 입체적인 형상을 이루고 있는 것을 말한다. 굴곡은, 완만한 만곡이어도 되고, 가파른 절곡이어도 된다. 또, "경사져 있다"란, 연장 방향이 굴곡선 방향에 대하여 평행 및 수직인 경우 이외를 의미한다.

본 발명에 있어서는, 검출 전극 및 주변 배선의 쌍방이, 금속 도체 세선의 메시로 이루어진다. 메시는, 수지 필름이 연신할 때의 추종성이 양호하다. 이로 인하여, 3차원 성형 가공(굴곡) 시에 있어서의 굴곡 부위, 또는 그 외의 부위에 국소적으로 발생하는 연신에 추종하여 연신한다. 또, 주변 배선과 검출 전극이 동일 재료의 금속 세선으로 형성되어 있기 때문에, 주변 배선과 검출 전극의 경계를 이음매 없이 형성할 수 있으므로, 3차원 성형 가공(굴곡) 시에 있어서의 이음매에서의 단선을 방지할 수 있다.

따라서, 검출 전극 및 주변 배선이 단선되거나, 이에 기인하여 저항이 상승하거나 하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 검출 전극을 이루는 제1 금속 메시의 선폭이 5μm 이하이다. 또, 검출 전극 및 주변 배선의 쌍방에서, 금속 도체 세선의 연장 방향과 굴곡선 방향이 평행 및 수직이 아닌 소정 각도로 교차한다. 이로 인하여, 연장 방향이 굴곡선 방향에 대하여 평행 및 수직인 경우에 비하여 절단이 발생하기 어려워진다. 즉, 절단이 발생하는 것을 더 억제할 수 있게 된다. 이로 인하여, 검출 감도가 양호하고 또한 시인성도 우수한 3차원 터치 패널을 구성할 수 있다.

[2] 수지 필름은, 검출 전극 또는 주변 배선 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 영역에 굴곡부를 갖는 것이 바람직하다.

검출 전극 및 주변 배선을 메시에 의하여 형성한 상기 [1]의 구성에 의하면, 단선이 억제된다. 따라서, 검출 전극 또는 주변 배선이 포함되도록 하여 수지 필름이 굴곡되는 경우여도, 검출 전극 또는 주변 배선이 단선되는 것을 회피할 수 있다.

[3] 제1 금속 메시 및 제2 금속 메시를 구성하는 금속 도체 세선의 연장 방향이, 수지 필름의 굴곡부의 굴곡선 방향에 대하여 20°~70°의 각도로 경사져 있는 것이 바람직하다.

금속 도체 세선의 연장 방향과 굴곡선 방향이 상기의 각도로 교차함으로써, 절단이 발생하는 것을 더 억제할 수 있게 된다.

[4] 제2 금속 메시의 평균 메시 피치가, 제1 금속 메시의 평균 메시 피치에 비하여 작은 것이 바람직하다.

이 경우, 주변 배선을 저저항화할 수 있다. 그 결과로서, 터치 패널이 고감도가 된다.

[5] 제2 금속 메시의 평균 메시 피치는, 10~50μm인 것이 바람직하다.

평균 메시 피치를 이와 같이 설정함으로써, 주변 배선의 저저항화를 도모하면서, 단선 방지를 더 도모할 수 있다.

[6] 제1 금속 메시와 제2 금속 메시의 선폭이 동일한 것이 바람직하다.

제1 금속 메시와 제2 금속 메시의 선폭이 상이한 경우, 특히 국소적으로 선폭이 좁은 개소가 있으면, 수지 필름을 3차원 성형 가공할 때에, 그 좁은 개소에 집중적으로 스트레스가 발생하기 쉬워지기 때문에, 단선이 발생하기 쉬워진다. 이 현상을 방지하기 위해서라도, 제1 금속 메시와 제2 금속 메시의 선폭을 동일하게 하는 것이 바람직하다. 즉, 양측 메시의 선폭을 동일하게 함으로써, 3차원 성형 가공 시의 단선을 효과적으로 방지할 수 있어, 보다 생산성이 우수한 3차원 터치 패널을 구성할 수 있다.

[7] 검출 영역은, 적어도 인접하는 검출 전극끼리의 사이에, 검출 전극 및 주변 배선의 쌍방으로부터 절연되고, 제1 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는 제1 응력 분산부를 갖는 것이 바람직하다.

[8] 또, 제1 응력 분산부는, 검출 전극을 구성하는 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성되어 제1 금속 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 금속 메시로 이루어지는 것이 바람직하다.

[9] 또한, 주변 배선 영역은, 적어도 인접하는 상기 주변 배선끼리의 사이에, 상기 검출 전극 및 상기 주변 배선의 쌍방으로부터 절연되고, 상기 제2 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는 제2 응력 분산부를 갖는 것이 바람직하다.

[10] 또, 제2 응력 분산부는, 주변 배선을 구성하는 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성되어 제2 금속 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 금속 메시로 이루어지는 것이 바람직하다.

이상에 있어서, 금속 메시의 면밀도란, 단위 면적에 있어서의 금속 메시부를 구성하는 금속 도체 세선의 양을 나타내며, 하기의 (1) 식에 근거하여 구할 수 있다.

면밀도=α×금속 메시부의 금속 도체 세선 점유율×금속 도체 세선의 막두께…(1)

또한, α는 금속 도체 세선의 체적 중량 밀도이다.

제1 응력 분산부 내지 제2 응력 분산부를 마련함으로써, 검출 영역 내지 주변 배선 영역에 있어서, 응력이 균일하게 분산하게 된다. 이로 인하여, 수지 필름이 국소적으로 연신하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 단선이나 저항 상승을 더 억제할 수 있게 된다.

[11] 검출 전극 중 적어도 하나의 내부에는, 검출 전극을 구성하는 금속 도체 세선이 단선된 응력 완화부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우, 검출 전극의 내부에 대응하는 수지 필름이 연신하면, 그때에 발생한 응력이 응력 완화부에 의하여 완화된다. 이로 인하여, 응력에 의한 단선의 진행이 회피된다. 따라서, 저항 상승을 더 방지할 수 있다.

[12] 응력 완화부는, 검출 전극을 구성하는 금속 도체 세선을 부분적으로 단선함으로써 형성할 수 있다.

[13] 제1 금속 메시의 형상은, 랜덤 패턴으로 할 수 있다. 또한, 랜덤 패턴이란, 메시 전극을 형성하는 복수 개의 셀의 형상 또는 사이즈가 서로 상이하며, 이로 인하여 셀의 주기성(규칙성 내지 통일성)이 낮은 패턴을 말한다.

형상이나 사이즈 등이 랜덤인 셀이 연속된 랜덤 패턴으로 이루어지는 메시 전극에서는 주기성이 낮다. 따라서, 이 경우, 시야 각도에 관계없이, 표시 장치의 화소 패턴과의 무아레가 발생되기 어려워진다.

[14] 제2 금속 메시의 형상은, 정형 패턴으로 하는 것이 바람직하다.

[15] 수지 필름은, 검출 전극 및 주변 배선이 형성된 면을 내측으로 하여 굴곡됨으로써 3차원 형상을 이룬 것인 것이 바람직하다.

검출 전극 및 주변 배선이 형성된 면을 내측으로 하여 굴곡했을 때에는, 외측으로 하여 굴곡했을 때에 비하여 검출 전극 및 주변 배선의 연신량이 작아진다. 이로 인하여, 단선이 더 억제된다.

[16] 또, 본 발명은, 상기와 같이 구성된 터치 패널용 도전 시트를 구비하는 정전 용량식 터치 패널이다.

본 발명에 의하면, 수지 필름에 마련되는 검출 전극 및 주변 배선의 쌍방을, 금속 도체 세선의 메시로 형성하고, 또한 검출 전극을 이루는 제1 금속 메시의 선폭을 5μm 이하로 하며, 또한 금속 도체 세선의 연장 방향을, 굴곡부의 굴곡선 방향에 대하여 경사시키고 있다. 메시는, 수지 필름이 연신할 때의 추종성이 양호하다. 즉, 3차원 성형 가공 시에 있어서의 굴곡 부위, 또는 그 외의 부위에 국소적으로 발생하는 연신에 추종하여 비교적 용이하게 연신한다. 또한 금속 도체 세선이 굴곡선 방향에 대하여 평행 및 수직은 아니기 때문에, 굴곡부에 있어서의 단선을 효과적으로 방지할 수 있다.

