KR101831597B1 - 전자부품 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자부품의 외부전극을 얇게 하면서 형상을 안정시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 내부전극이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면 및 단면들의 사이를 연결하는 4개의 측면을 갖는 직방체형상의 적층체를 준비하는 공정과, 적층체의 표면에 BaF를 포함하는 소유성의 피막을 형성하는 공정(S170)과, 상기 피막을 형성한 적층체의 단면을, 점도가 15Pa·s 이하인 도전성 페이스트에 침지하는 공정(S180)을 포함한다.

Description

전자부품 및 그 제조방법{ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 솔더에 의해 실장되는 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
칩 형상 전자부품의 외부전극의 형성방법을 개시한 선행문헌으로서, 일본 공개특허공보 2007-266208호(특허문헌 1)가 있다. 특허문헌 1에 기재된 칩 형상 전자부품의 외부전극의 형성방법에 있어서는, 점착 시트에 부착된 칩의 단면(端面)을 도전성 페이스트에 침지하여 1쌍의 외부전극을 형성하고 있다.
일본 공개특허공보 2007-266208호
최근, 적층 세라믹 콘덴서 등의 전자부품에는 대용량 소형화가 요구되고 있다. 적층 세라믹 콘덴서를 대용량 소형화하기 위해서는 외부전극의 두께를 얇게 하면서 적층체를 두껍게 하여 내부전극의 적층 수를 늘림으로써 내부전극끼리의 대향 면적을 늘리는 것이 고려된다.
외부전극의 두께를 얇게 하기 위해서는 적층체로부터 떨어지기 쉬운 저점도의 도전성 페이스트를 적층체의 단면에 도포하는 것이 고려된다. 그러나, 저점도의 도전성 페이스트에 적층체의 단면을 침지시킨 경우, 표면 장력에 의해 적층체의 측면을 도전성 페이스트가 단시간에 젖어 오르기 쉽기 때문에, 단면으로부터의 도전성 페이스트의 젖어 오름량을 조정하는 것이 어려워서, 양 단면을 각각 침지하여 마련된 2개의 외부전극 각각의 형상에 편차가 생기기 쉽다.
저점도의 도전성 페이스트는 적층체의 측면의 중앙부와 능선부에서 젖어 오름량이 다르다. 구체적으로는, 적층체의 측면에 있어서 능선부로부터 멀어짐에 따라서 도전성 페이스트가 젖어 오르기 쉬워진다. 이 때문에, 저점도의 도전성 페이스트에 적층체의 단면을 침지하여 외부전극을 형성한 경우, 적층체의 측면 상에 위치하는 부분의 외부전극에서의 적층체의 단면측과는 반대측의 선단 형상이 측면에서 봤을 때 원호 형상이 되기 쉽다.
일반적으로, 전자부품은 배선 기판에 마련된 1쌍의 랜드에 대하여 1쌍의 외부전극이 대응되어 솔더 접합재에 의해 접합됨으로써 배선 기판에 실장된다.
도전성 페이스트의 젖어 오름량에 편차가 생겨서 1쌍의 외부전극의 형상이 비대칭인 경우, 전자부품을 솔더 접합제에 의해 접합했을 때에 솔더 필렛의 열 수축에 기인하여 전자부품에 작용하는 인장 응력의 밸런스가 무너지고, 1쌍의 외부전극 중 한쪽이 배선 기판으로부터 멀어져서 배선 기판 상에 있어서 전자부품이 기립한 자세가 되는 톰 스톤(tombstone) 현상이 발생하는 경우가 있다.
