KR101775560B1 - 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101775560B1 KR101775560B1 KR1020100130291A KR20100130291A KR101775560B1 KR 101775560 B1 KR101775560 B1 KR 101775560B1 KR 1020100130291 A KR1020100130291 A KR 1020100130291A KR 20100130291 A KR20100130291 A KR 20100130291A KR 101775560 B1 KR101775560 B1 KR 101775560B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electric field
- insulating film
- field electrode
- etching
- electrode pattern
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 91
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- -1 gallium nitride (GaN) compound Chemical class 0.000 description 3
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OINMNSFDYTYXEQ-UHFFFAOYSA-M 2-bromoethyl(trimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCBr OINMNSFDYTYXEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66848—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET
- H01L29/66856—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66863—Lateral single gate transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상부에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하는 주요 전극 형성 단계; 상기 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 절연막 증착 단계; 상기 절연막 상부에 다층의 감광막을 증착하고 패터닝하여 개구부의 노출층이 서로 다른 다층의 전계전극 패턴을 형성하는 전계전극 패턴 형성 단계; 상기 전계전극 패턴을 식각마스크로 이용한 절연막 식각 공정을 수행하여 서로 다른 단차를 가지는 절연막을 형성하는 절연막 식각 단계; 및 상기 전계전극 패턴을 이용하여 금속층을 증착하고, 리프트 오프 (Lift-off) 공정을 수행하여 상기 서로 다른 단차를 가지는 절연막 상부에 전계전극을 형성하는 전계전극 형성 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 트랜지스터에 관한 것으로서, 특히 별도의 리소그라피 공정과 그에 따른 추가적인 공정을 필요로 하지 않고, 전계전극 하부의 절연막의 두께를 다르게 할 수 있는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC) 및 반절연 갈륨비소(GaAs) 등을 포함하는 반도체 기판(10) 상에 활성층(11) 및 캡층(12)을 차례로 형성한다. 예를 들면, 알루미늄갈륨나이트라이드(AlGaN)와 갈륨나이트라이드(GaN)의 이종접합을 이용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자의 경우, 활성층(11)은 갈륨나이트라이트 버퍼층(Buffer)과 알루미늄갈륨나이트라이드 베리어층(Barrier)으로 구성되며, 캡층(12)은 갈륨나이트라이드(GaN)층으로 구성된다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 소스·드레인 오믹 금속층(13)이 형성될 영역을 소스·드레인 패턴으로 정의한 후, 캡층(120) 상부에 오믹 금속을 증착하고, RTA(Rapid Thermal Annealing) 등을 거쳐 소스·드레인 오믹 금속층(13)을 형성한다. 예를 들면, 갈륨나이트라이드(GaN)계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT 소자의 제작 공정에서는 오믹 금속으로서, 소정의 두께로 Ti막, Al막, Ni막 및 Au막 등이 차례로 증착된 금속층이 이용되고, 기타 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET(MEtal Semi-conductor Field Effect Transistor) 등의 소자 제작 공정에서는 오믹 금속으로서, 소정의 두께로 AuGe막, Ni막 및 Au막 등이 차례로 증착된 금속층이 이용된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 오믹 공정이 완료된 캡층(12) 상에 감광막을 도포하고, 광리소그라피 또는 전자빔 리소그라피 등을 이용하여 티형 홀(15a)을 구비한 게이트 패턴(14a, 14b, 14c)을 형성한다. 여기서, 게이트 패턴(14a, 14b, 14c)은 게이트 전극의 저항을 증가시키지 않고 게이트 폭을 축소시켜 티형의 게이트 전극을 제작하는 데 사용된다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 티형 홀(15a)을 통해 노출된 캡층(12)을 식각하는 게이트 리쎄스 공정을 수행하여 게이트 금속이 증착될 게이트 리쎄스 영역(15b)을 형성한다. 여기서, 게이트 리쎄스 공정은 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET 등의 소자를 제작하는 데, 가장 중요한 공정 단계로서 일반적으로 전류를 측정하면서 이루어지고, 습식, 건식 및 건식과 습식의 조합 등으로 단일 또는 복수의 단계로 수행된다. 게이트 리쎄스 공정은 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 및 ICP(Inductive Coupled Plasma) 등의 건식 식각 장비에서 CF4, BCl3, Cl2 및 SF6 등의 가스를 이용하여 수행되고, 이때 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체 소자에 적용되는 H3PO4, H2O2 및 H2O 등이 적정 비율로 혼합된 인산계 용액 등을 포함하는 다양한 습식 식각 용액을 이용하여 진행된다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(14a, 14b, 14c) 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프 공정을 통하여 게이트 패턴(14a, 14b, 14c)을 제거한 후, 티형 게이트 전극(16)을 형성한다. 예를 들면, 갈륨나이트라이드(GaN)계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT 소자의 제작 공정에서는 Ni막 및 Au막 등의 금속층을 소정의 두께로 차례로 증착하여 게이트 전극(16)을 형성하고, 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET 등의 소자 제작에서는 Ti막, Pt막 및 Au막 등의 금속층을 소정의 두께로 차례로 증착하여 게이트 전극(16)을 형성한다.
