RU2642170C2 - Гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы - Google Patents
Гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2642170C2 RU2642170C2 RU2016119458A RU2016119458A RU2642170C2 RU 2642170 C2 RU2642170 C2 RU 2642170C2 RU 2016119458 A RU2016119458 A RU 2016119458A RU 2016119458 A RU2016119458 A RU 2016119458A RU 2642170 C2 RU2642170 C2 RU 2642170C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuit
- chip
- substrate
- flexible
- device based
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/033—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bonding area
- H01L2224/0333—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bonding area in solid form
- H01L2224/03334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bonding area in solid form using a preform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05575—Plural external layers
- H01L2224/0558—Plural external layers being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/1319—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/16105—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the bump connector connecting bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16113—Disposition the whole bump connector protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
- H01L2224/48106—Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4811—Connecting to a bonding area of the semiconductor or solid-state body located at the far end of the body with respect to the bonding area outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48175—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
- H01L2224/48481—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a ball bond, i.e. ball on pre-ball
- H01L2224/48482—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a ball bond, i.e. ball on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73257—Bump and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the bump connector during or after the bonding process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/8114—Guiding structures outside the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/8185—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/858—Bonding techniques
- H01L2224/85801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06551—Conductive connections on the side of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19104—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device on the semiconductor or solid-state device, i.e. passive-on-chip
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Использование: для создания интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы содержит подложку и гибкий кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки. Технический результат: обеспечение возможности улучшенного теплоотведения и сохранения компактности. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
Описываемые здесь варианты относятся, в общем случае, к интегральным схемам. Некоторые варианты относятся к соединению интегральных схем.
Уровень техники
Когда изготовители пытаются уменьшить размеры электронных устройств, они могут находить способы соединения и расположения кристаллов интегральных схем таким образом, чтобы сделать электронную часть такого устройства более компактной. Одним из типовых способов соединения нескольких кристаллов интегральных схем является расположение этих кристаллов одного над другим в вертикальном направлении в виде ярусов (этажей) многоярусной (этажерочной) конструкции с использованием сквозных соединений для электрических соединений между схемами на разных ярусах кристаллов. Это может привести к тому, что тепло, генерируемое схемой, выполненной на расположенной относительно ниже подложке, будет распространяться вверх сквозь установленные один над другим кристаллы. Это тепло может добавиться к теплу, уже генерируемому схемами, выполненными на кристаллах верхних ярусов, тем самым уменьшая надежность кристаллов, находящихся на верхних ярусах.
Другой способ может располагать кристаллы бок о бок и использовать проволочные перемычки для электрических соединений между схемами на этих кристаллах. Это может привести к увеличению длины таких проволочных перемычек, которые могут оказаться более склонными к обрывам, а также к увеличению общего размера корпуса.
Таким образом, существует общая потребность в объединении нескольких кристаллов интегральных схем в относительно небольшом корпусе.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы.
Фиг. 2 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, расположенного вокруг многоуровневого пакета из нескольких кристаллов интегральных схем.
Фиг. 3 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с антенной.
Фиг. 4 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с экраном.
Фиг. 5 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с соединениями по краю.
Фиг. 6 иллюстрирует вариант способа соединения гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с другой подложкой.
Фиг. 7A-7D иллюстрируют варианты многоуровневого соединительного столбика на гибко оборачиваемом кристалле интегральной схемы.
Фиг. 8 иллюстрирует вариант котировочных столбиков.
Подробное описание
Последующее описание и чертежи в достаточной степени иллюстрируют конкретные варианты, чтобы позволить специалистам в рассматриваемой области реализовать эти варианты на практике. Другие варианты могут содержать структурные, логические, электрические, технологические и другие изменения. Части и признаки некоторых вариантов могут быть включены в или заменять части и признаки других вариантов. Варианты, описываемые Формулой изобретения, охватывают все возможные эквиваленты соответствующих пунктов этой Формулы изобретения.
Последующее обсуждение относится к кристаллам интегральных схем. Термин «кристалл интегральной схемы» может обозначать не только электрическую схему, но также какую-либо пленку, подложку (например, кремниевую) и/или другой материал, используемый для установки этой схемы. Таким образом, как используется здесь, кристалл термин интегральной схемы может охватывать электрическую схему, выполненную на или в виде части подложки, пленки и/или какого-либо другого подходящего материала для монтажа схемы.
Несколько кристаллов интегральных схем могут быть объединены посредством установки их одного над другим в вертикальном направлении в виде многоярусной (этажерочной) структуры. Собранные таким образом кристаллы интегральных схем могут затем использовать сквозные соединения для электрического соединения схемы, расположенной на первом ярусе, со схемами, установленными на других ярусах над и/или под первым ярусом.
