KR101833155B1 - 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 - Google Patents

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마이클 스키너
한스-요아힘 바르스
피터 바움가르트너
해럴드 고스너
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인텔 코포레이션
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    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48481—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a ball bond, i.e. ball on pre-ball
    • H01L2224/48482—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a ball bond, i.e. ball on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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    • H01L2224/81007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the bump connector during or after the bonding process
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8114—Guiding structures outside the body
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/8185—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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Abstract

플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스의 실시예들 및 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 기판에 장착시키는 방법의 실시예들이 개시된다. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스는 기판 및 상기 기판의 표면에 대해서 실질적으로 수직하게 배향되게 상기 기판에 연결된 플렉시블한 집적 회로 다이를 포함한다.

Description

플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이{FLEXIBLY-WRAPPED INTEGRATED CIRCUIT DIE}
본 명세서에서 기술되는 실시예들은 전반적으로 집적 회로들에 관한 것이다. 일부 실시예들은 집적 회로 본딩에 관한 것이다.
제조자들이 전자 디바이스들의 크기를 감소시키고자 함에 따라서, 이 디바이스의 전자소자들이 보다 조밀하게 되도록 하기 위해서 집적 회로 다이들을 결합시키는 방식들을 찾을 수 있다. 다수의 집적 회로 다이들을 연결시키는 하나의 통상적인 방식은 다이들의 층들 간에서 회로들을 연결시키는 비아들을 사용하여서 다이들을 층들로서 수직으로 적층하는 것일 수 있다. 이러한 방식에서는 하부 기판의 회로들에서 생성되는 열이 적층된 다이들을 통해서 위로 전파될 수 있다. 이러한 열은 상부 층의 다이들의 회로들에 의해 이미 생성된 열에 더해져서 상부 층의 다이들의 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
다른 방식은 다이들을 나란하게 배치시키고 와이어 본딩을 사용하여서 다이들 간의 회로를 연결시키는 것일 수 있다. 이러한 방식에서는 본딩 와이어가 길어져서 본딩 와이어 파손에 보다 민감하고 전체 패키지 크기가 커질 수 있다.
상대적으로 작은 패키지에서 다수의 집적 회로들을 결합시키기 위한 보편적인 필요가 존재한다.
도 1은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 실시예를 예시한다.
도 2는 집적 회로 다이들의 스택을 둘러서 형성된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 실시예를 예시한다.
도 3은 안테나를 갖는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 실시예를 예시한다.
도 4는 차폐부를 갖는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 실시예를 예시한다.
도 5는 에지 연결부들을 갖는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 실시예를 예시한다.
도 6은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 다른 기판에 연결하기 위한 방법의 실시예를 예시한다.
도 7(a) 내지 도 7(d)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 상의 적층된 스터드 연결부의 실시예들을 예시한다.
도 8은 정렬 필라들의 실시예를 예시한다.
다음의 설명 및 도면들은 특정 실시예들을 본 기술 분야의 당업자가 실시하는 것을 가능하게 하도록 이러한 특정 실시예들을 충분하게 예시하고 있다. 다른 실시예들은 구조적, 논리적, 전기적 프로세스 및 다른 변경사항들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들의 부분들 및 특징들은 다른 실시예들의 부분들 및 특징들 내에 포함되거나, 다른 실시예들의 부분들 및 특징들로 대체될 수 있다. 청구항들에서 제시되는 실시예들은 이러한 실시예들의 모든 가용한 균등사항들을 포함한다.
다음의 설명은 집적 회로 다이들에 관한 것이다. 용어 집적 회로 다이는 전기적 회로들뿐만 아니라 이 전기적 회로를 장착시키는데 사용되는 임의의 막, 기판(예를 들어서, 실리콘 기판), 및/또는 다른 재료를 말할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 집적 회로 다이는 전기적 회로를 장착시키기 위한 기판, 막 및/또는 임의의 다른 재료 상에 형성되거나 이의 일부로서 형성되는 전기적 회로를 포함할 수 있다.
다수의 집적 회로 다이들은 층형 구조로 집적 회로 다이들을 수직으로 적층함으로써 결합될 수 있다. 이어서, 집적 회로 다이들은 비아들을 사용하여서 제 1 층 상의 회로들을 상기 제 1 층 위 및/또는 아래에 있는 다른 층들 상의 회로들에 연결시킬 수 있다.