도 1f에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(16)을 형성한 후, 소스·드레인 오믹 금속층(13) 및 티형 게이트 전극(16)을 포함하는 캡층(12) 상에 절연막(17)을 증착하고, 도 1g에 도시한 바와 같이 전계전극 형성을 위한 리소그라피 공정을 수행하여 전계전극 패턴(18)을 형성한다.
도 1h에 도시한 바와 같이 전계전극 형성을 위한 전계전극 패턴(18)에 금속을 증착한 후, 리프트-오프 공정을 수행하여 전계전극 패턴(18)을 제거하고, 복수의 전계전극(19)을 형성한다. 이 경우, 복수의 전계전극(19)에 대해서 전계전극(19) 하부의 절연막(17)의 두께는 일정 두께로 고정된다. 만약, 각각의 전계전극(19) 하부의 절연막(17)의 두께를 조절하는 경우, 각각의 전계전극(19)에 대해서 별도의 마스크 패턴이 필요하며, 그에 따른 리소그라피 공정, 식각 공정, 금속증착 및 리프트 오프 공정이 수반된다.
상술한 바와 같이, 종래의 전계전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법은, 전계전극을 제작하는 데 있어서 게이트와 드레인 영역의 전계를 감소시켜 피크치를 감소시킬 수 있고, 고주파 성능을 유지하면서 게이트 누설전류를 감소시켜 높은 항복전압을 얻을 수 있으며, 가리움 효과 (Shielding Effect)로 게이트와 드레인 사이의 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는 효과를 기대할 수 있다. 이로 인해, 고전압 및 고전류에서 구동이 가능한 전력 소자를 제작할 수 있다.
그러나, 전계전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터의 경우, 한 기판 상에서 전계전극 하부의 절연막의 두께는 일반적으로 고정되고, 절연막의 두께를 조절하기 위해서 각 전계전극마다 별도의 마스크 패턴을 필요로 하며, 각각의 마스크 패턴마다 리소그라피 공정, 식각 공정, 메탈증착 및 리프트 오프 공정이 반복되어야 한다.
예를 들면, GaN, GaAs 및 InP 등을 포함하는 화합물 반도체를 이용하여 제작되는 HEMT 소자의 경우, 소스와 드레인 사이에 게이트 이외에 한 개 또는 여러 개의 전계전극을 제작하고 있고, 전계전극을 형성하기 위한 마스크 패턴을 이용하여 제작된 전계전극에서는 한 기판 상에 전계전극 하부의 절연막의 두께가 일반적으로 고정되며, 각각의 전계전극마다 전계전극 하부의 절연막의 두께를 조절하기 위해서 각각의 전계전극마다 별도의 마스크 패턴을 필요로 하고, 각각의 마스크 패턴마다 리소그라피 공정, 식각 공정, 메탈증착 및 리프트 오프 공정이 반복되어야 한다.
