JP6350932B2 - 加熱及び冷却可能な吸引部材を有するボンディングヘッド - Google Patents

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Description

本発明は、加熱及び冷却可能な吸引部材を有するボンドヘッドに関する。
[優先権の主張]
本出願人は、2013年1月21日に出願されたスイス特許出願第245/13号からの優先権を主張し、この出願の開示は参照により本明細書に援用される。
そのようなボンディングヘッドは、半導体産業において、(ダイとして知られている)半導体チップの基板に対する通常の接合又は熱圧着に用いられる。接続部の形成は、温度及び任意選択的な圧力の作用下で生じる。
熱圧着等の特定の接合プロセスは、基板に対する接合中の半導体チップの加熱及び冷却、すなわち、極端な加熱速度及び冷却速度を有する温度プロファイルを生じさせることを必要とする。この加熱及び冷却は時間を要し、サイクル時間、したがって機械のスループットを実質的に決定する。
特許文献1から、熱圧着ヘッドであって、熱圧着ヘッドにねじ留めされるセラミクスから作られる吸引部材を備える、熱圧着ヘッドが既知である。吸引部材は、吸引部材の凹部に取り付けられる抵抗加熱を含む。熱電素子が吸引部材の外側に更に配置される。吸引部材の上面は凹部を含むため、熱圧着ヘッドと吸引部材との間に冷却流路が形成され、この冷却流路に、吸引部材を冷却する圧縮空気を供給することができる。圧縮空気は、冷却流路を通って水平方向に流れ、それらの端部において周囲環境に達する。
特許文献2から、一体的なヒーター、及び圧縮空気を供給することができる冷却流路を有するボンディングヘッド本体、並びに真空によってボンディングヘッド本体に対して保持することができる吸引部材を備える熱圧着ヘッドが既知である。吸引部材も、圧縮空気を供給することができる冷却流路を含む。
現行の技術水準から既知であるそのようなボンディングヘッドの場合、100℃/秒の加熱速度で半導体チップを加熱し、50℃/秒の冷却速度で半導体チップを冷却することが可能である。
米国特許第6,821,381号 国際公開第2012002300号
本発明は、そのようなボンディングヘッドを改良し、すなわち特に吸引部材の加熱速度及び冷却速度を高めるという目的に基づくものである。
本明細書に組み込まれて本明細書の一部をなす添付の図面は、本発明の1つ又は複数の実施形態を示し、詳細な説明とともに、本発明の原理及び実施態様を説明する役割を果たす。図面は一定の縮尺では描かれていない。
本発明によるボンディングヘッドの断面図を概略的に示す図である。 吸引部材の底面を示す図である。 吸引部材の上面を示す図である。
半導体実装装置が、半導体チップを次々に取り上げて基板上に配置するピックアンドプレースシステムを含む。ピックアンドプレースシステムはボンディングヘッド1を含む。図1は、本発明の理解に必要な、ボンディングヘッド1の部分を概略的に示している。ボンディングヘッド1は、ピックアンドプレースシステムに対して、基板の表面に垂直に延びる方向に変位可能に取り付けられており、その方向は通常は鉛直方向であり、本明細書ではZ方向と称される。ボンディングヘッド1は、ボンディングヘッド本体2、並びにボンディングヘッド本体2に着脱可能に固定されている加熱及び冷却可能な吸引部材3を含む。
吸引部材3は、互いに反対側にあるとともに互いに対して平行に延びる底面4及び上面5を有する。ボンディングヘッド本体2は、吸引部材3の上面5が当接する底面6を有する。ボンディングヘッド本体2の底面6又は吸引部材3の上面5には、1つ又は複数の第1のリセス7が設けられており、第1のリセスには第1の流路(単数又は複数)8が開口しており、これらの第1の流路には、底面6に当接する吸引部材3を吸引してしっかりと保持するために真空を供給することができる。
図2は、吸引部材3の底面4を示している。底面4は、(図示のような)1つの凹部又はより多くの凹部9を有する。ボンディングヘッド本体2及び吸引部材3は、上記1つ又は複数の凹部9に開口しているとともに半導体チップ11を吸引するために真空を供給することができる少なくとも1つの第2の流路10を含む。凹部(単数又は複数)9によって全体的に覆われている底面4の表面積は、半導体チップ11を吸引する吸引領域を形成し、一方で、凹部(単数又は複数)9によって覆われていない底面4の表面積は、加熱中の熱の伝達、又は半導体チップ11の冷却中の熱の消失を可能にする。表面積のこれらの2つの割合は、半導体チップ11を一方では必要な力によって吸引することができ、他方では効率的に加熱及び冷却することができるようにそれらの比率に関して決定される。