이로 인하여, 검출 전극 및 주변 배선이 단선되는 것이 회피된다. 따라서, 단선에 기인하여 저항이 상승하는 것이 방지된다. 이로 인하여, 검출 감도가 양호하고, 또한 투과율, 시인성이 우수한 3차원 터치 패널을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 터치 패널용 도전 시트를 포함하여 구성되는 정전 용량식 터치 패널을 전개하여 나타낸 개략 평면도이다.
도 2는 도 1의 정전 용량식 터치 패널의 두께 방향을 따르는 주요부 개략 단면도이다.
도 3은 금속 도체 세선으로 이루어지며, 상기 도전 시트에 형성된 검출 전극을 형성하는 셀의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4는 검출 전극이 랜덤 메시 패턴을 이룰 때의 셀의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 5는 상기 터치 패널용 도전 시트의 개략 평면도의 일례이다.
도 6은 도 1 중의 굴곡선 C1 근방에 있어서의 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.
도 7은 도 1 중의 굴곡선 C2 근방에 있어서의 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.
도 8은 인접하는 검출 전극끼리의 사이에 응력 분산부를 형성한 도전 시트의 개략 평면도의 일례이다.
도 9는 인접하는 검출 전극끼리의 사이, 및 인접하는 주변 배선끼리의 사이의 각각에 응력 분산부를 형성한 도전 시트의 개략 평면도의 일례이다.
도 10은 검출 전극의 내부에 응력 완화부가 마련된 도전 시트의 개략 평면도의 일례이다.
도 11은 동일한 수지 필름의 일면에 하방의 검출 전극을 형성하고, 또한 그 이면에 상방의 검출 전극을 형성한 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.
도 12는 하방의 검출 전극과 상방의 검출 전극의 사이에 절연막을 개재시키고, 또한 상방의 검출 전극이 형성된 수지 필름과 커버 렌즈를 첩합한 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.
도 13은 편측에만 검출 전극이 형성된 수지 필름을 커버 렌즈에 첩합한 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.
도 14는 검출 전극 및 단자 배선부의 쌍방의 메시 패턴이 대략 정사각형 형상인 정전 용량식 터치 패널의 주요부 개략 단면도이다.

이하, 본 발명에 관한 터치 패널용 도전 시트에 대하여, 이를 구비하는 정전 용량식 터치 패널과의 관계에서 적합한 실시형태를 들어, 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

또한, 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 "~"는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로서 사용된다. 또, "상방"은, 3차원 터치 패널 장착 표시 장치를 시인하는 시청자에 가까운 측(외면측)을 지칭하고, 한편, "하방"은, 시청자로부터 먼 측(내면측)을 지칭한다.

도 1은, 본 실시형태에 관한 터치 패널용 도전 시트로서의 제1 터치 패널용 도전 시트(10), 제2 터치 패널용 도전 시트(12)를 포함하여 구성되는 터치 패널(14)(정전 용량식 터치 패널)을 전개하여 나타낸 개략 평면도이며, 도 2는, 두께 방향을 따르는 주요부 개략 단면도이다. 이 터치 패널(14)은, 도시하지 않은 표시 장치에 접합됨으로써 3차원 터치 패널 장착 표시 장치를 구성한다.

또한, 표시 장치는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 그 적합한 예로서는, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이(Organic Electro-Luminescence), 무기 EL 디스플레이, 전자 페이퍼 등을 들 수 있다.

터치 패널(14)은, 센서 본체인 적층 도전 시트(16)와, 도시하지 않은 제어 회로와, 터치 패널(14)의 상면을 덮는 커버 렌즈(18)(도 2 참조)를 갖는다. 이 중의 적층 도전 시트(16)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 제1 터치 패널용 도전 시트(10) 및 제2 터치 패널용 도전 시트(12)를 적층하여 구성된다.

제1 터치 패널용 도전 시트(10)는, 제1 수지 필름(20)과, 그 제1 수지 필름(20)의 일면에 형성된 복수의 하방 검출 전극(22)을 갖는다. 한편, 제2 터치 패널용 도전 시트(12)는, 제2 수지 필름(24)과, 그 제2 수지 필름(24)의 일면에 형성된 상방 검출 전극(26)을 갖는다. 여기에서, 하방 검출 전극(22)이란, 터치 패널(14)의 한 쌍의 전극 중에서 터치면(조작면)으로부터 먼 측의 전극이며, 한편, 상방 검출 전극(26)이란, 터치 패널(14)의 한 쌍의 전극 중에서 터치면에 가까운 측의 전극이다.

제1 수지 필름(20)은 투명체이며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터류; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스타이렌, 폴리에틸렌바이닐아세테이트(EVA) 등의 폴리올레핀류; 바이닐계 수지; 그 외, 폴리카보네이트(PC), 폴리아마이드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 트라이아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀 폴리머(COP), 사이클로올레핀 코폴리머(COC) 등으로 이루어진다. 제1 수지 필름(20)의 투과율은, 85% 이상인 것이 바람직하다.

또, 제1 수지 필름(20)의 두께는 20~350μm가 바람직하고, 30~250μm가 더 바람직하며, 30~100μm가 특히 바람직하다.

하방 검출 전극(22)은, 도 1 중의 제1 방향(x방향/길이 방향)으로 연장되는 복수의 띠 형상의 패턴을 갖는다. 여기에서, "띠 형상"이란, 소정의 폭방향 치수를 갖고 연장되는 긴 형상을 가리키지만, 폭방향 치수가 주기적으로 변동하는(폭이 넓어지는 것 및 좁아지는 것을 반복하는) 형상도 "띠 형상"에 포함시키는 것으로 한다. 상방 검출 전극(26)에 있어서도 동일하다.

하방 검출 전극(22)은, 제2 방향(제1 방향과 직교하는 방향: y방향)을 향하는 소정의 폭방향 치수를 갖고, 또한 복수 개가 그 y방향을 따라 병렬 배치되어 있다. 또한, 제1 방향은, 도 2에 있어서의 지면에 대하여 수직인 방향이며, 제2 방향은, 도 2에 있어서의 지면(紙面)의 좌우 방향이다.

검출 영역은, 검출 전극의 각 단부(긴 변 또는 짧은 변)끼리를 가상적으로 연결하고, 그 연결선으로 둘러싸이는 영역 내를 말한다. 즉, 모든 하방 검출 전극(22)은, 검출 영역 내에 형성되어 있다. 후술하는 상방 검출 전극(26)에 대해서도 동일하다.

각 하방 검출 전극(22)은, 도 3에 나타내는 바와 같이 금속 도체 세선(28)끼리가 교차함으로써 형성된다. 이 교차에 따라, 금속 도체 세선(28)에 의하여 둘러싸이는 공간(개구부), 즉, 제1 셀(30)이 복수 개 형성된다. 또한, 금속 도체 세선(28)은, 은, 구리, 금, 알루미늄, 몰리브데넘, 크로뮴, 니켈 또는 이들 중 1종 이상을 포함하는 합금 등으로 이루어진다. 그 중에서도, 도전성의 관점에서, 은이 특히 바람직하다.

이 경우, 제1 셀(30)끼리는 동일 형상을 이룬다. 즉, 금속 도체 세선(28)에 의하여 형성되는 하방 검출 전극(22)은, 동일 형상의 제1 셀(30)이 복수 개 연결된 제1 금속 메시로 형성되고, 이른바 정형 패턴을 나타내고 있다.

제1 셀(30)은, 예를 들면, 평행 사변형 형상을 이루고, 전형적으로는, 4변의 길이가 동일한 마름모형 형상을 이룬다(도 3 참조). 이 경우, 가로로 긴 마름모형에 한정되는 것은 아니고, 세로로 긴 마름모형이어도 되는 것은 물론이다. 마름모형의 꼭지점의 각도는, 표시 장치의 화소 패턴과 무아레를 발생하지 않도록 설계되는 것이 바람직하다.

제1 셀(30)에 있어서, 금속 도체 세선(28)의 폭방향 치수(선폭)(W1)는 5μm 이하로 설정된다. 또, 제1 셀(30)의 평균 셀 피치(P1)(세선 간격)는 100μm~500μm로 설정할 수 있다. 이로써 금속 도체 세선(28)에 의한 도전 패턴의 무아레 및 세선 가시성이 개선되고, 투과율이 높고 또한 시인성이 양호해진다. 즉, 제1 금속 메시를 이루는 금속 도체 세선(28)이 시인되기 어려워진다.

또, 제1 셀(30)의 개구율(금속 도체 세선(28)의 비점유율)이 동일한 경우, 선폭이 작아질수록, 하방 검출 전극(22)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 수가 증가하게 된다. 이에 따라, 하방 검출 전극(22)의 단선을 예방하는 효과가 높아진다. 특히, 제1 셀(30)의 개구율이 94.0% 이상으로 높은 경우, 금속 도체 세선(28)의 선폭(W1)을 5μm 이하로 함으로써, 단위 면적당 금속 도체 세선(28)의 개수를, 하방 검출 전극(22)의 단선을 효과적으로 예방할 수 있는 개수까지 증가시키는 것이 가능해진다.