따라서, 종래의 전계전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법의 경우, 동일한 소자에 대해 전계전극 하부의 절연막 두께를 다르게 적용할 수 없다. 설령, 여러 전계전극 하부의 절연막의 두께를 달리할 수 있다 하더라도, 각각의 전계전극마다 별도의 마스크 패턴이 필요하고, 각각의 마스크 패턴마다 리소그라피 공정, 식각 공정, 메탈증착 및 리프트 오프 공정이 반복되어야 한다. 이로 인해 제조 공정 단가가 높아지고, 생산성이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 별도의 리소그라피 공정과 그에 따른 추가적인 공정을 필요로 하지 않고, 전계전극 하부의 절연막의 두께를 다르게 할 수 있는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
이를 위하여, 본 발명의 제1 측면에 따르면, 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법은, 반도체 기판 상부에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하는 주요 전극 형성 단계; 상기 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 절연막 증착 단계; 상기 절연막 상부에 다층의 감광막을 증착하고 패터닝하여 개구부의 노출층이 서로 다른 다층의 전계전극 패턴을 형성하는 전계전극 패턴 형성 단계; 상기 전계전극 패턴을 식각마스크로 이용한 절연막 식각 공정을 수행하여 서로 다른 단차를 가지는 절연막을 형성하는 절연막 식각 단계; 및 상기 전계전극 패턴을 이용하여 금속층을 증착하고, 리프트 오프 (Lift-off) 공정을 수행하여 상기 서로 다른 단차를 가지는 절연막 상부에 전계전극을 형성하는 전계전극 형성 단계를 포함한다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 일측에 형성되는 소스 오믹 금속층; 상기 반도체 기판의 타측에 형성되는 드레인 오믹 금속층; 상기 소스 오믹 금속층과 상기 드레인 오믹 금속층 사이의 반도체 기판 상부에 형성되는 게이트 전극; 상기 소스 오믹 금속층, 상기 드레인 오믹 금속층 및 상기 게이트 전극을 포함하는 반도체 기판 상부에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막 상부에 형성되는 복수의 전계전극을 포함하되, 각각의 전계전극 하부의 절연막의 두께는 상이한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 여러 개의 전계전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터에서 각각의 전계전극 하부의 절연막의 두께를 조절하여 전계전극 하부의 절연막 특성을 조절할 수 있고, 이에 따라 각각의 전계전극에 다양한 바이어스를 인가할 수 있도록 하여 소자의 파괴전압 특성을 향상시킬 수 있으며, 고전압 구동시 높은 출력을 얻을 수 있는 전력소자를 제작할 수 있다.
또한, 여러 개의 전계전극 제작시 별도의 추가적인 마스크를 필요하지 않으므로, 생산성을 향상시킬 수 있고, 종래보다 균일하고 재현성 높은 우수한 성능의 트랜지스터들을 제작할 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면,
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 일실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(20) 상에 활성층(21) 및 캡층(22)을 순차적으로 형성하고, 도 2b에 도시한 바와 같이, 소스·드레인 오믹 금속층(Ohmic Metal Layer)(23)이 형성될 영역을 소스·드레인 패턴으로 정의한 후, 오믹 금속을 증착하고, RTA(Rapid Thermal Annealing) 등을 거쳐 소스·드레인 오믹 금속층(23)을 형성한다. 여기서, 갈륨나이트라이드(GaN)계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자의 제작 공정에서는 오믹 금속으로서, 소정의 두께로 Ti막, Al막, Ni막 및 Au막 등이 차례로 증착된 금속층이 이용될 수 있고, 기타 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET(MEtal Semi-conductor Field Effect Transistor) 등의 소자 제작 공정에서는 오믹 금속으로서, 소정의 두께로 AuGe막, Ni막 및 Au막 등이 차례로 증착된 금속층이 이용될 수 있으며, RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정을 거쳐 소스·드레인 오믹 금속층(13)이 형성될 수도 있다.