Такая ориентация может привести к тому, что тепло, выделяемое схемой, работающей на нижнем кристалле интегральной схемы, будет распространяться вверх, сквозь расположенные выше кристаллы интегральных схем. При добавлении этого дополнительного теплового потока к теплу, выделяемому собственными схемами на этих, расположенных выше кристаллах интегральных схем могут возникать проблемы, связанные с перегревом, и вследствие этого может возрастать интенсивность отказов схемных компонентов, выполненных на этих верхних кристаллах интегральных схем.
Эти проблемы могут быть уменьшены посредством оборачивания относительно тонкого, вертикально ориентированного кристалла интегральной схемы вокруг одного или нескольких горизонтально ориентированных интегральных схем. Например, за счет уменьшения толщины гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы до такой толщины, которая делает этот кристалл гибким и позволяет изогнуть его (например, для кремниевых (Si) кристаллов это толщина меньше 50 мкм; а для других кристаллов или материалов для подложек кристаллов могут действовать другие предельные толщины), такой гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы может быть присоединен в вертикальной ориентации по периферии вокруг краев одного или нескольких горизонтально ориентированных кристаллов интегральных схем. Тепло, генерируемое схемой на таком гибко оборачиваемом кристалле интегральной схемы, может излучаться вверх и прочь от горизонтально ориентированных кристаллов интегральных схем.
Хотя здесь упоминаются вертикально ориентированный, гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы и горизонтально ориентированный кристалл интегральной схемы (а также подложка, к которой прикреплены эти кристаллы), рассматриваемые здесь варианты не ограничиваются точно ортогональным взаимным расположением этих двух кристаллов. Например, вертикально ориентированный гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы может располагаться под углом, отличным от 90°, относительно подложки или корпуса, в котором установлен кристалл, и относительно кристалла(ов) интегральной схемы, вокруг которого может быть обернут этот гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы.
Фиг. 1 иллюстрирует устройство с гибко оборачиваемым кристаллом 100 интегральной схемы. Устройство может содержать гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы, установленный на подложке или в корпусе 115.
Такой гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может иметь уменьшенную толщину, чтобы его можно было согнуть в достаточной степени для образования дуги, сегмента окружности, круга, овала или некоторой другой формы. Этот гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может содержать схему (например, дорожки, сквозные соединения, электронные компоненты), выполненные в или на части пленки, подложки (например, кремниевой, германиевой) или другого подходящего материала кристалла.
Такой гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может быть установлен в корпусе 115, который может выполнять одну или несколько функций, а именно конструктивную (структурную) защиту, защиту от воздействия факторов окружающей среды, экранирование и/или теплоотвод. Дно корпуса 115 может представлять собой подложку или может быть прикреплено к подложке. Корпус 115 может охватывать устройство с гибко оборачиваемым кристаллом 100 интегральной схемы.
Фиг. 1 иллюстрирует также тот факт, что в некоторых вариантах могут не использоваться горизонтально ориентированные кристаллы интегральных схем. Например, гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может быть свернут по существу так, как показано на этом чертеже, без горизонтально ориентированных кристаллов интегральных схем. В одном из вариантов проволочные перемычки 121 могут соединять схему, выполненную на гибко оборачиваемом кристалле 100 интегральной схемы, с подложкой или корпусом 115, где может быть установлена схема.
Такой гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может быть свернут в виде полного замкнутого контура, так что концы этого гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы приведены в контакт один с другим и могут быть соединены один с другим. Другие варианты могут содержать зазор между концами гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, такой как зазор, показанный на Фиг. 1. В таком варианте могут быть использованы одна или несколько проволочных перемычек 120 для соединения цепей через зазор, если нужно замкнуть одну или несколько цепей. В другом варианте гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может иметь форму только дуги или криволинейную форму.
В другом варианте, гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может иметь сегментированную подложку (например, несколько соединенных один с другим более коротких сегментов), где каждый сегмент может быть недостаточно тонким, чтобы быть гибким по отдельности, но все вместе они могут имитировать гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы. Другой вариант может использовать кристалл 100 интегральной схемы, который сначала является гибким, а потом может быть сделан твердым в дугообразной, криволинейной или круглой форме и более не гнуться после того, как ему придана нужная форма.
Одна сторона гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы может быть активной стороной 111, тогда как другая сторона может быть неактивной стороной 110. На активной стороне может располагаться большая часть электронной схемы, содержащая схемные дорожки и/или схемные компоненты (например, транзисторы, соединительные элементы, конденсаторы, резисторы, логические элементы). Неактивная сторона 110 может содержать меньшую часть электронной схемы.
