JP4941305B2 - 接合装置 - Google Patents
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Description
12 第1ブロック部材
12A 第1押板部
12B 第1裏板部
12C 第1ヒータチップ(加熱部材、ヒータチップ)
15 第1冷却溝(第1冷却用ガス流路)
17 第1吸着溝
19 第1N2ガス供給流路(第1冷却用ガス供給流路)
20 第1支柱部材(第1可撓性部材)
22 第1加圧軸(第1加圧部材)
23 第1空気流路
24 第1中空部材(第1中空導管)
25 第1冷却用流体循環路
26 第1Oリング(第1弾性部材)
28 第2ブロック部材
28A 第2押板部
28B 第2裏板部
28C 第2ヒータチップ(加熱部材、ヒータチップ)
31 第2冷却溝(第2冷却用ガス流路)
33 第2吸着溝
36 切り欠き(貫通部)
40 第2支柱部材(第2可撓性部材)
41 第2N2ガス供給流路(第2冷却用ガス供給流路)
42 第2加圧軸(第2加圧部材)
43 第2空気流路
44 第2中空部材(第2中空導管)
45 第2冷却用流体循環路
M1 第1空間部
M2 第2空間部
W1 第1ウエーハ(第1電子部品)
W2 第2ウエーハ(第2電子部品)
Claims (12)
- 一方側端面で第1電子部品を把持する第1ブロック部材と、
前記第1ブロック部材と第1空間部を介して配置され前記第1ブロック部材を所定の方向に加圧する第1加圧部材と、
前記第1空間部に設けられ前記第1ブロック部材の中心と同心の円周上でありかつ相互に等間隔となるように前記第1ブロック部材の他方側端面に接続されるとともに、前記第1加圧部材からの加圧力を前記第1ブロック部材に伝達する複数の棒状の第1可撓性部材と、
前記第1ブロック部材と対向可能となるように設けられ一方側端面で前記第1電子部品と接合する第2電子部品を把持する第2ブロック部材と、
前記第2ブロック部材と第2空間部を介して配置され前記第2ブロック部材が前記第1ブロック部材を押圧する方向に前記第2ブロック部材を加圧する第2加圧部材と、
前記第2空間部に設けられ前記第2ブロック部材の中心と同心の円周上でありかつ相互に等間隔となるように前記第2ブロック部材の他方側端面に接続されるとともに、前記第2加圧部材からの加圧力を前記第2ブロック部材に伝達する複数の棒状の第2可撓性部材と、
前記第1ブロック部材及び前記第2ブロック部材を加熱する加熱部材と、
を含んで構成されていることを特徴とする接合装置。 - 前記第1ブロック部材又は前記第2ブロック部材の少なくとも一方には、前記第1ブロック部材又は前記第2ブロック部材を厚み方向に貫通する貫通部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の接合装置。
- 前記第1ブロック部材又は前記第2ブロック部材の厚み方向一方側の前記貫通部の開口面積が厚み方向他方側の前記貫通部の開口面積と比較して大きいことを特徴とする請求項2に記載の接合装置。
- 前記加熱部材は、ヒータチップであり、
前記第1ブロック部材は、前記第1電子部品を把持する第1押板部と、前記第1押板部に接続し前記第1押板部の線膨張係数と同一又は略同一の線膨張係数を有する第1裏板部と、前記第1裏板部に接続し前記第1押板部を加熱するとともに前記第1押板部の線膨張係数と同一又は略同一の線膨張係数を有する前記ヒータチップと、で構成され、
前記第2ブロック部材は、前記第2電子部品を把持する第2押板部と、前記第2押板部に接続し前記第2押板部の線膨張係数と同一又は略同一の線膨張係数を有する第2裏板部と、前記第2裏板部に接続し前記第2押板部を加熱するとともに前記第2押板部の線膨張係数と同一又は略同一の線膨張係数を有する前記ヒータチップと、で構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の接合装置。 - 前記第1押板部及び前記第2押板部は導体であり、前記第1裏板部及び前記第2裏板部は絶縁体であることを特徴とする請求項4に記載の接合装置。
- 前記第1押板部と前記第1裏板部との間には、冷却用ガスが流れる第1冷却用ガス流路が形成され、
前記第2押板部と前記第2裏板部との間には、冷却用ガスが流れる第2冷却用ガス流路が形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の接合装置。 - 前記第1可撓性部材は、内部に前記冷却用ガスを流動させて前記第1冷却用ガス流路に前記冷却用ガスを供給する冷却ガス供給機能を兼ね備えており、
前記第2可撓性部材は、内部に前記冷却用ガスを流動させて前記第2冷却用ガス流路に前記冷却用ガスを供給する冷却ガス供給機能を兼ね備えていることを特徴とする請求項6に記載の接合装置。 - 前記第1押板部に前記第1電子部品を吸着させる第1吸着手段と、
前記第2押板部に前記第2電子部品を吸着させる第2吸着手段と、
を有することを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の接合装置。 - 前記第1吸着手段は、前記第1押板部に形成された複数の第1吸着溝と、前記第1吸着溝から吸引した空気を流動させる第1中空導管と、で構成され、
前記第2吸着手段は、前記第2押板部に形成された複数の第2吸着溝と、前記第2吸着溝から吸引した空気を流動させる第2中空導管と、で構成されていることを特徴とする請求項8に記載の接合装置。 - 前記第1中空導管は第1弾性部材を介して前記第1加圧部材と接続され、前記第2中空導管は第2弾性部材を介して前記第2加圧部材と接続されていることを特徴とする請求項9に記載の接合装置。
- 前記第1加圧部材の内部には、前記第1可撓性部材に供給する前記冷却用ガスが流動する第1冷却用ガス供給流路と、前記第1中空導管から流入した空気が流動する第1空気流路が形成されており、
前記第2加圧部材の内部には、前記第2可撓性部材に供給する前記冷却用ガスが流動する第2冷却用ガス供給流路と、前記第2中空導管から流入した空気が流動する第2空気流路が形成されていることを特徴とする請求項9又は10に記載の接合装置。 - 前記第1加圧部材の内部には、前記第1加圧部材を冷却させる冷却用流体を循環させるための第1冷却用流体循環路が形成されており、
前記第2加圧部材の内部には、前記第2加圧部材を冷却させる冷却用流体を循環させるための第2冷却用流体循環路が形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の接合装置。
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Families Citing this family (27)
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---|---|---|---|---|
CH698844B1 (de) * | 2007-06-22 | 2009-11-13 | Oerlikon Assembly Equipment Ag | Vorrichtung zum Anpressen von auf einem Substrat angeordneten Halbleiterchips. |
CN102333738B (zh) * | 2009-02-25 | 2015-07-15 | 精工电子有限公司 | 阳极接合方法、阳极接合夹具以及阳极接合装置 |
JP5549344B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-07-16 | 株式会社ニコン | 基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイス製造方法および位置合わせ装置 |
CN101811223A (zh) * | 2010-04-14 | 2010-08-25 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材组件焊接方法 |
JP2012054416A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nikon Corp | 押圧装置、貼り合わせ装置、貼り合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法 |
JP5134673B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法 |
US8512491B2 (en) * | 2010-12-21 | 2013-08-20 | Tessera, Inc. | Dual wafer spin coating |
JP5791322B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-10-07 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法 |
US9434029B2 (en) * | 2011-12-20 | 2016-09-06 | Intel Corporation | High performance transient uniform cooling solution for thermal compression bonding process |
