KR101612012B1 - 산화 방지 가스 취출 유닛 - Google Patents

산화 방지 가스 취출 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR101612012B1
KR101612012B1 KR1020147014751A KR20147014751A KR101612012B1 KR 101612012 B1 KR101612012 B1 KR 101612012B1 KR 1020147014751 A KR1020147014751 A KR 1020147014751A KR 20147014751 A KR20147014751 A KR 20147014751A KR 101612012 B1 KR101612012 B1 KR 101612012B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
antioxidant gas
capillary
antioxidant
hole
Prior art date
Application number
KR1020147014751A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140098106A (ko
Inventor
토루 마에다
미츠아키 사카쿠라
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20140098106A publication Critical patent/KR20140098106A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101612012B1 publication Critical patent/KR101612012B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/16—Arc welding or cutting making use of shielding gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/781—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00015—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed as prior art
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/6416—With heating or cooling of the system

Abstract

산화 방지 가스 취출 유닛은 내부에 산화 방지 가스 유로(53),(54)가 형성된 중공판 형상의 기체부(10)와, 산화 방지 가스 유로(53),(54)에 산화 방지 가스를 유입시키는 산화 방지 가스 입구(20)와, 캐필러리(72)가 삽입되고 빼어질 수 있도록 기체부(10)의 두께 방향으로 관통하고, 산화 방지 가스 유로(53),(54)에 연통하여 산화 방지 가스가 유출하는 관통 구멍(30)과, 관통 구멍(30)의 둘레의 기체부(10)의 외면에 부착되는 필름 히터(40)를 구비하고, 컴팩트한 구조로 효과적으로 프리에어볼을 가온(加溫)할 수 있다.

Description

산화 방지 가스 취출 유닛{OXIDATION PREVENTING GAS SPRAY UNIT}
본 발명은 와이어 본딩 장치에 부착되는 산화 방지 가스 취출(吹出) 유닛의 구조에 관한 것이다.
와이어 본딩 장치에서는 본딩 툴인 캐필러리의 선단으로부터 뻗은 와이어 테일을 스파크에 의해 프리에어볼에 형성하고, 프리에어볼을 캐필러리의 선단에서 반도체 소자 또는 기판의 전극 위에 본딩하는 볼 본딩이 많이 행해지고 있다.
종래, 와이어 본딩에 있어서는, 금 와이어가 사용되는 일이 많았지만, 보다 저렴하며 전기 특성이 우수한 구리 와이어를 사용한 본딩이 행해지도록 되고 있다. 그러나, 금과 상이하게 구리 와이어는 산화하기 쉽기 때문에, 스파크에 의해 프리에어볼을 형성할 때에 볼의 표면에 산화 피막이 생겨버린다. 이 산화 피막은 볼과 전극의 부착성을 저하시켜, 본딩 불량을 야기하는 경우가 있었다. 그래서, 구리 와이어를 사용하여 본딩을 행할 때에는 예를 들면, 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 중에서 프리에어볼을 형성하여, 볼 표면이 산화하는 것을 억제하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
그러나, 특허문헌 1에 기재된 본딩 장치와 같이, 프리에어볼을 형성하는 영역에 일방으로부터 불활성 가스를 내뿜는 경우에는, 불활성 가스의 흐름에 의해 형성된 프리에어볼에 편심이 발생하거나, 프리에어볼의 형성 영역에 공기가 말려드는 것에 의한 산화가 발생하거나 하는 경우가 있다는 문제가 있었다. 이 때문에, 프리에어볼을 형성하는 캐비티의 주위에 다공질 부재를 배치하고, 이 다공질 부재의 세세한 구멍에서 불활성 가스의 속도를 떨어뜨려, 캐비티 중에 균일하게 불활성 가스를 퍼뜨리는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
한편, 본딩시의 프리에어볼의 표면 온도가 저하하면, 프리에어볼과 전극과의 접합 강도가 저하되는 경우나, 프리에어볼의 이형화(둥글게 되지 않거나 함)가 발생하는 경우가 있다는 문제가 있었다. 이 때문에, 가열한 환원성 가스를 프리에어볼 형성의 전후 및 프리에어볼 형성 중에 그 주변에 흘림으로써 프리에어볼의 온도를 높게 유지하고, 본딩 강도를 확보하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 또, 가열한 불활성 가스를 흘린 상태에서 프리에어볼의 형성을 행함으로써, 볼 표면의 산화를 억제함과 아울러 프리에어볼의 온도를 높게 유지하여 본딩하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 4 참조).