이러한 배향은 하부의 집적 회로 다이 상에서 동작하는 회로들로부터 발생하는 열이 상부의 집적 회로 다이들로 전파되는 결과를 낳을 수 있다. 이러한 추가된 열이 상부의 집적 회로 다이들의 동작 중인 회로들의 열에 더해지면, 열과 관련된 문제들이 발생하고 상부의 집적 회로 다이들 내의 회로 요소들의 고장률이 증가할 수 있다.
이러한 문제들은 하나 이상의 수평으로 배향된 집적 회로 다이들 주변에 상대적으로 얇은 수직으로 배향된 집적 회로 다이를 랩핑(wrapping)함으로써 저감될 수 있다. 예를 들어서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 두께를 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이가 휘어질 수 있도록 하는 두께(예를 들어서, Si 다이들의 경우에는, 50 ㎛ 미만의 두께; 다른 다이 또는 다이 기판체들의 경우에는, 상이한 두께 상한치가 적용될 수 있음)로 감소시킴으로써, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이는 하나 이상의 수평으로 배향된 집적 회로 다이들의 에지들을 둘러서 수직으로 배향되게 본딩될 수 있다. 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 상의 회로들에 의해서 발생하는 열은 상향으로 방출되어서 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)로부터는 멀어지게 될 수 있다.
본 명세서에서는 수직으로 배향된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 및 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(및 상기 다이(들)가 부착된 기판)가 참조되지만, 본 발명의 실시예들은 2 개의 다이들 간의 정확하게 직교하는 관계로만 한정되지 않는다. 예를 들어서, 수직으로 배향된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이는 이 다이가 장착되는 기판 또는 패키지에 대해서 또는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이가 그 주변을 랩핑할 수 있는 집적 회로 다이(들)에 대해서 90°가 아닌 다른 각도를 이룰 수 있다.
도 1은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100) 디바이스의 실시예를 예시한다. 이 디바이스는 기판 또는 패키지(115) 상에 장착된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 포함한다.
플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 이 다이가 호, 원형 세그먼트, 원, 타원, 또는 몇몇 다른 형상으로 형성되게 충분하게 휘어질 수 있도록 하는 감수된 두께를 가질 수 있다. 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 막, 기판(예를 들어서, 실리콘, 게르마늄), 또는 일부 다른 다이 재료 상에 형성되거나 이의 일부로서 형성되는 회로(예를 들어서, 트레이스들(traces), 비아들(vias), 전자적 구성요소들)를 포함할 수 있다.
상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 구조적 보호 기능, 환경적 보호 기능, 차폐 기능 및/또는 히트 싱크 기능 중 하나 이상을 제공할 수 있는 패키지(115) 내에 형성될 수 있다. 패키지(115)의 하단은 기판이거나 기판에 부착될 수 있다. 패키지(115)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100) 디바이스를 실질적으로 감쌀 수 있다.
도 1은 또한 일부 실시예들에서 수평으로 배향된 집적 회로 다이들이 사용될 수 없는 바를 예시한다. 예를 들어서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 실질적으로 수평으로 배향된 집적 회로 다이들 없이도 도시된 바와 같이 형성될 수 수도 있다. 일 실시예에서, 본딩 와이어들(121)이 수평으로 배향된 집적 회로 다이들의 회로들을 회로가 장착될 수 있는 기판 또는 패키지(115)로 연결시킬 수 있다.
플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 단부들이 서로 만나고 함께 연결될 수 있도록 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 완전한 회로로서 형성될 수 있다. 다른 실시예는 도 1에 도시된 갭과 같은, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 단부들 간에 갭을 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 하나 이상의 회로들이 완성될 필요가 있다면, 하나 이상의 본딩 와이어들(120)이 사용되어서 갭을 따라서 연장되어서 회로들을 연결할 수 있다. 다른 실시예에서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 단지 호 형태 또는 곡선 형태를 형성할 수도 있다.
다른 실시예에서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 세그먼트화된 기판체(예를 들어서, 복수의 연결된 보다 짧은 세그먼트들)를 포함할 수 있으며, 이 경우에 각 세그먼트는 개별적으로 휘어질 정도로는 충분하게 얇지는 않지만 집합적으로는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)와 같이 휘어질 수 있다. 다른 실시예는 초기에는 휘어지지만 이어서 호, 곡선 또는 원 형상으로 경화될 수 있는 집적 회로 다이(100)를 사용할 수 있으며, 상기 경화된 형상은 일단 목표된 형상으로 그리고 목표된 위치에 형성되면 더 이상 플렉시블하지는 않게 된다.