US9412629B2 (en) * | 2012-10-24 | 2016-08-09 | Globalfoundries Inc. | Wafer bonding for 3D device packaging fabrication |
KR101380068B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-04-10 | 두산엔진주식회사 | 촉매 지지체 제조장치 및 이를 이용한 탈질 촉매 제조 방법 |
CH707480B1 (de) * | 2013-01-21 | 2016-08-31 | Besi Switzerland Ag | Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan. |
NL2010252C2 (en) | 2013-02-06 | 2014-08-07 | Boschman Tech Bv | Semiconductor product processing method, including a semiconductor product encapsulation method and a semiconductor product carrier-mounting method, and corresponding semiconductor product processing apparatus. |
JP5860431B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システムおよび接合方法 |
JP6148532B2 (ja) * | 2013-05-08 | 2017-06-14 | 東京応化工業株式会社 | 貼付装置及び貼付方法 |
US9165902B2 (en) * | 2013-12-17 | 2015-10-20 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines |
US9282650B2 (en) * | 2013-12-18 | 2016-03-08 | Intel Corporation | Thermal compression bonding process cooling manifold |
JP6466217B2 (ja) * | 2014-04-10 | 2019-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置及び剥離システム |
US10192847B2 (en) * | 2014-06-12 | 2019-01-29 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Rapid cooling system for a bond head heater |
JP2014241416A (ja) * | 2014-07-14 | 2014-12-25 | 株式会社ニコン | 基板貼り合せ装置および積層半導体装置製造方法 |
WO2016075853A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | ソニー株式会社 | 光源装置、画像表示装置、及び光学ユニット |
KR102200697B1 (ko) * | 2015-01-12 | 2021-01-12 | (주)테크윙 | 테스트핸들러용 가압장치 |
US9466538B1 (en) * | 2015-11-25 | 2016-10-11 | Globalfoundries Inc. | Method to achieve ultra-high chip-to-chip alignment accuracy for wafer-to-wafer bonding process |
US10312126B1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-04 | Micron Technology, Inc. | TCB bond tip design to mitigate top die warpage and solder stretching issue |
KR20210037431A (ko) * | 2019-09-27 | 2021-04-06 | 삼성전자주식회사 | 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
CN110970278B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-10-28 | 南京三乐集团有限公司 | 一种用于辐冷型空间行波管的收集极散热结构 |
CN114333598A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-12 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示面板加工装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283392A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Seiko Epson Corp | 基板の重ね合わせ方法及び装置 |
JPH10242174A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Nec Corp | ボンディングヘッド |
JP2003057665A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Hitachi Industries Co Ltd | 液晶基板の組立装置 |
JP2003322834A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板貼り合わせ装置及び方法並びに基板検出装置 |
JP2004063947A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kyocera Corp | 加熱装置 |
JP2004127981A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sony Corp | ボンディング装置 |
JP2004151655A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学機器の製造方法および製造装置、並びに電子機器 |
JP2004309593A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Fujitsu Ltd | 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法 |
JP2005109219A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体貼り合わせ装置 |
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WO2007069376A1 (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 位置合わせ装置、接合装置及び位置合わせ方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283392A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Seiko Epson Corp | 基板の重ね合わせ方法及び装置 |
JPH10242174A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Nec Corp | ボンディングヘッド |
JP2003057665A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Hitachi Industries Co Ltd | 液晶基板の組立装置 |
JP2003322834A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板貼り合わせ装置及び方法並びに基板検出装置 |
JP2004063947A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kyocera Corp | 加熱装置 |
JP2004127981A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sony Corp | ボンディング装置 |
JP2004151655A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学機器の製造方法および製造装置、並びに電子機器 |
JP2004309593A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Fujitsu Ltd | 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法 |
JP2005109219A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体貼り合わせ装置 |
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