또한, 금속 도체 세선(28)의 선폭(W1)이 과도하게 작으면, 그 금속 도체 세선(28) 자체의 굴곡성이 저하된다. 이로 인하여, 적층 도전 시트(16)를 3차원 곡면체로 할 때에 단선이 발생할 가능성이 있다. 이 가능성을 저감시키기 위하여, 금속 도체 세선(28)의 선폭(W1)을 1μm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 선폭(W1)이 이 정도인 경우, 하방 검출 전극(22)에 충분한 도전성을 확보할 수도 있다.

도 1 및 도 3에서는 마름모형의 예를 기재하고 있지만, 제1 셀(30)은, 정사각형, 육각형이나 삼각형 등, 다른 다각형으로 구성된 정형 패턴이어도 된다. 또는, 형상이나 사이즈가 랜덤인 랜덤 셀끼리가 연속됨으로써 형성된 랜덤 메시 전극으로 이루어지는 것(랜덤 패턴)이어도 된다.

제1 셀(30)이 랜덤 셀인 경우의 하방 검출 전극(22)에 대하여, 그 일례를 도 4에 나타낸다. 이 경우, 해칭으로 나타낸 제1 셀(30)은, 꼭지점(V1 및 V2)을 직선으로 연결하는 금속 도체 세선(28p)과, 꼭지점(V2 및 V3)을 직선으로 연결하는 금속 도체 세선(28q)과, 꼭지점(V3 및 V4)을 직선으로 연결하는 금속 도체 세선(28r)과, 꼭지점(V4 및 V1)을 직선으로 연결하는 금속 도체 세선(28s)으로 형성되어, 다각형 형상을 이루고 있다. 그 외의 셀(제1 셀(30))도 마찬가지로, 다각형 형상을 나타내고 있다. 이와 같이, 랜덤 메시 전극은, 셀의 형상 또는 사이즈가 서로 상이하며, 주기성(규칙성 내지 통일성)이 낮은 것을 말한다.

또한, 랜덤 패턴은, 예를 들면, 보로노이 분할법이나, 들로네 삼각형 분할법에 의하여 형상을 설정할 수 있다. 랜덤 패턴을 설정하기 위한 구체적인 작업 등은, 일본 공개특허공보 2013-54619호의 단락 <0080>~<0083>에 상세하게 설명되어 있다.

랜덤 메시 전극에 있어서의 셀 사이즈의 상이, 즉, 랜덤률은 바람직하게는 2~20%이며, 보다 바람직하게는 4~10%이다. 더 바람직하게는 6~8%이다. 여기에서, 랜덤률이란, 랜덤 메시 패턴을 구성하는 임의의 30개의 제1 셀(30)을 추려 내고, 각 제1 셀(30)의 한 변의 길이(Ld) 중, 최댓값을 Ldmax, 최솟값을 Ldmin, 평균값을 Ldave로 했을 때, 하기 (2) 식 및 (3) 식으로 구해지는 값 중, 큰 쪽의 값을 각 셀에서 추출하고, 30개의 평균값을 취한 것이라고 정의한다.

(Ldmax-Ldave)/Ldave×100 …(2)

(Ldave-Ldmin)/Ldave×100 …(3)

랜덤률이 2% 미만이 되면, 각 제1 셀(30)의 셀 사이즈가 거의 동일해져, 복수의 제1 셀(30)의 배열에 의한 무아레의 억제 효과가 낮아진다. 반대로, 랜덤률이 20% 초과가 되면, 하방 검출 전극(22)의 저항값에 편차가 발생하여, 검출 감도가 저하되어 버릴 가능성이 있다. 또, 표시 화면에 입상(粒狀)의 노이즈감을 발생시킬 가능성이 있다.

이상과 같이 구성되는 하방 검출 전극(22)의 평균 셀 피치(P1)(제1 금속 메시의 평균 메시 피치/도 3 참조)는 100~500μm인 것이 바람직하고, 100~400μm인 것이 더 바람직하다. 여기에서, 하방 검출 전극(22)의 평균 셀 피치(P1)는, 하방 검출 전극(22)이 연장되는 x방향의 제1 셀(30)의 최대의 길이를 임의의 30개의 셀에서 측정하여, 그 평균 길이로 정의된다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 각 하방 검출 전극(22)의 일단부에는, 제1 결선부(32)를 통하여, 주변 배선인 제1 단자 배선부(34)가 전기적으로 접속된다. 이와 같이, 제1 결선부(32)를 마련함으로써, 제1 단자 배선부(34)로부터 하방 검출 전극(22)으로의 전류의 흐름이 원활해지고, 터치 패널(14)의 감도가 향상되는 효과가 있다. 또한, 제1 결선부(32)를 마련하지 않고, 하방 검출 전극(22)과, 주변 배선인 제1 단자 배선부(34)를 직접 전기적으로 접속하는 구성이어도 된다.

제1 단자 배선부(34)는, 제2 방향(y방향)을 따라 연장되는 1변의 대략 중앙부를 향하여 인회(引回)되고, 제1 단자부(35)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 단자부(35)는, 도시하지 않은 상기 제어 회로에 전기적으로 접속된다.

주변 배선 영역은, 제1 단자 배선부(34)가 형성된 영역 내를 말한다. 즉, 모든 제1 단자 배선부(34)는 주변 배선 영역 내에 형성되어 있다. 후술하는 제2 단자 배선부(36)에 대해서도 동일하다.

도 1에는, 원으로 둘러싼 부분의 확대도를 함께 나타내고 있다. 이 확대도로부터 이해되는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서, 제1 단자 배선부(34)는, 동일 형상의 제2 셀(38)이 복수 개 연결된 제2 금속 메시에 의하여 형성되어 있다. 제1 단자 배선부(34)는, 정형 패턴을 나타내고 있다. 또한, 제1 결선부(32)를 마련하는 경우, 그 제1 결선부(32)도 제2 금속 메시에 의하여 형성되어 있다. 제1 결선부(32)의 메시 셀 형상은, 제2 셀(38)과 동일 형상이어도 되고, 상이해도 된다.

제2 셀(38)은, 예를 들면, 평행 사변형 형상을 이루고, 전형적으로는, 4변의 길이가 동일한 마름모형 형상을 이룬다. 이 경우, 가로로 긴 마름모형에 한정되는 것은 아니고, 세로로 긴 마름모형이어도 되는 것은 물론이다.

도 5에 있어서는 마름모형의 예를 들고 있지만, 제2 셀(38)은, 사각형, 육각형이나 삼각형 등, 다른 다각형으로 구성된 정형 패턴이어도 된다. 제2 셀(38)의 형상은, 저항값이 저감되는 것을 목적으로 하여, 마름모형, 정사각형 또는 정삼각형으로 하는 것이 바람직하다. 주변 배선부에서는, 투과율, 표시 장치의 화소 패턴과의 무아레 등, 시인성에 관한 규제를 받지 않는다. 따라서, 제2 셀(38)을 이와 같은 형상으로 해도, 투과율이 저감되거나 무아레가 발생하거나 할 우려는 없다.

제2 금속 메시 패턴으로 이루어지는 제1 결선부(32) 및/또는 제1 단자 배선부(34)(제2 금속 메시 패턴/제2 셀(38))는, 하방 검출 전극(22)(제1 금속 메시 패턴/제1 셀(30))을 형성할 때에 동시에 형성된다. 이 경우, 제2 셀(38)을 구성하는 제2 금속 메시는, 제1 셀(30)을 구성하는 제1 금속 메시와 동일 재료의 금속 도체 세선으로 이루어진다. 따라서, 금속 도체 세선의 막두께도 제1 셀(30)(제1 금속 메시)과 제2 셀(38)(제2 금속 메시)에서 동일해지는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, "동일 재료"란, 금속 도체 세선을 형성하는 주요 금속이 동일하다는 의미가 아니라, 금속 도체 세선에 포함되는 바인더, 합금을 형성하는 금속의 종류와 비율 등, 금속 도체 세선에 포함되는 각 성분이나 그 조성비 모두가 동일한 것을 의미한다. 또, 본 명세서에 있어서, "막두께가 동일하다"란, 막두께가 실질적으로 동일한 것을 의미한다. 구체적으로는, 막두께의 차가 5% 이내인 경우로서 정의된다.

또, 금속 도체 세선의 선폭도 제1 셀(30)(제1 금속 메시)과 제2 셀(38)(제2 금속 메시)에서 대략 동일해지는 것이 바람직하다. 따라서, 이 경우, 제1 셀(30)(제1 금속 메시)의 금속 도체 세선의 선폭이, 예를 들면, 4μm로 설정되었을 때에는, 제2 셀(38)(제2 금속 메시)의 금속 도체 세선의 선폭도 4μm가 된다. 본 명세서에 있어서, "선폭이 동일하다"란, 선폭이 실질적으로 동일한 것을 의미한다. 구체적으로는, 선폭의 차가 0.5μm 이내인 경우로서 정의된다.