상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 일 측면부은 활성 측면부(111)일 수 있으며 다른 측은 비활성 측면부(110)일 수 있다. 상기 활성 측면부은 회로 트레이스들, 및/또는 회로 요소들(예를 들어서, 트랜지스터들, 상호접속부들, 커패시터들, 저항들, 로직 요소들)을 포함하는 다량의 전자 회로들을 포함할 수 있다. 비활성 측면부(110)은 소량의 전자 회로들을 포함할 수 있다.
도 2는 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(200)(예를 들어서, 집적 회로 다이들, 기판들, 및/또는 전기적 구성요소들의 스택) 둘레에 형성된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 실시예를 예시한다. 집적 회로 다이(들)(200)의 스택은 솔더 볼들(solder balls) 및 본딩 와이어들(205)을 통해서 전기적으로 그리고 기계적으로 서로 연결될 수 있다. 비아들은 상이한 층들의 다이들 및/또는 기판들의 회로들을 전기적으로 서로 연결할 수 있다. 패키지(115)의 하단이 회로를 갖는 기판을 포함하는 경우에, 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(200)는 이 회로에 하나 이상의 본딩 와이어들(205)을 통해서 연결될 수 있다.
플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 활성 측면부(111)상의 회로들은 하나 이상의 본딩 와이어들(203)에 의해서 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(200)에 연결될 수 있다. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 활성 측면부(111) 상의 회로들은 또한 하나 이상의 본딩 와이어들(121)에 의해서 기판 및/또는 패키지(115) 상의 회로들에 연결될 수 있다.
도 3은 안테나(300)를 갖는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 실시예를 예시한다. 안테나(300)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 비활성 측면부(110)(예를 들어서, 외측면부) 상에 장착될 수 있다. 안테나(300)는 비아 또는 점퍼 와이어(jumper wire)에 의해서 활성 측면부(111) 상의 회로들에 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나(300)는 또한 비아에 연결된 본딩 와이어(310)에 의해서 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(200)에 전기적으로 연결될 수 있다.
안테나(300)는 외측으로 신호를 방출하도록 구성되어서 수평으로 배향된 집적 회로 다이(들)(200)가 외란을 받지 않게 할 수 있다. 이러한 바는 안테나(300)와 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 비활성 측면부(110) 간에 차폐층을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(300)는 도 4에서 예시된 바와 같은 차폐부(400)의 일부이거나 이와 연결될 수 있다.
안테나(300)는 에칭 프로세스 또는 금속 증착 프로세스(metal deposition process)에 의해서 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100) 상에 형성된 금속일 수 있다. 안테나(300)는 또한 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 표면에 전기적으로 및/또는 기계적으로 본딩된 안테나 소자일 수 있다.
도 4는 차폐부(400, 401)를 갖는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 실시예를 예시한다. 상기 차폐부(400, 401)는 금속 차폐부이고 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 비활성 표면(110) 및 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 커버 상단부(401) 양자 상의 차폐부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 오직 비활성 표면(110)만이 차폐부(400)를 포함한다. 다른 실시예에서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 커버 상단부(401)만이 차폐부(401)를 포함한다. 도 3을 참조하여서 전술한 바와 같이, 상단 차폐부(401) 또는 측면부 차폐부(400) 중 어느 하나는 차폐부 재료 내에 형성된 안테나(300)를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 전술한 바와 같이, 패키지(115)에 비특정된 방식으로 접착, 솔더링 또는 본딩될 수 있다. 도 5는 에지 접속부들을 사용하여서 기판 또는 패키지(115)에 부착된 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 실시예를 예시한다.
예를 들어서, 복수의 솔더 영역부들(solder areas)(예를 들어서, 솔더 볼들)이 특정 패턴으로 기판 또는 패키지(115)의 상단 표면으로 부착될 수 있다. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 하부 에지는, 복수의 랜딩 패드들(landing pads)(501) 각각이 각 솔더 볼 영역부에 대응하도록 동일하게 특정 패턴으로 된 복수의 랜딩 패드들(501)을 가질 수 있다. 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 이어서 기판 또는 패키지(115)의 상단 표면 상에 또는 근처로 하강되며 이때에 대응하는 랜딩 패드들(501)은 각각 솔더 볼들(500)에 대응하게 된다. 조립체가 가열되면, 솔더 볼들(500)이 용융되고 이어서 냉각되어서 자신의 대응하는 랜딩 패드와 융합될 수 있으며, 이로써 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 기판 또는 패키지(115)에 부착되게 된다.