다음으로 도 2c에 도시된 바와 같이, 오믹 공정이 완료된 캡층(22) 상에 감광막을 도포하고, 광리소그라피 또는 전자빔 리소그라피 등을 이용하여 티형 홀(25a)을 구비한 게이트 패턴(24a, 24b, 24c)을 형성한다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 티형 홀(25a)을 통하여 노출된 캡층(220)을 식각하는 게이트 리쎄스(Recess) 공정을 수행하여 게이트 금속이 증착될 게이트 리쎄스 영역(25b)을 형성한다. 게이트 리쎄스 공정은 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET 등의 소자에 있어서 가장 중요한 공정 단계로서, 일반적으로 전류를 측정하면서 이루어지고, 습식, 건식 및 건식과 습식의 조합 등으로 단일 또는 복수의 단계로 수행될 수 있다. 게이트 리쎄스 공정은 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 및 ICP(Inductive Coupled Plasma) 등의 건식 식각 장비에서 CF4, BCl3, Cl2 및 SF6 등의 가스를 이용하여 수행될 수도 있고, 이때 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체 소자에 적용되는 H3PO4, H2O2 및 H2O 등이 적정 비율로 혼합된 인산계 용액 등을 포함하는 다양한 습식 식각 용액을 이용하여 진행된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(24a, 24b, 24c) 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프 공정을 통하여 게이트 패턴(24a, 24b, 24c)을 제거하고, 티형 게이트 전극(26)을 형성한다. 예를 들면, 갈륨나이트라이드(GaN)계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT 소자의 제작 공정에서는 Ni막 및 Au막 등의 금속층을 소정의 두께로 차례로 증착하여 게이트 전극(26)을 형성하고, 갈륨비소(GaAs) 계열의 화합물 반도체를 이용한 HEMT, MESFET 등의 소자 제작에서는 Ti막, Pt막 및 Au막 등의 금속층을 소정의 두께로 차례로 증착하여 게이트 전극(26)을 형성한다.
도 2f에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(26)을 형성한 후, 소스·드레인 오믹 금속층(23) 및 게이트 전극(26)을 포함하는 캡층(22) 상부에 단층 또는 다층의 절연막(27)을 증착한다. 여기서, 절연막(27)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, BCB 및 기타 다공성 실리카 박막 등과 같은 물질로 구성될 수 있고, 화합물 반도체 기판의 표면을 보호한다.
그리고, 절연막(27)의 종류 및 두께는 후술하는 절연막(27)의 식각 공정에서 식각마스크로 사용되는 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)을 구성하는 다층의 감광막들 중 최하층 및 그 위층 감광막의 식각률과 절연막(27)의 식각률을 고려하여 결정될 수 있다. 즉, 후술하는 절연막(27)의 식각 공정에서 반도체 기판(20)의 표면이 노출되지 않고, 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)의 최하층 또는 그 위층의 감광막이 노출된 영역에서 그 감광막들이 식각되어 절연막이 노출될 수 있도록 조절되어야 한다.
도 2g에 도시된 바와 같이, 절연막(27) 상에 다층의 감광막을 코팅한 후, 개구부(29a, 29b, 29c)의 노출층이 서로 다른 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)을 형성한다. 본 발명의 일실시예에 따르면 3개의 전계전극을 제작하는 경우, 3단 이상의 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)이 요구된다. 자세하게는, 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)은 개구부(29a, 29b, 29c)의 노출층이 각각 절연막(27), 최하층 감광막(28a) 및 최하층 감광막 위의 감광막(28b)인 다층의 감광막 패턴으로서, 전자빔 리소그라피를 이용하여 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)을 제작하는 경우, PMMA/PMGI/Copolymer/PMMA 또는 ZEP/PMGI/Copolymer/ZEP 등 여러 가지 다층의 감광막층 조합을 이용할 수 있다. 이때, 최하층(이하, '제1 감광막'이라 함)(28a) 및 그 위층의 감광막(이하, '제2 감광막'이라 함)(28b)은 반도체 기판(20) 위의 단층 또는 다층의 절연막 식각 공정시 제1 감광막(28a) 및 제2 감광막(28b)이 노출된 영역에서 절연막(27)이 모두 노출될 수 있도록 식각 선택비를 고려하여 종류 및 두께를 선택할 필요가 있다.
도 2h에 도시된 바와 같이, 전계전극 제작을 위한 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)을 식각마스크로 이용한 절연막 식각 공정을 수행하여 절연막(270)이 서로 다른 깊이를 갖도록 한다.
절연막 식각 공정은 건식 식각의 경우, RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching) 및 ICP(Inductive coupled plasma) 등의 장비에서 수행될 수 있고, 습식 식각의 경우 BOE(Buffered Oxide Etch) 용액 등을 이용하여 수행될 수 있다.
도 2i에 도시한 바와 같이, 전계전극 제작을 위한 전계전극 패턴(28a, 28b, 28c)을 이용하여, 전계전극을 위한 금속층을 증착하고, 리프트 오프(Lift-off) 공정을 수행하여 복수의 전계전극(30a, 30b, 30c)을 제작한다.