그러나, 특허문헌 3, 4에 기재된 종래 기술과 같이, 가스 노즐로부터 가열한 불활성 가스를 분출하는 구조의 경우, 불활성 가스 분위기를 유지하기 위해서 불활성 가스의 유량을 크게 하는 것이 필요하게 된다. 이 때문에, 불활성 가스를 가온하기 위한 히터도 큰 것이 필요하게 되어, 본딩 장치가 대형이 되어버리거나, 동작이 느려져 고속의 본딩이 어려워져버리거나 하는 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 2007-294975호 일본 공개특허공보 2008-130825호 일본 공개특허공보 소63-164230호 일본 공개특허공보 소63-266845호
그래서, 본 발명은 컴팩트한 구조로 효과적으로 프리에어볼을 가온(加溫)할 수 있는 산화 방지 가스 취출 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 산화 방지 가스 취출 유닛은 내부에 산화 방지 가스 유로가 형성된 중공판 형상의 기체부(基體部)와, 캐필러리가 삽입되고 빼어질 수 있도록 기체부의 두께 방향으로 관통하고, 산화 방지 가스 유로에 연통하여 산화 방지 가스가 유출하는 관통 구멍과, 관통 구멍의 둘레의 기체부의 외면에 부착되는 필름 히터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 산화 방지 가스 취출 유닛에 있어서, 산화 방지 가스 유로는 관통 구멍의 중심을 향하여 산화 방지 가스를 취출하는 복수의 취출구를 구비하고 있는 것으로 해도 적합하고, 산화 방지 가스 유로에 산화 방지 가스를 유입시키는 산화 방지 가스 입구를 구비하고, 산화 방지 가스 유로는 산화 방지 가스 입구로부터 각 취출구까지의 사이에, 흐름의 방향을 적어도 2회 변경하는 래버린스를 구비하고 있는 것으로 해도 적합하다.
또, 본 발명의 산화 방지 가스 취출 유닛에 있어서, 래버린스는 관통 구멍의 둘레 가장자리에 배치되고, 그 사이의 둘레 방향의 각 간극이 각 취출구를 형성하는 복수의 내주측 블록과, 각 내주측 블록의 외주측에서, 그 사이의 둘레 방향의 각 간극이 내주측 블록의 각 간극과 둘레 방향으로 어긋나게 배치되는 복수의 외주측 블록을 구비하는 것으로 해도 적합하다.
또, 본 발명의 산화 방지 가스 취출 유닛에 있어서, 필름 히터는 래버린스가 배치되어 있는 영역의 기체부의 외면에 부착되어 있는 것으로 해도 적합하고, 캐필러리의 선단으로부터 뻗은 와이어 테일과의 사이에서 스파크를 발생시키고, 와이어 테일을 프리에어볼에 형성하는 토치 전극이 기체부의 외측에 배치되어 있는 것으로 해도 적합하며, 기체부의 내측에 배치되어 있는 것으로 해도 적합하다.