도 6은 기판 또는 패키지(115) 또는 다른 기판에 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 연결시키는 방법의 실시예를 예시한다. 튜브체(tube)(600)가 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 패키지(115)에 부착하는 동안에 임시적으로 또는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 기판 또는 패키지(115)에 영구적으로 본딩된 상태에서 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 실질적으로 감싸도록 사용될 수 있다. 튜브체(600)는 본딩 프로세스 동안에 발생할 수 있는 크랙들을 저감시키기 위해서 와이어 본딩 프로세스 동안에 사용될 수 있다.
상기 튜브체(600)는 튜브체가 히트 싱크 역할을 하게 하는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어서, 튜브체(600)가 금속 재료이거나 금속 재료로 표면이 코팅되어 있으면, 튜브체(600)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)에 기계적으로 연결될 수 있으며 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)로부터의 열을 그로부터 멀리 방출할 수 있다.
도 7(a) 내지 도 7(d)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100) 상에 적층된 스터드 연결부(stud connection)(705)를 생성하고 상기 적층된 스터드(705)와 수평으로 배향된 집적 회로 다이(710) 간에 본딩 와이어를 배치시키는 방법의 실시예들을 예시한다. 상기 적층된 스터드 연결부(705)는 와이어 본딩 프로세스의 복잡도를 감소시키고 신뢰도를 증가시킬 수 있는데, 그 이유는 이렇게 하면 와이어 본딩 메커니즘들이 오직 수직 방향으로만 이동하기만 하면 되기 때문이다. 그러나, 이러한 실시예는 오직 예시적인 목적을 위할 뿐이며, 다른 실시예에서는 와이어가 실질적으로 수평 방향으로도 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)에 본딩될 수 있다.
도 7(a)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 편평하게 놓는 초기 단계를 예시한다. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 복수의 솔더 패드들(700 내지 702)을 포함한다. 일 실시예에서, 복수의 솔더 패드들(700 내지 702)은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 활성 측면부(111) 상에 위치할 수 있다.
도 7(b)는 솔더 패드들(701) 중 하나 상에 형성된 복수의 솔더 볼들(예를 들어서, 솔더 범프들(solder bumps))의 스택(705)을 예시한다. 일 실시예에서, 금속 원통체 또는 단일 솔더 원통체(solder cylinder)가 복수의 솔더 볼들 대신에 사용될 수 있다.
도 7(c)는 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 실질적으로 수직으로 배향되고 실질적으로 수평으로 놓인 집적 회로 다이(710) 근처에 배치하는 바를 예시한다. 실질적으로 수평으로 놓인 집적 회로 다이(710)는 복수의 솔더 패드들(711, 712)을 포함한다.
도 7(d)는 본딩 와이어가 스택(705) 및 실질적으로 수평으로 놓인 집적 회로 다이(710) 상의 솔더 패드들(711) 중 하나에 부착되는 것을 예시한다. 와이어 본딩 프로세스는 솔더를 가열하고 와이어를 배치하고 솔더가 냉각되게 하는 잘 알려진 프로세스를 사용할 수 있다.
도 7(a) 내지 도 7(d)의 와이어 본딩 프로세스는 오직 예시적인 설명을 위한 것일 뿐이다. 다른 와이어 본딩 프로세스들이 사용될 수도 있다.
도 8은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 이 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 연결되는 기판 또는 패키지(115)에 정렬시키기 위한 정렬 필라들(alignment pillars)의 실시예를 예시한다. 상기 정렬 필라들은 패키지(115)의 코너들에 위치한 복수의 필라들(800 내지 803)을 포함할 수 있다. 다른 실시예들은 5 개 이상의 필라들(800 내지 803)을 그리고/또는 패키지(115)의 코너들이 아닌 다른 위치들에서 배치시킬 수 있다.