Фиг. 2 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалл 100 интегральной схемы, расположенного вокруг горизонтально ориентированного кристалла(ов) 200 интегральной схемы (например, стека (многоуровневой структуры) из кристаллов интегральных схем, подложек и/или электрических компонентов. Кристаллы 200 в стеке интегральных схем могут быть соединены один с другим механически и электрически посредством припойных шариковых выводов и проволочных перемычек 205. Сквозные соединения могут электрически соединять схемы на кристаллах и/или подложках с разных ярусов. Если дно корпуса 115 содержит подложку со схемой, горизонтально ориентированный кристалл(ы) 200 может быть соединен с этой схемой посредством одной или нескольких проволочных перемычек 205.
Схема на активной стороне 111 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы может быть соединена с горизонтально ориентированным кристаллом 200 посредством одной или нескольких проволочных перемычек 203. Эта схема на активной стороне 111 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы может также быть соединена со схемой на подложке и/или на корпусе 115 посредством одной или нескольких проволочных перемычек 121.
Фиг. 3 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, имеющего антенну 300. Антенна 300 может быть смонтирована на неактивной стороне 110 (например, на наружной стороне) гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы. Антенна 300 может быть электрически соединена со схемой на активной стороне 111 посредством сквозного соединения или проволочной перемычки. Антенна 300 может быть электрически соединена с горизонтально ориентированным кристаллом(ами) 200 интегральной схемы посредством проволочной перемычки 310, соединенной со сквозным соединением.
Антенна 300 может быть конфигурирована для излучения сигнала наружу, не мешая горизонтально ориентированному кристаллу(ам) 200 интегральной схемы. Это может быть достигнуто посредством создания экранирующего слоя между антенной 300 и неактивной стороной 110 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы. В одном из вариантов антенна 300 может быть частью экрана 400 или работать во взаимодействии с этим экраном, как показано на Фиг. 4.
Антенна 300 может быть выполнена из металла и создана на поверхности гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы с использованием травления или осаждения металла. Антенна 300 может также представлять собой антенный элемент, электрически и/или механически прикрепленный к поверхности гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы.
Фиг. 4 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, имеющего экраны 400, 401. Эти экраны 400, 401 могут быть изготовлены из металла и представлять собой экраны, выполненные как на неактивной поверхности 110 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, так и на верхней части 401 этого гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы.
В одном из вариантов только на неактивной поверхности 110 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы выполнен экран 401. В другом варианте только на верхней части 401 этого гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы имеется экран 401. Как обсуждается ранее со ссылками на Фиг. 3, либо верхний экран 401, либо боковой экран 400 может иметь антенну 300, выполненную в экранирующем материале.
В некоторых вариантах гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может быть приклеен, припаян или прикреплен некоторым иным способом к корпусу 115, как показано ранее. Фиг. 5 иллюстрирует вариант гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, прикрепленного к подложке или корпусу 115 с использованием торцевых соединений.
Например, к верхней поверхности подложки или корпуса 115 могут быть прикреплены несколько припойных областей (например, припойных шариковых выводов) расположенных по какой-то конкретной схеме. На нижней торцевой поверхности гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы могут быть выполнены несколько контактных площадок 501, расположенных в соответствии с такой же схемой, так что каждая контактная площадка соответствует позиции одного из припойных шариковых выводов. Рассматриваемый гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы можно затем опустить на верхнюю поверхность подложки или корпуса 115 или приблизить к этой поверхности, так что соответствующие контактные площадки 501 совмещаются с припойными шариковыми выводами 500. Когда эту сборку нагревают, припойные шариковые выводы 500 могут расплавиться и затем соединиться при охлаждении с соответствующими контактными площадками, прикрепляя тем самым гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы к подложке или корпусу 115.
Фиг. 6 иллюстрирует вариант способа соединения гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы с подложкой или корпусом 115, либо с другой подложкой. При сборке может быть применена трубка 600, по существу окружающая гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы, так что либо эта трубка 600 может быть использована временно в процессе прикрепления этого гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы к корпусу 115, либо трубка может быть постоянно прикреплена к подложке или корпусу 115. Трубка 600 может быть использована в процессе монтажа проволочных перемычек для уменьшения растрескивания, которое может возникать в ходе такого монтажа перемычек.
Трубка 600 может иметь в составе материал, который позволяет этой трубке служить теплоотводом. Например, трубка 600 может быть либо целиком выполнена из металла, либо ее поверхность может быть покрыта металлом, эта трубка 600 может быть механически соединена с гибко оборачиваемым кристаллом 100 интегральной схемы и излучать тепло прочь от этого кристалла 100 интегральной схемы.