그리고, 제1 셀(30)을 형성할 때에 제1 결선부(32) 및 제1 단자 배선부(34)를 구성하는 제2 셀(38)을 동시에 형성하므로, 하방 검출 전극(22), 제1 결선부(32) 및 제1 단자 배선부(34)가 금속 도체 세선(28)으로 이음매 없이 연속된다(심리스가 된다). 이로 인하여, 하방 검출 전극(22)과 제1 결선부(32)의 경계, 및 제1 결선부(32)와 제1 단자 배선부(34)의 경계에 있어서의 금속 도체 세선(28)에, 3차원 성형 가공에 대한 충분한 강도가 부여된다.

또, 제1 결선부(32)를 마련하지 않고, 하방 검출 전극(22)과, 주변 배선인 제1 단자 배선부(34)를 직접 전기적으로 접속하는 구성인 경우에 있어서도, 제1 셀(30)을 형성할 때에 제1 단자 배선부(34)를 구성하는 제2 셀(38)을 동시에 형성하므로, 상기와 마찬가지로, 하방 검출 전극(22)과 제1 단자 배선부(34)가 금속 도체 세선(28)으로 이음매 없이 연속된다(심리스가 된다). 따라서, 이 경우에도, 하방 검출 전극(22)과 제1 단자 배선부(34)의 경계에 있어서의 금속 도체 세선(28)에, 3차원 성형 가공에 대한 충분한 강도가 부여된다.

또한, 제2 셀(38)의 선폭은, 제1 셀(30)과 마찬가지로 1μm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 충분한 굴곡성과 도전성을 확보하기 위해서이다.

또, 제2 셀(38)의 선폭은 10μm 이하로 하는 것이 바람직하다. 제2 셀(38)의 선폭과 제1 셀(30)의 선폭의 차가 10μm 이상이 되면, 금속 도체 세선(28)의 선폭이 변화되는 경계에 있어서 단선이 발생하기 쉬워질 가능성이 생각되기 때문이다.

제1 단자 배선부(34)의 평균 셀 피치(P2)(제2 금속 메시의 평균 메시 피치)는, 그 제1 단자 배선부(34)의 연장 방향을 따라 연속되는 제2 셀(38)의 최대의 길이를 임의의 30개의 셀에서 측정하여, 그 평균 길이로 정의된다.

제1 단자 배선부(34)의 평균 셀 피치(P2)는, 하방 검출 전극(22)의 평균 셀 피치(P1)에 비하여 작은 것이 바람직하다. 이로써, 제1 단자 배선부(34)의 저저항화를 도모할 수 있기 때문이다. 제1 단자 배선부(34)의 평균 셀 피치(P2)는, 10μm~50μm인 것이 바람직하다.

또한, 제1 단자 배선부(34)의 평균 셀 피치(P2)는, 하방 검출 전극(22)의 평균 셀 피치(P1)에 대하여, 1/n(n은 4 이상 20 이하의 자연수)이 되는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 하방 검출 전극(22)의 평균 셀 피치(P1)를 제1 단자 배선부(34)의 평균 셀 피치(P2)의 정수배로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 하방 검출 전극(22)을 구성하는 금속 도체 세선(28)과, 제1 단자 배선부(34)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 연속(연속성)을 손상시키지 않고, 하방 검출 전극(22)과 제1 단자 배선부(34)를 접속할 수 있다. 이로 인하여, 전류의 흐름이 원활해진다. 또한, 단선이 발생하기 어려운 효과도 있다.

한편, 제2 터치 패널용 도전 시트(12)의 제2 수지 필름(24)은, 제1 수지 필름(20)과 마찬가지로 투명체로 이루어진다. 투명체의 적합한 예로서는, 상기한 것을 들 수 있다.

제2 수지 필름(24)에 형성된 상방 검출 전극(26)은, 도 1 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 각각 제2 방향(y방향/길이 방향)으로 연장되는 복수의 띠 형상의 패턴을 갖는다. 상방 검출 전극(26)은, 제1 방향(제2 방향과 직교하는 방향: x방향)을 향하는 소정의 폭방향 치수를 갖고, 또한 복수 개가 그 x방향을 따라 병렬 배치되어 있다.

각 상방 검출 전극(26)도 하방 검출 전극(22)과 마찬가지로, 금속 도체 세선(28)끼리가 교차함으로써 형성된다. 이 교차에 따라, 금속 도체 세선(28)에 의하여 둘러싸이는 제3 셀(40)이 형성된다.

상방 검출 전극(26)의 메시 패턴은, 하방 검출 전극(22)과 마찬가지로 정형 패턴 또는 랜덤 패턴으로 할 수 있다. 그 중에서도, 하방 검출 전극(22)을 랜덤 패턴, 상방 검출 전극(26)을 정형 패턴으로 하는 형태가 바람직하다. 이 형태에 의하면, 표시 장치의 화소 패턴과의 무아레 및 색 노이즈의 양립이 가능해지기 때문이다. 또한, 제3 셀(40)에 있어서의 금속 도체 세선(28)의 바람직한 선폭, 바람직한 평균 셀 피치 및 그 이유는 제1 셀(30)과 동일하며, 따라서 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 각 상방 검출 전극(26)의 일단부에는, 제2 결선부(42)를 통하여 제2 단자 배선부(36)가 전기적으로 접속된다. 이와 같이, 제2 결선부(42)를 마련함으로써, 제2 단자 배선부(36)로부터 상방 검출 전극(26)으로의 전류의 흐름이 원활해지고, 터치 패널(14)의 감도가 향상되는 효과가 있다. 또한, 제2 결선부(42)를 마련하지 않고, 상방 검출 전극(26)과 주변 배선인 제2 단자 배선부(36)를 직접 전기적으로 접속하는 구성이어도 된다.

제2 결선부(42)를 마련한 구성에 대하여 설명하면, 예를 들면, 홀수열의 상방 검출 전극(26)의 제2 결선부(42)로부터 출발한 제2 단자 배선부(36)는, 제2 수지 필름(24)의, x방향을 따라 연장되는 오른쪽의 1변을 따르고, 또한 제1 단자부(35)측을 지향하도록 진로 변경된 후, 제2 수지 필름(24)을 사이에 두고 제1 단자부(35)의 근방에 마련된 우측 제2 단자부(44)에 전기적으로 접속되어 있다.

또, 짝수열의 상방 검출 전극(26)의 제2 결선부(42)로부터 출발한 제2 단자 배선부(36)는, 제2 수지 필름(24)의, x방향을 따라 연장되는 왼쪽의 한 변을 따르고, 또한 제1 단자부(35)측을 지향하도록 진로 변경된 후, 제2 수지 필름(24)을 사이에 두고 제1 단자부(35)의 근방에 마련된 좌측 제2 단자부(46)에 전기적으로 접속되어 있다.

제2 단자 배선부(36)도 제1 단자 배선부(34)와 마찬가지로, 금속 도체 세선(28)끼리가 교차함으로써 형성된다. 이 교차에 따라, 도 5 중에 원으로 둘러싼 부분을 확대하여 나타내는 바와 같이, 금속 도체 세선(28)에 의하여 둘러싸이는 제4 셀(48)이 형성된다. 또한, 제2 결선부(42)를 마련하는 경우, 그 제2 결선부(42)도, 금속 도체 세선(28)으로 형성된 메시에 의하여 형성되어 있다. 제2 결선부(42)의 메시 셀 형상은, 제4 셀(48)과 동일 형상이어도 되고, 상이해도 된다.

제2 단자 배선부(36)의 메시 패턴은, 제1 단자 배선부(34)와 마찬가지로 정형 패턴으로 할 수 있다. 또한, 제4 셀(48)에 있어서의 금속 도체 세선(28)의 바람직한 선폭, 바람직한 평균 셀 피치 및 그 이유는 제2 셀(38)과 동일하며, 따라서, 그 상세한 설명은 생략한다. 제1 단자 배선부(34)와 제2 단자 배선부(36)란, 기생 용량 저감을 위하여, 중첩되는 위치가 되지 않는 것이 바람직하다.

제1 수지 필름(20)과 제2 수지 필름(24)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 광학 접착층(OCA: Optical Clear Adhesive)(50)을 통하여 접합된다. 이때, 제1 수지 필름(20)은, 하방 검출 전극(22) 및 제1 단자 배선부(34) 등이 형성된 면이 하단면측이 되고, 제2 수지 필름(24)은, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36) 등이 형성된 면이 하단면측이 된다. OCA(50)의 막두께는 20μm~300μm가 바람직하고, 25μm~200μm가 보다 바람직하다.