또한, 적층체의 측면 상에 위치하는 부분의 외부전극에서의 적층체의 단면측과는 반대측의 선단의 형상이 측면에서 봤을 때 원호 형상인 경우, 전자부품이 실장된 배선 기판의 휨에 기인한 인장 응력이 능선부에 집중되기 때문에 적층체에 크랙이 발생하기 쉬워진다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 얇으면서, 적층체의 단면측과는 반대측의 선단의 형상이 측면에서 봤을 때 원호 형상이 아닌 대략 직선 형상이고, 상호 형상의 밸런스가 맞춰진 외부전극을 포함하는 전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 기초한 전자부품은 내부전극이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면 및 단면들의 사이를 연결하는 4개의 측면을 갖는 직방체형상의 적층체와, 상기 1쌍의 단면 각각에 마련되고, 내부전극에 전기적으로 접속된 2개의 외부전극을 포함한다. 상기 4개의 측면 각각에서 외부전극들의 사이에서 노출되어 있는 부분의 적어도 일부는 BaF를 포함하는 피막에 의해 덮여 있다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 상기 4개의 측면 각각에서 외부전극들의 사이에서 노출되어 있는 부분 전체가 상기 피막에 의해 덮여 있다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 상기 피막은 CF, CF2, CF3 및 BaF 각각의 모
노머가 중합된 중합체이다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 상기 BaF는 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법에 의해 BaF+로서 검출된다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법에 의해 상기 CF는 CF+로서 검출되고, 상기 CF2는 CF2 +로서 검출되고, 상기 CF3은 CF3 +로서 검출된다. 상기 BaF+가 상기 CF+, 상기 CF2 + 및 상기 CF3 + 각각보다 많이 검출된다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 상기 CF3 +가 상기 CF+ 및 상기 CF2 + 각각보다 많이 검출된다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 내부전극이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면 및 단면들의 사이를 연결하는 4개의 측면을 갖는 직방체형상의 적층체를 준비하는 공정과, 적층체의 표면에 BaF를 포함하는 소유성(疎油性; oleophobic)의 피막을 형성하는 공정과, 상기 피막을 형성한 적층체의 단면을 점도가 15Pa·s 이하인 도전성 페이스트에 침지하는 공정을 포함한다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 상기 피막을 형성하는 공정에서 코팅제로서 플루오르화 탄소계 가스를 이용한다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 도전성 페이스트는 용매로서 알코올계 유기 용제를 포함한다.
본 발명의 한 형태에 있어서는, 도전성 페이스트는 30체적% 이상의 유리 성분을 더 포함한다.
본 발명에 따르면, 전자부품의 외부전극을, 얇으면서, 적층체의 단면측과는 반대측의 선단의 형상을 측면에서 봤을 때 원호 형상이 아닌 대략 직선 형상으로 하여, 외부전극들의 형상의 밸런스를 맞출 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 외관을 나타내는 사시도(斜視圖)이다.
도 2는 도 1의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅱ-Ⅱ선 화살표 방향에서 본 단면도(斷面圖)이다.
도 3은 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅲ-Ⅲ선 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 4는 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅳ-Ⅳ선 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 5는 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 V-V선 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법을 나타낸 플로차트이다.
도 7은 복수개의 적층체를 지지구의 복수개의 오목부에 각각 삽입한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8은 점착 지그(jig)를 적층체의 다른쪽의 단면에 접근시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9는 점착 지그의 점착부를 적층체의 다른쪽의 단면에 누르는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10은 점착 지그에 의해 적층체를 지지구로부터 들어올린 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11은 점착 지그에 지지되어 있는 적층체를 외부전극 형성용의 도전성 페이스트에 접근시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 12는 적층체의 한쪽의 단면을 도전성 페이스트에 침지하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13은 점착 지그에 의해 적층체를 용기 내로부터 들어올린 상태를 나타내는 단면도이다.
도 14는 비교예에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 외관을 나타내는 평면도 또는 측면도이다.
도 15는 적층체의 측면에 부착된 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다.
도 16은 적층체의 측면의 폭 방향 또는 두께 방향에서의 중앙부에 접촉한 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다.
도 17은 적층체의 능선부에 접촉한 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다.
도 18은 적층체의 측면에 접촉한 도전성 페이스트에 실제로 작용하는 젖어 오름력을 나타내는 도면이다.
도 19는 샘플 1~4에 대하여, 적층 세라믹 콘덴서의 L-W 면의 관찰 사진, 외부전극의 길이, 및 도전성 페이스트의 젖어 오름량의 차이를 정리하여 나타내는 표이다.
이하, 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자부품 및 그 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 이하의 실시형태의 설명에 있어서는, 도면 중의 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는다. 이하의 설명에 있어서는 전자부품으로서 적층 세라믹 콘덴서에 대하여 설명하지만, 전자부품은 콘덴서에 한정되지 않고, 압전 부품, 써미스터 또는 인덕터 등이어도 된다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 외관을 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅱ-Ⅱ선 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 3은 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅲ-Ⅲ선 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 4는 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 Ⅳ-Ⅳ선 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 5는 도 2의 적층 세라믹 콘덴서를 V-V선 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 1에 있어서는, 적층체의 길이 방향을 L, 적층체의 폭 방향을 W, 적층체의 두께 방향을 T로 나타내고 있다.