Фиг. 7A-7D иллюстрируют варианты способа создания многоуровневого соединительного столбика 705 на гибко оборачиваемом кристалле 100 интегральной схемы и присоединения проволочной перемычки между этим соединительным столбиком 705 и горизонтально ориентированным кристаллом 710 интегральной схемы. Такой многоуровневый соединительный столбик 705 может уменьшить сложность и повысить надежность процесса монтажа проволочных перемычек, поскольку механизмы для монтажа могут перемещаться только в вертикальном направлении. Однако такой вариант приведен только в качестве иллюстрации, поскольку в другом варианте проволочная перемычка может быть прикреплена к гибко оборачиваемому кристаллу 100 интегральной схемы по существу в горизонтальном направлении.
Фиг. 7А иллюстрирует начальный этап, на котором гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы лежит плоско. Этот гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы имеет несколько припойных контактных площадок 700-702. В одном из вариантов несколько припойных контактных площадок 700-702 расположены на активной стороне 111 гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы.
Фиг. 7В иллюстрирует многоуровневый столбик (стек) 705 из нескольких припойных шариков (например, припойных шариковых выводов), выполненный на одной из припойных контактных площадок 701. В одном из вариантов вместо нескольких припойных шариков может быть использован металлический цилиндр или один припойный цилиндр.
Фиг. 7С иллюстрирует гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы, расположенный по существу в вертикальной ориентации и помещенный возле по существу горизонтального кристалла 710 интегральной схемы. Этот по существу горизонтальный кристалл 710 интегральной схемы может иметь несколько припойных контактных площадок 711,712.
Фиг. 7D иллюстрирует проволочную перемычку, прикрепленную и к многоуровневому столбику (стеку) 705 и к одной из припойных контактных площадок 711 на по существу горизонтальном кристалле 710 интегральной схемы. Для монтажа проволочных перемычек может быть использован хорошо известный процесс нагрева припоя, наложения на него проволочки и естественного охлаждения припоя.
Изображенный на Фиг. 7A-7D процесс монтажа проволочных перемычек показан только для целей иллюстрации. Здесь могут быть применены также и другие процессы монтажа проволочных перемычек.
Фиг. 8 иллюстрирует вариант котировочных столбиков для выравнивания и совмещения гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы с подложкой или корпусом 115, к которому присоединен этот гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы. Эти котировочные столбики могут представлять собой несколько столбиков 800-803, расположенных в углах корпуса 115. Другие варианты могут быть использовать больше четырех столбиков 800-803 и/или располагать эти столбики в позициях, отличных от углов корпуса 115.
В процессе монтажа гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы на другие подложки или в корпусе 115 этот гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы может быть помещен внутри контура, ограниченного котировочными столбиками 800-803. Указанные котировочные столбики 800-803 могут затем удерживать этот гибко оборачиваемый кристалл 100 интегральной схемы в таком положении, пока он не будет постоянно прикреплен к корпусу 115. Например, как показано на Фиг. 5, может быть желательно точное совмещение гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, чтобы правильно разместить припойные шарики 500 и контактные площадки 501. Столбики 800-803 можно удалить после прикрепления гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы или оставить в корпусе 115 постоянно.
Если оставить юстировочные столбики 800-803 постоянно, они могут служить другим целям помимо совмещения. Например, эти юстировочные столбики 800-803 могут служить теплоотводами для удаления тепла от гибко оборачиваемого кристалла 100 интегральной схемы, подложек или корпуса 115. Такие юстировочные столбики 800-803 могут быть также использованы в качестве антенн, для избирательного экранирования и/или для изменения характера воздушного потока (например, воздушного потока от вентилятора охлаждения) вокруг сборки.
Примеры:
Последующие примеры относятся к дополнительным вариантам.
Пример 1 представляет устройство на основе кристалла интегральной схемы, содержащее подложку, к которой прикреплен гибкий кристалл интегральной схемы по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки.
В Примере 2 предмет Примера 1 может в качестве опции представлять собой имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы, содержащий сегментированную подложку, составленную из нескольких связанных один с другим сегментов.
В Примере 3 предмет Примеров 1-2 может представлять собой в качестве опции имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы, обладающий активной стороной и неактивной стороной.
В Примере 4 предмет Примеров 1-3 может в качестве опции иметь кристалл, в котором на активной стороне находится дополнительная электронная схема относительно неактивной стороны.
В Примере 5 предмет Примеров 1-4 может в качестве опции содержать проволочные перемычки, соединяющие электронную схему на имеющем криволинейную форму кристалле интегральной схеме со схемой на подложке.
В Примере 6 предмет Примеров 1-5 может в качестве опции содержать по меньшей мере один кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой, расположенной по существу в горизонтальной ориентации относительно этого гибкого кристалла интегральной схемы, где этот имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы обернут вокруг по меньшей мере части периферии указанного по меньшей мере одного кристалла интегральной схемы.
В Примере 7 предмет Примеров 1-6 может содержать соединение электронной схемы, выполненной на имеющем криволинейную форму кристалле интегральной схемы, посредством одной или нескольких проволочных перемычек с указанным по меньшей мере одним кристаллом интегральной схемы.
В Примере 8 предмет Примеров 1-7 может в качестве опции содержать соединение имеющего криволинейную форму кристалла интегральной схемы с подложкой по круговой схеме вокруг периферии указанного по меньшей мере одного кристалла интегральной схемы.
В Примере 9 в предмете Примеров 1-8 концы имеющего криволинейную форму кристалла интегральной схемы в качестве опции соединены один с другим.
В Примере 10 предмет Примеров 1-9 может в качестве опции содержать экран, выполненный на неактивной стороне имеющего криволинейную форму кристалла интегральной схемы.
Пример 11 представляет собой устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, содержащее: подложку, прикрепленный к подложке кристалл интегральной схемы и гибкий кристалл интегральной схемы, этот гибкий кристалл интегральной схемы соединен с подложкой в по существу вертикальной ориентации относительно поверхности подложки, так что гибкий кристалл интегральной схемы по существу окружает расположенный на подложке кристалл интегральной схемы по периферии.
В Примере 12 предмет Примера 11 может в качестве опции иметь соединенный с подложкой кристалл интегральной схемы, содержащий несколько расположенных в виде пакета (стека) один над другим кристаллов интегральных схем.
В Примере 13 предмет Примеров 11-12 может в качестве опции содержать трубку, соединенную с подложкой и по существу окружающую гибкий кристалл интегральной схемы.
В Примере 14 предмет Примеров 11-13 может в качестве опции содержать гибкий кристалл интегральной схемы, дополнительно имеющий несколько контактных площадок, расположенных по нижнему краю гибкого кристалла интегральной схемы в соответствии с конкретной схемой, каждая из этих контактных площадок соединена с соответствующим припойным шариком из группы прикрепленных к подложке припойных шариков, расположенных в соответствии с конкретной схемой.
В Примере 15 в предмете Примеров 11-14 в качестве опции подложка может представлять собой часть корпуса, по существу окружающую устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы.
В Примере 16 предмет Примеров 11-15 может в качестве опции содержать юстировочные столбики, соединенные с подложкой и конфигурированные для совмещения гибкого кристалла интегральной схемы с подложкой.
Пример 17 представляет способ монтажа гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы на подложку, способ содержит: создание нескольких припойных областей, расположенных по конкретной схеме на этой подложке; совмещение каждой из указанных нескольких контактных площадок, расположенных по указанной схеме на нижней торцевой поверхности гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, с соответствующей из нескольких припойных областей; и сплавление каждой из указанных нескольких контактных площадок с соответствующей одной из нескольких припойных областей.
В Примере 18 предмет Примера 17 может в качестве опции содержать создание многоуровневых (многослойных) столбиков на гибко оборачиваемом кристалле интегральной схемы; и прикрепление проволочных перемычек между этими многоуровневыми столбиками и подложкой.
В Примере 19 предмет Примеров 17-18 может в качестве опции содержать создание указанных многослойных столбиков путем укладки один на другой нескольких припойных шариков на припойную площадку гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы.
В Примере 20 предмет Примеров 17-19 может в качестве опции содержать совмещение каждой из нескольких контактных площадок с использованием котировочных столбиков, установленных на подложке, для совмещения гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с расположенными на подложке в соответствии с указанной конкретной схемой припойными областями.
В Примере 21 предмет Примеров 17-20 может в качестве опции использовать для совмещения каждой из нескольких контактных площадок формование гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы внутри трубки, прикрепленной к подложке.
В Примере 22 предмет Примеров 17-21 может в качестве опции содержать соединение концов гибкого кристалла интегральной схемы одно с другим посредством одной или нескольких проволочных перемычек.
Пример 23 представляет устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, содержащее: корпус, имеющий подложку на нижней поверхности; гибкий кристалл интегральной схемы, так что этот гибкий кристалл интегральной схемы присоединен к подложке по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности этой подложки; и экран, соединенный с указанным гибким кристаллом интегральной схемы.
В Примере 24 предмет Примера 23 может в качестве опции содержать корпус, по существу окружающий гибкий кристалл интегральной схемы.
В Примере 25 предмет Примеров 23-24 может в качестве опции содержать корпус, способный отводить тепло.
В Примере 26 предмет Примеров 23-25 может в качестве опции содержать корпус, имеющий возможности экранирования.
В Примере 27 предмет Примеров 23-26 может в качестве опции содержать экран, обернутый вокруг гибкого кристалла интегральной схемы на неактивной стороне гибкого кристалла интегральной схемы.
В Примере 28 предмет Примеров 23-27 может в качестве опции содержать верхний экран, соединенный с верхним краем экрана, обернутого вокруг гибкого кристалла интегральной схемы.
В Примере 29 предмет Примеров 23-28 может в качестве опции содержать юстировочные столбики, прикрепленные к подложке, эти юстировочные столбики способны отводить тепло.
В Примере 30 предмет Примеров 23-29 может в качестве опции содержать юстировочные столбики, прикрепленные к подложке, так что по меньшей мере на одном из этих котировочных столбиков имеется антенна.
В Примере 31 предмет Примеров 23-30 может в качестве опции содержать юстировочные столбики, прикрепленные к подложке, так что эти юстировочные столбики конфигурированы для направления потока охлаждающего воздуха вокруг устройства.
Пример 32 представляет устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, содержащее: корпус, имеющий подложку на нижней поверхности; первые средства для монтажа, соединенные с некой схемой на верхней поверхности подложки; и гибкий кристалл интегральной схемы, имеющий вторые средства для монтажа, расположенные по нижнему краю в соответствии с указанной схемой, так что каждое из вторых средств для монтажа соответствует одному из первых средств для монтажа, гибкий кристалл интегральной схемы соединен с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно первой поверхности подложки.
В Примере 33 предмет Примера 32 может в качестве опции содержать первые средства для монтажа, представляющие собой несколько припойных шариков, и вторые средства для монтажа, представляющие собой несколько контактных площадок.
В Примере 34 предмет Примеров 32-33 может в качестве опции содержать гибкий кристалл интегральной схемы, имеющий толщину в диапазоне 2-25 мм.
В Примере 35 предмет Примеров 32-34 может в качестве опции содержать гибкий кристалл интегральной схемы, имеющий антенну.
Claims (39)
1. Устройство на основе кристалла интегральной схемы, содержащее:
подложку; и
гибкий кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки.
2. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 1, в котором имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы содержит сегментированный материал подложки, содержащий множество связанных сегментов.
3. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 1, в котором имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы содержит активную сторону и неактивную сторону.
4. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 3, в котором активная сторона кристалла содержит дополнительную относительно неактивной стороны электронную схему.
5. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 1, дополнительно содержащее проволочные перемычки, соединяющие электронную схему на имеющем криволинейную форму кристалле интегральной схемы со схемой на подложке.
6. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 1, дополнительно содержащее по меньшей мере один кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой по существу в горизонтальной ориентации относительно гибкого кристалла интегральной схемы, причем имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы обернут вокруг по меньшей мере части периферии указанного по меньшей мере одного кристалла интегральной схемы.
7. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 6, в котором электронная схема на имеющем криволинейную форму кристалле интегральной схемы соединена посредством одной или более проволочных перемычек с указанным по меньшей мере одним кристаллом интегральной схемы.
8. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 6, в котором имеющий криволинейную форму кристалл интегральной схемы соединен с подложкой по круговой схеме вокруг периферии указанного по меньшей мере одного кристалла интегральной схемы.
9. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 8, в котором концы имеющего криволинейную форму кристалла интегральной схемы соединены друг с другом.
10. Устройство на основе кристалла интегральной схемы по п. 1, дополнительно содержащее экран, выполненный на неактивной стороне имеющего криволинейную форму кристалла интегральной схемы.
11. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, содержащее:
подложку;
кристалл интегральной схемы, прикрепленный к подложке; и
гибкий кристалл интегральной схемы, причем гибкий кристалл интегральной схемы соединен с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки, при этом гибкий кристалл интегральной схемы по существу окружает расположенный на подложке кристалл интегральной схемы по периферии.
12. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы по п. 11, в котором
кристалл интегральной схемы, соединенный с подложкой, содержит множество расположенных друг на друге кристаллов интегральных схем.
13. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы по п. 11, дополнительно содержащее трубку, соединенную с подложкой и по существу окружающую гибкий кристалл интегральной схемы.
14. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы по п. 11, в котором гибкий кристалл интегральной схемы дополнительно содержит множество контактных площадок, расположенных по нижнему краю гибкого кристалла интегральной схемы в соответствии с определенной схемой, причем каждая из контактных площадок соединена с соответствующим припойным шариком из множества припойных шариков, соединенных с подложкой в соответствии с определенной схемой.
15. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы по п. 11, в котором подложка представляет собой часть корпуса, по существу окружающего устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы.
16. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы по п. 11, дополнительно содержащее юстировочные столбики, соединенные с подложкой и выполненные с возможностью совмещения гибкого кристалла интегральной схемы с подложкой.
17. Способ монтажа гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы на подложку, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают множество припойных областей, расположенных по определенной схеме на подложке;
совмещают каждую из множества контактных площадок, расположенных по указанной определенной схеме на нижнем крае гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, с соответствующей из множества припойных областей; и
обеспечивают сплавление каждой из указанного множества контактных площадок с соответствующей одной из множества припойных областей.
18. Способ по п. 17, дополнительно содержащий этапы, на которых:
формируют многоуровневые столбики на гибко оборачиваемом кристалле интегральной схемы; и
прикрепляют проволочные перемычки между многоуровневыми столбиками и подложкой.
19. Способ по п. 18, в котором на этапе формирования многоуровневых столбиков укладывают друг на друга множество припойных шариков на припойную площадку гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы.
20. Способ по п. 17, в котором на этапе совмещения каждой из множества контактных площадок используют юстировочные столбики на подложке для совмещения гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы с расположенными на подложке в соответствии с указанной конкретной схемой припойными областями.
21. Способ по п. 17, в котором на этапе совмещения каждой из множества контактных площадок формируют гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы внутри трубки, прикрепленной к подложке.
22. Способ по п. 21, дополнительно содержащий этап, на котором соединяют концы гибкого кристалла интегральной схемы друг с другом посредством одной или более проволочных перемычек.
23. Устройство на основе гибко оборачиваемого кристалла интегральной схемы, содержащее:
корпус, имеющий подложку на нижней поверхности;
гибкий кристалл интегральной схемы, причем гибкий кристалл интегральной схемы соединен с подложкой по существу в вертикальной ориентации относительно поверхности подложки; и
экран, соединенный с гибким кристаллом интегральной схемы.
24. Устройство по п. 23, в котором корпус по существу окружает гибкий кристалл интегральной схемы.
25. Устройство по п. 23, в котором корпус содержит теплоотвод.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2013/076397 WO2015094259A1 (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Flexibly-wrapped integrated circuit die |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016119458A RU2016119458A (ru) | 2017-11-23 |
RU2642170C2 true RU2642170C2 (ru) | 2018-01-24 |
Family
ID=53275444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016119458A RU2642170C2 (ru) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9515049B2 (ru) |
EP (1) | EP3084824A4 (ru) |
JP (1) | JP6167375B2 (ru) |
KR (1) | KR101833155B1 (ru) |
CN (1) | CN106030781B (ru) |
DE (1) | DE102014116930A1 (ru) |
RU (1) | RU2642170C2 (ru) |
WO (1) | WO2015094259A1 (ru) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106030781B (zh) | 2013-12-19 | 2019-06-14 | 英特尔公司 | 柔软包裹的集成电路管芯 |
JP6152486B2 (ja) | 2014-09-26 | 2017-06-21 | インテル コーポレイション | フレキシブル・パッケージ構造 |
GB2566029B (en) * | 2017-08-30 | 2022-11-02 | Pragmatic Printing Ltd | Methods and apparatus for manufacturing a plurality of electronic circuits |
WO2020092683A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | Avery Dennison Retail Information Services, Llc | Wafer-scale integration with wafers that can be folded into three-dimensional packages |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284564A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-10-12 | Sony Corp | 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム |
US20100112774A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Gyuhwan Oh | Variable Resistance Memory Device and Methods of Forming the Same |
US20110057284A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Cmos image sensor having a curved semiconductor chip |
US20110281407A1 (en) * | 2003-07-21 | 2011-11-17 | Leonard Forbes | Strained semiconductor by full wafer bonding |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6714336A (ru) * | 1967-10-21 | 1969-04-23 | ||
US3755891A (en) * | 1971-06-03 | 1973-09-04 | S Hawkins | Three dimensional circuit modules for thick-film circuits and the like and methods for making same |
JPS5228067U (ru) * | 1975-08-20 | 1977-02-26 | ||
JPS60109358U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | アルプス電気株式会社 | ブロツク基板の接続構造 |
US4810917A (en) * | 1985-05-28 | 1989-03-07 | Autotech Corporation | Digital resolver/encoder assembly |
JPH0770681B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1995-07-31 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
JP2894071B2 (ja) * | 1992-03-09 | 1999-05-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPH08102586A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH08321580A (ja) * | 1995-05-25 | 1996-12-03 | Rohm Co Ltd | 混成集積回路装置の構造及びその製造方法 |
SE9900164D0 (sv) * | 1999-01-20 | 1999-01-20 | Piezomotors Uppsala Ab | Flexible microsystem and building techniques |
US6617671B1 (en) * | 1999-06-10 | 2003-09-09 | Micron Technology, Inc. | High density stackable and flexible substrate-based semiconductor device modules |
JP4321926B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2009-08-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置並びに半導体集積装置及びその製造方法 |
JP3580749B2 (ja) | 2000-02-18 | 2004-10-27 | シャープ株式会社 | 粒状半導体装置の実装方法 |
JP3265301B2 (ja) * | 2000-06-05 | 2002-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
JP4439090B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-03-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3822040B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2006-09-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子装置及びその製造方法 |
JP2003347355A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体チップの実装構造 |
JP4299783B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2009-07-22 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005183498A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Mos型半導体装置および該半導体装置の製造方法 |
KR100655218B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 다각기둥 형상의 접지 블록을 갖는 3차원 반도체 모듈 |
US7972650B1 (en) * | 2005-07-13 | 2011-07-05 | Nscrypt, Inc. | Method for manufacturing 3D circuits from bare die or packaged IC chips by microdispensed interconnections |
KR20100058909A (ko) * | 2008-11-25 | 2010-06-04 | 삼성전자주식회사 | 가변저항 메모리 소자의 형성방법 |
WO2012154211A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | National Tsing Hua University | Non-planar chip assembly |
GB201210151D0 (en) * | 2012-06-08 | 2012-07-25 | Wfs Technologies Ltd | Antenna system |
CN106030781B (zh) | 2013-12-19 | 2019-06-14 | 英特尔公司 | 柔软包裹的集成电路管芯 |
-
2013
- 2013-12-19 CN CN201380081060.4A patent/CN106030781B/zh active Active
- 2013-12-19 JP JP2016531017A patent/JP6167375B2/ja active Active
- 2013-12-19 RU RU2016119458A patent/RU2642170C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-12-19 US US14/368,434 patent/US9515049B2/en active Active
- 2013-12-19 WO PCT/US2013/076397 patent/WO2015094259A1/en active Application Filing
- 2013-12-19 EP EP13899411.6A patent/EP3084824A4/en not_active Ceased
- 2013-12-19 KR KR1020167013079A patent/KR101833155B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-19 DE DE102014116930.1A patent/DE102014116930A1/de not_active Ceased
-
2016
- 2016-12-02 US US15/367,645 patent/US20170084578A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284564A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-10-12 | Sony Corp | 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム |
US20110281407A1 (en) * | 2003-07-21 | 2011-11-17 | Leonard Forbes | Strained semiconductor by full wafer bonding |
US20100112774A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Gyuhwan Oh | Variable Resistance Memory Device and Methods of Forming the Same |
US20110057284A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Cmos image sensor having a curved semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2016119458A (ru) | 2017-11-23 |
DE102014116930A1 (de) | 2015-06-25 |
US20170084578A1 (en) | 2017-03-23 |
CN106030781B (zh) | 2019-06-14 |
KR101833155B1 (ko) | 2018-02-27 |
JP2016537814A (ja) | 2016-12-01 |
US20150214188A1 (en) | 2015-07-30 |
EP3084824A4 (en) | 2017-08-16 |
WO2015094259A1 (en) | 2015-06-25 |
CN106030781A (zh) | 2016-10-12 |
KR20160074586A (ko) | 2016-06-28 |
US9515049B2 (en) | 2016-12-06 |
JP6167375B2 (ja) | 2017-07-26 |
EP3084824A1 (en) | 2016-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100765478B1 (ko) | 구멍이 형성된 테이프 배선기판과, 그를 이용한 테이프패키지 및 평판 표시 장치 | |
US7911050B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
RU2642170C2 (ru) | Гибко оборачиваемый кристалл интегральной схемы | |
TWI551198B (zh) | 具散熱功能之印刷電路板結構 | |
TWI499017B (zh) | 用於懸垂晶粒之環氧基凸塊 | |
KR101566593B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JP5207477B2 (ja) | 放熱部材を具備したcof型半導体パッケージ | |
TW201250957A (en) | Reinforced fan-out wafer-level package | |
JP2003023035A (ja) | 半導体装置 | |
CN103582945A (zh) | 半导体器件 | |
JP2006196709A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20170236804A1 (en) | Apparatuses and methods for internal heat spreading for packaged semiconductor die | |
KR20150136393A (ko) | 칩 고정 구조물을 갖는 플립칩 패키지 | |
US20200098670A1 (en) | Integrated electronic device having a dissipative package, in particular dual side cooling package | |
JP2004289156A (ja) | リセスボンド半導体パッケージ基板 | |
JP5878611B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101279469B1 (ko) | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 | |
US20140159238A1 (en) | Package having thermal compression flip chip (tcfc) and chip with reflow bonding on lead | |
US11404360B2 (en) | Power module with enhanced heat dissipation | |
JP5171720B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20240222310A1 (en) | Semiconductor package for stress isolation | |
WO2018126542A1 (zh) | 一种堆叠封装结构及终端 | |
JP2014236196A (ja) | 半導体装置 | |
CN117790424A (zh) | 扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法 | |
TW202114487A (zh) | 具有支撐墊的印刷電路板結構及印刷電路板結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191220 |