또, 제2 수지 필름(24)의 상단면에, OCA(50)를 통하여 커버 렌즈(18)가 접합된다. 커버 렌즈(18)의 구성 재료는, 예를 들면, 유리, 강화 유리, 사파이어, 또는 폴리카보네이트(PC)나 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 수지 등을 적합하게 이용할 수 있다.

본 실시형태에 관한 터치 패널(14)에 있어서는, 예를 들면, 도 1 중에 파선(破線)으로 나타낸 굴곡선(C1 및 C2)을 따라, 센서 본체인 적층 도전 시트(16)가 굴곡된다. 또한, 적층 도전 시트(16)는, 굴곡선(C1 및 C2)으로부터 외측의 부분이 표시 장치측(도 1의 지면 안쪽)으로 굴곡되어 있다. 즉, 터치 패널(14)은, 굴곡에 의하여 2개의 측면이 형성됨으로써 오목 형상을 이루는 3차원 형상체이다.

상기의 굴곡 시에는, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 상방 검출 전극(26)의 일단부, 홀수열의 상방 검출 전극(26)으로부터 출발한 제2 단자 배선부(36)가 굴곡된다. 이 굴곡에 따라, 제1 수지 필름(20) 및 제2 수지 필름(24)의 굴곡 부위, 특히 그 굴곡 부위의 바깥 쪽이 연신된다.

상기한 바와 같이, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)는 금속 메시 패턴으로서 형성되어 있다. 따라서, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)는, 제2 수지 필름(24)이 연신하는 것에 추종하여 연신한다. 이로 인하여, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)에 단선이 발생하기 어렵다.

또한, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)가 제2 수지 필름(24)의 하단면에 위치하고 있으므로, 굴곡 부위에서는, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)는 내측에 면한다. 굴곡 부위에 있어서는, 내측 쪽이 외측에 비하여 연신량이 작다. 따라서, 이 경우, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)의 연신량이, 굴곡 부위의 외측에 위치하는 경우에 비하여 작아진다. 이와 같이 연신량이 작아지는 것도, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)의 단선 방지에 기여한다.

또, 도 1로부터 이해되는 바와 같이, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)의 연장 방향(y방향)은, 굴곡선 방향(x방향)에 대하여 경사져 있다. 또, 제3 셀(40) 및 제4 셀(48)에서는, 굴곡선(C1 및 C2)이 금속 도체 세선(28)에 대하여 경사지도록 교차한다. 이로 인하여, 제3 셀(40) 및 제4 셀(48)이 굴곡에 대하여 충분한 강도를 나타낸다. 즉, 단선되기 어려워진다.

금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 바람직한 경사 각도는 20°~70°이다. 이와 같은 각도로 함으로써, 더 단선하기 어려워진다. 특히, 25°~40°의 사이, 또는 50°~65°의 사이인 것이 더 바람직하다. 이와 같은 각도 범위에 있어서는, 단선 방지와 시인성의 향상의 양립이 가능하다.

여기에서, 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도란, 굴곡선(C1 및 C2)과 금속 도체 세선(28)이 교차하는 예각의 각도를 말한다. 예를 들면, 도 5에 나타내는 각도 θ가, 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C2)에 대한 경사 각도에 상당한다.

특히, 하방 검출 전극(22)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 제1 단자 배선부(34)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도를, 상기의 바람직한 경사 각도 범위 내에서 동일하게 하는 것이 바람직하다. 상방 검출 전극(26)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 제2 단자 배선부(36)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도에 대해서도 동일하다.

또한, 제1 결선부(32)를 마련하는 경우에는, 제1 결선부(32)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 하방 검출 전극(22)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 제1 단자 배선부(34)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도를, 상기의 바람직한 경사 각도 범위 내에서 동일하게 하는 것이 바람직하다. 제2 결선부(42)를 마련하는 경우에 있어서도 이와 마찬가지로, 제2 결선부(42)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 상방 검출 전극(26)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도와, 제2 단자 배선부(36)를 구성하는 금속 도체 세선(28)의 굴곡선(C1 및 C2)에 대한 경사 각도를, 상기의 바람직한 경사 각도 범위 내에서 동일하게 하는 것이 바람직하다.

이상과 같은 이유에서, 상방 검출 전극(26) 및 제2 단자 배선부(36)가 단선되는 것이 억제된다. 따라서, 제2 단자 배선부(36)가 단선되는 것에 기인하여 저항이 상승하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인하여, 검출 감도가 양호한 3차원 터치 패널(14)을 구성할 수 있다.

또한, 도 1에서는, 인접하는 하방 검출 전극(22)끼리의 사이, 및 인접하는 상방 검출 전극(26)끼리의 사이를 공백으로 하고 있지만, 인접하는 하방 검출 전극(22)끼리의 사이, 또는 상방 검출 전극(26)끼리의 사이 중 적어도 어느 한쪽에, 제1 응력 분산부를 배치하는 것이 바람직하다.

그 제1 응력 분산부는, 검출 전극(하방 검출 전극(22) 또는 상방 검출 전극(26)) 및 주변 배선(제1 단자 배선부(34) 또는 제2 단자 배선부(36))의 쌍방으로부터 절연되고, 검출 전극을 구성하는 제1 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는다. 여기에서, 금속 메시의 면밀도란, 어느 단위 면적에 있어서의 금속 메시를 구성하는 금속 도체 세선의 양으로서 나타나며, 상술한 (1) 식으로 나타낸 바와 같이, 금속 도체 세선의 체적 중량 밀도 α와, 금속 메시부의 금속 도체 세선 점유율과, 금속 도체 세선의 막두께를 곱함으로써 구할 수 있다. 면밀도를 동일하게 설정함으로써, 응력을 확산하는 효과를 갖는다. 본 명세서에 있어서, "면밀도가 동일하다"란, 면밀도가 실질적으로 동일한 것을 의미한다. 구체적으로는, 면밀도의 차가 5% 이내인 경우로서 정의된다.

제1 응력 분산부는, 검출 전극과 마찬가지로 금속 도체 세선이 교차하여 이루어지는 금속 메시에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 금속 메시를 형성하는 셀의 바람직한 형상은, 하방 검출 전극(22)끼리의 사이에 개재되는 것은 제1 셀(30)과 동일한 메시 형상이며, 상방 검출 전극(26)끼리의 사이에 개재되는 것은 제3 셀(40)과 동일한 메시 형상이다. 본 명세서에 있어서, "동일한 메시 형상"이란, 셀의 교차 각도, 피치 및 선폭이 동일한 것을 의미한다. 셀의 일부가 개구하고 있는(단선되어 있는) 형상이어도, 교차 각도, 피치 및 선폭이 동일하면 "동일한 메시 형상"으로서 정의된다. 도 8에, 상방 검출 전극(26)끼리의 사이에 제1 응력 분산부(52)를 개재한 일례를 나타낸다.

더 바람직한 제1 응력 분산부의 형태는, 그 제1 응력 분산부를 형성하는 금속 도체 세선이, 검출 전극(하방 검출 전극(22) 또는 상방 검출 전극(26))을 구성하는 금속 도체 세선(28)과 동일 재료인 것이다. 제1 응력 분산부를, 검출 전극을 구성하는 금속 도체 세선(28)과 동일 재료를 이용하여 구성하고, 또한 검출 전극과 동일한 메시 형상으로 함으로써, 상술한 응력 분산(확산)의 효과뿐만 아니라, 검출 전극의 패턴 가시성이나, 금속 도체 세선의 선 가시성을 저감시킬 수 있는 효과도 발생하므로 특히 바람직하다.

또한, 제1 응력 분산부의 금속 도체 세선의 재료 및 막두께를, 검출 전극을 구성하는 금속 도체 세선(28)과 동일하게 하고, 또한 제1 응력 분산부의 메시 형상을, 검출 전극을 구성하는 금속 메시와 동일하게 함으로써, 검출 전극과 면밀도가 동일한 제1 응력 분산부를 얻을 수 있다. 면밀도가 동일, 즉 면밀도의 차가 5% 이내에 들어가면, 제1 응력 분산부를 형성하는 금속 메시에 단선을 형성해도 된다.

제1 응력 분산부를 마련하는 경우에는, 주변 배선끼리의 사이에도 응력 분산부(제2 응력 분산부)를 마련하는 것이 더 바람직하다. 그 제2 응력 분산부는, 검출 전극(하방 검출 전극(22) 또는 상방 검출 전극(26)) 및 주변 배선(제1 단자 배선부(34) 또는 제2 단자 배선부(36))의 쌍방으로부터 절연되고, 주변 배선을 구성하는 제2 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는다. 면밀도의 정의는 상기한 바와 같고, 면밀도를 동일하게 설정함으로써 응력을 확산하는 효과가 얻어지는 것도 상기와 동일하다.

제2 응력 분산부는, 주변 배선과 마찬가지로 금속 도체 세선이 교차하여 이루어지는 금속 메시에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 금속 메시를 형성하는 셀의 바람직한 형상은, 제1 단자 배선부(34)끼리의 사이에 개재되는 것은 제2 셀(38)과 동일한 메시 형상이며, 제2 단자 배선부(36)끼리의 사이에 개재되는 것은 제4 셀(48)과 동일한 메시 형상이다.

더 바람직한 제2 응력 분산부의 형태는, 그 제2 응력 분산부를 형성하는 금속 도체 세선이, 주변 배선(제1 단자 배선부(34) 또는 제2 단자 배선부(36))을 구성하는 금속 도체 세선(28)과 동일 재료인 것이다. 제2 응력 분산부를, 주변 배선을 구성하는 금속 도체 세선과 동일 재료에 의하여 구성하고, 또한 주변 배선과 동일한 메시 형상으로 함으로써, 상술한 응력 확산의 효과뿐만 아니라, 주변 배선의 패턴 가시성이나, 금속 도체 세선의 선 가시성을 저감시킬 수 있는 효과도 발생하므로 특히 바람직하다.

또한, 제2 응력 분산부의 금속 도체 세선의 재료 및 막두께를, 주변 배선을 구성하는 금속 도체 세선과 동일하게 하고, 또한 제2 응력 분산부의 메시 형상을, 주변 배선을 구성하는 금속 메시와 동일하게 함으로써, 검출 전극과 면밀도가 동일한 제2 응력 분산부를 얻을 수 있다. 면밀도가 동일, 즉 면밀도의 차가 5% 이내에 들어가면, 제2 응력 분산부를 형성하는 금속 메시에 단선을 형성해도 된다.

이와 같이, 하방 검출 전극(22)끼리의 사이에 응력 분산부를 마련한 경우, 인접하는 제1 단자 배선부(34)끼리의 사이에도 응력 분산부를 마련하는 것이 더 바람직하다. 또, 상방 검출 전극(26)끼리의 사이에 응력 분산부를 마련한 경우, 인접하는 제2 단자 배선부(36)끼리의 사이에도 응력 분산부를 마련하는 것이 더 바람직하다. 도 9에, 상방 검출 전극(26)끼리의 사이에 제1 응력 분산부(52)를 개재하고, 또한 제2 단자 배선부(36)끼리의 사이에도 제2 응력 분산부(54)를 마련한 경우의 일례를 나타낸다.

또한, 도 9에서는, 이해를 용이하게 하기 위하여 응력 분산부(54)의 일부를 나타내고 있지만, 실제로는, 응력 분산부(54)는 주변 배선 영역의 전역에 걸쳐 형성되어 있다. 또, 응력 분산부(54)의 실제의 평균 셀 피치는, 제4 셀(48)과 동일하다.

이와 같은 응력 분산부(52 및 54)(제1 응력 분산부 내지 제2 응력 분산부)를 마련함으로써, 검출 영역 내지 주변 배선 영역에 있어서, 응력이 균일하게 분산하게 된다. 이로 인하여, 제1 수지 필름(20) 내지 제2 수지 필름(24)이 국소적으로 연신하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 단선이나 저항 상승을 더 억제할 수 있게 된다.

또한, 하방 검출 전극(22) 또는 상방 검출 전극(26) 중 적어도 어느 한쪽의 내부에, 응력 완화부를 형성하도록 해도 된다. 도 10에, 상방 검출 전극(26)의 일부를 연장 방향으로 절결(切欠)한 공백부에 의하여 응력 완화부(56)를 형성한 일례를 나타낸다.

이 경우, 제2 수지 필름(24)의, 상방 검출 전극(26)의 내부(응력 완화부)에 대응하는 부위가 연신하면, 그때 발생한 응력이 응력 완화부(56)에 의하여 완화된다. 이로 인하여 응력이 상방 검출 전극(26)을 전파(傳播)하는 것이 회피되므로, 상방 검출 전극(26)을 구성하는 금속 도체 세선(28)의 단선이 진행되는 것이 억제된다. 그 결과, 상방 검출 전극(26)의 저항 상승을 더 방지할 수 있는 응력 완화부의 폭은, 상방 검출 전극(26)의 전극폭에 대하여 20%~60%인 것이 바람직하다. 본 범위에 의하여, 보다 효과적으로 응력 완화가 가능하고, 금속 도체 세선의 단선을 방지할 수 있다.

또한, 도 10에 있어서는, 응력 완화부(56)가 공백부로 나타나 있지만, 응력 완화부(56)는, 금속 도체 세선(28)을 부분적으로 단선함으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하여, 응력 완화부(56)의 패턴 가시성을 방지하는 효과가 얻어진다. 부분적으로 단선할 때의 단선폭은, 5μm~30μm인 것이 바람직하다.

하방 검출 전극(22)을 형성하는 제1 터치 패널용 도전 시트(10)를, 도 8~도 10에 준거한 구성으로 하도록 해도 되는 것은 물론이다.

하방 검출 전극(22) 및 상방 검출 전극(26)은, 선폭이 좁은 메시 패턴을 얻기 위하여, 적합하게는, 포토리소그래피 프로세스를 사용한 에칭, 혹은 마이크로 콘택트 인쇄 패터닝법, 은염법 또는 음각 금속 입자 충전법에 의하여 형성할 수 있다. 대량의 패턴을 반복해서 얻기 위해서는, 은염법이 보다 바람직하다.

마이크로 콘택트 인쇄 패터닝법이란, 마이크로 콘택트 인쇄법을 이용하여 선폭이 좁은 패턴을 얻는 방법이다. 여기에서, 마이크로 콘택트 인쇄법은, 탄력성이 있는 폴리다이메틸실록세인의 스탬프를 이용하고, 싸이올 용액을 잉크로서 금속 기재에 접촉시켜 단분자막의 패턴을 제작하는 방법이다(Whitesides저, Angew. Chem. Int. Ed., 1998년 제37권 제550페이지 참조).

마이크로 콘택트 인쇄 패터닝법의 대표적인 프로세스는, 예를 들면, 이하와 같다. 즉, 먼저, 기재에 금속이 코팅된다(예를 들면, 은이 PET 기재에 스퍼터 코팅된다).

다음으로, 단분자막의 마스킹이, 금속이 코팅된 기재에 마이크로 콘택트 인쇄법을 이용하여 스탬핑된다. 그 후, 마스킹 아래의 패턴을 제거하고, 기재에 코팅된 금속이 에칭에 의하여 제거된다.

이상에 대하여, 그 구체적인 작업 등은, 일본 공표특허공보 2012-519329호의 단락 <0104>에 상세하게 설명되어 있다.

또, 음각 금속 입자 충전법은, 레지스트를 메시 형상으로 노광하여 메시 형상의 홈을 형성하고, 그 홈 안에 금속 입자를 분산한 잉크를 충전함으로써 금속 메시를 형성하는 방법이다. 예를 들면, 국제 공개공보 제2013/012260호에 기재되어 있는 방법이 적용 가능하다.

한편, 은염법은, 감광성 은염 함유층을 갖는 감광 재료를 노광 및 현상함으로써, 메시 형상을 이루는 금속 도체 세선(28)의 패턴을 얻는 것이다. 그 구체적인 작업 등은, 일본 공개특허공보 2009-4348호의 단락 <0163>~<0241>에 상세하게 설명되어 있다.

이와 같이 하여 하방 검출 전극(22)이나 제1 결선부(32), 제1 단자 배선부(34)가 형성된 제1 수지 필름(20)과, 상방 검출 전극(26)이나 제2 결선부(42), 제2 단자 배선부(36)가 형성된 제2 수지 필름(24)을, OCA(50)를 통하여 첩합하여, 적층 도전 시트(16)를 형성한다. 이때, 제1 수지 필름(20)을 사이에 두고 하방 검출 전극(22)과 상방 검출 전극(26)이 교차하도록 한다.

다음으로, 도 1에 나타내는 굴곡선(C1 및 C2)을 따라 적층 도전 시트(16)의 단부를 굴곡시킨다. 이를 위해서는, 예를 들면, 적층 도전 시트(16)를 가온하고 연화시켜, 연화 상태를 유지하면서 몰드를 사용하여 굴곡으로 성형하면 된다. 성형 방법으로서는, 압공 성형, 진공 성형, 열프레스 성형 등이 예시되지만, 압공 성형 및 진공 성형이 바람직하다.

또한, 굴곡시킨 적층 도전 시트(16)의 제2 수지 필름(24)에 대하여, OCA(50)를 통하여 커버 렌즈(18)를 첩합한다. 이로써, 3차원 형상체로서의 터치 패널(14)이 얻어진다. 이 터치 패널(14)이 OCA를 통하여 도시하지 않은 표시 장치에 접합됨으로써, 3차원 터치 패널 장착 표시 장치가 얻어지기에 이른다.

본 발명은, 상기한 실시형태에 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.

예를 들면, 이 실시형태에서는, 제1 수지 필름(20)에 하방 검출 전극(22)을 형성하는 한편, 제2 수지 필름(24)에 상방 검출 전극(26)을 형성하도록 하고 있지만, 도 11에 나타내는 바와 같이, 동일한 수지 필름(60)의 일면에 하방 검출 전극(22)을 형성하고 또한 그 이면에 상방 검출 전극(26)을 형성하도록 해도 된다. 이 경우, 상방 검출 전극(26)이 형성된 면과 커버 렌즈(18)를 OCA(50)를 이용하여 첩합하면 된다.

또는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 하방 검출 전극(22)과 상방 검출 전극(26)의 사이에 절연막(62)을 개재시키고, 또한 상방 검출 전극(26)이 형성된 수지 필름(60)과 커버 렌즈(18)를 OCA(50)를 이용하여 첩합하도록 해도 된다.

또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 편측에만 검출 전극(64)이 형성된 수지 필름(60)을, OCA(50)를 통하여 커버 렌즈(18)에 첩합하도록 해도 된다. 본 구성 시에는, 미국 특허출원 공개공보 제2012/0262414호 등에 개시되어 있는 교차부가 없는 전극 구성이 채용된다.

어느 쪽이든, 검출 전극이 굴곡 부위의 외측이 되도록 하여 굴곡을 행하도록 해도 된다.

[실시예 1]

[실시예 1, 2, 비교예 1~5]

이하의 방법에 따라, 터치 패널용 도전 시트(10 및 12)를 제작했다. 검출 전극은, 은으로 이루어지는 마름모형 형상의 메시 형상(도 5 참조)으로 하고, 선폭을 4μm, 셀 피치를 200μm로 설정했다. 한편, 단자 배선부(주변 배선)는, 은으로 이루어지는 마름모형 형상의 메시 형상으로 하고, 선폭을 4μm, 셀 피치를 20μm로 설정했다. 또, 결선부도, 은으로 이루어지는 마름모형 형상의 메시 형상으로 하고, 선폭을 4μm, 셀 피치를 20μm로 설정했다.

이들 검출 전극, 결선부 및 단자 배선부는, 막두께 100μm의 PET 필름 상에 스퍼터링에 의하여 성막한 막두께 100nm의 은 박막을, 포토리소그래피·에칭 방식에 의하여 패터닝함으로써 동시에 형성했다. 또한, 검출 전극, 결선부 및 단자 배선부의 막두께는 100nm였다. 또, 굴곡선(C1 및 C2)에 대하여, 메시를 형성하는 은선의 경사 각도를 60°로 설정했다. 이때의 검출 전극의 메시의 개구율은, 95.4%였다.

그 후, 터치 패널용 도전 시트(10 및 12)를, 도 2에 나타내는 바와 같이, 3M사제의 OCA #8146-2(막두께 50μm)를 이용하여 첩합하여, 적층 도전 시트를 제작했다. 또한, 열프레스 성형에 의하여, 그 적층 도전 시트의 단부를, 굴곡선(C1 및 C2)으로 곡률 반경 2.0mm로 하여 검출 전극 및 단자 배선부가 내측이 되도록 굴곡하는 3차원 성형 가공을 실시했다. 그 후, 3M사제 OCA #8146-3(막두께 75μm)을 이용하여 막두께 0.3mm의 강화 유리를 적층 도전 시트 상에 첩합하여, 도 2의 이른바 좁은 프레임의 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 1로 한다.

결선부를 마련하지 않고, 검출 전극과 단자 배선부를 직접 전기적으로 접속한 구성으로 변경한 것 이외에는 실시예 1에 준거하여, 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 2로 한다.

또, 단자 배선부를, 메시 형상이 아닌, 선폭 30μm의 1개의 폭이 넓은 선 형상, 즉, 이른바 중실(中實) 도색 형상으로 한 것을 제외하고는 실시예 1에 준거하여, 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 비교예 1로 한다.

또한, PEDOT/PSS로 이루어지는 검출 전극을, 메시 형상이 아닌 1개의 폭이 넓은 선 형상으로 하여 형성했다. 또, 메시 형상을 이루는 결선부 및 단자 배선부를 PEDOT/PSS에 의하여 형성했다. 이상을 제외하고는 실시예 1에 준거하여, 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 비교예 2로 한다. 또한, PEDOT/PSS는, 폴리스타이렌설폰산(PSS)이 도프된 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)(PEDOT)으로서 주지이다.

그리고, 검출 전극을, 막두께 150nm인 구리에 의하여 형성된 것을 제외하고는 실시예 1에 준거하여 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 비교예 3으로 한다. 즉, 비교예 3의 터치 패널은, 검출 전극이 구리로 이루어지고, 결선부 및 주변 배선이 은으로 이루어진다. 요컨대, 검출 전극과 주변 배선이 서로 이종(異種) 금속이다.

또한, 바인더를 포함하는 은페이스트에 의하여 단자 배선부를 형성하고, 그 단자 배선부의 막두께를 10μm, 선폭을 10μm로 한 것을 제외하고는 실시예 1에 준거하여 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 비교예 4로 한다.

비교예 4의 터치 패널은, 검출 전극 및 결선부가 순은인 것에 대하여, 주변 배선이 바인더를 포함하는 은으로 이루어진다. 요컨대, 검출 전극 및 주변 배선은 기둥재가 은이지만, 주변 배선은 바인더를 포함하고 있고, 이 점에서, 검출 전극 및 주변 배선과 동일 재료는 아니다. 또, 주변 배선의 막두께도, 검출 전극 및 주변 배선과 상이하다.

또한, 검출 전극 및 단자 배선부의 쌍방을, 도 14에 나타내는 대략 정사각형 형상의 메시로 하고 또한 선폭을 10μm로 했다. 검출 전극 및 단자 배선부의 선폭은 모두 4μm로 하고, 검출 전극의 셀 피치는 200μm, 단자 배선부의 셀 피치는 20μm로 설정했다. 그 이외에는 실시예 1에 준거하여 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 비교예 5로 한다. 또한, 이때의 검출 전극의 메시의 개구율은 96.0%였다.

이 비교예 5에서는, 굴곡선(C1 및 C2)과, 메시를 형성하는 은선이 평행 또한 수직인 관계에 있다. 즉, 은 세선의 연장 방향은, 굴곡선(C1 및 C2)에 대하여 경사져 있지 않다.

그리고, 각 터치 패널에 대하여, 단선 고장과 터치 패널의 감도, 전극의 시인성에 대하여 평가했다. 결과를, 표 1에 정리하여 나타낸다. 또한, 단선 고장은, 단선이 확인되지 않고 또한 전극 저항이 작아 우수한 경우를 "AA", 단선이 확인되지 않고 또한 전극 저항이 약간 높지만 실용상 문제가 없는 정도인 경우를 "A", 단선은 확인되지 않지만 전극 저항이 실용상 허용될 수 없는 정도인 경우를 "B", 단선이 많이 확인되어, 실용에 제공할 수 없는 경우를 "C"로 평가했다. 표 1에는, 단선이 발생한 개소도 함께 나타내고 있다.

[표 1]

또, 감도는, 조작(터치)을 행하여, 매우 우수한 경우를 "AA", 특별히 문제가 없고 양호한 경우를 "A", 감도가 실용상 허용될 수 있는 정도인 경우를 "B", 감도가 실용상 허용될 수 없는 정도, 또는 감지할 수 없는 개소가 있는 경우를 "C"로 평가하고 있다.

또한, 전극의 시인성에 대해서는, 전극을 시인할 수 없고 또한 무아레가 확인되지 않는 매우 우수한 레벨을 "AA", 전극이 시인되기는 하지만 무아레가 확인되지 않아 양호한 레벨을 "A", 전극이 시인되며 또한 무아레가 약간 확인되지만 실용상 문제가 없는 레벨을 "B", 전극이 시인되고 또한 무아레가 허용 범위를 넘는 레벨을 "C"로 평가하고 있다.

표 1로부터, 선폭을 5μm 이하로 하고, 또한 검출 전극 및 주변 배선의 쌍방을 메시 형상으로 하며, 굴곡선(C1 및 C2)에 대하여, 메시를 형성하는 금속 도체 세선을 경사시킴으로써, 단선이 확인되지 않고 또한 감도가 우수하며, 게다가 시인성이 양호한 터치 패널이 얻어지는 것이 명확하다. 또, 실시예 2로부터, 결선부를 마련하지 않고 검출 전극에 단자 배선부를 연속시킨(직접 접속한) 구성에 있어서도, 실시예 1과 동등한 효과가 얻어지는 것을 알 수 있었다.

[실시예 3~6]

인접하는 검출 전극끼리의 사이에, 검출 전극을 구성하는 은 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 스퍼터 은 박막으로 구성된 은 메시(선폭 4μm, 피치 200μm, 막두께 100nm)로 이루어지는 응력 분산부를 개재시킨(도 8 참조) 것을 제외하고는 실시예 1에 준거하여 도전 시트를 제작하고, 또한 그 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 3으로 한다.

인접하는 검출 전극끼리의 사이에 응력 분산부를 개재시켰던 것에 더하여, 인접하는 단자 배선부끼리의 사이에, 주변 배선을 구성하는 은 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 스퍼터 은 박막에 의하여 구성된 은 메시(선폭 4μm, 피치 20μm, 막두께 100nm)로 이루어지는 응력 분산부를 개재시켰다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 도 9에 나타내는 도전 시트를 제작하고, 또한 그 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 4로 한다.

전극폭 4.0mm의 검출 전극의 내부에 폭 2.0mm의 응력 완화부를 마련한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도 10에 나타내는 도전 시트를 제작했다. 그 후, 그 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 5로 한다.

전극폭 4.0mm의 검출 전극의 내부에, 은 세선을 폭 15μm로 부분적으로 단선시킨 폭 2.0mm의 응력 완화부를 마련한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 도전 시트를 제작했다. 그 후, 그 도전 시트로부터 터치 패널을 제작했다. 이를 실시예 6으로 한다.

이상의 실시예 3~6의 각 터치 패널에 대해서도, 단선 고장과 터치 패널(14)의 감도, 전극의 시인성에 대하여 평가했다. 결과를, 표 1에 함께 나타낸다. 또한, 단선 고장, 감도 및 전극의 시인성에 관한 평가 랭크 "AA"~"C"의 구체적인 평가 내용에 대해서는 상술한 바와 같다.

표 1로부터, 실시예 3~6 모두, 단선이 확인되지 않고 또한 감도가 우수하며, 게다가 시인성이 양호한 터치 패널인 것을 알 수 있다. 특히, 실시예 3, 4 및 6은, 시인성이 특히 양호했다. 이 이유는, 실시예 3, 4 및 6에서는, 응력 분산부를 개재시킴으로써 응력이 균일하게 분산되도록 되므로, 수지 필름이 국소적으로 연신하는 것이 방지되기 때문이다. 또, 실시예 5 및 6에서는, 검출 전극의 내부에 응력 완화부를 마련함으로써, 수지 필름이 연신할 때에 발생하는 응력이 완화되기 때문이다. 또한, 실시예 3, 4 및 6은, 메시가 터치 패널 전체에 존재하기 때문에, 검출 전극의 패턴을 확인하지 못하여 시인성이 우수하다.

이상으로부터, 응력 분산부를 마련하거나, 검출 전극의 내부에 응력 완화부를 마련하거나 함으로써, 단선 방지, 감도의 향상, 및 전극의 시인성이 더 양호해지는 것을 알 수 있다.

[실시예 7~14]

굴곡선(C1 및 C2)에 대한 메시를 형성하는 은 세선의 경사 각도를, 실시예 1의 터치 패널의 60°에서, 10°, 22.5°, 30°, 37.5°, 45°, 52.5°, 67.5° 또는 80° 중 어느 하나로 변경하여 터치 패널을 제작했다. 각각을, 실시예 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 및 14로 한다.

이상의 실시예 7~14의 각 터치 패널에 대해서도, 단선 고장과 터치 패널의 감도, 전극의 시인성에 대하여 평가했다. 결과를, 표 1에 함께 나타낸다. 또한, 단선 고장, 감도 및 전극의 시인성에 관한 평가 랭크 "AA"~"C"의 구체적인 평가 내용에 대해서는 상술한 바와 같다.

표 1로부터, 실시예 7~14 모두, 단선이 확인되지 않고 또한 감도도 충분하며, 게다가 시인성도 문제가 없는 터치 패널인 것을 알 수 있다. 특히, 경사 각도가 20°~70°의 범위에 있는 실시예 8~13은, 실시예 1과 마찬가지로, 단선이 확인되지 않고, 또한 전극 저항도 작아 우수하며, 터치 패널의 감도도 양호했다. 또한, 경사 각도가 25°~40°, 또는 50°~65°의 범위에 있는 실시예 9, 10 및 12는, 실시예 1과 마찬가지로 시인성도 양호했다.

10…제1 터치 패널용 도전 시트
12…제2 터치 패널용 도전 시트
14…터치 패널
16…적층 도전 시트
18…커버 렌즈
20…제1 수지 필름
22…하방 검출 전극
24…제2 수지 필름
26…상방 검출 전극
28, 28p~28s…금속 도체 세선
30…제1 셀
32…제1 결선부
34…제1 단자 배선부
35…제1 단자부
36…제2 단자 배선부
38…제2 셀
40…제3 셀
42…제2 결선부
44…우측 제2 단자부
46…좌측 제2 단자부
48…제4 셀
50…광학 접착층(OCA)
52, 54…응력 분산부
56…응력 완화부
60…수지 필름
62…절연막
64…검출 전극

Claims (16)

1. 검출 영역에 배치된 복수의 검출 전극과, 주변 배선 영역에 배치되어 상기 검출 전극을 단자부에 전기적으로 접속하기 위한 복수의 주변 배선이 형성된 수지 필름을 갖고, 또한 상기 수지 필름이 굴곡부를 갖는 3차원 형상을 이루는 터치 패널용 도전 시트로서,
   상기 검출 전극이, 금속 도체 세선이 교차하여 구성된 그물 형상의 제1 금속 메시로 이루어지고,
   상기 주변 배선이, 상기 검출 전극을 이루는 상기 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성된 그물 형상의 제2 금속 메시로 이루어지며,
   또한 상기 제1 금속 메시의 선폭이 5μm 이하이고, 상기 제1 금속 메시 및 상기 제2 금속 메시를 구성하는 상기 금속 도체 세선의 연장 방향이 상기 수지 필름의 상기 굴곡부의 굴곡선 방향에 대하여 20°~70°의 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 도전 시트.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 수지 필름이, 상기 검출 전극 또는 상기 주변 배선 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 영역에 상기 굴곡부를 갖는 터치 패널용 도전 시트.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 제2 금속 메시의 평균 메시 피치가, 상기 제1 금속 메시의 평균 메시 피치에 비하여 작은 터치 패널용 도전 시트.
4. 청구항 3에 있어서,
   상기 제2 금속 메시의 평균 메시 피치가 10~50μm인 터치 패널용 도전 시트.
5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 제1 금속 메시와 상기 제2 금속 메시의 선폭이 동일한 터치 패널용 도전 시트.
6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 검출 영역에 있어서, 적어도 인접하는 상기 검출 전극끼리의 사이에, 상기 검출 전극 및 상기 주변 배선의 쌍방으로부터 절연되고, 상기 제1 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는 제1 응력 분산부를 갖는 터치 패널용 도전 시트.
7. 청구항 6에 있어서,
   상기 제1 응력 분산부가 상기 검출 전극을 구성하는 상기 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성되어, 상기 제1 금속 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 금속 메시로 이루어지는 터치 패널용 도전 시트.
8. 청구항 6에 있어서,
   상기 주변 배선 영역에 있어서, 적어도 인접하는 상기 주변 배선끼리의 사이에, 상기 검출 전극 및 상기 주변 배선의 쌍방으로부터 절연되고, 상기 제2 금속 메시와 동일한 면밀도를 갖는 제2 응력 분산부를 갖는 터치 패널용 도전 시트.
9. 청구항 8에 있어서,
   상기 제2 응력 분산부가 상기 주변 배선을 구성하는 상기 금속 도체 세선과 동일 재료의 금속 도체 세선이 교차하여 구성되어, 상기 제2 금속 메시와 동일한 메시 형상을 이루는 금속 메시로 이루어지는 터치 패널용 도전 시트.
10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 검출 전극 중 적어도 하나의 내부에는, 상기 검출 전극을 구성하는 상기 금속 도체 세선이 단선된 응력 완화부가 형성되어 있는 터치 패널용 도전 시트.
11. 청구항 10에 있어서,
    상기 응력 완화부는, 상기 검출 전극을 구성하는 상기 금속 도체 세선을 부분적으로 단선함으로써 형성되어 있는 터치 패널용 도전 시트.
12. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 금속 메시의 형상이 랜덤 패턴인 터치 패널용 도전 시트.
13. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 금속 메시의 형상이 정형 패턴인 터치 패널용 도전 시트.
14. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 필름이, 상기 검출 전극 및 상기 주변 배선이 형성된 면을 내측으로 하여 굴곡됨으로써 3차원 형상을 이루고 있는 터치 패널용 도전 시트.
15. 청구항 1에 기재된 터치 패널용 도전 시트를 구비하는 정전 용량식 터치 패널.
16. 삭제

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