따라서, 본 발명의 일실시예에서는 각각의 전계전극(30a, 30b, 30c) 하부의 절연막(27)의 두께를 조절하여 전계전극 하부의 절연막 특성을 조절할 수 있고, 이에 따라 각각의 전계전극에 다양한 바이어스를 인가할 수 있도록 하여 소자의 파괴전압 특성을 향상시킬 수 있으며, 고전압 구동시 높은 출력을 얻을 수 있는 전력소자를 제작할 수 있다.
또한, 복수의 전계전극(30a, 30b, 30c) 제작시 별도의 추가적인 마스크가 필요하지 않으므로, 생산성이 향상되고, 기존의 공정보다 균일하고, 재현성 있게 우수한 성능의 트랜지스터들을 제작할 수 있다.
본 발명의 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
20: 반도체 기판 21: 활성층
22: 캡층 23: 소스·드레인 오믹 금속층
24a, 24b, 24c: 게이트 패턴 25a: 티형 홀
25b: 게이트 리쎄스 영역 26: 게이트 전극
27: 절연막 28a, 28b, 28c: 전계전극 패턴
29a, 29b, 29c: 개구부 30a, 30b, 30c: 전계전극
22: 캡층 23: 소스·드레인 오믹 금속층
24a, 24b, 24c: 게이트 패턴 25a: 티형 홀
25b: 게이트 리쎄스 영역 26: 게이트 전극
27: 절연막 28a, 28b, 28c: 전계전극 패턴
29a, 29b, 29c: 개구부 30a, 30b, 30c: 전계전극
Claims (12)
- 반도체 기판 상부에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하는 주요 전극 형성 단계;
상기 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 절연막 증착 단계;
상기 절연막 상부에 다층의 감광막을 증착하고 패터닝하여 개구부의 노출층이 서로 다른 다층의 전계전극 패턴을 형성하는 전계전극 패턴 형성 단계;
상기 전계전극 패턴을 식각마스크로 이용한 절연막 식각 공정을 수행하여 서로 다른 단차를 가지는 절연막을 형성하는 절연막 식각 단계; 및
상기 전계전극 패턴을 이용하여 금속층을 증착하고, 리프트 오프 (Lift-off) 공정을 수행하여 상기 서로 다른 단차를 가지는 절연막 상부에 전계전극을 형성하는 전계전극 형성 단계를 포함하되,
상기 전계전극 패턴 형성 단계는, 상기 다층의 감광막 중 어느 하나를 노출하는 제1 전계 전극 패턴 및 상기 절연막을 노출하는 제2 전계 전극 패턴을 형성하는 것을 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 절연막은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, HfO2, BCB 및 다공성 실리카 박막 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 절연막의 종류 및 두께는 상기 절연막 식각 공정시 상기 다층의 감광막 중 최상층 감광막을 제외한 각각의 감광막의 식각률 및 상기 절연막의 식각률을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다층의 감광막 중 최상층 감광막을 제외한 각각의 감광막의 종류 및 두께는 상기 절연막 식각 공정시 상기 개구부를 통하여 상기 절연막이 서로 다른 단차를 가지고 노출될 수 있도록 식각 선택비를 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 절연막 식각 단계에서,
RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching) 및 ICP(Inductive coupled plasma) 중 어느 하나의 장비를 이용한 건식 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제5항에 있어서,
상기 건식 식각 공정에서 CF4 가스, CF4 가스 및 CHF3 가스의 혼합 가스 또는 CF4 가스 및 O2 가스의 혼합 가스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제 1항에 있어서, 상기 절연막 식각 단계에서,
BOE(Buffered Oxide Etch) 용액을 이용한 습식 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 전계전극 패턴 형성 단계에서,
전자빔 리소그라피를 이용하여 상기 전계전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다층의 감광막은 PMMA/PMGI/Copolymer/PMMA 또는 ZEP/PMGI/Copolymer/ZEP의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전계 전극 패턴은 상기 다층의 감광막 중 최하층 감광막을 노출하고,
상기 전계전극 패턴 형성 단계는, 상기 다층의 감광막 중 최하층 감광막 위의 감광막을 노출하는 제3 전계 전극 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100130291A KR101775560B1 (ko) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US13/307,069 US8586462B2 (en) | 2010-12-17 | 2011-11-30 | Method of manufacturing a field-effect transistor |
US14/049,816 US20140035044A1 (en) | 2010-12-17 | 2013-10-09 | Field-effect transistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100130291A KR101775560B1 (ko) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120068599A KR20120068599A (ko) | 2012-06-27 |
KR101775560B1 true KR101775560B1 (ko) | 2017-09-07 |
Family
ID=46233245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100130291A KR101775560B1 (ko) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8586462B2 (ko) |
KR (1) | KR101775560B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9136364B2 (en) | 2009-09-16 | 2015-09-15 | Power Integrations, Inc. | Field effect transistor with access region recharge |
US9245879B2 (en) * | 2012-06-29 | 2016-01-26 | Power Integrations, Inc. | Static discharge system |
US10192981B2 (en) | 2012-06-29 | 2019-01-29 | Power Integrations, Inc. | Switching device with charge distribution structure |
KR101367151B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-02-27 | 한국전기연구원 | 누설전류를 차단하기 위한 절연층이 형성된 엑스-선 영상 검출기 및 이의 제조 방법 |
KR101723780B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2017-04-05 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 질화갈륨층을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 |
KR102154336B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2020-09-10 | 한국전자통신연구원 | 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법 |
WO2017111795A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Multiple stacked field-plated gan transistor and interlayer dielectrics to improve breakdown voltage and reduce parasitic capacitances |
KR102106977B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2020-05-08 | 한국전자통신연구원 | 전자 소자 및 그의 제조 방법 |
TWI685942B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-02-21 | 台達電子工業股份有限公司 | 半導體裝置 |
US10483300B2 (en) | 2017-06-02 | 2019-11-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optically restorable semiconductor device, method for fabricating the same, and flash memory device using the same |
US11043563B2 (en) * | 2018-03-12 | 2021-06-22 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices and methods for fabricating the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100620393B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2006-09-06 | 한국전자통신연구원 | 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100244411B1 (ko) | 1992-12-30 | 2000-02-01 | 김영환 | 반도체장치 제조방법 |
KR100276077B1 (ko) | 1998-05-11 | 2001-01-15 | 이계철 | 미세 티자형 게이트 전극의 제작방법 |
US7573078B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
JP2006032552A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 窒化物含有半導体装置 |
US7548112B2 (en) | 2005-07-21 | 2009-06-16 | Cree, Inc. | Switch mode power amplifier using MIS-HEMT with field plate extension |
KR100782430B1 (ko) | 2006-09-22 | 2007-12-05 | 한국과학기술원 | 고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조 |
-
2010
- 2010-12-17 KR KR1020100130291A patent/KR101775560B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-11-30 US US13/307,069 patent/US8586462B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-09 US US14/049,816 patent/US20140035044A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100620393B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2006-09-06 | 한국전자통신연구원 | 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140035044A1 (en) | 2014-02-06 |
US8586462B2 (en) | 2013-11-19 |
US20120153361A1 (en) | 2012-06-21 |
KR20120068599A (ko) | 2012-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101775560B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR100620393B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
JP3884047B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
KR100631051B1 (ko) | 부정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR100647459B1 (ko) | 티형 또는 감마형 게이트 전극의 제조방법 | |
JP2008288289A (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法 | |
KR102154336B1 (ko) | 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법 | |
US20130069127A1 (en) | Field effect transistor and fabrication method thereof | |
KR102208076B1 (ko) | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
US20150295051A1 (en) | Semiconductor device | |
KR101848244B1 (ko) | 계단형 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR101596079B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US8901608B2 (en) | Transistor and method of fabricating the same | |
JP2008016762A (ja) | GaN−HEMTの製造方法 | |
KR101243836B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 형성 방법 | |
US10868162B1 (en) | Self-aligned gallium nitride FinFET and method of fabricating the same | |
KR20170095454A (ko) | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR100849926B1 (ko) | 부정형 고 전자 이동도 트랜지스터 제조방법 | |
KR20130037611A (ko) | 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR20100000586A (ko) | 전계효과트랜지스터(초고주파 집적회로소자)의제조방법 | |
KR100849923B1 (ko) | 화합물 반도체소자의 제작방법 | |
KR20030065787A (ko) | 티(t)형 게이트 형성 방법 | |
JP2008147279A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20100067262A (ko) | 전계트랜지스터(초고주파 집적회로소자)의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |