JP2008147279A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】リセス構造を有する半導体装置における絶縁膜の後退量を制御し、リセスエッジ形状のばらつきを抑え、安定した特性、信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板1上に第1の絶縁膜3を形成し、第1の絶縁3膜の所定位置に、この第1の絶縁膜3を貫通する開口部4を形成し、第1の絶縁膜3および開口部4上に第2の絶縁膜5を形成し、異方性エッチングにより、第2の絶縁膜5を選択的に除去して、開口部4壁面に第2の絶縁膜5からなる側壁6を形成し、第1の絶縁膜3および側壁6をマスクとして、等方性エッチングによりリセス7を形成し、側壁6を選択的に除去する。
【選択図】図6
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板1上に第1の絶縁膜3を形成し、第1の絶縁3膜の所定位置に、この第1の絶縁膜3を貫通する開口部4を形成し、第1の絶縁膜3および開口部4上に第2の絶縁膜5を形成し、異方性エッチングにより、第2の絶縁膜5を選択的に除去して、開口部4壁面に第2の絶縁膜5からなる側壁6を形成し、第1の絶縁膜3および側壁6をマスクとして、等方性エッチングによりリセス7を形成し、側壁6を選択的に除去する。
【選択図】図6
Description
本発明は、例えばGaAsなどの化合物半導体を用いた高周波パワーデバイスなどの半導体装置の製造方法に関する。
近年、インバータ回路やスイッチング素子の高機能化に伴い、HEMT(High Electron Mobility Transistor)、FET(Field Effect Transistor)といった高周波パワーデバイスにおいて、さらなる高周波化、高耐圧化が要求されている。
そのため、ソース/ゲート間に形成されたリセスにゲートを形成するリセス構造が用いられている。リセス構造により、ソース/ゲート間の寄生抵抗を低減し、半導体表面を流れるリーク電流を低減することができる。その結果、トランジスタの高周波特性と耐圧を向上させることが可能となる。
このようなリセス構造は、結晶ダメージを抑えるために、通常ウエットエッチングにより形成されるが、等方的にエッチングされるため、深さ方向のみならず、横方向にもエッチングされる(例えば特許文献1[0019][図2]、特許文献2[図1][図2]など参照)。従って、リセス幅を制御するために、横方向のエッチング量を制御する必要がある。
さらに、基板上に絶縁膜を設ける構造を用いる場合、リセスエッジと絶縁膜のエッジを合せるために、絶縁膜を選択的に後退エッチングするが、後退量は時間で制御されており、その時間も20〜60秒と短いことから、ばらつきが生じてしまうという問題がある。
特開2003−224141号公報
特開2005−159109号公報
本発明は、リセス構造を有する半導体装置における絶縁膜の後退量を制御し、リセスエッジ形状のばらつきを抑え、安定した特性、信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、基板上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の所定位置に、この第1の絶縁膜を貫通する開口部を形成し、第1の絶縁膜および開口部上に第2の絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより、第2の絶縁膜を選択的に除去して、開口部壁面に第2の絶縁膜からなる側壁を形成し、第1の絶縁膜および側壁をマスクとして、等方性エッチングによりリセスを形成し、側壁を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施態様の半導体装置の製造方法によれば、リセス構造を有する半導体装置における絶縁膜の後退量を制御し、リセスエッジ形状のばらつきを抑え、安定した特性、信頼性を得ることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1から図7に、本実施形態のFET素子の製造工程を断面図で示す。図1に示すように、先ず、例えばGaAsなどの半導体基板1上にAlGaAs層などの化合物半導体層2を形成し、所定の動作領域(図示せず)を形成する。そして、全面に例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより、例えばSiNxからなる絶縁膜3を形成する。
図1から図7に、本実施形態のFET素子の製造工程を断面図で示す。図1に示すように、先ず、例えばGaAsなどの半導体基板1上にAlGaAs層などの化合物半導体層2を形成し、所定の動作領域(図示せず)を形成する。そして、全面に例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより、例えばSiNxからなる絶縁膜3を形成する。
次いで、図2に示すように、例えばレジストを用いた一般的な光やEB(Electron Beam)を用いたリソグラフィ法によりパターニングを行い、これをマスクとしてドライまたはウエットエッチングにより、絶縁膜3に半導体層2に到達する開口部4を形成する。
そして、図3に示すように、全面すなわち絶縁膜3表面および開口部4内に、例えばCVD法などにより、絶縁膜5を形成する。
そして、図4に示すように、例えばフッ素系のエッチャントを用いたドライエッチング(異方性エッチング)により、絶縁膜5を除去し、開口部4の壁面に例えばSiO2からなる絶縁膜5を残存させることにより、自己整合的に側壁6を形成する。このとき、側壁6の厚さは、後に形成されるリセスにおける横方向のエッチング量と等しくなるように、予め調整しておく。
さらに、図5に示すように、絶縁膜3および側壁6をマスクとして、リン酸、クエン酸などを用いたウエットエッチング(等方性エッチング)により、半導体層2にリセス7を形成する。このとき、ウエットエッチングは横方向にも進行し、側壁6部分がオーバーハング構造となる。
そして、オーバーハング構造となっている側壁6を、薄いフッ化アンモニウムなどにより、選択的に除去(エッチバック)することにより、図6に示すように、リセス7を完成させる。このとき、エッチバック量は実質的に側壁6の厚さとなるため、エッチバック量のばらつきを抑えることが可能となる。
さらに、図7に示すように、リセス内にゲート電極8が形成され、所定の素子領域に到達するソース・ドレイン電極(図示せず)などが形成されることにより、FET素子が形成される。
本実施形態において、基板1としてGaAsを用いたが、高周波パワーデバイスに用いられるGaNや、Si、SiC、ダイヤモンドなどの基板を用いることができる。また、本実施形態のように、さらにその上層にAlGaN層などの化合物半導体層2が形成されていてもよい。そして、リセスは素子のデザインにより適宜形成され、化合物半導体層2内に形成されても、基板1内に到達してもよい。
そして、下層の絶縁膜2としてSiNx、上層(側壁)の絶縁膜4としてSiO2を用いたが、下層と上層で選択比を取ることが可能な絶縁膜の組合せであればよく、例えば下層をSiO2、上層をSiNxとしてもよい。
このような構成は、HEMT(High Electron Mobility Transistor)の他、MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)や、MISFET(Metal insulator semiconductor field effect transistor)などのFETなどにおいて適用することが可能である。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1…基板、2…化合物半導体層、3、5…絶縁膜、4…開口部、6…側壁、7…リセス、8…ゲート電極
Claims (5)
- 基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜の所定位置に、この第1の絶縁膜を貫通する開口部を形成し、
前記第1の絶縁膜および前記開口部上に第2の絶縁膜を形成し、
異方性エッチングにより、前記第2の絶縁膜を選択的に除去して、開口部壁面に第2の絶縁膜からなる側壁を形成し、
前記第1の絶縁膜および前記側壁をマスクとして、等方性エッチングによりリセスを形成し、
前記側壁を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記等方性エッチングにより、前記側壁をオーバーハング構造とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記側壁の厚さは、前記等方性エッチングによるエッチング量と実質的に等しいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜または前記第2の絶縁膜は、酸化膜または窒化膜を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- さらに、前記リセス上にゲート電極を形成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2006330336A JP2008147279A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2006330336A Abandoned JP2008147279A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2015037148A (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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2006
- 2006-12-07 JP JP2006330336A patent/JP2008147279A/ja not_active Abandoned
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