플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)를 다른 기판들 또는 패키지(115)에 본딩하는 본딩 프로세스 동안에, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)는 정렬 필라들(800 내지 803) 내에 위치될 수 있다. 이어서, 정렬 필라들(800 내지 803)은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 패키지(115)에 영구적으로 부착되기까지 상기 다이(100)를 제자리에서 유지시킬 수 있다. 예를 들어서, 도 5를 참조하면, 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)의 정확한 정렬이 솔더 볼들(500) 및 랜딩 패드들(501)를 배치해야 하기 때문에 요구될 수 있다. 필라들(800 내지 803)은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100)가 부착된 이후에 제거되거나 패키지(115) 상에 영구적으로 잔류할 수 있다.
상기 정렬 필라들(800 내지 803)이 영구적으로 잔류하는 경우에, 이 필라들은 정렬 이외의 다른 목적을 위해서 사용될 수 있다. 예를 들어서, 정렬 필라들(800 내지 803)은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이(100), 기판들, 또는 패키지(115)로부터 열을 제거하는 히트 싱크 역할을 할 수도 있다. 정렬 필라들(800 내지 803)은 또한 안테나들, 선택적 차폐부로서 사용되고/되거나 조립체 주변의 공기 흐름(예를 들어서, 냉각 팬 공기 흐름)을 변화시키는 역할을 할 수도 있다.
실례들
다음의 실례들은 다른 실시예들에 관한 것이다.
실례 1은, 기판; 및 상기 기판의 표면에 대해서 실질적으로 수직 배향으로 상기 기판에 연결된 플렉시블한 집적 회로 다이를 포함하는 집적 회로 다이 디바이스이다.
실례 2에서, 상기 실례 1의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이는 복수의 서로 연결된 세그먼트들을 포함하는 세그먼트화된 기판체(segmented substrate material)를 포함할 수 있다.
실례 3에서, 상기 실례 1 및 실례 2의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이는 활성 측면부 및 비활성 측면부를 포함할 수 있다.
실례 4에서, 상기 실례 1 내지 실례 3의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 활성 측면부는 상기 비활성 측면부에 비해서 추가적인 전자 회로들을 포함할 수 있다.
실례 5에서, 상기 실례 1 내지 실례 4의 청구 대상은 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이 상의 전자 회로들을 상기 기판 상의 회로들에 연결시키는 본딩 와이어들을 더 포함할 수 있다.
실례 6에서, 상기 실례 1 내지 실례 5의 청구 대상은 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이에 대해 실질적으로 수평 배향으로 상기 기판에 연결된 적어도 하나의 집적 회로 다이를 더 포함할 수 있으며, 상기 곡선형 집적 회로 다이는 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이의 외연의 적어도 일부를 랩핑할 수 있다.
실례 7에서, 상기 실례 1 내지 실례 6의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이 상의 전자 회로들은 하나 이상의 본딩 와이어들에 의해서 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이에 연결될 수 있다.
실례 8에서, 상기 실례 1 내지 실례 7의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이는 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이의 외연을 두르는 원형 패턴으로 상기 기판에 연결될 수 있다.
실례 9에서, 상기 실례 1 내지 실례 8의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이의 단부들은 서로 연결될 수 있다.
실례 10에서, 상기 실례 1 내지 실례 9의 청구 대상은 선택사양적으로, 상기 곡선형 집적 회로 다이의 비활성 측면부 상에 형성된 차폐부를 포함할 수 있다.
실례 11은 플렉시블하게-랩핑된(flexibly-wrapped) 집적 회로 다이 디바이스이며, 이 디바이스는 기판; 상기 기판에 연결된 집적 회로 다이; 및 플렉시블한 집적 회로 다이로서, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 기판의 표면에 대해서 실질적으로 수직한 배향으로 상기 기판에 연결되며, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 집적 회로 다이의 외연을 실질적으로 둘러싸는, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 포함한다.
실례 12에서, 상기 실례 11의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 기판에 연결된 집적 회로 다이는 복수의 적층된 집적 회로 다이들을 포함할 수 있다.
실례 13에서, 상기 실례 11 및 실례 12의 청구 대상은, 선택사양적으로, 상기 기판에 연결되며 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 실질적으로 둘러싸는 튜브체(tube)를 더 포함할 수 있다.
실례 14에서, 상기 실례 11 내지 실례 13의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 특정 패턴으로 상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 하부 에지를 따라서 배열된 복수의 랜딩 패드들(landing pads)을 더 포함하며, 상기 복수의 복수의 랜딩 패드들 각각은 상기 특정 패턴으로 상기 기판에 연결된 복수의 솔더 볼들(solder balls) 각각에 연결될 수 있다.
실례 15에서, 상기 실례 11 내지 실례 14의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 기판은 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스를 실질적으로 둘러싸는 패키지의 일부일 수 있다.
실례 16에서, 상기 실례 11 내지 실례 15의 청구 대상은 선택사양적으로, 상기 기판에 연결되며 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 상기 기판에 정렬시키도록 구성된 정렬 필라들(alignment pillars)을 더 포함할 수 있다.
실례 17은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 기판에 장착시키는 방법이며, 이 방법은 상기 기판 상에 특정 패턴으로 복수의 솔더 영역부들(solder areas)을 제공하는 단계; 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 하부 에지 상에 상기 특정 패턴으로 형성된 복수의 랜딩 패드들 각각을 상기 복수의 솔더 영역부들 각각에 정렬시키는 단계; 및 상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 가열하여서 상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 상기 복수의 솔더 영역부들 각각에 융합시키는 단계를 포함한다.
실례 18에서, 상시 실례 17의 청구 대상은 선택사양적으로 적층된 스터드들(studs)을 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 상에 형성하는 단계; 및 본딩 와이어들을 상기 적층된 스터드로부터 상기 기판에 부착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
실례 19에서, 상기 실례 17 및 실례 18의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 적층된 스터드들 각각을 형성하는 단계는 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 솔드 패드 상에 복수의 솔더 볼들을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
실례 20에서, 상기 실례 17 내지 실례 19의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 정렬시키는 단계는 상기 기판 상의 정렬 필라들을 사용하여서 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 상기 기판 상의 솔더 영역부들의 특정 패턴에 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다.
실례 21에서, 상기 실례 17 내지 실례 20의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 정렬시키는 단계가 상기 기판에 부착된 튜브체 내에 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
실례 22에서, 상기 실례 17 내지 실례 21의 청구 대상은 선택사양적으로, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 단부들을 하나 이상의 본딩 와이어들로 서로 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다.
실례 23은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스이며, 이 디바이스는 그 하단 표면 상에 기판을 갖는 패키지; 플렉시블한 집적 회로 다이로서, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 기판의 표면에 대해서 실질적으로 수직 배향되게 상기 기판에 연결된, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이; 및 상기 플렉시블한 집적 회로 다이에 연결된 차폐부를 포함한다.
실례 24에서, 상기 실례 23의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 패키지가 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 실질적으로 둘러싼다.
실례 25에서, 상기 실례 23 및 실례 24의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 패키지가 히트 싱크 기능을 포함할 수 있다.
실례 26에서, 상기 실례 23 내지 실례 25의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 패키지가 차폐 기능을 포함할 수 있다.
실례 27에서, 상기 실례 23 내지 실례 26의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 차폐부는 플렉시블한 집적 회로 다이의 비활성 측면부 상에서 플렉시블한 집적 회로 다이를 둘러서 랩핑된 차폐부를 포함할 수 있다.
실례 28에서, 상기 실례 23 내지 실례 27의 청구 대상은 선택사양적으로 플렉시블한 집적 회로 다이를 둘러서 랩핑된 차폐부의 상단 에지에 연결된 상단 차폐부를 포함할 수 있다.
실례 29에서, 상기 실례 23 내지 실례 28의 청구 대상은 선택사양적으로 기판에 연결된 정렬 필라들을 포함할 수 있으며, 상기 정렬 필라들은 히트 싱크 기능을 포함할 수 있다.
실례 30에서, 상기 실례 23 내지 실례 29의 청구 대상은 선택사양적으로 기판에 연결된 정렬 필라들을 포함할 수 있으며, 상기 정렬 필라들은 상기 필라들 중 적어도 하나 상의 안테나를 포함할 수 있다.
실례 31에서, 상기 실례 23 내지 실례 30의 청구 대상은 선택사양적으로 기판에 연결된 정렬 필라들을 포함할 수 있으며, 상기 정렬 필라들은 상기 디바이스 주변으로 냉각 공기를 향하게 하도록 구성될 수 있다.
실례 32은 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스이며, 이 디바이스는 그 하단 표면 상에 기판을 갖는 패키지; 상기 기판의 상단 표면 상에 일정 패턴으로 연결된 제 1 장착 수단들; 및 상기 일정 패턴으로 하부 에지를 따라서 위치하는 제 2 장착 수단들을 갖는 플렉시블한 집적 회로 다이를 포함하며, 상기 제 2 장착 수단들 각각은 상기 제 1 장착 수단들 중 각각에 대응하며, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 기판의 표면에 대해서 실질적으로 수직 배향으로 기판에 연결된다.
실례 33에서, 상기 실례 32의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 제 1 장착 수단들은 복수의 솔더 볼들을 포함하고, 상기 제 2 장착 수단들은 복수의 랜딩 패드들을 포함할 수 있다.
실례 34에서, 상기 실례 32 및 실례 33의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 두께는 2 내지 25 mm 범위일 수 있다.
실례 35에서, 상기 실례 32 내지 실례 34의 청구 대상에서는 선택사양적으로, 상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 안테나를 포함할 수 있다.

Claims (25)

  1. 집적 회로 다이 디바이스로서,
    기판과,
    상기 기판의 표면에 대해서 수직 배향으로 상기 기판에 연결된 플렉시블한 집적 회로 다이(flexible integrated circuit die)와,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이에 대해서 수평 배향으로 상기 기판에 연결된 적어도 하나의 집적 회로 다이를 더 포함하며,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이의 외연(periphery)의 적어도 일부를 랩핑하는(wrap)
    집적 회로 다이 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 복수의 서로 연결된 세그먼트들을 포함하는 세그먼트화된 기판체(segmented substrate material)를 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 활성 측면부 및 비활성 측면부를 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 활성 측면부는 상기 비활성 측면부에 비해서 추가적인 전자 회로들을 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이 상의 전자 회로들을 상기 기판 상의 회로들에 연결시키는 본딩 와이어들을 더 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이 상의 전자 회로들은 하나 이상의 본딩 와이어들에 의해서 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이에 연결되는
    집적 회로 다이 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이의 외연을 둘러싼 원형 패턴으로 상기 기판에 연결되는
    집적 회로 다이 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 단부들은 서로 연결된
    집적 회로 다이 디바이스.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 비활성 측면부 상에 형성된 차폐부를 더 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 연결된 집적 회로 다이는 복수의 적층된 집적 회로 다이들을 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 연결되며 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 실질적으로 둘러싸는 튜브체(tube)를 더 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 특정 패턴(particular pattern)으로 상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 하부 에지를 따라서 배열된 복수의 랜딩 패드들(landing pads)을 더 포함하며,
    상기 복수의 랜딩 패드들 각각은 상기 특정 패턴으로 상기 기판에 연결된 복수의 솔더 볼들(solder balls) 중 대응하는 솔더볼에 연결되는
    집적 회로 다이 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스를 실질적으로 둘러싸는 패키지의 일부인
    집적 회로 다이 디바이스.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 연결되며 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 상기 기판에 정렬시키도록 구성된 정렬 필라들(alignment pillars)을 더 포함하는
    집적 회로 다이 디바이스.
  17. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 기판에 장착시키는 방법으로서,
    상기 기판 상에 특정 패턴(particular pattern)으로 복수의 솔더 영역부들(solder areas)을 제공하는 단계와,
    상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 하부 에지 상에 상기 특정 패턴으로 형성된 복수의 랜딩 패드들 각각을 상기 복수의 솔더 영역부들 중 연관된 솔더 영역부에 정렬시키는 단계와,
    상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 상기 복수의 솔더 영역부들 각각에 융합시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 정렬시키는 단계는 상기 기판에 부착된 튜브체 내에 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 형성하는 단계를 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 장착 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    적층된 스터드들(studs)을 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 상에 형성하는 단계와,
    본딩 와이어들을 상기 적층된 스터드로부터 상기 기판에 부착시키는 단계를 더 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 장착 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 적층된 스터드들 각각을 형성하는 단계는 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이의 솔더 패드 상에 복수의 솔더 볼들을 적층하는 단계를 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 장착 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 복수의 랜딩 패드들 각각을 정렬시키는 단계는 상기 기판 상의 정렬 필라들을 사용하여서 상기 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이를 상기 기판 상의 솔더 영역부들의 특정 패턴에 정렬시키는 단계를 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 장착 방법.
  21. 삭제
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이의 단부들을 하나 이상의 본딩 와이어들로 서로 연결하는 단계를 더 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 장착 방법.
  23. 플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스로서,
    하단 표면 상에 기판을 갖는 패키지와,
    플렉시블한 집적 회로 다이―상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 기판의 표면에 대해서 수직으로 배향되게 상기 기판에 연결됨―와,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이에 연결된 차폐부와,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이에 대해서 수평 배향으로 상기 기판에 연결된 적어도 하나의 집적 회로 다이를 더 포함하며,
    상기 플렉시블한 집적 회로 다이는 상기 적어도 하나의 집적 회로 다이의 외연(periphery)의 적어도 일부를 랩핑하는(wrap)
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 패키지는 상기 플렉시블한 집적 회로 다이를 둘러싸는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 패키지는 히트 싱크 기능을 포함하는
    플렉시블하게-랩핑된 집적 회로 다이 디바이스.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106030781B (zh) 2013-12-19 2019-06-14 英特尔公司 柔软包裹的集成电路管芯
CN105659375B (zh) 2014-09-26 2021-08-24 英特尔公司 柔性封装架构
GB2566029B (en) 2017-08-30 2022-11-02 Pragmatic Printing Ltd Methods and apparatus for manufacturing a plurality of electronic circuits
US11798901B1 (en) 2018-10-31 2023-10-24 Avery Dennison Retail Information Services Llc Wafer-scale integration with alternative technology wafer processes that can be folded into three-dimensional packaging

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118982A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体集積装置の製造方法
JP2002043357A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6714336A (ko) * 1967-10-21 1969-04-23
US3755891A (en) * 1971-06-03 1973-09-04 S Hawkins Three dimensional circuit modules for thick-film circuits and the like and methods for making same
JPS5228067U (ko) * 1975-08-20 1977-02-26
JPS60109358U (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 アルプス電気株式会社 ブロツク基板の接続構造
US4810917A (en) * 1985-05-28 1989-03-07 Autotech Corporation Digital resolver/encoder assembly
JPH0770681B2 (ja) * 1990-03-29 1995-07-31 三洋電機株式会社 混成集積回路装置
JP2894071B2 (ja) * 1992-03-09 1999-05-24 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH08102586A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH08321580A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Rohm Co Ltd 混成集積回路装置の構造及びその製造方法
SE9900164D0 (sv) * 1999-01-20 1999-01-20 Piezomotors Uppsala Ab Flexible microsystem and building techniques
US6617671B1 (en) * 1999-06-10 2003-09-09 Micron Technology, Inc. High density stackable and flexible substrate-based semiconductor device modules
JP4604307B2 (ja) 2000-01-27 2011-01-05 ソニー株式会社 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム
JP3580749B2 (ja) 2000-02-18 2004-10-27 シャープ株式会社 粒状半導体装置の実装方法
JP3265301B2 (ja) * 2000-06-05 2002-03-11 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
JP3822040B2 (ja) * 2000-08-31 2006-09-13 株式会社ルネサステクノロジ 電子装置及びその製造方法
JP2003347355A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体チップの実装構造
DE60233077D1 (de) * 2002-08-09 2009-09-03 Fujitsu Microelectronics Ltd Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
US7439158B2 (en) * 2003-07-21 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Strained semiconductor by full wafer bonding
JP2005183498A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置および該半導体装置の製造方法
KR100655218B1 (ko) * 2005-07-01 2006-12-08 삼성전자주식회사 다각기둥 형상의 접지 블록을 갖는 3차원 반도체 모듈
US7972650B1 (en) * 2005-07-13 2011-07-05 Nscrypt, Inc. Method for manufacturing 3D circuits from bare die or packaged IC chips by microdispensed interconnections
KR101486984B1 (ko) 2008-10-30 2015-01-30 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자 및 그 형성방법
KR20100058909A (ko) 2008-11-25 2010-06-04 삼성전자주식회사 가변저항 메모리 소자의 형성방법
GB0915473D0 (en) * 2009-09-07 2009-10-07 St Microelectronics Res & Dev Improvements in or relating to CMOS sensors
AU2011367826B2 (en) 2011-05-06 2015-12-17 Iridium Medical Technology Co., Ltd. Non-planar chip assembly
GB201210151D0 (en) * 2012-06-08 2012-07-25 Wfs Technologies Ltd Antenna system
CN106030781B (zh) 2013-12-19 2019-06-14 英特尔公司 柔软包裹的集成电路管芯

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118982A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体集積装置の製造方法
JP2002043357A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置及びその製造方法

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