도 1~도 5에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)는 내부전극(130)이 매설된 유전체 세라믹으로 이루어지고, 상대하는 1쌍의 단면(11) 및 단면(11)들의 사이를 연결하는 4개의 측면(10)을 갖는 직방체형상의 적층체(110)와, 1쌍의 단면(11) 각각에 마련되고, 내부전극(130)에 전기적으로 접속된 2개의 외부전극(120)을 포함한다. 4개의 측면(10) 각각에서 외부전극(120)들의 사이에서 노출되어 있는 부분의 적어도 일부는, BaF를 포함하는 피막에 의해 덮여 있다. 4개의 측면(10) 각각에서 외부전극(120)들의 사이에서 노출되어 있는 부분 전체가, BaF를 포함하는 피막에 의해 덮여 있는 것이 바람직하다. 한편, 적층체(110)와 외부전극(120) 사이의 적어도 일부에, BaF를 포함하는 막이 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태에 있어서는, 적층체(110)의 1쌍의 단면은 적층체(110)의 길이 방향(L)과 직교하고 있다. 단, 적층체(110)의 1쌍의 단면이 적층체(110)의 폭 방향(W) 또는 적층체(110)의 두께 방향(T)과 직교하고 있어도 된다. 적층체(110)의 모퉁이부 및 능선부(12)는 둥그스름함을 띠고 있다. 적층체(110)의 길이 방향(L)에 직교하는 단면에서 능선부(12)는 곡률 반경(R)인 대략 원호 형상이다. 곡률 반경(R)은 적층 세라믹 콘덴서(100)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)의 어디에도 평행한 W-T 단면을 연마에 의해 노출시켜서, W-T 단면을 화상 처리함으로써 측정할 수 있다. 한편, 곡률 반경(R)은 적층체(110)에 외부전극(120)이 형성되기 전과 후에서 거의 변화하지 않는다.
적층체(110)의 길이 방향(L)의 치수, 폭 방향(W)의 치수 및 두께 방향(T)의 치수는 예를 들면, 1.0㎜×0.5㎜×0.5㎜, 0.6㎜×0.3㎜×0.3㎜, 0.4㎜×0.2㎜×0.2㎜, 0.2㎜×0.1㎜×0.1㎜ 이다.
적층체(110)에 있어서는, 유전체 세라믹으로 이루어지는 세라믹층(140)과, 평판 형상의 내부전극(130)이 번갈아 적층되어 있다. 본 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)에 있어서는, 세라믹층(140)과 내부전극(130)의 적층 방향이, 적층체(110)의 길이 방향(L) 및 적층체(110)의 폭 방향(W)에 대하여 직교하고 있다. 즉, 세라믹층(140)과 내부전극(130)의 적층 방향은 적층체(110)의 두께 방향(T)과 평행하다. 단, 세라믹층(140)과 내부전극(130)의 적층 방향은 상기에 한정되지 않고, 폭 방향(W)과 평행이어도 된다.
이하에서는, 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.
세라믹층(140)을 구성하는 재료로는, Ti 및 Ba를 포함하고 페로브스카이트 구조를 갖는 유전체 세라믹을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 세라믹층(140)을 구성하는 재료는 BaTiO3를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Mn 화합물, Co 화합물, Si화합물 또는 희토류 화합물 등이 첨가되어 있어도 된다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 세라믹층(140)을 사이에 끼고 상대하도록 인접하여 배치된 내부전극(130)들 중 한쪽은 적층체(110)의 길이 방향의 한쪽 측의 단부로부터 다른쪽 측의 단부를 향하여 연장되고, 적층체(110)의 한쪽 측의 단면에 있어서 외부전극(120)과 접속되어 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 다른쪽의 내부전극(130)은 적층체(110)의 길이 방향의 다른쪽 측의 단부로부터 한쪽 측의 단부를 향하여 연장되고, 적층체(110)의 다른쪽 측의 단면에 있어서 외부전극(120)과 접속되어 있다.
내부전극(130)을 구성하는 재료로는, Ni, Cu, Ag, Pd 혹은 Au 등의 금속, 또는 이들 금속의 적어도 1종을 포함하는 합금, 예를 들면 Ag와 Pd의 합금 등을 사용할 수 있다.
외부전극(120)은 적층체(110)의 표면 상에 형성된 베이스 전극층(121), 및 베이스 전극층(121)을 덮는 도금층을 포함한다. 본 실시형태에 있어서는, 베이스 전극층(121)은 적층체(110)의 표면 상에 있어서 1쌍의 단면(11) 각각으로부터 4개의 측면(10)에 걸쳐서 마련되어 있다. 4개의 측면(10) 각각에 있어서, 양쪽의 단면(11) 근처의 위치에 베이스 전극층(121)이 형성되어 있다.
베이스 전극층(121)을 구성하는 재료로는, Ni, Cu, Ag, Pd 혹은 Au 등의 금속, 또는 이들 금속의 적어도 1종을 포함하는 합금, 예를 들면 Ag와 Pd의 합금 등을 사용할 수 있다.
도금층을 구성하는 재료로는, Ni, Sn, Cu, Ag, Pd 혹은 Au 등의 금속, 또는 이들 금속의 적어도 1종을 포함하는 합금, 예를 들면 Ag와 Pd의 합금 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 도금층은 Ni 도금층(122)과 Sn 도금층(123)으로 구성되어 있다. Ni 도금층(122)은 베이스 전극층(121)을 덮고 있다. Sn 도금층(123)은 Ni 도금층(122)을 덮고 있다. Ni 도금층(122)은 솔더 배리어층으로서 기능하고, Sn 도금층(123)은 실장 시의 솔더와의 젖음성을 양호하게 한다.
외부전극(120)들의 사이의 적층체(110)의 표면을 덮는 피막은 CF, CF2, CF3 및 BaF 각각의 모노머가 중합된 중합체이다. 피막에 포함되는 BaF의 Ba는 세라믹층(140)을 구성하는 유전체 세라믹의 Ba이며, Ba와 F는 강고하게 결합되어 있기 때문에, BaF의 중합체를 포함하는 상기 피막은 적층체(110)의 표면에 강고하게 부착되어 있다.
상기 피막의 함유 성분을 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법(TOF-SIMS)으로 분석한 바, 상기 피막으로부터는 BaF>CF3>CF>CF2의 순으로 많이 검출되었다. 구체적으로는, 측정 영역이 300㎛×300㎛의 범위에서, 1차 이온으로서 Bi3++를 25kV의 1차 이온 에너지로 상기 피막에 조사하여 발생하는 2차 이온을 검출했다. 그 결과, CF는 CF+, CF2는 CF2 +, CF3는 CF3 +, BaF는 BaF+로서 검출되었다. 2차 이온은 BaF+>CF3 +>CF+>CF2 +의 순으로 많이 검출되었다.
이하에서는, 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법에 대하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법을 나타내는 플로차트이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 우선 Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹의 분말을 함유하는 세라믹 페이스트를, 다이 코팅법, 그라비어 코팅법 또는 마이크로그라비어 코팅법 등에 의해 시트 형상으로 도포하여 건조시킴으로써 세라믹 그린 시트를 제작한다(S100).
제작한 복수개의 세라믹 그린 시트 중 일부에 있어서, 세라믹 그린 시트 상에, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 또는 그라비어 인쇄법 등으로 내부전극 형성용의 도전성 페이스트를 소정의 패턴이 되도록 도포한다(S110).
이와 같이 하여, 내부전극이 되는 도전 패턴이 형성된 세라믹 그린 시트와, 도전 패턴이 형성되어 있지 않은 세라믹 그린 시트를 준비한다. 한편, 세라믹 페이스트 및 내부전극 형성용의 도전성 페이스트에는 공지의 바인더 및 용매가 포함되어 있어도 된다.
도전 패턴이 형성되지 않은 복수장의 세라믹 그린 시트를 적층하고, 그 위에 도전 패턴이 형성된 수백장 정도의 세라믹 그린 시트를 순차로 적층하고, 다시 그 위에 도전 패턴이 형성되지 않은 복수장의 세라믹 그린 시트를 적층하여 세라믹 블록을 형성한다(S120).
그 후, 정수압 프레스 또는 금형 프레스 등의 수단에 의해, 세라믹 블록을 적층 방향으로 압착한다(S130). 다음으로, 포스 절삭법 또는 샌더(sander)를 이용한 절삭법 등에 의해, 세라믹 블록을 직방체형상의 복수개의 세라믹 칩으로 분할한다(S140).
세라믹 칩을 배럴 연마하여(S150) 세라믹 칩의 모퉁이부 및 능선부에 둥그스름함을 띠게 한다. 능선부의 곡률 반경(R)은 예를 들면 10㎛이다.
세라믹 칩을 탈지한 후, 소성함(S160)으로써 경화시켜서, 적층체(110)를 형성한다. 소성 온도는 세라믹 재료 및 도전 재료의 종류에 따라 적절히 설정되고, 예를 들면 900℃ 이상 1300℃ 이하의 범위 내에서 설정된다.
상기와 같이 형성하여 준비된 직방체형상의 적층체(110)는 내부전극(130)이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면(11) 및 단면(11)들의 사이를 연결하는 4개의 측면(10)을 갖는다.
다음으로, 적층체(110)에 소유성의 나노 코팅을 실시한다(S170). 구체적으로는 적층체(110)를 코팅제인 플루오르화 탄소계 가스에 노출시킴으로써 적층체(110)의 표면에 소유성의 피막을 형성한다. 플루오르화 탄소계 가스는 CF4, C2F6, C3F8 또는 C4F8 등을 포함하고 있다. 상기 피막은 BaF를 포함하고 있다. 구체적으로는, 상기 피막은 CF, CF2, CF3 및 BaF 각각의 모노머가 중합된 중합체이다. 한편, 20℃에서의 표면 장력은 CF가 약 6mN/m, CF2가 약 6mN/m, CF3이 약 18mN/m이다.
그 후, 피막을 형성한 적층체(110)의 단면을 외부전극 형성용의 도전성 페이스트에 침지한다(S180). 외부전극 형성용의 도전성 페이스트의 점도는 5Pa·s이상 15Pa·s 이하이다. 외부전극 형성용의 도전성 페이스트는 Ni, Cu, Ag, Pd 또는 Au 등의 금속분말, 유리 프릿, 바인더 및 용제를 포함한다. 외부전극 형성용의 도전성 페이스트는 30체적% 이상의 유리 성분을 포함하고 있다. 용매는 테르피네올 등의 알코올계 유기 용제이다. 테르피네올의 표면 장력은 38mN/m이다.
여기서, 적층체(110)에 외부전극 형성용의 도전성 페이스트를 침지 도포하는 방법의 일례에 대하여 설명한다. 도 7은 복수개의 적층체를 지지구의 복수개의 오목부에 각각 삽입한 상태를 나타내는 단면도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 복수개의 적층체(110)를 지지구(20)의 복수개의 오목부(21)에 각각 삽입한다. 적층체(110)의 한쪽의 단면은 오목부(21)의 바닥면과 접하고, 적층체(110)의 다른쪽의 단면은 오목부(21)로부터 돌출되어 있다.
상기와 같이, 적층체(110)의 표면은 피막으로 덮여 있지만, 이 피막은 BaF를 포함하여 적층체(110)의 표면에 강고하게 부착되어 있기 때문에, 적층체(110)를 지지구(20)의 오목부(21)에 삽입할 때에 벗겨지는 경우가 없다.
도 8은 점착 지그를 적층체의 다른쪽의 단면에 접근시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 평판(31) 및 평판(31)의 하부면에 마련된 점착부(32)를 갖는 점착 지그(30)를, 화살표 1로 나타내는 바와 같이 하강시켜서 지지구(20)에 접근시킨다.
도 9는 점착 지그의 점착부를 적층체의 다른쪽의 단면에 누르고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 점착 지그(30)의 점착부(32)를 적층체(110)의 다른쪽의 단면에 누름으로써 적층체(110)를 점착 지그(30)에 부착시킨다.
도 10은 점착 지그에 의해 적층체를 지지구로부터 들어올린 상태를 나타내는 단면도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 점착 지그(30)를 화살표 2로 나타내는 바와 같이 상승시켜서 적층체(110)를 오목부(21)로부터 끌어올린다.
도 11은 점착 지그에 지지되어 있는 적층체를 외부전극 형성용의 도전성 페이스트에 접근시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 점착 지그(30)을 화살표 3으로 나타내는 바와 같이 하강시켜서 적층체(110)의 한쪽의 단면을 용기(40) 내에 충전된 도전성 페이스트(41)에 접근시킨다.
도 12는 적층체의 한쪽의 단면을 도전성 페이스트에 침지하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 점착 지그(30)의 점착부(32)와 용기(40)의 바닥면에 적층체(110)가 끼워지도록, 점착 지그(30)가 적층체(110)를 용기(40)에 누른다. 이에 따라, 적층체(110)의 측면에는, 용기(40) 내의 도전성 페이스트(41)의 충전 높이에 대응한 길이로 도전성 페이스트(41)가 도포된다.
적층체(110)의 표면은, 표면 장력이 도전성 페이스트(41)에 포함되는 알코올계 유기 용제보다 작은 소유성의 피막으로 덮여 있기 때문에, 적층체(110)의 측면(10)을 도전성 페이스트(41)가 젖어 오르기 어려워지게 되어 있다. 따라서, 도전성 페이스트(41)의 젖어 오름량의 편차를 저감할 수 있다.
도 13은 점착 지그에 의해 적층체를 용기 내로부터 들어올린 상태를 나타내는 단면도이다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 점착 지그(30)를 화살표 4로 나타내는 바와 같이 상승시켜서 적층체(110)를 도전성 페이스트(41)로부터 끌어올린다. 그 결과, 적층체(110)의 한쪽의 단면 측에 도전성 페이스트(41a)가 부착된다. 마찬가지로 하여, 적층체(110)의 다른쪽의 단면 측에도 도전성 페이스트(41a)를 부착시킬 수 있다.
이와 같이 도전성 페이스트(41a)를 도포한 적층체(110)를 건조시켜서, 예를 들면 700℃ 정도의 온도에서 가열함으로써 도전성 페이스트막을 소결시킨다(S190). 그 결과, 도전성 페이스트(41a)가 적층체(110)에 베이킹되어 베이스 전극층(121)이 형성된다. 한편, 세라믹 칩에 도전성 페이스트(41a)를 도포한 후에 소성함으로써 적층체(110)와 베이스 전극층(121)을 동시에 형성해도 된다.
그 후, 적층체(110)에 도금한다(S200). 전기 도금에 의해 Ni 도금 및 Sn 도금을 이 순서로 실시함으로써 Ni 도금층(122) 및 Sn 도금층(123)을 형성한다.
구체적으로는, 배럴 도금법으로 Ni 도금층(122)을 마련한다. 베이스 전극층(121)이 마련된 복수개의 적층체(110)를 수용한 배럴을 도금조 내의 도금액 중에 침지한 상태로 회전시키면서 통전함으로써, 베이스 전극층(121) 상에 Ni 도금층(122)을 마련한다. 마찬가지로 하여, Ni 도금층(122) 상에 Sn 도금층(123)을 마련한다. 한편, 도금층으로서 Cu 도금층만을 마련해도 된다.
상기의 공정에 의해, 본 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)를 제조할 수 있다.
여기서, 피막이 마련되지 않은 적층체에 도전성 페이스트를 침지 도포함으로써 외부전극을 형성한 비교예에 따른 전자부품에 대하여 설명한다. 도 14는 비교예에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 외관을 나타내는 평면도 또는 측면도이다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 비교예에 따른 적층 세라믹 콘덴서(900)는 적층체(910)와 1쌍의 단면 각각에 마련된 2개의 외부전극(920)을 포함한다.
적층체(910)의 표면이 피막으로 덮여 있지 않은 경우, 적층체(910)의 측면(10)을 도전성 페이스트가 젖어 오르기 쉽고, 또한, 불균일하게 젖어 오르기 쉽기 때문에, 측면(10)의 중앙부와 능선부에서 도전성 페이스트의 젖어 오름량의 편차가 크다. 그 결과, 적층체(910)의 측면(10)에 있어서 능선부(12)로부터 멀어짐에 따라서 외부전극(920)이 길어지고, 적층체(910)의 단면측과는 반대측의 외부전극(920)의 선단의 형상이 측면에서 봤을 때 원호 형상이 된다. 구체적으로는, 적층체(910)의 측면(10)에 있어서 능선부(12)로부터 가장 떨어져 있는 중앙부에서 외부전극(920)의 길이(A)는 가장 길다. 적층체(910)의 능선부(12)에서 외부전극 (920)의 길이(B)는 가장 짧다. 외부전극(920)의 길이(A)와 (B)의 차이(C)는 도전성 페이스트의 젖어 오름량의 차이에 기초한 것이다.
여기서, 적층체(910)의 측면(10)에 있어서 도전성 페이스트가 불균일하게 젖어 오르는 메카니즘에 대하여 설명한다. 도 15는 적층체의 측면에 부착된 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 적층체(910)의 측면에 접촉한 도전성 페이스트에는, 표면 자유 에너지를 저하시키려고 하는 젖어 오름력(Fu)과, 적층체(910)의 표면 장력에 의한 인장력(Ft)이 작용한다. 인장력(Ft)이 커짐에 따라서 젖어 오름력(Fu)은 저하되고, 실제로 도전성 페이스트에 작용하는 젖어 오름력은 Fmu가 된다.
도 16은 적층체의 측면의 폭 방향 또는 두께 방향에서의 중앙부에 접촉한 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다. 도 17은 적층체의 능선부에 접촉한 도전성 페이스트에 작용하는 힘을 나타내는 도면이다. 도 18은 적층체의 측면에 접촉한 도전성 페이스트에 실제로 작용하는 젖어 오름력을 나타내는 도면이다.
도 16, 도 17에 도시하는 바와 같이, 적층체(910)의 능선부에 접촉한 도전성 페이스트에는, 도전성 페이스트에 적층체(910)의 측면의 폭 방향 또는 두께 방향에서의 중앙부에 접촉한 도전성 페이스트보다 큰 인장력(Ft)이 작용한다. 이것은 능선부의 곡률 반경(R)이 작아짐에 따라서 현저해진다. 그 결과, 도 18에 도시하는 바와 같이, 적층체(910)의 측면에 접촉한 도전성 페이스트에 실제로 작용하는 젖어 오름력(Fmu)은 능선부로부터 멀어짐에 따라서 커진다. 즉, 적층체(910)의 측면의 폭 방향 또는 두께 방향에서의 중앙부쪽이, 적층체(910)의 능선부보다 도전성 페이스트가 젖어 오르기 쉽다. 따라서, 적층체(910)의 측면(10)에 있어서, 도전성 페이스트가 불균일하게 젖어 오르게 된다.
본 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)에 있어서는, 적층체(110)의 표면을 소유성의 피막으로 덮고 있기 때문에, 적층체(110)의 측면(10)을 도전성 페이스트가 젖어 오르기 어렵게 되어 있다. 이에 따라, 도전성 페이스트가 불균일하게 젖어 오르는 것을 억제할 수 있다. 또한, 1쌍의 외부전극(120)의 상호 형상이 비대칭이 되는 것을 억제할 수 있다. 피막이 BaF를 포함함으로써 적층체(110)의 표면으로부터 피막이 박리되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 외부전극(120)을 얇게 하면서 형상을 안정시킬 수 있다. 그 결과, 적층 세라믹 콘덴서(100)의 외부전극(120)을, 얇으면서, 적층체(110)의 단면측과는 반대측의 선단의 형상을 측면에서 봤을 때 원호 형상이 아닌 대략 직선 형상으로 하여, 외부전극(120)들의 형상의 밸런스를 맞출 수 있다.
(실험예)
이하에서는, 외부전극 형성용의 도전성 페이스트의 점도 및 피막의 유무가, 외부전극의 형상에 끼치는 영향을 검증한 실험예에 대하여 설명한다. 본 실험예에 있어서는, 4종류의 적층 세라믹 콘덴서의 샘플을 각각 10개 제작했다. 샘플 1, 2에 있어서는 외부전극 형성용의 도전성 페이스트의 점도를 5Pa·s로 했다. 샘플 3, 4에 있어서는 외부전극 형성용의 도전성 페이스트의 점도를 15Pa·s로 했다. 샘플 1, 3에 있어서는 피막을 형성하지 않고, 샘플 2, 4에 있어서는 피막을 형성했다.
도 19는 샘플 1~4에 대하여, 적층 세라믹 콘덴서의 L-W 면의 관찰 사진, 외부전극의 길이, 및 도전성 페이스트의 젖어 오름량의 차이를 정리하여 나타낸 표이다. 한편, 외부전극의 길이로는, 도 14에 도시한 외부전극의 길이(A)의 치수를 나타내고 있다. 젖어 오름량의 차이로는, 도 14에 도시한 외부전극의 길이(A)와 (B)의 차이(C)의 치수를 나타내고 있다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 피막을 형성한 샘플 2, 4에 있어서는 젖어 오름량의 차이가 0.01㎜ 이하이며, 도전성 페이스트가 불균일하게 젖어 오르는 것을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 1쌍의 외부전극의 형상이 비대칭이 되는 것을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것이 아니라고 생각해야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아닌 특허청구범위에 의해 제시되며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
10: 측면 11: 단면
12: 능선부 20: 지지구
21: 오목부 30: 점착 지그
31: 평판 32: 점착부
40: 용기 41, 41a: 도전성 페이스트
100, 900: 적층 세라믹 콘덴서 110, 910: 적층체
120, 920: 외부전극 121: 베이스 전극층
122, 123: 도금층 130: 내부전극
140: 세라믹층

Claims (10)

  1. 내부전극이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면(端面) 및 상기 단면들의 사이를 연결하는 4개의 측면을 갖는 직방체형상의 적층체와,
    상기 1쌍의 단면 각각에 마련되고, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 2개의 외부전극을 포함하고,
    상기 4개의 측면 각각에서 상기 외부전극들의 사이에서 노출되어 있는 부분의 적어도 일부는, BaF를 포함하는 피막에 의해 덮여 있으며,
    상기 4개의 측면 중 상기 외부전극에 의해 덮이는 부분의 적어도 일부는 상기 피막에 의해 덮이는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 4개의 측면 각각에서 상기 외부전극들의 사이에서 노출되어 있는 부분의 전체가, 상기 피막에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 피막은 CF, CF2, CF3 및 상기 BaF 각각의 모노머가 중합된 중합체인 것을 특징으로 하는 전자부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 BaF는 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법에 의해, BaF+로서 검출되는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  5. 제4항에 있어서,
    비행 시간형 2차 이온 질량 분석법에 의해, 상기 CF는 CF+로서 검출되고, 상기 CF2는 CF2 +로서 검출되며, 상기 CF3은 CF3 +로서 검출되고,
    상기 BaF+가, 상기 CF+, 상기 CF2 + 및 상기 CF3 + 각각보다 많이 검출되는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 CF3 +가, 상기 CF+ 및 상기 CF2 + 각각보다 많이 검출되는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  7. 내부전극이 매설되고, Ti 및 Ba를 포함하는 유전체 세라믹으로 이루어지며, 상대하는 1쌍의 단면 및 상기 단면들의 사이를 연결하는 4개의 측면을 갖는 직방체형상의 적층체를 준비하는 공정과,
    상기 적층체의 표면에 BaF를 포함하는 소유성(疎油性; oleophobic)의 피막을 형성하는 공정과,
    상기 피막을 형성한 적층체의 상기 단면을, 점도가 15Pa·s 이하인 도전성 페이스트에 침지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 피막을 형성하는 공정에서, 코팅제로서 플루오르화 탄소계 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 용매로서 알코올계 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 30체적% 이상의 유리 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019087777A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 株式会社村田製作所 サーミスタ素子およびその製造方法
JP7356207B2 (ja) * 2017-12-22 2023-10-04 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品実装基板及び積層セラミック電子部品包装体
JP2019201106A (ja) * 2018-05-16 2019-11-21 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US10971308B2 (en) * 2018-07-20 2021-04-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Multilayer capacitor
US11276526B2 (en) * 2018-08-29 2022-03-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor
KR102118495B1 (ko) * 2018-08-29 2020-06-09 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
JP7435947B2 (ja) * 2018-08-29 2024-02-21 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ
KR102126415B1 (ko) * 2018-08-29 2020-06-25 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
KR102271041B1 (ko) * 2018-11-13 2021-07-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
JP7178886B2 (ja) * 2018-11-27 2022-11-28 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及び実装基板
DE102020107286A1 (de) * 2019-03-28 2020-10-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Mehrschichtiger Keramikkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
JP7070840B2 (ja) * 2019-03-29 2022-05-18 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法
KR20190116120A (ko) 2019-07-02 2019-10-14 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR20190116186A (ko) 2019-09-23 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
JP7380291B2 (ja) * 2020-02-13 2023-11-15 Tdk株式会社 電子部品
JP7359019B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-11 Tdk株式会社 電子部品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228904A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
KR101247228B1 (ko) * 2008-12-26 2013-03-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품의 제조 방법 및 세라믹 전자부품
JP2013091599A (ja) * 2006-11-30 2013-05-16 Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology 誘電体セラミックス組成物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0696995A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導電ペースト組成物
US5356474A (en) * 1992-11-27 1994-10-18 General Electric Company Apparatus and method for making aligned Hi-Tc tape superconductors
JP4590666B2 (ja) * 1999-12-14 2010-12-01 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品
JP4158452B2 (ja) 2002-08-21 2008-10-01 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2005123407A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品の外部電極形成方法
JP2005197530A (ja) 2004-01-08 2005-07-21 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
CN101128895B (zh) 2005-05-26 2010-09-01 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电子部件及其制造方法
JP2007067026A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品及び電子部品の製造方法
JP4462218B2 (ja) * 2006-03-28 2010-05-12 Ｔｄｋ株式会社 チップ状電子部品の外部電極形成方法および外部電極形成装置
JP6028739B2 (ja) 2013-03-07 2016-11-16 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2015111652A (ja) 2013-10-31 2015-06-18 株式会社村田製作所 電子部品
JP6274050B2 (ja) * 2014-08-27 2018-02-07 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および成膜装置
JP2015053495A (ja) * 2014-10-07 2015-03-19 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228904A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2013091599A (ja) * 2006-11-30 2013-05-16 Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology 誘電体セラミックス組成物
KR101247228B1 (ko) * 2008-12-26 2013-03-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품의 제조 방법 및 세라믹 전자부품

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