吸引部材3は、側壁15に開口しているか又は好ましくは吸引部材3の上面5に開口している入口13及び出口14をそれぞれ有する1つ又は複数の冷却流路12を含む。ボンディングヘッド本体2の底面6には、1つ又は複数の第2の凹部16、及び1つ又は複数の第3の凹部17が形成されている。ボンディングヘッド本体2は、上記1つ又は複数の第2の凹部16に開口している第3の流路(単数又は複数)18、及び、上記1つ又は複数の第3の凹部17に開口している第4の流路(単数又は複数)19を含む。吸引部材3がボンディングヘッド本体2の底面6に当接すると、上記1つ又は複数の凹部16は冷却流路12の入口13に接続する1つ又は複数のキャビティを形成し、上記1つ又は複数の凹部17は冷却流路12の出口14に接続する1つ又は複数のキャビティを形成する。吸引部材3はしたがって、冷却媒体を第3の流路(単数又は複数)18を通して供給すること、及び冷却媒体を第4の流路(単数又は複数)19を通して排出することによって冷却することができる。冷却媒体は、例えば第3の流路(単数又は複数)18に供給され、その後、冷却流路12を通って流れて第4の流路(単数又は複数)を介して周囲環境に排出される圧縮空気である。第3の流路(単数又は複数)18及び第4の流路(単数又は複数)19は、ガス状又は液体の冷却媒体が循環することができる閉冷却回路の一部であるものとすることもできる。
吸引部材3は、吸引部材3に一体化されている電気抵抗加熱20及び温度センサー21を更に含む。温度センサー21は好ましくは温度に依存する電気抵抗器であり、吸引部材3のその時点の温度を測定するのに用いられる。吸引部材3は、例えば本明細書において示されるような横方向に突出する突起22を含み、突起の上面は吸引部材3の上面5よりも低く位置し、突起の底面は吸引部材3の底面4よりも高く位置する。突起22の上面は、電気抵抗加熱20に接続されている2つの第1の電気接触領域23、及び温度センサー21を形成する温度に依存する電気抵抗器に接続されている2つの第2の電気接触領域24を含む。電気接触領域は、吸引部材3の上面5及び/又は側壁15に一体化することもできる。
図3は吸引部材3の上面図を示している。この図は、上面5を、冷却流路12の入口13及び出口14、並びに第1の電気接触領域23及び第2の電気接触領域24とともに示している。
(図示のような)接触ピン又はブラケット等のような電気接触素子25がボンディングヘッド本体2に取り付けられており、この接触素子は好ましくは弾性的に実装され、抵抗加熱の動作及び温度センサー21の動作に必要な電流を供給する制御ユニットに電気的に接続されている。吸引部材3がボンディングヘッド本体2の底面6に対して吸引されると、電気接触素子25は接触領域23及び24に接触し、それによって、電気抵抗加熱20及び温度センサー21への電気的な接続が生じる。
冷却流路12は好ましくは吸引部材3の上面5の真下に配置される。電気抵抗加熱20は好ましくは冷却流路12の下に配置されるが、冷却流路12の上、すなわち、冷却流路12と上面5との間に配置することもできる。温度センサー21は好ましくは吸引部材3の底面4の真上に配置されるが、吸引部材3の別の位置に位置決めすることもできる。吸引部材3は焼結セラミック材料の単一片からなる。例えば、セラミック材料、抵抗加熱20及び温度センサー21の幾つかの層が所望の順で互いに上下に積み重ねられ、次に、吸引部材3を形成する1つの単一のセラミック素子が製造されるよう一緒に焼結されるように、製造が行われる。
本発明によるボンディングヘッド1は、吸引部材3の加熱、冷却及び温度の監視に必要な素子が全て吸引部材3に一体化されており、ボンディングヘッド本体2が吸引部材3に電力及び冷却媒体を供給するのに必要な素子しか含まないことを特徴とする。さらに、上記素子の配置及び構成は、他方では、吸引部材3が平坦であり、すなわち底面4と上面5との間の距離Aが最大幅B、すなわち(突起22を考慮しない)相互に対向する側壁15間の最大距離よりも明らかに小さいようになされる。一体化された電気抵抗加熱20及び一体化された温度センサー21を有する焼結セラミック材料の単一片からなる吸引部材3のコンパクトな構成は、一方では吸引部材3の非常に低い熱質量につながり、他方では、加熱も冷却も、熱伝達を妨げる表面によって半導体チップ11から分離されず、この分離は、抵抗加熱20及び/又は冷却流路12がボンディングヘッド本体2に一体化される場合には当てはまる。
冷却流路12は好ましくは、吸引部材3の上面5に平行に延びる1つの単一の平面にのみ配置され、互いに上下に位置する複数の平面には配置されない。冷却流路12はこの構成では低い高さしか形成せず、それによって、吸引部材3の平坦な構造が得られる。平坦な構造は全体的な高さが低いことを意味する。
冷却のために圧縮空気又は不活性ガスが提供される実施形態の場合、第4の流路(単数又は複数)19は好ましくは、図示のように、吸引部材3の底面4に対して斜めに延びる方向に延び、周囲環境に開口する。第4の流路(単数又は複数)19の出口開口はしたがって、吸引部材3の底面4から、第4の流路(単数又は複数)19の入口開口よりも更に離れている。放出される圧縮空気はしたがって、上方方向へ流れ出ることで、放出される圧縮空気が、基板への接続部が完全には固化していない既に実装された半導体チップを変位させるか若しくは吹き飛ばすか、又は、接着剤でコーティングされているが半導体チップがまだ配置されていない隣接する基板の位置の場合に接着剤が押し流される可能性を低減する。
吸引部材3は、ボンディングヘッド本体2に着脱可能に固定されるか又は真空によってボンディングヘッド本体2に対して保持されるため、半導体実装装置を様々なサイズの半導体チップに合わせて調整するために容易かつ自動的に交換することができる。
本発明の実施形態及び適用を図示し説明したが、本開示の利益を得る当業者には、本明細書における本発明の概念から逸脱することなく上述したものよりも多くの変更形態が可能であることが明らかであろう。本発明はしたがって、添付の特許請求の範囲の主旨及びそれらの均等物を除いて限定されるべきではない。

Claims (6)

  1. ボンディングヘッド(1)であって、
    ボンディングヘッド本体(2)、及び
    焼結セラミック材料の単一片からなるとともに互いに反対側にある底面(4)及び上面(5)と、第1の接触領域(23)及び第2の接触領域(24)と、を有し、前記ボンディングヘッド(1)に対して真空によって着脱可能に保持することができる平坦な吸引部材(3)を備え、
    前記吸引部材(3)では:
    前記底面(4)には少なくとも1つの凹部(9)が形成されており、
    1つ又は複数の冷却流路(12)が前記上面(5)の下に設けられており、前記1つ又は複数の冷却流路(12)は入口(13)及び出口(14)を有し、
    電気抵抗加熱(20)が前記1つ又は複数の冷却流路(12)の下又は上に配置されており、
    温度センサー(21)が一体化されており、前記電気抵抗加熱(20)は第1の接触領域(23)に接続されており、前記温度センサー(21)は第2の接触領域(24)に接続されており;
    前記ボンディングヘッド本体(2)の底面(6)又は前記吸引部材(3)の前記上面(5)は1つ又は複数の凹部(7)を有し、前記ボンディングヘッド本体(2)は、前記1つ又は複数の凹部(7)に開口しているとともに前記吸引部材(3)を吸引するための真空を供給することができる1つ又は複数の第1の流路(8)を有し、
    前記ボンディングヘッド本体(2)及び前記吸引部材(3)は、前記吸引部材(3)の前記底面(4)の前記少なくとも1つの凹部(9)に開口しているとともに半導体チップ(11)を吸引するための真空を供給することができる少なくとも1つの第2の流路(10)を有し;
    前記ボンディングヘッド本体(2)は、前記1つ又は複数の冷却流路(12)の前記入口(13)と連通接続している1つ又は複数の第3の流路(18)、及び前記1つ又は複数の冷却流路(12)の前記出口(14)と連通接続している1つ又は複数の第4の流路(19)を有し、
    接触素子(25)が前記ボンディングヘッド本体(2)に取り付けられており、前記接触素子(25)は、前記吸引部材(3)が吸引されると上方に移動することにより、前記第1の接触領域(23)及び前記第2の接触領域(24)に接触し、それによって、前記吸引部材(3)は、前記電気抵抗加熱(20)によって加熱することができ、冷却媒体を前記1つ又は複数の第3の流路(18)を通して供給するとともに前記冷却媒体を前記1つ又は複数の第4の流路(19)を通して排出することによって冷却することができ、また、前記温度センサー(21)によって測定された温度を制御ユニットに送信することができる、ボンディングヘッド。
  2. 前記吸引部材(3)は、上面を有する横方向の突出部(22)を備え、第1の接触領域(23)及び第2の接触領域(24)が前記突出部(22)の上面に配置される、請求項1に記載のボンディングヘッド
  3. 前記1つ又は複数の第4の流路(19)は、前記吸引部材(3)の前記底面(4)に対して斜めに配置される方向に延び、周囲環境に開口しており、それによって、前記1つ又は複数の第4の流路(19)の出口開口は、前記吸引部材(3)の前記底面(4)から、前記1つ又は複数の第4の流路(19)の入口開口よりも、更に離れている、請求項1に記載のボンディングヘッド。
  4. 前記1つ又は複数の冷却流路(12)、前記1つ又は複数の第3の流路(18)及び前記1つ又は複数の第4の流路(19)は閉回路に属する、請求項1に記載のボンディングヘッド。
  5. 前記1つ又は複数の冷却流路(12)は、前記吸引部材(3)の前記上面(5)に平行に延びる単一の平面に配置されている、請求項1〜のいずれか一項に記載のボンディングヘッド。
  6. 前記接触素子(25)は、前記ボンディングヘッド本体(2)に弾性的に実装されている、請求項1〜のいずれか一項に記載のボンディングヘッド。
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