본 발명은 컴팩트한 구조로 효과적으로 프리에어볼을 가온할 수 있는 산화 방지 가스 취출 유닛을 제공할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛이 부착된 와이어 본딩 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 산화 방지 가스 유로를 나타내는 설명도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 산화 방지 가스 유로의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 산화 방지 가스의 취출 상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 산화 방지 가스 유로를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 산화 방지 가스 취출 유닛의 산화 방지 가스의 취출 상태를 나타내는 설명도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 산화 방지 가스 취출 유닛(100)은 내부에 산화 방지 가스 유로(53, 54)가 형성된 중공판 형상의 기체부(10)와, 산화 방지 가스 유로(53, 54)에 산화 방지 가스를 유입시키는 산화 방지 가스 입구(20)와, 캐필러리(72)가 삽입되고 빼어질 수 있도록 기체부(基體部)(10)의 두께 방향으로 관통하고, 산화 방지 가스 유로(53, 54)에 연통하여 산화 방지 가스가 유출되는 관통 구멍(30)과, 관통 구멍(30)의 둘레의 기체부(10)의 외면에 부착되는 필름 히터(40)를 구비하고 있다. 산화 방지 가스 유로(53)는 관통 구멍(30)의 중심을 향하여 산화 방지 가스를 취출하는 복수의 취출구(35)를 구비하고 있다. 그리고, 산화 방지 가스 유로(53, 54)는 산화 방지 가스 입구(20)로부터 각 취출구(35)까지의 사이에, 흐름의 방향을 적어도 2회 변경하는 래버린스(labyrinth)(50)를 구비하고 있다. 래버린스(50)는 관통 구멍(30)의 둘레 가장자리에 배치되는 복수의 내주측 블록(51)과, 복수의 외주측 블록(52)을 포함하고 있고, 각 블록(51, 52)의 둘레 방향의 간극은 각각 산화 방지 가스 유로(53, 54)를 구성하고 있다. 또, 기체부(10)의 래버린스(50)가 배치되어 있는 영역의 외면에는 산화 방지 가스 유로(53, 54)를 흐르는 산화 방지 가스를 가열하는 필름 히터(40)가 부착되어 있다. 또, 기체부(10)의 하측에는 캐필러리(72)의 선단으로부터 뻗는 와이어 테일(73)과의 사이에서 스파크를 발생시켜 와이어 테일(73)을 프리에어볼로 형성하는 토치 전극(80)이 부착되어 있다.
본딩 동작시에는 캐필러리(72)는 본딩 암(71)에 의해 상하 방향으로 이동하여 캐필러리(72)의 선단에 형성한 프리에어볼을 반도체 다이 또는 기판의 전극에 눌러 와이어를 전극에 접합(본드)한다. 산화 방지 가스 취출 유닛(100)은 본딩 암(71)이 부착되어 있는 본딩 헤드(도시하지 않음)에 부착되고, 본딩 암(71), 캐필러리(72)와 함께 XY 방향으로 이동한다. 산화 방지 가스는 질소 또는 아르곤 등의 불활성 가스여도 되고, 예를 들면, 수소 등의 환원성의 가스를 혼합한 가스를 사용해도 된다.
도 2를 참조하면서 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 상세에 대해서 설명한다. 기체부(10)는 내부에 오목부(60)를 구비하는 본체(11)와, 본체(11) 위에 부착되어 본체(11)의 내부의 오목부(60)와의 사이에서 산화 방지 가스가 흐르는 중공부를 형성하는 덮개(12)를 구비하고 있다. 기체부(10)의 덮개(12) 위에는 필름 히터(40)가 부착되고, 그 위에 커버 플레이트(13)가 부착되어 있다. 덮개(12)에는 본체(11)의 오목부(60)에 산화 방지 가스를 유입시키는 산화 방지 가스 입구(20)가 설치되고, 커버 플레이트(13)에는 덮개(12)의 산화 방지 가스 입구(20)에 대응하는 위치에 산화 방지 가스 입구(20)에 연통하는 가스 구멍(21)이 설치되어 있다. 커버 플레이트(13)의 가스 구멍(21)에는 산화 방지 가스를 도입하는 산화 방지 가스 도입관(22)이 부착되어 있다. 또, 본체(11), 덮개(12), 필름 히터(40), 커버 플레이트(13)에는 각각 캐필러리(72)가 관통하는 각 구멍(31, 32, 41, 34)이 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 본체(11), 덮개(12), 커버 플레이트(13)는 각각 세라믹제이며, 도 2에 나타내는 바와 같이, 본체(11), 덮개(12), 필름 히터(40), 커버 플레이트(13)의 순서대로 중첩하여 소결 형성되거나, 접착제로 조립되거나 한다.
본체(11)의 내부에 설치된 오목부(60)는 덮개(12)의 산화 방지 가스 입구(20)에 연통하는 폭이 좁은 입구 영역(61)과, 양측으로부터 폭 방향으로 뻗는 돌기(58)의 산화 방지 가스 입구(20)측의 폭이 넓게 되어 있는 중간부(62)와, 돌기(58)보다 구멍(31)측의 래버린스 영역(63)의 3개의 영역을 구비하고 있다. 오목부(60)의 래버린스 영역(63)에는 캐필러리(72)가 삽입되고 빼어질 수 있는 구멍(31)이 설치되고, 오목부(60)의 바닥면으로부터 기립한 복수의 내주측 블록(51)과, 내주측 블록(51)의 외주측에 설치되고, 오목부(60)의 바닥면으로부터 기립한 복수의 외주측 블록(52)과, 돌기(58)와 직렬로 배치되고, 오목부(60)의 바닥면으로부터 기립한 직육면체의 제1 입구측 블록(57)과, 제1 입구측 블록(57)과 평행하게 배치되고, 제1 입구측 블록(57)보다 길이가 긴 직육면체의 제2 입구측 블록(56)이 설치되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는 구멍(31)의 둘레 가장자리에 배치된 내주측 블록(51)은 제1 내주측 블록(51a)으로부터 제5 내주측 블록(51e)의 5개의 블록을 포함하고 있고, 외주측 블록(52)은 제1 외주측 블록(52a)으로부터 제5 외주측 블록(52e)의 5개의 블록을 포함하고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)은 대략 사다리꼴 형상의 사변 부분에 외주 방향으로 돌출하는 작은 돌기를 설치한 형상으로 되어 있다. 보다 상세하게는 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)은 구멍(31)의 외주를 따른 부분 원통면인 내면(511a~511e)과, 각 내면(511a~511e)으로부터 외주측을 향하여 뻗는 좌우의 측면(512a~512e)과, 각 내면(511a~511e)에 대향하는 평면 형상의 외면(514a~514e)과, 외면(514a~514e)보다 외주측으로 돌출된 각부(角部)(513a~513e)를 구비하고 있다. 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 각 측면(512a~512e)은 서로 평행하며, 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 외주측으로부터 구멍(31)을 향하는 산화 방지 가스 유로(53a~53e)를 형성하고 있다. 또, 각 산화 방지 가스 유로(53a~53e)의 구멍(31)측의 단면은 각각 제1~제5 취출구(35a~35e)를 형성하고, 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 각 내면(511a~511e)과 본체(11), 덮개(12)에 설치된 각 구멍(31, 32)은 기체부(10)를 관통하는 관통 구멍(30)을 형성한다.
제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 외주측에는 원호 형상의 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)이 설치되어 있다. 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)은 각 좌단부(524a~524e)와 각 우단부(523a~523e)가 각각 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 외면(514a~514e)을 향하는 것 같은 곡률로 되어 있고, 각 좌단부(524a~524e)와 각 우단부(523a~523e)와 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 각 각부(513a~513e)와의 사이에 산화 방지 가스를 흘리는 유로를 형성하고 있다. 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)의 각각의 사이의 간극은 산화 방지 가스 유로(54a~54e)를 형성한다. 그리고, 산화 방지 가스 유로(54a~54e)의 둘레 방향 위치는 제1 내주측 블록(51a)으로부터 제5 내주측 블록(51e)의 각각의 사이의 간극인 산화 방지 가스 유로(53a~53e)의 둘레 방향 위치와 어긋나게 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 각 산화 방지 가스 유로(53a~53e)와 각 산화 방지 가스 유로(54a~54e)가 둘레 방향으로 엇갈려서 등중심 각도로 배치되어 있다.
도 2에 나타내는 산화 방지 가스 도입관(22)으로부터 가스 구멍(21), 산화 방지 가스 입구(20)를 통과하여 본체(11)의 오목부(60)의 입구 영역(61)에 도입된 산화 방지 가스는, 도 3의 화살표로 나타내는 바와 같이, 오목부(60)의 중간부(62)로 흐르고, 중간부(62)로부터 돌기(58)와 제1 입구측 블록(57) 사이를 통과하여 오목부(60)의 래버린스 영역(63)에 들어간다. 래버린스 영역(63)에 들어간 산화 방지 가스는 제2 입구측 블록(56)에 닿고, 제2 입구측 블록(56)에 의해 본체(11)의 폭 방향으로 흐름의 방향을 바꾸어 제2 입구측 블록(56)을 따라 흐르고, 제2 입구측 블록(56)과 오목부(60)의 폭 방향의 측면과의 사이로부터 유출되어, 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)과 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)으로 이루어지는 래버린스(50)를 향하여 흘러간다.
그리고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 산화 방지 가스는 제1 외주측 블록(52a)으로부터 제5 외주측 블록(52e)의 각각의 사이의 간극인 산화 방지 가스 유로(54a~54e)를 통과하여 구멍(31)을 향하여 흐르고, 각각 제1 내주측 블록(51a)으로부터 제5 내주측 블록(51e)의 각 외면(514a~514e)에 닿아 흐름 방향을 구멍(31)을 향하는 방향과 반대측으로 바꾼 후(제1회째의 흐름 방향의 변경), 도 4에 나타내는 각부(513a~513e)를 돌아 제1 내주측 블록(51a)으로부터 제5 내주측 블록(51e)의 각각의 사이의 간극인 산화 방지 가스 유로(53a~53e)로 들어가고(제2회째의 흐름 방향의 변경), 산화 방지 가스 유로(53a~53e)를 통과하여 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 구멍(31)의 중심을 향하여 취출한다.
도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이, 덮개(12)의 본체(11)의 오목부(60)의 래버린스 영역(63)에 대응하는 영역에 필름 히터(40)가 부착되어 있으므로, 래버린스 영역(63)에 들어간 산화 방지 가스는 필름 히터(40)에 의해 가열되어간다. 래버린스 영역(63)에는 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)과, 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)에 의해 구성되는 래버린스(50)가 설치되어 있고, 산화 방지 가스를 가열하는 면이 크게 되어 있는 점에서, 산화 방지 가스는 래버린스(50)에 의해 효과적으로 가열되어 적당한 온도가 되어 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 구멍(31)의 중심을 향하여 취출된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 취출된 산화 방지 가스는 본체(11)의 구멍(31)을 통과하여 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 하측(기판(90)측)으로 유출됨과 아울러, 덮개(12), 필름 히터(40), 커버 플레이트(13)의 각 구멍(32, 41, 34)을 통과하여 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 상측으로 유출된다. 그리고, 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 관통 구멍(30)의 내부와 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 상측과 하측으로 퍼지는 산화 방지 가스 영역(65)을 형성한다. 그리고, 토치 전극(80)과 캐필러리(72)의 선단으로부터 돌출된 와이어 테일(73)의 사이에서 스파크를 발생시키고, 와이어 테일(73)의 산화를 억제하면서 프리에어볼(74)로 형성한다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 래버린스(50)는 산화 방지 가스의 흐름의 방향을 적어도 2회 변경함으로써 오목부(60)의 래버린스 영역(63)에 유입된 산화 방지 가스의 산화 방지 가스 입구(20)로부터 구멍(31)을 향하는 방향의 속도 성분을 저감하고, 그 흐름의 방향을 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 구멍(31)의 중심을 향하는 방향으로 가지런히 함과 아울러, 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 취출하는 산화 방지 가스의 유량을 균등하게 할 수 있으므로, 도 5에 나타내는 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 상측, 하측으로 뻗는 산화 방지 가스 영역(65)은 캐필러리(72)의 축 방향을 따라 대략 수직 방향이 된다. 이 때문에, 와이어 테일(73) 또는 프리에어볼(74)을 캐필러리(72)의 축과 직각의 수평 방향으로 이동시키는 유체력이 억제되어, 프리에어볼(74)의 편심을 억제하고, 본딩의 품질을 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 산화 방지 가스 취출 유닛(100)은 얇은 판 형상의 구조로 되어 있고, 산화 방지 가스를 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 균등하게 취출할 수 있으므로, 산화 방지 가스의 유량이 적어도 양호하게 산화 방지 가스 영역(65)을 형성할 수 있는 점과 래버린스(50)에 의해 충분한 열교환 면적을 확보하고 있는 점에서, 소용량의 필름 히터(40)에 의해, 산화 방지 가스의 온도를 100℃ 정도까지 상승시킬 수 있다. 이것에 의해 프리에어볼(74)을 적절하게 가열하여 본딩 품질을 확보할 수 있다. 또, 컴팩트한 구성으로 할 수 있으므로 와이어 본딩 장치에 용이하게 편입시킬 수 있음과 아울러, 경량 구조로 할 수 있으므로, XY 방향으로의 고속 이동이 가능하게 되어, 본딩 속도를 향상시킬 수 있다는 효과를 나타낸다.
또, 본 실시형태에서는, 토치 전극(80)을 박판 형상의 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 하측에 배치하고 있으므로, 산화 방지 가스의 흐름이 토치 전극(80)에 의해 치우치지 않으므로, 보다 산화 방지 가스를 제1~제5 취출구(35a~35e)로부터 균등하게 취출할 수 있고, 양호하게 산화 방지 가스 영역(65)을 형성할 수 있다.
도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 앞서 설명한 실시형태에서는, 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)은 대략 사다리꼴 형상의 사변 부분에 외주 방향으로 돌출되는 작은 각부(513a~513e)를 설치한 형상으로 하여 설명했지만, 산화 방지 가스의 유량에 따라서는, 각부(513a~513e)를 설치하지 않고, 도 6에 나타내는 바와 같이 대략 사다리꼴 형상으로 해도 된다. 또, 앞서 설명한 실시형태에서는, 제1~제5 외주측 블록(52a~52e)은 각 좌단부(524a~524e)와 각 우단부(523a~523e)가 각각 제1~제5 내주측 블록(51a~51e)의 외면(514a~514e)을 향하는 것 같은 곡률로 되어 있는 것으로서 설명했지만, 이렇게 큰 곡률로 되어 있지 않아도 되고, 도 6에 나타내는 바와 같은 단순한 부분 원환을 등간격으로 배치한 것 같은 구성으로 해도 된다.
또한, 래버린스(50)는 내주측 블록(51)과 외주측 블록(52)의 2단의 구성으로 하여 설명했지만, 구멍(31)의 주위에 3단 또는 그 이상의 단수의 블록을 배치하도록 해도 되고, 필름 히터(40)는 박형의 히터이면 필름 형상이 아니어도 되며 복수의 박형의 히터를 분산하여 덮개(12) 위에 배치하도록 해도 된다. 본 실시형태는 앞서 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다.
다음에, 도 7, 도 8을 참조하여, 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 본 실시형태는 도 7, 도 8에 나타내는 바와 같이, 토치 전극(80)을 산화 방지 가스 취출 유닛(100)의 내측에 배치하도록 한 것이다. 도 7, 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는 토치 전극(80)은 본체(11)의 단면으로부터 본체의 표면과 평행하게 삽입되고, 오목부(60)의 입구 영역(61)을 통과하여, 제1, 제2 입구측 블록(57, 56), 외주측 블록(52)의 하나를 관통한 후, 내주측 블록(51)의 사이의 산화 방지 가스 유로(53)를 통과하여 구멍(31)의 상면에 이르도록 배치되어 있다. 또, 도 8에 나타내는 바와 같이, 토치 전극(80)은 본체(11)의 오목부(60) 내부에서 상하 방향의 중앙보다 하측에 배치되어 있고, 캐필러리(72)의 선단의 프리에어볼(74)이 본체(11)의 두께 방향의 중앙에서 관통 구멍(30)의 중심에 위치할 때에, 프리에어볼(74)보다 조금 하측에서 프리에어볼(74)보다 관통 구멍(30)의 주변에 어긋나게 위치하고 있다. 이 위치에 토치 전극(80)을 배치함으로써 양호하게 프리에어볼(74)을 형성할 수 있다. 토치 전극(80)은 외부로부터 삽입되고 빼어지는 것이 가능하며, 그 선단 위치를 조정하는 것이 가능하게 되도록 본체(11)에 부착되어 있다.
본 실시형태는 앞서 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 효과 이외에, 토치 전극(80)이 산화 방지 가스 영역(65) 중에 배치되어 있으므로, 토치 전극(80)의 표면의 산화가 억제되고, 장기간에 걸쳐 안정적인 방전을 행할 수 있다는 효과를 나타낸다.
본 발명은 이상 설명한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 의해 규정되어 있는 본 발명의 기술적 범위 내지 본질로부터 일탈하지 않는 모든 변경 및 수정을 포함하는 것이다.
10…기체부 11…본체
12…덮개 13…커버 플레이트
20…산화 방지 가스 입구 21…가스 구멍
22…산화 방지 가스 도입관 30…관통 구멍
31, 32, 41, 34…구멍 35, 35a~35e…산화 방지 가스 취출구
40…필름 히터 50…래버린스
51, 51a~51e…내주측 블록 52, 52a~52e…외주측 블록
53, 53a~53e, 54, 54a~54e…산화 방지 가스 유로
56…제2 입구측 블록 57…제1 입구측 블록
58…돌기 60…오목부
61…입구 영역 62…중간부
63…래버린스 영역 65…산화 방지 가스 영역
71…본딩 암 72…캐필러리
73…와이어 테일 74…프리에어볼
80…토치 전극 90…기판
100…산화 방지 가스 취출 유닛 511a~511e…내면
512a~512e…측면 513a~513e…각부
514a~514e…외면 523a~523e…우단부
524a~524e…좌단부

Claims (8)

  1. 내부에 산화 방지 가스 유로가 형성된 중공판 형상의 기체부(基體部)와,
    캐필러리가 삽입되고 빼어질 수 있도록 상기 기체부의 두께 방향으로 관통하고, 상기 산화 방지 가스 유로에 연통하여 형성되고, 상기 캐필러리의 선단에 형성된 프리에어볼에 가온한 산화 방지 가스를 내뿜는 관통 구멍과,
    상기 관통 구멍의 둘레의 상기 기체부의 외면에 부착되고, 상기 프리에어볼에 내뿜어지는 상기 산화 방지용 가스를 가온하는 필름 히터를 구비하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화 방지 가스 유로는 상기 관통 구멍의 중심을 향하여 산화 방지 가스를 취출하는 복수의 취출구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    산화 방지 가스 유로에 산화 방지 가스를 유입시키는 산화 방지 가스 입구를 구비하고,
    상기 산화 방지 가스 유로는 상기 산화 방지 가스 입구로부터 각 취출구까지의 사이에, 흐름의 방향을 적어도 2회 변경하는 래버린스(labyrinth)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 래버린스는,
    상기 관통 구멍의 둘레 가장자리에 배치되고, 그 사이의 둘레 방향의 각 간극이 상기 각 취출구를 형성하는 복수의 내주측 블록과,
    상기 각 내주측 블록의 외주측에서, 그 사이의 둘레 방향의 각 간극이 상기 내주측 블록의 각 간극과 둘레 방향으로 어긋나게 배치되는 복수의 외주측 블록을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 필름 히터는 상기 래버린스가 배치되어 있는 영역의 상기 기체부의 외면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 필름 히터는 상기 래버린스가 배치되어 있는 영역의 상기 기체부의 외면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐필러리의 선단으로부터 뻗은 와이어 테일과의 사이에서 스파크를 발생시키고, 상기 와이어 테일을 프리에어볼로 형성하는 토치 전극이 기체부의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
  8. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐필러리의 선단으로부터 뻗은 와이어 테일과의 사이에서 스파크를 발생시키고, 상기 와이어 테일을 프리에어볼로 형성하는 토치 전극이 기체부의 내측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 산화 방지 가스 취출 유닛.
KR1020147014751A 2012-01-26 2012-11-30 산화 방지 가스 취출 유닛 KR101612012B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012014236 2012-01-26
JPJP-P-2012-014236 2012-01-26
PCT/JP2012/081135 WO2013111452A1 (ja) 2012-01-26 2012-11-30 酸化防止ガス吹き出しユニット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140098106A KR20140098106A (ko) 2014-08-07
KR101612012B1 true KR101612012B1 (ko) 2016-04-12

Family

ID=48873193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147014751A KR101612012B1 (ko) 2012-01-26 2012-11-30 산화 방지 가스 취출 유닛

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9044821B2 (ko)
JP (1) JP5592029B2 (ko)
KR (1) KR101612012B1 (ko)
CN (1) CN103930980B (ko)
SG (1) SG11201403542XA (ko)
TW (1) TWI500093B (ko)
WO (1) WO2013111452A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014075519A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Shinkawa Ltd 酸化防止ガス吹き出しユニット
JP5916814B2 (ja) * 2014-08-06 2016-05-11 株式会社カイジョー ボンディング方法及びボンディング装置
JP6467281B2 (ja) 2015-04-30 2019-02-13 日鉄マイクロメタル株式会社 ボンディングワイヤのボール形成方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972730A (ja) 1982-10-20 1984-04-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体単結晶の加工方法
JPS5972730U (ja) * 1982-11-05 1984-05-17 株式会社東芝 ワイヤボンデイング装置
JPS60244034A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンデイング用雰囲気形成装置
JPS63147338A (ja) * 1986-12-11 1988-06-20 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置用ト−チ
JPS63164230A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Hitachi Ltd ワイヤボンディング方法
US4976393A (en) 1986-12-26 1990-12-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and production process thereof, as well as wire bonding device used therefor
JPS63266845A (ja) 1987-04-24 1988-11-02 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング装置
JPS6454742A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Hitachi Ltd Bonding method and device
JPH03253045A (ja) * 1990-03-02 1991-11-12 Hitachi Ltd ワイヤボンディング装置
JP3128718B2 (ja) * 1993-09-21 2001-01-29 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
US6180891B1 (en) * 1997-02-26 2001-01-30 International Business Machines Corporation Control of size and heat affected zone for fine pitch wire bonding
JP2003037131A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd ボンディング装置
JP4043495B2 (ja) * 2006-04-20 2008-02-06 株式会社カイジョー ワーククランプ及びワイヤボンディング装置
US20070251980A1 (en) 2006-04-26 2007-11-01 Gillotti Gary S Reduced oxidation system for wire bonding
US7614538B2 (en) * 2006-05-15 2009-11-10 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Device clamp for reducing oxidation in wire bonding
JP2008034811A (ja) * 2006-07-03 2008-02-14 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置におけるボール形成装置及びボンディング装置
US7628307B2 (en) * 2006-10-30 2009-12-08 Asm Technology Singapore Pte Ltd. Apparatus for delivering shielding gas during wire bonding
JP4392015B2 (ja) * 2006-11-21 2009-12-24 株式会社カイジョー ワイヤボンディング装置
JP4700633B2 (ja) * 2007-02-15 2011-06-15 株式会社新川 ワイヤ洗浄ガイド
JP2009105114A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置及びボール形成方法
JP5753644B2 (ja) * 2008-06-10 2015-07-22 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． ワイヤーボンディング作業における酸化軽減のためのガス配送システム
US20100078464A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus and ball forming method
TWM374146U (en) * 2009-09-30 2010-02-11 Sureway Technology Co Ltd Air feeder applied to welding line device
TWI429009B (zh) * 2010-05-12 2014-03-01 Chipmos Technologies Inc 導氣管裝置
US8186562B1 (en) * 2010-12-14 2012-05-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus for increasing coverage of shielding gas during wire bonding
JP5296233B2 (ja) * 2012-02-07 2013-09-25 株式会社新川 ワイヤボンディング装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9044821B2 (en) 2015-06-02
US20140311590A1 (en) 2014-10-23
CN103930980B (zh) 2016-11-23
JPWO2013111452A1 (ja) 2015-05-11
JP5592029B2 (ja) 2014-09-17
CN103930980A (zh) 2014-07-16
TW201344815A (zh) 2013-11-01
SG11201403542XA (en) 2014-10-30
WO2013111452A1 (ja) 2013-08-01
KR20140098106A (ko) 2014-08-07
TWI500093B (zh) 2015-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101612012B1 (ko) 산화 방지 가스 취출 유닛
JP6634315B2 (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
JP6350932B2 (ja) 加熱及び冷却可能な吸引部材を有するボンディングヘッド
US20140332583A1 (en) Wire bonding apparatus
WO2013024612A1 (ja) ワイヤボンディング装置
JP6650808B2 (ja) 保持装置
KR101643244B1 (ko) 산화 방지 가스 취출 유닛
JP2012250496A (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法
JP7283872B2 (ja) 保持装置
KR101771142B1 (ko) 산화 방지 가스 취출 유닛
JP6632856B2 (ja) ボンディングヘッドおよび実装装置
JP5254427B2 (ja) ワイヤボンディング装置
WO2017065073A1 (ja) ボンディングヘッドおよび実装装置
US20150364440A1 (en) Rapid cooling system for a bond head heater
JP2020088052A (ja) 静電チャック
JP5049321B2 (ja) ワーククランプ及びワイヤボンディング装置
KR20220146327A (ko) 정전 흡착 부재 및 기판 고정 장치
JP2011157618A (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee